JP2002197613A - 垂直磁気記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

垂直磁気記録ヘッドの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の垂直記録型の垂直磁気記録ヘッドで
は、スキュー角が発生したときにサイドフリンジングが
発生していた。 【解決手段】主磁極層２４の記録媒体との対向面での正
面形状を略逆台形にすることにより、スキュー角が発生
しても側辺２４ｆ１がトラックの幅方向にはみ出すこと
が防止でき、サイドフリンジングを抑えることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハード膜を
有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与え
て記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、特に記録パタ
ーンにフリンジングが発生するのを抑制し、高記録密度
化に対応可能な垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法
を提供することを目的としている。
【０００２】
【従来の技術】ディスクなどの記録媒体に磁気データを
高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。
図４１は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される垂直
磁気記録ヘッドの一般的な構造を示す断面図である。
【０００３】図４１に示すように、垂直磁気記録方式の
垂直磁気記録ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動し
または摺動するスライダ１のトレーリング側端面に設け
られるものであり、例えばスライダ１のトレーリング側
端面１ａにおいて、前記垂直磁気記録ヘッドＨは、非磁
性膜２と、非磁性の被覆膜３との間に配置される。
【０００４】前記垂直磁気記録ヘッドＨは、強磁性材料
で形成された補助磁極層４と、前記補助磁極層４の上に
間隔を開けて形成された同じく強磁性材料で形成された
主磁極層５とを有しており、前記補助磁極層４の端面４
ａと前記主磁極層５の端面５ａとが、記録媒体Ｍｄとの
対向面Ｈａに現れている。前記対向面Ｈａよりも奥側に
おいて、前記補助磁極層４と前記主磁極層５は、磁気接
続部６において磁気的に接続されている。
【０００５】前記補助磁極層４と前記主磁極層５との間
にはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶
縁層７が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁
性絶縁層７の端面７ａが、前記補助磁極層４の端面４ａ
と前記主磁極層５の端面５ａとの間に現れている。
【０００６】そして、前記非磁性絶縁層７内には、Ｃｕ
などの導電性材料で形成されたコイル層８が埋設されて
いる。
【０００７】図４１に示すように、主磁極層５の端面５
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｘ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
であり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラック幅
方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなってい
る。
【０００８】前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録
が行われる記録媒体Ｍｄは、垂直磁気記録ヘッドＨに対
してＹ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜
Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【０００９】前記コイル層８に通電されることにより補
助磁極層４と主磁極層５とに記録磁界が誘導されると、
補助磁極層４の端面４ａと、主磁極層５の端面５ａとの
間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍａを
垂直に通過し、ソフト膜Ｍｂを通る。ここで、前記のよ
うに主磁極層５の端面５ａの面積が、補助磁極層４の端
面４ａでの面積よりも十分に小さくなっているため、主
磁極層５の端面５ａの対向部分で磁束φが集中し、端面
５ａが対向する部分での前記ハード膜Ｍａに対し、前記
磁束φにより磁気データが記録される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図４２は図４１の垂直
磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正
面図である。図４１及び図４２の垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層５は、磁性材料からなるメッキ下地層５ｂ上
に、磁性材料を用いてメッキ形成されている。メッキ形
成された主磁極層５は上面５ｃが凸状に湾曲した曲面に
なる。また、従来の垂直磁気記録ヘッドでは主磁極層５
の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対
する垂直面となっている。
【００１１】図４３は、図４１及び図４２に示された垂
直磁気記録ヘッドによって信号が記録された記録媒体上
の記録トラックの平面図である。
【００１２】スライダ１がディスク状の記録媒体Ｍｄの
外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回転
接線方向（図示Ｙ方向）に対して前記主磁極層５の側辺
５ｄ，５ｄが傾くスキュー角が発生することがある。こ
こで図４２に示すように主磁極層５の側辺５ｄ，５ｄが
トラック幅方向に対する垂直面であると、主磁極層５の
側辺５ｄ，５ｄが記録媒体の移動接線方向（図示Ｙ方
向）に対してスキュー角を有するときに、破線で示すよ
うに主磁極層の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅Ｔｗ１の外
側に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、
オフトラック性能の低下を招く。
【００１３】また、主磁極層５の上面５ｃが凸状に湾曲
した曲面であると、記録トラック上の磁区境界Ｂが湾曲
し、再生波形のパルス幅が広くなり高記録密度化を進め
ると鮮明な記録磁化分布が得られなくなる。従って、記
録トラックの長さ方向（図示Ａ方向）の記録密度を上げ
ることが難しくなる。
【００１４】本発明は、上記従来の課題を解決するため
のものであり、記録パターンにフリンジングが発生する
のを抑制できオフトラック性能の向上を図ることが可能
であり、また、記録トラックの長さ方向（図示Ａ方向）
の記録密度を向上させることのできる垂直磁気記録ヘッ
ドの製造方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の垂直磁気記録ヘ
ッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とす
るものである。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程、（ｂ）記
録媒体との対向面となる面よりも奥側で、前記補助磁極
層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、（ｃ）前記
記録媒体との対向面となる面よりも奥側の領域にコイル
層を形成する工程、（ｄ）前記補助磁極層上に絶縁層を
積層する工程、（ｅ）前記絶縁層の上に、前記対向面の
部分でトラック幅方向の内幅寸法が補助磁極層から離れ
るにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向面から奥側
へ所定の奥行きを有する主磁極形成溝を有する無機絶縁
層を形成する工程、（ｆ）前記主磁極形成溝内で、主磁
極層を形成する工程、（ｇ）前記主磁極層と前記接続層
を、直接又は前記主磁極層の上と前記接続層の上にヨー
ク層を形成して、磁気的に接続する工程、本発明の垂直
磁気記録ヘッドの製造方法によって、記録媒体との対向
面に、補助磁極層と主磁極層とが間隔を開けて位置し、
前記対向面よりも奥側に前記補助磁極層と前記主磁極層
とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極
層に集中する前記記録媒体平面に対する垂直方向磁界に
よって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気
記録ヘッドを得ることができる。
【００１６】本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造方法で
は、前記（ｅ）の工程において、前記無機絶縁層に、ト
ラック幅方向の内幅寸法が、補助磁極層から離れるにし
たがって徐々に広がり、且つ前記対向面から奥側へ所定
の奥行きを有する溝を形成し、前記（ｆ）の工程におい
て、前記溝内で主磁極層を形成する。
【００１７】すなわち、得られた垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層は、前記対向面でトラック幅方向の内幅寸法
が、前記補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広く
なるように、前記主磁極層の前記補助磁極側の端辺より
も上辺（トレーリング側の端辺）が幅広とされている。
すなわち前記対向面において前記主磁極層の正面形状が
略逆台形になっている。
【００１８】前記対向面において前記主磁極層の正面形
状が略逆台形になっていると、記録媒体に記録を行うと
き、前記主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対
してスキュー角を生じても、前記側辺が記録トラックの
外にはみ出すことを防ぐことができ、フリンジングを防
止できるようになり、オフトラック性能の向上を図るこ
とができる。
【００１９】本発明では、前記（ｅ）の工程において、
前記絶縁層の上に、リフトオフ用のレジスト層を積層
し、このリフトオフ用のレジスト層をマスクとして、前
記絶縁層の表面に対する垂直方向又は前記垂直方向より
所定の角度方向から、前記無機絶縁層を前記レジスト層
の下面に形成された切り込み部内にまで成膜した後、前
記レジストを除去することにより、トラック幅方向の内
幅寸法が、補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広
がり、且つ前記対向面から奥側へ所定の奥行きを有する
前記主磁極形成溝を有する無機絶縁層を形成することが
できる。
【００２０】または、前記（ｅ）の工程において、前記
絶縁層の上に無機絶縁層を順次成膜し、前記無機絶縁層
上に、溝がパターン形成されたレジスト層を形成後前記
レジスト層を熱処理すること、または前記溝のパターン
形成精度を調節することにより、側面がトラック幅方向
に対する傾斜面であるエッチング用の溝を有するレジス
ト層を形成し、このレジスト層をマスクとして、前記無
機絶縁層をエッチングによって掘り込むことにより、前
記無機絶縁層に、トラック幅方向の内幅寸法が補助磁極
層から離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向
面から奥側へ所定の奥行きを有する前記主磁極形成溝を
形成することができる。
【００２１】あるいは、前記（ｅ）の工程において、前
記絶縁層の上に無機絶縁層順次成膜し、前記無機絶縁層
上に、側面がトラック幅方向に対する垂直面または傾斜
面であるエッチング用の溝がパターン形成されたレジス
ト層を形成後、前記レジスト層をマスクとして、前記無
機絶縁層をエッチングによって掘り込むことにより、前
記無機絶縁層に、トラック幅方向の内幅寸法が補助磁極
層から離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向
面から奥側へ所定の奥行きを有する前記主磁極形成溝を
形成することができる。
【００２２】また、本発明では、前記（ｆ）の工程にお
いて、前記主磁極層をスパッタ法や蒸着法などの成膜プ
ロセスによって形成することができる。
【００２３】前記主磁極層をスパッタ法や蒸着法などの
成膜プロセスによって形成するときには、前記主磁極形
成溝を形成後、この主磁極形成溝以外の前記絶縁層及び
前記無機絶縁層の表面領域をレジスト層によってマスク
し、前記主磁極形成溝内に磁性材料を成膜プロセスによ
って埋め込み、その後前記レジスト層を除去することに
より前記主磁極層を形成することが好ましい。
【００２４】または、前記（ｅ）の工程において、前記
絶縁層の上に、メッキ下地層を介して前記無機絶縁層を
成膜し、このメッキ下地層が露出するように前記主磁極
形成溝を形成し、前記（ｆ）の工程において、前記主磁
極層をメッキによって形成することもできる。
【００２５】前記（ｆ）の工程において、前記主磁極層
をメッキによって形成するときには，前記（ｆ）の工程
と前記（ｇ）の工程の間に、（ｈ）前記主磁極層の中心
線に対して所定の角度だけ傾いた方向からミリング粒子
を入射させるミリングで、前記主磁極層の上面を平坦化
させる工程を有することが好ましい。
【００２６】前記主磁極層の上面を平坦化させることに
より、前記対向面において前記主磁極層の前記上辺を直
線形状にすることができる。
【００２７】前記記録媒体は、垂直磁気記録ヘッドの前
記補助磁極側からヨーク層側に向かう方向に走行する。
従って、前記記録媒体上の記録トラックの磁区境界の形
状は、前記主磁極層の上辺の形状によって決まる。
【００２８】前記主磁極層の前記上辺が直線状にされて
いると前記記録トラックの磁区境界も直線形状となり、
記録トラックの長さ方向の記録密度を上げても鮮明な記
録磁化分布を得ることができ、良好な記録再生特性を得
ることができる。
【００２９】前記（ｈ）の工程において、前記所定の角
度を３５°以上８０°以下とすることが好ましく、より
好ましくは、前記所定の角度を４０°以上５０°以下と
することである。
【００３０】なお、前記（ｄ）の工程において、前記メ
ッキ下地層を非磁性材料を用いて形成することが好まし
い。
【００３１】本発明では、前記（ｈ）の工程と同時に、
または前記（ｈ）の工程の後に、（ｉ）前記主磁極層の
中心線に対して所定の角度だけ傾いた方向からミリング
粒子を入射させるミリングによって、前記主磁極形成溝
が形成された前記無機絶縁層の下層以外の前記メッキ下
地層を除去する工程を有することができる。
【００３２】このとき、主磁極層に重なる領域以外の領
域に前記メッキ下地層が残るが、前記メッキ下地層を非
磁性材料を用いて形成することにより、垂直磁気記録ヘ
ッドの記録特性に大きな影響を及ぼさないようにでき
る。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施形態の垂
直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図である。図２は
垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分
正面図である。
【００３４】図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨｂは記録
媒体Ｍｄに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍ
ａを垂直方向に磁化させるものである。
【００３５】記録媒体Ｍｄはディスク状であり、その表
面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率
の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回
転軸中心となって回転させられる。
【００３６】垂直磁気記録ヘッドＨｂのスライダ１１は
Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、
スライダ１１の対向面１１ａが記録媒体Ｍｄに対向し、
記録媒体Ｍｄが回転すると、表面の空気流によりスライ
ダ１１が記録媒体Ｍｄの表面から浮上し、またはスライ
ダ１１が記録媒体Ｍｄに摺動する。垂直磁気記録ヘッド
はスライダ１１のトレーリング側端面１１ｂ側に設けら
れている。図１においてスライダ１１に対する記録媒体
Ｍｄの移動方向は図示Ｚ方向である。
【００３７】スライダ１１のトレーリング側端面１１ｂ
には、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非
磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層５４の
上に読取り部ＨRが形成されている。
【００３８】読み取り部ＨRは、下から下部シールド層
５２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、および
上部シールド層５１から成る。磁気抵抗効果素子５３
は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗
効果（ＧＭＲ）素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
素子などである。
【００３９】上部シールド層５１の上には、Ａｌ2Ｏ3ま
たはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１２が
形成されて、非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の
垂直磁気記録ヘッドＨｂが設けられている。そして垂直
磁気記録ヘッドＨｂは無機非磁性絶縁材料などで形成さ
れた保護層１３により被覆されている。そして垂直磁気
記録ヘッドＨｂの記録媒体との対向面Ｈ１ａは、スライ
ダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【００４０】垂直磁気記録ヘッドＨｂでは、パーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされて補助磁
極層２１が形成されている。補助磁極層２１はいわゆる
リターンパス層と呼ばれるものである。非磁性絶縁層１
２は、補助磁極層２１の下（補助磁極層２１と上部シー
ルド５１との間）および補助磁極層２１の周囲に形成さ
れている。そして図１に示すように、補助磁極層２１の
表面２１ａと非磁性絶縁層１２の表面１２ａとは同一の
平面上に位置している。
【００４１】図１に示すように、対向面Ｈ１ａよりも奥
側（ハイト方向、図示Ｘ方向）では、補助磁極層２１の
表面２１ａ上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形成され
ている。
【００４２】接続層２５の周囲において、補助磁極層２
１の表面２１ａおよび非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上
に、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性絶縁層２６が形成されて、こ
の非磁性絶縁層２６の上にＣｕなどの導電性材料により
コイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフ
レームメッキ法などで形成されたものであり、接続層２
５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン
形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２
７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底
上げ層３１が形成されている。
【００４３】コイル層２７および底上げ層３１は、レジ
スト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されてお
り、さらに絶縁層３３で覆われている。
【００４４】絶縁層３３は無機絶縁材料で形成されるこ
とが好ましく、無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以
上を選択できる。
【００４５】そして接続層２５の表面２５ａ、底上げ層
３１の表面３１ａ、および絶縁層３３の表面３３ａは、
同一面となるように加工されている。このような平坦化
加工は後述の製造方法で説明するように、ＣＭＰ技術な
どを用いて行なわれる。
【００４６】この第１実施形態では、絶縁層３３の上
に、ＮｉＦｅからなる主磁極層２４が形成されており、
主磁極層２４の前端面２４ａは、対向面Ｈ１ａと同一面
とされている。主磁極層２４は非磁性材料からなるメッ
キ下地層２４ｂ上にメッキ形成されている。
【００４７】絶縁層３３の上には、無機絶縁層３５を介
してＮｉＦｅ合金などからなるヨーク層３６が形成され
ている。ヨーク層３６はＮｉＦｅからなるメッキ下地層
３６ｄ上にメッキ形成されている。図１では、主磁極層
２４の後方部２４ｃとヨーク層３６の先部領域３６ｂが
磁気的に接続され、またヨーク層３６の後方領域３６ｃ
は接続層２５の上面２５ａに磁気的に接続された状態に
なっている。
【００４８】また、主磁極層２４がハイト方向奥側に延
され、主磁極層２４の後方部２４ｃが接続層２５の上面
２５ａに磁気的に接続され、主磁極層２４の上層にヨー
ク層３６が形成されてもよい。
【００４９】またヨーク層３６の前端面３６ａは、対向
面Ｈ１ａよりもハイト方向奥側に位置して保護層１３内
に埋没しており、対向面Ｈ１ａには現れていない。
【００５０】なお本実施の形態ではヨーク層３６の膜厚
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
【００５１】またヨーク層３６の前端面３６ａは、ハイ
ト方向（図示Ｘ方向）に対する垂直面となっている。た
だし、ヨーク層３６の前端面３６ａが下面から上面に向
けてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成され
てもよい。ヨーク層３６の下に形成される主磁極層２４
の上面とヨーク層３６の前端面３６ａ間の外角θ１は９
０°以上であることが好ましい。これによって主磁極層
２４からヨーク層３６に向けて漏れる磁界を少なくでき
主磁極層２４により磁界を集中させることができるから
である。
【００５２】また図１に示すように、底上げ層３１の表
面３１ａにはリード層３７が形成され、リード層３７か
ら底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が
可能となっている。なお、リード層３７はヨーク層３６
と同じ材料で形成でき、ヨーク層３６とリード層３７を
同時にメッキで形成することが可能である。そして、ヨ
ーク層３６およびリード層３７がＡｌ2Ｏ3からなる保護
層１３に覆われている。
【００５３】図２に示すように、対向面Ｈ１ａに現れて
いる主磁極層２４は、トラック幅方向(図示Ｙ方向）の
内幅寸法が、補助磁極層２１から離れるにしたがって徐
々に広くなるように、主磁極層２４の補助磁極２１側の
端辺２４ｄよりも上辺（トレーリング側の端辺）２４ｅ
が幅広とされている。すなわち対向面Ｈ１ａにおいて主
磁極層２４の正面形状が略逆台形になっている。なお、
図２では主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２４ｆ１が直線
形状になっているが、側辺２４ｆ１，２４ｆ１が湾曲し
ていてもよい。主磁極層２４の周囲は、無機絶縁層３４
及び保護層１３に覆われている。
【００５４】図１及び図２に示された垂直磁気記録ヘッ
ドのトラック幅Ｔｗは上辺２４ｅの内幅寸法によって規
制される。本発明では、トラック幅Ｔｗを０．５μｍ以
下、さらには０．３μｍ以下にできる。また、メッキ下
地層２４ｂの高さ寸法と主磁極層２４の高さ寸法を合わ
せたポール長Ｐは０．２〜０．４５μｍである。メッキ
下地層２４ｂの厚さは１５〜５０ｎｍである。
【００５５】メッキ下地層２４ｂは、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，
ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣ
ｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用いて形成されてい
る。メッキ下地層２４ｂが非磁性材料を用いて形成され
ていると、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２４ｆ１とメ
ッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ１が連続した
直線形状または曲線形状を構成していなくとも、例え
ば、図２に示されるように、主磁極層２４の底面のトラ
ック幅方向の幅寸法（主磁極層２４の補助磁極層２１側
の端辺２４ｄの内幅寸法）よりもメッキ下地層２４ｂの
内幅寸法（トラック幅方向の幅寸法）の方が大きくなっ
ても記録媒体上の記録トラックパターンが乱れることを
防ぐことができる。
【００５６】なお、後述するように、主磁極層２４をス
パッタ法などの成膜プロセスを用いて形成する場合には
メッキ下地層２４ｂは形成されない。
【００５７】また、本実施の形態では、対向面Ｈ１ａに
おいて、主磁極層２４の上辺２４ｅが直線形状にされて
いる。
【００５８】なお、主磁極層２４の上辺２４ｅと側辺２
４ｆ１がなす角θ２は、６０°以上で９０°未満である
ことが好ましく、より好ましくは、６０°以上８０°以
下である。
【００５９】図３に示すように、ヨーク層３６は奥側に
至るにしたがって幅寸法Ｗｙが徐々に広がる形状であ
り、この幅寸法Ｗｙが徐々に広がる部分のヨーク層３６
が主磁極層２４の上に重ねられている。
【００６０】または、図４に示すように、ヨーク層３６
は、対向面Ｈ１ａ側である先部領域３６ｂでトラック幅
方向の幅寸法Ｗｙが細くなり、後方領域３６ｃでトラッ
ク幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる平面形状であっ
て、前方領域３６ｂが主磁極層２４の上に重ねられてい
てもよい。
【００６１】または図５に示すように、主磁極層２４の
後方部２４ｃが幅寸法が徐々に広がる形状であり、この
後方部２４ｃにヨーク層３６が重ねられていてもよい。
【００６２】図５のように、主磁極層２４の後方部２４
ｃが徐々に幅広になる形状であると、ヨーク層３６から
主磁極層２４への磁束の通過効率が良くなって、オーバ
ーライト特性を向上できる。なお、図５のように、主磁
極層２４の幅広の後方部２４ｃがヨーク層３６内に完全
に入り込んだ平面形状であると、後方部２４ｃが、ヨー
ク層３６から前方にはみ出ているものよりも、ヨーク層
３６から主磁極層２４への磁束の通過効率がよくなる。
【００６３】図３、図４、図５のいずれの構造において
も、対向面Ｈ１ａに現れている補助磁極層２１の前端面
２１ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｗｒよりも、対向面Ｈ
１ａに現れている主磁極層２４の前端面２４ａのトラッ
ク幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小さくなっている。また
図１に示すように、補助磁極層２１の厚みＨ３よりも主
磁極層２４の厚みＨ１が小さくなっている。よって、対
向面Ｈ１ａに現れている主磁極層２４の前端面２４ａの
面積は、補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十
分に小さくなっている。また、主磁極層２４の厚みＨ１
は、ヨーク層３６の厚みＨ２よりも小さい。
【００６４】そして、対向面Ｈ１ａと平行な面で切断し
たときの断面で見たときに、主磁極層２４の断面積は、
ヨーク層３６の後方領域部分の断面積よりも小さくなっ
ている。
【００６５】そして好ましくは、主磁極層２４はヨーク
層３６よりも飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成さ
れている。
【００６６】この垂直磁気記録ヘッドＨｂでは、リード
層３７を介してコイル層２７に記録電流が与えられる
と、コイル層２７を流れる電流の電流磁界によって補助
磁極層２１とヨーク層３６に記録磁界が誘導される。図
１に示すように、対向面Ｈ１ａでは、主磁極層２４の前
端面２４ａと補助磁極層２１の前端面２１ｂからの漏れ
記録磁界が、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍａを貫通しソフ
ト膜Ｍｂを通過する。主磁極層２４の前端面２４ａの面
積が補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に
小さいために、主磁極層２４の前端面２４ａに漏れ記録
磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより
ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記
録される。主磁極層２４の前端面２４ａから発生する又
は吸収される漏れ記録磁界によってハード膜Ｍａの磁束
密度は飽和し、補助磁極層２１の前端面２１ｂに吸収さ
れる又は発生する漏れ記録磁界によってはハード膜Ｍａ
はほとんど磁化されない。
【００６７】また、この垂直磁気記録ヘッドＨｂでは、
主磁極層２４とヨーク層３６とが別の層として形成され
ているため、主磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法Ｔ
ｗおよび厚みＨ１を、ヨーク層３６の幅寸法Ｗｙおよび
厚みＨ２と別のものとして設定することができる。した
がって、主磁極層２４の幅寸法Ｔｗを小さくして、狭ト
ラックによる記録を可能にできる。しかもヨーク層３６
を十分に大きな断面積となるように形成できるため、コ
イル層２７で誘導された記録磁界の多くの磁束をヨーク
層３６から主磁極層２４へ導くことができる。
【００６８】そして、主磁極層２４をヨーク層３６より
も飽和磁束密度Ｂｓの高い磁性材料で形成しておくと、
幅寸法Ｔｗと厚みＨ１の小さい主磁極層２４からハード
膜Ｍａに対して密度の高い磁束φを垂直方向へ与えるこ
とが可能となり、オーバーライト特性が向上するように
なる。
【００６９】図６は、図１及び図２に示された垂直磁気
記録ヘッドによって信号が記録された記録媒体上の記録
トラックの平面図である。
【００７０】スライダ１１がディスク状の記録媒体Ｍｄ
の外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回
転接線方向（図示Ｚ方向）に対して主磁極層２４の側辺
２４ｆ１，２４ｆ１が傾くスキュー角が発生することが
ある。図２に示すように、対向面Ｈ１ａに現れている主
磁極層２４は、トラック幅方向(図示Ｙ方向）の内幅寸
法が、補助磁極層２１から離れるにしたがって徐々に広
くなるように、主磁極層２４の補助磁極２１側の端辺２
４ｄよりも上辺２４ｅが幅広とされ、対向面Ｈ１ａにお
いて主磁極層２４の正面形状が略逆台形になっている。
【００７１】従って、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２
４ｆ１が記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方向）に対し
てスキュー角を有するときに、破線で示すように側辺２
４ｆ１が記録トラック幅Ｔｗから側方へ斜めに大きくは
み出すことがない。よって側辺２４ｆ１によるフリンジ
ングを防止できるようになり、オフトラック性能の向上
を図ることができる。
【００７２】また、主磁極層２４の上辺２４ｅが直線形
状であるので、記録トラック上の磁区境界Ｂ１またはＢ
２も直線形状となり、再生波形のパルス幅が狭くなり高
記録密度化を進めたときでも鮮明な記録磁化分布が得ら
れる。従って、記録トラックの長さ方向（図示Ｚ方向）
の記録密度を上げることが容易になる。
【００７３】図１ないし図３に示された垂直磁気記録ヘ
ッドの製造方法について以下に説明する。図７から図１
０に示す一工程図は垂直磁気記録ヘッドの縦断面図を示
している。
【００７４】図７に示す工程では、非磁性絶縁層１２上
に磁性材料製の補助磁極層２１を形成した後、補助磁極
層２１のハイト方向後方も非磁性絶縁層１２で埋め、さ
らに補助磁極層２１および非磁性絶縁層１２の上面をＣ
ＭＰ技術などを用いて平坦化加工する。
【００７５】次に、図８に示すように、補助磁極層２１
のハイト方向後方に、磁性材料製の接続層２５をメッキ
形成する。なお、接続層２５の形成は、後述するコイル
層２７の形成後に行ってもよい。
【００７６】次に、図９に示すように、補助磁極層２１
上面２１ａから接続層２５の上面にかけて無機絶縁材料
をスパッタして非磁性絶縁層２６を形成する。さらに、
非磁性絶縁層２６の上にフレームメッキ法を用いて、Ｃ
ｕなどの導電性材料により、コイル層２７を形成し、底
上げ層３１を同じくメッキにより形成する。このときコ
イル層２７は、接続層２５の高さよりも十分に低い位置
に形成する。そしてコイル層２７と底上げ層３１を有機
材料の絶縁層３２で覆い、さらに、無機絶縁材料をスパ
ッタして、全ての層を覆う絶縁層３３を形成する。
【００７７】次に、図９の状態に成膜された各層に対し
て、図示上方からＣＭＰ技術などを用いて研磨加工を行
なう。この研磨加工は、絶縁層３３、接続層２５および
底上げ層３１の全てを横断する水平面（Ｌ−Ｌ面）の位
置まで行なう。
【００７８】研磨加工の結果、図１０に示すように、接
続層２５の上面２５ａ、絶縁層３３の表面３３ａおよび
底上げ層３１の表面３１ａが全て同一面となるように加
工される。平坦化された絶縁層３３の表面３３ａ上、接
続層２５の上面面２５ａ上、及び底上げ層３１の表面３
１ａ上にメッキ下地層２４ｂを成膜し、メッキ下地層２
４ｂ上に、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などを用いて無機絶縁層
３４を成膜する。
【００７９】メッキ下地層２４ｂは、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，
ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣ
ｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用いて形成する。
【００８０】次に図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘ
ッドの主磁極層２４の製造方法について説明する。
【００８１】まず、無機絶縁層３４に主磁極層２４をメ
ッキ形成するために、無機絶縁層３４に溝３４ａを形成
する第１の方法について図１１及び図１２を参照して説
明する。
【００８２】図１１は、図１０に示す工程の後、無機絶
縁層３４上に、溝４０ａがパターニングされたレジスト
層４０を積層した状態を示すものであり、（Ｂ）は図１
０の図示上方向から見たときの部分断面図、（Ａ）は
（Ｂ）のＡ−Ａ矢視方向から見た部分断面図である。
【００８３】無機絶縁層３４上一面にレジスト層４０を
形成し、露光現像により、記録媒体との対向面となる部
分に、前記対向面から奥側へ所定の奥行きを有し主磁極
層２４の抜きパターン形状の溝４０ａを形成する。溝４
０ａは、図示左側に向かうに従って内幅方向（図示Ｙ方
向）の寸法が大きくなるメッキ溜め溝４０ａ２と内幅方
向の寸法が一定である主磁極形成溝４０ａ１からなる。
【００８４】メッキ下地層２４ｂの厚さｔ１は１５〜３
０ｎｍ、無機絶縁層３４の厚さｔ２は０．３〜０．５μ
ｍ、レジスト層４０の厚さｔ３は０．５〜１．５μｍで
ある。溝４０ａの内幅方向の寸法Ｗ１は０．３〜０．５
μｍである。
【００８５】そして図１２に示す工程では、プラズマエ
ッチングまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によ
り溝４０ａ内に露出する無機絶縁層３４を削る。このプ
ラズマエッチングによって無機絶縁層３４のみでなく、
レジスト層４０，４０も削れていく。レジスト層４０，
４０は角部４０ｃ，４０ｃから削れていき、溝４０ａの
側面４０ｂ，４０ｂが傾斜面となる。さらに、無機絶縁
層３４に形成されていく溝３４ａもトラック幅方向の内
幅寸法が、補助磁極層２１から離れるにしたがって徐々
に広がり、側面３４ｂ，３４ｂが傾斜面となる。
【００８６】メッキ下地層２４ｂの表面と無機絶縁層３
４の側面３４ｂがなす角θ３を６０°以上９０°未満、
より好ましくは、６０°以上８０°以下にする。本実施
の形態ではθ３＝６５°〜８０°としている。前記θ３
の大きさを規定することにより、形成される主磁極層２
４の側面のテーパ角を規定することができる。
【００８７】なお、溝３４ａの底面３４ｃのトラック幅
方向寸法Ｗ２は０．２〜０．３２μｍである。
【００８８】次に、無機絶縁層３４に溝３４ａを形成す
る第２の方法について図１１、図１３及び図１４を参照
して説明する。
【００８９】図１１に示すように、無機絶縁層３４上一
面にレジスト層４０を形成し、露光現像により、記録媒
体との対向面となる部分に、前記対向面から奥側へ所定
の奥行きを有し主磁極層２４の抜きパターン形状の溝４
０ａを形成する。溝４０ａは、先にも説明したように、
図示左側に向かうに従って内幅方向（図示Ｙ方向）の寸
法が大きくなるメッキ溜め溝４０ａ２と内幅方向の寸法
が一定である主磁極形成溝４０ａ１からなる。
【００９０】溝４０ａの形成後、レジスト層４０を熱処
理して、溝４０ａの側面４０ｂ，４０ｂを傾斜面或いは
湾曲面とする。すなわち、溝４０ａのトラック幅方向の
内幅寸法が、補助磁極層２１から離れるにしたがって徐
々に広がるようにする。図１２（Ａ）では、溝４０ａの
側面４０ｂ，４０ｂを傾斜面としている。
【００９１】レジスト層４０の熱処理条件を以下に示
す。 熱処理温度：１００℃〜１２０℃ 熱処理時間：１０ｍｉｎ 熱処理後のメッキ下地層２４ｂの表面とレジスト層４０
の側面４０ｂがなす角θ４を６０°以上９０°未満、よ
り好ましくは、６０°以上８０°以下にする。本実施の
形態ではθ４＝８０°としている。前記θ４の大きさを
規定することにより、形成される主磁極層２４の側面の
テーパ角を規定することができる。
【００９２】なお、溝４０ａの底面４０ｃのトラック幅
方向寸法Ｗ３は０．３μｍである。レジスト層４０に形
成された溝４０ａの側面４０ｂ，４０ｂを傾斜面または
湾曲面とするための他の方法として、レジスト層４０の
材料の露光感度を選択してパターニング精度を調節し、
露光・現像の際にレジスト層４０の下面側よりも上面側
の内幅寸法が幅広となり、側面４０ｂ，４０ｂが傾斜面
または湾曲面となる溝４０ａを形成する方法がある。
【００９３】そして図１４に示す工程では、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）により溝４０ａ内に露出する無
機絶縁層３４を削る。溝４０ａの側面４０ｂ，４０ｂが
傾斜面または湾曲面であるので、無機絶縁層３４に形成
されていく溝３４ａも側面３４ｂ，３４ｂが傾斜面また
は湾曲面となる。すなわち、無機絶縁層３４に形成され
た溝３４ａのトラック幅方向の内幅寸法が補助磁極層２
１から離れるにしたがって徐々に広がったものとなる。
【００９４】本実施の形態では、図１３の工程でレジス
ト層４０の材料の種類、熱処理温度などを設定すること
により規定された角度θ４、溝４０ａの底面の内幅寸法
Ｗ３、レジスト層４０の膜厚ｔ３、無機絶縁層３４の厚
さｔ２に依存して、メッキ下地層２４ｂの表面と無機絶
縁層３４の側面３４ｂがなす角度θ５が決められる。
【００９５】角度θ５は６０°以上９０°未満、より好
ましくは、６０°以上８０°以下にすることが好まし
い。本実施の形態ではθ５＝８０°としている。前記θ
５の大きさを規定することにより、形成される主磁極層
２４の側面のテーパ角を規定することができる。
【００９６】なお、図１４において、溝３４ａの底面３
４ｃのトラック幅方向寸法Ｗ４は０．２μｍである。
【００９７】次に、無機絶縁層３４に溝３４ａを形成す
る第３の方法について図１５、図１６を参照して説明す
る。
【００９８】図１５に示す工程では、上に成膜されたメ
ッキ下地層２４ｂ上に，無機絶縁層３４に形成する溝３
４ａの形状のリフトオフ用のレジスト層４１をパターン
形成する。リフトオフ用のレジスト層４１の下面には切
り込み部４１ａ，４１ａが形成されている。
【００９９】次に、トラック幅方向に対する垂直方向か
ら所定の角度θ６の方向からイオンビームスパッタ法、
ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法な
どのスパッタ法により、無機絶縁層３４を成膜する。こ
の際、無機絶縁層３４を、レジスト層４１の下面に形成
された切り込み部４１ａ，４１ａ内にまで成膜する。
【０１００】例えば、垂直磁気記録ヘッドが形成されて
いる基板に対し、無機絶縁層３４の組成で形成されたタ
ーゲットを斜めに傾けて、前記ターゲットを前記基板上
で移動させながら、イオンビームスパッタ法により無機
絶縁層３４をメッキ下地層２４ｂ上に成膜する。
【０１０１】または、前記ターゲットを固定して前記基
板側を、前記ターゲットに対し斜め方向に移動させても
よい。また図１５に示すように、レジスト層４１の上に
は、無機絶縁層３４と同じ組成の層３４ｄが成膜され
る。
【０１０２】角度θ６の値は、０°〜３０°の範囲であ
ることが好ましい。なお、メッキ下地層２４ｂの表面と
レジスト層４１の側面４１ｂがなす角θ７を６０°以上
９０°未満、より好ましくは、６０°以上８０°以下に
する。本実施の形態ではθ７＝８０°としている。前記
θ７の大きさを規定することにより、形成される主磁極
層２４の側面のテーパ角を規定することができる。
【０１０３】なお、溝３４ａの底面３４ｃのトラック幅
方向寸法Ｗ５は０．２μｍである。そして、図１６に示
すように、レジスト層４１を、レジスト剥離液を用いな
がらリフトオフによって除去すると、側面３４ｂ，３４
ｂが傾斜面または湾曲面である溝３４ａが形成された無
機絶縁層３４が形成される。無機絶縁層３４に形成され
た溝３４ａのトラック幅方向の内幅寸法は、補助磁極層
２１から離れるにしたがって徐々に広がったものとな
る。
【０１０４】無機絶縁層３４は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、
Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、
Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯＮのうち少なくと
も１種以上で形成することができる。
【０１０５】上述した３通りの方法のいずれかを用い
て、溝３４ａが形成された無機絶縁層３４を形成する。
【０１０６】なお、図１２、図１４、図１６に示され
る、無機絶縁層３４の側面３４ｂとメッキ下地層２４ｂ
とがなす角θ３、θ５、θ７の大きさは、主磁極層２４
の側面２４ｆとメッキ下地層２４ｂとがなす角の大きさ
に等しく、さらに図２に示された主磁極層２４の上辺２
４ｅと側面２４ｆとがなす角θ２（テーパ角）に等し
い。
【０１０７】図１７は、前記第１の方法で形成された無
機絶縁層３４を図１７に示す。無機絶縁層３４部分周辺
を上方向から見た部分平面図、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ
矢視方向から見た部分断面図である。
【０１０８】無機絶縁層３４には、記録媒体との対向面
となる面に平行な断面においてトラック幅方向の内幅寸
法が補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広がる形
状であり、ハイト方向に所定の奥行きを有する主磁極形
成溝３４ａ１と、メッキ溜め溝３４ａ２とが形成されて
いる。なお、無機絶縁層３４の外側のメッキ下地層２４
ｂが露出している部分は、後のメッキ形成の工程におい
てダミーメッキを形成するためのダミー形成部Ｄであ
る。
【０１０９】次に、図１８に示すように、溝３４内及び
ダミー形成部Ｄ上で、ＮｉＦｅなどの磁性材料を用いて
主磁極層２４及びダミーメッキＤｍをメッキ形成する。
【０１１０】ダミーメッキＤｍがあると、メッキの品質
を良くすることができる。メッキの形成にはパルスメッ
キ法を用いる。ただし、ダミー形成部Ｄ及びダミーメッ
キＤｍは必ずしも形成されなくともよい。例えば、図１
７に示される工程の後、主磁極層２４をメッキ形成する
前に、ダミー形成部Ｄをレジスト層でカバーし、溝３４
ａのみを開放させた状態で主磁極層２４のみをメッキ形
成して、ダミー形成部Ｄをカバーする前記レジスト層を
除去し、図２２に示される状態にしてもよい。
【０１１１】なお、本実施の形態では、主磁極層２４の
上面２４ｊの内幅寸法Ｗ６が０．３μｍとなるように設
定されている。この主磁極層２４の上面２４ｊの内幅寸
法Ｗ６は、上述したメッキ下地層２４ｂの表面と無機絶
縁層の側面３４ｂがなす角θ３、溝３４ａの底面３４ｃ
のトラック幅方向寸法Ｗ２及び主磁極層２４のメッキ厚
さを設定することによって規定することができる。
【０１１２】メッキ形成直後の上面２４ｊは、図１８に
示されるように中央部分が盛り上がった湾曲面になって
いる。
【０１１３】次に、図１８の図示上方向から主磁極層２
４の縦方向の中心線Ｃに対して所定の角度θ８だけ傾い
た方向からミリング粒子Ｍを入射させる異方性イオンミ
リングを行う。
【０１１４】本発明では、主磁極層２４の両側に無機絶
縁層３４が位置している状態で、主磁極層２４をイオン
ミリングにかけているので、本工程のイオンミリングに
よって削られるのは主磁極層２４の上面２４ｊのみであ
る。
【０１１５】主磁極層２４は図１８に示されるように略
逆台形に形成されているので、高さ方向に削れると上面
２４ｊの内幅方向の寸法も小さくなる。すなわち、主磁
極層２４の上面２４ｊを研削することによって、垂直磁
気記録ヘッドのＴｗ寸法をより小さくすることができ
る。
【０１１６】本発明では、イオンミリングによって主磁
極層２４の上面２４ｊのみが研削され、側面２４ｆ，２
４ｆは研削されないので、主磁極層２４は高さ方向（図
示Ｚ方向）にのみ削れていく。従って、本工程のイオン
ミリングによる主磁極層２４の加工精度を向上させるこ
とが容易になり、垂直磁気記録ヘッドのＴｗ寸法を正確
に規定することができる。
【０１１７】また、この主磁極層２４の縦方向の中心線
Ｃに対する斜め方向からのイオンミリングによって、主
磁極層２４の上面２４ｊを平坦化させることができる。
【０１１８】中心線Ｃに対する所定の角度θ８は３５°
〜８０°にすることが好ましく、より好ましくは４０°
〜５０°である。本実施の形態では、θ８を４５°に設
定している。
【０１１９】イオンミリング後、主磁極層２４の上面２
４ｊは平坦化され、直線形状になっている。
【０１２０】イオンミリング終了後、図２０に示すごと
く主磁極層２４及び無機絶縁層３４をレジスト４２で覆
って保護し、ダミーメッキＤｍをエッチングによって除
去する。さらに、図２０の図示上方向から、等方性イオ
ンミリングまたはメッキ下地層２４ｂの表面に対して垂
直方向からミリング粒子Ｍを入射させる異方性イオンミ
リングを行うことにより、主磁極層２４及び無機絶縁層
３４の下層以外のメッキ下地層２４ｂを除去した後、レ
ジスト層４２を除去すると図２３に示した状態になる。
【０１２１】また、主磁極層２４及びダミーメッキＤｍ
がメッキ形成された状態（図１８）にした後、主磁極層
２４の上面２４ｊを削るイオンミリングを行う前に、図
２１に示すように主磁極層２４及び無機絶縁層３４をレ
ジスト４３で覆って保護し、ダミーメッキＤｍをエッチ
ングによって除去してもよい。
【０１２２】図２１の工程では、ダミーメッキＤｍのみ
が除去され、ダミーメッキＤｍの下層のメッキ下地層２
４ｂは除去されないのでレジスト層４３を除去した後
は、図２２に示されるような状態になる。
【０１２３】図２２では、主磁極層２４の上面２４ｊは
中央部分が盛り上がった湾曲面になっている。そこで、
次に、図２２の図示上方向から主磁極層２４の縦方向の
中心線Ｃに対して所定の角度θ９だけ傾いた方向からミ
リング粒子Ｍを入射させる異方性イオンミリングを行
い、主磁極層２４の上面２４ｊを削り、同時に主磁極層
２４及び無機絶縁層３４の下層以外のメッキ下地層２４
ｂを除去する。
【０１２４】図２２に示される工程におけるイオンミリ
ングにおいても、主磁極層２４が略逆台形に形成されて
いるので、主磁極層２４が高さ方向に削れると上面２４
ｊの内幅方向の寸法も小さくなる。すなわち、主磁極層
２４の上面２４ｊを研削することによって、垂直磁気記
録ヘッドのＴｗ寸法をより小さくすることができる。
【０１２５】本実施の形態でも、イオンミリングによっ
て主磁極層２４の上面２４ｊのみが研削され、側面２４
ｆ，２４ｆは研削されないので、主磁極層２４は高さ方
向（図示Ｚ方向）にのみ削れていく。従って、本工程の
イオンミリングによる主磁極層２４の加工精度を向上さ
せることが容易になり、垂直磁気記録ヘッドのＴｗ寸法
を正確に規定することができる。
【０１２６】また、この主磁極層２４の縦方向の中心線
Ｃに対する斜め方向からのイオンミリングによって、主
磁極層２４の上面２４ｊを平坦化させることができる。
【０１２７】中心線Ｃに対する所定の角度θ９は３５°
〜８０°にすることが好ましく、より好ましくは４０°
〜５０°である。本実施の形態では、θ９を４５°に設
定している。
【０１２８】イオンミリング後、主磁極層２４の上面２
４ｊは平坦化され直線形状になり、さらに主磁極層２４
及び無機絶縁層３４の下層以外のメッキ下地層２４ｂは
除去されている（図２３）。
【０１２９】主磁極層２４を形成する方法には、上述し
たＮｉＦｅなどの磁性材料を用いたメッキ形成による方
法に以外に、スパッタ法などの薄膜形成プロセスを用い
て形成する方法がある。
【０１３０】図２４から図２８は、主磁極層２４をスパ
ッタ法によって形成する工程を示す垂直磁気記録ヘッド
の横断面図である。
【０１３１】まず、図１０から図１６に示した工程によ
って、溝３４ａが形成された無機絶縁層３４を形成す
る。ただし、主磁極層２４をスパッタ法によって形成す
る場合にはメッキ下地層２４ｂを成膜する必要がなくな
る。また、主磁極層２４を成膜プロセスによって形成す
るときには、図２４に示されるように上の一面に無機絶
縁層３４を成膜後、主磁極形成用の溝３４ａを形成し、
側面３４ｂを傾斜面或いは湾曲面とするだけよく、メッ
キ形成するときに形成したダミーメッキ形成部及びメッ
キ溜め部が必要なくなる。
【０１３２】無機絶縁層３４の形成後、溝３４ａを含む
上の領域及び無機絶縁層３４上にＮｉＦｅなどの磁性材
料を用い、スパッタ法或いはイオンビームスパッタ法に
よって磁性材料層５１を成膜する（図２５）。
【０１３３】次に、溝３４ａ内以外に形成された磁性材
料層５１を除去し、主磁極層２４を形成する。
【０１３４】主磁極層２４を形成するためには、ＣＭＰ
技術やイオンミリング法などを用いて図２５の無機絶縁
層３４および磁性材料層５１を横断する水平面（Ｂ−Ｂ
面）が表面に現れるように研磨あるいは研削する。
【０１３５】主磁極層２４が形成された状態を図２６に
示す。図２６でも、主磁極層２４は略逆台形状に形成さ
れており、テーパ角が絶縁層３３の表面３３ａと無機絶
縁層３４の側面３４ｂがなす角θ１０に等しい。なお、
θ１０は６０°以上９０°未満、より好ましくは、６０
°以上８０°以下にする。本実施の形態ではθ１０＝８
０°としている。
【０１３６】主磁極層２４は図２６に示されるように略
逆台形に形成されているので、高さ方向に研磨するある
いは削ることにより、上面２４ｊの内幅方向の寸法も小
さくできる。すなわち、主磁極層２４の上面２４ｊの研
磨量或いは研削量を調節することによって、垂直磁気記
録ヘッドのトラック幅寸法Ｔｗを規定することができ
る。
【０１３７】また、この主磁極層２４の表面を研磨ある
いは研削することにより、主磁極層２４の上面２４ｊを
平坦化させることができる。
【０１３８】または、無機絶縁層３４の形成後、図２７
に示すように、溝３４ａ以外の上の領域及び無機絶縁層
３４上の領域をレジスト層４４で覆い、溝３４ａ内及び
レジスト層４４上に磁性材料をスパッタ法或いはイオン
ビームスパッタ法によって成膜し、溝３４ａ内に主磁極
層２４を、及びレジスト層４４上に磁性材料層５１を形
成した後、図２８に示すように、レジスト層４４及び磁
性材料層５１を除去してもよい。この場合、主磁極層２
４の成膜時の膜厚によって垂直磁気記録ヘッドのトラッ
ク幅寸法Ｔｗを規定することができる。
【０１３９】図２８でも、主磁極層２４は、上面２４ｊ
が平坦化された略逆台形状に形成されており、テーパ角
がの表面と無機絶縁層３４の側面３４ｂがなす角θ１０
に等しい。なお、θ１０は６０°以上９０°未満、より
好ましくは、６０°以上８０°以下にする。本実施の形
態ではθ１０＝８０°としている。
【０１４０】また、主磁極層２４を、ＣＭＰ技術やイオ
ンミリングなどによって、高さ方向に研磨するあるいは
削ることにより垂直磁気記録ヘッドのトラック幅寸法Ｔ
ｗを規定することもできる。
【０１４１】なお、図２６、図２８に示される、無機絶
縁層３４の側面３４ｂとの表面ａとがなす角θ１０の大
きさは、主磁極層２４の側面２４ｆと絶縁層３３の表面
３３ａとがなす角の大きさに等しく、さらに図２に示さ
れた主磁極層２４の上辺２４ｅと側面２４ｆとがなす角
θ２（テーパ角）に等しい。
【０１４２】図２９は、図２３に示される工程終了後の
垂直磁気記録ヘッドの縦断面図である。図２９に示され
た垂直磁気記録ヘッドでは、主磁極層２４の断面形状は
図２３に示される略逆台形となっている。
【０１４３】次に、図３０に示すように、主磁極層２
４、絶縁層３３、無機絶縁層３４、接続層２５、及び底
上げ層３１上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機絶縁材料
からなる無機絶縁層３５を成膜する。
【０１４４】なお、主磁極層２４の上面２４ｊを平坦化
させる方法として、上述した方法の他に、主磁極層２４
を無機絶縁層３５で覆った後、ＣＭＰ技術によって、上
面２４ｊを平坦化することもできる。
【０１４５】その後、主磁極層２４の後方部２４ｃ、接
続層２５の上面２５ａ及び底上げ層３１の上面３１ａが
露出するように、無機絶縁層３４及び無機絶縁層３５に
穴部３５ａ、３５ｂ、３５ｃを形成する。穴部３５ａ、
３５ｂ、３５ｃの形成後、主磁極層２４の後方部２４ｃ
上、無機絶縁層３５上、接続層２５の上面２５ａ上及び
底上げ層３１の上面３１ａ上にメッキ下地層３６ｅを成
膜する。
【０１４６】メッキ下地層３６ｅは、Ｎｉｆｅ，Ｎｉな
どの磁性材料またはＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐ
ｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，ＮｉＷ,ＮｉＢ，Ｎ
ｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの
非磁性材料を用いて形成する。
【０１４７】次に、図３２の工程に示すように、主磁極
層２４及び接続層２５上に磁気的に接続されるヨーク層
３６をメッキ形成する。このときヨーク層３６のトラッ
ク幅方向における幅寸法が前記主磁極層２４と重ねられ
た位置での前記磁極層の幅寸法より幅広になる。
【０１４８】なお本実施の形態でもヨーク層３６の膜厚
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
【０１４９】従って、対向面Ｈ１ａと平行な面で切断し
たときの断面で見たときに、主磁極層２４の断面積が、
ヨーク層３６の後方領域部分の断面積よりも小さくな
る。
【０１５０】なお、主磁極層２４はヨーク層３６よりも
飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されることが好
ましい。
【０１５１】次に底上げ層３１と電気的に接続されるリ
ード層３７を、底上げ層３１上にＣｕなどの導電性材料
を用いてメッキ形成し、ヨーク層３６及びリード層３７
周辺の余分なメッキ下地層３６ｄをイオンミリングによ
って除去する。
【０１５２】なお、前記ヨーク層３６と同時に、磁性材
料を用いてリード層３７を形成することも可能である。
【０１５３】さらに、図１に示す保護層１３を形成し対
向面Ｈ１ａを研磨して、対向面Ｈ１ａに、補助磁極層２
１の前端面２１ｂ、絶縁層３３の前端面３３ｂおよび主
磁極層２４の前端面２４ａを同一面となるように露出さ
せる。
【０１５４】また必要に応じて、図１に示すスライダ１
１の対向面１１ａと垂直磁気記録ヘッドＨｂの対向面Ｈ
１ａとが、ＤＬＣなどのカーボンを主体とする耐摩耗性
の保護膜で覆われる。
【０１５５】また、図２６又は図２８に示した工程の後
も図２９から図３２に示した工程と同様の工程によって
ヨーク層を形成する。
【０１５６】なお、図１１の工程において溝部４０ａ
を、接続層２５に重なる位置にまでハイト方向に延して
形成し、主磁極層２４を接続層２５と磁気的に接続させ
るようにしても良い。
【０１５７】また、図１において上部シールド層５１と
補助磁極層２１を一体化して、ひとつの磁性層で前記上
部シールド層５１と補助磁極層２１の機能を発揮させて
もよい。
【０１５８】なお、前記読取り部ＨRを設けず、スライ
ダ１１のトレーリング側端面１１ｂに前記垂直磁気記録
用の垂直磁気記録ヘッドＨｂのみを搭載してもよい。
【０１５９】なお、図１９に示された工程においてメッ
キ形成された主磁極層２４の上面２４ｊを平坦化し、ダ
ミーメッキＤｍを除去した後にメッキ下地層２４ｂの除
去を行わずに、このメッキ下地層２４ｂを、ヨーク層３
６を形成するためのメッキ下地として用いるようにして
もよい。
【０１６０】図３３は、主磁極層２４の上面２４ｊを平
坦化し、ダミーメッキＤｍを除去した後の状態を示す横
断面図である。
【０１６１】図３４は、図３３に示される工程終了後の
垂直磁気記録ヘッドの縦断面図である。図３４に示され
た垂直磁気記録ヘッドでは、主磁極層２４の断面形状は
図３３に示される略逆台形となっている。
【０１６２】主磁極層２４をメッキ形成するために使用
したメッキ下地層２４ｂは、絶縁層３３上、接続層２５
の上面２５ａ上及び底上げ層３１の表面３１ａ上にも成
膜されている。
【０１６３】次に、図３５の工程に示すように、メッキ
下地２４ｂを用いて主磁極層２４及び接続層２５上に磁
気的に接続されるヨーク層３６をメッキ形成する。この
ときヨーク層３６のトラック幅方向における幅寸法が前
記主磁極層２４と重ねられた位置での前記磁極層の幅寸
法より幅広になる。
【０１６４】なお本実施の形態ではヨーク層３６の膜厚
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
【０１６５】従って、記録媒体との対向面と平行な断面
での、主磁極層２４の断面積が、ヨーク層３６の断面積
よりも小さいものとなる。
【０１６６】またヨーク層３６の前端面３６ａは、対向
面となる面よりもハイト方向奥側に位置するように形成
される。
【０１６７】またヨーク層３６の前端面３６ａは、ハイ
ト方向（図示Ｘ方向）に対する垂直面となっている。た
だし、ヨーク層３６の前端面３６ａが下面から上面に向
けてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成され
てもよい。ヨーク層３６の下に形成される主磁極層２４
の上面とヨーク層３６の前端面３６ａ間の外角θ１は９
０°以上であることが好ましい。これによって主磁極層
２４からヨーク層３６に向けて漏れる磁界を少なくでき
主磁極層２４により磁界を集中させることができるから
である。
【０１６８】なお、主磁極層２４はヨーク層３６よりも
飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されることが好
ましい。
【０１６９】次に底上げ層３１と電気的に接続されるリ
ード層３７を、底上げ層３１上にＣｕなどの導電性材料
を用いてメッキ形成し、ヨーク層３６及びリード層３７
周辺の余分なメッキ下地層２４ｂをイオンミリングによ
って除去し、ヨーク層３６及びリード層３７の絶縁をと
る。
【０１７０】本実施の形態では、メッキ下地層２４ｂ
が、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，
ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，
ＮｉＣｕ，ＮｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用
いて形成されているので、主磁極層２４周辺に残存して
いても、記録媒体上の記録トラックパターンが乱れるこ
とを防ぐことができる。すなわち、メッキ下地層２４ｂ
の除去は、ヨーク層３６及びリード層３７などの電気的
な絶縁がとれる程度に行われればよい。
【０１７１】なお、前記ヨーク層３６と同時に、磁性材
料を用いてリード層３７を形成することも可能である。
【０１７２】次に、図１に示す保護層１３を形成する。
さらに対向面Ｈ１ａを研磨して、対向面Ｈ１ａに、補助
磁極層２１の前端面２１ｂ、絶縁層３３の前端面３３ｂ
および主磁極層２４の前端面２４ａを同一面となるよう
に露出させる。
【０１７３】また必要に応じて、図１に示すスライダ１
１の対向面１１ａと垂直磁気記録ヘッドＨｂの対向面Ｈ
１ａとが、ＤＬＣなどのカーボンを主体とする耐摩耗性
の保護膜で覆われる。
【０１７４】なお、主磁極層２４の平面形状を図４また
は図５に示された形状にするには、図１１または図１５
に示す工程において、レジスト層４０を露光現像すると
きの溝４０ａの磁極形成溝４０ａ１の抜き形状またはレ
ジスト層４１の平面形状を、図４または図５に示された
主磁極層２４の平面形状と同じ形状にすればよい。
【０１７５】ヨーク層３６の前端部の形状は、図３、図
４、または図５に示される形状で形成することができ、
また主磁極層２４上にヨーク層３６を重ねるときには、
図３、図４、図５に示されるような位置で重ねあわせ
る。
【０１７６】
【実施例】図３７は、前述した本発明の製造方法の実施
の形態中の図１８又は図２２に示された工程にある垂直
磁気記録ヘッドの磁極層周辺の部分断面図である。
【０１７７】図３７の図示上方向から主磁極層２４の縦
方向の中心線Ｃに対して所定の角度θ８（又はθ９）だ
け傾いた方向から異方的にミリング粒子を入射させるイ
オンミリングを行っている。
【０１７８】図３８は、主磁極層２４の縦方向の中心線
Ｃに対するミリング角度とエッチング速度との関係を示
すグラフである。
【０１７９】（□）で表されるグラフ曲線は、主磁極層
２４の高さ方向（図３７に示すＺ方向）のエッチング速
度である。主磁極層２４の高さ方向のエッチング速度
は、中心線Ｃに対するミリング角度に依存している。グ
ラフより前記ミリング角度が約４０度のとき、最もエッ
チング速度が大きくなっている。前記ミリング角度が約
４０度より小さくなるにつれて、または約４０度より大
きくなるにつれてエッチング速度は小さくなっていく。
特に前記ミリング角度が約７０度前後のとき、前記ミリ
ング角度の変化量に対するエッチング速度の変化率が最
も大きくなっている。
【０１８０】図３７に示されるように、主磁極層２４の
上面２４ｊは、中心部分が盛り上がった湾曲面となって
いるので、ミリング粒子が前記中心線Ｃに対して所定の
角度θ８だけ傾いた方向から異方的に入射する時、上面
２４ｊ上の各点の接平面の法線方向とミリング粒子の入
射方向との角度は前記各点ごとに異なる角度になる。
【０１８１】例えば、図３７の点Ｐ１における接平面Ｓ
０の法線（中心線Ｃ）方向とミリング粒子Ｍ１の入射方
向との角度はθ８である。また、点Ｐ２における接平面
Ｓ１の法線Ｖ１方向とミリング粒子Ｍ２の入射方向との
角度をθ８ａとすると、θ８≠θ８ａとなる。従って、
主磁極層２４の上面２４ｊ上の各点における前記ミリン
グ速度に差が生じる。
【０１８２】本発明では、主磁極層２４の上面２４ｊを
イオンミリングによってエッチングしていくときに、前
記上面２４ｊ上の各点におけるエッチング速度に差を生
じさせることができ、しかも、エッチングの進行ととも
に、上面２４ｊ上におけるエッチング速度の速さの分布
が変化していくために、主磁極層２４の上面２４ｊの湾
曲が全体としてなだらかになっていき、最後には前記上
面２４ｊを図１９または図２３に示すように平坦面とす
ることができるのである。
【０１８３】また、主磁極層２４の高さ方向のミリング
速度が遅すぎると、エッチング加工の効率が悪くなるの
で、前記角度θ８は３５度以上８０度以下であることが
好ましい。または、前記角度θ８が４０度以上５０度以
下であるとより好ましい。
【０１８４】前記角度θ８が４０度以上５０度以下であ
れば、前記角度θ８の変化量に対するエッチング速度の
変化率を大きくでき、前記上面２４ｊ上の各点における
エッチング速度の差を大きくすることができ、前記上面
２４ｊを効率よく平坦化することができる。
【０１８５】図３９及び図４０は、上述した垂直磁気記
録ヘッドの製造方法の実施の形態において、メッキ下地
層２４ｂが磁性材料を用いて形成された場合と非磁性材
料を用いて形成した場合とで、磁気記録特性が変化する
ことを示すグラフである。
【０１８６】図３９は、メッキ下地層２４ｂが磁性材料
を用いて形成された垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性
をマイクロトラックプロファイル法によって測定した結
果を示している。
【０１８７】マイクロトラックプロファイル法とは、記
録媒体上に微小トラックである信号を記録しておき、磁
気抵抗効果素子などの再生素子を記録トラック上でトラ
ック幅方向に走査させて再生出力を読み取ることによ
り、記録トラック上のトラック幅方向の記録信号強度分
布を測定するものである。
【０１８８】図３９に示されるように、メッキ下地層２
４ｂが磁性材料を用いて形成されると、記録トラック上
には主信号Ｓｍのピーク以外にサイド信号Ｓｓのピーク
が現れる。このサイド信号Ｓｓは、主磁極層２４に重な
る領域以外の領域のメッキ下地層２４ｂによって書き込
まれたものであり、垂直磁気記録ヘッドにスキュー角が
生じたときに特に発生しやすくなる。
【０１８９】図４０は、メッキ下地層２４ｂが非磁性材
料を用いて形成された垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性をマイクロトラックプロファイル法によって測定した
結果を示している。
【０１９０】図４０に示されるように、メッキ下地層２
４ｂが非磁性材料を用いて形成されると、記録トラック
上には主信号Ｓｍのピークのみが現れ、サイド信号Ｓｓ
は検出されない。
【０１９１】すなわち、メッキ下地層２４ｂが非磁性材
料を用いて形成された場合には、主磁極層２４の側辺２
４ｆ１，２４ｆ１とメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ
１，２４ｂ１が連続した直線形状または曲線形状を構成
していなくとも、例えば図２に示すように、主磁極層２
４の底面２４ｄのトラック幅方向の幅寸法よりも、メッ
キ下地層２４ｂトラック幅方向の幅寸法の方が大きくな
っても記録媒体上にサイド信号Ｓｓが現れることを防い
で、記録トラックパターンが乱れることを防ぐことがで
きることがわかる。
【０１９２】従って、メッキ下地層２４ｂが非磁性材料
を用いて形成することにより、垂直磁気記録へッドの高
記録密度化対応を容易にすることができる。
【０１９３】
【発明の効果】以上詳細に説明した本発明では、前記無
機絶縁層に、トラック幅方向の内幅寸法が、補助磁極層
から離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向面
から奥側へ所定の奥行きを有する溝を形成し、前記溝内
で主磁極層を形成する。
【０１９４】すなわち、得られた垂直磁気記録ヘッドの
記録媒体との対向面において前記主磁極層の正面形状を
略逆台形にすることができる。
【０１９５】前記対向面において前記主磁極層の正面形
状が略逆台形になっていると、記録媒体に記録を行うと
き、前記主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対
してスキュー角を生じても、前記側辺が記録トラックの
外にはみ出すことを防ぐことができ、フリンジングを防
止できるようになり、オフトラック性能の向上を図るこ
とができる。
【０１９６】また、本発明では、前記主磁極層の上面を
平坦化させることにより、前記対向面において前記主磁
極層の前記上辺を直線形状にすることができる。
【０１９７】前記主磁極層の前記上辺が直線状にされて
いると前記記録トラックの磁区境界が直線形状となり、
記録トラックの長さ方向（図示Ａ方向）の記録密度を上
げても鮮明な記録磁化分布を得ることができ、良好な記
録再生特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によって製造された垂直磁気記録ヘッド
が記録媒体に対向している状態を示す断面図、
【図２】図１に示す垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との
対向面から見た正面図、
【図３】図１のＢ矢視の平面図、
【図４】本発明の他の実施の形態によって製造された垂
直磁気記録ヘッドを上方向から見た平面図、
【図５】本発明の他の実施の形態によって製造された垂
直磁気記録ヘッドを上方向から見た平面図、
【図６】図１ないし図３に示された垂直磁気記録ヘッド
にスキュー角が発生した状態を示す説明図、
【図７】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦断
面図、
【図８】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦断
面図、
【図９】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦断
面図、
【図１０】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図１１】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するも
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
【図１２】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図１３】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図１４】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図１５】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図１６】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図１７】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するも
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
【図１８】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図１９】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２０】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２１】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２２】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２３】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２４】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する平
面図、
【図２５】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２６】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２７】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２８】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図２９】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３０】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３１】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３２】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３３】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
【図３４】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３５】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３６】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
【図３７】イオンミリングにかけられている主磁極層の
横断面図、
【図３８】イオンミリングのミリング角度と主磁極層の
エッチング速度の関係を示すグラフ、
【図３９】メッキ下地層が磁性材料からなる垂直磁気記
録ヘッドの磁気記録特性、
【図４０】メッキ下地層が非磁性材料からなる垂直磁気
記録ヘッドの磁気記録特性、
【図４１】従来の垂直磁気記録ヘッドを示す断面図、
【図４２】従来の垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、
【図４３】従来の垂直磁気記録ヘッドにスキュー角が発
生した状態を示す説明図、
【符号の説明】
Ｈ１ 垂直磁気記録ヘッド Ｈ１ａ 対向面 Ｍ 記録媒体 Ｍａ ハード膜 Ｍｂ ソフト膜 １１ スライダ １２ 非磁性絶縁層 １３ 保護層 ２１ 補助磁極層 ２３ 非磁性金属層 ２４ｂ メッキ下地層 ２４ 主磁極層 ２５ 接続層 ２６ 非磁性絶縁層 ２７ コイル層 ３１ 底上げ層 ３２ 有機材料の絶縁層 ３３ 絶縁層 ３４、３５ 無機絶縁層 ３６ ヨーク層 ３７ リード層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月１５日（２００２．２．１
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】図４１に示すように、主磁極層５の端面５
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｙ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
であり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラック幅
方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなってい
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録
が行われる記録媒体Ｍｄは、垂直磁気記録ヘッドＨに対
してＺ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜
Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図４２は図４１の垂直
磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正
面図である。図４１及び図４２の垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層５は、磁性材料からなるメッキ下地層５ｂ上
に、磁性材料を用いてメッキ形成されている。メッキ形
成された主磁極層５は上面５ｃが凸状に湾曲した曲面に
なる。また、従来の垂直磁気記録ヘッドでは主磁極層５
の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅方向（図示Ｙ方向）に対
する垂直面となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】スライダ１がディスク状の記録媒体Ｍｄの
外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回転
接線方向（図示Ｚ方向）に対して前記主磁極層５の側辺
５ｄ，５ｄが傾くスキュー角が発生することがある。こ
こで図４２に示すように主磁極層５の側辺５ｄ，５ｄが
トラック幅方向に対する垂直面であると、主磁極層５の
側辺５ｄ，５ｄが記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方
向）に対してスキュー角を有するときに、破線で示すよ
うに主磁極層の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅Ｔｗ１の外
側に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、
オフトラック性能の低下を招く。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１４】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１５】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１８】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２２】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３７】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４１】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４２】

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 以下の工程を有することを特徴とする垂
    直磁気記録ヘッドの製造方法。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程、（ｂ）記
    録媒体との対向面となる面よりも奥側で、前記補助磁極
    層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、（ｃ）前記
    記録媒体との対向面となる面よりも奥側の領域にコイル
    層を形成する工程、（ｄ）前記補助磁極層上に絶縁層を
    積層する工程、（ｅ）前記絶縁層の上に、前記対向面の
    部分でトラック幅方向の内幅寸法が補助磁極層から離れ
    るにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向面から奥側
    へ所定の奥行きを有する主磁極形成溝を有する無機絶縁
    層を形成する工程、（ｆ）前記主磁極形成溝内で、主磁
    極層を形成する工程、（ｇ）前記主磁極層と前記接続層
    を、直接又は前記主磁極層の上と前記接続層の上にヨー
    ク層を形成して、磁気的に接続する工程、
  2. 【請求項２】 前記（ｅ）の工程において、前記絶縁層
    の上に、リフトオフ用のレジスト層を積層し、このリフ
    トオフ用のレジスト層をマスクとして、前記絶縁層の表
    面に対する垂直方向又は前記垂直方向より所定の角度方
    向から、前記無機絶縁層を前記レジスト層の下面に形成
    された切り込み部内にまで成膜した後、前記レジストを
    除去することにより、トラック幅方向の内幅寸法が、補
    助磁極層から離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前
    記対向面から奥側へ所定の奥行きを有する前記主磁極形
    成溝を有する無機絶縁層を形成する請求項１記載の垂直
    磁気記録ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記（ｅ）の工程において、前記絶縁層
    の上に無機絶縁層を順次成膜し、前記無機絶縁層上に、
    溝がパターン形成されたレジスト層を形成後前記レジス
    ト層を熱処理すること、または前記溝のパターン形成精
    度を調節することにより、側面がトラック幅方向に対す
    る傾斜面であるエッチング用の溝を有するレジスト層を
    形成し、このレジスト層をマスクとして、前記無機絶縁
    層をエッチングによって掘り込むことにより、前記無機
    絶縁層に、トラック幅方向の内幅寸法が補助磁極層から
    離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向面から
    奥側へ所定の奥行きを有する前記主磁極形成溝を形成す
    る請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記（ｅ）の工程において、前記絶縁層
    の上に無機絶縁層順次成膜し、前記無機絶縁層上に、側
    面がトラック幅方向に対する垂直面または傾斜面である
    エッチング用の溝がパターン形成されたレジスト層を形
    成後、前記レジスト層をマスクとして、前記無機絶縁層
    をエッチングによって掘り込むことにより、前記無機絶
    縁層に、トラック幅方向の内幅寸法が補助磁極層から離
    れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向面から奥
    側へ所定の奥行きを有する前記主磁極形成溝を形成する
    請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記（ｆ）の工程において、前記主磁極
    層をスパッタ法や蒸着法などの成膜プロセスによって形
    成する請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記
    録ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記主磁極形成溝を形成後、この主磁極
    形成溝以外の前記絶縁層及び前記無機絶縁層の表面領域
    をレジスト層によってマスクし、前記主磁極形成溝内に
    磁性材料を成膜プロセスによって埋め込み、その後前記
    レジスト層を除去することにより前記主磁極層を形成す
    る請求項５記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記（ｅ）の工程において、前記絶縁層
    の上に、メッキ下地層を介して前記無機絶縁層を成膜
    し、このメッキ下地層が露出するように前記主磁極形成
    溝を形成し、前記（ｆ）の工程において、前記主磁極層
    をメッキによって形成する請求項１ないし４のいずれか
    に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の工程の
    間に、 （ｈ）前記主磁極層の中心線に対して所定の角度だけ傾
    いた方向からミリング粒子を入射させるミリングで、前
    記主磁極層の上面を平坦化させる工程を有する請求項７
    記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記（ｈ）の工程において、前記所定の
    角度を３５°以上８０°以下とする請求項８記載の垂直
    磁気記録ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記（ｈ）の工程において、前記所定
    の角度を４０°以上５０°以下とする請求項８記載の垂
    直磁気記録ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記（ｅ）の工程において、前記メッ
    キ下地層を非磁性材料を用いて形成する請求項７ないし
    １０のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記（ｈ）の工程と同時に、または前
    記（ｈ）の工程の後に、 （ｉ）前記主磁極層の中心線に対して所定の角度だけ傾
    いた方向からミリング粒子を入射させるミリングによっ
    て、前記主磁極形成溝が形成された前記無機絶縁層の下
    層以外の前記メッキ下地層を除去する工程を有する請求
    項１１記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
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