JP3817223B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法、ヘッドジンバルアセンブリの製造方法、ハードディスク装置の製造方法、及び薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
TMR(Tunnel-type Magneto Resistive)等の磁気抵抗効果膜を得るにあたっては、一般的に、まず、下部シールド層上に形成された磁性層上にレジスト層を形成し、次いで、このレジスト層をマスクとしてエッチングすることで、磁性層を所望パターンの磁気抵抗効果膜にする。更に、得られた磁気抵抗効果膜の周囲には、下部シールド層と後に形成される上部シールド層とを絶縁するための絶縁層を形成する(下記特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−191206号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らは、上部シールド層と磁気抵抗効果膜との間で、電気的ショートを起こすおそれがあることを見出した。その理由を、図8及び図9に示す薄膜磁気ヘッドの従来の製造工程を参照しながら説明する。
【0005】
まず、図8(a)に示すように、下部シールド層101上にTMR膜(磁気抵抗効果膜)となる磁性層110を形成し、この上にレジスト層120を形成する。次に、図8(b)に示すように、レジスト層120をマスクとしてイオンミリングを行い、磁性層110を所望パターンのTMR膜130にパターニングする。尚、図8(b)以降では、図8(a)における一点鎖線lの右側部分のみを示す。
【0006】
次いで、図8(c)に示すように、Al2O3等の絶縁層121をスパッタリング等で形成し、TMR膜130の周囲における絶縁性を確保する。この際、TMR膜130の周囲のみならず、レジスト層120の上にも絶縁層131が堆積される。また、絶縁層121には、スパッタリング時における粒子の入射角度等の影響により、TMR膜130に乗り上がった乗上部121aが形成されてしまう。更に、この乗上部121aと平坦部121cとの間には、レジスト層120の影となって窪んだ(いわゆるshadow効果)窪み部121bが形成される。
【0007】
次に、図9(a)に示すように、リフトオフを行い、レジスト層120をその上に堆積された絶縁層131と共に除去する。同図はリフトオフ後の状態であるが、図に示すように、絶縁層121の乗上部121aは依然として残ったままとなる。乗上部121aは、TMR膜130の電流経路を遮る要因となる等の理由で、除去することが好ましい。そこで、図9(b)に示すように、例えばウェットエッチングによって、TMR膜130上の乗上部121aを除去する。その後、図9(c)に示すように、上部シールド層140を例えばスパッタリング等で形成して、薄膜磁気ヘッドの再生部が完成する。
【0008】
ところが、このようにして作製された薄膜磁気ヘッドでは、上記図9(b)の工程でウェットエッチングによって乗上部121aを除去する際に、窪み部121bが一層深くなってしまい、このことが上部シールド層140とTMR膜130との間での電気的ショートの起因となっていた。
【0009】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、磁気抵抗効果膜の周囲に形成された絶縁層における磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除去しつつも、その絶縁層の厚薄に起因する電気的ショートを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法、ヘッドジンバルアセンブリの製造方法、ハードディスク装置の製造方法、及び薄膜磁気ヘッドを提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
(1)上記課題を達成するために、本発明は、磁気抵抗効果膜を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、上記磁気抵抗効果膜となるべき磁性層を形成するステップと、上記磁性層の上部にレジスト層を形成するステップと、上記レジスト層をマスクとして上記磁性層をパターニングし、上記磁気抵抗効果膜を得るステップと、上記磁気抵抗効果膜の周囲に絶縁層を積層するステップと、上記絶縁層における上記磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除くように、上記絶縁層の上にカバー層を形成するステップと、上記カバー層が形成された上記絶縁層にエッチング処理を施し、上記乗上部を除去するステップとを含むことを特徴としている。
【0011】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、エッチング処理により、磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除去することができる。しかも、磁気抵抗効果膜の周囲の絶縁層には乗上部を除くようにカバー層が形成されているため、絶縁層における該カバー層で覆われた部分はエッチングされない。これにより、絶縁層の厚さが薄くなることに起因する電気的ショートを防止することができる。
【0012】
また、本発明の製造方法において、上記磁気抵抗効果膜の面方向に対する上記カバー層を形成する粒子の入射角度は、上記磁気抵抗効果膜の面方向に対する上記絶縁層を形成する粒子の入射角度よりも大きいことが好適である。
【0013】
磁気抵抗効果膜の周囲に絶縁層を形成する際、磁気抵抗効果膜の上に上記のようにレジスト層が設けられている。この状態でスパッタリングにより絶縁層を形成すると、レジスト層の影となって窪む部分が現れる(いわゆるshadow効果)。この窪み部分が浅ければ浅い程、電気的ショートの発生を抑えられることになる。そのため、スパッタリングの粒子の衝突位置がレジスト層の影とならないようにすべく、磁気抵抗効果膜の法線方向に対して傾いた角度で入射させる。このようにレジスト層の下側に粒子を斜めに入射させることは、上記乗上部が形成される一因となる。次に、カバー層をスパッタリングで形成するにあたり、上記のように、磁気抵抗効果膜の面方向に対する粒子の入射角度を、絶縁層の形成時よりも大きくする。すなわち、絶縁層形成時よりもカバー層形成時の方が、粒子の入射角度が磁気抵抗効果膜の法線方向に近い角度になる。その結果として、乗上部を除くようにカバー層を容易に形成することができる。
【0014】
また、本発明において、上記磁気抵抗効果膜は、センス電流が層の厚さ方向に流れるように構成されていることが好適である。このように薄膜磁気ヘッドがセンス電流が膜厚方向に流れるいわゆるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の場合は、磁気抵抗効果膜に乗り上げた絶縁層が電流の妨げとなる。そのため、CPP構造の薄膜磁気ヘッドに本発明を適用すれば、センス電流が良好に流れて、磁気情報の再生性能を向上させることができる。
【0015】
上記カバー層は、SiO2又はAlNで形成することができる。また、カバー層は、Ta、Cr、Ti、Fe、Co、Ru、Au、Ni、及びこれらの合金からなる群より選ばれる金属で形成してもよい。
【0016】
(2)本発明のヘッドジンバルアセンブリの製造方法は、上記のようにして得られた薄膜磁気ヘッドをジンバルに搭載するものである。更に、本発明のハードディスク装置の製造方法は、上記のようにして得られた薄膜磁気ヘッドがハードディスクに記録された磁気信号を読取り可能となるように組み立てるものである。従って、このようにして製造されたヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置は、磁気抵抗効果膜の周囲に形成された絶縁層における乗上部を除去しつつも、その絶縁層の厚薄に起因する電気的ショートを防止することができる。そのため、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置の信頼性は高いものとなる。
【0017】
(3)本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜と、上記磁気抵抗効果膜の両側に設けられ、強磁性材料で形成された下部シールド層及び上部シールド層と、上記下部シールド層と上記上部シールド層との間で、且つ、上記磁気抵抗効果膜における記録媒体対向面とは反対側の領域に少なくとも形成された絶縁層と、磁気抵抗効果膜における上部シールド層側の面は覆っておらず、且つ、絶縁層における上部シールド層側の面を覆うカバー層と、を備えることを特徴としている。
【0018】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、その製造段階で磁気抵抗効果膜に上記絶縁層の一部が乗り上げたとしても、上記カバー層は上部シールド層側の磁気抵抗効果膜の面を覆っていないため、その乗上部をエッチングで除去することができる。しかも、カバー層は、上部シールド層側の絶縁層を覆っているため、その覆われた部分はエッチングされない。これにより、絶縁層の厚さが薄くなることに起因する電気的ショートを防止することができる。尚、カバー層は、上記の各材料で形成することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【0020】
図1は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドを記録媒体対向面(以下、「エアベアリング面(ABS:Air Bearing Surface)S」と称する)側から若干入り込んだ付近における断面図であり、図2は、図1におけるII-II方向の断面図である。尚、説明中、「上」「下」の言葉を使用することがあるが、これは図1の上下方向に対応したものである。
【0021】
薄膜磁気ヘッド10は、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するTMRヘッドであり、基台11上に、下部電極を兼ねる下部シールド層31、下部金属層32、ピン層(反強磁性層)33、ピンド層34、トンネルバリア層(中間層)35、フリー層36、第1上部金属層37、第2上部金属層38、及び、上部電極を兼ねる上部シールド層39がこの順で積層されている。層33〜36によって、TMR膜(磁気抵抗効果膜)が構成されている。また、図1に示すように、フリー層36のトラック幅方向の両側には、絶縁層40,40を介して硬磁性材料からなるバイアス印加層41,41が形成されている。また、バイアス印加層41,41と第2上部金属層38との間には、絶縁層42,42が形成されている。
【0022】
基台11は、アルティック(Al2O3・TiC)からなる基板11a上に、アルミナ(Al2O3)等の電気絶縁材料からなる下地層11bを厚さ約1μm〜約10μmで形成したものである。
【0023】
下部シールド層31及び上部シールド層39は、NiFe(パーマロイ)等の強磁性材料からなり、不要な外部磁界をTMR素子が感知するのを防止する。各シールド層31,39の厚さは、例えば約1μm〜約3μmである。尚、下部シールド層31は、上記のように電極としての役割も有し、下部シールド層31から供給された電子は、下部金属層32、ピン層33、ピンド層34、トンネルバリア層35、フリー層36、第1上部金属層37、第2上部金属層38を通じて、上部電極としての上部シールド層39に伝達されることになる。つまり、センス電流は、TMR膜の膜厚方向に流されることになる。
【0024】
下部金属層32、第1上部金属層37、及び第2上部金属層38は、記録媒体の記録密度に応じたリードギャップを所望の値に調整するためのものである。また、上部金属層37,38は、フリー層36等の酸化防止の役割を有する。これらの金属層32,37,38を形成する材料としては、例えば、Cu,Al,Au,Ta,NiCr,Ru,Rh等が挙げられる。また、各金属層は、積層構造にしてもよい。
【0025】
ピン層33は、厚さが約5nm〜約30nmで、ピンド層34の磁化方向を交換結合によって固定できる例えばPtMn等の反強磁性材料で形成することができる。
【0026】
ピンド層34は、厚さが約1nm〜約10nmで、例えばFe,Co,Ni,CoFe等の強磁性材料で形成することができる。ピンド層34の磁化方向は、ピン層33との交換結合によって図中Y方向に固定される(この反対方向でもよい)。
【0027】
トンネルバリア層35は、薄厚の非磁性且つ絶縁性で、トンネル効果によりスピンを保存しながら電子が通過できるものである。トンネルバリア層35は、厚さが約0.5nm〜約2nmで、例えばAl2O3,NiO,MgO,Ta2O5,TiO2等の絶縁材料で形成することができる。
【0028】
フリー層36は、ハードディスク等の記録媒体の漏洩磁界の影響で磁化の向きが変化するものであり、厚さが約1nm〜約10nmで、例えばFe,Co,Ni,FeCo,FeCoNi,CoZrNb等の強磁性材料で形成することができる。また、フリー層36は、CoTa,CoCrPt,CoPt等からなる上記バイアス印加層41,41からの磁束によって、図中X方向に単磁区化されている。そして、エアベアリング面Sがハードディスクの磁化遷移領域に近づくと、フリー層36の磁化方向がY軸の正又は負の向きに近づくように振れる。フリー層36の磁化方向が振れた結果、Y軸方向を向いているピンド層34の磁化の向きとフリー層36の磁化の向きとが一致すると、トンネルバリア層35を流れる電流が増加し、一方、各磁化の向きが反対になると電流は減少する。
【0029】
絶縁層40は、Al2O3等で形成され、フリー層36等を流れる電流がバイアス印加層41側にリークするのを防止する。また、絶縁層42も例えばAl2O3等で形成でき、上部シールド層39からバイアス印加層41への電流リークを防止する。
【0030】
更に、図2に示すように、エアベアリング面Sから見たTMR膜20の裏側、すなわち下部シールド層31と上部シールド層39との間で且つTMR膜20におけるエアベアリング面Sとは反対側の領域に、Al2O3等からなる絶縁層45が形成されている。また、絶縁層45における上部シールド層39側の表面は、Taからなるカバー層50で覆われている。カバー層50は、厚さ約0.5nm〜約5nm程度であり、TMR膜20における上部シールド層39側の面を覆わないように形成されている。このカバー層50を設けることの効果は後述する。尚、本実施形態では、絶縁層45と各シールド層31,39との間にそれぞれ下部金属層32及び第2上部金属層38が設けられているが、当該領域に各金属層32,38は必ずしも設ける必要は無い。つまり、カバー層50と上部シールド層39が接触し、絶縁層45と下部シールド層31とが接触していてもよい。
【0031】
次に、図3及び図4の製造工程図を参照して、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。尚、ここでは、発明の理解を容易にするために上記の金属層32,37,38を省略して説明するが、実際は必要に応じて各層を形成する。
【0032】
まず、図3(a)に示すように、基板11(図示省略)上に形成した下部シールド層31上にTMR膜となる磁性層19を形成する。磁性層19は、ピン層33、ピンド層34、トンネルバリア層35、及びフリー層36となる層を含む多層構造であるが(図1,2参照)、簡略的に単層として図示している。次に、磁性層19の上部に、レジスト層60を形成する。レジスト層60には、底部(磁性層19との界面付近)の両側(図中の左右)に、窪んだアンダーカット部60aが形成されている。このようなアンダーカット部60aを形成することで、レジスト層60は後述のリフトオフをしやすいものとなる。アンダーカット部60aを形成する手法としては、例えば、特公平7−6058号公報に記載されているように、磁性層19に低分子量のポリメチルグルタルイミド(PMGI)の層をコーディングした後、この層上に電子ビームレジストを塗布する方法が挙げられる。また、特許第2973874号又は特許第2922855号公報等に記載された方法等、さまざまな公知技術によってアンダーカット部60aを形成することができる。
【0033】
次に、図3(b)に示すように、レジスト層60をマスクとしてイオンミリング等を行い、磁性層19をパターニングする。これにより、所望形状のTMR膜20が得られる。尚、図3(b)以降では、図3(a)における一点鎖線l1の右側部分のみを示す。
【0034】
次いで、図3(c)に示すように、Al2O3等の絶縁層45をイオンビームスパッタデポジション(IBSD)等で形成し、イオンミリングで除去したTMR膜20の周囲を埋める(いわゆるRefill処理)。この絶縁層45によって、下部シールド層31と後に積層される上部シールド層39との絶縁が確保される。また、絶縁層45をスパッタリングで積層する際、TMR膜20の周囲のみならず、レジスト層60の上にも絶縁層46が堆積される。
【0035】
更に、絶縁層45には、イオンビームスパッタデポジション時における粒子の入射角度等の影響により、TMR膜20に乗り上がった乗上部45aが形成されてしまう。更に、この乗上部45aと平坦部45cとの間には、レジスト層60の影となって窪んだ(いわゆるshadow効果)窪み部45bが形成される。この窪み部45bが浅ければ浅い程、TMR膜20と上部シールド層39の間における電気的ショートを抑えられる。
【0036】
ここで、図5を参照して、イオンビームスパッタデポジション(IBSD)を実現するスパッタリング装置80の一例を説明する。このスパッタリング装置80は、絶縁層45を形成する材料が配されたターゲット72に向けて、イオンビーム源70からイオンビームを照射し、これによりターゲット72の材料をウエハステージ74上の基台11に成膜するものである。基台11へのターゲット材料の入射角度θは、ウエハステージ74を軸周りに回転させることで適宜調節することができる。
【0037】
このような装置で絶縁層45を形成するにあたり、上記の窪み部45bを小さくするために次のような手法を採る。すなわち、スパッタリングの粒子の衝突位置がレジスト層60の影にならないようにするために、TMR膜20の法線方向に対して傾いた角度(つまりレジスト層60のアンダーカット部60aに粒子を打ち込める方向)で粒子を入射させるのである(図3(c)中、黒塗り矢印で示す)。これにより、窪み部45bの窪み量を少なくすることができる。しかし、その反面、アンダーカット部60aにも粒子が入射するため、TMR膜20上に形成される乗上部45aの寸法が大きくなってしまう。
【0038】
次に、図4(a)に示すように、レジスト層60を残した状態で、乗上部45aを除くように、絶縁層45の上にTaからなるカバー層50を形成する。カバー層50は、絶縁層45と同様に図5に示したスパッタリング装置で形成することができる。この際、ウエハステージ74のターゲット72に対する角度を調節して、TMR膜20の面方向に対する粒子の入射角度αを、絶縁層45の形成の入射角度β時よりも大きくする。すなわち、絶縁層45の形成時よりもカバー層50の形成時の方が、粒子の入射角度がTMR膜20の法線方向に近い角度になる。その結果として、カバー層50が乗上部45aを覆わないようにすることができる。また、カバー層50形成時に、レジスト層60上に堆積層51が形成される。
【0039】
次に、図4(b)に示すように、リフトオフを行い、レジスト層60をその上に堆積された絶縁層46及び堆積層51と共に除去する。リフトオフ後も、絶縁層45の乗上部45aは依然として残ったままとなる。乗上部45aは、TMR膜20に流すセンス電流の経路を遮る要因となる。
【0040】
そこで、図4(c)に示すように、例えばウェットエッチングによって、TMR膜20上の乗上部45aを除去する。エッチング液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム(信越レジスト、SSFD−238N)を使用することができる。ここで、本実施形態では、絶縁層45におけるカバー層50によって覆われた部分はエッチングされず、乗上部45aのみがエッチングされることになる。
【0041】
次に、図4(d)に示すように、上部シールド層39を例えばスパッタリング等で形成して、薄膜磁気ヘッド10の再生部として機能する部分が得られる。その後、再生部の上に薄膜コイル及び磁極を有する記録部を作製した上で、基台を複数本のバーにダイシングする処理、MRハイトを決定する処理等の公知の処理を経て、薄膜磁気ヘッド10が完成する。
【0042】
このようにして得られた薄膜磁気ヘッド10は、上記のように、乗上部45aをエッチングする際に、絶縁層45におけるカバー層50によって覆われた部分は削られないため、絶縁層45の厚さが薄くなることに起因する上部シールド層39とTMR膜20間の電気的ショートを防止することができる。
【0043】
尚、カバー層50は、Taの他にも、SiO2又はAlN等で形成することができる。更に、カバー層50は、Ta、Cr、Ti、Fe、Co、Ru、Au、Ni、及びこれらの合金からなる群より選ばれる金属で形成してもよい。絶縁層45の乗上部45aをウェットエッチングで除去する場合は、これらの材料で形成されたカバー層をさほどエッチングしないが、絶縁層45をエッチングするエッチング液を選択する。また、乗上部45aは、ウェットエッチングでなくドライエッチングで除去してもよい。
【0044】
次に、上記の薄膜磁気ヘッド10を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置について、これらの製造方法に言及しつつ説明する。
【0045】
図6は、薄膜磁気ヘッド10を備えたハードディスク装置1を示す図である。ハードディスク装置1は、ヘッドジンバルアセンブリ(HGA:Head Gimbals Assembly)15を作動させて、高速回転するハードディスク2の記録面(図6の上面)に、薄膜磁気ヘッド10によって磁気情報を記録及び再生できるように組み立てられている。ヘッドジンバルアセンブリ15は、薄膜磁気ヘッド10が形成されたヘッドスライダ11(上記基台が相当する)をジンバル16に搭載し、これをサスペンションアーム17に接続することで得られる。また、ヘッドジンバルアセンブリ15は、支軸14周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっており、これを回転させると、ヘッドスライダ11は、ハードディスク2の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【0046】
このようなヘッドジンバルアセンブリ15及びハードディスク装置1は、上記の薄膜磁気ヘッド10を使用しているため、TMR膜20の周囲に形成された絶縁層45における乗上部45aを除去しつつも、その絶縁層45の厚薄に起因する電気的ショートを防止することができる。そのため、ヘッドジンバルアセンブリ15及びハードディスク装置1の信頼性は高いものとなる。
【0047】
次に、図7を参照して、本発明の実施例を説明する。本実施例では、ウェットエッチングを行う前後の乗上部45a、窪み部45b、及び平坦部45cの高さをAFMで測定した。エッチング液には、水酸化テトラメチルアンモニウム(信越レジスト、SSFD−238N)を使用した。また、カバー層50はTaで形成し、厚さを0.5nmとした。絶縁層45はAl2O3で形成した。一方、比較例として、カバー層を設けない場合について各部45a〜45cの厚さを測定した。
【0048】
図7のグラフにおける縦軸は、TMR膜20の上面を基準とした高さ方向の段差を示している。図7(a)には乗上部45aの結果を示し、図7(b)には窪み部45bの結果を示し、図7(c)には平坦部45cの結果を示す。また、Taのカバー層を設けた実施例の結果を実線で示し、カバー層を設けない比較例の結果を破線で示す。
【0049】
図7(a)に示すように、実施例及び比較例のいずれの場合でも、乗上部45aはエッチングによって殆ど除去することができた。また、図7(b)に示すように、比較例では窪み部がエッチングで深く削られていたのに対して、本実施例では、カバー層50によって、窪み部45bがエッチングされるのを抑止することができた。図7(c)に示すように、平坦部45cについても、カバー層50によってエッチングされるのを抑止することができた。このように、本実施例により、カバー層を設けることの有効性が立証された。
【0050】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、TMR素子に代えて、巨大磁気抵抗効果を利用するGMR(Giant Magneto Resistive)素子としてもよい。GMR素子には、膜厚方向にセンス電流を流すCPP−GMRと、面方向にセンス電流を流すCIP−GMRとがあるが、本発明は両者に適用することができる。但し、前者のCPP−GMRに本発明を適用すれば、磁気抵抗効果膜上の乗上部を除去することでセンス電流が良好に流れるため、より有用と言える。
【0051】
また、上記の絶縁層及びカバー層は、イオンビームスパッタデポジション(IBSD)に代えて、成膜させる材料をイオンにして基台に照射するイオンビームデポジション(IBD)で形成してもよい。更には、イオンビームを使用しないスパッタリングで形成してもよい。但し、乗上部を除くようにカバー層を設けるためには、直進性の優れたイオンビームを利用したスパッタリングで形成することが好ましい。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エッチング処理により、磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除去することができる。しかも、磁気抵抗効果膜の周囲の絶縁層には乗上部を除くようにカバー層が形成されているため、絶縁層における該カバー層で覆われた部分はエッチングされない。これにより、絶縁層の厚さが薄くなることに起因する電気的ショートを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す断面図である。
【図2】図1におけるII-II方向の断面図である。
【図3】図3(a)〜図3(c)は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
【図4】図4(a)〜図4(d)は、図3に続く製造工程図である。
【図5】絶縁層及びカバー層を形成するスパッタリング装置を示す図である。
【図6】本発明に係るヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図7】図7(a)〜図7(c)は、本発明の実施例を示すグラフである。
【図8】図8(a)〜図8(c)は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す製造工程図である。
【図9】図9(a)〜図9(c)は、図8に続く従来の製造工程図である。
【符号の説明】
1…ハードディスク装置、2…ハードディスク、10…薄膜磁気ヘッド、11…基台、15…ヘッドジンバルアセンブリ、16…ジンバル、17…サスペンションアーム、19…磁性層、20…TMR膜(磁気抵抗効果膜)、31…下部シールド層、32…下部金属層、33…ピン層、34…ピンド層、35…トンネルバリア層、36…フリー層、37…第1上部金属層、38…第2上部金属層、39…上部シールド層、41…バイアス印加層、45…絶縁層、45a…乗上部、45b…窪み部、45c…平坦部、50…カバー層、60…レジスト層、60a…アンダーカット部、70…イオンビーム源、72…ターゲット、74…ウエハステージ、80…スパッタリング装置、S…エアベアリング面。
Claims (7)
- 磁気抵抗効果膜を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁気抵抗効果膜となるべき磁性層を形成するステップと、
前記磁性層の上部にレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層をマスクとして前記磁性層をパターニングし、前記磁気抵抗効果膜を得るステップと、
前記磁気抵抗効果膜の周囲に絶縁層を積層するステップと、
前記絶縁層における前記磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除くように、前記絶縁層の上にカバー層を形成するステップと、
前記カバー層が形成された前記絶縁層にエッチング処理を施し、前記乗上部を除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記磁気抵抗効果膜の面方向に対する前記カバー層を形成する粒子の入射角度は、前記磁気抵抗効果膜の面方向に対する前記絶縁層を形成する粒子の入射角度よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記磁気抵抗効果膜は、センス電流が膜の厚さ方向に流れるように構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記カバー層は、SiO2又はAlNで形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のうち何れか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記カバー層は、Ta、Cr、Ti、Fe、Co、Ru、Au、Ni、及びこれらの合金からなる群より選ばれる金属で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のうち何れか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 磁気抵抗効果膜を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリの製造方法であって、
前記磁気抵抗効果膜となるべき磁性層を形成するステップと、
前記磁性層の上部にレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層をマスクとして前記磁性層をパターニングし、前記磁気抵抗効果膜を得るステップと、
前記磁気抵抗効果膜の周囲に絶縁層を積層するステップと、
前記絶縁層における前記磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除くように、前記絶縁層の上にカバー層を形成するステップと、
前記カバー層が形成された前記絶縁層にエッチング処理を施し、前記乗上部を除去するステップと、を少なくとも経ることで薄膜磁気ヘッドを形成し、
更に、前記薄膜磁気ヘッドをジンバルに搭載するステップを含むことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。 - 磁気抵抗効果膜を有する薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置の製造方法であって、
前記磁気抵抗効果膜となるべき磁性層を形成するステップと、
前記磁性層の上部にレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層をマスクとして前記磁性層をパターニングし、前記磁気抵抗効果膜を得るステップと、
前記磁気抵抗効果膜の周囲に絶縁層を積層するステップと、
前記絶縁層における前記磁気抵抗効果膜に乗り上げた乗上部を除くように、前記絶縁層の上にカバー層を形成するステップと、
前記カバー層が形成された前記絶縁層にエッチング処理を施し、前記乗上部を除去するステップと、を少なくとも経ることで薄膜磁気ヘッドを形成し、
更に、ハードディスクに記録された磁気信号を前記薄膜磁気ヘッドが読取り可能となるように組み立てるステップを含むことを特徴とするハードディスク装置の製造方法。
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