JPH01276606A - 多層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘツド - Google Patents
多層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH01276606A JPH01276606A JP10394688A JP10394688A JPH01276606A JP H01276606 A JPH01276606 A JP H01276606A JP 10394688 A JP10394688 A JP 10394688A JP 10394688 A JP10394688 A JP 10394688A JP H01276606 A JPH01276606 A JP H01276606A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド用材料に適した、高飽和磁束密度で
高透磁率の磁性材料、及び、それを用いた磁気ヘッドに
関する。
高透磁率の磁性材料、及び、それを用いた磁気ヘッドに
関する。
磁気ヘッド用磁性材料は透磁率が高いことが要求される
。近年の磁気記録密度の向上に伴い、磁気ヘッド用磁性
材料は飽和磁束密度が高いことも必要になってきた。一
般に、高飽和磁束密度の材料は透磁率が低く、高透磁率
の材料は飽和磁束密度材料が低い傾向にあり、どちらも
磁気ヘッド材料として不満足なものであった。高飽和磁
束密度材料の透磁率を上げる方法は、特開昭６０−１３
２３０５号公報に記載のように、高飽和磁束密度磁性膜
と他の軟磁性膜を交互に積層していたが、磁気ヘッドに
形成した時の磁区構造が考慮されていなかった。
。近年の磁気記録密度の向上に伴い、磁気ヘッド用磁性
材料は飽和磁束密度が高いことも必要になってきた。一
般に、高飽和磁束密度の材料は透磁率が低く、高透磁率
の材料は飽和磁束密度材料が低い傾向にあり、どちらも
磁気ヘッド材料として不満足なものであった。高飽和磁
束密度材料の透磁率を上げる方法は、特開昭６０−１３
２３０５号公報に記載のように、高飽和磁束密度磁性膜
と他の軟磁性膜を交互に積層していたが、磁気ヘッドに
形成した時の磁区構造が考慮されていなかった。
上記従来技術はべた膜時の特性しか考慮されておらず、
磁気コア形状では磁区構造の寄与が大きくなり、高周波
透磁率が低下する問題があった。
磁気コア形状では磁区構造の寄与が大きくなり、高周波
透磁率が低下する問題があった。
多層膜でも磁性材料のみの膜は、磁気コア形状で還流磁
区構造となる。還流磁区構造の磁化過程は磁化回転と磁
壁の移動によるが、磁壁移動は高周波応答が遅い、この
ため、磁気コアの形状で高周波透磁率が低下する。
区構造となる。還流磁区構造の磁化過程は磁化回転と磁
壁の移動によるが、磁壁移動は高周波応答が遅い、この
ため、磁気コアの形状で高周波透磁率が低下する。
本発明の目的は、磁気コア形状でも薄膜磁気ヘッドの書
込磁界を強くし、Ｓ／Ｎ比を上げた高透磁率の高飽和磁
束密度材料を提供することにある。
込磁界を強くし、Ｓ／Ｎ比を上げた高透磁率の高飽和磁
束密度材料を提供することにある。
上記目的の磁性膜は、高飽和磁束密度材料と高透磁率材
料を交互に積層する際、各層間に非磁性層を形成するこ
とにより得られる。目的の薄膜磁気ヘッドは、磁性膜を
用いることにより得られる。
料を交互に積層する際、各層間に非磁性層を形成するこ
とにより得られる。目的の薄膜磁気ヘッドは、磁性膜を
用いることにより得られる。
飽和磁束密度は、高飽和磁束密度膜を主として、べた膜
時の透磁率は、高透磁率膜を主として、それぞれ、高く
なる。磁性膜間に非磁性層があるため、各磁性膜は端部
で磁気結合し、各磁性膜は単磁区構造となる。単磁区構
造の磁化過程は、磁化回転だけであり磁壁移動を伴わな
いため、磁気コア形状でも高周波透磁率は低下しない。
時の透磁率は、高透磁率膜を主として、それぞれ、高く
なる。磁性膜間に非磁性層があるため、各磁性膜は端部
で磁気結合し、各磁性膜は単磁区構造となる。単磁区構
造の磁化過程は、磁化回転だけであり磁壁移動を伴わな
いため、磁気コア形状でも高周波透磁率は低下しない。
以下、本発明の一実施例を説明する。図に多層膜の構造
を示す。多層膜は、基板４上に形成された、高飽和磁束
密度磁性膜（Ｆｅ−Ｎ）１．高透磁率磁性膜（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）２、及び、非磁性膜（ＡＱｚＯａ）３から構成され
る。非磁性膜の膜厚が２〜５０ｎｍ、磁性膜１、及び、
２の膜厚が２μｍ以下で単磁区構造となった。本発明は
、この様な結果から膜厚を制限した。磁性膜１の膜厚が
０．１μｍ、磁性膜２の膜厚が０．１μｍ、非磁性膜３
の膜厚がｌｏｎｍ、磁性膜の層数がそれぞれ六層の膜は
、高飽和磁束密度（１，６Ｔ）、低保磁力（０，４０ｅ
）を示した。単層膜では膜厚が０．６μｍのＦｅ−Ｎの
飽和磁束密度は２．３Ｔ、保磁力は２０ｅである。膜厚
が０．６ μｍのＦｅ−Ｎｉの飽和磁束密度はＩＴ、
保磁力は０．３０ｅである６多層膜とすることにより保
磁力が減少したのは、Ｆｅ−Ｎの柱状結晶が非磁性層に
より切断されるためと考えられる。次に、１ｏ×１００
μｍの矩形にパターニングした際の高周波透磁率（２０
ＭＨｚ）を較べると、非磁性膜を介在させた多層膜の方
が５０％大きい。六層磁性膜を上下磁性膜に用いたトラ
ック幅１５μｍの薄膜磁気ヘッドは、パーマロイ単層を
用いた薄膜磁気ヘッドと比較して、周波数１０ Ｍ Ｈ
ｚ時にはＳ／Ｎ比が４０％。
を示す。多層膜は、基板４上に形成された、高飽和磁束
密度磁性膜（Ｆｅ−Ｎ）１．高透磁率磁性膜（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）２、及び、非磁性膜（ＡＱｚＯａ）３から構成され
る。非磁性膜の膜厚が２〜５０ｎｍ、磁性膜１、及び、
２の膜厚が２μｍ以下で単磁区構造となった。本発明は
、この様な結果から膜厚を制限した。磁性膜１の膜厚が
０．１μｍ、磁性膜２の膜厚が０．１μｍ、非磁性膜３
の膜厚がｌｏｎｍ、磁性膜の層数がそれぞれ六層の膜は
、高飽和磁束密度（１，６Ｔ）、低保磁力（０，４０ｅ
）を示した。単層膜では膜厚が０．６μｍのＦｅ−Ｎの
飽和磁束密度は２．３Ｔ、保磁力は２０ｅである。膜厚
が０．６ μｍのＦｅ−Ｎｉの飽和磁束密度はＩＴ、
保磁力は０．３０ｅである６多層膜とすることにより保
磁力が減少したのは、Ｆｅ−Ｎの柱状結晶が非磁性層に
より切断されるためと考えられる。次に、１ｏ×１００
μｍの矩形にパターニングした際の高周波透磁率（２０
ＭＨｚ）を較べると、非磁性膜を介在させた多層膜の方
が５０％大きい。六層磁性膜を上下磁性膜に用いたトラ
ック幅１５μｍの薄膜磁気ヘッドは、パーマロイ単層を
用いた薄膜磁気ヘッドと比較して、周波数１０ Ｍ Ｈ
ｚ時にはＳ／Ｎ比が４０％。
２０ Ｍ Ｈｚ時には６ｏ％向上した。トラック幅が１
０μｍの薄膜磁気ヘッドで比較すると、周波数１０ＭＨ
ｚ時にはＳ／Ｎ比が５０％、２０ＭＨｚ時には７０％向
上し、本実施例によれば薄膜磁気ヘッドのトラック幅が
狭くなった時に効果が著しく、薄膜磁気ヘッドの狭トラ
ツク化に有効である。
０μｍの薄膜磁気ヘッドで比較すると、周波数１０ＭＨ
ｚ時にはＳ／Ｎ比が５０％、２０ＭＨｚ時には７０％向
上し、本実施例によれば薄膜磁気ヘッドのトラック幅が
狭くなった時に効果が著しく、薄膜磁気ヘッドの狭トラ
ツク化に有効である。
本発明によれば、従来の磁性材料を用いて、飽和磁束密
度・透磁率の共に比較的高い磁性膜が得られる。また、
単磁区構造となるため、パターン形成による透磁率の低
下が小さい。
度・透磁率の共に比較的高い磁性膜が得られる。また、
単磁区構造となるため、パターン形成による透磁率の低
下が小さい。
図は、本発明の一実施例の多層膜の断面図である。
１・・・高飽和磁束密度磁性膜、２・・・高透磁率磁性
膜、３・・・非磁性膜、４・・・基板。
膜、３・・・非磁性膜、４・・・基板。
Claims (11)
- １．一種類以上の飽和磁束密度１Ｔ以上の高飽和磁束密
度材料と、一種類以上の透磁率１０００以上の高透磁率
磁性材料を非磁性膜を中間に介在して、交互に積層した
ことを特徴とする多層磁性膜。 - ２．前記高飽和磁束密度材料は、Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇ
ｅ，Ｆｅ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｏ−
Ｆｅ，Ｃｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａを主成分と
する合金から選ばれた一種類以上の材料であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜。 - ３．前記高透磁率磁性材料は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｆｅを主成分とする合金
、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒを主成分とする合金から選ばれた一
種類以上の材料であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多層磁性膜。 - ４．前記非磁性膜は高融点非磁性金属材料であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜。 - ５．前記非磁性膜は、Ｔｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｐｔから
選ばれた材料であることを特徴とする 特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜。 - ６．前記非磁性膜は、非磁性絶縁物であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜。 - ７．前記非磁性膜は、ＳｉＮ，ＳｉＯ＿２，Ａｌ＿２Ｏ
＿３，ＴｉＣ，Ｙ＿２Ｏ＿３から選ばれた材料であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜
。 - ８．前記高飽和磁束密度磁性膜と前記高透磁率磁性膜の
磁化容易軸が同一方向であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の多層磁性膜。 - ９．前記非磁性膜の膜厚が２〜５０ｎｍであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜。 - １０．前記高飽和磁束密度材料を前記高透磁率材料の一
層の膜厚がそれぞれ２μｍ以下であることを特徴とする
特許請求範囲第１項記載の多層磁性膜。 - １１．下部磁性膜と、下部磁性膜上に絶縁膜を介して形
成され、一端は下部磁性膜に磁気ギャップを介して対向
し、他端は下部磁性膜に連らなり下部磁性膜と共に途中
にギャップを有する磁気回路を構成する上部磁性膜と、
下部及び上部磁性膜間に形成された導体膜からなる巻線
とを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜又は前記下部磁性膜の一部に、特許請求
の範囲第１項ないし第１０項記載の多層磁性膜を用いる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10394688A JPH01276606A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 多層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10394688A JPH01276606A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 多層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276606A true JPH01276606A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14367605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10394688A Pending JPH01276606A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 多層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276606A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496335B2 (en) | 2000-11-29 | 2002-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head shield structure having high magnetic stability |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10394688A patent/JPH01276606A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496335B2 (en) | 2000-11-29 | 2002-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head shield structure having high magnetic stability |
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