JPS59140629A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS59140629A JPS59140629A JP1299283A JP1299283A JPS59140629A JP S59140629 A JPS59140629 A JP S59140629A JP 1299283 A JP1299283 A JP 1299283A JP 1299283 A JP1299283 A JP 1299283A JP S59140629 A JPS59140629 A JP S59140629A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用与野〕
本発明は、所定の形状を有する非磁性基体上に被着した
ｃｏを主成分とした垂直磁化膜に係り、特にかかる垂直
磁化膜を用いた垂直磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体
とその製造方法に関する。
ｃｏを主成分とした垂直磁化膜に係り、特にかかる垂直
磁化膜を用いた垂直磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体
とその製造方法に関する。
磁気記録の分野における記録密度の向上は著しいものが
ある。特に、東北大の岩崎等により提案された垂直磁気
記録方式は、現在実用化されている面内記録方式と異な
り、記録密度が高くなるほど、自己減磁作用が小さくな
る特徴を有し、将来の高密度磁気記録方式として注目を
集め、精力的な研究がなされている。
ある。特に、東北大の岩崎等により提案された垂直磁気
記録方式は、現在実用化されている面内記録方式と異な
り、記録密度が高くなるほど、自己減磁作用が小さくな
る特徴を有し、将来の高密度磁気記録方式として注目を
集め、精力的な研究がなされている。
この垂直磁気記録を実現するには、記録媒体として、磁
性膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する垂直磁化
膜が必要である。現在、そのような磁気特性をもつ磁性
膜としては、スパッタ法、あるいは真空蒸着法で作製し
たＣｏ−０ｒ、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ、またはＣｏ−Ｖ系
の合金膜が知られている。
性膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する垂直磁化
膜が必要である。現在、そのような磁気特性をもつ磁性
膜としては、スパッタ法、あるいは真空蒸着法で作製し
たＣｏ−０ｒ、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ、またはＣｏ−Ｖ系
の合金膜が知られている。
しかし、このような合金系垂直磁化膜は、その膜厚が０
．１μｍ以下では良好な垂直磁気異方性が得られない欠
点を有するとともに、合金であるために磁性膜自身の曲
げ剛性率が大きく、特にテープ状の垂直磁気記録媒体を
作製した場合には、磁気ヘッドとの良好なタッチが得ら
れないという欠点があった。
．１μｍ以下では良好な垂直磁気異方性が得られない欠
点を有するとともに、合金であるために磁性膜自身の曲
げ剛性率が大きく、特にテープ状の垂直磁気記録媒体を
作製した場合には、磁気ヘッドとの良好なタッチが得ら
れないという欠点があった。
本発明の目的は、Ｃｏ −ＯｒあるいはＣｏ−Ｖ系合金
のような合金材料を用いることなく、膜厚０．１μｍ以
下においても良好な垂直磁化膜となり、かつ曲げ剛性率
がＣｏ −Ｃｒ系合金膜に比較して小さい、新規な垂直
磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体を提供することにある
。
のような合金材料を用いることなく、膜厚０．１μｍ以
下においても良好な垂直磁化膜となり、かつ曲げ剛性率
がＣｏ −Ｃｒ系合金膜に比較して小さい、新規な垂直
磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体を提供することにある
。
Ｃｏ −Ｃｒ膜において垂直磁化膜となる理由について
はつぎのように考えられている。スパッタ法あるいは真
空蒸着法で作製したＣｏ−Ｃｒ膜の断面をＳＥＭで観察
すると、膜面に垂直方向に結晶粒子が成長した柱状構造
が観察される。垂直磁気異方性の優れたＣｏ −Ｃｒ膜
は、この柱状方向に沿ってｃｏのＣ軸が配向しているこ
とが、Ｘ線回折法により解析されている。Ｃｏ −Ｃｒ
膜の垂直磁気異方性は、このＣ軸が垂直配向しているこ
とに一つの原因があるが、さらに、その垂直磁気異方性
の大きさくＫ、）が、膜面に垂直方向に磁化が向いた時
の静磁エネルギ、２ｒＭｓ” （Ｍｓ ：飽和磁化）よ
り大となるという下記（１）式の関係が満たされている
ことが二番目の理由である。
はつぎのように考えられている。スパッタ法あるいは真
空蒸着法で作製したＣｏ−Ｃｒ膜の断面をＳＥＭで観察
すると、膜面に垂直方向に結晶粒子が成長した柱状構造
が観察される。垂直磁気異方性の優れたＣｏ −Ｃｒ膜
は、この柱状方向に沿ってｃｏのＣ軸が配向しているこ
とが、Ｘ線回折法により解析されている。Ｃｏ −Ｃｒ
膜の垂直磁気異方性は、このＣ軸が垂直配向しているこ
とに一つの原因があるが、さらに、その垂直磁気異方性
の大きさくＫ、）が、膜面に垂直方向に磁化が向いた時
の静磁エネルギ、２ｒＭｓ” （Ｍｓ ：飽和磁化）よ
り大となるという下記（１）式の関係が満たされている
ことが二番目の理由である。
Ｋ、、＞２ｒＭｓ ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・（１）普通、ＣＯ薄膜の
場合、ＣＯのＣ軸が理想的に膜に垂直に配向したとして
も、Ｋｌｌ、ＭＳにバルクの値を用いるとして、（１）
式の左辺、右辺の値はそれぞれ５ Ｘ １１０６ｅｒ／
ｃｃ、１，２ Ｘ ＩＱ７ｅｒｇ／ｃｃとなり、（１）
式の関係を満足することはできない。
・・・・・・・・・・・・・・（１）普通、ＣＯ薄膜の
場合、ＣＯのＣ軸が理想的に膜に垂直に配向したとして
も、Ｋｌｌ、ＭＳにバルクの値を用いるとして、（１）
式の左辺、右辺の値はそれぞれ５ Ｘ １１０６ｅｒ／
ｃｃ、１，２ Ｘ ＩＱ７ｅｒｇ／ｃｃとなり、（１）
式の関係を満足することはできない。
このように、Ｏｒを添加する効果は、ＣＯのＣ軸が膜面
に垂直に配向することを促し、かつ飽和磁化を（１）式
が成立する程度にまで低下させることにある。
に垂直に配向することを促し、かつ飽和磁化を（１）式
が成立する程度にまで低下させることにある。
したがって、Ｃｒと同様な効果を有する元素をＣＯ磁性
膜に添加するならば、Ｃｏ −Ｏｒ系合金薄膜以外にお
いても、垂直磁化膜を実現できる可能性がある。
膜に添加するならば、Ｃｏ −Ｏｒ系合金薄膜以外にお
いても、垂直磁化膜を実現できる可能性がある。
本発明者らは、上記のような考えに基づき、検討を重ね
た結果、添加元素として金属元素を用いることな（、適
当な分圧の酸素雰囲気と基板温度の条件下において、基
板面に垂直にＣＯの蒸着を行なうと、良好な磁気特性を
有する垂直磁化膜が得られることを見出した。その原因
は必ずしも明らかではないが、垂直蒸着によって基板面
に垂直方向に生成される針状のＣＯ結晶粒子の表面がＣ
ｏ。
た結果、添加元素として金属元素を用いることな（、適
当な分圧の酸素雰囲気と基板温度の条件下において、基
板面に垂直にＣＯの蒸着を行なうと、良好な磁気特性を
有する垂直磁化膜が得られることを見出した。その原因
は必ずしも明らかではないが、垂直蒸着によって基板面
に垂直方向に生成される針状のＣＯ結晶粒子の表面がＣ
ｏ。
等の酸化物によって覆われ、薄膜の形状による面内磁気
異方性を緩和するとともに、酸化物層が存在するために
、金属００粒子のＣ軸方向が針状方向に配向しやすくな
るためと考えられる。
異方性を緩和するとともに、酸化物層が存在するために
、金属００粒子のＣ軸方向が針状方向に配向しやすくな
るためと考えられる。
このように、ＣＯへの金属以外の添加元素によって垂直
磁化膜が得られたことは予期しなかったことであり、そ
の作製法が簡単であること、原料としてはＣＯ金金属け
ですむことを考えると、その実用−ヒの利点は大きい。
磁化膜が得られたことは予期しなかったことであり、そ
の作製法が簡単であること、原料としてはＣＯ金金属け
ですむことを考えると、その実用−ヒの利点は大きい。
以下、本発明を比較例をまじえ、実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
実施例 １゜
第１図に示した抵抗加熱型蒸着装置を用い、光学研磨さ
れたガラス基板上にＣｏの蒸着を行なった。
れたガラス基板上にＣｏの蒸着を行なった。
第１図において、１はガラス基板、２は蒸着源、３はニ
ードルバルブ、４は基板加熱用ヒーターである。
ードルバルブ、４は基板加熱用ヒーターである。
上記の装置を用い、Ｃｏ蒸気流と基板法線のなす角度θ
をＯｏに設定し、基板温度１００℃、蒸着速度３００
Ａ／ｍｉｎの一定条件で、酸素分圧を種々変化させ、膜
厚０．１μｍのＣｏ蒸着膜を作製した。蒸着は酸素分圧
が０×１０−５．２．ｌＸ１０−５．３．５ Ｘ １０
＝、４．４ Ｘ １０−５．５．１刈０−５．６．ＯＸ
１０−５．６．５ Ｘ １０−５．７．ＯＸ １０
” Ｔｏｒｒの８通りの場合について行ない、合計８種
類のＣｏ蒸着膜を得た。
をＯｏに設定し、基板温度１００℃、蒸着速度３００
Ａ／ｍｉｎの一定条件で、酸素分圧を種々変化させ、膜
厚０．１μｍのＣｏ蒸着膜を作製した。蒸着は酸素分圧
が０×１０−５．２．ｌＸ１０−５．３．５ Ｘ １０
＝、４．４ Ｘ １０−５．５．１刈０−５．６．ＯＸ
１０−５．６．５ Ｘ １０−５．７．ＯＸ １０
” Ｔｏｒｒの８通りの場合について行ない、合計８種
類のＣｏ蒸着膜を得た。
これら８種類のＣｏ蒸着膜中の平均の酸素含有量の測定
結果とＶＳＭ （試料振動型磁力計）により、前記膜の
面内方向および面に垂直な方向に磁場を印加した時の同
腹の磁気特性を測定した。その結果を第２図に図表で示
す。図中、土、７はそれぞれ印加磁界が膜面に垂直方向
、膜面内方向であることを示している。
結果とＶＳＭ （試料振動型磁力計）により、前記膜の
面内方向および面に垂直な方向に磁場を印加した時の同
腹の磁気特性を測定した。その結果を第２図に図表で示
す。図中、土、７はそれぞれ印加磁界が膜面に垂直方向
、膜面内方向であることを示している。
第２図かられかるように、酸素分圧が高く、すなわち酸
素含有量が多くなるに従い、Ｃｏ蒸着膜の飽和磁束密度
４πＭｓは減少して行く。これに対して、膜面番こ垂直
方向に測定した時の角型比Ｍｒ□７メＭ５、保磁力Ｈｃ
１はともにはじめは増加し、飽和磁束密度が６５００
Ｇ、５３００ Ｇにおいては、垂直方向に測定した角型
比は面内で測定した角型比よりかなり大きくなっている
。このことは明らかに垂直磁化膜が実現したことを示し
ている。さらに、酸素含有量が増加し、飽和磁束密度が
減少して行くと、垂直方向で測定した角型比、保磁力と
もに減少して行く傾向を示すが、飽和磁束密度が３５０
０ Ｇ程度までは垂直方向と面内方向に測定した角型比
が同程度であり、まだ垂直磁化膜となっていることがわ
かる。
素含有量が多くなるに従い、Ｃｏ蒸着膜の飽和磁束密度
４πＭｓは減少して行く。これに対して、膜面番こ垂直
方向に測定した時の角型比Ｍｒ□７メＭ５、保磁力Ｈｃ
１はともにはじめは増加し、飽和磁束密度が６５００
Ｇ、５３００ Ｇにおいては、垂直方向に測定した角型
比は面内で測定した角型比よりかなり大きくなっている
。このことは明らかに垂直磁化膜が実現したことを示し
ている。さらに、酸素含有量が増加し、飽和磁束密度が
減少して行くと、垂直方向で測定した角型比、保磁力と
もに減少して行く傾向を示すが、飽和磁束密度が３５０
０ Ｇ程度までは垂直方向と面内方向に測定した角型比
が同程度であり、まだ垂直磁化膜となっていることがわ
かる。
以上の実施例から明らかなように、Ｃｏを主体とした垂
直磁化膜を得るためには、Ｃｏ蒸気流を基板に対して垂
直に入射させるとともに、酸素分圧が４．４Ｘ１０ ’
〜６．５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒの範囲の真空雰囲気中で蒸
着を行ない、蒸着膜中の平均の酸素含有量を３０〜４０
原子％の範囲とし、得られたＣｏ蒸着膜の飽和磁束密度
を６５００ Ｇ以下、より好ましくは６５００〜３５０
０ Ｇの範囲となるように制御することが重要である。
直磁化膜を得るためには、Ｃｏ蒸気流を基板に対して垂
直に入射させるとともに、酸素分圧が４．４Ｘ１０ ’
〜６．５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒの範囲の真空雰囲気中で蒸
着を行ない、蒸着膜中の平均の酸素含有量を３０〜４０
原子％の範囲とし、得られたＣｏ蒸着膜の飽和磁束密度
を６５００ Ｇ以下、より好ましくは６５００〜３５０
０ Ｇの範囲となるように制御することが重要である。
なお、前記Ｃｏ蒸着における、基板に対するＣ。
蒸気の実際の入射方向は、基板表面の垂線方向に対して
５度以内であった。
５度以内であった。
実施例 ２゜
垂直磁化膜の得られる作製条件、酸素分圧５、Ｉ Ｘ
１０＝Ｔｏｒｒ、蒸着速度約３００ Ａ／ｍｉｎの一定
条件で、基板温度を５０〜２００℃の範囲で変化させて
膜厚０．１μｍのＣｏ蒸着膜の作製を行なった。基板温
度を変化させたこと以外は実施例１の試料Ａ−５と同じ
である。基板温度は２００℃、１３０℃、１００℃、５
０℃と４通りに変化させ、４種類のＣｏ蒸着膜を作製し
、実施例１と同様な方法で、それらの磁気特性を測定し
た。その結果を第３図に図表で示す。
１０＝Ｔｏｒｒ、蒸着速度約３００ Ａ／ｍｉｎの一定
条件で、基板温度を５０〜２００℃の範囲で変化させて
膜厚０．１μｍのＣｏ蒸着膜の作製を行なった。基板温
度を変化させたこと以外は実施例１の試料Ａ−５と同じ
である。基板温度は２００℃、１３０℃、１００℃、５
０℃と４通りに変化させ、４種類のＣｏ蒸着膜を作製し
、実施例１と同様な方法で、それらの磁気特性を測定し
た。その結果を第３図に図表で示す。
同図表から、垂直磁化膜を得るには基板温度が非常に重
要な作製条件となっていることがわかろうすなわち、基
板温度が１３０℃以下の低温におい゛ては、膜面に垂直
方向で測定した角型比は、膜面内方向で測定した値に等
しいか、あるいは太き（なる。同様に、保磁力は垂直方
向で測定した方が面内方向で測定した値より大きくなり
、垂直磁化膜が実現していることがわかった。これに反
して、基板温度が２００℃になると、膜面に垂直方向で
測定した角型比、保磁力ともに膜面内方向で測定した値
より低下し、磁化容易軸方向はすでに膜面配向となって
しまうことがわかった。
要な作製条件となっていることがわかろうすなわち、基
板温度が１３０℃以下の低温におい゛ては、膜面に垂直
方向で測定した角型比は、膜面内方向で測定した値に等
しいか、あるいは太き（なる。同様に、保磁力は垂直方
向で測定した方が面内方向で測定した値より大きくなり
、垂直磁化膜が実現していることがわかった。これに反
して、基板温度が２００℃になると、膜面に垂直方向で
測定した角型比、保磁力ともに膜面内方向で測定した値
より低下し、磁化容易軸方向はすでに膜面配向となって
しまうことがわかった。
実施例 ３
垂直磁化膜の得られる条件、酸素分圧４．４ Ｘ ’１
Ｏ−５Ｔｏｒｒ、蒸着速度約３０〜し頒ｉｎ、基板温度
１００℃において、膜厚を００゛２〜０，２μｍの範囲
で変化させ、ｃ。
Ｏ−５Ｔｏｒｒ、蒸着速度約３０〜し頒ｉｎ、基板温度
１００℃において、膜厚を００゛２〜０，２μｍの範囲
で変化させ、ｃ。
蒸着膜の作製を行なった。膜厚を変化させたこと以外は
実施例１の試料Ａ−４と同じである。膜厚は００２μｍ
、０゜６５μｍ、０．１μｍ、０２μｍと４通りに変化
させ、４種類のＣｏ蒸着膜を作製し、実施例１と同様な
方法で、それらの磁気特性を測定した。その結果を第３
図に図表で示す。
実施例１の試料Ａ−４と同じである。膜厚は００２μｍ
、０゜６５μｍ、０．１μｍ、０２μｍと４通りに変化
させ、４種類のＣｏ蒸着膜を作製し、実施例１と同様な
方法で、それらの磁気特性を測定した。その結果を第３
図に図表で示す。
同図表から明らカ）なように、膜厚が００２μｍの場合
には、その磁化容易軸は膜面内にあるが、膜厚が０．０
５μｍ以上になると良好な垂直磁化膜となる。
には、その磁化容易軸は膜面内にあるが、膜厚が０．０
５μｍ以上になると良好な垂直磁化膜となる。
また、膜厚の上限は実用上０．５μｍ程度が好ましい。
以上詳述した実施例から、Ｃｏ蒸着膜において垂直磁化
膜を実現する条件は次の四点にまとめることができる。
膜を実現する条件は次の四点にまとめることができる。
すなわち、
ｉｌｌ Ｃｏ蒸気流は基板に対し垂直方向から入射さ
せること、 （２） 適当な酸素分圧、すなわち、４４×１０−５
〜６．５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒの範囲でＣｏの蒸着を
行ない、得られるＣｏ蒸着膜中の酸素含有量を３０〜４
０原子％の範囲とするとともに蒸着膜の飽和磁束密度を
６５００〜３５００ガウスとすること、 （３） 蒸着時における基板温度を１３０℃以下とす
ること、 ＋４１ Ｃｏ蒸着膜の厚さを０．０５μｍ以上とする
こと、 にある。
せること、 （２） 適当な酸素分圧、すなわち、４４×１０−５
〜６．５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒの範囲でＣｏの蒸着を
行ない、得られるＣｏ蒸着膜中の酸素含有量を３０〜４
０原子％の範囲とするとともに蒸着膜の飽和磁束密度を
６５００〜３５００ガウスとすること、 （３） 蒸着時における基板温度を１３０℃以下とす
ること、 ＋４１ Ｃｏ蒸着膜の厚さを０．０５μｍ以上とする
こと、 にある。
なお、以上の実施例で述べたＣｏ蒸着膜の作製条件、例
えば、酸素分圧はＣＯの蒸着速度との相対的な関係によ
って定まるものであり、以上の実施例の制限を受けるも
のではない。また、蒸着膜の作製は真空蒸着法以外に電
子ビーム蒸着法を用いても同様の結果が得られる。
えば、酸素分圧はＣＯの蒸着速度との相対的な関係によ
って定まるものであり、以上の実施例の制限を受けるも
のではない。また、蒸着膜の作製は真空蒸着法以外に電
子ビーム蒸着法を用いても同様の結果が得られる。
また、本発明によって得られるＣｏ蒸着膜は金属ＣＯと
その酸化物の混存したものとなっており、Ｃｏ−Ｃｒ合
金膜に比較して、曲げ剛性率は小さくなり、テープ状あ
るいはフロッピィディスク状の柔軟性が必要とされる記
録媒体としても好ましい機械的特性を有している。
その酸化物の混存したものとなっており、Ｃｏ−Ｃｒ合
金膜に比較して、曲げ剛性率は小さくなり、テープ状あ
るいはフロッピィディスク状の柔軟性が必要とされる記
録媒体としても好ましい機械的特性を有している。
なお、蒸着用の基体としては、従来用いられている有機
ポリマー、例えばポリエステル、あるいは表面に絶縁膜
を形成した金属板、例えばＡｔ板等が用いられる。また
、基体の形状は通常、長尺状もしくは円板状とするが、
必要に応じて任意の形状としてよい。
ポリマー、例えばポリエステル、あるいは表面に絶縁膜
を形成した金属板、例えばＡｔ板等が用いられる。また
、基体の形状は通常、長尺状もしくは円板状とするが、
必要に応じて任意の形状としてよい。
さらに基体表面にパーマロイ等の高透磁率特性を有する
薄膜を形成し、その上にｃｏ系垂直磁化膜を被着した、
２層膜垂直磁気記録媒体にも本発明が適用できることは
言うまでもない。
薄膜を形成し、その上にｃｏ系垂直磁化膜を被着した、
２層膜垂直磁気記録媒体にも本発明が適用できることは
言うまでもない。
以上説明したところから明らかなように、本発明による
垂直磁化膜は製造方法が簡単であり、原料としてはＣｏ
金属だけですみ、しかも特性も良好なものを得ることが
できるので、実用上の利点は大きい。
垂直磁化膜は製造方法が簡単であり、原料としてはＣｏ
金属だけですみ、しかも特性も良好なものを得ることが
できるので、実用上の利点は大きい。
第１図は本発明の蒸着膜の作製に用いた抵抗加熱型蒸着
装置の概略断面図、第２図は分圧の異なる酸素雰囲気中
で、基板温度１００℃、蒸着速度約３００ Ａ／ｍｉｎ
として基板に垂直に蒸着した膜厚０．１μｍのＣｏ蒸着
膜の酸素含有量と磁気特性を示す図表、第３図は分圧５
．Ｉ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で、蒸着
速度約３００ Ａ／ｍｉｎとして基板温度を変えて基板
に垂直に蒸着した膜厚０．１μｍのＣｏ蒸着膜の磁気特
性を示す図表、第４図は分圧４．４ Ｘ １０ ’ Ｔ
ｏｒｒ、蒸着速度約３００ Ａ／ｍｉｎ、基板温度１０
０℃として膜厚を変えて基板に垂直に蒸着したＣｏ蒸着
膜の磁気特性を示す図表である。 代理人弁理士 中村純之助 第１図 十３図 米４間 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ／
装置の概略断面図、第２図は分圧の異なる酸素雰囲気中
で、基板温度１００℃、蒸着速度約３００ Ａ／ｍｉｎ
として基板に垂直に蒸着した膜厚０．１μｍのＣｏ蒸着
膜の酸素含有量と磁気特性を示す図表、第３図は分圧５
．Ｉ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で、蒸着
速度約３００ Ａ／ｍｉｎとして基板温度を変えて基板
に垂直に蒸着した膜厚０．１μｍのＣｏ蒸着膜の磁気特
性を示す図表、第４図は分圧４．４ Ｘ １０ ’ Ｔ
ｏｒｒ、蒸着速度約３００ Ａ／ｍｉｎ、基板温度１０
０℃として膜厚を変えて基板に垂直に蒸着したＣｏ蒸着
膜の磁気特性を示す図表である。 代理人弁理士 中村純之助 第１図 十３図 米４間 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）非磁性絶縁物層を少なくとも表面上に有する所定
形状の非磁性基体と、該基体表面に被着された表面を酸
化物層で覆われたＣＯの針状結晶粒子群から構成された
多結晶薄膜磁性体とからなり、該磁性体を構成するＣＯ
の針状結晶粒子の長軸方向が前記基体表面に対して平均
的に垂直方向に配向していることを特徴とする垂直磁気
記録媒体。 （２、特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体に
おいて、前記多結晶薄膜磁性体中の酸素含有量が３０〜
４０原子％であることを特徴とする垂直１磁気記録媒体
。 （３）特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体に
おいて、前記多結晶薄膜磁性体の飽和磁束密度が３５０
０〜６５００ Ｇであることを特徴とする垂直磁気記録
媒体。 （４）特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載
の垂直磁気記録媒体において、前記多結晶薄膜磁性体の
膜厚が０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする垂
直磁気記録媒体。 （５）非磁性絶縁物層を少なくとも表面上に有する所定
形状の非磁性基体上にＣＯ磁性膜を蒸着法で被着する際
に、ＣＯ蒸気の前記基体への入射方向を該基体表面に対
して垂直方向となるようにし、微量の酸素を含む雰囲気
下で真空蒸着することを特徴とする垂直磁気記録媒体の
製造方法。 （６）特許請求の範囲第５項記載の垂直磁気記録媒体の
製造方法において、前記基体の温度を１３０℃以下とす
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299283A JPS59140629A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299283A JPS59140629A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18799492A Division JPH0690781B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59140629A true JPS59140629A (ja) | 1984-08-13 |
| JPH056738B2 JPH056738B2 (ja) | 1993-01-27 |
Family
ID=11820697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299283A Granted JPS59140629A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59140629A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162622A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-13 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並にその製造法 |
| JPS59198707A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体 |
| JPS615425A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6190405A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜の製造方法 |
| JPH0294109A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法及びそれを用いた記録再生装置 |
| US4987039A (en) * | 1987-03-30 | 1991-01-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5244751A (en) * | 1988-03-11 | 1993-09-14 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium, its fabrication method and read-write machine using it |
| US5496620A (en) * | 1990-12-13 | 1996-03-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| EP1727134A1 (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk with improved recording layer having high oxygen content |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870422A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-26 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 磁気記録用媒体の後処理法 |
| JPS5882514A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-05-18 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 連続薄膜磁性媒体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1299283A patent/JPS59140629A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870422A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-26 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 磁気記録用媒体の後処理法 |
| JPS5882514A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-05-18 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 連続薄膜磁性媒体およびその製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162622A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-13 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並にその製造法 |
| JPS6255207B2 (ja) * | 1983-03-08 | 1987-11-18 | Ulvac Corp | |
| JPS59198707A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体 |
| JPH0337724B2 (ja) * | 1983-04-26 | 1991-06-06 | Ulvac Corp | |
| JPS615425A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6190405A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜の製造方法 |
| JPH0582724B2 (ja) * | 1984-10-09 | 1993-11-22 | Yoshifumi Sakurai | |
| US4987039A (en) * | 1987-03-30 | 1991-01-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5244751A (en) * | 1988-03-11 | 1993-09-14 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium, its fabrication method and read-write machine using it |
| JPH0294109A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法及びそれを用いた記録再生装置 |
| US5496620A (en) * | 1990-12-13 | 1996-03-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| EP1727134A1 (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk with improved recording layer having high oxygen content |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056738B2 (ja) | 1993-01-27 |
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