JPH0622050B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0622050B2 JPH0622050B2 JP59270037A JP27003784A JPH0622050B2 JP H0622050 B2 JPH0622050 B2 JP H0622050B2 JP 59270037 A JP59270037 A JP 59270037A JP 27003784 A JP27003784 A JP 27003784A JP H0622050 B2 JPH0622050 B2 JP H0622050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- thin film
- magnetic head
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘツドに関する。
従来の薄膜磁気ヘツドにおいては、トラツク幅の規制を
上部磁性膜又は下部磁性膜のパターニングにより行つて
いた。その具体例を第５図〜第７図に示す。第５図に示
す薄膜磁気ヘツド(1)は、非磁性基板(6)上の全面に下部
磁性膜(5)を形成し、この下部磁性膜(5)上にSiO2膜等の
絶縁膜よりなるスペーサを介して形成した上部磁性膜
(2)によりトラツク幅Ｔの規制を行うようにした例であ
る。第５図中ｇはギヤツプ、(3)は巻線導体、(4)は層間
絶縁膜である。第６図に示す薄膜磁気ヘッド(7)は、非
磁性基板(6)上の下部磁性膜(5)をパターニングし、この
下部磁性膜(5)でトラツク幅Ｔの規制を行うようにした
例である。(10)は非磁性膜である。第７図に示す薄膜磁
気ヘツド(8)は、共通の磁性基板(9)上の上部磁性膜(2)
でトラツク幅Ｔの規制を行なうようにした例である。
上部磁性膜又は下部磁性膜のパターニングにより行つて
いた。その具体例を第５図〜第７図に示す。第５図に示
す薄膜磁気ヘツド(1)は、非磁性基板(6)上の全面に下部
磁性膜(5)を形成し、この下部磁性膜(5)上にSiO2膜等の
絶縁膜よりなるスペーサを介して形成した上部磁性膜
(2)によりトラツク幅Ｔの規制を行うようにした例であ
る。第５図中ｇはギヤツプ、(3)は巻線導体、(4)は層間
絶縁膜である。第６図に示す薄膜磁気ヘッド(7)は、非
磁性基板(6)上の下部磁性膜(5)をパターニングし、この
下部磁性膜(5)でトラツク幅Ｔの規制を行うようにした
例である。(10)は非磁性膜である。第７図に示す薄膜磁
気ヘツド(8)は、共通の磁性基板(9)上の上部磁性膜(2)
でトラツク幅Ｔの規制を行なうようにした例である。
従来の構造に係る薄膜磁気ヘツドにおいては、デプス上
の薄膜コアの幅は、トラツク幅が一定であるため、デプ
スの深さがコア厚よりも大きくなると巻線部のコアの飽
和により、ギヤツプ中磁界が急激に小さくなるという問
題点がある。第４図の曲線Ａは、第５図〜第７図に示す
上部磁性膜(2)及びパターニングされた下部磁性膜(5)で
トラツク幅Ｔを規制するようにした磁気ヘツド(1)，
(7)，(8)について、デプス深さに対するギヤツプ中磁界
の変化を測定した結果を示す。薄膜磁気ヘツドを高抗磁
力記録媒体に対して飽和記録可能な状態で長寿命化させ
るためには、デプス深さを大きくする必要がある。とこ
ろが、従来の構造によりトラツク幅の規制を行う限り、
そのギヤツプ中磁界は、トラツク幅の規制を行なう磁気
コアの厚みで制限される。また、デプス深さを大きくす
るためにコアの厚みを大きくすると、薄膜のエツチング
精度、スパツタ時間の長時間化等の問題が生ずる。
の薄膜コアの幅は、トラツク幅が一定であるため、デプ
スの深さがコア厚よりも大きくなると巻線部のコアの飽
和により、ギヤツプ中磁界が急激に小さくなるという問
題点がある。第４図の曲線Ａは、第５図〜第７図に示す
上部磁性膜(2)及びパターニングされた下部磁性膜(5)で
トラツク幅Ｔを規制するようにした磁気ヘツド(1)，
(7)，(8)について、デプス深さに対するギヤツプ中磁界
の変化を測定した結果を示す。薄膜磁気ヘツドを高抗磁
力記録媒体に対して飽和記録可能な状態で長寿命化させ
るためには、デプス深さを大きくする必要がある。とこ
ろが、従来の構造によりトラツク幅の規制を行う限り、
そのギヤツプ中磁界は、トラツク幅の規制を行なう磁気
コアの厚みで制限される。また、デプス深さを大きくす
るためにコアの厚みを大きくすると、薄膜のエツチング
精度、スパツタ時間の長時間化等の問題が生ずる。
本発明は、特にヘツドコアの飽和をなくし、デプスの長
大化を可能とする薄膜磁気ヘツドを提供するものであ
る。
大化を可能とする薄膜磁気ヘツドを提供するものであ
る。
本発明においては、磁性基板にトラック幅を規制するた
めの１対の溝を形成するとともに、この溝内に非磁性材
を充填し、この磁性基板上に絶縁膜と巻線導体を介して
トラック幅より大きいコア幅を有する上部磁性膜を１対
の溝にまたがって形成することにより本薄膜磁気ヘッド
を構成する。
めの１対の溝を形成するとともに、この溝内に非磁性材
を充填し、この磁性基板上に絶縁膜と巻線導体を介して
トラック幅より大きいコア幅を有する上部磁性膜を１対
の溝にまたがって形成することにより本薄膜磁気ヘッド
を構成する。
磁性基板における非磁性材が充填された溝によりトラツ
ク幅の規制を行うようにし、上部磁性膜のコア幅をトラ
ツク幅より大きくしたことにより、薄膜磁気コアの飽和
をなくすことができる。
ク幅の規制を行うようにし、上部磁性膜のコア幅をトラ
ツク幅より大きくしたことにより、薄膜磁気コアの飽和
をなくすことができる。
本発明の第１の実施例を第１図に示す。この実施例で
は、Ni−Zn フエライト、Mn−Znフエライト等より成る
磁性基板(11)に断面が略半円形状の溝(12)を、その間の
間隔がトラツクＴとなるように１対形成し、この両溝(1
2)内に非磁性材(13)を充填する。この非磁性材(13)とし
ては、ガラス、SiO2のような絶縁材と金属との複合体等
を使用することができる。そして、この磁性基板(11)上
にSiO2等の絶縁膜と巻線導体(14)とSiO2の層間絶縁膜(1
5)を形成した後、両溝(12)の非磁性材(13)に跨るよう
に、例えばセンダストよりなる上部磁性膜(16)を形成す
ることにより、本薄膜磁気ヘツド(17)を構成する。この
薄膜磁気ヘツド(17)では、上部磁性膜(16)はデプス部の
上部においてトラツク幅Ｔより大きいコア幅を有する。
なお、この薄膜磁気ヘツド(17)は、抗磁力Hcの比較的低
い磁気記録媒体（約600 Oe）に対応させたものである。
は、Ni−Zn フエライト、Mn−Znフエライト等より成る
磁性基板(11)に断面が略半円形状の溝(12)を、その間の
間隔がトラツクＴとなるように１対形成し、この両溝(1
2)内に非磁性材(13)を充填する。この非磁性材(13)とし
ては、ガラス、SiO2のような絶縁材と金属との複合体等
を使用することができる。そして、この磁性基板(11)上
にSiO2等の絶縁膜と巻線導体(14)とSiO2の層間絶縁膜(1
5)を形成した後、両溝(12)の非磁性材(13)に跨るよう
に、例えばセンダストよりなる上部磁性膜(16)を形成す
ることにより、本薄膜磁気ヘツド(17)を構成する。この
薄膜磁気ヘツド(17)では、上部磁性膜(16)はデプス部の
上部においてトラツク幅Ｔより大きいコア幅を有する。
なお、この薄膜磁気ヘツド(17)は、抗磁力Hcの比較的低
い磁気記録媒体（約600 Oe）に対応させたものである。
第２図に示す第２の実施例では、先ず、磁性基板(11)上
にセンダストのような高飽和磁束密度Bsの材料より成る
下部磁性膜(18)を形成し、次に断面が略半円形状の溝(1
2)を１対その間隔がトラツク幅Ｔとなるように形成し、
この両溝(12)内に非磁性材(13)を充填する。磁性基板(1
1)と非磁性材(13)の材料は、上記実施例と同じである。
そして、この磁性基板(11)上に上記実施例と同様に、絶
縁膜、巻線導体(14)、層間絶縁膜(15)及び上部磁性膜(1
6)を形成することにより、本薄膜磁気ヘツド(19)を構成
する。なお、この薄膜磁気ヘツド(19)は、抗磁力Hcの大
きい磁気記録媒体（約1200 Oe）に対応させたものであ
る。
にセンダストのような高飽和磁束密度Bsの材料より成る
下部磁性膜(18)を形成し、次に断面が略半円形状の溝(1
2)を１対その間隔がトラツク幅Ｔとなるように形成し、
この両溝(12)内に非磁性材(13)を充填する。磁性基板(1
1)と非磁性材(13)の材料は、上記実施例と同じである。
そして、この磁性基板(11)上に上記実施例と同様に、絶
縁膜、巻線導体(14)、層間絶縁膜(15)及び上部磁性膜(1
6)を形成することにより、本薄膜磁気ヘツド(19)を構成
する。なお、この薄膜磁気ヘツド(19)は、抗磁力Hcの大
きい磁気記録媒体（約1200 Oe）に対応させたものであ
る。
第３図に示す第３の実施例では、先ず磁性基板(11)に断
面が略半円形状の溝(20)を１対形成した後、この両溝(2
0)内も含めて磁性基板(11)上に高飽和磁束密度Bsの材料
（例えばセンダスト）より成る下部磁性膜(18)を形成す
る。この際、下部磁性膜(18)の形成により新たに出来た
両溝(21)の間隔は、所望のトラツク幅Ｔとなるようにす
る。次に、この両溝(21)内に非磁性材(13)を充填する。
磁性基板(11)と非磁性材(13)の材料は、第１の実施例と
同じである。そして、この磁性基板(11)上に第１の実施
例と同様に絶縁膜、巻線導体(14)、層間絶縁膜(15)及び
上部磁性膜(16)を形成することにより、本薄膜磁気ヘツ
ド(22)を構成する。この薄膜磁気ヘツド(22)は、抗磁力
Hcの大きい磁気記録媒体（約1200 Oe）に対応させたも
のである。
面が略半円形状の溝(20)を１対形成した後、この両溝(2
0)内も含めて磁性基板(11)上に高飽和磁束密度Bsの材料
（例えばセンダスト）より成る下部磁性膜(18)を形成す
る。この際、下部磁性膜(18)の形成により新たに出来た
両溝(21)の間隔は、所望のトラツク幅Ｔとなるようにす
る。次に、この両溝(21)内に非磁性材(13)を充填する。
磁性基板(11)と非磁性材(13)の材料は、第１の実施例と
同じである。そして、この磁性基板(11)上に第１の実施
例と同様に絶縁膜、巻線導体(14)、層間絶縁膜(15)及び
上部磁性膜(16)を形成することにより、本薄膜磁気ヘツ
ド(22)を構成する。この薄膜磁気ヘツド(22)は、抗磁力
Hcの大きい磁気記録媒体（約1200 Oe）に対応させたも
のである。
なお、上記実施例において、下部磁性膜(18)、巻線導体
(14)、上部磁性膜(16)等は、スパツタリングで形成する
ことができる。また、高飽和磁束密度の材料として、セ
ンダスト（Fe−Al−Si）の他に例えば（Fe Co Ni）(Si
B)系又は（Fe Co Ni）（Zr Nb Ta）系のアモルフアス材
料を使用することができる。
(14)、上部磁性膜(16)等は、スパツタリングで形成する
ことができる。また、高飽和磁束密度の材料として、セ
ンダスト（Fe−Al−Si）の他に例えば（Fe Co Ni）(Si
B)系又は（Fe Co Ni）（Zr Nb Ta）系のアモルフアス材
料を使用することができる。
第４図の曲線Ｂに、本発明に係る薄膜磁気ヘツドについ
てテプス深さに対するギヤツプ中磁界の変化を測定した
結果を示す。このグラフから、本薄膜磁気ヘツドによれ
ば、磁性基板(11)を用いると共に、基板側の溝でトラツ
ク幅を規制し、上部磁性膜(16)のコア幅をトラツク幅よ
り大に形成したことにより、デプス深さが上部磁性膜(1
6)のコア厚よりも大であつても、ヘツドコアの飽和が生
ぜず、ギヤツプ中磁界の急激な減少も生じなくなること
がわかる。
てテプス深さに対するギヤツプ中磁界の変化を測定した
結果を示す。このグラフから、本薄膜磁気ヘツドによれ
ば、磁性基板(11)を用いると共に、基板側の溝でトラツ
ク幅を規制し、上部磁性膜(16)のコア幅をトラツク幅よ
り大に形成したことにより、デプス深さが上部磁性膜(1
6)のコア厚よりも大であつても、ヘツドコアの飽和が生
ぜず、ギヤツプ中磁界の急激な減少も生じなくなること
がわかる。
本薄膜磁気ヘツドによれば、薄膜磁気コアの形状をデプ
ス部でもトラツク幅より大きくすることが可能になつた
ので、コアの飽和をなくすことができる。また、デプス
の長大化により、薄膜磁気ヘツドの長寿命化も可能にな
る。
ス部でもトラツク幅より大きくすることが可能になつた
ので、コアの飽和をなくすことができる。また、デプス
の長大化により、薄膜磁気ヘツドの長寿命化も可能にな
る。
第１図〜第３図は本実施例に係る薄膜磁気ヘツドを示す
斜視図、第４図は本薄膜磁気ヘツドと従来例のデプス深
さに対するギヤツプ中磁界の変化を測定したグラフ、第
５図〜第７図は従来例に係る薄膜磁気ヘツドを示す斜視
図である。 (12)，(21)は溝、(13)は非磁性材、(14)は巻線導体、(1
5)は層間絶縁膜、(16)は上部磁性膜、Ｔはトラツク幅で
ある。
斜視図、第４図は本薄膜磁気ヘツドと従来例のデプス深
さに対するギヤツプ中磁界の変化を測定したグラフ、第
５図〜第７図は従来例に係る薄膜磁気ヘツドを示す斜視
図である。 (12)，(21)は溝、(13)は非磁性材、(14)は巻線導体、(1
5)は層間絶縁膜、(16)は上部磁性膜、Ｔはトラツク幅で
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】トラック幅を規制するための１対の溝が形
成され、かつ前記溝内に非磁性材が充填されてなる磁性
基板上に絶縁膜及び巻線導体を介して前記トラック幅よ
り大きいコア幅を有する上部磁性膜が前記１対の溝にま
たがって形成されてなる薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270037A JPH0622050B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270037A JPH0622050B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148619A JPS61148619A (ja) | 1986-07-07 |
| JPH0622050B2 true JPH0622050B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17480647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270037A Expired - Lifetime JPH0622050B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622050B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641111A1 (ja) * | 1988-12-27 | 1990-06-29 | Thomson Csf | |
| JPH117608A (ja) | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919214A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59270037A patent/JPH0622050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61148619A (ja) | 1986-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0576682B2 (ja) | ||
| JPH0542725B2 (ja) | ||
| JPS63112812A (ja) | 浮動式磁気ヘツド | |
| JPH0622050B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US5862023A (en) | Metal in gap magnetic head having metal magnetic film including precious metal layer | |
| US4731299A (en) | Composite magnetic material | |
| JPS6323769Y2 (ja) | ||
| JPS6174109A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH01276606A (ja) | 多層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘツド | |
| KR0156185B1 (ko) | 적층 자기헤드 | |
| JPH0498605A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2643425B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS6220606B2 (ja) | ||
| JPH01150212A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01133211A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0287308A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0546609B2 (ja) | ||
| JPH03171409A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH02105309A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH02302908A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS62177714A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6214314A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6334711A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH04245610A (ja) | 磁性合金膜の製造方法および磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH03295009A (ja) | 磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |