JPS6057511A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPS6057511A JPS6057511A JP16323483A JP16323483A JPS6057511A JP S6057511 A JPS6057511 A JP S6057511A JP 16323483 A JP16323483 A JP 16323483A JP 16323483 A JP16323483 A JP 16323483A JP S6057511 A JPS6057511 A JP S6057511A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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- Magnetic Heads (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録用の磁気ヘッドに係り、特に高警
度での記録再生に好適な磁気ヘッドに関する。
度での記録再生に好適な磁気ヘッドに関する。
従来の薄膜磁気ヘッドの磁極部は、磁気記録再生効率を
上げるために、特開昭５５−８４０１９に述べられてい
るように磁気コア先端で膜厚を小さく後部で膜厚を大き
くしていた。上置磁気記録用の磁気ヘッドにおいても、
主磁極ヲ該構造とすることで効率の向上が期待できる。
上げるために、特開昭５５−８４０１９に述べられてい
るように磁気コア先端で膜厚を小さく後部で膜厚を大き
くしていた。上置磁気記録用の磁気ヘッドにおいても、
主磁極ヲ該構造とすることで効率の向上が期待できる。
しかしながら、不構造のヘッドを垂直磁気記録用装置に
通粗し高密度での記録再生を行なうためには該先端部の
膜厚を０．３μｍ以下と薄くする心安がめり、この場合
、磁気コア全体を同一材質で形成すると、第１図に示す
ように磁区４１１７造が厚ｊ摸部と博映部とで極端に変
化してしまうため、光分な記録磁界が得られないという
欠点があった。ここでは、１１はＡｔ２０３ 、 Ａ７
２０３ Ｔ ｊ Ｃなどからなる非磁性基板、１２は先
端部膜厚０．２μｍ、、鎌部膜厚２μｍのＮ ｉ −ｐ
ｅ合金薄膜、１３は厚膜部での磁区構造、１４は１４
：Ｉ！ｉ＞部での磁区（ｑｌ造を示す。
通粗し高密度での記録再生を行なうためには該先端部の
膜厚を０．３μｍ以下と薄くする心安がめり、この場合
、磁気コア全体を同一材質で形成すると、第１図に示す
ように磁区４１１７造が厚ｊ摸部と博映部とで極端に変
化してしまうため、光分な記録磁界が得られないという
欠点があった。ここでは、１１はＡｔ２０３ 、 Ａ７
２０３ Ｔ ｊ Ｃなどからなる非磁性基板、１２は先
端部膜厚０．２μｍ、、鎌部膜厚２μｍのＮ ｉ −ｐ
ｅ合金薄膜、１３は厚膜部での磁区構造、１４は１４
：Ｉ！ｉ＞部での磁区（ｑｌ造を示す。
本発明の目的は光分な記録磁界強度が得られ、かつ再生
特性も曖れた垂直磁気記録用もしくは面内記録用の１６
気ヘツドケ提共することにある。
特性も曖れた垂直磁気記録用もしくは面内記録用の１６
気ヘツドケ提共することにある。
上記目的を達成するために本発明者らは、少なくとも一
方の磁極部を少なくとも２種以上の磁性体で形成するこ
とにより、第１図に示したような磁極構造でも磁区構造
が均一で光分な記録磁界強度が得られる＋ｈ造について
種々検討した結果、第２図〜第４図に示すように、磁極
部を２種の膜構造とし、さらに主磁極先端部２３，３３
．４３を高飽和磁束密度材とすることで本目的が達成で
きることが明らかになった。ここで２１．３１゜４１は
非磁１生基板、２２，３２．４２はＮ ｉ −Ｆｅ−Ａ
４ｏなどの多結晶質磁性薄膜、もしくはＣｏ−Ｚｒ−Ｍ
ｏなどの非晶質磁性合金薄膜、２３．３３．４３は２２
，３２．４２部よりも磁束密度の鍋い、Ｆｅ−８ｉ−Ｒ
ＩＬＩなどの多結晶質（重性）漢、もしくはＣｏ−ＶＶ
−Ｚｒなどの非晶貝磁性合金碩である。これはいずれも
多層磁性膜でも良い。
方の磁極部を少なくとも２種以上の磁性体で形成するこ
とにより、第１図に示したような磁極構造でも磁区構造
が均一で光分な記録磁界強度が得られる＋ｈ造について
種々検討した結果、第２図〜第４図に示すように、磁極
部を２種の膜構造とし、さらに主磁極先端部２３，３３
．４３を高飽和磁束密度材とすることで本目的が達成で
きることが明らかになった。ここで２１．３１゜４１は
非磁１生基板、２２，３２．４２はＮ ｉ −Ｆｅ−Ａ
４ｏなどの多結晶質磁性薄膜、もしくはＣｏ−Ｚｒ−Ｍ
ｏなどの非晶質磁性合金薄膜、２３．３３．４３は２２
，３２．４２部よりも磁束密度の鍋い、Ｆｅ−８ｉ−Ｒ
ＩＬＩなどの多結晶質（重性）漢、もしくはＣｏ−ＶＶ
−Ｚｒなどの非晶貝磁性合金碩である。これはいずれも
多層磁性膜でも良い。
第２図に示した構造で、２２を膜厚１．５８ｍ１飽和磁
束督度ＩＴのＮｉ−Ｆｅ合金博ノ摸、２３の膜厚を、飽
和磁束密度１．９ＴＸ膜厚０，０５μｍ、のｐ ｅ −
Ｓｉ −ＲＬＪと、膜厚０．００３μｍのＳ １０２膜
とを４層ずつ積層した、実効飽和磁束密度１．８Ｔの多
結晶質磁性ｊ莫で形成した磁極と、外形寸法は同一で、
前記Ｎ ｉ −ｐ ｅ合金のみ、もしくは前記Ｆ ｅ
−Ｓ ｉ −Ｒｕ ／ Ｓ ｉ ０２多層Ｍのみでｒｕ
成した第１図の構造の磁極との３種の磁極について、磁
極各位置の磁化曲線を微少領域（〜５μｍφ）磁気特性
評価装置で評価した結果をそれぞれ第５図。
束督度ＩＴのＮｉ−Ｆｅ合金博ノ摸、２３の膜厚を、飽
和磁束密度１．９ＴＸ膜厚０，０５μｍ、のｐ ｅ −
Ｓｉ −ＲＬＪと、膜厚０．００３μｍのＳ １０２膜
とを４層ずつ積層した、実効飽和磁束密度１．８Ｔの多
結晶質磁性ｊ莫で形成した磁極と、外形寸法は同一で、
前記Ｎ ｉ −ｐ ｅ合金のみ、もしくは前記Ｆ ｅ
−Ｓ ｉ −Ｒｕ ／ Ｓ ｉ ０２多層Ｍのみでｒｕ
成した第１図の構造の磁極との３種の磁極について、磁
極各位置の磁化曲線を微少領域（〜５μｍφ）磁気特性
評価装置で評価した結果をそれぞれ第５図。
第６図、第７図にボす。ここで微少゛領械磁気特性評価
装置とは、Ｈ’ｅ −ｐＪ’ ｅレーザ光を試料表面上
で５μｍφのスポット径に来光し、カー効果を利用して
外部磁界に対する応答を評価する装置である。５１．５
２は本発明の構造の厚膜部、傅嘆部の磁束密度と印力ｌ
ｌ砒界との関係を示す磁化曲線、６１．６２及び７１．
７２は同一種の磁性膜より成る磁極各部での磁化面、鍼
であるが、特に本発明の構造では主磁極先端部で大きな
磁束密度が得られていることが分る。ここで、２２，３
２．．４２をそれぞれ多層膜としたところ、飽オロ密度
の値はさらに１割程向上した。
装置とは、Ｈ’ｅ −ｐＪ’ ｅレーザ光を試料表面上
で５μｍφのスポット径に来光し、カー効果を利用して
外部磁界に対する応答を評価する装置である。５１．５
２は本発明の構造の厚膜部、傅嘆部の磁束密度と印力ｌ
ｌ砒界との関係を示す磁化曲線、６１．６２及び７１．
７２は同一種の磁性膜より成る磁極各部での磁化面、鍼
であるが、特に本発明の構造では主磁極先端部で大きな
磁束密度が得られていることが分る。ここで、２２，３
２．．４２をそれぞれ多層膜としたところ、飽オロ密度
の値はさらに１割程向上した。
本発明は上記発見に基づいてなされたもので、少なくと
も２種以上の磁性材料から形成さ扛、媒体対向面側で飽
和磁束密度の最も高い磁性体部からのみ成る構造の磁極
とすることで、記録効率ならびに再生効率の啄めて高い
垂直磁気記録もしくは面内磁気記録用の磁気ヘッドを提
供するものである。さらに音直磁気記録用としては該高
飽和磁束薄膜部のノ摸厚が０．２５μｍ以下、面内磁気
記録用としては該高飽４０磁束蜜矩部の膜厚が０．５μ
ｍ以上であることが好ましく、また、該高飽和磁束密度
材さらにはその曲の磁畠部も多層磁性膜から形成さ【て
おることがさらによシ望ましい。
も２種以上の磁性材料から形成さ扛、媒体対向面側で飽
和磁束密度の最も高い磁性体部からのみ成る構造の磁極
とすることで、記録効率ならびに再生効率の啄めて高い
垂直磁気記録もしくは面内磁気記録用の磁気ヘッドを提
供するものである。さらに音直磁気記録用としては該高
飽和磁束薄膜部のノ摸厚が０．２５μｍ以下、面内磁気
記録用としては該高飽４０磁束蜜矩部の膜厚が０．５μ
ｍ以上であることが好ましく、また、該高飽和磁束密度
材さらにはその曲の磁畠部も多層磁性膜から形成さ【て
おることがさらによシ望ましい。
以Ｆ１本発明の一実施例を第８１図、第９図、第１０１
図、第１１図に示す。８１はＡＴＯ３，Ａｚ２ｏ３−’
ｒｉｃなどの非磁性基板、９１，１０１．１１１゜１１
１′はＭ ｕ −ｚ ｎ ７ エライト、Ｎ１−ｚｎフ
ェライト、Ｎｒ−ｚｎフェライトなどの磁性基板、８２
’、９２，１０２，１１２ｉ４、Ｎ１−Ｆ’ｅｌＣｏ−
Ｚ ｒ −Ｍ ｏなどから成る磁性薄膜で、単層膜もし
くは多層膜のいずれでも良（，８３，９３゜１０３．１
１３はとｎらの磁性薄膜よシも飽和磁束密度の高い、Ｆ
ｅ−８ｉ、 Ｆｅ−Ｔ ｉ、 Ｃｏ −ｚｒ−ｗなどか
ら成る高飽和磁束薄膜でやは９単層膜もしくは多層膜の
いずれでも良い。８４゜９４はＳ ’ ０２ 、Ａ−／
ａ Ｏｓなどの非磁性ギャップ材、１０４．１１４，１
１４’は非磁性フェライト、Ｂａ’ｐｉＯ３、ガラスな
どの非磁性材、８５．９５はＰ Ｉ Ｑ 、 Ｓ ｉＯ
ｚ 、 Ａ、／４０３などの非磁性絶縁体、８６．９６
，１０６，１１６はコイル、８７はＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｗ、Ｎｉ−Ｆｅなどの施磁性傅膜であり、
単層膜、多層膜のいずれでも良い。
図、第１１図に示す。８１はＡＴＯ３，Ａｚ２ｏ３−’
ｒｉｃなどの非磁性基板、９１，１０１．１１１゜１１
１′はＭ ｕ −ｚ ｎ ７ エライト、Ｎ１−ｚｎフ
ェライト、Ｎｒ−ｚｎフェライトなどの磁性基板、８２
’、９２，１０２，１１２ｉ４、Ｎ１−Ｆ’ｅｌＣｏ−
Ｚ ｒ −Ｍ ｏなどから成る磁性薄膜で、単層膜もし
くは多層膜のいずれでも良（，８３，９３゜１０３．１
１３はとｎらの磁性薄膜よシも飽和磁束密度の高い、Ｆ
ｅ−８ｉ、 Ｆｅ−Ｔ ｉ、 Ｃｏ −ｚｒ−ｗなどか
ら成る高飽和磁束薄膜でやは９単層膜もしくは多層膜の
いずれでも良い。８４゜９４はＳ ’ ０２ 、Ａ−／
ａ Ｏｓなどの非磁性ギャップ材、１０４．１１４，１
１４’は非磁性フェライト、Ｂａ’ｐｉＯ３、ガラスな
どの非磁性材、８５．９５はＰ Ｉ Ｑ 、 Ｓ ｉＯ
ｚ 、 Ａ、／４０３などの非磁性絶縁体、８６．９６
，１０６，１１６はコイル、８７はＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｗ、Ｎｉ−Ｆｅなどの施磁性傅膜であり、
単層膜、多層膜のいずれでも良い。
第５図ないし第７図に本発明の構成の薄膜の特性ケ示し
たように、第８図ないし第１１図に示したヘッドの主磁
極部の特性が毀れているため、各ヘッドの特性は従来型
のものに比べて憂れたものとなる。
たように、第８図ないし第１１図に示したヘッドの主磁
極部の特性が毀れているため、各ヘッドの特性は従来型
のものに比べて憂れたものとなる。
第８図に示した構造で、８１をＡ／！ａ Ｏｓ Ｔ ｉ
Ｃ基板、８２を膜厚０．２μｍＸμｍＸ飽和度ＩＴの
Ｎｉ−Ｆｅと膜厚０．００５μｍのＳｉＯ２とをそｎぞ
れ１０層積層した、実効飽和磁束密度ＩＴの多層膜、８
３を膜厚０．０５μｍ、飽オロ磁束密度１．９ ＴのＦ
ｅ Ｓ Ｉ Ｒ＋ ｕと、膜厚０．００５μｍのＮｉ−
Ｆｅとをそれぞれ４層積層した、実効飽和磁束密ｌｆ
１．８ Ｔの積ｌ１ｌＩ？膜とし、８４を膜厚３μｍの
８１０２．８５を膜厚４μｍのＰＩＱ０８６をＡ７コイ
ル、８７は膜厚２０μｒｒｔＸ飽和磁束密度１．１Ｔの
ＣＯ−Ｚ ｒ −Ｍ Ｏとしたヘッドと、第９図に示し
た構造で、９１をＭｎ’Ｚｎフェライト、９２を飽和磁
束密度１．ＯＴ膜厚２μｍのＣ０−Ｚｒ−Ｎｂ、９３を
飽和磁束密度１．８５ ＴのＦｅ−’［ｌｉ−Ｃｒと、
膜厚０．００５μｎｌのＣＯとをぞれぞれ５層積層した
、実効飽和磁束密度１．８Ｔの積層膜とし、９４を膜厚
２．５μｍのＡｔ２０３．９５を膜厚４μｍの５１０２
．９６を（、ｕコイルとしたヘッドとで垂直磁気記録用
の媒体に対して６己録再生した場合の特性を、第１２図
にそれぞれ１２１゜１２２として示す。第９図の構造で
、特に９２゜９３部を共に実効飽和磁束密度１．６Ｔの
上記積層膜とした場合の特性も同図に１２３として示す
が、本発明のヘッドの特性が医れているのが分かる。
Ｃ基板、８２を膜厚０．２μｍＸμｍＸ飽和度ＩＴの
Ｎｉ−Ｆｅと膜厚０．００５μｍのＳｉＯ２とをそｎぞ
れ１０層積層した、実効飽和磁束密度ＩＴの多層膜、８
３を膜厚０．０５μｍ、飽オロ磁束密度１．９ ＴのＦ
ｅ Ｓ Ｉ Ｒ＋ ｕと、膜厚０．００５μｍのＮｉ−
Ｆｅとをそれぞれ４層積層した、実効飽和磁束密ｌｆ
１．８ Ｔの積ｌ１ｌＩ？膜とし、８４を膜厚３μｍの
８１０２．８５を膜厚４μｍのＰＩＱ０８６をＡ７コイ
ル、８７は膜厚２０μｒｒｔＸ飽和磁束密度１．１Ｔの
ＣＯ−Ｚ ｒ −Ｍ Ｏとしたヘッドと、第９図に示し
た構造で、９１をＭｎ’Ｚｎフェライト、９２を飽和磁
束密度１．ＯＴ膜厚２μｍのＣ０−Ｚｒ−Ｎｂ、９３を
飽和磁束密度１．８５ ＴのＦｅ−’［ｌｉ−Ｃｒと、
膜厚０．００５μｎｌのＣＯとをぞれぞれ５層積層した
、実効飽和磁束密度１．８Ｔの積層膜とし、９４を膜厚
２．５μｍのＡｔ２０３．９５を膜厚４μｍの５１０２
．９６を（、ｕコイルとしたヘッドとで垂直磁気記録用
の媒体に対して６己録再生した場合の特性を、第１２図
にそれぞれ１２１゜１２２として示す。第９図の構造で
、特に９２゜９３部を共に実効飽和磁束密度１．６Ｔの
上記積層膜とした場合の特性も同図に１２３として示す
が、本発明のヘッドの特性が医れているのが分かる。
しかも同じ飽和磁束密度であｎば、主磁極部の畏打ち部
（８２）も多層化した方が特性が良い。
（８２）も多層化した方が特性が良い。
また、第１０図に示した構造で、１０１をＮｉ−Ｚｎフ
ェライト、１０２を膜厚１．５８ｍ１飽相磁束密度０．
９ＴのＦｅ−Ａｔ−８ｉ、１０３を飽和磁化１．４Ｔ、
膜厚０．２５ ｔｔ ｍのｃｏ −Ｎｉ −Ｚｒ、１０
４を高さ７μｍの１３ａＴＩＯ３，１０６をコイルとし
たヘッドと、第１１図に示したｆＡ （Ｍで、１１１．
１１１’ をＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト、１１２を膜
厚０．１μｍ、飽和磁束密度１．１Ｔのｃｏ−ｚｒ−Ｗ
と、膜厚０．０１μｍのＡｔ２０３とをそれぞれ２５層
積層した、実効飽和磁束密度１．ＯＴの多層１ｉ〆、１
１３をＪ膜厚０．２５μｍ１飽和磁束密度１．２ＴのＣ
ｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜、１１４，１１４’を高さ１０μｍの
非磁性フェライト、１１５をガラス、１１６をコイルと
したヘッドとで垂直磁気記録用の媒体に対して記録再生
を行なった場合の特性を、それぞれ第１３図の１３２，
１３１に示す。同図には、第１０図の＋４ｔＩ造で、１
０２，１０３を共に飽和磁化０．９’ＴのＦｅ−ＡＡ−
８ｔとした時の特性も示すが、この場合も本発明の構造
の場合に特性が特にぼれていることが分かる。
ェライト、１０２を膜厚１．５８ｍ１飽相磁束密度０．
９ＴのＦｅ−Ａｔ−８ｉ、１０３を飽和磁化１．４Ｔ、
膜厚０．２５ ｔｔ ｍのｃｏ −Ｎｉ −Ｚｒ、１０
４を高さ７μｍの１３ａＴＩＯ３，１０６をコイルとし
たヘッドと、第１１図に示したｆＡ （Ｍで、１１１．
１１１’ をＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト、１１２を膜
厚０．１μｍ、飽和磁束密度１．１Ｔのｃｏ−ｚｒ−Ｗ
と、膜厚０．０１μｍのＡｔ２０３とをそれぞれ２５層
積層した、実効飽和磁束密度１．ＯＴの多層１ｉ〆、１
１３をＪ膜厚０．２５μｍ１飽和磁束密度１．２ＴのＣ
ｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜、１１４，１１４’を高さ１０μｍの
非磁性フェライト、１１５をガラス、１１６をコイルと
したヘッドとで垂直磁気記録用の媒体に対して記録再生
を行なった場合の特性を、それぞれ第１３図の１３２，
１３１に示す。同図には、第１０図の＋４ｔＩ造で、１
０２，１０３を共に飽和磁化０．９’ＴのＦｅ−ＡＡ−
８ｔとした時の特性も示すが、この場合も本発明の構造
の場合に特性が特にぼれていることが分かる。
以上のように主磁極を多層構造とし、先端部を高飽和磁
束密度材のみで形成することで確かに憂れた特性が得ら
れることが確認されたが、主磁極部の膜厚を０．２５μ
ｍよりも大きくすると、上記効果は顕著には認められな
かった。
束密度材のみで形成することで確かに憂れた特性が得ら
れることが確認されたが、主磁極部の膜厚を０．２５μ
ｍよりも大きくすると、上記効果は顕著には認められな
かった。
第１４図には別の実施例を示す。１４１ 、１４１’は
非磁性フェライトなどの非磁性基板、１４２゜１４２′
は磁性薄膜、１４３，１４３’はそれらよシもさらに飽
和磁束密度の高い磁曲薄膜、１４４゜１４４′はギャッ
プ形成層、１４５はガラスなどの補強材、１４６はコイ
ルである。１４１，１４１’を非磁性フェライト、１４
２，１４２’ を飽オロ磁束密度Ｏ１９′１１、膜厚２
（１μｍのＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ非晶質磁性膜、１４３，１
４３’を膜厚０．１μｍ１飽和磁束摺度１．２ＴのＣｏ
−Ｚｒ−Ｗと、膜厚ｏ、ｏｏ５μｍの８１０２とを３０
〕ｖｉ 積層した多層膜を、さらに膜厚０．０２μｍ
の５ｊＣｈを介して１０層積層した実効飽和磁束密度１
．１５ Ｔの磁性膜、１４４゜１４４′を会計膜厚が０
．２５ μｍの８１０２層、１４５を充填ガラス、１４
６を３０μｍφのＣ１１巻線としたヘッドと、第８図に
示した構造で、前記の場合とは８２，８３．８４部だけ
を変え、８２部を）峙厚０．１μｍ１飽和磁束密度ＩＴ
のＦｅ−Ｎｉと膜厚０．００３μｍの８１０２とをそれ
ぞれ２０層積層した実効飽和磁束密度０．９５ Ｔの＋
層膜、８３を膜厚１μｍ１飽和低束密朋１．ＩＴの’Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂと、膜厚０．００５μｍの５Ｉ０２とを
各１０層積層した実効飽和磁束密度１．１Ｔの多Ｊｄｔ
ｌｊｌ、８４ ’、（ｉｌｌ厚０．２５μｍのＳｉＯ２
層としたヘッドで、面内記録媒体に記録再生した場合の
特性を第１５図にそれぞれ１５１，１５２として示す。
非磁性フェライトなどの非磁性基板、１４２゜１４２′
は磁性薄膜、１４３，１４３’はそれらよシもさらに飽
和磁束密度の高い磁曲薄膜、１４４゜１４４′はギャッ
プ形成層、１４５はガラスなどの補強材、１４６はコイ
ルである。１４１，１４１’を非磁性フェライト、１４
２，１４２’ を飽オロ磁束密度Ｏ１９′１１、膜厚２
（１μｍのＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ非晶質磁性膜、１４３，１
４３’を膜厚０．１μｍ１飽和磁束摺度１．２ＴのＣｏ
−Ｚｒ−Ｗと、膜厚ｏ、ｏｏ５μｍの８１０２とを３０
〕ｖｉ 積層した多層膜を、さらに膜厚０．０２μｍ
の５ｊＣｈを介して１０層積層した実効飽和磁束密度１
．１５ Ｔの磁性膜、１４４゜１４４′を会計膜厚が０
．２５ μｍの８１０２層、１４５を充填ガラス、１４
６を３０μｍφのＣ１１巻線としたヘッドと、第８図に
示した構造で、前記の場合とは８２，８３．８４部だけ
を変え、８２部を）峙厚０．１μｍ１飽和磁束密度ＩＴ
のＦｅ−Ｎｉと膜厚０．００３μｍの８１０２とをそれ
ぞれ２０層積層した実効飽和磁束密度０．９５ Ｔの＋
層膜、８３を膜厚１μｍ１飽和低束密朋１．ＩＴの’Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂと、膜厚０．００５μｍの５Ｉ０２とを
各１０層積層した実効飽和磁束密度１．１Ｔの多Ｊｄｔ
ｌｊｌ、８４ ’、（ｉｌｌ厚０．２５μｍのＳｉＯ２
層としたヘッドで、面内記録媒体に記録再生した場合の
特性を第１５図にそれぞれ１５１，１５２として示す。
同図に、第１４図の石造で１４２，１４３．！４２’。
１４３′共にＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ非晶質磁性材料とした場
合の従来型ヘッドの特性を示すが、不発明のヘッドの方
が面内記録の場合にも筺れた特性が倚ら扛ていることが
分かる。なお磁極部８３の膜厚を０．５μｍよシも小さ
いヘッドの特性も評価したが、第１５図の１５３程度以
下の特性しか得られなかった。
合の従来型ヘッドの特性を示すが、不発明のヘッドの方
が面内記録の場合にも筺れた特性が倚ら扛ていることが
分かる。なお磁極部８３の膜厚を０．５μｍよシも小さ
いヘッドの特性も評価したが、第１５図の１５３程度以
下の特性しか得られなかった。
以上のとお９本発明によれば充分な記録磁界う蚤度が１
４られ、しかも再生特性も浸れた磁気ヘッドが得らｎ非
常に大きな工業的両値を有する。
４られ、しかも再生特性も浸れた磁気ヘッドが得らｎ非
常に大きな工業的両値を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来型磁１シの断面図及び
その磁区、１４盾、第２図ないしｇ４図は本発明の磁極
１唱私第５図は不発明のイ丑施谷部での磁化曲ｒｍ 、
第６゜第７図は従来の（ａ憧購遺の谷部での（磁化曲線
、第８図〜第１１図、第１４図、第１５図は本発明のヘ
ッド断面、１偉〕萱、第１２図、第１３図は垂直イ改気
記録媒体に対する特性、第１５図は面内磁気記録媒体に
対する特性である。 ２２．３２，４２，８２，９２，１０２，１１２゜１４
２．１４２’・・・強磁性薄膜、２３，３３゜４３．８
３．．９３，１０３，１１３，１４３゜１４３／はそれ
らよシも飽和磁束の扁い強磁性薄膜、１１，２１，３１
，４１，８１，１０４゜１４１．１４１’・・・非斃性
糸板、９１，１０１゜１１１．１１１’・・・磁性基板
、５．１，５２，６１゜６２．７１．７２・・・磁極各
部での磁化曲線、８６ 。 ９６．１０６．．１１６，１４６・・・コイル、８４゜
８５．９４，９５，１１４，１１４’ 、１１５・・・
非磁性部、８７・・・磁極、１２１，１２２，１３１゜
１３２．１５２，１５．１・・・本発明の特性、１２３
゜１３３．１５３・・・従来ヘッドの特性。 第 ／ 口 第２ 図 第３１ｙＩ 第 ８ 口 第 ７０ 口 第 ／／ 図 第 ／２ ｔＤ 詫斜７娶Ｄ （ｒ？８Ｐす ｔ°乙鈍５χξ（し 入（ｌ勿、） 第１頁の続き ＠発明者品川 公成 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
その磁区、１４盾、第２図ないしｇ４図は本発明の磁極
１唱私第５図は不発明のイ丑施谷部での磁化曲ｒｍ 、
第６゜第７図は従来の（ａ憧購遺の谷部での（磁化曲線
、第８図〜第１１図、第１４図、第１５図は本発明のヘ
ッド断面、１偉〕萱、第１２図、第１３図は垂直イ改気
記録媒体に対する特性、第１５図は面内磁気記録媒体に
対する特性である。 ２２．３２，４２，８２，９２，１０２，１１２゜１４
２．１４２’・・・強磁性薄膜、２３，３３゜４３．８
３．．９３，１０３，１１３，１４３゜１４３／はそれ
らよシも飽和磁束の扁い強磁性薄膜、１１，２１，３１
，４１，８１，１０４゜１４１．１４１’・・・非斃性
糸板、９１，１０１゜１１１．１１１’・・・磁性基板
、５．１，５２，６１゜６２．７１．７２・・・磁極各
部での磁化曲線、８６ 。 ９６．１０６．．１１６，１４６・・・コイル、８４゜
８５．９４，９５，１１４，１１４’ 、１１５・・・
非磁性部、８７・・・磁極、１２１，１２２，１３１゜
１３２．１５２，１５．１・・・本発明の特性、１２３
゜１３３．１５３・・・従来ヘッドの特性。 第 ／ 口 第２ 図 第３１ｙＩ 第 ８ 口 第 ７０ 口 第 ／／ 図 第 ／２ ｔＤ 詫斜７娶Ｄ （ｒ？８Ｐす ｔ°乙鈍５χξ（し 入（ｌ勿、） 第１頁の続き ＠発明者品川 公成 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 少なくとも２橿向の磁性材料から形成され、媒体
対向面側では実効的な飽和磁束密〆の最も１偽い磁性体
部のみから成る磁極を少なくとも１つ有することを特徴
とする磁気ヘッド。 ２、核高飽和磁束蓋度部の膜厚が０，２５μｍ以下であ
ることを特徴とする特許請求のＩＶα囲第１項記載の垂
直磁気記録用磁気ヘッド。 ３、該高飽和磁束密度部の膜厚が０．５μｍ以上でちる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の面内記隊
用磁気ヘッド。 ４、該高飽第１］磁束密度部が、多層磁性膜から形成５
、少なくとも２種類の磁性材料のいずれも多層磁性膜か
ら形成されていることを特徴とする時計請求の範囲第１
項、第２項、第３項、第４項。 又は第５項記載め磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323483A JPS6057511A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323483A JPS6057511A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057511A true JPS6057511A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15769878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16323483A Pending JPS6057511A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0168825A2 (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-22 | Sony Corporation | Magnetic alloy thin film |
| US4840845A (en) * | 1986-06-06 | 1989-06-20 | Nec Corporation | Magnetic recording medium having perpendicular magnetic anisotropy |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619513A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head for vertical recording |
| JPS5625219A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic head |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16323483A patent/JPS6057511A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619513A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head for vertical recording |
| JPS5625219A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0168825A2 (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-22 | Sony Corporation | Magnetic alloy thin film |
| US4840845A (en) * | 1986-06-06 | 1989-06-20 | Nec Corporation | Magnetic recording medium having perpendicular magnetic anisotropy |
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