JP3070495B2

JP3070495B2 - 磁気抵抗効果型薄膜変換素子

Info

Publication number: JP3070495B2
Application number: JP8305661A
Authority: JP
Inventors: 茂庄司; 篤志豊田
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 2000-07-31
Anticipated expiration: 2016-10-31
Also published as: JPH10134321A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
等の磁気記録媒体の再生用ヘッド素子として用いられる
磁気抵抗効果型（巨大磁気抵抗効果型を含む。）薄膜変
換素子（以下「ＭＲ型磁気ヘッド素子」という。）の改
良に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＲ型磁気ヘッド素子は、ＭＲ素子を用
いて磁気記録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記
録情報を再生する再生専用の磁気ヘッド素子で、誘導型
磁気ヘッド素子に比べてトラック密度、線記録密度を向
上できる利点があり、例えばハードディスク装置等の磁
気ディスク装置において誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド
として、記録用の誘導型磁気ヘッド素子と組合わせて構
成される。

【０００３】従来のＭＲ型磁気ヘッド素子は、ポール端
面から見た磁気センサ膜（ＭＲ素子）の形状が直線状の
ものが一般的であった。これに対し、本出願人は先に、
特願平６−３４０５０３号あるいは特願平６−３４０５
０４号において、ポール端面から見た磁気センサ膜の形
状が台形状のＭＲ型磁気ヘッド素子を提案した。これ
は、磁気記録媒体（磁気ディスク）との対向面が例えば
図２に示す構造を有するもので、下シールド８の上に下
ギャップ１４を介して磁石膜１０、電気導電膜１２を積
層したリード１６を構成し、このリード１６に台形状の
溝１８を形成してリード１６を左右の部分１６ａ，１６
ｂに分割し、これら左右のリード１６ａ，１６ｂをつな
ぐようにＭＲ膜２０、スペーサ２２、ＳＡＬバイアス膜
２４を積層した磁気センサ膜２６をリード１６ａ，１６
ｂの上面から溝１８内にわたって配設し、その上に上ギ
ャップ６および上シールド４を積層したものである。

【０００４】このようにな台形状の磁気センサ膜２６に
よれば、磁気センサ膜２６の左右のリード１６ａ，１６
ｂの内側下端部の尖った部分間に挟まれた部分（溝１８
内の底面に位置する部分）２６ａが活性部（感応部＝ト
ラック幅）となり、磁気記録媒体のトラックに記録され
た信号の検出を行う。これに対し、活性部２６ａの左右
両側の台形状の溝１８の斜面に形成された磁気センサ膜
２６の傾斜部２６ｂ，２６ｃは、トラックの記録信号に
対しアジマス角を生じるため再生感度が低下する。した
がって、トラックが活性部２６ａから左右にずれても傾
斜部２６ｂ，２６ｃに対するトラックからの磁界の影響
が小さくなり、これにより傾斜部２６ｂ，２６ｃから活
性部２６ａの磁化に与える影響も小さくなる。したがっ
て、オフトラック特性の左右対称性が改善され、サイド
ローブも低減される。これにより、狭トラックでもトラ
ッキングサーボが可能になり、高密度記録再生が実現可
能となる。また、隣接トラックからのクロストークも低
減される。また、一軸異方性バイアス磁界を強めずにサ
イドローブを低減できるので、再生感度の低下も防止さ
れる。

【０００５】ところが、このような台形状の磁気センサ
膜２６を有するＭＲ型磁気ヘッド素子においては、磁気
センサ膜２６が台形の底面から斜面に移行する部分３０
で屈曲しているため、形状磁気異方効果によりＭＲ膜２
０が多軸化し易くなり、バルクハウゼンノイズが生じ易
くなる問題があった。この現象は特に、磁気センサ膜２
６の奥行方向の長さ（エレメントハイト）とトラック幅
との比（アスペクト比＝エレメントハイト／トラック
幅）が大きくなるほど、また磁気センサ膜２６を挟む上
下シールド４，８間のギャップ厚が小さくなるほど著し
くなっていた。

【０００６】そこで、本出願人はさらにこの点を改良し
て、図３に示すように、磁気センサ膜２６の左右両端部
２６ｄ，２６ｅをリード１６ａ，１６ｂの傾斜面１６
ｃ，１６ｄの途中位置でカットするようにしたＭＲ型磁
気ヘッド素子を特願平８−２４５６９１号で提案した。
これによれば、磁気センサ膜の形状異方効果を生じる屈
曲部での長手バイアス磁界強度を高めることができ、バ
ルクハウゼンノイズを抑制することができた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記図３のように、磁
気センサ膜２６の左右両端部２６ｄ，２６ｅをリード１
６ａ，１６ｂの傾斜面１６ｃ，１６ｄの途中位置でカッ
トしたＭＲ型磁気ヘッド素子においては、オフトラック
量に対する再生信号強度が安定しないためにトラッキン
グサーボに支障をきたしたり、再生信号中のノイズレベ
ルが大きくなる素子が多く発生することがわかった。

【０００８】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
ので、オフトラックに対する再生信号強度を安定させる
ことができ、また再生信号中のノイズレベルを低減させ
ることができるＭＲ型磁気ヘッド素子を提供することを
目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明は、前記図３の
ように磁気センサ膜の左右両端部をリードの傾斜面の途
中位置でカットしたＭＲ型磁気ヘッド素子において、リ
ードの傾斜面の傾斜角度を１０°以上４０°以下に設定
したものである。

【００１０】リードの傾斜面の傾斜角度を１０°以上４
０°以下に設定することによりオフトラック状態での再
生時にオフトラック量に対する再生信号強度を安定させ
ることができ、また再生信号中のノイズレベルを低減で
きる理由について説明する。図４は、前記図３に示すＭ
Ｒ型磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドにおいて、磁気
センサ膜２６の活性部２６ａが磁気記録媒体（ハードデ
ィスク）上のトラック４２に対して約半トラック分オフ
トラックして再生している様子を示したものである。オ
フトラックしている場合の再生信号強度は、通常オフト
ラック量が大きくなるほど減少する。図５は良好なオフ
トラック特性を持つ磁気ヘッドのオフトラック特性で、
オフトラック量に対し再生信号強度は正確に比例して減
少する。このような特性では、良好なトラッキングサー
ボを実現することができる。また、このオフトラック特
性は再現性を有する（何回測定しても同じ特性が得られ
る）ので、オフトラック状態で再生しても再生信号中の
ノイズレベルは増大しない。

【００１１】これに対し、前記図３のように磁気センサ
膜２６の左右両端部２６ｄ，２６ｅをリードの傾斜面１
６ｃ，１６ｄの途中位置でカットした磁気ヘッドにおい
て頻繁に発生する不良のオフトラック特性を図６に示
す。図６において、（ａ），（ｂ）は別々の磁気ヘッド
について測定したのである。また、（ａ），（ｂ）にお
いて、実線、点線、一点鎖線は同一の磁気ヘッドについ
て繰り返し測定したものである。これによれば、特性に
ギザギザが生じてオフトラック量と再生信号出力が比例
しないので、トラッキングサーボをかける時に安定した
同期をとることができず、磁気ディスク装置そのものが
正常に動作しなくなる。また、同一の磁気ヘッドでも測
定ごとに特性上のギザギザが変動し、特性の再現性がな
い。このため、オフトラック状態で再生すると再生信号
出力が常に変動して不安定になるため、再生信号中のノ
イズレベルが大きくなる。

【００１２】図７は図３の構造において、リード傾斜面
１６ｃ，１６ｄの傾斜角度θを様々に変えた場合の再生
信号中のノイズレベルの変化を示したものである。ここ
で、ノイズレベルは、半トラック分オフトラックさせた
状態で再生して信号強度を５０回測定し、その信号強度
の変動を平均信号強度で割った値として求めた。図７に
よれば、傾斜角度θが１０°より小さいとノイズレベル
が急激に増大することがわかる。一方、傾斜角度が４０
°を超えると徐々にノイズレベルが増大する。さらに、
傾斜角度θが４５°以上では、徐々に熱ノイズの増大が
起こり、通電中に抵抗が上昇して、破損するヘッドが増
加した。これは、傾斜が急になると図８に示すように、
磁気センサ膜２６の傾斜の立ち上がり部分（屈曲部）３
０の付き周りが悪く、この部分３０が括れて局部的に薄
くなるために電流が集中し、発熱破損することによるも
のである。したがって、傾斜角度θが大きくなると、ヘ
ッドの歩留りも大きく低下する。

【００１３】リードの傾斜角度θの変化によってオフト
ラック時のノイズレベルが変化する原因として次のよう
な要因が働いていることがわかった。〔Ａ〕要因１：屈曲部３０での長手バイアス磁界強度
によるノイズレベルの変化（ａ）傾斜角度θが小さい場合磁気センサ膜２６の傾斜部２６ｂ，２６ｃでは、磁気セ
ンサ膜２６の膜面内形状効果により縦方向にスピンが向
く。この縦方向に向かう形状異方性磁気エネルギを打ち
消して活性部２６ａの一軸異方性を保つために、屈曲部
３０ではリード１６ａ，１６ｂの下層を構成する磁石膜
１０が楔状に薄くなり、磁界強度がトラック端（すなわ
ち屈曲部３０）で弱くなる。これに対し、磁気センサ膜
２６は厚いままであるから、屈曲部３０での磁界強度Ｈ
は次式で現わされる。

【００１４】Ｈ＝Ｈ_c1・｛Ｍ_s0・ｔ₀／（Ｍ_s0・ｔ₀＋
Ｍ_r1・ｔ₁）｝・ｃｏｓθ 但し、ｔ₀：磁気センサ膜２６全体の膜厚ｔ₁：長手バイアス磁石膜１０の膜厚Ｍ_r1：長手バイアス磁石膜１０の残留磁化Ｍ_s0：磁気センサ膜２６の飽和磁化Ｈ_c1：長手バイアス磁石膜１０の保持力図９は長手バイ
アス磁石膜２６によるトラック幅（＝活性部幅）の各位
置における磁界強度を傾斜角度θが１０°の場合と２０
°の場合についてそれぞれ示したものである。ここでは
トラック幅を４μｍ、トラック幅の中心位置を０として
いる。また、磁石膜１０をｔ₁＝９０ｎｍ、Ｈ_c1＝１０
００Ｏｅ、Ｍ_r1＝７５００ガウスとしている。図９によ
れば、屈曲部３０の長手バイアス磁界は、傾斜角度θが
小さくなると急激に小さくなることがわかる。このた
め、傾斜角度θが小さいと屈曲部３０の長手バイアス磁
界が不足し、バルクハウゼンノイズが発生し易くなる。（ｂ）傾斜角度θが大きい場合磁石膜１０の結晶構造は膜面方向に容易軸が向くように
配合している。傾斜角度θが大きいと、図１０に示すよ
うに、磁石膜１０の配向と磁気センサ膜２６の傾斜部２
６ｂ，２６ｃの配向とのなす角度が大きくなる。このた
め、磁石膜１０と磁気センサ膜２６のスピンの磁束伝達
は弱くなる（磁気結合が弱くなる。）。この結果バルク
ハウゼンノイズが発生し易くなる。

【００１５】傾斜角度θがさらに大きくなると（特に４
５°以上）、図１１に示すように、磁気センサ膜２６の
傾斜部２６ｂ，２６ｃを通過する磁束の方向が変わり、
長手方向に反対の磁区ができ、磁壁３２を発生させる。
この結果磁気センサ膜２６中の長手方向磁界が弱めら
れ、バルクハウゼンノイズがより発生し易くなる。以上
により屈曲部３０での長手バイアス磁界強度によるノイ
ズレベルは、傾斜角度θに応じて図１２（ａ）に示すよ
うに変化する。〔Ｂ〕要因２：長手バイアス磁石膜１０を通しての隣
接トラックからの磁束通過によるノイズレベルの変化傾斜角度θが小さいほど磁
石膜１０の配向と磁気センサ膜２６の傾斜部２６ｂ，２
６ｃの配向が揃い、しかも磁石膜１０と磁気センサ膜２
６との接続面積は広くなるから、磁石膜１０から磁気セ
ンサ膜２６への磁束の伝達がよくなる。しかし、これと
ともに、磁気記録媒体の隣接トラックから磁石膜１０に
かかる縦方向の磁界の影響が磁気センサ膜２６に及びや
すくなる（すなわち、隣接トラックからの磁界を拾いや
すくなる。）。このため、傾斜角度θが小さくなるとオ
フトラックしたときに磁石膜１０を通して伝わる隣接ト
ラックの磁束変化がノイズとして乗りやすくなる。これ
により、長手バイアス磁石膜１０を通しての隣接トラッ
クからの磁束通過によるノイズレベルは、傾斜角度θに
応じて図１２（ｂ）に示すように変化する。

【００１６】傾斜角度θによるオフトラック時のノイズ
レベルの変化は、以上の要因１、要因２によるノイズレ
ベルの変化（図１２（ａ），（ｂ））が混成されたもの
となり、図１２（ｃ）のようになる。これは前記図７の
特性と一致する。図１２（ｃ）によれば傾斜角度θを１
０°以上４０°以下に設定すれば、ノイズレベルを低く
抑えられることがわかる。また、オフトラック量に対す
る再生信号強度が安定し、安定なトラッキングサーボが
実現される。これにより、高記録密度・狭トラックのＭ
Ｒ型磁気ヘッド素子が高歩留りで得られる。

【００１７】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１に記
録媒体対向面側から見た状態で示す。また、その主要部
の斜視図を図１３に示す。下シールド８の上には、下ギ
ャップ１４が積層されている。下ギャップ１４の上には
左右のリード１６ａ，１６ｂが台形状の溝１８を挟んで
対向して配設されている。リード１６ａ，１６ｂの傾斜
面１６ｃ，１６ｄの角度θは１０°以上４０°以下の範
囲（左右等角度）に設定されている。リード１６ａ，１
６ｂは長手方向バイアス用の磁石膜１０と電気導電膜１
２を積層して構成されている。リード１６ａ，１６ｂの
傾斜面１６ｃ，１６ｄの立上り部分は磁石膜１０で構成
されている。通常磁石膜１０は導電性を持っているが、
パッド等のワイヤ結線部までの距離が長いため、より抵
抗の低い材料による電気導電膜１２を積層して、全体と
して低抵抗のリード１６ａ，１６ｂを構成する。

【００１８】台形状溝１８内には、傾斜面１６ｃ，１６
ｄおよびそれらの間の溝底面部分に露出している下ギャ
ップ１４にかけて磁気センサ膜２６が成膜されている。
磁気センサ膜２６は、ＭＲ膜２０、スペーサ２２、ＳＡ
Ｌバイアス膜２４を積層して構成されている。磁気セン
サ膜２６の端部２６ｄ，２６ｅは、傾斜面１６ｃ，１６
ｄの途中位置（例えば磁石膜１０と電気導電膜１２の境
界位置よりもやや電気導電膜１２側に入った位置）でカ
ットされている。磁気センサ膜２６は、傾斜面１６ａ，
１６ｂの下端部間に挟まれた部分２６ａが活性部を構成
し、磁気記録媒体のトラックに記録された信号の検出を
行う。また傾斜部２６ｂ，２６ｃがリード１６ｂ，１６
ｃとの電気的接続を行う。

【００１９】磁気センサ膜２６およびその外側に露出し
ているリード１６ａ，１６ｂ上には、上ギャップ６が被
せられ、さらに上シールド４が積層されている。上シー
ルド４は記録用誘導型薄膜変換素子の下コアを兼ねてい
る。以上でＭＲ型磁気ヘッド素子が構成される。上シー
ルド兼下コア４の上には書き込みギャップ３４を介して
上コア３６が積層されている。

【００２０】ところで、前記磁石膜１０の厚さは例えば
次のように定められる。長手バイアスの磁界強度は、磁
石膜１０の残留磁化、保持力、厚さの積で表わされる。
したがって、長手バイアスによる磁気センサ膜２６の単
磁区形成効果は、磁石材料が同一なら、磁石膜１０の膜
厚が厚い方が効果が大きい。磁石膜１０は保持力以下の
磁化変動に対し安定であるが、磁気記録媒体からの僅か
の磁化変動によって、僅かであるが縦方向の磁化の変動
を伴う。磁気センサ膜２６は磁石膜１０と磁気的に接続
されていると、その変動が磁気センサ膜に変動信号を励
起させ、ノイズとして本来の活性部２６ａで拾う信号以
外に重畳される（磁気抵抗効果は非常に感度が高いた
め、磁石膜１０を伝わる僅かの信号によっても磁気抵抗
効果は攪乱される。）。特に、磁石膜１０が厚ければ、
拾う信号量も多くなり、オフトラック雑音は大きくな
る。

【００２１】したがって、磁石膜１０は、厚すぎること
は、磁気センサ膜２６の一軸異方性を付与するには効果
的であるが、あまり厚すぎるとオフトラックノイズを増
加させる原因となる。そこで、磁石膜１０として、残留
磁化Ｍ_r1＝７５００ガウス、保持力Ｈ_c1＝１０００Ｏｅ
の磁石膜を使用して、厚さｔ₁を様々に変えてオフトラ
ック特性を測定したところ、ｔ₁が９０ｎｍ以上でオフ
トラック特性が安定した。また、ｔ₁が２００ｎｍ以上
では、感度が僅かに低下してくるとともに、オフトラッ
クノイズが増大し始めた。したがって、ｔ₁が９０ｎｍ
〜２００ｎｍの範囲にあるときオフトラック特性が安定
し、このときオフトラックによるノイズの増大はリード
１６ａ，１６ｂの傾斜角度θのみに影響を受け、θが１
０°以上４０°以下の範囲にあるときが最もオフトラッ
ク特性が安定し、ノイズを最小にすることができた。

【００２２】図１の磁気ヘッドの製造工程の一例を図１
４〜図１６を参照して説明する。（１）基板（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ等のセラミック材等
で構成されたウェファーで、後にカットされて磁気ヘッ
ドのスライダを構成する。）３８の上に形成された絶縁
膜（アルミナＡｌ₂Ｏ₃等）４０の上に下シールド８を
所定の形状に形成する。下シールド８は、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）、センダスト（ＦｅＡｌＳｉ）等の軟磁性
膜をスパッタ、蒸着あるいはメッキなどにより堆積して
構成される。

【００２３】（２）アルミナ等の絶縁膜４４を全面に
スパッタ等で堆積させる。（３）全面を研磨して、下シールド８を所定の厚さに
形成する。（４）全面にアルミナ等の絶縁膜をスパッ
タ等で堆積させて、下ギャップ１４を形成する。（５）
下ギャップ１４の上に、ＣｏＣｒＰｔ等の磁石膜１０
と、Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導電膜１２をスパッタ、蒸
着あるいはメッキなどにより積層し、それらを一括して
エッチングして逆台形状にカットしてリード１６ａ，１
６ｂを形成する。

【００２４】リード１６ａ，１６ｂの傾斜面１６ｃ，１
６ｄの傾斜角度θを所望の値に形成する手法について図
１７、図１８を参照して説明する。（ｉ）下ギャップ１
４の上にＣｏＣｒＰｔ等のスパッタ等で９０〜２００ｎ
ｍの厚さに堆積させて磁石膜１０を形成する。（ii）そ
の上にＴａ，Ｗ等の硬質の金属材料をスパッタ等で１０
０〜３００ｎｍの厚さに堆積させて金属導電膜１２を形
成する。(iii) その上に、カット用のレジストとして例
えばＡＺ４０００等のノボラックポジレジスト４６を１
〜２μｍの厚さにスピンコートした後、（iv）所定の寸
法で露光、現像して、レジスト４６の一部をカットす
る。

【００２５】（ｖ）この基板をホットプレート等に載
せ、１５〜３０分置くと、レジスト４６はリフローし、
カット面４６ａ，４６ｂは傾斜する。この時のカット面
４６ａ，４６ｂの傾斜角度αがその後リード１６ａ，１
６ｂの傾斜角度θを決める。レジストカット面４６ａ，
４６ｂの傾斜角度αはホットプレート等による加熱温度
で制御することができる。すなわち、上記各条件の下で
レジストカット面４６ａ，４６ｂを傾斜面を形成したと
きのホットプレートの温度とその後でき上がるリード傾
斜面１６ｃ，１６ｄの傾斜角度θとの関係を図１９に示
す。レジストカット面４６ａ，４６ｂの傾斜角度αは、
ホットプレートの温度によって一義的に決まり、温度が
±２℃で制御されているときは、リード傾斜面１６ｃ，
１６ｄの傾斜角度θは±２°で制御される。例えば、ホ
ットプレートを１６０±２℃の温度で制御したとき、傾
斜角度θを２１±２℃に制御することができた。

【００２６】（vi）ミリング等でプラズマエッチングす
ると、所定の傾斜面を持つリード１６ａ，１６ｂが形成
される。すなわち、エッチングを開始すると、レジス
ト４６はミリングされていくとともに、レジスト４６の
開口部に露出しているリード材１６がミリングされてい
く。レジスト４６の開口部に露出しているリード材１
６が完全に除去されて下ギャップ１４が露出したらエッ
チングを終了する。レジスト４６を除去すると、傾斜
面１６ｃ，１６ｄを有するリード１６ａ，１６ｂができ
上がる。傾斜面１６ｃ，１６ｄの傾斜角度θは、レジス
ト４６の当初の傾斜角度をα（図１８（ｖ））、レジス
ト４６のミリングレートをＲｒ、リード材１６のミリン
グレートをＲｌとすると、ほぼθ＝（Ｒｌ／Ｒｒ）αと
なる。したがって、リード傾斜面１６ｃ，１６ｄの傾斜
角度θが１０°以上４０°以下の範囲の所望の値となる
ように、使用するリード材料のミリングレートＲｌ，Ｒ
ｒに応じてレジスト４６の当初の傾斜角度αを設定すれ
ばよい。

【００２７】以上のようにしてリード１６ａ，１６ｂが
でき上がったら、基板全面に磁気センサ膜２６として、
ＭＲ膜２０（ＮｉＦｅ等）、スペーサ２２（Ｔｉ等）、
ＳＡＬバイアス膜２４（ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ等）等
の軟磁性膜）を積層する。そして、その上に、形成すべ
き磁気センサ膜パターンの形状にレジストを形成し、ミ
リングにより磁気センサ膜２６の不要部分を除去して、
磁気センサ膜２６を矩形の平面形状にカットする。これ
により、磁気センサ膜２６の左右両端部２６ｄ，２６ｅ
は傾斜面１６ｃ，１６ｄの途中でカットされる。

【００２８】（６）全面に上シールドと磁気センサ膜
２６との絶縁および上シールドとリード１６ａ，１６ｂ
とのシールドギャップのためにアルミナ等の無機絶縁膜
を成膜して、上ギャップ６を形成する。

【００２９】（７）軟磁性膜（ＮｉＦｅ、ＦｅＡｌＳ
ｉ等）をメッキ、あるいは蒸着、スパッタ等で堆積し所
定の形状にカットして、上シールド４を形成する。上シ
ールド４は、書き込みヘッドの下コアを兼ねている。そ
して、基板全面にアルミナ等の絶縁膜を形成し、研磨し
て、上シールド兼下コア４を所定の厚さに形成する。上
シールド兼下コア４の周囲は残された絶縁材５０で包囲
される。

【００３０】（８）上シールド兼下コア４の上に書き
込みのための書き込みギャップ３４（アルミナ等）を形
成する。（９）コイル５２および絶縁層５４を形成する。そし
て、コイル５２および絶縁層５４を跨ぐように上コア３
６を形成し、書き込みヘッドを形成する。そして、最後
に保護膜を被せて完成する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す磁気ヘッドの磁気
記録媒体対向面側から見た図である。

【図２】傾斜リードを有する従来の磁気ヘッドの磁気
記録媒体対向面側から見た図である。

【図３】図２の磁気ヘッドを改良した従来の磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体対向面側から見た図である。

【図４】図３の磁気ヘッドが約半トラック分オフトラ
ックして再生している状態を示す斜視図である。

【図５】良好なオフトラック特性を有する磁気ヘッド
のオフトラック特性図である。

【図６】図３の磁気ヘッドの不良のオフトラック特性
図である。

【図７】図３の磁気ヘッドにおけるオフトラック再生
時のリード傾斜角度とノイズレベルの関係の測定結果を
示す図である。

【図８】図３の磁気ヘッドにおけるリード傾斜角度が
大きい時の傾斜立ち上がり部における磁気センサ膜の括
れ現象を示す図である。

【図９】図３の磁気ヘッドにおけるリード傾斜角度が
１０°と２０°の場合の磁気センサ膜のトラック幅各位
置における長手磁界強度の測定結果を示す図である。

【図１０】図３の磁気ヘッドにおけるスピンの配合方
向を示す図である。

【図１１】図３の磁気ヘッドにおいて傾斜角度が非常
に大きい場合のスピンの配合方向を示す図である。

【図１２】図３の磁気ヘッドにおけるオフトラック時
のノイズのリード傾斜角度依存性を示す特性図である。

【図１３】図１の磁気ヘッドの主要部を示す斜視図で
ある。

【図１４】図１の磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図
である。

【図１５】図１４の続きを示す斜視図である。

【図１６】図１５の続きを示す斜視図である。

【図１７】図１５の工程（５）の詳細工程を示す磁気
記録媒体対向面側から見た図である。

【図１８】図１７の続きを示す磁気記録媒体対向面側
から見た図である。

【図１９】図１８の工程（ｖ）においてレジスト４６
をホットプレートでリフローするときのホットプレート
温度とそれによって最終的に形成されるリード傾斜角度
の関係を示す特性図である。

【符号の説明】

４上シールド６上ギャップ８下シールド１４下ギャップ１６ａ，１６ｂリード１６ｃ，１６ｄリード傾斜面１８台形状の溝２６磁気センサ膜２６ｄ，２６ｅ磁気センサ膜左右端部 θ リード傾斜面の傾斜角度

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/39 H01F 10/08

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下シールドと、この下シールドの上に形成された絶縁膜を構成する下ギ
ャップと、この下ギャップの上に形成され、当該下ギャップに達す
る断面略々台形状の溝によって左右に分割されたリード
と、この左右のリードを電気的に接続するように前記溝に沿
って形成され、左右両端部が前記リードの断面略々台形
状の溝を構成する左右の傾斜面の途中位置でカットされ
たＭＲ膜を有する磁気センサ膜と、この磁気センサ膜の上に形成された絶縁膜を構成する上
ギャップと、この上ギャップの上に形成された上シールドとを具備し
てなり、前記リードの左右の傾斜面の傾斜角度を１０°以上４０
°以下に設定してなる磁気抵抗効果型薄膜変換素子。