JP2870437B2 - Ｍｒヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Ｍｒヘッドおよびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ハードディスク用再
生ヘッド等に用いられるＭＲ（磁気抵抗効果）ヘッドの
改良に関し、感度低下を防止しつつＭＲ素子固有のオフ
トラック特性であるサイドローブの発生や中心ずれを抑
制して、狭トラックによる高密度記録を可能にしたもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲヘッドは、ＭＲ素子を用いて磁気記
録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記録情報を再
生する再生専用の磁気ヘッドで、誘導型磁気ヘッドに比
べてトラック密度、線記録密度を向上できる利点があ
り、例えばハードディスク用の誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドとして、記録用の誘導型磁気ヘッドと組合わせて
使用される。
【０００３】従来のハードディスク用誘導型・ＭＲ型複
合磁気ヘッドを図２に示す。図２において、（ａ）は断
面側面図、（ｂ）は記録媒体対向面側から見た斜視図で
ある。誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０は、ＭＲ型磁
気ヘッド１２（ＭＲヘッド）の上に誘導型磁気ヘッド１
４を積層して構成されている。両ヘッド１２，１４とも
薄膜形成技術を利用して作られている。
【０００４】ＭＲ型磁気ヘッド１２は、スライダ基板１
６の後端面に下シールド１８が構成され、その上に絶縁
層を構成する下ギャップ２０が積層されている。下ギャ
ップ２０上にはＭＲ膜４６、スペーサ４８、ＳＡＬバイ
アス膜５０を積層したＳＡＬ層（Soft Adjacent Layer
：近接軟磁性層）２８がその先端部を記録媒体対向面
（スライダ面）２４に臨ませて構成されている。ＳＡＬ
層２８の左右両側には、リード（リード・コンダクタ）
３０，３１が接合されている。ＭＲ膜４６のうち、リー
ド３０，３１が接合されていない部分が感応部となり、
リード３０，３１が接合されている部分が非感応部とな
る。ＳＡＬ層２８およびリード３０，３１の上には、絶
縁層を構成する上ギャップ３２が構成され、さらにその
上に上シールド３４が構成されている。
【０００５】誘導型磁気ヘッド１４は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド１２の上シールド３４を下コアとして兼用し、その上
に書き込みギャップ３６、コイルおよび絶縁層３８、上
コア４０、保護膜４２を順次積層して構成されている。
【０００６】図２の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド１４のコイルに記録信
号を流すことにより、上下コア４０，３４間のギャップ
３６に記録磁界が発生して、この磁界で記録媒体に対す
る記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド１２のリード３０，３１を通じてＳＡＬバイアス膜５
０に電流を流してＭＲ膜４６にバイアス磁界を印加した
状態でリード３０，３１を通じてＭＲ膜４６にセンス電
流を流して記録媒体上のトラックをトレースすることに
より、トラック上の情報に応じてＭＲ膜４６の両端の電
圧が変調されて再生が行なわれる。
【０００７】図２の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０
の作製工程を図３〜４を参照して説明する。 （１） 基板（アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等の
セラミック材等）１６の上に形成された保護膜（アルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等）の上に下シールド１８を形成す
る。下シールド１８は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）、セン
ダスト等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるいはメッキな
どにより基板１６上に堆積して構成される。下シールド
１８の上には、アルミナ等の非磁性材料で下ギャップ２
０を形成する。
【０００８】（２） 次に、ＭＲ膜４６（ＮｉＦｅ
等）、スペーサ４８（Ｔｉ等）、ＳＡＬバイアス膜５０
（ＣｏＺｒＭ（ＭはＮｂ，Ｍｏ等）等）を積層してＳＡ
Ｌ層２８を形成する。 （３） ＳＡＬ層２８を矩形にカットする。なお、ＭＲ
膜４６はその長手方向（記録媒体の面に平行な方向）に
磁化容易軸が形成される。 （４） ＳＡＬ層２８の両端に電極取り出し用の高導電
膜リード３０，３１（Ｗ，Ｔａ等）を形成する。
【０００９】（５） ＳＡＬ層２８およびリード３０，
３１の上に上ギャップ３２（アルミナ等）の膜を形成す
る。 （６） 上シールド３４を形成する。上シールド３４
は、書き込みヘッドの下コアを兼ねている。上シールド
兼下コア３４の上に書き込みのための書き込みギャップ
３６（アルミナ等）を形成する。 （７） コイルおよび絶縁層３８を形成する。 （８） コイルおよび絶縁層３８を跨ぐように上コア４
０を形成し、書き込みヘッド（誘導型磁気ヘッド）とす
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ここで、磁気ヘッドの
オフトラック特性について説明する。図５（ａ）は通常
の誘導型磁気ヘッドにて書き込みおよび再生を行なう時
の状態である。書き込み時には、ある任意の位置（トラ
ック）で書き込まれた信号は、略々ポール幅Ｔｗで記録
媒体（ハードディスク）に記録される。次に、これを再
生すると、トラック幅Ｔｗの頂度真上にポール先端が来
た時に最良の再生感度を示す。ポールが記録媒体の移動
方向と直角な方向（トラック幅方向）に移動した時は、
トラック幅からずれる程再生出力は低下する。図５
（ａ）でポールが右側へずれた時を＋、左側へずれた時
を−とすると、再生出力は図５（ｂ）に示す特性（オフ
トラック特性）となる。すなわち、通常の誘導型磁気ヘ
ッドのオフトラック特性は、記録媒体上に書き込まれた
トラック幅の中心とポール幅の中心が一致した時が最高
感度となり、ポールがトラック幅方向にずれるに従い再
生感度は左右対称に均等に減少する。
【００１１】これに対し、ＭＲ型・誘導型複合磁気ヘッ
ドでは、ＭＲ型磁気ヘッドで再生した時のオフトラック
特性を測定すると、図６に示すようにトラック中心に対
し非対称となり、かつサイドローブと呼ばれる小さなこ
ぶが生じる。その原因について図７を参照して説明す
る。
【００１２】図７は、記録媒体に書き込まれたトラック
５２と図２のＭＲ型磁気ヘッド１２との相対位置とその
再生出力の関係を示したものである。相対位置は記録媒
体の面に垂直な断面で示している。ＭＲ膜４６のうち、
リード３０，３１が接合された部分（非感応部）をリー
ド部４６ａ，４６ｂと言い、それらの間の部分を感応部
４６ｃと言う。感応部４６ｃの磁化の変化によって再生
出力が変動する。感応部４６ｃの幅はトラック５２の幅
と略々等しい。ここでは、ＭＲ膜４６には、左から右に
センス電流が流れているものとする。また、トラック５
２からの磁化のベクトルは上向きであるとして説明す
る。
【００１３】感応部４６ｃは、ＳＡＬバイアス膜５０
（図２（ｂ））に流れる電流によってバイアス磁界がか
けられて、最も感度が高くなるように磁化の向きが約４
５°に設定されている。ＭＲ膜４６内に示した実線は外
部磁界がない時のＭＲ素子４６内の磁化であり、点線は
トラック５２からの磁界によるＭＲ膜４６内の磁化回転
を示す。感応部４６ｃに対し、トラックが左にずれた場
合を−とし、右にずれた場合を＋とする。図７の各々の
場合について説明する。
【００１４】（１） トラック５２が−位置でリード部
４６ａにある時は、トラック５２からの磁界によってリ
ード部４６ａの磁化が影響を受け、これに伴って感応部
４６ｃの磁化は右回転のベクトルを受ける。この右回転
のベクトルはＭＲ膜４６の一軸異方性が強ければ強いほ
ど大きく現われる。 （２） トラック５２が右に行くと、トラック５２から
の磁界が感応部４６ｃに直接作用し、感応部４６ｃの磁
化をさらに右回転させる。これにより、再生出力は増加
していく。 （３） トラック５２が感応部４６ｃと一致する付近で
感応部４６ｃの磁化ベクトルは最も右回転が強められ、
出力が最大に達する。
【００１５】（４） トラック５２がトラック中心から
右にずれると、トラック５２からの磁界がリード部４６
ｂに影響し、感応部４６ｃの磁化を左回転させるように
作用する。したがって、感応部４６ｃの磁化を右回転さ
せる作用が打ち消され、急速に出力が減少する。そし
て、トラック５２の磁界が感応部４６ｃに直接作用して
感応部４６ｃの磁化を右回転させる磁化ベクトルと、ト
ラック５２からの磁界がリード部４６ｂに作用してそれ
に伴って感応部４６ｃの磁化を左回転させる磁化ベクト
ルが丁度吊り合ったところで出力は０となる。
【００１６】（５） トラック５２がさらに右にずれる
と、トラック５２からの磁界がリード部４６ｂに作用し
て感応部４６ｃの磁化を左回転させる磁化ベクトルが強
くなり、逆位相の出力が出始める。この逆位相の出力
は、トラック５２がリード部４６ｂからさらに右に外れ
るにしたがって減少していく。
【００１７】以上のようにして図６のオフトラック特性
の非対象性が現われる。しかも感応部４６ｃの幅（トラ
ック幅）を小さくすればするほどサイドローブが大きく
なる。また、この関係は、電流の向きが反対になれば丁
度反対になり、今度は左側にサイドローブが発生する。
このようなサイドローブの発生はトラッキングサーボに
大きな障害をもたらし、狭トラックでのサーボができな
くなるため、高密度記録を実現する上での障害となって
いた。
【００１８】サイドローブを低減する方法として、ＭＲ
膜４６の左右の非感応部（リード３０，３１が接合され
ている部分）に重ねて配設される一軸異方性バイアス磁
石膜（図示せず）の磁化（ＭＲ膜４６の異方性磁界と同
じ向き）を強めることが考えられる。しかし、こうする
と、ＭＲ膜４６の磁化の向きを４５°に保つためにはＳ
ＡＬバイアス膜５０によるバイアス磁界を強めなければ
ならず、記録媒体からの磁界に対するＭＲ膜４６の磁化
の向きの変化（すなわちＭＲ膜４６の抵抗変化）が小さ
くなり、再生感度が低下する。これは特に狭トラックの
ときに著しい。
【００１９】この発明は、従来の技術における問題点を
解決して、感度低下を防止しつつＭＲ素子のオフトラッ
ク特性を改善して、狭トラックによる高密度記録再生を
可能にしたＭＲヘッドを提供しようとするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明のＭＲヘッド
は、記録媒体との対向面側から見て、略々直線状に形成
された直線部と、その左右両側に連続して斜め上方外方
向に向けて当該直線部に対し傾斜して形成された傾斜部
とを有するＭＲ膜と、該ＭＲ膜を挟んでその上下両側に
配置されたシールド効果を有する軟磁性膜と、前記ＭＲ
膜の前記直線部を挟んでその左右両側で、該ＭＲ膜の前
記傾斜部の下面側に位置する前記軟磁性膜中に配置され
た単磁区形成用永久バイアス磁石とを具備してなるもの
である。この発明のＭＲヘッドの製造方法は、基板上に
形成された下シールドを、１つの底面とその両側にそれ
ぞれ傾斜面を持つように掘り込み加工し、当該掘り込み
に沿ってＭＲ素子材料を成膜することにより、当該掘り
込みの底面に沿って前記ＭＲ膜の直線部を構成し、当該
掘り込みの斜面に沿って前記ＭＲ膜の傾斜部を構成して
なり、前記下シールドの掘り込み加工が、該下シールド
上にパターンカットされたレジストを加熱溶融フローし
た後、全面をイオンミリングすることにより行われるも
のである。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【作用】この発明のＭＲヘッドによれば、ＭＲ膜が略々
直線状に形成された直線部と、その両側において直線部
に対し傾斜して形成された傾斜部を有するので、傾斜部
がトラックの記録信号に対しアジマス角を生じ、傾斜部
の再生感度が大幅に低下する。したがって、トラックが
直線部から左右にずれても傾斜部に対するトラックから
の磁界の影響が小さくなり、これにより傾斜部から感応
部の磁化に与える影響も小さくなる。したがって、オフ
トラック特性の左右対称性が改善され、サイドローブも
低減される。これにより、狭トラックでもトラッキング
サーボが可能になり、高密度記録再生が実現可能とな
る。また、隣接トラックからのクロストークも低減され
る。また、一軸異方性バイアス磁界を強めずにサイドロ
ーブを低減できるので、再生感度の低下も防止される。
この場合、直線部に感応部を形成することにより、傾斜
部が非感応部となり、傾斜部の影響を受けずに直線部で
トラックの記録信号を検出することができる。また、感
応部を直線部の全幅よりも狭い幅に形成することによ
り、非感応部が直線部の両端部に少しかかったところま
で形成されて、傾斜部の影響をより低減することができ
る。また、直線部の両側で、直線部と略々同一面上にＭ
Ｒ素子の単磁区形成用永久バイアス磁石を配設したの
で、直線部と傾斜部の境界部分の段差による形状異方効
果が減じられて、ＭＲ素子の一軸異方性が改善される。
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】この発明のＭＲヘッドの製造方法によれ
ば、この発明のＭＲヘッドを作ることができる。
【００３０】
【実施例】この発明のＭＲヘッドの一実施例を図１に示
す。これはハードディスク用誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘ
ッドとして構成したものである。図１において、（ａ）
は記録媒体対向面側から見た斜視図、（ｂ）はその正面
図である。誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０は、ＭＲ
型磁気ヘッド１２（ＭＲヘッド）の上に誘導型磁気ヘッ
ド１４を積層して構成されている。両ヘッド１２，１４
とも薄膜形成技術を利用して作られている。
【００３１】ＭＲ型磁気ヘッド１２は、スライダ基板１
６の後端面に下シールド１８が２層（１８−１，１８−
２）に構成されている。下シールド１８−２は逆台形状
に掘り込まれている。下シールド１８の上には、この逆
台形状に沿って絶縁層を構成する下ギャップ２０が積層
されている。下ギャップ２０上には、ＭＲ膜４６（ＭＲ
素子）、スペーサ４８、ＳＡＬバイアス膜５０を積層し
たＳＡＬ層２８が成膜されている。これにより、ＭＲ膜
４６には、再生時にトラックの記録信号の磁化反転境界
線に対し略々平行に配置される（言い換えれば、書き込
みギャップ３６と略々平行に配置される）略々直線状の
直線部４６−１と、その両側において直線部４６−１に
対し（したがって、トラックの記録信号の磁化反転境界
線に対し）角度θをもって傾斜して形成された傾斜部４
６−２，４６−３と、さらにその外側において下シール
ド１８の頂面上に形成された外縁部４６−４，４６−５
が構成されている。
【００３２】なお、傾斜部４６−２，４６−３の角度θ
は、 ２０°＜θ＜７５° 位が望ましい。すなわち、角度θは大きいほうがアジマ
ス効果が大きく得られるが、あまり大きすぎると、図１
５に示すように、傾斜部４６−２，４６−３でＳＡＬ層
２８の堆積膜（スパッタ等による）が薄くなる。また、
傾斜部４６−２，４６−３と直線部４６−１との境界部
分（段差部）でＳＡＬ層２８に積層不良（クレバス）が
生じ、著しい場合は導通しなくなる。したがって、ＳＡ
Ｌ層２８を均一に積層しかつ積層不良をなくすには、角
度θの上限は７５°位が望ましい。
【００３３】一方、角度θがあまり小さいと、傾斜部４
６−２，４６−３と直線部４６−１との境界が明確にな
らなくなる。また、アジマス効果が低下する。したがっ
て、角度θの下限は２０°位が望ましい。
【００３４】下シールド１８−１と１８−２の間には、
ＭＲ膜４６の直線部４６−１を挟んでその両側にかつ直
線部４６−１と略々同一面上に単磁区形成用の固定バイ
アス用永久磁石５４（一軸異方性バイアス磁石膜）が磁
気スペーサ５６，５８で挟まれた状態で配設されてい
る。この単磁区形成用永久バイアス磁石５４はＭＲ膜４
６の直線部４６−１と傾斜部４６−２，４６−３との間
の段差（境界部分）で生じる形状異方効果を減じてＭＲ
膜４６の一軸異方性を改善する働きをする。単磁区形成
用永久バイアス磁石５４は、ＭＲ膜４６のトラック幅に
平行な方向（ＭＲ膜４６の磁化容易軸方向）に着磁され
ている。ＭＲ膜４６の傾斜部４６−２，４６−３は、こ
の固定バイアス磁石５４を跨ぐようにしてトラック幅方
向に延びている。
【００３５】ＳＡＬ層２８の上には、リード３０，３１
が、傾斜部４６−２，４６−３の始まる直前の直線部４
６−１の両端部付近から傾斜部４６−２，４６−３およ
び外縁部４６−４，４６−５にかけて形成されている。
これにより、ＭＲ膜４６は、直線部４６−１（正確には
直線部４６−１のうちリード３０，３１で挟まれた区
間）が感応部４６ｃを構成し、リード３０，３１が形成
された傾斜部４６−２，４６−３および外縁部４６−
４，４６−５がリード部４６ａ，４６ｂ（非感応部）を
構成する。
【００３６】リード３０，３１を傾斜部４６−２，４６
−３だけでなく、少し直線部４６−１にかかるように形
成するのは、次の理由による。すなわち、ＳＡＬ層２８
を形成した上にリード３０，３１を成膜する場合、例え
ば図１６（ａ）に示すように、レジスト４５を塗布し
て、マスク４７を配置して露光し、これを現像すること
により、同（ｂ）に示すように露光された部分のレジス
ト４５′が残り、その上からリード材を成膜することに
よりリード３０，３１が形成されるが、傾斜部４６−
２，４６−３にてあるいは傾斜部４６−２，４６−３と
直線部４６−１のちょうど境界部分にてレジスト４５を
カットしようとすると、傾斜部４６−２，４６−３から
の反射光により、レジスト４５を垂直にカットできな
い。したがって、トラック幅も決まらないことが多い。
【００３７】そこで、傾斜部４６−２，４６−３から離
れた直線部４６−１にてレジスト４５をカットすること
により、傾斜部４６−２，４６−３からの反射光の影響
がなくなり、カット位置を正確にコントロールして、ト
ラック幅を高精度に加工することができる。また、傾斜
部４６−２，４６−３で再生感度を持つと、記録媒体上
の書き込み信号と干渉を起こし、不要信号ノイズとして
正規の信号に重畳されることがあり、好ましくない。正
規の信号の再生感度は、直線部４６−１でのみとれるよ
うにする必要がある。リード部３０，３１を少し直線部
４６−１にかかるところまで形成することにより、傾斜
部４６−２，４６−３の影響をなくすことができる。こ
のような理由で、図１の実施例では、感応部４６ｃの幅
（Ｔｗ）が直線部４６−１全体の幅よりもやや狭い幅に
形成されている。
【００３８】ＳＡＬ層２８およびリード３０，３１の上
には、絶縁層を構成する上ギャップ３２が構成され、さ
らにその上に上シールド３４が構成されている。
【００３９】誘導型磁気ヘッド１４は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド１２の上シールド３４を下コアとして兼用し、その上
に書き込みギャップ３６、コイルおよび絶縁層３８、上
コア４０、保護膜４２を順次積層して構成されている。
【００４０】図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド１４のコイルに記録信
号を流すことにより、上下コア４０，３４間のギャップ
３６に記録磁界が発生して、この磁界で記録媒体に対す
る記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド１２のリード３０，３１を通じてＳＡＬバイアス膜５
０に電流を流してＭＲ膜４６にバイアス磁界を印加した
状態でリード３０，３１を通じてＭＲ膜４６にセンス電
流を流して記録媒体上のトラックをトレースすることに
より、トラック上の情報に応じてＭＲ膜４６の両端の電
圧が変調されて再生が行なわれる。誘導型磁気ヘッド１
４による書き込みトラック幅Ｔｗは上コア４０のポール
幅で規定され、ＭＲ膜４６の感応部４６ｃの幅（リード
３０，３１間の距離）はトラック幅Ｔｗに略々等しく設
定される。
【００４１】以上の構成によれば、再生時には、図８に
示すように、ＭＲ膜４６の感応部４６ｃがトラック５２
の記録信号の磁化反転境界線６０に対し平行に（アジマ
ス角０°で）トレースする。これに対し、リード部４６
ａ，４６ｂを構成する傾斜部４６−２，４６−３は記録
信号の磁化反転境界線６０に対しアジマス角θ（θは例
えば４０°前後）をもってトレースする。
【００４２】図９は、トラック幅が２．５μｍの時のＭ
Ｒ素子のアジマス角θと再生出力の関係を示した実験結
果である（記録密度７０ＫＢＰＩの時）。これによれ
ば、アジマス角θが４０°のときの再生出力は、アジマ
ス角θが０°のときの約１／４に低下する。したがっ
て、図１のＭＲ膜４６によれば、トラックの記録信号に
対し、感応部４６ｃでは従来どおりの高い感度が得ら
れ、リード部４６ａ，４６ｂでは拾う信号の量を大幅に
低減させることができる。したがって、トラック５２が
感応部４６ｃから左右にずれても、感応部４６ｃ以外か
らの信号の影響が少なくなり、オフトラック特性は図１
０に示すように、中心ずれやサイドローブの発生が抑え
られたものとなる。これにより狭トラックでもトラッキ
ングサーボが可能になり、高密度記録再生が可能とな
る。また、隣接トラックからのクロストークも低減され
る。
【００４３】なお、リード部４６ａ，４６ｂの外側の外
縁部４６−４，４６−５は記録信号の磁化反転境界線６
０に対し平行であるが、感応部４６ｃから離れているた
め、再生出力には影響を及ぼさない。
【００４４】図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド１０
の作製工程を図１１〜図１３を参照して説明する。 （１） 基板（アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等の
セラミック材等）１６の上に形成された保護膜（アルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等）の上に下シールド１８−１を形成
する。下シールド１８−１は、パーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）、センダスト等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるい
はメッキなどにより基板１６上に堆積して構成される。
【００４５】（２） 下シールド１８−１の上に、磁気
スペーサ５６（アルミナ等）、単磁区形成用永久バイア
ス磁石５４、磁気スペーサ５８（アルミナ等）をサンド
イッチ状に形成して、矩形にカットする。 （３） その上に下シールド１８−１と同じ材料で下シ
ールド１８−２を成膜する。これにより、下シールド１
８内に単磁区形成用永久バイアス磁石５４および磁気ス
ペーサ５６，５８が配設された状態となる。
【００４６】（４） 下シールド１８−２および磁気ス
ペーサ５８、単磁化形成用永久バイアス磁石５４、磁気
スペーサ５６を掘り込み加工して、１つの底面７０とそ
の両側に傾斜面７２，７４を持つように逆台形状にカッ
トする。掘り込み加工の一例を図１４に示す。これは、
（ｉ）下シールド１８−２の上にレジスト７６をパター
ンカットし、ついで（ii）レジスト７６を加熱して溶融
フローし、さらに (iii)アルゴンイオン等を用いたイオ
ンエッチング等によって掘り込み加工（ミリング）した
ものである。
【００４７】（５） 掘り込み加工した上にギャップ材
（アルミナ等）をスパッタ等により付けて下ギャップ２
０を形成する。下ギャップ２０の上にＭＲ膜４６（Ｎｉ
Ｆｅ等）、スペーサ４８（Ｔｉ等）、ＳＡＬバイアス膜
５０（ＣｏＺｒＭ（Ｍは、Ｎｂ，Ｍｏ等）等）を積層し
て、矩形にカットし、ＳＡＬ層２８を形成する。ＭＲ膜
４６はその長手方向（記録媒体の面に平行な方向）に磁
化容易軸が形成される。
【００４８】（６） ＳＡＬ層２８の上に電極取り出し
用の高導電膜リード材（Ｗ，Ｔａ等）を成膜する。この
リードはＳＡＬ層２８の底面両端部付近でカットされ
て、リード３０，３１が形成される。成膜方法は、例え
ば前記図６に記載の方法による。 （７） リード３０，３１の上に上ギャップ３２（アル
ミナ等の無機絶縁材）の膜を形成する。
【００４９】（８） 軟磁性膜（ＮｉＦｅ、センダスト
等）をメッキ、あるいは蒸着、スパッタ等で堆積して、
上シールド３４を形成する。上シールド３４は、書き込
みヘッドの下コアを兼ねている。 （９） 上シールド兼下コア３４の表面の凹凸を解消す
るため、ラップ等の機械研磨で上シールド兼下コア３４
の表面を平にする。
【００５０】（10） 上シールド兼下コア３４の上に書
き込みのための書き込みギャップ３６（アルミナ等）を
形成する。 （11） コイルおよび絶縁層３８を形成する。 （12） コイルおよび絶縁層３８を跨ぐように上コア４
０を形成し、書き込みヘッド（誘導型磁気ヘッド）１４
を形成する。
【００５１】尚、この発明は、ＳＡＬバイアス方式以外
のＭＲヘッドにも適用することができる。また、この発
明は、ハードディスク用以外のＭＲヘッドにも適用する
ことができる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＭＲヘ
ッドによれば、ＭＲ膜が略々直線状に形成された直線部
と、その両側において直線部に対し傾斜して形成された
傾斜部を有するので、傾斜部がトラックの記録信号に対
しアジマス角を生じ、傾斜部の再生感度が大幅に低下す
る。したがって、トラックが直線部から左右にずれても
傾斜部に対するトラックからの磁界の影響が小さくな
り、これにより傾斜部から感応部の磁化に与える影響も
小さくなる。したがって、オフトラック特性の左右対称
性が改善され、サイドローブも低減される。これによ
り、狭トラックでもトラッキングサーボが可能になり、
高密度記録再生が実現可能となる。また、隣接トラック
からのクロストークも低減される。また、一軸異方性バ
イアス磁界を強めずにサイドローブを低減できるので、
再生感度の低下も防止される。
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】この発明のＭＲヘッドの製造方法によれ
ば、この発明のＭＲヘッドを作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明をハードディスク用誘導型・ＭＲ型
複合磁気ヘッドに適用した一実施例を示す図で、（ａ）
は記録媒体対向面側から見た斜視図、（ｂ）はその正面
図である。
【図２】 従来のハードディスク用誘導型・ＭＲ型複合
磁気ヘッドを示す断面側面図および記録媒体対向面側か
ら見た斜視図である。
【図３】 図２の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの作製
工程を示す工程図である。
【図４】 図３の続きを示す工程図である。
【図５】 通常の誘導型磁気ヘッドにて書き込みおよび
再生を行なう時の状態で示す斜視図およびオフトラック
特性を示す図である。
【図６】 従来のＭＲ型磁気ヘッドによるオフトラック
特性を示す図である。
【図７】 図６のオフトラック特性が得られる理由を示
す図で、記録媒体に書き込まれたトラックとＭＲ膜との
相対位置とその再生出力の関係を示す図である。
【図８】 図１のＭＲ膜４６による再生時の動作を説明
する平面図である。
【図９】 ＭＲ型磁気ヘッドのアジマス角とその再生出
力の関係を示す特性図である。
【図１０】 図１のＭＲ膜４６によるオフトラック特性
を示す特性図である。
【図１１】 図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの作
製工程の一実施例を示す工程図である。
【図１２】 図１１の続きを示す工程図である。
【図１３】 図１２の続きを示す工程図である。
【図１４】 図１１（４）の掘り込み加工の具体例を示
す工程図である。
【図１５】 傾斜部の角度θが大きすぎる場合のＳＡＬ
層の膜厚不均一状態および積層不良を示す図である。
【図１６】 リード３０，３１を成膜するためにレジス
トをカットする工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
１０ 誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド １２ ＭＲ型磁気ヘッド（ＭＲヘッド） １４ 誘導型磁気ヘッド ２４ 記録媒体対向面 ２８ ＳＡＬ層 ３０，３１ リード ４６ ＭＲ膜 ４６−２，４６−３ 傾斜部 ４６−１ 直線部 ５２ トラック ５４ 単磁区形成用永久バイアス磁石 ６０ 記録信号の磁化反転境界線 ７０ 底面 ７２，７４ 傾斜面 θ 傾斜部の角度

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】記録媒体との対向面側から見て、略々直線
    状に形成された直線部と、その左右両側に連続して斜め
    上方外方向に向けて当該直線部に対し傾斜して形成され
    た傾斜部とを有するＭＲ膜と、 該ＭＲ膜を挟んでその上下両側に配置されたシールド効
    果を有する軟磁性膜と、 前記ＭＲ膜の前記直線部を挟んでその左右両側で、該Ｍ
    Ｒ膜の前記傾斜部の下面側に位置する前記軟磁性膜中に
    配置された単磁区形成用永久バイアス磁石と を具備して
    なる ＭＲヘッド。
  2. 【請求項２】前記ＭＲ膜にセンス電流を流す左右のリー
    ドが該ＭＲ膜の上面に配置されている請求項１記載のＭ
    Ｒヘッド。
  3. 【請求項３】前記リードが前記ＭＲ膜の上面に沿って前
    記傾斜部から前記直線部の一部にかけて形成され、前記
    ＭＲ素子のうち前記左右のリードで挟まれた区間が感応
    部を構成し、該感応部が前記直線部全体の幅よりも狭い
    幅に形成されてなる請求項２記載のＭＲヘッド。
  4. 【請求項４】前記直線部上に形成されている前記左右の
    リードの端面が、それぞれ該直線部に対し垂直に形成さ
    れている請求項３記載のＭＲヘッド。
  5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載のＭＲヘッ
    ドを製造する方法であって、基板上に形成された下シー
    ルドを、１つの底面とその両側にそれぞれ傾斜面を持つ
    ように掘り込み加工し、当該掘り込みに沿ってＭＲ素子
    材料を成膜することにより、当該掘り込みの底面に沿っ
    て前記ＭＲ膜の直線部を構成し、当該掘り込みの斜面に
    沿って前記ＭＲ膜の傾斜部を構成してなり、前記下シールドの掘り込み加工が、該下シールド上にパ
    ターンカットされたレジストを加熱溶融フローした後、
    全面をイオンミリングすることにより行われる ＭＲヘッ
    ドの製造方法。
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