JP2765175B2 - 磁気抵抗効果形ヘッド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果形ヘッド装置Info
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- JP2765175B2 JP2765175B2 JP2077277A JP7727790A JP2765175B2 JP 2765175 B2 JP2765175 B2 JP 2765175B2 JP 2077277 A JP2077277 A JP 2077277A JP 7727790 A JP7727790 A JP 7727790A JP 2765175 B2 JP2765175 B2 JP 2765175B2
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- magnetoresistive
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気抵抗効果形ヘッド装置に関し、さらに
詳しくは、小型磁気ディスク用の読み取り即ち再生用と
して好適な磁気抵抗効果形ヘッド装置に関する。
詳しくは、小型磁気ディスク用の読み取り即ち再生用と
して好適な磁気抵抗効果形ヘッド装置に関する。
磁気ヘッドの中でも磁気抵抗効果形のヘッド装置は、
ヘッドを構成する磁性材料としてNiFe,NiCoなどの強磁
性体が用いられている。このMR形ヘッド装置は、その強
磁性体の抵抗値がヘッド材料内を流れる電流の向きとヘ
ッド材料内の磁化の向きとなす角度により変化する性
質，いわゆる磁気抵抗効果を利用したものである。この
強磁性体における磁気抵抗効果の特徴は、信号出力の大
きさが磁界の強度だけで決定され、磁界の変化率によっ
ては決定されない点にある。このため、ヘッドと磁気記
録媒体との相対速度が小さくなっても信号出力が低下し
ないという利点が生じ、それがため小型磁気ディスク用
の再生専用のヘッドとして期待されている。
ヘッドを構成する磁性材料としてNiFe,NiCoなどの強磁
性体が用いられている。このMR形ヘッド装置は、その強
磁性体の抵抗値がヘッド材料内を流れる電流の向きとヘ
ッド材料内の磁化の向きとなす角度により変化する性
質，いわゆる磁気抵抗効果を利用したものである。この
強磁性体における磁気抵抗効果の特徴は、信号出力の大
きさが磁界の強度だけで決定され、磁界の変化率によっ
ては決定されない点にある。このため、ヘッドと磁気記
録媒体との相対速度が小さくなっても信号出力が低下し
ないという利点が生じ、それがため小型磁気ディスク用
の再生専用のヘッドとして期待されている。
上述の磁気抵抗効果形ヘッド装置に使用される磁気抵
抗効果素子は、その素子中に複数の磁区が存在すると個
々の磁区内の磁化方向が異なるために信号磁界に対する
磁化の回転が不揃いとなることから、信号出力に歪を生
じる。したがって、この磁気抵抗効果素子は単磁区状態
で動作させることが理想である。
抗効果素子は、その素子中に複数の磁区が存在すると個
々の磁区内の磁化方向が異なるために信号磁界に対する
磁化の回転が不揃いとなることから、信号出力に歪を生
じる。したがって、この磁気抵抗効果素子は単磁区状態
で動作させることが理想である。
一方、磁壁が信号磁界の強度変化に伴って移動すると
バルクハウゼン雑音と呼ばれる雑音を発生する問題があ
る。
バルクハウゼン雑音と呼ばれる雑音を発生する問題があ
る。
上述のような信号出力の歪や、バルクハウゼン雑音は
MR形ヘッド装置による読出し信号のエラーレートを悪化
させるために低減、除去することが必要となる。
MR形ヘッド装置による読出し信号のエラーレートを悪化
させるために低減、除去することが必要となる。
そこで、本発明では、電極の直線領域の長さ並びに電
極の引出し方向と磁気記録媒体対向面とがなす角に改良
を施す等により、信号出力の歪や、バルクハウゼン雑音
等を有効に低減することのできる磁気抵抗効果形ヘッド
装置を提供することを、その目的とするものである。
極の引出し方向と磁気記録媒体対向面とがなす角に改良
を施す等により、信号出力の歪や、バルクハウゼン雑音
等を有効に低減することのできる磁気抵抗効果形ヘッド
装置を提供することを、その目的とするものである。
本発明は上述のような目的を達成するために、磁気抵
抗素子と、この磁気抵抗素子に連なり磁気抵抗素子と一
体的な電極下地層と導電体との積層体で形成される電極
とを備えている。そして、電極の引出し方向と磁気記憶
媒体対向面との角が、磁気抵抗効果素子の形成面におい
て14度以下になるようにすると共に、前記電極の直線領
域が磁気抵抗効果素子との接続点から100〔μｍ〕以上
になるように構成されている。これによって前述した目
的を達成しようとするものである。
抗素子と、この磁気抵抗素子に連なり磁気抵抗素子と一
体的な電極下地層と導電体との積層体で形成される電極
とを備えている。そして、電極の引出し方向と磁気記憶
媒体対向面との角が、磁気抵抗効果素子の形成面におい
て14度以下になるようにすると共に、前記電極の直線領
域が磁気抵抗効果素子との接続点から100〔μｍ〕以上
になるように構成されている。これによって前述した目
的を達成しようとするものである。
本発明によれば、電極の直線領域が100〔μｍ〕以上
とすることで磁気抵抗効果素子は磁区数１即ち単磁区状
態となり、電極引出し線の角度が14度以下と定められて
いることで歪や、ヒステリシスが見られなくなってい
る。
とすることで磁気抵抗効果素子は磁区数１即ち単磁区状
態となり、電極引出し線の角度が14度以下と定められて
いることで歪や、ヒステリシスが見られなくなってい
る。
以下、本発明の一実施例を添付した図面に沿って説明
する。
する。
まず、第１図は第１の実施例における装置の断面図を
示すものである。この第１図において、ヘッド本体に設
けた磁気抵抗効果（以下、「MR」という）素子１の両端
に電極２が接続されており、この電極２は前述したMR素
子１に連続して、一体成形されている電極下地層2Aと良
電導体により成形された導体層2Bとが層設されることで
形成されている。
示すものである。この第１図において、ヘッド本体に設
けた磁気抵抗効果（以下、「MR」という）素子１の両端
に電極２が接続されており、この電極２は前述したMR素
子１に連続して、一体成形されている電極下地層2Aと良
電導体により成形された導体層2Bとが層設されることで
形成されている。
また、電極２はMR素子１との接続部において、引出し
方向と磁気記録媒体の対向面３となす角、言換えると電
極の引出し角θが７度に定められており、電極２はMR素
子１との接続点から長さ100〔μｍ〕の直線領域Ｌが形
成されている。
方向と磁気記録媒体の対向面３となす角、言換えると電
極の引出し角θが７度に定められており、電極２はMR素
子１との接続点から長さ100〔μｍ〕の直線領域Ｌが形
成されている。
また、MR素子１のバイアス構造はNiFe膜の磁気抵抗効
果膜に、Ti膜の中間膜を介してcoZrMo膜のバイアス膜を
積層した三層構造になっている。この磁気抵抗効果膜の
膜厚は400〔 〕であり、中間膜の膜厚は100〔 〕、バ
イアス膜の膜厚は600〔 〕であり、電極下地層2Aの膜
構造もMR素子１と同様の膜層設構造にAu膜などの導体層
2Bを層設した４層構造になっている。
果膜に、Ti膜の中間膜を介してcoZrMo膜のバイアス膜を
積層した三層構造になっている。この磁気抵抗効果膜の
膜厚は400〔 〕であり、中間膜の膜厚は100〔 〕、バ
イアス膜の膜厚は600〔 〕であり、電極下地層2Aの膜
構造もMR素子１と同様の膜層設構造にAu膜などの導体層
2Bを層設した４層構造になっている。
そして、基板４はセラミック基板を用い、これをAl2O
3膜による絶縁層５に層設して形成してある。
3膜による絶縁層５に層設して形成してある。
また、第２図は第２の実施例によるMRヘッド装置の断
面図であり、磁気シールド10,11がMR素子１の両側に配
置されたもので、磁気シールド10は絶縁層５内に埋設さ
れており、MR素子１および、電極下地層2Aの形成面には
露出せず、外観上は第１の実施例の場合と変化はない。
面図であり、磁気シールド10,11がMR素子１の両側に配
置されたもので、磁気シールド10は絶縁層５内に埋設さ
れており、MR素子１および、電極下地層2Aの形成面には
露出せず、外観上は第１の実施例の場合と変化はない。
次に、本発明のMR形ヘッド装置の作用について第３
図、第４図により説明する。第３図はMR素子１に連続し
て、当該MR素子１と一体成形された電極２の直線領域Ｌ
の長さと、MR素子１中の磁区数との関係を示すグラフで
あり、直線領域Ｌが100〔μｍ〕以上においてMR素子１
の磁区数が１つ、即ち単磁区状態となることを示してい
る。
図、第４図により説明する。第３図はMR素子１に連続し
て、当該MR素子１と一体成形された電極２の直線領域Ｌ
の長さと、MR素子１中の磁区数との関係を示すグラフで
あり、直線領域Ｌが100〔μｍ〕以上においてMR素子１
の磁区数が１つ、即ち単磁区状態となることを示してい
る。
また、第４図はMR素子１から電極の引出し線の引出し
角θに対する磁界−抵抗変化曲線を示す。引出し角θは
MRヘッド装置の磁気記録媒体、対向面３と、MR素子１か
ら引出される電極との角、いわゆる電極の引出し角θの
14度以下の場合に磁界−抵抗変化曲線中に歪やヒステリ
シスがほとんど見られないのに対し、その引出し角θが
21度以上では磁界−抵抗変化曲線中に歪や、ヒステリシ
スが見られる。
角θに対する磁界−抵抗変化曲線を示す。引出し角θは
MRヘッド装置の磁気記録媒体、対向面３と、MR素子１か
ら引出される電極との角、いわゆる電極の引出し角θの
14度以下の場合に磁界−抵抗変化曲線中に歪やヒステリ
シスがほとんど見られないのに対し、その引出し角θが
21度以上では磁界−抵抗変化曲線中に歪や、ヒステリシ
スが見られる。
以上のように、本発明によれば、MR素子に接続してい
て、これと一体に形成される電極の直線領域が100〔μ
ｍ〕以上で、且、この電極の引出し角を14度以下になる
ように定めて構成したから、MR素子は単磁区状態となる
とともに、磁界−抵抗変化曲線中に歪やヒステリシスが
なく、信号出力に歪や雑音のない読取り再生ができると
いう従来にない優れた磁気抵抗効果形ヘッド装置を提供
することができる。
て、これと一体に形成される電極の直線領域が100〔μ
ｍ〕以上で、且、この電極の引出し角を14度以下になる
ように定めて構成したから、MR素子は単磁区状態となる
とともに、磁界−抵抗変化曲線中に歪やヒステリシスが
なく、信号出力に歪や雑音のない読取り再生ができると
いう従来にない優れた磁気抵抗効果形ヘッド装置を提供
することができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
第２実施例を示す断面図、第３図は電極の直線領域と磁
区数の関係を示す線図、第４図は電極の引出し角に対す
る磁界−抵抗変化曲線の特性を示す線図である。 １……磁気抵抗効果（MR）素子、２……電極、2A……電
極下地層、2B……導体層、３……磁気記録媒体対向面、
４……基板、５……絶縁層、Ｌ……電極の直線領域、θ
……電極引出し角。
第２実施例を示す断面図、第３図は電極の直線領域と磁
区数の関係を示す線図、第４図は電極の引出し角に対す
る磁界−抵抗変化曲線の特性を示す線図である。 １……磁気抵抗効果（MR）素子、２……電極、2A……電
極下地層、2B……導体層、３……磁気記録媒体対向面、
４……基板、５……絶縁層、Ｌ……電極の直線領域、θ
……電極引出し角。
Claims (2)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素
子と一体的に形成された電極とを有する磁気抵抗形効果
ヘッド装置において、 前記電極の引出し方向と磁気記録媒体対向面とがなす引
出し角が磁気抵抗効果素子の形成面において14度以下で
あり、電極の直線領域が磁気抵抗効果素子との接続点か
ら100〔μｍ〕以上になるように設定されていることを
特徴とする磁気抵抗効果形ヘッド装置。 - 【請求項２】前記磁気抵抗効果素子及び電極の直線領域
を挟んで一対の磁気シールドが配置され、磁気抵抗効果
素子及び電極の直線領域下の磁気シールドが平坦になっ
て構成されていることを特徴とした請求項１記載の磁気
抵抗効果形ヘッド装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077277A JP2765175B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 磁気抵抗効果形ヘッド装置 |
| US07/675,192 US5140484A (en) | 1990-03-27 | 1991-03-26 | Magnetoresistive head having electrodes with a predetermined length and positioned to form a predetermined angle with the head surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077277A JP2765175B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 磁気抵抗効果形ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276411A JPH03276411A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2765175B2 true JP2765175B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=13629369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077277A Expired - Fee Related JP2765175B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 磁気抵抗効果形ヘッド装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5140484A (ja) |
| JP (1) | JP2765175B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2741837B2 (ja) * | 1993-08-06 | 1998-04-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 薄膜磁気抵抗ヘッド |
| US5428491A (en) * | 1993-12-03 | 1995-06-27 | Eastman Kodak Company | Magnetoresistive head with deposited biasing magnet |
| TW248602B (en) * | 1994-05-31 | 1995-06-01 | Ibm | Magnetoresistive head with asymmetric leads |
| US5483402A (en) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Quantum Corporation | Magneto resistive head having symmetric off-track performance profile |
| JP2870437B2 (ja) * | 1994-12-29 | 1999-03-17 | ヤマハ株式会社 | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 |
| US5847904A (en) * | 1995-12-08 | 1998-12-08 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Magnetoresistive device incorporating conductor geometry providing substantially uniform current flow for improved magnetic stability |
| US5764446A (en) * | 1996-05-01 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having an air bearing surface with short-resistant leads |
| US5926348A (en) * | 1996-08-28 | 1999-07-20 | Yamaha Corporation | Magnetoresistive head having a magnetoresistive element with bent portions located at points of high longitudinal bias magnetic field intensity |
| US7136264B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-11-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Use of gold leads in lead overlaid type of GMR sensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4843506A (en) * | 1986-09-29 | 1989-06-27 | Hewlett-Packard Company | Shields of magnetoresistive transducers |
| JPH01264622A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2077277A patent/JP2765175B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-26 US US07/675,192 patent/US5140484A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5140484A (en) | 1992-08-18 |
| JPH03276411A (ja) | 1991-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |