JPH01150212A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH01150212A JPH01150212A JP30752087A JP30752087A JPH01150212A JP H01150212 A JPH01150212 A JP H01150212A JP 30752087 A JP30752087 A JP 30752087A JP 30752087 A JP30752087 A JP 30752087A JP H01150212 A JPH01150212 A JP H01150212A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/312—Details for reducing flux leakage between the electrical coil layers and the magnetic cores or poles or between the magnetic cores or poles
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダなどに用いて好適な薄
膜磁気ヘッドに関する。
膜磁気ヘッドに関する。
従来、薄膜磁気ヘッドとしては、応用磁気研究会資料（
昭和６０年５月１１日）資料番号；ＭＳＪ３９−５
ｐ、４１−４９の成重真治等による「ハードディスク装
置用薄膜磁気ヘッド」と題する論文で報告されているも
のがあるが、これら従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、
磁気コアに一軸異方性が付与されており、磁化容易軸は
磁気コアの面に平行であってかつ媒体摺動面に平行とな
るように設定されている。
昭和６０年５月１１日）資料番号；ＭＳＪ３９−５
ｐ、４１−４９の成重真治等による「ハードディスク装
置用薄膜磁気ヘッド」と題する論文で報告されているも
のがあるが、これら従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、
磁気コアに一軸異方性が付与されており、磁化容易軸は
磁気コアの面に平行であってかつ媒体摺動面に平行とな
るように設定されている。
ここで、第５図により、かかる薄膜磁気ヘッドのへラド
ギャップ近傍での磁束の流れについて説明する。なお、
同図において、１は上部磁気コア、１′は下部磁気コア
、２はへラドギャップ、３は薄膜コイルである。ま次、
破線矢印は磁束の流れ、■は磁化容易軸方向を示してい
る。
ギャップ近傍での磁束の流れについて説明する。なお、
同図において、１は上部磁気コア、１′は下部磁気コア
、２はへラドギャップ、３は薄膜コイルである。ま次、
破線矢印は磁束の流れ、■は磁化容易軸方向を示してい
る。
第５図（ａｌは記録時の磁束の流れを示すものであり、
薄膜コイル３に信号電流が流れると、これによる磁束が
破線矢印のように流れる。ヘッドギャップ２近傍では、
磁束が辿る経路としては、上部磁気コア１からヘッドギ
ャップ２を介して下部磁気コア１に至る経路と、上部磁
気コア１から一旦外部に出て下部磁気コア１″に至る経
路とがめる。
薄膜コイル３に信号電流が流れると、これによる磁束が
破線矢印のように流れる。ヘッドギャップ２近傍では、
磁束が辿る経路としては、上部磁気コア１からヘッドギ
ャップ２を介して下部磁気コア１に至る経路と、上部磁
気コア１から一旦外部に出て下部磁気コア１″に至る経
路とがめる。
この後者の経路を辿る磁束によって媒体（図示せず）に
記録が行なわれる。したがって、ヘッドギャップ２を介
する経路の磁束量の割合が少ない程記録に供される磁束
量の割合が多くなり、電磁変換効率が高いことになる。
記録が行なわれる。したがって、ヘッドギャップ２を介
する経路の磁束量の割合が少ない程記録に供される磁束
量の割合が多くなり、電磁変換効率が高いことになる。
第５１１（ｂ）は再生時の磁束の流れを示すものであり
、媒体（図示せず）から流入した磁束は、破線矢印で示
すように、上部磁気コア１からヘッドギャップ２を介し
、下部磁気コア１′ヲ通って媒体に至る経路を流れる磁
束と、上部磁気コア１から薄膜コイル３ｔ−まわり込ん
で下部磁気コア１′を通り、媒体に流れる磁束とに分岐
する。後者の経路を通る磁束によって薄膜コイル３に信
号電流が誘起される。したがって、ヘッドギャップ２ｔ
−通る磁束量の割合が少ない程薄膜コイル５に信号電流
を誘起させる磁束量の割合が多く、電磁変換効率が高い
ことになる。
、媒体（図示せず）から流入した磁束は、破線矢印で示
すように、上部磁気コア１からヘッドギャップ２を介し
、下部磁気コア１′ヲ通って媒体に至る経路を流れる磁
束と、上部磁気コア１から薄膜コイル３ｔ−まわり込ん
で下部磁気コア１′を通り、媒体に流れる磁束とに分岐
する。後者の経路を通る磁束によって薄膜コイル３に信
号電流が誘起される。したがって、ヘッドギャップ２ｔ
−通る磁束量の割合が少ない程薄膜コイル５に信号電流
を誘起させる磁束量の割合が多く、電磁変換効率が高い
ことになる。
一方、磁性体においては、透磁率が大きい程磁束密度が
大きい。一般に、−軸異方性を有する磁性体において、
第６図に示すよりに、磁化困難軸方向（磁化容易軸方向
に垂直な方向）で最大であジ、磁化困難軸方向からずれ
に従って透磁率は低下する。但し、第６図では、透磁率
を磁化困難軸方向での透磁率で規格化している。−軸異
方性単磁区理論によれば、磁化困難軸方向からのずれ角
をθとすると、そのずれ角−に対する透磁率ρ（−）は
次式で表わされる。
大きい。一般に、−軸異方性を有する磁性体において、
第６図に示すよりに、磁化困難軸方向（磁化容易軸方向
に垂直な方向）で最大であジ、磁化困難軸方向からずれ
に従って透磁率は低下する。但し、第６図では、透磁率
を磁化困難軸方向での透磁率で規格化している。−軸異
方性単磁区理論によれば、磁化困難軸方向からのずれ角
をθとすると、そのずれ角−に対する透磁率ρ（−）は
次式で表わされる。
μ（Ｉｌｌ ＝ ｓ （０°） ｃｏｓ ａこのことか
ら、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、第５図［ａｌ
、 （ｂｌに示すように、上部磁気コア１、下部磁気コ
ア１′での磁化容易軸の方向（磁化困難軸に垂直な方向
）ｆ、磁束の流れ方向に垂直な方向となるように設定さ
れている。この磁化容易軸の方向は上部磁気コア１、下
部磁気コア１′の面に平行であって、かつ媒体摺動面に
平行であり、磁束の流れ方向で透過率が最大となる。
ら、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、第５図［ａｌ
、 （ｂｌに示すように、上部磁気コア１、下部磁気コ
ア１′での磁化容易軸の方向（磁化困難軸に垂直な方向
）ｆ、磁束の流れ方向に垂直な方向となるように設定さ
れている。この磁化容易軸の方向は上部磁気コア１、下
部磁気コア１′の面に平行であって、かつ媒体摺動面に
平行であり、磁束の流れ方向で透過率が最大となる。
かかる従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、ヘッドギャッ
プ２の近傍も含めて上部磁気コア１、下部磁気コア１で
の磁束の流れ方向の透磁率は均一である。
プ２の近傍も含めて上部磁気コア１、下部磁気コア１で
の磁束の流れ方向の透磁率は均一である。
そこで、第５図（ａ）において、ヘッドギャップ２を通
る磁束の経路と外部を通る磁束の経路とをみると、これ
らはほとんど変わシなく、これらの磁気抵抗はほぼ同等
である。これに対して、第５図（ｂｌの場合には、ヘッ
ドギャップ２１に通る磁束の経路は、薄膜コイル３をま
わり込む磁束の経路に比べ、経路長が充分短かくて磁気
抵抗が小さくなる。
る磁束の経路と外部を通る磁束の経路とをみると、これ
らはほとんど変わシなく、これらの磁気抵抗はほぼ同等
である。これに対して、第５図（ｂｌの場合には、ヘッ
ドギャップ２１に通る磁束の経路は、薄膜コイル３をま
わり込む磁束の経路に比べ、経路長が充分短かくて磁気
抵抗が小さくなる。
このために、ヘッドギャップ２ｆ：通る磁束量の割合が
多く、充分良好な電磁変換効率が得られないことになる
。
多く、充分良好な電磁変換効率が得られないことになる
。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、電磁変換効率
金高めることができるようにした薄膜磁気ヘッドを提供
することにある。
金高めることができるようにした薄膜磁気ヘッドを提供
することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、磁気コアのへラ
ドギャップ部での磁化容易方向をヘッドギャップ面の法
線方向とし、該磁気コアのその他の部分では、磁化容易
軸の方向をトラック幅方向に平行にする。
ドギャップ部での磁化容易方向をヘッドギャップ面の法
線方向とし、該磁気コアのその他の部分では、磁化容易
軸の方向をトラック幅方向に平行にする。
磁気コアのへラドギャップ部での磁化困難軸方向がヘッ
ドギャップ面に平行となるから、磁束の流れの方向と大
幅にずれて透磁率が非常に小さくなる。磁気コアのへラ
ドギャップ部具外では、磁化困難軸の方向が磁束の流れ
方向と一致するから、透磁率が非常に大きい。したがっ
て、ヘッドギャップを通る磁束量の割合が非常に小さく
なり、電磁変換特性は大幅に改善される。
ドギャップ面に平行となるから、磁束の流れの方向と大
幅にずれて透磁率が非常に小さくなる。磁気コアのへラ
ドギャップ部具外では、磁化困難軸の方向が磁束の流れ
方向と一致するから、透磁率が非常に大きい。したがっ
て、ヘッドギャップを通る磁束量の割合が非常に小さく
なり、電磁変換特性は大幅に改善される。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
斜視図であって、１は上部磁気コア、１′は下部コア、
２はへラドギャップ、３は薄膜コイル、４は非磁性基板
、５は媒体摺動面である。
斜視図であって、１は上部磁気コア、１′は下部コア、
２はへラドギャップ、３は薄膜コイル、４は非磁性基板
、５は媒体摺動面である。
同図において、下部磁気コア１′は非磁性基板４に設け
られた７字状の溝に埋め込まれているとともに、一部が
非磁性基板４の表面から突出していす る。この７字状の表面の７３以上は非磁性基板４の表面
に対して傾斜面をなし、非磁性基板４の表面に対してこ
の傾斜面がなす傾斜角φは５０°以上、好ましくは４５
°−８０°に設定される。下部磁気コア１′上謀体摺動
面５から所定の深さまで、上部磁気コア１が図示しない
非常に薄い膜厚の非磁性材金倉して下部磁気コア１′に
対向しており、この部分がへラドギャップ２ｔ−なして
いる。このヘッドギャップ２よりも奥の部分では、上部
磁気コア１と下部磁気コア１′との間に層間絶縁材（図
示せず）に埋め込まれて薄膜コイル３の一部が設けられ
、さらに、上部磁気コア１と下部磁気コア１′とが結合
されている。
られた７字状の溝に埋め込まれているとともに、一部が
非磁性基板４の表面から突出していす る。この７字状の表面の７３以上は非磁性基板４の表面
に対して傾斜面をなし、非磁性基板４の表面に対してこ
の傾斜面がなす傾斜角φは５０°以上、好ましくは４５
°−８０°に設定される。下部磁気コア１′上謀体摺動
面５から所定の深さまで、上部磁気コア１が図示しない
非常に薄い膜厚の非磁性材金倉して下部磁気コア１′に
対向しており、この部分がへラドギャップ２ｔ−なして
いる。このヘッドギャップ２よりも奥の部分では、上部
磁気コア１と下部磁気コア１′との間に層間絶縁材（図
示せず）に埋め込まれて薄膜コイル３の一部が設けられ
、さらに、上部磁気コア１と下部磁気コア１′とが結合
されている。
ここで、上部磁気コア１と下部磁気コア１′のへラドギ
ャップ部では、磁化容易軸の方向がヘッドギャップ２の
面の法線方向（垂直方向）に一致しており、その他の部
分では、磁化容易軸の方向がトラック幅方向に平行とな
っている。このために、ヘッドギャップ２を通る磁束量
の割合が非常に少なくなり、記録時には、薄膜コイル５
に信号電流を流すことによって上部磁気コア１、下部磁
気コア１′に生ずる磁束が多く媒体摺動面から外部に流
れ、また、再生時には、図示しない媒体からの磁束の多
くが、上部磁気コア１に入り込んで薄膜コイル５全まわ
９込み、下部磁気コア１′を通って（あるいはその逆の
経路で）媒体に戻る。したがって、電磁変換効率が大幅
に向上し、特に再生時には、薄膜コイル３に生ずる信号
電流のレベルが高くなって高Ｓ／Ｎの再生信号が得られ
る。
ャップ部では、磁化容易軸の方向がヘッドギャップ２の
面の法線方向（垂直方向）に一致しており、その他の部
分では、磁化容易軸の方向がトラック幅方向に平行とな
っている。このために、ヘッドギャップ２を通る磁束量
の割合が非常に少なくなり、記録時には、薄膜コイル５
に信号電流を流すことによって上部磁気コア１、下部磁
気コア１′に生ずる磁束が多く媒体摺動面から外部に流
れ、また、再生時には、図示しない媒体からの磁束の多
くが、上部磁気コア１に入り込んで薄膜コイル５全まわ
９込み、下部磁気コア１′を通って（あるいはその逆の
経路で）媒体に戻る。したがって、電磁変換効率が大幅
に向上し、特に再生時には、薄膜コイル３に生ずる信号
電流のレベルが高くなって高Ｓ／Ｎの再生信号が得られ
る。
次に、第２図により、各部の材料、膜厚などの一例を具
体的に示して第１図に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法
について説明する。
体的に示して第１図に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法
について説明する。
まず、非磁性基板４上Ｋ、７オトリゾグラフイツク法お
よびイオンエツチング法により、ヘッドギャップ部分が
第１図に示し友ようなＶ字状をなす溝全形成し、この溝
が埋め込まれるように、ＣｏＮｂＺｒ膜をＤＣ対向スパ
ッタリング法によって形成し、研摩によってこの膜の溝
以外の部分を取り除いて下部磁気コア１′ヲ形成する。
よびイオンエツチング法により、ヘッドギャップ部分が
第１図に示し友ようなＶ字状をなす溝全形成し、この溝
が埋め込まれるように、ＣｏＮｂＺｒ膜をＤＣ対向スパ
ッタリング法によって形成し、研摩によってこの膜の溝
以外の部分を取り除いて下部磁気コア１′ヲ形成する。
このときの下部磁気コア１′の膜厚ｆ ２０ ｓ ｍと
した。次に・この下部磁気コア１′の表面にヘッドギャ
ップ２となる膜厚α３μｍの８１０２膜と、さらにその
上におよび非磁性基板４上に膜厚５ｓｍのＣｕｗｓｔ−
夫々マグネトロンスパッタリング法によって形成し、７
オトリゾグラフイツク法によってＣｕ膜から薄膜コイル
３を形成する。そして、薄膜コイル３の下部磁気コア１
′上の部分を埋めつくすように、同様の手法で層間絶縁
層６全形成し、さらに、この層間絶縁層６および下部磁
気コア１′上のＳｉＯ□膜上にＤＣ対向スパッタリング
法によって膜厚２０μｍのＣｏＮｂＺｒ膜を形成し、フ
ォトリゾグラフィック法を用いてパターニングして上部
磁気コア１を得る。
した。次に・この下部磁気コア１′の表面にヘッドギャ
ップ２となる膜厚α３μｍの８１０２膜と、さらにその
上におよび非磁性基板４上に膜厚５ｓｍのＣｕｗｓｔ−
夫々マグネトロンスパッタリング法によって形成し、７
オトリゾグラフイツク法によってＣｕ膜から薄膜コイル
３を形成する。そして、薄膜コイル３の下部磁気コア１
′上の部分を埋めつくすように、同様の手法で層間絶縁
層６全形成し、さらに、この層間絶縁層６および下部磁
気コア１′上のＳｉＯ□膜上にＤＣ対向スパッタリング
法によって膜厚２０μｍのＣｏＮｂＺｒ膜を形成し、フ
ォトリゾグラフィック法を用いてパターニングして上部
磁気コア１を得る。
次に、温度４５０°Ｃ１磁場強度１１ｋＯｅの条件下で
３０分磁場中熱処理する。磁場の印加方向は、下部磁気
コア１′、上部磁気コア１の面に平行でかつ媒体摺動面
に平行に設定する。なお、この熱処理温度４５０°Ｃは
、非磁性基板４の溝内に形成される下部磁気コア１′の
媒体摺動面側（フロント部）でのキュリー温度４２０°
Ｃとリア部でのキュリー温度４８０°Ｃの間に設定され
たものであるｏ４そして、最後に、媒体摺動面５と加工
する。
３０分磁場中熱処理する。磁場の印加方向は、下部磁気
コア１′、上部磁気コア１の面に平行でかつ媒体摺動面
に平行に設定する。なお、この熱処理温度４５０°Ｃは
、非磁性基板４の溝内に形成される下部磁気コア１′の
媒体摺動面側（フロント部）でのキュリー温度４２０°
Ｃとリア部でのキュリー温度４８０°Ｃの間に設定され
たものであるｏ４そして、最後に、媒体摺動面５と加工
する。
第３図はこのような工程で製作された薄膜磁気ヘッドの
磁区構造の一例を示す側面図である。同図に示すように
、下部磁気コア１′のへラドギャップ部では膜厚方向の
直線的磁壁７が、その他の部分では膜厚方向のジグザグ
磁壁７′が観測された。
磁区構造の一例を示す側面図である。同図に示すように
、下部磁気コア１′のへラドギャップ部では膜厚方向の
直線的磁壁７が、その他の部分では膜厚方向のジグザグ
磁壁７′が観測された。
これらはいずれも−軸異方性膜の磁区構造であり、夫々
膜厚方向、トラック幅方向の磁化容易軸をもつ場合に観
測される磁区構造である。
膜厚方向、トラック幅方向の磁化容易軸をもつ場合に観
測される磁区構造である。
第４図は本発明による薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁気
ヘッドとのインダクタンス当りのヘッド再生出力を示し
たものであり、同図から明らかなように、本発明による
薄膜磁気ヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッドの比べ、３〜
４ｄＢの改善が認められた。
ヘッドとのインダクタンス当りのヘッド再生出力を示し
たものであり、同図から明らかなように、本発明による
薄膜磁気ヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッドの比べ、３〜
４ｄＢの改善が認められた。
以上説明したように、本発明によれば、ヘッドギャップ
を通る磁束量の割合全大幅に低減し、電磁変換効率を大
幅に高めることができる。
を通る磁束量の割合全大幅に低減し、電磁変換効率を大
幅に高めることができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの−実施例を示す
斜視図、第２図はその製造プロセスの一具体例を示す工
程流れ図、第３図はこの製造方法による薄膜磁気ヘッド
の磁区構造の一例を示す側断面図、第４図は本発明によ
る薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁気ヘッドとの再生出力
−周波数特性を示すグラフ図、第５図は従来の薄膜磁気
ヘッドのへラドギャップ近傍における磁束の流れを示す
説明図、第６図は磁性体における磁化困難方向からのず
れに対する透磁率の関係を示す特性図である。 １・・・・・・上部磁気コア、１′・・・・・・下部磁
気コア、２・・・・・・ヘットキャップ、５・・・・・
・薄−コイル、４・・曲非磁性基板、５・・・・・・媒
体摺動面。 第 １１２１ 人 第２図 （Ｑ） 第 ６図 困難軸方１句力゛らはわ７た角度
斜視図、第２図はその製造プロセスの一具体例を示す工
程流れ図、第３図はこの製造方法による薄膜磁気ヘッド
の磁区構造の一例を示す側断面図、第４図は本発明によ
る薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁気ヘッドとの再生出力
−周波数特性を示すグラフ図、第５図は従来の薄膜磁気
ヘッドのへラドギャップ近傍における磁束の流れを示す
説明図、第６図は磁性体における磁化困難方向からのず
れに対する透磁率の関係を示す特性図である。 １・・・・・・上部磁気コア、１′・・・・・・下部磁
気コア、２・・・・・・ヘットキャップ、５・・・・・
・薄−コイル、４・・曲非磁性基板、５・・・・・・媒
体摺動面。 第 １１２１ 人 第２図 （Ｑ） 第 ６図 困難軸方１句力゛らはわ７た角度
Claims (1)
- １、第１、第２の磁気コアが薄膜コイルを介して隔離さ
れ、かつ媒体摺動面近傍で微小間隔で対向してヘッドギ
ャップを形成するようにした薄膜磁気ヘッドにおいて、
該第１、第２の磁気コアのヘッドギャップ部での磁化容
易軸方向が該ヘッドギャップの面の法線方向に一致し、
該第１、第２の磁気コアの該ヘッドギャップ部以外での
磁化容易軸方向がトラック幅方向に平行であることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30752087A JPH0777012B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30752087A JPH0777012B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150212A true JPH01150212A (ja) | 1989-06-13 |
| JPH0777012B2 JPH0777012B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17970072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30752087A Expired - Fee Related JPH0777012B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777012B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116509A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US6267824B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Method for manufacturing a magnetoresistive effect composite having a pole containing Co-M |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP30752087A patent/JPH0777012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116509A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US6267824B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Method for manufacturing a magnetoresistive effect composite having a pole containing Co-M |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0777012B2 (ja) | 1995-08-16 |
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