JPH0690781B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0690781B2 JPH0690781B2 JP18799492A JP18799492A JPH0690781B2 JP H0690781 B2 JPH0690781 B2 JP H0690781B2 JP 18799492 A JP18799492 A JP 18799492A JP 18799492 A JP18799492 A JP 18799492A JP H0690781 B2 JPH0690781 B2 JP H0690781B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の形状を有する非
磁性基体上に被着したＣoを主成分とした垂直磁化膜に
係り、特に上記の垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録に好
適な垂直磁気記録媒体に関する。
磁性基体上に被着したＣoを主成分とした垂直磁化膜に
係り、特に上記の垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録に好
適な垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野における記録密度の向上
は著しいものがある。特に、東北大の岩崎らにより提案
された垂直磁気記録方式は、現在実用化されている面内
記録方式とは異なり、記録密度が高くなるほど自己減磁
作用が小さくなる特徴を有し、将来の高密度磁気記録方
式として注目を集め、精力的な研究がなされている。こ
の垂直磁気記録を実現するには、記録媒体として、磁性
膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する垂直磁化膜
が必要である。現在、そのような磁気特性をもつ磁性膜
としては、スパッタ法、あるいは真空蒸着法で作製した
Ｃo−Ｃr、Ｃo−Ｃr−Ｒh、またはＣo−Ｖ系の合金膜が
知られている。しかし、このような合金系垂直磁化膜
は、その膜厚が０.１μｍ以下では良好な垂直磁気異方
性が得られない欠点を有すると共に、合金であるために
磁性膜自身の曲げ剛性率が大きく、特にテープ状の垂直
磁気記録媒体を作製した場合には、磁気ヘッドとの良好
なタッチが得られないという欠点があった。
は著しいものがある。特に、東北大の岩崎らにより提案
された垂直磁気記録方式は、現在実用化されている面内
記録方式とは異なり、記録密度が高くなるほど自己減磁
作用が小さくなる特徴を有し、将来の高密度磁気記録方
式として注目を集め、精力的な研究がなされている。こ
の垂直磁気記録を実現するには、記録媒体として、磁性
膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する垂直磁化膜
が必要である。現在、そのような磁気特性をもつ磁性膜
としては、スパッタ法、あるいは真空蒸着法で作製した
Ｃo−Ｃr、Ｃo−Ｃr−Ｒh、またはＣo−Ｖ系の合金膜が
知られている。しかし、このような合金系垂直磁化膜
は、その膜厚が０.１μｍ以下では良好な垂直磁気異方
性が得られない欠点を有すると共に、合金であるために
磁性膜自身の曲げ剛性率が大きく、特にテープ状の垂直
磁気記録媒体を作製した場合には、磁気ヘッドとの良好
なタッチが得られないという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｃo
−ＣrあるいはＣo−Ｖ系合金のような合金材料を用いる
ことなく、膜厚０.１μｍ以下においても良好な垂直磁
化膜となり、かつ曲げ剛性率がＣo−Ｃr系合金膜に比較
して小さく、磁気特性に優れた新規な垂直磁化膜を用い
た垂直磁気記録媒体を提供することにある。
−ＣrあるいはＣo−Ｖ系合金のような合金材料を用いる
ことなく、膜厚０.１μｍ以下においても良好な垂直磁
化膜となり、かつ曲げ剛性率がＣo−Ｃr系合金膜に比較
して小さく、磁気特性に優れた新規な垂直磁化膜を用い
た垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】Ｃo−Ｃr膜において、垂
直磁化膜となる理由は次のように考えられている。すな
わち、スパッタ法あるいは真空蒸着法で作製したＣo−
Ｃr膜の断面をＳＥＭで観察すると、膜面に垂直方向に
結晶粒子が成長した柱状構造が観察される。垂直磁気異
方性の優れたＣo−Ｃr膜は、この柱状方向に沿ってＣo
のｃ軸が配向していることがＸ線回折法により解析され
ている。Ｃo−Ｃr膜の垂直磁気異方性は、このｃ軸が垂
直配向していることが一つの要因であるが、さらに、そ
の垂直磁気異方性の大きさ（Ｋu）が、膜面に垂直方向
に磁化が向いた時の静磁エネルギー２πＭs2（Ｍs：飽
和磁化）よりも大となる、下記数１式の関係が満たされ
ている場合である。 Ｋu＞２πＭs2 ……………（数１） 普通、Ｃo薄膜の場合、Ｃoのｃ軸が理想的に膜面に垂直
に配向したとしても、Ｋu、Ｍsにバルクの値を用いると
して、数１式の左辺、右辺の値はそれぞれ５×１０6erg
／cc、１.２×１０7erg／ccとなり、数１式の関係を満
足することはできない。このように、Ｃrを添加する効
果は、Ｃoのｃ軸が膜面に垂直に配向することを促し、
かつ飽和磁化を数１式が成立する程度にまで低下させる
ことにある。 したがって、Ｃrと同様な効果を有する
元素をＣo磁性膜に添加するならば、Ｃo−Ｃr系合金薄
膜以外においても垂直磁化膜が実現できる可能性があ
る。本発明者らは、上記のような考えに基づき、検討を
重ねた結果、添加元素として金属元素を用いることな
く、適当な分圧の酸素雰囲気と基板温度の条件下におい
て、基板面に垂直にＣoの蒸着を行うと、良好な磁気特
性を有する垂直磁化膜が得られることを見出した。その
原因は必ずしも明らかではないが、垂直蒸着によって基
板面に垂直方向に生成される針状のＣo結晶粒子の表面
がＣoＯ等の酸化物によって覆われ、薄膜の形状による
面内磁気異方性を緩和するとともに、酸化物層が存在す
るために、金属Ｃo粒子のｃ軸方向が針状方向に配向し
やすくなるためと考えられる。このように、Ｃoに対し
金属元素以外の元素の添加によって垂直磁化膜が得られ
たことは予期しなかったことであり、その作製法が簡単
であること、原料としてはＣo金属だけですむことを考
えると、その実用上の利点は極めて大きい。本発明は、
非磁性基体と、該非磁性基体表面上に形成された垂直磁
化膜を有する垂直磁気記録媒体において、上記垂直磁化
膜は実質的に金属ＣoとＣoの酸化物からなり、上記垂直
磁化膜中の酸素含有量は１８〜４０原子％であり、かつ
上記垂直磁化膜の膜厚を０.０５〜０.５μｍとした垂直
磁気記録媒体である。そして、上記垂直磁化膜中のＣo
の酸化物はＣoＯであることが好ましい。本発明の垂直
磁化膜を構成する上記金属Ｃoの結晶粒子は針状粒子で
あり、該針状粒子の長軸は、上記非磁性基体表面に対し
実質上垂直方向に向いており、かつ上記金属Ｃoの結晶
粒子のｃ軸は、上記非磁性基体表面に対し実質上垂直方
向に配向していることが望ましい。さらに、上記非磁性
基体は有機ポリマーを用いることが好ましい。また、本
発明の上記垂直磁化膜は、上記非磁性基体上に形成され
た高透磁率特性を有する薄膜を介して形成させることも
できる。
直磁化膜となる理由は次のように考えられている。すな
わち、スパッタ法あるいは真空蒸着法で作製したＣo−
Ｃr膜の断面をＳＥＭで観察すると、膜面に垂直方向に
結晶粒子が成長した柱状構造が観察される。垂直磁気異
方性の優れたＣo−Ｃr膜は、この柱状方向に沿ってＣo
のｃ軸が配向していることがＸ線回折法により解析され
ている。Ｃo−Ｃr膜の垂直磁気異方性は、このｃ軸が垂
直配向していることが一つの要因であるが、さらに、そ
の垂直磁気異方性の大きさ（Ｋu）が、膜面に垂直方向
に磁化が向いた時の静磁エネルギー２πＭs2（Ｍs：飽
和磁化）よりも大となる、下記数１式の関係が満たされ
ている場合である。 Ｋu＞２πＭs2 ……………（数１） 普通、Ｃo薄膜の場合、Ｃoのｃ軸が理想的に膜面に垂直
に配向したとしても、Ｋu、Ｍsにバルクの値を用いると
して、数１式の左辺、右辺の値はそれぞれ５×１０6erg
／cc、１.２×１０7erg／ccとなり、数１式の関係を満
足することはできない。このように、Ｃrを添加する効
果は、Ｃoのｃ軸が膜面に垂直に配向することを促し、
かつ飽和磁化を数１式が成立する程度にまで低下させる
ことにある。 したがって、Ｃrと同様な効果を有する
元素をＣo磁性膜に添加するならば、Ｃo−Ｃr系合金薄
膜以外においても垂直磁化膜が実現できる可能性があ
る。本発明者らは、上記のような考えに基づき、検討を
重ねた結果、添加元素として金属元素を用いることな
く、適当な分圧の酸素雰囲気と基板温度の条件下におい
て、基板面に垂直にＣoの蒸着を行うと、良好な磁気特
性を有する垂直磁化膜が得られることを見出した。その
原因は必ずしも明らかではないが、垂直蒸着によって基
板面に垂直方向に生成される針状のＣo結晶粒子の表面
がＣoＯ等の酸化物によって覆われ、薄膜の形状による
面内磁気異方性を緩和するとともに、酸化物層が存在す
るために、金属Ｃo粒子のｃ軸方向が針状方向に配向し
やすくなるためと考えられる。このように、Ｃoに対し
金属元素以外の元素の添加によって垂直磁化膜が得られ
たことは予期しなかったことであり、その作製法が簡単
であること、原料としてはＣo金属だけですむことを考
えると、その実用上の利点は極めて大きい。本発明は、
非磁性基体と、該非磁性基体表面上に形成された垂直磁
化膜を有する垂直磁気記録媒体において、上記垂直磁化
膜は実質的に金属ＣoとＣoの酸化物からなり、上記垂直
磁化膜中の酸素含有量は１８〜４０原子％であり、かつ
上記垂直磁化膜の膜厚を０.０５〜０.５μｍとした垂直
磁気記録媒体である。そして、上記垂直磁化膜中のＣo
の酸化物はＣoＯであることが好ましい。本発明の垂直
磁化膜を構成する上記金属Ｃoの結晶粒子は針状粒子で
あり、該針状粒子の長軸は、上記非磁性基体表面に対し
実質上垂直方向に向いており、かつ上記金属Ｃoの結晶
粒子のｃ軸は、上記非磁性基体表面に対し実質上垂直方
向に配向していることが望ましい。さらに、上記非磁性
基体は有機ポリマーを用いることが好ましい。また、本
発明の上記垂直磁化膜は、上記非磁性基体上に形成され
た高透磁率特性を有する薄膜を介して形成させることも
できる。
【０００５】
【実施例】以下に、本発明の実施例および比較例を挙
げ、図面を用いてさらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１に示した抵抗加熱型蒸着装置を用い、
光学研磨されたガラス基板上にＣoの蒸着を行なった。
図１において、１はガラス基板、２は蒸着源、３はニー
ドルバルブ、４は基板加熱用ヒータである。上記の装置
を用い、Ｃo蒸気流と基板法線のなす角度θを０°に設
定し、基板温度１００℃、蒸着速度３００Å／minの一
定条件で、酸素分圧を種々変化させ、膜厚０.１μｍの
Ｃo蒸着膜を作製した。蒸着は酸素分圧が０×１０〜5、
２.１×１０〜5、３.５×１０〜5、４.４×１０〜5、
５.１×１０〜5、６.０×１０〜5、６.５×１０〜5、
７.０×１０〜5Ｔorrの８通りの場合について行い、
合計８種類のＣo蒸着膜を得た。これら８種類のＣo蒸着
膜中の平均の酸素含有量の測定結果とＶＳＭ（試料振動
型磁力計）により、前記膜の面内方向および面に垂直な
方向に磁場を印加した時の同膜の磁気特性を測定した。
その結果を図２に図表として示す。図表中、⊥、//はそ
れぞれ印加磁界が膜面に垂直方向、膜面内方向であるこ
とを示している。図２から分かるように、酸素分圧が高
く、すなわち酸素含有量が多くなるに従い、Ｃo蒸着膜
の飽和磁束密度４πＭsは減少して行く。これに対し
て、膜面に垂直方向に測定した時の角型比Ｍr⊥／Ｍs、
保磁力Ｈc⊥はともにはじめは増加し、飽和磁束密度が
６５００Ｇ（ガウス）、５３００Ｇにおいては、垂直方
向に測定した角型比は面内で測定した角型比よりかなり
大きくなっている（試料Ｎo．Ａ−４，Ａ−５）。この
ことは明らかに垂直磁化膜が実現したことを示してい
る。さらに、酸素含有量が増加し、飽和磁束密度が減少
して行くと、垂直方向で測定した角型比、保磁力ともに
減少して行く傾向を示すが、飽和磁束密度が３５００Ｇ
程度までは垂直方向と面内方向に測定した角型比が同程
度であり（試料Ｎo．Ａ−６，Ａ−７）、また、垂直磁
化膜となっていることが分かる。なお、膜面に垂直方向
で測定した角型比、保磁力の両方共が面内方向で測定し
た値よりも小さい場合が（試料Ｎo．Ａ−２）、面内磁
化膜である。また、試料Ｎo．Ａ−３は、角型比は膜面
に垂直方向で測定した値の方が面内方向で測定した値よ
り小さいが、保磁力は垂直方向で測定した値の方が面内
方向で測定した値よりも大きいので垂直磁化を十分に実
現できる垂直磁化膜である。なお、前記Ｃo蒸着におけ
る、基板に対するＣo蒸気の実際の入射方向は、基板表
面の垂線方向に対して５度以内であった。
げ、図面を用いてさらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１に示した抵抗加熱型蒸着装置を用い、
光学研磨されたガラス基板上にＣoの蒸着を行なった。
図１において、１はガラス基板、２は蒸着源、３はニー
ドルバルブ、４は基板加熱用ヒータである。上記の装置
を用い、Ｃo蒸気流と基板法線のなす角度θを０°に設
定し、基板温度１００℃、蒸着速度３００Å／minの一
定条件で、酸素分圧を種々変化させ、膜厚０.１μｍの
Ｃo蒸着膜を作製した。蒸着は酸素分圧が０×１０〜5、
２.１×１０〜5、３.５×１０〜5、４.４×１０〜5、
５.１×１０〜5、６.０×１０〜5、６.５×１０〜5、
７.０×１０〜5Ｔorrの８通りの場合について行い、
合計８種類のＣo蒸着膜を得た。これら８種類のＣo蒸着
膜中の平均の酸素含有量の測定結果とＶＳＭ（試料振動
型磁力計）により、前記膜の面内方向および面に垂直な
方向に磁場を印加した時の同膜の磁気特性を測定した。
その結果を図２に図表として示す。図表中、⊥、//はそ
れぞれ印加磁界が膜面に垂直方向、膜面内方向であるこ
とを示している。図２から分かるように、酸素分圧が高
く、すなわち酸素含有量が多くなるに従い、Ｃo蒸着膜
の飽和磁束密度４πＭsは減少して行く。これに対し
て、膜面に垂直方向に測定した時の角型比Ｍr⊥／Ｍs、
保磁力Ｈc⊥はともにはじめは増加し、飽和磁束密度が
６５００Ｇ（ガウス）、５３００Ｇにおいては、垂直方
向に測定した角型比は面内で測定した角型比よりかなり
大きくなっている（試料Ｎo．Ａ−４，Ａ−５）。この
ことは明らかに垂直磁化膜が実現したことを示してい
る。さらに、酸素含有量が増加し、飽和磁束密度が減少
して行くと、垂直方向で測定した角型比、保磁力ともに
減少して行く傾向を示すが、飽和磁束密度が３５００Ｇ
程度までは垂直方向と面内方向に測定した角型比が同程
度であり（試料Ｎo．Ａ−６，Ａ−７）、また、垂直磁
化膜となっていることが分かる。なお、膜面に垂直方向
で測定した角型比、保磁力の両方共が面内方向で測定し
た値よりも小さい場合が（試料Ｎo．Ａ−２）、面内磁
化膜である。また、試料Ｎo．Ａ−３は、角型比は膜面
に垂直方向で測定した値の方が面内方向で測定した値よ
り小さいが、保磁力は垂直方向で測定した値の方が面内
方向で測定した値よりも大きいので垂直磁化を十分に実
現できる垂直磁化膜である。なお、前記Ｃo蒸着におけ
る、基板に対するＣo蒸気の実際の入射方向は、基板表
面の垂線方向に対して５度以内であった。
【０００６】＜実施例２＞垂直磁化膜の得られる作製条
件、酸素分圧５.１×１０〜5Ｔorr、蒸着速度約３００
Å／minの一定条件で、基板温度を５０〜２００℃の範
囲で変化させて膜厚０．１μｍのＣo蒸着膜の作製を行
った。基板温度を変化させたこと以外は実施例１の試料
Ｎo．Ａ−５と同じである。基板温度は２００℃、１３
０℃、１００℃、５０℃と４通りに変化させ、４種類の
Ｃo蒸着膜を作製し、実施例１と同様な方法で、それら
の磁気特性を測定した。その結果を図３に図表として示
す。上記の図表から、垂直磁化膜を得るには基板温度が
非常に重要な作製条件となっていることが分かる。すな
わち、基板温度が１３０℃以下の低温においては、膜面
に垂直方向で測定した角型比は、膜面内方向で測定した
値に等しいか、あるいは大きくなる。同様に、保磁力は
垂直方向で測定した値の方が面内方向で測定した値より
大きくなり、垂直磁化膜が実現していることが分かっ
た。これに反して、基板温度が２００℃になると、膜面
に垂直方向で測定した角型比、保磁力ともに膜面内方向
で測定した値よりも低下し、磁化容易軸方向は膜面配向
となってしまうことが分かった。
件、酸素分圧５.１×１０〜5Ｔorr、蒸着速度約３００
Å／minの一定条件で、基板温度を５０〜２００℃の範
囲で変化させて膜厚０．１μｍのＣo蒸着膜の作製を行
った。基板温度を変化させたこと以外は実施例１の試料
Ｎo．Ａ−５と同じである。基板温度は２００℃、１３
０℃、１００℃、５０℃と４通りに変化させ、４種類の
Ｃo蒸着膜を作製し、実施例１と同様な方法で、それら
の磁気特性を測定した。その結果を図３に図表として示
す。上記の図表から、垂直磁化膜を得るには基板温度が
非常に重要な作製条件となっていることが分かる。すな
わち、基板温度が１３０℃以下の低温においては、膜面
に垂直方向で測定した角型比は、膜面内方向で測定した
値に等しいか、あるいは大きくなる。同様に、保磁力は
垂直方向で測定した値の方が面内方向で測定した値より
大きくなり、垂直磁化膜が実現していることが分かっ
た。これに反して、基板温度が２００℃になると、膜面
に垂直方向で測定した角型比、保磁力ともに膜面内方向
で測定した値よりも低下し、磁化容易軸方向は膜面配向
となってしまうことが分かった。
【０００７】＜実施例３＞垂直磁化膜の得られる条件、
酸素分圧４.４×１０〜5Ｔorr、蒸着速度約３００Å／m
in、基板温度１００℃において、膜厚を０.０２〜０.２
μｍの範囲で変化させ、Ｃo蒸着膜の作製を行なった。
膜厚を変化させたこと以外は実施例１の試料Ｎo．Ａ−
４と同じである。膜厚は０.０２μｍ、０.０５μｍ、
０.１μｍ、０.２μｍと４通りに変化させ、４種類のＣ
o蒸着膜を作製し、実施例１と同様な方法で、それらの
磁気特性を測定した。その結果を、図３に図表として示
す。上記図表から明らかなように、膜厚が０.０２μｍ
の場合には、その磁化容易軸は膜面内にあるが、膜厚が
０.０５μｍ以上になると良好な垂直磁化膜となる。ま
た、膜厚の上限は実用上０.５μｍ程度が好ましい。な
お、以上の実施例で述べたＣo蒸着膜の作製条件、例え
ば、酸素分圧はＣoの蒸着速度との相対的な関係によっ
て定まるものであり、以上の実施例の制限を受けるもの
ではない。また、蒸着膜の作製は真空蒸着法以外に電子
ビーム蒸着法を用いても同様の結果が得られる。また、
本発明によって得られるＣo蒸着膜は金属Ｃoとその酸化
物の混存したものとなっており、Ｃo−Ｃr合金膜に比較
して、曲げ剛性率は小さくなり、テープ状あるいはフロ
ッピイディスク状の柔軟性が必要とされる記録媒体とし
ても好ましい機械的特性を有している。なお、蒸着用の
基体としては、従来用いられている有機ポリマー、例え
ばポリエステル、あるいは表面に絶縁膜を形成した金属
板、例えばＡｌ板等が用いられる。また、基体の形状は
通常、長尺状もしくは円板状とするが、必要に応じて任
意の形状としてもよい。さらに基体表面にパーマロイ等
の高透磁率特性を有する薄膜を形成し、その上にＣo系
垂直磁化膜を被着した２層膜垂直磁気記録媒体において
も本発明が適用できることは言うまでもない。
酸素分圧４.４×１０〜5Ｔorr、蒸着速度約３００Å／m
in、基板温度１００℃において、膜厚を０.０２〜０.２
μｍの範囲で変化させ、Ｃo蒸着膜の作製を行なった。
膜厚を変化させたこと以外は実施例１の試料Ｎo．Ａ−
４と同じである。膜厚は０.０２μｍ、０.０５μｍ、
０.１μｍ、０.２μｍと４通りに変化させ、４種類のＣ
o蒸着膜を作製し、実施例１と同様な方法で、それらの
磁気特性を測定した。その結果を、図３に図表として示
す。上記図表から明らかなように、膜厚が０.０２μｍ
の場合には、その磁化容易軸は膜面内にあるが、膜厚が
０.０５μｍ以上になると良好な垂直磁化膜となる。ま
た、膜厚の上限は実用上０.５μｍ程度が好ましい。な
お、以上の実施例で述べたＣo蒸着膜の作製条件、例え
ば、酸素分圧はＣoの蒸着速度との相対的な関係によっ
て定まるものであり、以上の実施例の制限を受けるもの
ではない。また、蒸着膜の作製は真空蒸着法以外に電子
ビーム蒸着法を用いても同様の結果が得られる。また、
本発明によって得られるＣo蒸着膜は金属Ｃoとその酸化
物の混存したものとなっており、Ｃo−Ｃr合金膜に比較
して、曲げ剛性率は小さくなり、テープ状あるいはフロ
ッピイディスク状の柔軟性が必要とされる記録媒体とし
ても好ましい機械的特性を有している。なお、蒸着用の
基体としては、従来用いられている有機ポリマー、例え
ばポリエステル、あるいは表面に絶縁膜を形成した金属
板、例えばＡｌ板等が用いられる。また、基体の形状は
通常、長尺状もしくは円板状とするが、必要に応じて任
意の形状としてもよい。さらに基体表面にパーマロイ等
の高透磁率特性を有する薄膜を形成し、その上にＣo系
垂直磁化膜を被着した２層膜垂直磁気記録媒体において
も本発明が適用できることは言うまでもない。
【０００８】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の金
属ＣoとＣoの酸化物からなる垂直磁化膜を用いた垂直磁
気記録媒体は、垂直磁化膜として従来のＣo−Ｃrあるい
はＣo−Ｖ系等の合金材料を用いることなく、膜厚０.１
μｍ以下においても良好な垂直磁化膜となり、かつ曲げ
剛性率がＣo−Ｃr系合金膜に比較して小さく、優れた特
性を持つ垂直磁気記録媒体を実現することができる。ま
た、原料としてＣo金属を用いるだけで良好な磁気特性
を有する垂直磁気記録媒体を容易に作製することができ
るので実用上の価値は極めて大きい。
属ＣoとＣoの酸化物からなる垂直磁化膜を用いた垂直磁
気記録媒体は、垂直磁化膜として従来のＣo−Ｃrあるい
はＣo−Ｖ系等の合金材料を用いることなく、膜厚０.１
μｍ以下においても良好な垂直磁化膜となり、かつ曲げ
剛性率がＣo−Ｃr系合金膜に比較して小さく、優れた特
性を持つ垂直磁気記録媒体を実現することができる。ま
た、原料としてＣo金属を用いるだけで良好な磁気特性
を有する垂直磁気記録媒体を容易に作製することができ
るので実用上の価値は極めて大きい。
【図１】本発明の蒸着膜の作製に用いた抵抗加熱型蒸着
装置の概略断面図。
装置の概略断面図。
【図２】分圧の異なる酸素雰囲気中で、基板温度１００
℃、蒸着速度約３００Å／minとして基板に垂直に蒸着
した膜厚０.１μｍのＣo蒸着膜の酸素含有量と磁気特性
を示す図表。
℃、蒸着速度約３００Å／minとして基板に垂直に蒸着
した膜厚０.１μｍのＣo蒸着膜の酸素含有量と磁気特性
を示す図表。
【図３】分圧５.１×１０〜5Ｔorrの酸素雰囲気中で、
蒸着速度約３００Å／minとして基板温度を変えて基板
に垂直に蒸着した膜厚０.１μｍのＣo蒸着膜の磁気特性
を示す図表。
蒸着速度約３００Å／minとして基板温度を変えて基板
に垂直に蒸着した膜厚０.１μｍのＣo蒸着膜の磁気特性
を示す図表。
【図４】分圧４.４×１０〜5Ｔorr、蒸着速度約３００
Å／min、基板温度１００℃として膜厚を変えて基板に
垂直に蒸着したＣo蒸着膜の磁気特性を示す図表。
Å／min、基板温度１００℃として膜厚を変えて基板に
垂直に蒸着したＣo蒸着膜の磁気特性を示す図表。
【符号の説明】 １…ガラス基板 ２…蒸着源 ３…ニードルバルブ ４…基板加熱用ヒータ
フロントページの続き (72)発明者 藤原 英夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 奥脇 東洋治 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】非磁性基体と、該非磁性基体表面上に形成
された垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体において、
上記垂直磁化膜は実質的に金属ＣoとＣoの酸化物からな
り、上記垂直磁化膜中の酸素含有量は１８〜４０原子％
であり、かつ上記垂直磁化膜の膜厚は０.０５〜０.５μ
ｍであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、Ｃo酸化物はＣoＯであ
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、金属Ｃ
oの結晶粒子は針状粒子であり、該針状粒子の長軸は、
非磁性基体表面に対し実質上垂直方向に配向しており、
かつ上記金属Ｃoの結晶粒子のｃ軸は、上記非磁性基体
表面に対し実質上垂直方向に配向してなることを特徴と
する垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
おいて、非磁性基体は有機ポリマーからなることを特徴
とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれか１項に
おいて、垂直磁化膜は、非磁性基体上に形成された高透
磁率特性を有する薄膜を介して形成してなることを特徴
とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18799492A JPH0690781B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18799492A JPH0690781B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299283A Division JPS59140629A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05189735A JPH05189735A (ja) | 1993-07-30 |
| JPH0690781B2 true JPH0690781B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16215773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18799492A Expired - Lifetime JPH0690781B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690781B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482071B2 (en) * | 2005-05-24 | 2009-01-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk with improved recording layer having high oxygen content |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP18799492A patent/JPH0690781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05189735A (ja) | 1993-07-30 |
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