JP2005011409A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005011409A JP2005011409A JP2003172771A JP2003172771A JP2005011409A JP 2005011409 A JP2005011409 A JP 2005011409A JP 2003172771 A JP2003172771 A JP 2003172771A JP 2003172771 A JP2003172771 A JP 2003172771A JP 2005011409 A JP2005011409 A JP 2005011409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- thin film
- film magnetic
- film
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 170
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 140
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 19
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
【解決手段】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド形成後のイオンミリング工程をできるだけ減らすことにより、イオンミリング装置起因の帯電の影響を回避する。具体的には、基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッドをまず形成し、その後で磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成する。この際、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドには、コイルが下部磁極と同じ水平位置に埋め込まれている構造のものを用いる。
【選択図】 図6
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、多層構造に垂直方向に検出電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを有する複合型薄膜磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】IT技術が社会生活へ浸透するとともに記録すべき情報の容量は飛躍的に増大し、ハードディスクドライブ等の記録装置の大容量化への要請が高まっている。安価に大容量化を実現するためには、単位面積あたりの記録容量を増やす必要がある。すなわち、1ビットを構成する面積の縮小の実現が課題である。この記録面積の縮小は、磁気的信号の低下をもたらすため、大容量化は、磁気ヘッドの感度の改善なくしては達成できない。
【0003】
感度向上を目指し、再生機能を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜の研究・開発が活発に行われている。現在、市場で主流となっているハードディスクドライブでは、巨大磁気抵抗効果膜(GMR膜)が使用されているものの、近い将来には限界が来ると考えられ、近年トンネル磁気抵抗効果膜(TMR膜)、多層構造に垂直方向に検出電流を流す(Current Perpendicular to the Plane)巨大磁気抵抗効果膜(CPP−GMR膜)等の新しいタイプの膜の研究が進められている。
【0004】
【特許文献1】特開2000−57534号公報
【発明が解決しようとする課題】TMR膜、CPP−GMR膜は、多層膜に垂直に電流を流すという点で、従来のCIP型(多層膜と水平に電流を流す)の磁気抵抗効果膜と異なっている。CIP型の磁気抵抗効果型膜を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果型膜が絶縁膜により下部シールド膜、上部シールド膜と電気的に絶縁される構造となっている。図面を用いて説明すると、図1(浮上面)に示すように、アルチック基板1上に、アルミナからなるアンダーコート膜2、下部シールド膜3、アルミナからなる下部絶縁膜4、巨大磁気効果膜5、磁区制御膜の下地膜6、磁区制御膜7、電極膜8、上部絶縁膜9、上部シールド膜10が順次形成されて、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが構成されている。これに対し、TMR、CPP型の磁気抵抗効果型膜では、磁気抵抗効果型膜が下部シールド膜、上部シールド膜と電気的に接続されている。すなわち、図2(浮上面)に示すように、アルチック基板21上に、アルミナからなるアンダーコート膜22、下部シールド膜23、TMR膜27、上部シールド膜33が順次形成されて、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが構成されている。
【0005】
現在市場に出ているハードディスクドライブを構成する複合型薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを基板上に形成した後で、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドを形成している。すわなち、図3に示すように、図1で説明した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成後、絶縁膜49、第1層下部磁極50、第2層下部磁極51、絶縁膜52、第1層上部磁極53を形成後、イオンミリングにより第1層上部磁極53と絶縁膜52、第2層下部磁極51を必要な構造に成形し、続いて誘導コイル、第2層上部磁極を形成する。
以上のように、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッドを持つ複合型薄膜磁気ヘッドの形成プロセスを、磁気抵抗効果膜形成後のイオンミリング処理という観点から見直すと、めっき膜形成前の下地膜除去工程で行われており、上部シールド48、第1層下部磁極50、第2層下部磁極51、第1層上部磁極53、誘導コイル、Auパッドが該当する。特に電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの工程で頻繁にイオンミリング処理は行われている。めっき法もベタめっき法を行った後にパターン形成してめっき膜を除去する場合には、イオンミリング時間が非常に長くなる。このような工程で生産に適用されているイオンミリング装置では、電気的な中和機能を保持しており、装置が正常に動作している際には通常イオンミリングによるウェハの帯電は小さく抑えられている。ところが、大量生産の際に何らかのトラブルにより装置状態が通常の状態からずれた場合には、処理されるウェハが帯電することがある。この際、現在市場を占めている巨大磁気抵抗効果膜を有する複合型薄膜磁気ヘッド(図3)では、巨大磁気抵抗効果型膜45が絶縁膜44、47により下部シールド膜43、上部シールド膜48と電気的に絶縁されているため、このようなイオンミリング装置の誤動作による影響を受けにくい。加えて、図4に示すように、ウェハプロセス中において、上部シールド膜65と下部シールド膜63とを直接電気的に接続しておけば(図4の66の部分)、たとえ上部シールド膜65が帯電しても、電荷は下部シールド膜63に流れ込み、巨大磁気抵抗効果膜64に電荷が流れる確率は低くなる。この際、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの両端子の少なくとも片方をシールドと電気的に絶縁しておけば、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの特性評価は支障がない。
【0006】
一方、TMR、CPP型の磁気抵抗効果型膜では、図2に示すように磁気抵抗効果膜27を通して下部シールド膜23と上部シールド膜33とが電気的に接続されているため、上部シールド膜33が帯電するとその電荷が磁気抵抗効果型膜27に流れ込みやすい構造となっている。この際、上記のようにシールド間を素子部以外の場所で電気的に接続すると素子と並列に繋がれることになり、TMR特性、CPP−GMR特性の評価が困難になる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を解決するために、基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成することとした。本構造を適用した複合型薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果膜形成後の長時間にわたるイオンミリング処理は、上部シールド形成とAuパッド形成時のみとなる。これにより、多層構造に垂直方向に電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを有する複合型薄膜磁気ヘッドにおいても、イオンミリングによる影響が極めて抑制される。
本発明の主眼である基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成するという構造は、特許文献1にインバースタイプの複合型薄膜磁気ヘッドとして記載されている。そこでは、ヘッドを形成する際の熱処理によるMRヘッドの再生感度の劣化を問題にしており、本発明に示すような、多層構造に垂直方向に電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを有する複合型薄膜磁気ヘッドにおけるイオンミリングの影響に関しては、言及されていない。
本発明は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの上に形成するため、特に磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのトラック形成時に下にある構造の影響を受けやすい。トラック形成とは、通常レジストを感光させて成形するものであるが、感光に用いる光、もしくは電子がレジストを通過した後、下の構造に応じた反射が起こり、トラックが安定して形成できないという問題を生じる可能性がある。このため、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの最終表面が平坦になっていると、その上に形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのトラック構造を安定させられる。図5に示すように、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの最終表面(80の表面)が平坦であることにより実現できる。本構造は、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル74が下部磁極72と同じ水平位置に埋め込まれた構造とし、上部磁極80表面を化学的機械研磨(CMP、Chemical Mechanical Polishing)することにより、形成できる。
【0008】
さらに、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドに従来構造を用いた場合には、図4に示すようにコイル上を第二層上部磁極で覆うために電磁誘導型薄膜磁気ヘッドのギャップと第2層上部磁極表面との距離が大きくなってしまい、標準的には5ミクロン以上となる。これは、記録/再生ギャップ間距離の増大をもたらし、ハードディスクドライブのフォーマット効率が劣化する。これに対し、コイルが下部磁極と同じ水平位置に埋め込まれている電磁誘導型薄膜磁気ヘッド(図5)では、電磁誘導型薄膜磁気ヘッドのギャップ79上に上部磁極80しかないため、記録/再生ギャップ間距離を狭くすることができる。すなわち、基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成した複合型薄膜磁気ヘッドでフォーマット効率に優れたハードディスクドライブを実現するためには、上部磁極80の表面が平坦な電磁誘導型薄膜磁気ヘッドプロセスの確立が不可欠である。加えて、このような構造の電磁誘導型薄膜磁気ヘッドでは、オーバーライト特性が必ずしも充分な性能を達成できない。ハードディスクドライブの大容量化のためにトラック幅を狭小化していくと、このオーバーライト特性が劣化していく。この問題を回避するためには、ライトギャップを挟む磁極の飽和磁束密度を高くし、コイルを低抵抗化することが必須である。本発明では、上記課題を解決する為に、ライトギャップに接する磁極(上部磁極、下部磁極のうち少なくとも1つ)の飽和磁束密度が2.3テスラ以上であること、コイル幅とスペースとの比が3以上である薄膜磁気ヘッドとする。
【0009】
本発明は、多層構造に垂直方向に電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを持つ複合型薄膜磁気ヘッドに有効であるが、磁気抵抗効果膜としてはTMR膜、CPP−GMR膜を採用することができる.
本発明によれば、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド形成後のイオンミリングの影響を大幅に改善できる。万が一、イオンミリングによる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの劣化が生じた場合には、ウェハ完成直前の特性評価で素子の良否を選別できるため、特性の悪い素子が市場に流出することはない。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、以下に図面を用いて説明する。図5は、本発明の第一の実施の形態に関わる複合型薄膜磁気ヘッドの断面を示したものであり、図6は、その複合型薄膜磁気ヘッドの浮上面を示したものである。複合型薄膜磁気ヘッドは、アルチック基板81の上にアンダーコート82を形成し、その上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、多層構造に垂直方向に電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成することにより、完成される。
【0011】
電磁誘導型薄膜磁気ヘッドは、以下のようにして形成する。パターンめっき法により第1層下部磁極71を形成し、めっき用の下地膜を除去した後、アルミナ膜をスパッタ法で形成後、CMP法で表面を平坦化しながら、第1層下部磁極71の表面を露出させる。その上に、パターンめっき法により第2層下部磁極72を形成する。次に、アルミナ膜73を形成後、コイル74を形成し、コイルコンタクト用の部分と電気的に接続させるパターン76を形成する。従来は、アルミナ膜73形成後にレジストパターンを形成し、その空隙にめっき法によりコイル74を形成した。本実施の形態では、レジストパターンを形成した後にアッシングによりレジストをスリム化させ、空隙を広げた後にめっき法によりコイル74を形成した。本方法を用いることにより、従来の設計では、コイル幅A=1.0ミクロン、コイル間スペースB=0.6ミクロンで、コイル幅/スペース幅の比(A/B)=1.67であったものが、コイル幅A=1.3ミクロン、コイル間スペースB=0.3ミクロンでコイル幅/スペース幅の比(A/B)=4.33が可能となった。本実施の形態では、コイル幅A/スペース幅Bの比を3以上とした場合に、オーバーライト特性の低下を防止する効果が示された。また、ここでいうコイル幅Aとは、図5に示すように薄膜磁気ヘッドの浮上面に近い側のコイルの線幅をさし、スペース幅Bとは、それらのコイルとコイルの間のスペース幅を意味する。続いて、コイル間の絶縁用のレジスト膜を塗布後、アニールしてレジスト膜75を空隙なくコイル間に埋め込む。次に、酸素を用いた反応性イオンエッチングによりコイル表面を露出させ、コイル上の膜厚が第2層下部磁極72の上面よりも高くなる膜厚だけアルミナ77をスパッタ法により形成する。続いて、CMP法により表面を平坦に保ちながら、第2層下部磁極表面72を露出させる。続いて、第3層下部磁極78となる高Bs膜をスパッタ法により形成し、その後所望の形状に加工する。次に、ライトギャップ79に用いるSiO2膜をスパッタ法により堆積し、所望の形状に加工する。上部磁極80の下地膜(上部磁極80の下層部分)となる高Bsを形成し、KrFエキシマレーザを用いて、狭ライトトラックパターンを形成し、めっき法により上部磁極80を形成する。続いて、上部磁極80が埋まるまでアルミナを堆積後、CMP法により表面を平坦に保ちながら、上部磁極80の表面を露出させる。ここで上部磁極80の下地膜、それに続いてめっき法で形成する膜(上部磁極80の上層部分)は、Fe、Co、Niを主成分とする飽和磁束密度=約2.35テスラの磁性膜を用いた。このような高い飽和磁束密度のめっき膜は、ウェハをめっき液に浸漬する際の電流を制御することにより、腐食を起こさずに実現できた。本実施の形態では、ライトギャップ79に接する磁極である第3層下部磁極78と上部磁極80のうち少なくとも1つの膜を飽和磁束密度2.3テスラ以上とすることで、オーバーライト特性の低下を防止する効果が示された。また、図示していないが、上部磁極80が複数の上部磁極から構成されている場合、ライトギャップ79に近接する少なくとも1層が、Fe、Co、Niを主成分とする飽和磁束密度が2.3テスラ以上の磁性膜である場合には、同様の効果をえられることが示された。以上のようにして、表面が平坦な電磁誘導型薄膜磁気ヘッドが形成できた。コイル74は、下部磁極72と同じ水平位置に埋め込まれている。
【0012】
続いて、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成する。電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁極の上に、アルミナからなる絶縁膜を形成し、その上に下部シールド83(図2の23。以下、( )内は図2の部位を表す)を形成する。続いて、下部シールド83(23)が埋まるまでアルミナ膜を堆積後、CMP法により表面の平坦性を保ちながら、下部シールド83(23)の表面を露出させる。次に、素子部から離れた位置に引き出し線となるTa/Au/Taからなる電極膜をスパッタ法で形成する。この下部シールド83(23)上にスパッタ法により、TMR膜84(27)を形成する。このTMR膜84(27)は、CoFe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層(24)、アルミナ膜からなる中間層(25)、NiFe系合金とCoFe系合金を含む層から構成される自由層(26)からなる。続いて、2層レジストとイオンビームデポジション法からなるリフトオフプロセスにより、TMR膜84(27)を所望の形状に加工する。この後、アルミナからなる絶縁層(28)、CoCrPt膜からなる縦バイアス印加層(29)、アルミナからなる第二の絶縁層(30)をスパッタ法により順に形成する。この上に、非磁性金属膜としてRu膜86(31)をスパッタ法により形成する。上部シールド膜87(33)をスパッタ法によりウェハ面全体に形成後、レジストをマスクとしてイオンミリングにより上部シールド87(33)を所望の形状に成形する。上部シールド87(33)を形成して、該磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが完成する。続いて、Cu端子を形成し、オーバーコートアルミナを成膜後、Auパッドを形成して、複合型薄膜磁気ヘッドが完成する。
【0013】
上の例では、上部シールド膜87(33)をスパッタ法により形成したが、めっき法で形成しても良い。めっき法を用いる場合には、ウェハ面全体に成膜する「べためっき法」と所定の形状にレジストを成形後にめっきする「パターンめっき法」とがある。パターンめっき法を用いると、イオンミリングでめっきの下地膜のみを除去すれば良いため、イオンミリング時間が短くなり、イオンミリング装置の異状によりウェハが帯電する際の影響を抑制することができる。すなわち、多層構造に垂直方向に電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを持つ複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、上部シールド87(33)はパターンめっき法で作製するほうが好ましい。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、多層構造に垂直方向に電流を流して使用する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを持つ複合型薄膜磁気ヘッドにおいても、ウェハプロセス中のイオンミリングによる磁気抵抗効果の劣化を少なく抑えることができ、ウェハプロセスでの歩留まりを確保することができる。仮にイオンミリングによる磁気抵抗効果の劣化があったとしても、ウェハの最終工程で磁気的な特性を測定をすることにより、問題のある素子を選別できるため、問題のある素子が市場に流出することは無い。電磁誘導型薄膜磁気ヘッドとして上部磁極の表面が平坦な構造を採用すれば、基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成した複合型薄膜磁気ヘッドにおいてもフォーマット効率に優れたハードディスクドライブを形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】CIP型GMR膜を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの浮上面の模式図
【図2】CPP型GMR膜を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの浮上面の模式図
【図3】CIP型GMR膜を有する複合型薄膜磁気ヘッドの浮上面の模式図
【図4】CIP型GMR膜を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの形成工程中で上部シールドと下部シールドとを電気的に接続していることを示す複合型薄膜磁気ヘッドの断面の模式図
【図5】コイルが下部磁極と同じ水平位置に埋め込まれている構造を有する電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの断面の模式図
【図6】基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成した複合型薄膜磁気ヘッドの浮上面の模式図
【符号の説明】
1 アルチック基板、2 アンダーコート膜、3 下部シールド膜、4 下部絶縁膜、5 巨大磁気効果膜、6 磁区制御膜の下地膜、7 磁区制御膜、8 電極膜、9 上部絶縁膜、10 上部シールド膜。
21 アルチック基板、22 アンダーコート膜、23 下部シールド膜、24固定層、25 中間層、26 自由層、27 TMR膜、28 絶縁層、29 縦バイアス印加層、30 第二の絶縁層、31 Ru膜、33 上部シールド膜。41 アルチック基板、42 アンダーコート膜、43 下部シールド膜、44下部絶縁膜、45 巨大磁気効果膜、46 磁区制御膜および電極膜、47 上部絶縁膜、48 上部シールド膜、49 絶縁膜、50 第1層下部磁極、51 第2層下部磁極、52 絶縁膜、53 第1層上部磁極。
61 アルチック基板、62 アンダーコート膜、63 下部シールド膜、64巨大磁気抵抗効果膜、65 上部シールド膜、66 上部シールドと下部シールドとを電気的に接続する部分。
71 第1層下部磁極、72 第2層下部磁極、73 アルミナ膜、74 コイル、75 レジスト膜、76 コイルコンタクト用の部分と電気的に接続させるパターン、77 コイルを埋め込むアルミナ膜、78 第3層下部磁極、79 ライトギャップ、80 上部磁極。
81 アルチック基板、82 アンダーコート膜、83 下部シールド、84 TMR膜、85 絶縁膜/磁区制御膜/絶縁膜の積層膜、86 Ru膜、87 上部シールド膜
Claims (8)
- 電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを備えた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが多層構造に垂直方向に検出電流を流して使用する磁気抵抗効果膜を有し、かつ基板上に前記電磁誘導型薄膜磁気ヘッド、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを順次形成した複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁極の表面が平坦であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1、請求項2記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電磁誘導型薄膜磁気ヘッドのコイルが下部磁極と同じ水平位置に埋め込まれていることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁極、あるいは下部磁極の少なくとも片方のライトギャップと接する部分の飽和磁束密度が2.3テスラ以上であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電磁誘導型薄膜磁気ヘッドの浮上面近傍のコイルの線幅と、コイル間のスペースとの比が3以上であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の複合型薄膜磁気ヘッにおいて、前記多層構造がトンネル磁気抵抗効果膜であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の磁気記録装置において、前記多層構造が多層構造に垂直方向に検出電流を流す巨大磁気抵抗効果膜であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の複合型薄膜磁気ヘッにおいて、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの上部シールド膜がパターンめっき法により形成された磁性膜であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003172771A JP2005011409A (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
US10/871,154 US20040257711A1 (en) | 2003-06-18 | 2004-06-18 | Composite magnetic thin film head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003172771A JP2005011409A (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005011409A true JP2005011409A (ja) | 2005-01-13 |
Family
ID=33516158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003172771A Pending JP2005011409A (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040257711A1 (ja) |
JP (1) | JP2005011409A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7864489B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
US8091777B2 (en) | 2006-05-17 | 2012-01-10 | Laurel Precision Machines Co., Ltd. | Monitoring apparatus |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005123986A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Bhp Billiton Innovation Pty Ltd | Electrochemical reduction of metal oxides |
US7296339B1 (en) * | 2004-09-08 | 2007-11-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording head |
US8333008B1 (en) | 2005-07-29 | 2012-12-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording transducer |
JP2007042245A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及びその製造方法、並びにそれを搭載した磁気記録再生装置 |
JP2007280502A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッドスライダ |
US8141235B1 (en) | 2006-06-09 | 2012-03-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording transducers |
US9245581B2 (en) * | 2013-06-11 | 2016-01-26 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic head providing write protrusion suppression and methods of formation thereof |
US9640205B1 (en) * | 2016-03-10 | 2017-05-02 | Tdk Corporation | Magnetic recording-reproducing head having different sections with different functions including an erase function |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5822153A (en) * | 1997-01-03 | 1998-10-13 | Censtor Corp. | Hard disk drive having contact write and recessed magnetorestive read head |
SG71751A1 (en) * | 1997-01-25 | 2000-04-18 | Tdk Corp | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
JP3959881B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2007-08-15 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
JP3889222B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2007-03-07 | アルプス電気株式会社 | 垂直磁気記録ヘッドの製造方法 |
US6754049B1 (en) * | 2001-10-16 | 2004-06-22 | Western Digital (Fremont), Inc. | Transducers for perpendicular recording with inductive cancellation at MR sensor |
US7227719B2 (en) * | 2003-01-24 | 2007-06-05 | Headway Technologies, Inc. | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
US6873501B2 (en) * | 2003-04-03 | 2005-03-29 | Headway Technologies, Inc. | CPP spin valve head with bias point control |
US7554765B2 (en) * | 2003-06-11 | 2009-06-30 | Seagate Technology Llc | Magnetic head for perpendicular recording with suppressed side writing and erasing |
-
2003
- 2003-06-18 JP JP2003172771A patent/JP2005011409A/ja active Pending
-
2004
- 2004-06-18 US US10/871,154 patent/US20040257711A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8091777B2 (en) | 2006-05-17 | 2012-01-10 | Laurel Precision Machines Co., Ltd. | Monitoring apparatus |
US7864489B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040257711A1 (en) | 2004-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100319035B1 (ko) | 박막자기헤드,기록재생분리형자기헤드,및이들을이용한자기기록재생장치 | |
US7561384B2 (en) | Magneto-resistive sensor having small track width and sensor height using stopper layer | |
US7436633B2 (en) | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk system | |
US6466416B1 (en) | Magnetic head, method for making the same and magnetic recording/reproducing device using the same | |
US11615809B2 (en) | SOT differential reader and method of making same | |
US7612963B2 (en) | Perpendicular magnetic recording head with photoresist dam between write coil and air bearing surface | |
US20080244896A1 (en) | Additive gap process to define trailing and side shield gap for a perpendicular write head | |
JP3813914B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2007149308A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 | |
JP4634489B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
JP3817223B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP2002025015A (ja) | 磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP2013004166A (ja) | ハードバイアスのシード構造を有する磁気センサ | |
JP2005011409A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
JP4596753B2 (ja) | 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
JP4458074B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH10241125A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び記録再生分離型磁気ヘッドとそれを用いた磁気記憶再生装置 | |
US20060065620A1 (en) | Well use of space for low resistance coil design for write head | |
JP2006128453A (ja) | 磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 | |
JP4356253B2 (ja) | 磁気トンネル効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2000339631A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP3619767B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置 | |
JP2002026423A (ja) | 磁気トンネル接合素子の製造方法及び磁気トンネル効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2008010745A (ja) | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、および磁気記憶装置 | |
JPH08221717A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060120 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060511 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071106 |