JPH0658734B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0658734B2 JPH0658734B2 JP59233211A JP23321184A JPH0658734B2 JP H0658734 B2 JPH0658734 B2 JP H0658734B2 JP 59233211 A JP59233211 A JP 59233211A JP 23321184 A JP23321184 A JP 23321184A JP H0658734 B2 JPH0658734 B2 JP H0658734B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体に関す
る。
る。
垂直磁気記録方式は、記録媒体膜面に垂直方向に記録を
行なうものであり、高密度記録の際の各ビツト内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式であ
る。この目的のために使用される磁気記録媒体として
は、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｗ，Ｃ
ｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜などのＣｏ基合金膜がある。こ
れらＣｏ基合金はｈ，ｃ，ｐ構造を持ち，薄膜を構成す
る微結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持つ。磁気記
録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸配向度を上
げることが必要である。また、アイ・イー・イー・イー
トランザクションズ オン マグネティックス，マグ
−１５，１４５６頁，１９７９年（ＩＥＥＥ Transact
ion on Magnetics,Mag−１５，１４５６（１９７９））
における岩崎らの“多層異方性膜を有する垂直磁気記録
（Perpendicular Magnetic Recording with Composite
Anisotropy Film）”と題する文献において論じられて
いるように、磁気記録の感度を上げるためにはＣｏ基合
金膜の下部にパーマロイなどの軟磁性材料層を設けるこ
とが有効である。
行なうものであり、高密度記録の際の各ビツト内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式であ
る。この目的のために使用される磁気記録媒体として
は、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｗ，Ｃ
ｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜などのＣｏ基合金膜がある。こ
れらＣｏ基合金はｈ，ｃ，ｐ構造を持ち，薄膜を構成す
る微結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持つ。磁気記
録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸配向度を上
げることが必要である。また、アイ・イー・イー・イー
トランザクションズ オン マグネティックス，マグ
−１５，１４５６頁，１９７９年（ＩＥＥＥ Transact
ion on Magnetics,Mag−１５，１４５６（１９７９））
における岩崎らの“多層異方性膜を有する垂直磁気記録
（Perpendicular Magnetic Recording with Composite
Anisotropy Film）”と題する文献において論じられて
いるように、磁気記録の感度を上げるためにはＣｏ基合
金膜の下部にパーマロイなどの軟磁性材料層を設けるこ
とが有効である。
現在用いられている垂直磁気記録媒体は、ポリイミド，
ポリエチレンテレフタレート等のプラスチツクフイルム
類、あるいはＡｌ，ガラス板などの非磁性基板上に直接
Ｃｏ基合金膜を付着せしめるか、もしくは磁気記録の感
度を向上する目的から前記基板上にパーマロイ等の軟磁
性薄膜を介してＣｏ基合金膜を付着せしめたものであ
る。しかし、非磁性基板上に直接付着したＣｏ基合金膜
のＣ軸配向度はΔθ50＝８〜９゜で高密度磁気記録媒体
としては良くない。前記Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向度を向
上する目的から、杉田らは非磁性基板上にＴｉなどの
ｈ，ｃ，ｐ構造の薄膜層を介してＣｏ基合金薄膜を形成
することを提案した(特開報昭58-77025号“磁気記録媒
体の製造方法”)。この方式によりΔθ50＝６〜８゜の
Ｃｏ基合金薄膜を得ることができるが、さらに高密度磁
気記録用媒体としてはより高配向の薄膜が要求されてい
る。また、磁気記録の感度の向上のためにＣｏ基合金膜
の下部に軟磁性層薄膜を設けた場合、Ｃｏ基合金膜のＣ
軸配向度は、非磁性基板上に直接付着したときのＣｏ基
合金膜のＣ軸配向度より一般的に悪い。ｆ，ｃ，ｃ結晶
構造を持つパーマロイ等の軟磁性層が（１１１）面内配
向しておれば、その上に付着するＣｏ基合金膜のＣ軸配
向度も改善できるが、実現には軟磁性金属薄膜の（１１
１）面配向性はそれ程良くないため、前記のＣｏ基合金
膜のＣ軸配向度が悪化するという問題がある。この問題
に対し、杉田らは信学技報ＭＲ８２−２３ Ｐ２３“真
空蒸着法による垂直二層膜媒体”において、非磁性基板
上にＴｉ薄膜層を介してパーマロイ薄膜を形成すること
により、パーマロイの（１１１）面配向度を改善し、前
記パーマロイ薄膜上のＣｏ−Ｃｒ薄膜のＣ軸配向度をΔ
θ50＝７〜８度まで改善する方法を提案している。しか
し、より高密度記録においては、さらに高度のＣ軸配向
度をもつたＣｏ基合金薄膜が要求されている。
ポリエチレンテレフタレート等のプラスチツクフイルム
類、あるいはＡｌ，ガラス板などの非磁性基板上に直接
Ｃｏ基合金膜を付着せしめるか、もしくは磁気記録の感
度を向上する目的から前記基板上にパーマロイ等の軟磁
性薄膜を介してＣｏ基合金膜を付着せしめたものであ
る。しかし、非磁性基板上に直接付着したＣｏ基合金膜
のＣ軸配向度はΔθ50＝８〜９゜で高密度磁気記録媒体
としては良くない。前記Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向度を向
上する目的から、杉田らは非磁性基板上にＴｉなどの
ｈ，ｃ，ｐ構造の薄膜層を介してＣｏ基合金薄膜を形成
することを提案した(特開報昭58-77025号“磁気記録媒
体の製造方法”)。この方式によりΔθ50＝６〜８゜の
Ｃｏ基合金薄膜を得ることができるが、さらに高密度磁
気記録用媒体としてはより高配向の薄膜が要求されてい
る。また、磁気記録の感度の向上のためにＣｏ基合金膜
の下部に軟磁性層薄膜を設けた場合、Ｃｏ基合金膜のＣ
軸配向度は、非磁性基板上に直接付着したときのＣｏ基
合金膜のＣ軸配向度より一般的に悪い。ｆ，ｃ，ｃ結晶
構造を持つパーマロイ等の軟磁性層が（１１１）面内配
向しておれば、その上に付着するＣｏ基合金膜のＣ軸配
向度も改善できるが、実現には軟磁性金属薄膜の（１１
１）面配向性はそれ程良くないため、前記のＣｏ基合金
膜のＣ軸配向度が悪化するという問題がある。この問題
に対し、杉田らは信学技報ＭＲ８２−２３ Ｐ２３“真
空蒸着法による垂直二層膜媒体”において、非磁性基板
上にＴｉ薄膜層を介してパーマロイ薄膜を形成すること
により、パーマロイの（１１１）面配向度を改善し、前
記パーマロイ薄膜上のＣｏ−Ｃｒ薄膜のＣ軸配向度をΔ
θ50＝７〜８度まで改善する方法を提案している。しか
し、より高密度記録においては、さらに高度のＣ軸配向
度をもつたＣｏ基合金薄膜が要求されている。
本発明の目的は、非磁性基板上に付着したＣｏ基合金膜
のＣ軸配向度を改善する方法と、パーマロイ等の軟磁性
金属薄膜上のＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善した垂直
磁気記録媒体を提供することにある。
のＣ軸配向度を改善する方法と、パーマロイ等の軟磁性
金属薄膜上のＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善した垂直
磁気記録媒体を提供することにある。
ｈ，ｃ，ｐ構造のＣｏは、そのＣ軸方向に大きな結晶磁
気異方性を有し、これにＣｒ，Ｖ，Ｍｏ等を添加して非
磁性基板上に薄膜を形成すれば、Ｃ軸を膜面に垂直方向
に配向させた垂直磁化膜ができる。しかし、非磁性基板
上に付着したＣｏ基合金膜のＣ軸配向性を良くするには
０．３μｍ以上の厚みのＣｏ基合金膜を必要とする。Ｃ
ｏ基合金膜のＣ軸配向性を向上させる一方法として、Ｃ
ｏと同じｈ，ｃ，ｐ構造をもつたＴｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｒ
ｕ等の中間層膜をあらかじめ非磁性基板上に形成してお
き、前記ｈ，ｃ，ｐ構造の中間層膜上にＣｏ基合金膜を
付着せしめる。中間層膜としてＴｉを例にあげれば、Ｔ
ｉの（００１）面における原子間距離は２．９５Åであ
り、これに対しｈ，ｃ，ｐ構造のＣｏの（００２）面に
おける原子間距離は２．４９Åと近い。このためＣｏ基
合金膜はＴｉ中間層膜上に多少の格子のミスマツチはあ
るもののエピタキシヤル成長し易い。したがつてＣｏ基
合金膜のＣ軸配向度を上げるためには、ｈ，ｃ，ｐ構造
の中間層膜のＣ軸配向度を向上させる必要がある。
気異方性を有し、これにＣｒ，Ｖ，Ｍｏ等を添加して非
磁性基板上に薄膜を形成すれば、Ｃ軸を膜面に垂直方向
に配向させた垂直磁化膜ができる。しかし、非磁性基板
上に付着したＣｏ基合金膜のＣ軸配向性を良くするには
０．３μｍ以上の厚みのＣｏ基合金膜を必要とする。Ｃ
ｏ基合金膜のＣ軸配向性を向上させる一方法として、Ｃ
ｏと同じｈ，ｃ，ｐ構造をもつたＴｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｒ
ｕ等の中間層膜をあらかじめ非磁性基板上に形成してお
き、前記ｈ，ｃ，ｐ構造の中間層膜上にＣｏ基合金膜を
付着せしめる。中間層膜としてＴｉを例にあげれば、Ｔ
ｉの（００１）面における原子間距離は２．９５Åであ
り、これに対しｈ，ｃ，ｐ構造のＣｏの（００２）面に
おける原子間距離は２．４９Åと近い。このためＣｏ基
合金膜はＴｉ中間層膜上に多少の格子のミスマツチはあ
るもののエピタキシヤル成長し易い。したがつてＣｏ基
合金膜のＣ軸配向度を上げるためには、ｈ，ｃ，ｐ構造
の中間層膜のＣ軸配向度を向上させる必要がある。
薄膜の成長は、その薄膜が付着すべき基板の表面状態に
大きく左右される。Ｔｉ薄膜をＣ軸配向させるために
は、基板の表面状態を制御する必要がある。本発明者ら
は、プラスチツクやガラス，Ａｌ等の非磁性基板の表面
に、まず非常に薄い非磁性材料から成る第１の中間層膜
を形成し、ついでＴｉ薄膜を形成してそのＣ軸配向度を
調べた。薄い非磁性材料の中間層膜を形成する目的は、
ＴｉのＣ軸配向をし易い下地表面状態を実現することに
ある。各種の非磁性材料について検討した結果、Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｓｎもしくはその合金から成る薄膜を形成した後
Ｔｉ薄膜を付着すると、Ｔｉ薄膜のＣ軸配向度が著しく
改善されることを見出した。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎもしくは
その合金膜から成る中間層膜を付着した場合のＴｉ薄膜
のＣ軸配向度は基板の種類によらず、ほぼ一定の値にな
る傾向があつた。同様の効果はＴｉ薄膜以外の他のｈ，
ｃ，ｐ構造薄膜、例えばＺｎ，Ｓｃ，Ｒｕ等の薄膜でも
確認できた。また、前記傾向は、蒸着法，高周波スパツ
タ法，イオンビームスパツタ法のいずれでも認められ
た。
大きく左右される。Ｔｉ薄膜をＣ軸配向させるために
は、基板の表面状態を制御する必要がある。本発明者ら
は、プラスチツクやガラス，Ａｌ等の非磁性基板の表面
に、まず非常に薄い非磁性材料から成る第１の中間層膜
を形成し、ついでＴｉ薄膜を形成してそのＣ軸配向度を
調べた。薄い非磁性材料の中間層膜を形成する目的は、
ＴｉのＣ軸配向をし易い下地表面状態を実現することに
ある。各種の非磁性材料について検討した結果、Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｓｎもしくはその合金から成る薄膜を形成した後
Ｔｉ薄膜を付着すると、Ｔｉ薄膜のＣ軸配向度が著しく
改善されることを見出した。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎもしくは
その合金膜から成る中間層膜を付着した場合のＴｉ薄膜
のＣ軸配向度は基板の種類によらず、ほぼ一定の値にな
る傾向があつた。同様の効果はＴｉ薄膜以外の他のｈ，
ｃ，ｐ構造薄膜、例えばＺｎ，Ｓｃ，Ｒｕ等の薄膜でも
確認できた。また、前記傾向は、蒸着法，高周波スパツ
タ法，イオンビームスパツタ法のいずれでも認められ
た。
本発明者らは、Ｃｏ基合金薄膜の下層にパーマロイ等の
軟磁性金属膜を形成した磁気記録媒体でも前記中間層膜
の形成によりＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向度が向上するこ
とを確認した。すなわち、パーマロイ（Ｆｅ−８０ｗｔ
％Ｎｉ）の結晶構造はｆ，ｃ，ｃであり、（１１１）面
の原子配列はｈ，ｃ，ｐ構造を持つＣｏ基合金の（００
２）面の原子配列と同様である。さらに、パーマロイの
（１１１）面上における原子間距離は２．５０Åであ
り、ｈ，ｃ，ｐ構造のＣｏの（００２）面上の原子間距
離２．４９Åと非常に近い。このためＣｏ基合金膜は下
地のパーマロイの（１１１）面上にエピタキシヤル成長
し易い。したがつてＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を上げる
ためには、下地のパーマロイ薄膜を〈１１１〉配向させ
る必要がある。しかるに、パーマロイ薄膜の〈１１１〉
配向性は、Ｃ軸配向したＴｉ等のｈ，ｃ，ｐ構造の下地
の上では向上することが知られている。本発明者らは、
前記に述べたように、プラスチツクやガラス，Ａｌ等の
非磁性基板の表面に、まずＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎもしくはそ
の合金から成る薄膜を形成しておき、この上にＴｉ薄膜
を付着すると前記のごとくＣ軸配向性の良いＴｉ薄膜が
できる。これら２種の中間層膜を介してパーマロイ薄膜
を付着すると〈１１１〉配向性が著しく改善され、また
Ｃｏ基合金薄膜のＣ軸配向性が向上することを見出し
た。
軟磁性金属膜を形成した磁気記録媒体でも前記中間層膜
の形成によりＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向度が向上するこ
とを確認した。すなわち、パーマロイ（Ｆｅ−８０ｗｔ
％Ｎｉ）の結晶構造はｆ，ｃ，ｃであり、（１１１）面
の原子配列はｈ，ｃ，ｐ構造を持つＣｏ基合金の（００
２）面の原子配列と同様である。さらに、パーマロイの
（１１１）面上における原子間距離は２．５０Åであ
り、ｈ，ｃ，ｐ構造のＣｏの（００２）面上の原子間距
離２．４９Åと非常に近い。このためＣｏ基合金膜は下
地のパーマロイの（１１１）面上にエピタキシヤル成長
し易い。したがつてＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を上げる
ためには、下地のパーマロイ薄膜を〈１１１〉配向させ
る必要がある。しかるに、パーマロイ薄膜の〈１１１〉
配向性は、Ｃ軸配向したＴｉ等のｈ，ｃ，ｐ構造の下地
の上では向上することが知られている。本発明者らは、
前記に述べたように、プラスチツクやガラス，Ａｌ等の
非磁性基板の表面に、まずＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎもしくはそ
の合金から成る薄膜を形成しておき、この上にＴｉ薄膜
を付着すると前記のごとくＣ軸配向性の良いＴｉ薄膜が
できる。これら２種の中間層膜を介してパーマロイ薄膜
を付着すると〈１１１〉配向性が著しく改善され、また
Ｃｏ基合金薄膜のＣ軸配向性が向上することを見出し
た。
また、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎもしくはこれらの合金薄膜の上
にＴｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｒｕ等のｈ，ｃ，ｐ構造の薄膜を
付着した中間層膜は、Ｃｏ基合金膜と軟磁性金属膜の間
設けてもＣｏ合金膜のＣ軸配向性を向上することを見出
した。
にＴｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｒｕ等のｈ，ｃ，ｐ構造の薄膜を
付着した中間層膜は、Ｃｏ基合金膜と軟磁性金属膜の間
設けてもＣｏ合金膜のＣ軸配向性を向上することを見出
した。
Ｘ線回折法でＳｉ，Ｇｅ，ｓｎもしくはその合金膜の構
造を調べた結果、いずれも非晶質的であつた。Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎはダイヤモンド構造をもち、４面体配位を示
し、最隣接原子間距離はそれぞれ２．３５Å，２．４５
Å，２．８０Åである。２．３５〜２．８０Åの値は
ｈ，ｃ，ｐ構造のＴｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ等の最隣接原
子間距離に近いためＣ軸配向の良い薄膜が成長したもの
と解釈できる。Ｃ軸配向の良いＴｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ
等の膜上に、Ｃｏ基合金膜を付着した場合Ｃ軸配向の良
い膜が得られた。また、Ｃ軸配向の良いＴｉ，Ｓｃ，Ｚ
ｎ，Ｒｕ等の膜上には、＜１１１＞配向の良いパーマロ
イ膜を形成でき、その結果、その上のＣｏ基合金膜のＣ
軸配向性も良い膜が得られた。
造を調べた結果、いずれも非晶質的であつた。Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎはダイヤモンド構造をもち、４面体配位を示
し、最隣接原子間距離はそれぞれ２．３５Å，２．４５
Å，２．８０Åである。２．３５〜２．８０Åの値は
ｈ，ｃ，ｐ構造のＴｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ等の最隣接原
子間距離に近いためＣ軸配向の良い薄膜が成長したもの
と解釈できる。Ｃ軸配向の良いＴｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ
等の膜上に、Ｃｏ基合金膜を付着した場合Ｃ軸配向の良
い膜が得られた。また、Ｃ軸配向の良いＴｉ，Ｓｃ，Ｚ
ｎ，Ｒｕ等の膜上には、＜１１１＞配向の良いパーマロ
イ膜を形成でき、その結果、その上のＣｏ基合金膜のＣ
軸配向性も良い膜が得られた。
なお、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎもしくはその合金膜の膜厚が１
００Å未満のときは基板材料の影響の除去が不十分とな
るので、１００Å以上とすることが必要である。前述の
効果は膜厚が１μｍ以上と大きくなつても同様である
が、膜形成のための時間が長くなつたり、あるいはプラ
スチツクフイルム上に膜を形成する場合は膜にクラツク
が入り易くなる。したがつて、膜厚は１μｍ以下が望ま
しく、実用的にさらに望ましい第１の中間層の膜厚の範
囲は１５０Å以上3000Å以下である。また、第２の中間
層膜となるｈ，ｃ，ｐ構造のＴｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ等
は、前記第１の中間層膜上に極めてＣ軸配向し易いた
め、実用的に望ましい膜圧の範囲は１００Å以上3000Å
以下である。
００Å未満のときは基板材料の影響の除去が不十分とな
るので、１００Å以上とすることが必要である。前述の
効果は膜厚が１μｍ以上と大きくなつても同様である
が、膜形成のための時間が長くなつたり、あるいはプラ
スチツクフイルム上に膜を形成する場合は膜にクラツク
が入り易くなる。したがつて、膜厚は１μｍ以下が望ま
しく、実用的にさらに望ましい第１の中間層の膜厚の範
囲は１５０Å以上3000Å以下である。また、第２の中間
層膜となるｈ，ｃ，ｐ構造のＴｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ等
は、前記第１の中間層膜上に極めてＣ軸配向し易いた
め、実用的に望ましい膜圧の範囲は１００Å以上3000Å
以下である。
また、軟磁性材料はパーマロイ（Ｆｅ−８０ｗｔ％Ｎ
ｉ）に限られることなく、ｆ，ｃ，ｃ構造をもつ材料な
ら、いずれも同等の効果がある。さらには、前記中間層
膜を軟磁性材料とＣｏ基合金膜の間に形成して用いれ
ば、下層の軟磁性材料はアモムフアスであつても良い。
Ｔｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ等の下層に形成する第１の中間
層の材料は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及びこれらの合金（組成
比は特に制限はない）であり、またこれらを主成分とし
てさらに他の元素を加えてもよい。
ｉ）に限られることなく、ｆ，ｃ，ｃ構造をもつ材料な
ら、いずれも同等の効果がある。さらには、前記中間層
膜を軟磁性材料とＣｏ基合金膜の間に形成して用いれ
ば、下層の軟磁性材料はアモムフアスであつても良い。
Ｔｉ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｕ等の下層に形成する第１の中間
層の材料は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及びこれらの合金（組成
比は特に制限はない）であり、またこれらを主成分とし
てさらに他の元素を加えてもよい。
以下、本発明を実施例によつて説明する。
実施例１． ポリイミドフイルムを基板にして、第１図に示す構造の
膜を以下の手順で作製した。２×１０-6Torrの真空中で
基板を１８０℃に加熱し、まず第１の中間層としてＧｅ
を１０Å／ｓの速度で300 Å蒸着し、ついで第２の中間
層としてＴｉを１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着した。
さらに同一真空容器中で１００Å／ｓの速度でＣｏ−２
３ｗｔ％Ｃｒを2500Åの厚さ蒸着し、第１図に示す構造
の膜を得た。
膜を以下の手順で作製した。２×１０-6Torrの真空中で
基板を１８０℃に加熱し、まず第１の中間層としてＧｅ
を１０Å／ｓの速度で300 Å蒸着し、ついで第２の中間
層としてＴｉを１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着した。
さらに同一真空容器中で１００Å／ｓの速度でＣｏ−２
３ｗｔ％Ｃｒを2500Åの厚さ蒸着し、第１図に示す構造
の膜を得た。
以下、同様の条件で第１の中間層材料として、Ｇｅの代
りにＳｉ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｎ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓ
ｎを用いてそれぞれ第１図に示す構造の膜を作製した。
りにＳｉ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｎ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓ
ｎを用いてそれぞれ第１図に示す構造の膜を作製した。
比較試料として、１８０℃の基板温度に保つたポリイミ
ドフイルム上に１００Å／ｓの速度で直接Ｃｏ−２３ｗ
ｔ％Ｃｒを2500Å蒸着した試料、及びポリイミドフイル
ム上にＴｉを１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着したの
ち、１００Å／ｓの速度でＣｏ−２３ｗｔ％Ｃｒを2500
Å蒸着した試料を作製した。
ドフイルム上に１００Å／ｓの速度で直接Ｃｏ−２３ｗ
ｔ％Ｃｒを2500Å蒸着した試料、及びポリイミドフイル
ム上にＴｉを１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着したの
ち、１００Å／ｓの速度でＣｏ−２３ｗｔ％Ｃｒを2500
Å蒸着した試料を作製した。
第１表に各々の膜の配向度を比較して示す。薄膜の配向
度は、Ｘ線回折のロツキング曲線の半値幅Δθ50（度）
によつて評価した。Δθ50の値が小さい程、配向性が良
い。Ｔｉなどのｈ，ｃ，ｐ構造の第２の中間層の下に、
Ｇｅなどの第１の中間層を設けることによつて、Ｃ軸配
向度の良いＣｏ−Ｃｒ膜を製造することができた。
度は、Ｘ線回折のロツキング曲線の半値幅Δθ50（度）
によつて評価した。Δθ50の値が小さい程、配向性が良
い。Ｔｉなどのｈ，ｃ，ｐ構造の第２の中間層の下に、
Ｇｅなどの第１の中間層を設けることによつて、Ｃ軸配
向度の良いＣｏ−Ｃｒ膜を製造することができた。
なお、第１の中間層はいずれもＸ線回折により非晶質と
認められた。
認められた。
実施例２． 直径５インチのＡｌ基板を用いて第２図に示す構造の膜
を以下の手順で作製した。２×１０-6Torrの真空中で基
板を１５０℃に加熱して、まず第１の中間層としてＳｉ
を１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着し、ついで第２の中
間層としてＺｎを１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着し
た。さらに同一真空容器中で軟磁性材料のパーマロイ
（Ｆｅ−８０ｗｔ％Ｎｉ）を３０Å／ｓの速度で5000Å
付着し、さらにこの上にＣｏ−２３ｗｔ％Ｃｒを１００
Å／ｓの速度で2500Åの厚さ蒸着し、第２図に示す構造
の膜を得た。
を以下の手順で作製した。２×１０-6Torrの真空中で基
板を１５０℃に加熱して、まず第１の中間層としてＳｉ
を１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着し、ついで第２の中
間層としてＺｎを１０Å／ｓの速度で３００Å蒸着し
た。さらに同一真空容器中で軟磁性材料のパーマロイ
（Ｆｅ−８０ｗｔ％Ｎｉ）を３０Å／ｓの速度で5000Å
付着し、さらにこの上にＣｏ−２３ｗｔ％Ｃｒを１００
Å／ｓの速度で2500Åの厚さ蒸着し、第２図に示す構造
の膜を得た。
以下、同様の条件で第２の中間層材料として、Ｚｎの代
りにＴｉ，Ｓｃ，Ｒｕを用いてそれぞれ第２図に示す構
造の膜を作製した。
りにＴｉ，Ｓｃ，Ｒｕを用いてそれぞれ第２図に示す構
造の膜を作製した。
比較材料として同様の条件で中間層を省いた膜と、中間
層膜としてＴｉのみを３００Å形成したのちパーマロ
イ，Ｃｏ−Ｃｒを付着した膜を作製した。第２表に、パ
ーマロイ膜の〈１１１〉配向度，Ｃｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配
向度を比較して示す。配向度の評価は実施例１と同様に
行つた。
層膜としてＴｉのみを３００Å形成したのちパーマロ
イ，Ｃｏ−Ｃｒを付着した膜を作製した。第２表に、パ
ーマロイ膜の〈１１１〉配向度，Ｃｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配
向度を比較して示す。配向度の評価は実施例１と同様に
行つた。
第２表より明らかなように、ｈ，ｃ，ｐ構造の第２の中
間層の下層にＳｉ等の第１の中間層を設けた場合は、パ
ーマロイ薄膜の〈１１１〉配向度が改善され、Ｃ軸配向
度の良いＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られていることがわ
かる。第１の中間層膜としてはＳｉの他にＧｅ，Ｓｎ，
及びＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎの合金膜を用いて実験したが、同
様の改善効果が確認された。
間層の下層にＳｉ等の第１の中間層を設けた場合は、パ
ーマロイ薄膜の〈１１１〉配向度が改善され、Ｃ軸配向
度の良いＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られていることがわ
かる。第１の中間層膜としてはＳｉの他にＧｅ，Ｓｎ，
及びＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎの合金膜を用いて実験したが、同
様の改善効果が確認された。
実施例３． 直径３インチのガラス基板を用いて第３図に示す構造の
膜を以下の手順で作製した。高周波スパツタ装置を用い
て、基板温度１５０℃、Ａｒ圧力５ｍTorr，スパツタの
高周波出力４ｗ／cm2の条件で、軟磁性材料のＣｏ−
０．２ａｔ％Ｚｒ−７ａｔ％Ｍｏから成る非晶質の膜を
5000Å付着した。さらにこの膜の上に、Ａｒ圧力３ｍTo
rr，スパツタの高周波出力４ｗ／cm2の条件で第１の中
間層としてＧｅ，及び第２の中間層としてＴｉの順に各
各５００Å付着した。ついで、Ｃｏ−１８ｗｔ％Ｃｒを
Ａｒ圧力３ｍTorr，高周波出力８ｗ／cm2で3000Å付着
した。
膜を以下の手順で作製した。高周波スパツタ装置を用い
て、基板温度１５０℃、Ａｒ圧力５ｍTorr，スパツタの
高周波出力４ｗ／cm2の条件で、軟磁性材料のＣｏ−
０．２ａｔ％Ｚｒ−７ａｔ％Ｍｏから成る非晶質の膜を
5000Å付着した。さらにこの膜の上に、Ａｒ圧力３ｍTo
rr，スパツタの高周波出力４ｗ／cm2の条件で第１の中
間層としてＧｅ，及び第２の中間層としてＴｉの順に各
各５００Å付着した。ついで、Ｃｏ−１８ｗｔ％Ｃｒを
Ａｒ圧力３ｍTorr，高周波出力８ｗ／cm2で3000Å付着
した。
以下、同様の条件で第１の中間層としてＧｅの代りにＳ
ｉ，Ｓｎ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｉ，Ｇｅ−１０ｗｔ％Ｓ
ｎ，及び第２の中間層としてＴｉの代りにＺｎ，Ｓｃ，
Ｒｕを用いて同様な構造の膜を作製した。
ｉ，Ｓｎ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｉ，Ｇｅ−１０ｗｔ％Ｓ
ｎ，及び第２の中間層としてＴｉの代りにＺｎ，Ｓｃ，
Ｒｕを用いて同様な構造の膜を作製した。
比較材料として作製した中間層を設けない場合のＣｏ−
Ｃｒ膜のＣ軸配向度を示すΔθ50の値が８〜１５度であ
つたのに対し、中間層を設けた場合はいずれも４．５〜
６度の範囲にあつた。
Ｃｒ膜のＣ軸配向度を示すΔθ50の値が８〜１５度であ
つたのに対し、中間層を設けた場合はいずれも４．５〜
６度の範囲にあつた。
以上の実施例では、Ｃｏ基合金の一例としてＣｏ−Ｃｒ
合金の場合について述べたが、他のＣｏ基合金Ｃｏ−Ｒ
ｕ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｕなどを用いても同等の効果が得られた。ま
た、軟磁性材料としてはｆ，ｃ，ｃ構造を持つ材料であ
れば良く、本実施例で述べた材料に限定されるものでは
ない。また軟磁性材料としては、本実施例以外の他の非
晶質材料でも同等の効果を得ることができた。
合金の場合について述べたが、他のＣｏ基合金Ｃｏ−Ｒ
ｕ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｕなどを用いても同等の効果が得られた。ま
た、軟磁性材料としてはｆ，ｃ，ｃ構造を持つ材料であ
れば良く、本実施例で述べた材料に限定されるものでは
ない。また軟磁性材料としては、本実施例以外の他の非
晶質材料でも同等の効果を得ることができた。
これまでの説明から明らかなように、Ｃｏ基合金膜のＣ
軸配向度を上げ、垂直磁気特性を改善するには、Ｃｏ基
合金膜の形成に先立つてｈ，ｃ，ｐ構造のＴｒ，Ｚｎ，
Ｓｃ，Ｒｕ及びＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，もしくはその合金か
ら成る中間層を設けることが有効である。この場合、下
地層に軟磁性層があつても、また非磁性基板であつても
有効である。
軸配向度を上げ、垂直磁気特性を改善するには、Ｃｏ基
合金膜の形成に先立つてｈ，ｃ，ｐ構造のＴｒ，Ｚｎ，
Ｓｃ，Ｒｕ及びＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，もしくはその合金か
ら成る中間層を設けることが有効である。この場合、下
地層に軟磁性層があつても、また非磁性基板であつても
有効である。
また、ｆ，ｃ，ｃ結晶構造を持つ軟磁性材料から成る下
地層を持つＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善するには、
軟磁性材料の形成に先立つて前記ｈ，ｃ，ｐ構造のＴ
ｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｒｕ及びＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，もしくは
その合金から成る中間層を設けることが有効である。
地層を持つＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善するには、
軟磁性材料の形成に先立つて前記ｈ，ｃ，ｐ構造のＴ
ｉ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｒｕ及びＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，もしくは
その合金から成る中間層を設けることが有効である。
第１図は、本発明の一実施例による垂直磁気記録媒体の
断面構造を示す図、第２図および第３図は、それぞれ本
発明の他の実施例による垂直磁気記録媒体の断面構造を
示す図である。 １……基板、２……第１の中間層、３……第２の中間
層、４……Ｃｏ基合金膜、５……軟磁性薄膜層。
断面構造を示す図、第２図および第３図は、それぞれ本
発明の他の実施例による垂直磁気記録媒体の断面構造を
示す図である。 １……基板、２……第１の中間層、３……第２の中間
層、４……Ｃｏ基合金膜、５……軟磁性薄膜層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上坂 保太郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 積田 則和 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 ▲吉▼田 和悦 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−14318（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】基板上にＳｉおよびＧｅから成る群より選
択した少なくとも１元素を主成分とする材料から成る第
１の中間層を設け、この層の上にＴｉ，Ｚｎ，Ｒｕ，Ｓ
ｃから選択した少なくとも１元素からなるｈ，ｃ，ｐ構
造の第２の中間層を設け、該中間層の上にＣｏ基合金か
らなる垂直磁化膜を設けてなり、かつ上記第１の中間層
は非晶質構造を有することを特徴とする垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項２】上記第１の中間層の膜厚が１００Å以上１
μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】上記第２の中間層の膜厚が１００Å以上３
０００Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】上記第１の中間層を構成する材料は、Ｇｅ
−２０ｗｔ％Ｓｉ，Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｎの中から１種
選択したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】上記垂直磁化膜を構成する材料は、Ｃｏ−
Ｃｒ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｗ，Ｃｏ−Ｒｅ，
Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｕおよび
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ系合金の中から１種選択することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】上記基板上に軟磁性材料から成る層を設け
た後、ＳｉおよびＧｅから成る第１の中間層、及びｈ，
ｃ，ｐ構造から成る第２の中間層を設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項７】上記ｈ，ｃ，ｐ構造からなる第２の中間層
の上に軟磁性材料から成る層を設けた後、 Ｃｏ基合金膜を形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項８】上記軟磁性材料は、ｆ，ｃ，ｃ結晶構造を
もつ材料であることを特徴とする特許請求の範囲第６項
または第７項記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233211A JPH0658734B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233211A JPH0658734B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113122A JPS61113122A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH0658734B2 true JPH0658734B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16951493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233211A Expired - Lifetime JPH0658734B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658734B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561655B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1996-12-11 | 株式会社日立製作所 | 面内磁気記録媒体 |
| US6759149B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Laminated medium with antiferromagnetic stabilization layers |
| KR100374793B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록 매체 |
| US7662492B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-02-16 | Hitachi Global Storage Techologies Netherlands, B.V. | Perpendicular magnetic recording medium having a multi-layer interlayer that includes BCC material |
| JP2009059431A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814318A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録用媒体 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233211A patent/JPH0658734B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61113122A (ja) | 1986-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |