JPS63106916A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63106916A JPS63106916A JP61290883A JP29088386A JPS63106916A JP S63106916 A JPS63106916 A JP S63106916A JP 61290883 A JP61290883 A JP 61290883A JP 29088386 A JP29088386 A JP 29088386A JP S63106916 A JPS63106916 A JP S63106916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- magnetic film
- magnetic
- recording medium
- perpendicular magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 154
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 84
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 18
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 229910005438 FeTi Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017389 Fe3N Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/674—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having differing macroscopic or microscopic structures, e.g. differing crystalline lattices, varying atomic structures or differing roughnesses
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体
に関するものである。
に関するものである。
(従来の技術)
磁気記録において、現在、用いられている長手記録方式
を越えると高密度記録として、垂直磁気記録方式が、提
案され、精力的に研究開発が進められている。
を越えると高密度記録として、垂直磁気記録方式が、提
案され、精力的に研究開発が進められている。
この垂直磁気記録を実現するには、記録媒体として、磁
性膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する媒体が必
要である。現在、そのような磁気特性を持つ磁性膜とし
ては、スパッタ法あるいは真空蒸着法で作成したCo−
Cr、Co−Ti、Co−V、Co−Mo、Co−W、
Co−Mn、Co−Ru等が知られている印本応用磁気
学会誌、Vol、8.No−1,1984,17p)。
性膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する媒体が必
要である。現在、そのような磁気特性を持つ磁性膜とし
ては、スパッタ法あるいは真空蒸着法で作成したCo−
Cr、Co−Ti、Co−V、Co−Mo、Co−W、
Co−Mn、Co−Ru等が知られている印本応用磁気
学会誌、Vol、8.No−1,1984,17p)。
(発明が解決しようとする問題点)
このような垂直磁気媒体は、いずれも、Coを主成分と
している。しかし、Coはコストならびに安定供給上に
問題があった。
している。しかし、Coはコストならびに安定供給上に
問題があった。
(問題点を解決するための手段)
基板上に、FeとTiとの合金から成る磁性膜又は、主
成分としてFeとTi並びに他の元素を含む合金から成
る磁性膜で構成される垂直磁気記録媒体ならびに、基板
上に軟磁性膜とFeと、Tiとの合金から成る垂直磁性
膜又は、軟磁性膜と主成分としてFeとTi並びに他の
元素を含む合金から成る垂直磁性膜で構成される垂直磁
気記録二層媒体を特徴とする。
成分としてFeとTi並びに他の元素を含む合金から成
る磁性膜で構成される垂直磁気記録媒体ならびに、基板
上に軟磁性膜とFeと、Tiとの合金から成る垂直磁性
膜又は、軟磁性膜と主成分としてFeとTi並びに他の
元素を含む合金から成る垂直磁性膜で構成される垂直磁
気記録二層媒体を特徴とする。
(作用)
資源が豊富で安価であるFeを主成分とし、耐食性に強
く、安価なTiを適度に含んだFeとTiとの合金から
成る磁性膜又は、前記Fe Tiに更に他の元素を含ん
だ合金から成る磁性膜で、垂直磁気記録媒体、ならびに
、垂直磁気記録二層媒体を作製することにより、量産性
に優れ、安価であり、かつ良好な磁気特性を有する垂直
磁気記録媒体が提供される。
く、安価なTiを適度に含んだFeとTiとの合金から
成る磁性膜又は、前記Fe Tiに更に他の元素を含ん
だ合金から成る磁性膜で、垂直磁気記録媒体、ならびに
、垂直磁気記録二層媒体を作製することにより、量産性
に優れ、安価であり、かつ良好な磁気特性を有する垂直
磁気記録媒体が提供される。
(実施例1)
基板上に、FeとTiとの合金から成る磁性膜で構成さ
れる垂直磁気記録媒体について実施例を第1図〜第6図
を参照して説明する。本実施例において、Fe Ti合
金から成る磁性膜は、RFマグネトロンスパッタ法によ
り、次に示す様に作製した。スパッタターゲットとして
4インチファイの純度99.9%の純Feを用いた。そ
こで、Fe Ti合金を作製するために、純度99.9
%の8mm角のTiチップを前記純Feターゲット上に
、リング形状に所定の個数を置いた。
れる垂直磁気記録媒体について実施例を第1図〜第6図
を参照して説明する。本実施例において、Fe Ti合
金から成る磁性膜は、RFマグネトロンスパッタ法によ
り、次に示す様に作製した。スパッタターゲットとして
4インチファイの純度99.9%の純Feを用いた。そ
こで、Fe Ti合金を作製するために、純度99.9
%の8mm角のTiチップを前記純Feターゲット上に
、リング形状に所定の個数を置いた。
Fe Ti合金から成る磁性膜を作製するスパッタ条件
は、到達真空度(以下記号Piで示す)7.0X10−
7)−ル以下において、投入電力(以下、記号Pwで示
す)300W、アルゴン圧力(以下記号PArで示す)
5X10−3 )−ル基板温度(以下、記号tsで示す
)室温(実際には、基板ホルダーを水冷している)で、
10mm角の200pm厚のガラス基板上に、膜厚0.
8pmとなる様に、スパッタ時間を決めて(ここでは1
0分)作製した。次に、作製した、Fe Ti合金から
成る磁性膜の評価手段として、磁気特性については、試
料振動型磁力計(以下VSMと略す)、FeとTiの組
成分析については、X線マイクロアナライザー(以下X
MAと略す)、結晶構造については、X線回折(2θ−
θ連動)を用いた。
は、到達真空度(以下記号Piで示す)7.0X10−
7)−ル以下において、投入電力(以下、記号Pwで示
す)300W、アルゴン圧力(以下記号PArで示す)
5X10−3 )−ル基板温度(以下、記号tsで示す
)室温(実際には、基板ホルダーを水冷している)で、
10mm角の200pm厚のガラス基板上に、膜厚0.
8pmとなる様に、スパッタ時間を決めて(ここでは1
0分)作製した。次に、作製した、Fe Ti合金から
成る磁性膜の評価手段として、磁気特性については、試
料振動型磁力計(以下VSMと略す)、FeとTiの組
成分析については、X線マイクロアナライザー(以下X
MAと略す)、結晶構造については、X線回折(2θ−
θ連動)を用いた。
第2図は、上記純Feターゲット上に、Tiチップの置
く個数を変えた時、作製されるFe Ti合金から成る
磁性膜をXMAにより組成分析を行なった結果を示した
図である。第2図には、Fe及びTiの原子存在比(記
号at%で表す)が、示しである。
く個数を変えた時、作製されるFe Ti合金から成る
磁性膜をXMAにより組成分析を行なった結果を示した
図である。第2図には、Fe及びTiの原子存在比(記
号at%で表す)が、示しである。
第3図は、上記により、作製された、種々の組成をもつ
Fe Ti合金から成る磁性膜について、VSM測定に
より求められる飽和磁化Msの変化を示した図である。
Fe Ti合金から成る磁性膜について、VSM測定に
より求められる飽和磁化Msの変化を示した図である。
第4図は、垂直異方性磁界HkとTi混合比(at%)
との関係を示したものであり、Tiが(5at%〜21
at%のときHkは1kOe以上の大きな値を示す。
との関係を示したものであり、Tiが(5at%〜21
at%のときHkは1kOe以上の大きな値を示す。
第5図は、上記Fe Ti合金から成る垂直磁性膜をX
線回折(2θ−θ連動)により、αFe(110)面の
解説ピーク強度の変化を示した図である。X線回折で、
2θを10から120度の範囲でスキャンした。主にα
Fe(110)面と(211)面の回折ピークが得られ
たが、(110)面の強度を100とした時の(211
)面の強度は、10程度であったので、回折ピークは、
(110)面で代表させた。第5図で、Tiの組成比が
増加すれば、αFe(110)面の回折ピーク強度I(
110)は、下がっている。ここで、第4図で示された
垂直磁性膜として望ましい、Tiの組成比の範囲(15
at%〜21at%)での、I(110)の強度は、小
さく、(ここでは、約500cps以下)、また半値幅
を求めるとブロードであり、結晶構造は、非晶質である
ことがわかった。(第6図参照)第1図は、Fe Ti
合金が、垂直磁性膜として最適なスパッタ条件(Pw=
300W、PAr=5m )−ル、ts=室温)及び最
適なTiの個数で作成した一例について、VSM測定に
よるB−H曲線(面内及び垂直方向磁場印加)を示した
ものである。これから、飽和磁化Ms260emu/c
c、垂直異方性磁界Hk2.7kOe、垂直保磁力Hc
27100e、面内保磁力Hen 1600eという、
垂直磁性膜として、良好な磁気特性が得られた。
線回折(2θ−θ連動)により、αFe(110)面の
解説ピーク強度の変化を示した図である。X線回折で、
2θを10から120度の範囲でスキャンした。主にα
Fe(110)面と(211)面の回折ピークが得られ
たが、(110)面の強度を100とした時の(211
)面の強度は、10程度であったので、回折ピークは、
(110)面で代表させた。第5図で、Tiの組成比が
増加すれば、αFe(110)面の回折ピーク強度I(
110)は、下がっている。ここで、第4図で示された
垂直磁性膜として望ましい、Tiの組成比の範囲(15
at%〜21at%)での、I(110)の強度は、小
さく、(ここでは、約500cps以下)、また半値幅
を求めるとブロードであり、結晶構造は、非晶質である
ことがわかった。(第6図参照)第1図は、Fe Ti
合金が、垂直磁性膜として最適なスパッタ条件(Pw=
300W、PAr=5m )−ル、ts=室温)及び最
適なTiの個数で作成した一例について、VSM測定に
よるB−H曲線(面内及び垂直方向磁場印加)を示した
ものである。これから、飽和磁化Ms260emu/c
c、垂直異方性磁界Hk2.7kOe、垂直保磁力Hc
27100e、面内保磁力Hen 1600eという、
垂直磁性膜として、良好な磁気特性が得られた。
なお、該磁性膜について、XMAにより組成を分析した
ところ、Fe83at%に対しTi17at%であった
。さらに、該磁性膜について、X線回折(2θ−θ連動
)により結晶構造を調べたところ、(第6図参照)、非
晶質であることがわかった。(第6図には比較のため、
純Feの回折パターンも示しである。) 前述したようにFe Ti合金から成る磁性膜は、垂直
磁性膜として、良好な磁気特性を示した。そして、該F
e Ti合金から成る磁性膜を垂直磁気記録媒体として
用いることにより、(ここでは、基板として有機フィル
ムを用いた。)を産性に優れ、安価でありかつ優れた記
録再生特性が得られるという効果が得られた。
ところ、Fe83at%に対しTi17at%であった
。さらに、該磁性膜について、X線回折(2θ−θ連動
)により結晶構造を調べたところ、(第6図参照)、非
晶質であることがわかった。(第6図には比較のため、
純Feの回折パターンも示しである。) 前述したようにFe Ti合金から成る磁性膜は、垂直
磁性膜として、良好な磁気特性を示した。そして、該F
e Ti合金から成る磁性膜を垂直磁気記録媒体として
用いることにより、(ここでは、基板として有機フィル
ムを用いた。)を産性に優れ、安価でありかつ優れた記
録再生特性が得られるという効果が得られた。
なお、本実施例において、Fe Ti合金から成る磁性
膜の作製に際して、RFマグネトロンスパッタ法のみを
示したが、Uスパッタ法、DCスパッタ法イオンビーム
スパッタ法更には、他の成膜法(例えば、電子ビーム蒸
着法、抵抗加熱蒸着法、MBE法CVD法メッキ法等)
など、従来周知のいずれの薄膜形成技術も使用可能であ
る。また、本実施例において、ターゲットとして純Fe
上に、Tiチップを置く複合ターゲットを用いたが、F
e Ti合金のターゲットでも使用可能である。
膜の作製に際して、RFマグネトロンスパッタ法のみを
示したが、Uスパッタ法、DCスパッタ法イオンビーム
スパッタ法更には、他の成膜法(例えば、電子ビーム蒸
着法、抵抗加熱蒸着法、MBE法CVD法メッキ法等)
など、従来周知のいずれの薄膜形成技術も使用可能であ
る。また、本実施例において、ターゲットとして純Fe
上に、Tiチップを置く複合ターゲットを用いたが、F
e Ti合金のターゲットでも使用可能である。
(実施例2)
基板上に、軟磁性とFeとTiとの合金から成る垂直磁
性膜で構成される垂直磁気記録二層媒体について実施例
を述べる。まず、基板は、実施例1と同様に有機フィル
ムを用いた。そして、RFマグネトロンスパッタ法によ
り、軟磁性膜としてNi Fe合金から成る磁性膜を0
.5pm成膜する。次に、垂直磁性膜として、同RFマ
グネトロンスパッタ法により、FeB5Ti17合金(
Fe83at%、Ti17at%の組成比のFe Ti
合金)から成る磁性膜を0.3pm成膜した。このよう
にして、作製した垂直磁気記録二層媒体は、現在、活発
に研究開発が行われている、NiFe合金とCoCr合
金から成る垂直磁気記録二層媒体と、同程度の磁気特性
が得られた。なお、本実施例において、FeTe合金か
ら成る垂直磁性膜は、上記組成で作製したが、実施例1
で述べた、他の最適な組成でもよい。また、NiFe合
金及びFeTi合金から成る磁性膜について成膜法も本
実施例では、RFマグネトロンスパッタ法を用いたが、
実施例1で述べた、他の成膜法でもよい。また、NiF
e合金及びFeTi合金のターゲットも、複合ターゲッ
ト、合金ターゲットいずれでもよい。さらに、軟磁性膜
として、本実施例では、NiFe合金から成る磁性膜を
用いたが、他の磁性膜を用いたが、他の磁性膜(例えば
、センダスト、Moを含んだNiFe合金など)でもよ
い。
性膜で構成される垂直磁気記録二層媒体について実施例
を述べる。まず、基板は、実施例1と同様に有機フィル
ムを用いた。そして、RFマグネトロンスパッタ法によ
り、軟磁性膜としてNi Fe合金から成る磁性膜を0
.5pm成膜する。次に、垂直磁性膜として、同RFマ
グネトロンスパッタ法により、FeB5Ti17合金(
Fe83at%、Ti17at%の組成比のFe Ti
合金)から成る磁性膜を0.3pm成膜した。このよう
にして、作製した垂直磁気記録二層媒体は、現在、活発
に研究開発が行われている、NiFe合金とCoCr合
金から成る垂直磁気記録二層媒体と、同程度の磁気特性
が得られた。なお、本実施例において、FeTe合金か
ら成る垂直磁性膜は、上記組成で作製したが、実施例1
で述べた、他の最適な組成でもよい。また、NiFe合
金及びFeTi合金から成る磁性膜について成膜法も本
実施例では、RFマグネトロンスパッタ法を用いたが、
実施例1で述べた、他の成膜法でもよい。また、NiF
e合金及びFeTi合金のターゲットも、複合ターゲッ
ト、合金ターゲットいずれでもよい。さらに、軟磁性膜
として、本実施例では、NiFe合金から成る磁性膜を
用いたが、他の磁性膜を用いたが、他の磁性膜(例えば
、センダスト、Moを含んだNiFe合金など)でもよ
い。
(実施例3)
基板上に、主成分として、FeとTi並びに他の元素を
含む合金から成る磁性膜で構成される垂直磁気記録媒体
についての実施例について述べる。ここで、基板は、実
施例1及び2と同様に有機フィルムを用いた。以下、主
成分として、FeとTi並びに他の元素を含む合金から
成る磁性膜についての作製法を述べる。まず、他の元素
としてOr、Ta、Zr、W。
含む合金から成る磁性膜で構成される垂直磁気記録媒体
についての実施例について述べる。ここで、基板は、実
施例1及び2と同様に有機フィルムを用いた。以下、主
成分として、FeとTi並びに他の元素を含む合金から
成る磁性膜についての作製法を述べる。まず、他の元素
としてOr、Ta、Zr、W。
Na、Hf、Mo、V、Cu、Nd、Mn、Bi、Si
、AIについて述べる。作製法は他も同様であるので、
以下には、Orを用いた実施例についてのみ述べる。ま
たこれらの元素を2以上含むものでもよい。
、AIについて述べる。作製法は他も同様であるので、
以下には、Orを用いた実施例についてのみ述べる。ま
たこれらの元素を2以上含むものでもよい。
基板上に主成分としてFeとTi並びにCrを含む合金
から成る磁性膜で構成される垂直磁気記録媒体について
の実施例を第1図〜第4図を参照して説明する。本実施
例において、FeT1Cr合金がら成る磁性膜はRFマ
グネトロンスパッタ法により以下に示すように作製した
。スパッタターゲットは4インチファイの純度99.9
%の純Feを用いた。その上に純度99.9%の8mm
角のTiチップをリング形状に6個置いた。さらに、純
度99.9%の5mm角のCrチップをリング形状に所
望の組成となるように適度な個数室いた。そして、到達
真空度(以下記号piで示す)が7.0X10−7)−
ル以下に排気した後、投入電力(以下記号Pwで示す)
300w、アルゴン圧力(以下記号PArで示す)5X
10−3)−ル、基板温度(以下記号tsで示す)室温
(尚実際には基板ホルダーを水冷)というスパッタ条件
で10mm角の200pm厚程度のガラス基板上に膜厚
的0.8pm成膜した。次に作製したFeT1Cr合金
がら成る磁性膜の評価方法を以下に示す。磁気特性は試
料振動型磁力計(以下VSMと略す)、FeとTi並び
Crの組成分析はX線マイクロアナライザー(以下XM
Aと略す)、膜の構造はX線回折(2θ−θ連動)でそ
れぞれ評価した。
から成る磁性膜で構成される垂直磁気記録媒体について
の実施例を第1図〜第4図を参照して説明する。本実施
例において、FeT1Cr合金がら成る磁性膜はRFマ
グネトロンスパッタ法により以下に示すように作製した
。スパッタターゲットは4インチファイの純度99.9
%の純Feを用いた。その上に純度99.9%の8mm
角のTiチップをリング形状に6個置いた。さらに、純
度99.9%の5mm角のCrチップをリング形状に所
望の組成となるように適度な個数室いた。そして、到達
真空度(以下記号piで示す)が7.0X10−7)−
ル以下に排気した後、投入電力(以下記号Pwで示す)
300w、アルゴン圧力(以下記号PArで示す)5X
10−3)−ル、基板温度(以下記号tsで示す)室温
(尚実際には基板ホルダーを水冷)というスパッタ条件
で10mm角の200pm厚程度のガラス基板上に膜厚
的0.8pm成膜した。次に作製したFeT1Cr合金
がら成る磁性膜の評価方法を以下に示す。磁気特性は試
料振動型磁力計(以下VSMと略す)、FeとTi並び
Crの組成分析はX線マイクロアナライザー(以下XM
Aと略す)、膜の構造はX線回折(2θ−θ連動)でそ
れぞれ評価した。
第8図は作製したFeT1Cr合金から成る磁性膜につ
いてTi組成12at%(厚子存在比)と一定で、種々
のCr組成とVSM測定により求められる飽和磁化Ms
との関係を示した図である。
いてTi組成12at%(厚子存在比)と一定で、種々
のCr組成とVSM測定により求められる飽和磁化Ms
との関係を示した図である。
第9図は上記と同様な°磁性膜について、種々のCr組
成とVSM測定により求められる垂直異方性磁界Hkと
の関係を示した図である。Cr組成が5〜15at%の
範囲でHkが1kOe以上の良好な垂直異方性が得られ
た。
成とVSM測定により求められる垂直異方性磁界Hkと
の関係を示した図である。Cr組成が5〜15at%の
範囲でHkが1kOe以上の良好な垂直異方性が得られ
た。
第10図は上記と同様な磁性膜についてX線回折により
膜の構造を調べたものである。この図で、X線回折強度
工(相対値)と20との関係を示した。第3図で限定さ
れたCr組成5〜15at%の範囲では膜の構造はbe
e構造のαFeと非晶質との混相であることが推定され
る。
膜の構造を調べたものである。この図で、X線回折強度
工(相対値)と20との関係を示した。第3図で限定さ
れたCr組成5〜15at%の範囲では膜の構造はbe
e構造のαFeと非晶質との混相であることが推定され
る。
第7図に、FeT1Cr合金から成る磁性膜が垂直磁性
膜として最適なTi及びCr組成でかつ最適なスパッタ
条件(Pw =300W、PAr=5X10−3)−ル
、ts=室温)で作製した一例の磁化曲線を示した。こ
れから飽和磁化Ms340emu/cc、垂直異方性磁
界Hk3.Okoe。
膜として最適なTi及びCr組成でかつ最適なスパッタ
条件(Pw =300W、PAr=5X10−3)−ル
、ts=室温)で作製した一例の磁化曲線を示した。こ
れから飽和磁化Ms340emu/cc、垂直異方性磁
界Hk3.Okoe。
垂直保磁力HcL8300e、面内保磁力HCt124
00eである垂直磁性膜として良好な磁気特性が得られ
た。
00eである垂直磁性膜として良好な磁気特性が得られ
た。
この磁性膜についてXMAにより組成分析を行なったと
ころ、Ti12at%、Cr9at%であった。また、
X線回折により膜の構造を調べたところ、bee構造の
αFeと非晶質と混相であることが推定された。
ころ、Ti12at%、Cr9at%であった。また、
X線回折により膜の構造を調べたところ、bee構造の
αFeと非晶質と混相であることが推定された。
以上述べてきたように、本発明のFeT1Cr合金から
成る磁性膜は垂直磁性膜として良好な磁気特性を示した
。そしてこのFeT1Cr合金から成る磁性膜で基板と
して有機フィルムを用いて垂直磁気記録媒体を作製した
ところ、安価で量産性に優れかつ優れた記録再生特性が
得られた。
成る磁性膜は垂直磁性膜として良好な磁気特性を示した
。そしてこのFeT1Cr合金から成る磁性膜で基板と
して有機フィルムを用いて垂直磁気記録媒体を作製した
ところ、安価で量産性に優れかつ優れた記録再生特性が
得られた。
本実施例においてFeT1Cr合金から成る磁性膜の作
製はUマグネトロン法を用いたが他のスパッタ法(たと
えばRFスパッタ法、DCスパッタ法、イオンビームス
パッタ法など)でもよい。またターゲットは純Feター
ゲット上にTi及びCrチップを置く複合ターゲットを
用いたがFeT1Cr合金から成る合金ターゲットでも
よい。なおここではTi組成を12at%に固定したが
1%から20at%の範囲のいづれの組成でもよい。さ
らに、別の成膜法(たとえば電子ビーム蒸着法、抵抗加
熱蒸着法、MBE法、CVD法、メッキ法など)も使用
可能である。
製はUマグネトロン法を用いたが他のスパッタ法(たと
えばRFスパッタ法、DCスパッタ法、イオンビームス
パッタ法など)でもよい。またターゲットは純Feター
ゲット上にTi及びCrチップを置く複合ターゲットを
用いたがFeT1Cr合金から成る合金ターゲットでも
よい。なおここではTi組成を12at%に固定したが
1%から20at%の範囲のいづれの組成でもよい。さ
らに、別の成膜法(たとえば電子ビーム蒸着法、抵抗加
熱蒸着法、MBE法、CVD法、メッキ法など)も使用
可能である。
以上の効果は、Crのほか、他の元素Ta、Zr、W、
Nb。
Nb。
Hf、Mo、V、Cu、Nd、Mn、Bi、Si、AI
でも同様な結果が得られた。また、FeT1Cr合金(
ここでCrは他の元素の1例である以下も同じ)の成膜
法は、本実施例では、RFマグネトロンスパッタ法を用
いたが、実施例1で述べたような他の成膜法でもよい。
でも同様な結果が得られた。また、FeT1Cr合金(
ここでCrは他の元素の1例である以下も同じ)の成膜
法は、本実施例では、RFマグネトロンスパッタ法を用
いたが、実施例1で述べたような他の成膜法でもよい。
さらに、FeT1Cr合金のターゲットも、複合ターゲ
ット、合金ターゲットのいづれでもよい。
ット、合金ターゲットのいづれでもよい。
次に、他の元素として、O,N、H,Cについて述べる
。ここでも、上記と同様な理由から、以下には、0を用
いた実施例についてのみ述べる。成膜法についても上記
と同様でRFマグネトロンスパッタ法を用いたが、0を
含むようスパッタ時の導入ガスは、Ar + 02(容
量比10:1)である。1例として、FeB3Tt17
合金となるような、純Feターゲット上にTiを所定の
置いた複合ターゲットで(詳しくは、実施例1参照)、
前記、導入ガス(Ar+O□)を用いて成膜した。そし
て、VSMにより、作製した酸素を含んだFeTi合金
から成る磁性膜を評価したところHkが3kOe以上の
値が得られ、FeTi合金よりも更に、垂直磁性膜とし
て良好な磁気特性が得られた。以上の効果は、0のほか
、N、H,Cでも同様な結果が得られた。なお、本実施
例において、Tiの組成は17at%であったが、実施
例1で述べた他の最適と思われる組成でもよい。また、
導入ガスの容量比は、ここではAr102=10/1を
用いたが、他の容量比でもよい。更に、成膜法で、本実
施例では、RFマグネトロンスパッタ法を用いたが、実
施例1で述べたような他の成膜法でもよい。FeTi合
金のターゲットも、複合ターゲット、合金ターゲットで
もよい。また、さらに本実施例において、導入ガスに、
O,N、H,Cを含ませたが、ターゲット自身に、たと
えば、酸化鉄(Fe203etc)、窒化鉄Fe3Nな
どで含ませて成膜してもよい。
。ここでも、上記と同様な理由から、以下には、0を用
いた実施例についてのみ述べる。成膜法についても上記
と同様でRFマグネトロンスパッタ法を用いたが、0を
含むようスパッタ時の導入ガスは、Ar + 02(容
量比10:1)である。1例として、FeB3Tt17
合金となるような、純Feターゲット上にTiを所定の
置いた複合ターゲットで(詳しくは、実施例1参照)、
前記、導入ガス(Ar+O□)を用いて成膜した。そし
て、VSMにより、作製した酸素を含んだFeTi合金
から成る磁性膜を評価したところHkが3kOe以上の
値が得られ、FeTi合金よりも更に、垂直磁性膜とし
て良好な磁気特性が得られた。以上の効果は、0のほか
、N、H,Cでも同様な結果が得られた。なお、本実施
例において、Tiの組成は17at%であったが、実施
例1で述べた他の最適と思われる組成でもよい。また、
導入ガスの容量比は、ここではAr102=10/1を
用いたが、他の容量比でもよい。更に、成膜法で、本実
施例では、RFマグネトロンスパッタ法を用いたが、実
施例1で述べたような他の成膜法でもよい。FeTi合
金のターゲットも、複合ターゲット、合金ターゲットで
もよい。また、さらに本実施例において、導入ガスに、
O,N、H,Cを含ませたが、ターゲット自身に、たと
えば、酸化鉄(Fe203etc)、窒化鉄Fe3Nな
どで含ませて成膜してもよい。
(実施例4)
基板上に軟磁性膜と主成分としてFeとTi並びにCr
を含む合金から成る垂直磁性膜で構成される垂直磁気記
録二層媒体についての実施例を述べる。
を含む合金から成る垂直磁性膜で構成される垂直磁気記
録二層媒体についての実施例を述べる。
基板は有機フィルムを用いた。まずRFマグネトロンス
パッタ法により軟磁性膜としてNiFe合金から成る磁
性膜を0.511m成膜した。次に垂直磁性膜として実
施例1と同様にRFマグネトロンスパッタ法によりFe
7gTi12Crg合金(Fe79at%、Ti12a
t%、Cr9at%の組成比から成るFeT1Cr合金
)から成る磁性膜を0.3pm成膜した。このようにし
て作製した垂直磁気記録二層媒体は現在活発に研究開発
が行われているNiFe合金とCoCr合金から成る垂
直磁気記録二層媒体と同程度の磁気特性及び記録再生特
性が得られた。
パッタ法により軟磁性膜としてNiFe合金から成る磁
性膜を0.511m成膜した。次に垂直磁性膜として実
施例1と同様にRFマグネトロンスパッタ法によりFe
7gTi12Crg合金(Fe79at%、Ti12a
t%、Cr9at%の組成比から成るFeT1Cr合金
)から成る磁性膜を0.3pm成膜した。このようにし
て作製した垂直磁気記録二層媒体は現在活発に研究開発
が行われているNiFe合金とCoCr合金から成る垂
直磁気記録二層媒体と同程度の磁気特性及び記録再生特
性が得られた。
本実施例においてFeT1Cr合金から成る垂直磁性膜
は上記組成で作製したが、実施例で述べた他のCr組成
及びTi組成でもよい。なお、NiFe合金及びFeT
1Cr合金のターゲットは複合ターゲット、合金ターゲ
ットいづれでもよい。また、NiFe合金及びFeT1
Cr合金から成る磁性膜の成膜法は本実施例ではRFマ
グネトロンスパッタ法を用いたが、実施例1で述べた他
の成膜法でもよい。さらに、軟磁性膜として本実施例で
はNiFe合金から成る磁性膜を用いたが、他の磁性膜
(たとえばセンダスト、Moを含んだNiFe合金など
)でもよい。
は上記組成で作製したが、実施例で述べた他のCr組成
及びTi組成でもよい。なお、NiFe合金及びFeT
1Cr合金のターゲットは複合ターゲット、合金ターゲ
ットいづれでもよい。また、NiFe合金及びFeT1
Cr合金から成る磁性膜の成膜法は本実施例ではRFマ
グネトロンスパッタ法を用いたが、実施例1で述べた他
の成膜法でもよい。さらに、軟磁性膜として本実施例で
はNiFe合金から成る磁性膜を用いたが、他の磁性膜
(たとえばセンダスト、Moを含んだNiFe合金など
)でもよい。
(実施例5)
基板上に、軟磁性膜と主成分としてFeとTi並びに他
の元素を含む合金から成る垂直磁性膜で構成される垂直
磁気記録二層媒体について実施例を述べる。まず、基板
は、実施例1〜3と同様な有機フィルムを用いた。次に
、軟磁性膜は、NiFe合金から成る磁性膜を用いたの
で、作製法は、実施例2と同様である。また、主成分と
してFeとTi及び他の元素を含む合金から成る垂直磁
性膜も、実施例3と同様な合金、成膜法を用いた。この
ようにして、作製された、垂直磁気記録二層媒体も、良
好な磁気特性を示した。なお、軟磁性膜及び、主成分と
してFeとTi並びに他の元素を含む合金から成る垂直
磁性膜について、本実施例以外の使用可能な又は望まし
い材料、製造方法、装置なども、実施例2及び3と同様
である。
の元素を含む合金から成る垂直磁性膜で構成される垂直
磁気記録二層媒体について実施例を述べる。まず、基板
は、実施例1〜3と同様な有機フィルムを用いた。次に
、軟磁性膜は、NiFe合金から成る磁性膜を用いたの
で、作製法は、実施例2と同様である。また、主成分と
してFeとTi及び他の元素を含む合金から成る垂直磁
性膜も、実施例3と同様な合金、成膜法を用いた。この
ようにして、作製された、垂直磁気記録二層媒体も、良
好な磁気特性を示した。なお、軟磁性膜及び、主成分と
してFeとTi並びに他の元素を含む合金から成る垂直
磁性膜について、本実施例以外の使用可能な又は望まし
い材料、製造方法、装置なども、実施例2及び3と同様
である。
(発明の効果)
本発明において、FeTi合金及びFeTiと他の元素
を含む合金から成る磁性膜を用いて、垂直磁気記録媒体
、及び垂直磁気記録二層媒体を作製することにより、以
下に示す効果があった。
を含む合金から成る磁性膜を用いて、垂直磁気記録媒体
、及び垂直磁気記録二層媒体を作製することにより、以
下に示す効果があった。
(1)主成分として、安価なFe及びTiを使用するの
で、従来のCo系合金から成る垂直磁気記録媒体(二層
媒体も含む、以下同じ)より、安価な垂直磁気記録媒体
の作製が可能となった。
で、従来のCo系合金から成る垂直磁気記録媒体(二層
媒体も含む、以下同じ)より、安価な垂直磁気記録媒体
の作製が可能となった。
(2)FeTi合金及びFeTiと他の元素を含む合金
から成る磁性膜は、垂直磁性膜として、良好な磁気特性
を示し、良好な垂直磁気記録媒体として適用が可能とな
った。
から成る磁性膜は、垂直磁性膜として、良好な磁気特性
を示し、良好な垂直磁気記録媒体として適用が可能とな
った。
第1図は、本願発明の垂直磁性膜磁気特性を示した図、
第2図は純Feターゲット上に置<Tiチップの個数を
変えた時のFe及びTiの組成比を示した図、第3図及
び第4図は、XMAにより求められた種々の組成比をも
つFeTi合金から成る磁性膜について、VSM測定に
より求められる飽和磁化量Ms及び垂直異方性磁界Hk
を示した図、第5図は、FeTi合金から成る、磁性膜
についてI(110)を示した図、第6図は、X線回折
強度を示した図。
第2図は純Feターゲット上に置<Tiチップの個数を
変えた時のFe及びTiの組成比を示した図、第3図及
び第4図は、XMAにより求められた種々の組成比をも
つFeTi合金から成る磁性膜について、VSM測定に
より求められる飽和磁化量Ms及び垂直異方性磁界Hk
を示した図、第5図は、FeTi合金から成る、磁性膜
についてI(110)を示した図、第6図は、X線回折
強度を示した図。
Claims (4)
- (1)基板上に、鉄(以下Feという記号で示す)とチ
タン(以下Tiという記号で示す)との合金から成る磁
性膜において、Tiの組成が15at%から21at%
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)基板上に、軟磁性膜とTiの組成が15at%か
ら21at%であるFeとTiとの合金から成る垂直磁
性膜で構成される磁気記録媒体。 - (3)基板上に、主成分としてFeとTi並びにTa、
Cr、Zr、W、Na、Hf、Mo、V、Cu、Nd、
Mn、Bi、Si、Al、O、N、H、Cを少なくとも
1種以上を含む合金から成る磁性膜で構成される磁気記
録媒体。 - (4)基板上に、軟磁性膜と主成分としてFeとTi並
びに他の元素Ta、Cr、Zr、W、Ne、Hf、Mo
、V、Cu、Nd、Mn、Bi、Si、Al、O、N、
H、Cを少なくとも1請以上含む合金から成る垂直磁性
膜で構成される磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13255186 | 1986-06-06 | ||
JP61-132551 | 1986-06-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63106916A true JPS63106916A (ja) | 1988-05-12 |
JPH0775062B2 JPH0775062B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=15083931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61290883A Expired - Lifetime JPH0775062B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-12-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4840845A (ja) |
JP (1) | JPH0775062B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4635236A (en) * | 1981-09-29 | 1987-01-06 | Chevron Research Company | Submerged marine streamer locator |
JP2697227B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-01-14 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
US6095765A (en) * | 1998-03-05 | 2000-08-01 | Carrier Corporation | Combined pressure ratio and pressure differential relief valve |
SG108888A1 (en) * | 2001-12-14 | 2005-02-28 | Hoya Corp | Magnetic recording medium |
CN100428334C (zh) * | 2004-07-27 | 2008-10-22 | 松下电器产业株式会社 | 磁记录介质及其制造方法、和磁记录介质的记录再生方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5330800A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-23 | Fujitsu Ltd | Peparing magnetic thin film |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3853700A (en) * | 1973-11-02 | 1974-12-10 | J Armijo | Carbon-trap alloys for liquid sodium |
JPS5133758A (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
US4020236A (en) * | 1975-07-22 | 1977-04-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing a magnetic material and magnetic recording medium containing the same |
JPS55100201A (en) * | 1979-01-29 | 1980-07-31 | Natl Res Inst For Metals | Iron-titanium-niobium type hydrogen storing material |
US4325733A (en) * | 1979-12-28 | 1982-04-20 | International Business Machines Corporation | Amorphous Co-Ti alloys |
JPS59186123A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-22 | Hitachi Ltd | フロツピ装置用磁気デイスク |
JPS6057511A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
JPS6057503A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
JPS60193125A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気記録媒体 |
US4693927A (en) * | 1984-03-19 | 1987-09-15 | Fuji Photo Film Company Limited | Magnetic recording medium and process for producing the same |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61290883A patent/JPH0775062B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-04 US US07/058,040 patent/US4840845A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5330800A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-23 | Fujitsu Ltd | Peparing magnetic thin film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4840845A (en) | 1989-06-20 |
JPH0775062B2 (ja) | 1995-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4743491A (en) | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method therefor | |
JPS62257617A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0533461B2 (ja) | ||
CA1315612C (en) | Perpendicular magnetic storage medium | |
US5439754A (en) | Ferromagnetic film, method of manufacturing the same, and magnetic head | |
JPH0744110B2 (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド | |
JPH0363919A (ja) | 磁気薄膜記録媒体及びその製法 | |
US5316631A (en) | Method for fabricating a magnetic recording medium | |
US4663193A (en) | Process for manufacturing magnetic recording medium | |
JPS63106916A (ja) | 磁気記録媒体 | |
US4645690A (en) | Method of manufacturing a magnetic media | |
JP2508489B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
JPH0814889B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPH05315135A (ja) | Co/Ni人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびCo/Ni人工格子膜の製造方法 | |
JPH0817032A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS59228705A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPH0775063B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPH03265105A (ja) | 軟磁性積層膜 | |
JP3520751B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 | |
JPH0582653B2 (ja) | ||
JPH05314453A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0256724B2 (ja) | ||
JPS61110328A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 | |
JPH0337724B2 (ja) | ||
JP2752199B2 (ja) | 磁気ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |