JPH05315135A - Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法Info
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- JPH05315135A JPH05315135A JP7537791A JP7537791A JPH05315135A JP H05315135 A JPH05315135 A JP H05315135A JP 7537791 A JP7537791 A JP 7537791A JP 7537791 A JP7537791 A JP 7537791A JP H05315135 A JPH05315135 A JP H05315135A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
Abstract
(57)【要約】
［目的］ 種々の磁気的特性に優れた薄膜状のＣｏ／Ｎ
ｉ人工格子膜、このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を利用した磁
気抵抗効果の優れた磁気抵抗素子および磁気ヘッドや磁
気記録媒体ならびに前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方
法を提供する。 ［構成］ Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜はＣｏ層とＮｉ層とが
交互に積層されている薄膜層部分を有することを特徴と
しており、磁気抵抗素子、磁気ヘッドおよび磁気記録媒
体はそれぞれ前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を構成要素と
し、Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法はイオン・ビーム
スパッタ法を利用してＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造する
ことを特徴とする。
ｉ人工格子膜、このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を利用した磁
気抵抗効果の優れた磁気抵抗素子および磁気ヘッドや磁
気記録媒体ならびに前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方
法を提供する。 ［構成］ Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜はＣｏ層とＮｉ層とが
交互に積層されている薄膜層部分を有することを特徴と
しており、磁気抵抗素子、磁気ヘッドおよび磁気記録媒
体はそれぞれ前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を構成要素と
し、Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法はイオン・ビーム
スパッタ法を利用してＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｏ／Ｎｉ人工格子膜、
磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／
Ｎｉ人工格子膜の製造方法に関する。
磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／
Ｎｉ人工格子膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、情報を磁気的に記録再生するよ
うにした情報処理装置においては、装置の小形化、高性
能化等を図ることが強く要請されている。
うにした情報処理装置においては、装置の小形化、高性
能化等を図ることが強く要請されている。
【０００３】このような要請を満たすために、従来から
磁性材料や装置の構成各部について種々の提案がなされ
ている。
磁性材料や装置の構成各部について種々の提案がなされ
ている。
【０００４】例えば、磁性材料として優れた特性を有す
るＣｏ−Ｎｉ合金を薄膜化して、蒸着テープやハードデ
ィスク等の磁気記録媒体を製したり、磁気抵抗効果の優
れた磁気抵抗素子を製していた。
るＣｏ−Ｎｉ合金を薄膜化して、蒸着テープやハードデ
ィスク等の磁気記録媒体を製したり、磁気抵抗効果の優
れた磁気抵抗素子を製していた。
【０００５】また、特開昭６４−３９０１２号公報にお
いては、薄いＦｅ層とＮｉ層とを基板上に交互に積層し
た薄膜状の磁性人工格子膜とこの磁性人工格子膜を用い
た磁気ヘッドが提案されている。
いては、薄いＦｅ層とＮｉ層とを基板上に交互に積層し
た薄膜状の磁性人工格子膜とこの磁性人工格子膜を用い
た磁気ヘッドが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金は均一合金のみとして薄膜化した場合に
は、磁気抵抗効果や保磁力等を向上させるのに限度があ
り、今日においては薄膜化による特性向上を更に期待す
ることができなかった。
ｏ−Ｎｉ合金は均一合金のみとして薄膜化した場合に
は、磁気抵抗効果や保磁力等を向上させるのに限度があ
り、今日においては薄膜化による特性向上を更に期待す
ることができなかった。
【０００７】また、前記特開昭６４−３９０１２号公報
に記載されている磁性人工格子膜においては、積層され
ている各Ｆｅ層とＮｉ層とは、それぞれ数１０オングス
トローム以上の膜厚に形成されていて比較的厚く、ま
た、磁性人工格子膜全体の膜厚は６０００オングストロ
ームであって厚い薄膜状に形成されていた。そのために
折角薄膜化を行なっていながら、その効果が十分に発揮
されていない薄膜構造を有するものであった。なぜなら
ば、今日の薄膜の膜厚としては２０００オングストロー
ム以下のものが望まれている。
に記載されている磁性人工格子膜においては、積層され
ている各Ｆｅ層とＮｉ層とは、それぞれ数１０オングス
トローム以上の膜厚に形成されていて比較的厚く、ま
た、磁性人工格子膜全体の膜厚は６０００オングストロ
ームであって厚い薄膜状に形成されていた。そのために
折角薄膜化を行なっていながら、その効果が十分に発揮
されていない薄膜構造を有するものであった。なぜなら
ば、今日の薄膜の膜厚としては２０００オングストロー
ム以下のものが望まれている。
【０００８】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、種々の磁気的特性に優れた薄膜状のＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜、このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を利用した磁気
抵抗効果の優れた磁気抵抗素子および磁気ヘッドや磁気
記録媒体ならびに前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法
を提供することを目的とする。
であり、種々の磁気的特性に優れた薄膜状のＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜、このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を利用した磁気
抵抗効果の優れた磁気抵抗素子および磁気ヘッドや磁気
記録媒体ならびに前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、Ｃｏ層とＮｉ層と
が交互に積層されている薄膜層部分を有することを特徴
とする。
に本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、Ｃｏ層とＮｉ層と
が交互に積層されている薄膜層部分を有することを特徴
とする。
【００１０】また、本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、
前記Ｎｉ層は（１１１）に配向している部分を有し、更
に前記Ｃｏ層は（００１）に配向している部分を有する
ことを特徴とし、また、Ｎｉ層の膜厚が２オングストロ
ームとされ、Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームの整数
倍とされていることを特徴としたり、Ｃｏ層の膜厚が２
オングストロームとされ、Ｎｉ層の膜厚が２オングスト
ロームの整数倍とされていることを特徴とする。
前記Ｎｉ層は（１１１）に配向している部分を有し、更
に前記Ｃｏ層は（００１）に配向している部分を有する
ことを特徴とし、また、Ｎｉ層の膜厚が２オングストロ
ームとされ、Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームの整数
倍とされていることを特徴としたり、Ｃｏ層の膜厚が２
オングストロームとされ、Ｎｉ層の膜厚が２オングスト
ロームの整数倍とされていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の磁気抵抗素子は、磁気抵抗
効果を発揮するＣｏ層とＮｉ層とが交互に積層されたＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜を有することを特徴とする。
効果を発揮するＣｏ層とＮｉ層とが交互に積層されたＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜を有することを特徴とする。
【００１２】また、本発明の磁気ヘッドは、Ｃｏ層とＮ
ｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を磁性
層とすることを特徴とする。
ｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を磁性
層とすることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の磁気記録媒体は、Ｃｏ層と
Ｎｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を記
録層とすることを特徴とする。
Ｎｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を記
録層とすることを特徴とする。
【００１４】また、Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層され
ている薄膜層部分を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造
する本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法におい
て、スパッタ室と正イオン発生源とを分離し、低温基板
上に高純度薄膜を形成可能なイオン・ビームスパッタ法
により前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を製することを特徴と
する。
ている薄膜層部分を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造
する本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法におい
て、スパッタ室と正イオン発生源とを分離し、低温基板
上に高純度薄膜を形成可能なイオン・ビームスパッタ法
により前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を製することを特徴と
する。
【００１５】
【作用】本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、Ｃｏ層とＮ
ｉ層とが交互に積層されている薄膜層部分を有するため
に、薄膜であるとともに、磁気抵抗効果が大きく、しか
も、保磁力の大きさを調整することができ、各種の磁気
素材として広く利用することができる。
ｉ層とが交互に積層されている薄膜層部分を有するため
に、薄膜であるとともに、磁気抵抗効果が大きく、しか
も、保磁力の大きさを調整することができ、各種の磁気
素材として広く利用することができる。
【００１６】特に、前記Ｎｉ層が（１１１）に配向して
おり、Ｃｏ層が（００１）に配向しているＣｏ／Ｎｉ人
工格子膜は，磁気抵抗効果が優れた薄膜構造となる。
おり、Ｃｏ層が（００１）に配向しているＣｏ／Ｎｉ人
工格子膜は，磁気抵抗効果が優れた薄膜構造となる。
【００１７】また、Ｎｉ層の膜厚が２オングストローム
とされ、Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームの整数倍と
されているＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、磁気抵抗効果が大
きく、保磁力も小さく抑えられたものとなる。 また、
Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームとされ、Ｎｉ層の膜
厚が２オングストロームの整数倍とされているＣｏ／Ｎ
ｉ人工格子膜は、保磁力が大きいものとなる。
とされ、Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームの整数倍と
されているＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、磁気抵抗効果が大
きく、保磁力も小さく抑えられたものとなる。 また、
Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームとされ、Ｎｉ層の膜
厚が２オングストロームの整数倍とされているＣｏ／Ｎ
ｉ人工格子膜は、保磁力が大きいものとなる。
【００１８】また、本発明の磁気抵抗素子は、Ｃｏ層と
Ｎｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜が磁
気抵抗効果を発揮し、しかも、薄膜であっても大きな磁
気抵抗効果を発揮する。
Ｎｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜が磁
気抵抗効果を発揮し、しかも、薄膜であっても大きな磁
気抵抗効果を発揮する。
【００１９】また、本発明の磁気ヘッドは、前記のＣｏ
層とＮｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜
を磁性層とするために、大きな磁気抵抗効果を発揮す
る。
層とＮｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜
を磁性層とするために、大きな磁気抵抗効果を発揮す
る。
【００２０】また、本発明の磁気記録媒体は、Ｃｏ層と
Ｎｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を記
録層とするために、保磁力が大きく情報の記録に好適で
ある。
Ｎｉ層とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を記
録層とするために、保磁力が大きく情報の記録に好適で
ある。
【００２１】また、Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層され
ている薄膜層部分を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造
する本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法は、スパ
ッタ室と正イオン発生室とを分離し、低温基板上に高純
度薄膜を形成可能なイオン・ビームスパッタ法をもっ
て、前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を薄膜状に製することが
できる。
ている薄膜層部分を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造
する本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法は、スパ
ッタ室と正イオン発生室とを分離し、低温基板上に高純
度薄膜を形成可能なイオン・ビームスパッタ法をもっ
て、前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を薄膜状に製することが
できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図１５につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２３】先ず、本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を説
明する。
明する。
【００２４】図１から図３はそれぞれ本発明のＣｏ／Ｎ
ｉ人工格子膜の実施例を示す。
ｉ人工格子膜の実施例を示す。
【００２５】これらの各実施例のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜
は、それぞれ基板１の上にＣｏ層２とＮｉ層３とを交互
に積層して形成されている。各実施例のＣｏ層２とＮｉ
層３との膜厚は、図１がＣｏ層２およびＮｉ層３をとも
に２オングストロームとし、図２が一方のＣｏ層２を２
オングストロームとし、他方のＮｉ層３を２オングスト
ロームの整数倍としており、図３が一方のＮｉ層３を２
オングストロームとし、他方のＣｏ層２を２オングスト
ロームの整数倍としている。各実施例ともＣｏ層とＮｉ
層との組成変調構造の存在の確認や、各種の磁気特性の
確認のために、Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜部分の全体の膜厚
を２０００オングストロームとされている。
は、それぞれ基板１の上にＣｏ層２とＮｉ層３とを交互
に積層して形成されている。各実施例のＣｏ層２とＮｉ
層３との膜厚は、図１がＣｏ層２およびＮｉ層３をとも
に２オングストロームとし、図２が一方のＣｏ層２を２
オングストロームとし、他方のＮｉ層３を２オングスト
ロームの整数倍としており、図３が一方のＮｉ層３を２
オングストロームとし、他方のＣｏ層２を２オングスト
ロームの整数倍としている。各実施例ともＣｏ層とＮｉ
層との組成変調構造の存在の確認や、各種の磁気特性の
確認のために、Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜部分の全体の膜厚
を２０００オングストロームとされている。
【００２６】前記各実施例のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は、
それぞれイオン・ビームスパッタ法により製造されてい
る。
それぞれイオン・ビームスパッタ法により製造されてい
る。
【００２７】この製造方法を図４に示すイオン・ビーム
スパッタ装置により説明する。
スパッタ装置により説明する。
【００２８】このイオン・ビームスパッタ装置は低温基
板上に高純度の薄膜を形成できるものであり、真空チャ
ンバ１１内を真空ポンプ等の真空源１２により真空引き
しておき、真空チャンバ１１内の中央部のスパッタ室１
３内に配設した基板１４へ、左右の正イオン発生源１
９、１９からその正イオンを利用してＣｏとＮｉとを交
互に飛翔させ、ＣｏとＮｉとを基板１４上に交互に積層
させるように形成されている。すなわち、真空チャンバ
１１内の左右のスパッタ粒子発生室１５，１６には、そ
れぞれＡｒイオンビームを円盤状のＣｏターゲット１７
およびＮｉターゲット１８に照射する正イオン発生源１
９，１９が配設されており、各ターゲット１７，１８と
基板１４との間にはスパッタ室１３と各スパッタ粒子発
生室１５，１６とを分離するシャッタ２０，２１が開閉
自在に配設されている。各シャッタ２０，２１の近傍に
はその開閉状態を検知するモニタ２２がそれぞれ設けら
れている。前記基板１４は、各ターゲット１７，１８か
ら飛翔して来るＣｏビームとＮｉビームとが基板１４に
対して垂直となるように、図４の実線位置から破線位置
まで首振り自在に形成されている。前記イオンビーム源
１４には寿命が長く安定した動作が可能なホローカソー
ドが用いられている。
板上に高純度の薄膜を形成できるものであり、真空チャ
ンバ１１内を真空ポンプ等の真空源１２により真空引き
しておき、真空チャンバ１１内の中央部のスパッタ室１
３内に配設した基板１４へ、左右の正イオン発生源１
９、１９からその正イオンを利用してＣｏとＮｉとを交
互に飛翔させ、ＣｏとＮｉとを基板１４上に交互に積層
させるように形成されている。すなわち、真空チャンバ
１１内の左右のスパッタ粒子発生室１５，１６には、そ
れぞれＡｒイオンビームを円盤状のＣｏターゲット１７
およびＮｉターゲット１８に照射する正イオン発生源１
９，１９が配設されており、各ターゲット１７，１８と
基板１４との間にはスパッタ室１３と各スパッタ粒子発
生室１５，１６とを分離するシャッタ２０，２１が開閉
自在に配設されている。各シャッタ２０，２１の近傍に
はその開閉状態を検知するモニタ２２がそれぞれ設けら
れている。前記基板１４は、各ターゲット１７，１８か
ら飛翔して来るＣｏビームとＮｉビームとが基板１４に
対して垂直となるように、図４の実線位置から破線位置
まで首振り自在に形成されている。前記イオンビーム源
１４には寿命が長く安定した動作が可能なホローカソー
ドが用いられている。
【００２９】このように形成されているイオン・ビーム
スパッタ装置において、基板１４、各ターゲット１７，
１８をそれぞれスパッタ室１３、各スパッタ粒子発生室
１５，１６内に配設する。次に、真空チャンバ１１内を
真空源１２により所定の真空度に保持し、その後各正イ
オン発生源１９を稼働させてＡｒイオンを各ターゲット
１７，１８に照射させる。この時、最初は各シャッタ２
０，２１は閉塞させておき、次に基板１４上に積層する
膜のターゲットの方（例えば、Ｃｏ層を積層する時には
ターゲット１７）に基板１４の正面を図４の実線に示す
ように対面させ、その後一方のシャッタ２０のみを開放
させて、正イオン発生源１９を所定時間稼働させＡｒイ
オンをＣｏターゲット１７に向けて照射させる。これに
よりＣｏターゲット１７より開放されているシャッタ２
０越しにＣｏが基板１４に向けて飛翔させられて基板１
４上に積層され、所定膜厚のＣｏ層２が形成される。そ
の後シャッタ２０を閉塞させてから基板１４を回動させ
てその正面を他方のターゲット１８に対面させ、その後
他方のシャッタ２１のみを開放させて、正イオン発生源
１９を所定時間稼働させＡｒイオンをＮｉターゲット１
８に向けて照射させる。これによりＮｉターゲット１８
よりＮｉが開放されているシャッタ２１越しに基板１４
に向けて飛翔させられて基板１４上のＣｏ層２の上に積
層され、所定膜厚のＮｉ層３が形成される。以後、この
層形成動作を順に繰返すことによりＣｏ層２とＮｉ層３
とを交互に積層して、所定膜厚のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜
を製造する。
スパッタ装置において、基板１４、各ターゲット１７，
１８をそれぞれスパッタ室１３、各スパッタ粒子発生室
１５，１６内に配設する。次に、真空チャンバ１１内を
真空源１２により所定の真空度に保持し、その後各正イ
オン発生源１９を稼働させてＡｒイオンを各ターゲット
１７，１８に照射させる。この時、最初は各シャッタ２
０，２１は閉塞させておき、次に基板１４上に積層する
膜のターゲットの方（例えば、Ｃｏ層を積層する時には
ターゲット１７）に基板１４の正面を図４の実線に示す
ように対面させ、その後一方のシャッタ２０のみを開放
させて、正イオン発生源１９を所定時間稼働させＡｒイ
オンをＣｏターゲット１７に向けて照射させる。これに
よりＣｏターゲット１７より開放されているシャッタ２
０越しにＣｏが基板１４に向けて飛翔させられて基板１
４上に積層され、所定膜厚のＣｏ層２が形成される。そ
の後シャッタ２０を閉塞させてから基板１４を回動させ
てその正面を他方のターゲット１８に対面させ、その後
他方のシャッタ２１のみを開放させて、正イオン発生源
１９を所定時間稼働させＡｒイオンをＮｉターゲット１
８に向けて照射させる。これによりＮｉターゲット１８
よりＮｉが開放されているシャッタ２１越しに基板１４
に向けて飛翔させられて基板１４上のＣｏ層２の上に積
層され、所定膜厚のＮｉ層３が形成される。以後、この
層形成動作を順に繰返すことによりＣｏ層２とＮｉ層３
とを交互に積層して、所定膜厚のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜
を製造する。
【００３０】このように本発明の製造方法によれば、イ
オンビーム源１９から照射されたＡｒイオンがスパッタ
室１３内に流入してＣｏ層２およびＮｉ層３に混入する
のを阻止することができるので、スパッタ室１３内を高
真空に保持することができるとともに、ＣｏおよびＮｉ
の単原子層に相当する最小２オングストロームの膜厚の
純粋なＣｏ層２およびＮｉ層３を良好に形成することが
できる。
オンビーム源１９から照射されたＡｒイオンがスパッタ
室１３内に流入してＣｏ層２およびＮｉ層３に混入する
のを阻止することができるので、スパッタ室１３内を高
真空に保持することができるとともに、ＣｏおよびＮｉ
の単原子層に相当する最小２オングストロームの膜厚の
純粋なＣｏ層２およびＮｉ層３を良好に形成することが
できる。
【００３１】本実施例においては、図１から図３に示す
３種類の構造を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を、それぞ
れ全体の膜厚が２０００オングストロームとなるように
して製した。
３種類の構造を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を、それぞ
れ全体の膜厚が２０００オングストロームとなるように
して製した。
【００３２】図１から図３の各実施例の膜構造は、回転
陰極型強力Ｘ線（ＣｕＫα）による小角回折およびＴＥ
Ｍ観察により決定した。
陰極型強力Ｘ線（ＣｕＫα）による小角回折およびＴＥ
Ｍ観察により決定した。
【００３３】まず、ＣｏとＮｉとが薄膜状にして積層さ
せ得るものであるか否かを、図５および図６に示すよう
に、Ｃｏ層とＮｉ層との膜厚（Ｃｏ／Ｎｉ）をオングス
トローム単位で６０／６０，３０／３０，１５／１５，
７／７，３／３としたものを回折した効果を測定した。
図５、図６および図７に示すように、各膜厚の薄膜構造
に応じたＣｏ層とＮｉ層により組成変調構造が基板１４
に対して垂直方向へ積層されていることがそれぞれ確認
された。すなわち前記各Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜は、回折
線の強さのピークがそれぞれ基板１４に対して垂直方向
より積層されていることを示す角度位置に存在してい
る。
せ得るものであるか否かを、図５および図６に示すよう
に、Ｃｏ層とＮｉ層との膜厚（Ｃｏ／Ｎｉ）をオングス
トローム単位で６０／６０，３０／３０，１５／１５，
７／７，３／３としたものを回折した効果を測定した。
図５、図６および図７に示すように、各膜厚の薄膜構造
に応じたＣｏ層とＮｉ層により組成変調構造が基板１４
に対して垂直方向へ積層されていることがそれぞれ確認
された。すなわち前記各Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜は、回折
線の強さのピークがそれぞれ基板１４に対して垂直方向
より積層されていることを示す角度位置に存在してい
る。
【００３４】これにより各図１，２，３に示された膜構
造のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜がそれぞれ製造されているこ
とが確認された。
造のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜がそれぞれ製造されているこ
とが確認された。
【００３５】次に、前記のようにして層構造が決定され
た本実施例のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の磁気的特性を説明
する。磁気特性はＶＳＭ，Ｂ−Ｈループトレーサにより
測定した。まず、磁化の強さを説明する。
た本実施例のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の磁気的特性を説明
する。磁気特性はＶＳＭ，Ｂ−Ｈループトレーサにより
測定した。まず、磁化の強さを説明する。
【００３６】図８は一方のＣｏ層２を２オングストロー
ムの一定の膜厚にしておいて、他方のＮｉ層３の膜厚を
変化させた場合の飽和磁化の強さを示している。図９は
逆に、他方のＮｉ層３の膜厚を２オングストロームと一
定にしておいて、一方のＣｏ層２の膜厚を変化させた場
合の飽和磁化の強さを示している。
ムの一定の膜厚にしておいて、他方のＮｉ層３の膜厚を
変化させた場合の飽和磁化の強さを示している。図９は
逆に、他方のＮｉ層３の膜厚を２オングストロームと一
定にしておいて、一方のＣｏ層２の膜厚を変化させた場
合の飽和磁化の強さを示している。
【００３７】図８および図９より、Ｃｏ−Ｎｉ合金より
Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜のように組成変調化した方が飽和
磁化の強さは増大する。図８より、Ｃｏに対してＮｉを
増加させると、飽和磁化が減少して行く。図９より、Ｎ
ｉに対してＣｏを増加させると、飽和磁化が増大して行
く。
Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜のように組成変調化した方が飽和
磁化の強さは増大する。図８より、Ｃｏに対してＮｉを
増加させると、飽和磁化が減少して行く。図９より、Ｎ
ｉに対してＣｏを増加させると、飽和磁化が増大して行
く。
【００３８】図１０は図１から図３の各実施例に対する
印加磁界の強さと磁化の強さとの特性を示している。
印加磁界の強さと磁化の強さとの特性を示している。
【００３９】図１０より、Ｎｉ層３を２オングストロー
ムとしたままＣｏ層２の膜厚を２オングストロームの整
数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜が、保磁力が低く、し
かも磁化され易い磁気特性を有している。これは保磁力
は膜厚の厚さに反比例するという一般的な性質を克服し
たものであり、薄膜でありながら軟磁性を発揮するもの
となる。
ムとしたままＣｏ層２の膜厚を２オングストロームの整
数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜が、保磁力が低く、し
かも磁化され易い磁気特性を有している。これは保磁力
は膜厚の厚さに反比例するという一般的な性質を克服し
たものであり、薄膜でありながら軟磁性を発揮するもの
となる。
【００４０】また、Ｃｏ層２を２オングストロームとし
たままＮｉ層３の膜厚を２オングストロームの２以上の
整数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜が、保磁力Ｈｃが大
きいという磁気特性を有している。
たままＮｉ層３の膜厚を２オングストロームの２以上の
整数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜が、保磁力Ｈｃが大
きいという磁気特性を有している。
【００４１】この保磁力Ｈｃついて更に説明すると、図
１１に示すように、図４のイオン・ビームスパッタ装置
により、基板１４上にＣｏ層２とＮｉ層３とを積層した
場合には、Ｎｉ層３の膜厚を２オングストロームと一定
に保持し、Ｃｏ層２の膜厚を変化させた場合において
も、２５エルステッド程度の保磁力Ｈｃが発生するもの
であるが、そのＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を真空中におい
て、例えば３０分間２５０度Ｃで加熱処理すると、前記
保磁力Ｈｃが数エルステッド以下の無視できる程度まで
減少する。
１１に示すように、図４のイオン・ビームスパッタ装置
により、基板１４上にＣｏ層２とＮｉ層３とを積層した
場合には、Ｎｉ層３の膜厚を２オングストロームと一定
に保持し、Ｃｏ層２の膜厚を変化させた場合において
も、２５エルステッド程度の保磁力Ｈｃが発生するもの
であるが、そのＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を真空中におい
て、例えば３０分間２５０度Ｃで加熱処理すると、前記
保磁力Ｈｃが数エルステッド以下の無視できる程度まで
減少する。
【００４２】また、保磁力Ｈｃと関連する異方性磁界Ｈ
ｋは、図１２に示すように、Ｃｏ層２を２オングストロ
ームとしたままＮｉ層３の膜厚を２オングストロームの
２以上の整数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜について膜
厚の増大とともに増大する傾向にあり、そのＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜は硬磁性体となる。
ｋは、図１２に示すように、Ｃｏ層２を２オングストロ
ームとしたままＮｉ層３の膜厚を２オングストロームの
２以上の整数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜について膜
厚の増大とともに増大する傾向にあり、そのＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜は硬磁性体となる。
【００４３】磁気抵抗効果は４端子法により測定し、図
１３および図１４に示した。
１３および図１４に示した。
【００４４】図１３はＣｏ層２の膜厚を２オングストロ
ームと一定にし、Ｎｉ層３の膜厚を２オングストローム
の整数倍とした場合の磁気抵抗効果と抵抗値とを示して
いる。図中、磁気抵抗効果の値を示す数値はＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜の全体の膜厚が２０００オングストロームの
場合を示し、（）内の数値は全体の膜厚が２００オング
ストロームの場合を示している。
ームと一定にし、Ｎｉ層３の膜厚を２オングストローム
の整数倍とした場合の磁気抵抗効果と抵抗値とを示して
いる。図中、磁気抵抗効果の値を示す数値はＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜の全体の膜厚が２０００オングストロームの
場合を示し、（）内の数値は全体の膜厚が２００オング
ストロームの場合を示している。
【００４５】図１３より、Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の全体
の膜厚が２００オングストローム以下の場合には、Ｃｏ
−Ｎｉ合金のバルクとほぼ同等またはそれ以上の磁気抵
抗効果を発揮することができる。
の膜厚が２００オングストローム以下の場合には、Ｃｏ
−Ｎｉ合金のバルクとほぼ同等またはそれ以上の磁気抵
抗効果を発揮することができる。
【００４６】図１４はＮｉ層３の膜厚を２オングストロ
ームと一定にし、Ｃｏ層２の膜厚を２オングストローム
の整数倍とした場合の磁気抵抗効果と抵抗値とを示して
いる。図中、磁気抵抗効果の値を示す数値はＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜の全体の膜厚が２０００オングストロームの
場合を示し、（）内の数値は全体の膜厚が２００オング
ストロームの場合を示している。
ームと一定にし、Ｃｏ層２の膜厚を２オングストローム
の整数倍とした場合の磁気抵抗効果と抵抗値とを示して
いる。図中、磁気抵抗効果の値を示す数値はＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜の全体の膜厚が２０００オングストロームの
場合を示し、（）内の数値は全体の膜厚が２００オング
ストロームの場合を示している。
【００４７】図１４より、Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の全体
の膜厚が３００オングストローム以下の場合には、Ｃｏ
−Ｎｉ合金のバルクとほぼ同等以上の磁気抵抗効果を発
揮することができる。更に、３０分間２５０℃で加熱処
理するとＦｅ−Ｎｉ合金より大きな磁気抵抗効果が得ら
れる。
の膜厚が３００オングストローム以下の場合には、Ｃｏ
−Ｎｉ合金のバルクとほぼ同等以上の磁気抵抗効果を発
揮することができる。更に、３０分間２５０℃で加熱処
理するとＦｅ−Ｎｉ合金より大きな磁気抵抗効果が得ら
れる。
【００４８】次に、前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜のＣｏ層
２およびＮｉ層３の配向を調べると、一方のＣｏ層２は
六方晶的な（００１）配向を有し、他方のＮｉ層３は面
心立法晶的な（１１１）配向を有している。これを図１
５から図１７により説明する。図１５における回折線
は、下から上へ順に、単体のＣｏ層ｈｃｐ−Ｃｏ、ｈｃ
ｐ−Ｃｏ（Ａ）（ここでＡは、図４においてＣｏ層を基
板１４上に形成中に、スパッタ室１３内に設けた正イオ
ン源（図示せず）よりＡｒイオンをＣｏ層に照射した場
合を示している。以下同じ）、Ｎｉ層の単体のＮｉ層ｆ
ｃｃ−Ｎｉ、ｆｃｃ−Ｎｉ（Ａ）、Ｎｉ層とＣｏ層との
膜厚（Ｎｉ／Ｃｏ）をオングストローム単位で１０００
／１０００、５００／５００、２５０／２５０としたも
のを示す。図１６における回折線は、下から上へ順に、
Ｎｉ層とＣｏ層との膜厚（Ｎｉ／Ｃｏ）をオングストロ
ーム単位で１２５／１２５、６０／６０、６０／６０、
３０／３０、１５／１５、１５／１５、７／７、３／
３、３／３としたものを示す。図中、ＲはＣｏおよびＮ
ｉの堆積速度＝０．７（オングストローム／秒）を示す
（以下、同じ。）図１７における回折線は、下から上へ
順に、Ｎｉ層とＣｏ層との膜厚（Ｎｉ／Ｃｏ）をオング
ストローム単位で２／４、４／２、２／２、２／２、２
／２、２／２とＮｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金（Ａ）
としたものを示す。図１５に示すように、Ｃｏ単体は
（００１）配向の角度に最強回折線ピークが認められ、
Ｎｉ単体は（１１１）配向の角度に回折線ピークが認め
られ、更に、Ｎｉ層とＣｏ層とを積層したＣｏ／Ｎｉ人
工格子膜にも前記単体のものと同一角度位置に回折線ピ
ークが認められるので、Ｃｏは（００１）配向であり、
Ｎｉは（１１１）配向であると認められる。
２およびＮｉ層３の配向を調べると、一方のＣｏ層２は
六方晶的な（００１）配向を有し、他方のＮｉ層３は面
心立法晶的な（１１１）配向を有している。これを図１
５から図１７により説明する。図１５における回折線
は、下から上へ順に、単体のＣｏ層ｈｃｐ−Ｃｏ、ｈｃ
ｐ−Ｃｏ（Ａ）（ここでＡは、図４においてＣｏ層を基
板１４上に形成中に、スパッタ室１３内に設けた正イオ
ン源（図示せず）よりＡｒイオンをＣｏ層に照射した場
合を示している。以下同じ）、Ｎｉ層の単体のＮｉ層ｆ
ｃｃ−Ｎｉ、ｆｃｃ−Ｎｉ（Ａ）、Ｎｉ層とＣｏ層との
膜厚（Ｎｉ／Ｃｏ）をオングストローム単位で１０００
／１０００、５００／５００、２５０／２５０としたも
のを示す。図１６における回折線は、下から上へ順に、
Ｎｉ層とＣｏ層との膜厚（Ｎｉ／Ｃｏ）をオングストロ
ーム単位で１２５／１２５、６０／６０、６０／６０、
３０／３０、１５／１５、１５／１５、７／７、３／
３、３／３としたものを示す。図中、ＲはＣｏおよびＮ
ｉの堆積速度＝０．７（オングストローム／秒）を示す
（以下、同じ。）図１７における回折線は、下から上へ
順に、Ｎｉ層とＣｏ層との膜厚（Ｎｉ／Ｃｏ）をオング
ストローム単位で２／４、４／２、２／２、２／２、２
／２、２／２とＮｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金（Ａ）
としたものを示す。図１５に示すように、Ｃｏ単体は
（００１）配向の角度に最強回折線ピークが認められ、
Ｎｉ単体は（１１１）配向の角度に回折線ピークが認め
られ、更に、Ｎｉ層とＣｏ層とを積層したＣｏ／Ｎｉ人
工格子膜にも前記単体のものと同一角度位置に回折線ピ
ークが認められるので、Ｃｏは（００１）配向であり、
Ｎｉは（１１１）配向であると認められる。
【００４９】以上説明したように、本発明のＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜は、Ｃｏ層２とＮｉ層３とを最小の１原子厚
に相当する２オングストローム単位で形成されているの
で、磁気抵抗効果が薄膜でありながらＣｏ−Ｎｉ合金の
バルクと同等の値となる。また、Ｎｉ層よりもＣｏ層を
厚くすることにより保磁力を小さく抑えることができ、
逆にＣｏ層よりもＮｉ層を厚くすることにより保磁力を
大きくすることができる。
人工格子膜は、Ｃｏ層２とＮｉ層３とを最小の１原子厚
に相当する２オングストローム単位で形成されているの
で、磁気抵抗効果が薄膜でありながらＣｏ−Ｎｉ合金の
バルクと同等の値となる。また、Ｎｉ層よりもＣｏ層を
厚くすることにより保磁力を小さく抑えることができ、
逆にＣｏ層よりもＮｉ層を厚くすることにより保磁力を
大きくすることができる。
【００５０】また、本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜にお
いては、Ｃｏ層２とＮｉ層３との積層状態が膜の全厚さ
について均一に形成されている必要はなく、前記のよう
にＸ線を利用してＣｏ層２とＮｉ層３との積層状態が検
出可能な程度に形成されていれば、前記効果が発揮され
る。
いては、Ｃｏ層２とＮｉ層３との積層状態が膜の全厚さ
について均一に形成されている必要はなく、前記のよう
にＸ線を利用してＣｏ層２とＮｉ層３との積層状態が検
出可能な程度に形成されていれば、前記効果が発揮され
る。
【００５１】また、本発明の磁気抵抗素子は、前記のＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜をもって形成されている。
ｏ／Ｎｉ人工格子膜をもって形成されている。
【００５２】前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜は極めて良好な
磁気抵抗効果を発揮し、磁気抵抗素子として機能する。
特に、本発明の磁気抵抗素子は薄膜状に形成されている
ため、この磁気抵抗素子を利用した各種の装置の小型化
を図ることができる。
磁気抵抗効果を発揮し、磁気抵抗素子として機能する。
特に、本発明の磁気抵抗素子は薄膜状に形成されている
ため、この磁気抵抗素子を利用した各種の装置の小型化
を図ることができる。
【００５３】また、本発明の磁気ヘッドは、前記Ｃｏ／
Ｎｉ人工格子膜を磁性層として形成されている。
Ｎｉ人工格子膜を磁性層として形成されている。
【００５４】この磁気ヘッドとしては、高い飽和磁束密
度を有し、かつ、保磁力が小さいことが要求される。そ
こで、本実施例の磁気ヘッドにおいては、前記要求を満
たすＮｉ層３の膜厚を２オングストロームと一定にし、
Ｃｏ層２の膜厚を２オングストロームの整数倍としたＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜を用いて形成されている。
度を有し、かつ、保磁力が小さいことが要求される。そ
こで、本実施例の磁気ヘッドにおいては、前記要求を満
たすＮｉ層３の膜厚を２オングストロームと一定にし、
Ｃｏ層２の膜厚を２オングストロームの整数倍としたＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜を用いて形成されている。
【００５５】また、この磁気ヘッドは薄膜状に形成され
ているために、図１８に示すように、磁気ディスク３１
に対してスライドする支持アーム３３の先端に薄膜の磁
気ヘッド３２を取付けて形成されており、この磁気ヘッ
ド３２の上部コアおよび下部コア（共に図示せず）の磁
性材料として、前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を用いてい
る。
ているために、図１８に示すように、磁気ディスク３１
に対してスライドする支持アーム３３の先端に薄膜の磁
気ヘッド３２を取付けて形成されており、この磁気ヘッ
ド３２の上部コアおよび下部コア（共に図示せず）の磁
性材料として、前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜を用いてい
る。
【００５６】また、本発明の磁気記録媒体は、前記Ｃｏ
／Ｎｉ人工格子膜を記録層として形成されている。
／Ｎｉ人工格子膜を記録層として形成されている。
【００５７】この磁気記録媒体としては、大きい保磁力
が有することが要求される。そこで、本実施例の磁気ヘ
ッドにおいては、前記要求を満たすＣｏ層２の膜厚を２
オングストロームと一定にし、Ｎｉ層３の膜厚を２オン
グストロームの整数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を、
磁気ディスクの基板上に積層することにより形成されて
いる。このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は薄膜状に形成されて
いるために、磁気ディスクの高密度化を達成することが
でき、また、記録層の製造に要する材料が少量で済み、
省資源化を図ることができる。
が有することが要求される。そこで、本実施例の磁気ヘ
ッドにおいては、前記要求を満たすＣｏ層２の膜厚を２
オングストロームと一定にし、Ｎｉ層３の膜厚を２オン
グストロームの整数倍としたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を、
磁気ディスクの基板上に積層することにより形成されて
いる。このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜は薄膜状に形成されて
いるために、磁気ディスクの高密度化を達成することが
でき、また、記録層の製造に要する材料が少量で済み、
省資源化を図ることができる。
【００５８】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、必要に応じて変更することができる。
のではなく、必要に応じて変更することができる。
【００５９】
【発明の効果】このように本発明は構成され作用するも
のであるから、磁気抵抗効果に優れており、保磁力を大
小に調節して形成することができる等の種々の磁気的特
性に優れた薄膜状のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を得ることが
できる。また、このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を利用して磁
気抵抗効果の優れた磁気抵抗素子および保磁力を小さく
抑えた磁気ヘッドや高密度記録の可能な磁気記録媒体を
得ることができ、しかも薄膜状の前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格
子膜を極めて精度良く簡単に製造することができる等の
効果を奏する。
のであるから、磁気抵抗効果に優れており、保磁力を大
小に調節して形成することができる等の種々の磁気的特
性に優れた薄膜状のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を得ることが
できる。また、このＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を利用して磁
気抵抗効果の優れた磁気抵抗素子および保磁力を小さく
抑えた磁気ヘッドや高密度記録の可能な磁気記録媒体を
得ることができ、しかも薄膜状の前記Ｃｏ／Ｎｉ人工格
子膜を極めて精度良く簡単に製造することができる等の
効果を奏する。
【図１】本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の１実施例を示
す断面図
す断面図
【図２】本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の他の実施例を
示す断面図
示す断面図
【図３】本発明のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の更に他の実施
例を示す断面図
例を示す断面図
【図４】イオン・ビームスパッタ装置の断面図
【図５】回転陰極型強力Ｘ線による小角回折による回折
線の強度特性図
線の強度特性図
【図６】回転陰極型強力Ｘ線による小角回折による回折
線の強度特性図
線の強度特性図
【図７】回転陰極型強力Ｘ線による小角回折による回折
線の強度特性図
線の強度特性図
【図８】磁化の強さとＣｏ／Ｎｉ人工格子膜のＣｏ層お
よびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
よびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
【図９】磁化の強さとＣｏ／Ｎｉ人工格子膜のＣｏ層お
よびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
よびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
【図１０】Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜のＣｏ層およびＮｉ層
の膜厚を変化させた時の磁化の強さと印加磁界との関係
を示す特性図
の膜厚を変化させた時の磁化の強さと印加磁界との関係
を示す特性図
【図１１】保磁力と熱処理前のＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の
Ｃｏ層およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
Ｃｏ層およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
【図１２】異方性磁界とＣｏ／Ｎｉ人工格子膜のＣｏ層
およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性図
【図１３】磁気抵抗効果および抵抗値とＣｏ／Ｎｉ人工
格子膜のＣｏ層およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性
図
格子膜のＣｏ層およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性
図
【図１４】磁気抵抗効果および抵抗値とＣｏ／Ｎｉ人工
格子膜のＣｏ層およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性
図
格子膜のＣｏ層およびＮｉ層の膜厚との関係を示す特性
図
【図１５】回転陰極型強力Ｘ線による小角回折による回
折線の強度特性図
折線の強度特性図
【図１６】回転陰極型強力Ｘ線による小角回折による回
折線の強度特性図
折線の強度特性図
【図１７】回転陰極型強力Ｘ線による小角回折による回
折線の強度特性図
折線の強度特性図
【図１８】磁気ディスク装置の要部の斜視図
１ 基板 ２ Ｃｏ層 ３ Ｎｉ層 １１ 真空チャンバ １３ スパッタ室 １４ 基板 １５、１６ スパッタ粒子発生室 １９ 正イオン発生源 ２０、２１ シャッタ ３２ 磁気ディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 啓安 宮城県仙台市青葉区吉成２丁目10の３ (72)発明者 潟岡 教行 宮城県仙台市太白区向山１−４−７ 第２ ハイネス向山212 (72)発明者 齋藤 今朝美 宮城県仙台市青葉区みやぎ台２丁目16の６
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されてい
る薄膜層部分を有することを特徴とするＣｏ／Ｎｉ人工
格子膜。 - 【請求項２】 Ｎｉ層は（１１１）に配向している部分
を有し、Ｃｏ層は（００１）に配向している部分を有す
ることを特徴とする請求項１に記載のＣｏ／Ｎｉ人工格
子膜。 - 【請求項３】 Ｎｉ層の膜厚が２オングストロームとさ
れ、Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームの整数倍とされ
ていることを特徴とする請求項１に記載のＣｏ／Ｎｉ人
工格子膜。 - 【請求項４】 Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームとさ
れ、Ｎｉ層の膜厚が２オングストロームの整数倍とされ
ていることを特徴とする請求項１に記載のＣｏ／Ｎｉ人
工格子膜。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果を発揮するＣｏ層とＮｉ層
とが交互に積層されたＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を有するこ
とを特徴とする磁気抵抗素子。 - 【請求項６】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されたＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜を磁性層とすることを特徴とする磁
気ヘッド。 - 【請求項７】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されたＣ
ｏ／Ｎｉ人工格子膜を記録層とすることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項８】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されてい
る薄膜層部分を有するＣｏ／Ｎｉ人工格子膜を製造する
Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法において、スパッタ室
と正イオン発生源とを分離し、低温基板上に高純度薄膜
を形成可能なイオン・ビームスパッタ法により前記Ｃｏ
／Ｎｉ人工格子膜を製することを特徴とするＣｏ／Ｎｉ
人工格子膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7537791A JPH05315135A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7537791A JPH05315135A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315135A true JPH05315135A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=13574451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7537791A Withdrawn JPH05315135A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315135A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003869A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tdk Corp | スピントロニック素子のスピンバルブ構造およびその形成方法、ボトム型スピンバルブ構造、ならびにマイクロ波アシスト磁気記録用スピントロニック素子 |
| JP2011008907A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Headway Technologies Inc | ハードバイアス構造およびその形成方法、ならびに磁気再生ヘッド |
| JP2011249812A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Headway Technologies Inc | マイクロ波アシスト磁気記録構造、磁気ランダムアクセスメモリ構造、ハードバイアス構造、垂直磁気媒体および磁気デバイスの製造方法 |
| JP2014081981A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| WO2014091874A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | 日本電気株式会社 | 磁性材料とその製造方法 |
| JP2018101673A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 国立大学法人東北大学 | 磁性薄膜及び磁性薄膜の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP7537791A patent/JPH05315135A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003869A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tdk Corp | スピントロニック素子のスピンバルブ構造およびその形成方法、ボトム型スピンバルブ構造、ならびにマイクロ波アシスト磁気記録用スピントロニック素子 |
| JP2011008907A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Headway Technologies Inc | ハードバイアス構造およびその形成方法、ならびに磁気再生ヘッド |
| US9236068B2 (en) | 2009-06-24 | 2016-01-12 | Headway Technologies, Inc. | Thin seeded Co/Ni multilayer film with perpendicular anisotropy for read head sensor stabilization |
| JP2011249812A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Headway Technologies Inc | マイクロ波アシスト磁気記録構造、磁気ランダムアクセスメモリ構造、ハードバイアス構造、垂直磁気媒体および磁気デバイスの製造方法 |
| JP2014081981A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| WO2014091874A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | 日本電気株式会社 | 磁性材料とその製造方法 |
| JPWO2014091874A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2017-01-05 | 日本電気株式会社 | 磁性材料とその製造方法 |
| US10706996B2 (en) | 2012-12-14 | 2020-07-07 | Tohoku University | Magnetic material and method of manufacturing the same |
| JP2018101673A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 国立大学法人東北大学 | 磁性薄膜及び磁性薄膜の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |