JPS6246968B2 - - Google Patents
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- JPS6246968B2 JPS6246968B2 JP54148425A JP14842579A JPS6246968B2 JP S6246968 B2 JPS6246968 B2 JP S6246968B2 JP 54148425 A JP54148425 A JP 54148425A JP 14842579 A JP14842579 A JP 14842579A JP S6246968 B2 JPS6246968 B2 JP S6246968B2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical class [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H chromium(III) sulfate Chemical compound [Cr+3].[Cr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録において、記録媒体の磁性
膜面内に垂直な残留磁化を用いて記録再生するた
めのコバルト・クロム合金薄膜からなる記録媒体
の製造方法に関する。
膜面内に垂直な残留磁化を用いて記録再生するた
めのコバルト・クロム合金薄膜からなる記録媒体
の製造方法に関する。
現在の磁気記録方式では、主として記録媒体の
移動方向の磁化を用いるため、信号の記録密度を
増加してゆくと媒体内の反磁場が増して残留磁化
の減衰と回転を生じ記録信号の検出が困難となつ
ていた。
移動方向の磁化を用いるため、信号の記録密度を
増加してゆくと媒体内の反磁場が増して残留磁化
の減衰と回転を生じ記録信号の検出が困難となつ
ていた。
一方、記録媒体の磁性膜面に垂直な残留磁化を
用いる場合には、反磁界は記録磁度を増加するに
したがつて減少し、残留磁化が増加するので、高
密度範囲において、優れた記録特性が得られる。
用いる場合には、反磁界は記録磁度を増加するに
したがつて減少し、残留磁化が増加するので、高
密度範囲において、優れた記録特性が得られる。
六方晶構造のコバルトは、そのｃ軸方向に大き
な結晶磁気異方性を有し、スパツタリングによつ
て薄膜を形成すれば、コバルトのｃ軸を膜面の垂
直方向に向かせることができる。しかし、このま
までは、飽和磁化Msが大きすぎ垂直磁化膜とな
らない。このため、15〜20atom％のクロムを添
加し、飽和磁化Msを低下させて垂直磁化膜とし
ている。そして現在、このコバルト・クロム合金
のスパツタ薄膜が、面内に垂直な磁化を有する記
録媒体として提案されている。
な結晶磁気異方性を有し、スパツタリングによつ
て薄膜を形成すれば、コバルトのｃ軸を膜面の垂
直方向に向かせることができる。しかし、このま
までは、飽和磁化Msが大きすぎ垂直磁化膜とな
らない。このため、15〜20atom％のクロムを添
加し、飽和磁化Msを低下させて垂直磁化膜とし
ている。そして現在、このコバルト・クロム合金
のスパツタ薄膜が、面内に垂直な磁化を有する記
録媒体として提案されている。
しかし、スパツタリングによる方法では、その
膜形成速度が遅く、１μｍ厚の磁性層を得るため
に約１〜３時間に及ぶスパツタリングが必要であ
る。このため、数十メートルの長さを持つテープ
状のフイルムに垂直磁化膜を形成することは非常
に困難である。
膜形成速度が遅く、１μｍ厚の磁性層を得るため
に約１〜３時間に及ぶスパツタリングが必要であ
る。このため、数十メートルの長さを持つテープ
状のフイルムに垂直磁化膜を形成することは非常
に困難である。
本発明は、以上の状況を鑑み、膜面に垂直な磁
気異方性を有するコバルト・クロム磁性膜を容易
にテープ状にできる量産性に富んだ製造方法を提
供するものである。
気異方性を有するコバルト・クロム磁性膜を容易
にテープ状にできる量産性に富んだ製造方法を提
供するものである。
この目的を達成するため、本発明ではあらかじ
め、ｃ軸が膜面に垂直に配向した亜鉛被膜を形成
した後、コバルト・クロム合金薄膜を形成するこ
とを特徴としている。
め、ｃ軸が膜面に垂直に配向した亜鉛被膜を形成
した後、コバルト・クロム合金薄膜を形成するこ
とを特徴としている。
メツキ、真空蒸着で形成される薄膜の結晶構造
は、下地材料の面指数に影響されエピタキシー成
長しやすい性質があり、本発明のようにｃ軸が膜
面に垂直配向した亜鉛下地に、コバルト・クロム
合金薄膜を真空蒸着、メツキなどで形成すると、
コバルト・クロム合金薄膜は六方晶構造でそのｃ
軸が膜面に垂直配向となるように形成される。こ
れは亜鉛が六方晶構造で、しかもａ軸の格子定数
が2.665Åであり、コバルトのａ軸の格子定数
2.507Åと非常に近接していることによる。
は、下地材料の面指数に影響されエピタキシー成
長しやすい性質があり、本発明のようにｃ軸が膜
面に垂直配向した亜鉛下地に、コバルト・クロム
合金薄膜を真空蒸着、メツキなどで形成すると、
コバルト・クロム合金薄膜は六方晶構造でそのｃ
軸が膜面に垂直配向となるように形成される。こ
れは亜鉛が六方晶構造で、しかもａ軸の格子定数
が2.665Åであり、コバルトのａ軸の格子定数
2.507Åと非常に近接していることによる。
以下、本発明の実施例について述べる。
実施例 １
基板としてのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム上に、マグネトロンタイプの高速スパツタリ
ングにより膜厚1000Åの亜鉛を形成した。この亜
鉛被膜の結晶構造をＸ線回折により調べたとこ
ろ、ｃ軸が膜面に垂直配向していることがわかつ
た。この亜鉛被膜上に、電子ビーム加熱による真
空蒸着により、コバルト・クロム合金薄膜を蒸着
レート100〜2000Å／secで１μｍの膜厚を形成し
た。この場合のコバルト・クロム合金薄膜は図面
のような磁化特性をもち、膜面の垂直方向に磁気
異方性を有していた。この場合、蒸着レートが非
常に速いため、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムを走行させながら蒸着する連続蒸着が可能
で、容易に長尺のテープ状のものを得ることがで
きた。なお、図面において、実線は外部磁界を面
に垂直にかけた場合の磁化のヒステリシス曲線
で、点線は外部磁界を面に平行にかけた場合の磁
化のヒステリシス曲線である。
ルム上に、マグネトロンタイプの高速スパツタリ
ングにより膜厚1000Åの亜鉛を形成した。この亜
鉛被膜の結晶構造をＸ線回折により調べたとこ
ろ、ｃ軸が膜面に垂直配向していることがわかつ
た。この亜鉛被膜上に、電子ビーム加熱による真
空蒸着により、コバルト・クロム合金薄膜を蒸着
レート100〜2000Å／secで１μｍの膜厚を形成し
た。この場合のコバルト・クロム合金薄膜は図面
のような磁化特性をもち、膜面の垂直方向に磁気
異方性を有していた。この場合、蒸着レートが非
常に速いため、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムを走行させながら蒸着する連続蒸着が可能
で、容易に長尺のテープ状のものを得ることがで
きた。なお、図面において、実線は外部磁界を面
に垂直にかけた場合の磁化のヒステリシス曲線
で、点線は外部磁界を面に平行にかけた場合の磁
化のヒステリシス曲線である。
実施例 ２
Zn、NaOHを主剤とするジンケート処理によ
り、膜厚1000Åの亜鉛被膜をポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に形成した。この亜鉛被膜の
結晶構造をＸ線回折により調べたところ、そのｃ
軸は膜面に垂直配向していた。この亜鉛被膜上
に、塩化コバルト、硫酸クロムを浴主成分とする
電気メツキによりコバルト・クロム合金薄膜を形
成したところ、その磁気特性はほぼ図面と同じよ
うなものになり、膜面の垂直方向に磁気異方性を
有していた。コバルト・クロム薄膜の形成速度は
電流密度により制御でき、上記の場合、形成速度
は１〜100Å／secで、長いテープ状のものを容易
に得ることができた。
り、膜厚1000Åの亜鉛被膜をポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に形成した。この亜鉛被膜の
結晶構造をＸ線回折により調べたところ、そのｃ
軸は膜面に垂直配向していた。この亜鉛被膜上
に、塩化コバルト、硫酸クロムを浴主成分とする
電気メツキによりコバルト・クロム合金薄膜を形
成したところ、その磁気特性はほぼ図面と同じよ
うなものになり、膜面の垂直方向に磁気異方性を
有していた。コバルト・クロム薄膜の形成速度は
電流密度により制御でき、上記の場合、形成速度
は１〜100Å／secで、長いテープ状のものを容易
に得ることができた。
また亜鉛被膜は、電気メツキを行うための導電
性下地としての働きも有する。
性下地としての働きも有する。
なお、上記実施例では六方晶構造を有する物質
として亜鉛を例に挙げたが、亜鉛以外にもチタ
ン、マグネシウム、カドニウム、ルテニウム、イ
ツトリウム、スカンジウム等で同等の特性が得ら
れた。またこれらは真空蒸着によつて基材上に付
けてもよい。
として亜鉛を例に挙げたが、亜鉛以外にもチタ
ン、マグネシウム、カドニウム、ルテニウム、イ
ツトリウム、スカンジウム等で同等の特性が得ら
れた。またこれらは真空蒸着によつて基材上に付
けてもよい。
以上のように本発明の製造方法によれば、膜面
に垂直な磁気異方性を有するコバルト・クロム磁
性薄膜を容易に得ることができるものである。
に垂直な磁気異方性を有するコバルト・クロム磁
性薄膜を容易に得ることができるものである。
図面は本発明の製造方法によつて得られたコバ
ルト・クロム合金薄膜の磁化特性図である。
ルト・クロム合金薄膜の磁化特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 六方晶構造を有する物質のｃ軸が基板表面に
垂直に配向するように形成した後、前記六方晶構
造を有する物質の被膜上にコバルト・クロム合金
薄膜を形成し、基板表面に垂直な磁気異方性を持
たせたことを特徴とするコバルト・クロム合金薄
膜の製造方法。 ２ 六方晶構造を有する物質が亜鉛であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のコバル
ト・クロム合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14842579A JPS5670618A (en) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | Manufacture of cobalt chrome alloy thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14842579A JPS5670618A (en) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | Manufacture of cobalt chrome alloy thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5670618A JPS5670618A (en) | 1981-06-12 |
| JPS6246968B2 true JPS6246968B2 (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=15452501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14842579A Granted JPS5670618A (en) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | Manufacture of cobalt chrome alloy thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5670618A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101495B2 (ja) * | 1985-07-03 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| JP2720363B2 (ja) * | 1990-12-21 | 1998-03-04 | ホーヤ株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4964669B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-07-04 | 新日本製鐵株式会社 | 膜生成方法 |
| JP4853790B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-01-11 | 富士電機株式会社 | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録再生装置 |
| CN113322462B (zh) * | 2021-06-01 | 2022-06-17 | 成都科宁达材料有限公司 | 一种表面改性选择性激光熔覆钴铬合金及其制备方法和应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358206A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5361310A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
-
1979
- 1979-11-15 JP JP14842579A patent/JPS5670618A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358206A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5361310A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5670618A (en) | 1981-06-12 |
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| JPH071535B2 (ja) | 磁気記録媒体 |