JP2007184022A - 垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法 - Google Patents

垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】形成した狭トラック幅寸法の主磁極層を安定に保持できる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法を得る。
【解決手段】非磁性絶縁層上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法であって、先ず、非磁性絶縁層上に非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する。次に、メッキ下地膜上に台形形状の空間を有するレジストを形成し、この台形形状空間内に主磁極層をメッキにより形成した後、レジストを除去する。続いて、台形形状をなす主磁極層の側面をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する。そして、非磁性絶縁層が露出するまでメッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜からの跳ね返りを主磁極層の側面に再付着させる。
【選択図】図2

Description

本発明は、垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法に関する。
垂直磁気記録ヘッドは、周知のように、記録媒体との対向面で非磁性絶縁層を間に挟んで積層した主磁極層及び補助磁極層(リターンヨーク層)と、この主磁極層及び補助磁極層に記録磁界を与えるコイル層と有している。記録媒体との対向面に露出する主磁極層の面積は補助磁極層の同面積より十分小さく、主磁極層と補助磁極層はハイト方向奥側で磁気的に接続されている。コイル層を通電すると、主磁極層と補助磁極層の間に記録磁界が誘導され、この記録磁界は主磁極層の媒体対向面に露出する先端面から記録媒体のハード膜に垂直に入射し、同記録媒体のソフト膜を通って補助磁極層に戻る。これにより、主磁極層との対向部分で磁気記録がなされる。
このような垂直磁気記録ヘッドでは、記録密度を向上させると共にスキュー時のフリンジング発生を防止するため、非磁性絶縁層の上に形成する主磁極層を、記録媒体との対向面側から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭となる台形形状(ベベル形状)とすることが要求されている。従来では、例えば特許文献1に記載されているように、フレームメッキ法を用いて非磁性絶縁層の上に主磁極層を形成した後、主磁極層の側面をサイドミリングすることにより、非磁性絶縁層側で幅狭となる台形形状の主磁極層を形成している。
特開2004−079081号公報
近年では、今後の更なる高記録密度化に適応できるよう、狭トラック化が進められている。上述したように主磁極層は逆台形形状で形成されているから、記録トラック幅を狭くすると、主磁極層のボトム部(非磁性絶縁層側)の幅寸法は記録トラック幅よりもさらに小さくなる。主磁極層のボトム部の幅寸法が極端に小さくなると、製造工程中に主磁極層のボトム部が浮いてしまったり、剥がれてしまったりする場合が多くなる。主磁極層が不安定な状態では、記録特性が悪化し、ヘッド品質が低下する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、形成した狭トラック幅寸法の主磁極層を安定に保持できる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法を得ることを目的とする。
本発明は、エッチング時に生じるメッキ下地膜の跳ね返りを積極的に利用し、メッキ下地膜の跳ね返りを主磁極層の少なくともボトム部に再付着させれば、該ボトム部が浮いたり剥がれたりしないよう保護できる(支えられる)ことに着目したものである。メッキ下地膜を非磁性材料で形成すれば、メッキ下地膜が主磁極層に再付着しても、主磁極層の記録トラック幅寸法は変化せず、記録特性には影響がない。
すなわち、本発明は、非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、このメッキ下地膜の上に、台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、レジストを除去する工程と、露出した台形形状をなす主磁極層の側面及びメッキ下地膜の一部をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、非磁性絶縁層が露出するまでメッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜からの跳ね返りを主磁極層の側面に再付着させる工程とを有することを特徴としている。
メッキ下地膜のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を5°以上40°以下に制御することでメッキ下地膜を主磁極層の側面に再付着させることが実際的である。メッキ下地膜のエッチング跳ね返りは主磁極層のボトム部側から上方へ向かって順に付着していく。ミリング角度制御により、主磁極層の側面はエッチングされずにメッキ下地膜のみをエッチングでき、さらに、主磁極層のボトム部だけでなく主磁極層の側面全体にメッキ下地膜を再付着させることができる。
メッキ下地膜を再付着させる工程の後に、非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを、メッキ下地膜が付着している主磁極層の側面に再付着させる工程を有することが好ましい。このエッチング工程はイオンミリングにより行い、該ミリング角度を5°以上40°以下に制御することで非磁性絶縁層を主磁極層の側面に再付着させることが実際的である。メッキ下地膜が付着している主磁極層の上からさらに非磁性絶縁層のエッチング跳ね返りを再付着させると、メッキ下地膜と非磁性絶縁層によって主磁極層が側面側から支えられ、より強固に主磁極層を保持することができる。
また本発明は、別の実施態様によれば、非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、このメッキ下地膜の上に、台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、レジストを除去する工程と、露出した台形形状をなす主磁極層の側面及びメッキ下地膜をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを主磁極層及びメッキ下地膜の側面に再付着させる工程とを有することを特徴としている。
非磁性絶縁層のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を5°以上40°以下に制御することで非磁性絶縁層を主磁極層及びメッキ下地膜の側面に再付着させることが実際的である。
メッキ下地膜は、NiP、Au、NiW、NiMo、NiPd、NiCr、Pd、Cr、Cu、Ti及びTiNから選ばれる1種、または2種以上の非磁性材料により形成することができる。メッキ下地膜は単層構造であっても積層構造であってもよい。
本発明によれば、非磁性材料からなるメッキ下地膜または非磁性絶縁層のエッチング跳ね返りを再付着させることによって主磁極層の少なくともボトム部が側面側から支えられるので、形成した狭トラック幅寸法の主磁極層を安定に保持できる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法が得られる。
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図においてX方向はトラック幅方向、Y方向はハイト方向、Z方向は垂直磁気記録ヘッドHを構成する各層の積層方向及び記録媒体Mの移動方向で定義される。
図1は、本発明方法の第1実施形態により形成された主磁極層を含む薄膜磁気ヘッドHの積層構造をトラック幅方向から見て示す部分断面図であり、図2は、図1の主磁極層を記録媒体との対向面から見て示す部分断面図である。
薄膜磁気ヘッドHは、スライダ100のトレーリング側端面100bに薄膜を積層してなる再生素子部Rと記録素子部Wを有する垂直磁気記録ヘッドであり、記録媒体Mに垂直磁界Φを与え、記録媒体Mのハード膜Maを垂直方向に磁化させることで記録動作する。記録媒体Mは、残留磁化の高いハード膜Maを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Mbをハード膜Maよりも内側に有している。この記録媒体Mは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ100はAl23・TiCなどの非磁性材料で形成されており、スライダ100の媒体対向面100aが記録媒体Mに対向し、記録媒体Mが回転すると、表面の空気流によりスライダ100が記録媒体Mの表面から浮上する。
スライダ100のトレーリング側端面100bには、Al23またはSiO2などの無機材料による非磁性絶縁層101が形成され、この非磁性絶縁層101の上に、再生素子部Rが形成されている。再生素子部Rは、下部シールド層102と、上部シールド層105と、この下部シールド層102及び上部シールド層105の間を埋める無機絶縁層(ギャップ絶縁層)104と、この無機絶縁層104内に位置する再生素子103とを有している。再生素子103は、AMR、GMR、TMRなどの磁気抵抗効果素子である。
上部シールド層105の上には、コイル絶縁下地層106を介して、導電性材料で形成された複数本の下層コイル107が形成されている。下層コイル107は、例えばAu,Ag,Pt,Cu,Cr,Al,Ti,NiP,Mo,Pd,Rhから選ばれる1種、または2種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル107の周囲には、非磁性絶縁層108が形成されている。
非磁性絶縁層108の上面は平坦化されていて、この平坦面の上にメッキ下地層109が形成され、さらにメッキ下地層109の上に、主磁極層110が形成されている。主磁極層110は、記録媒体との対向面F(以下、単に対向面Fという)から図示Y方向に所定長さLを有し、且つ、対向面Fに露出する先端面110aの図示X方向の寸法が記録トラック幅Twに規定されている。この主磁極層110は、Ni−Fe、Co−Fe、Ni−Fe−Coなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で、メッキにより形成されている。
主磁極層110の図示X方向の両側及び図示Y方向の後方には第1絶縁材料層111が形成され、この主磁極層110及び第1絶縁材料層111の上には、磁気ギャップ層113が形成されている。第1絶縁材料層111及び磁気ギャップ層113は、例えばAl23、SiO2、Al−Si−Oなどの非磁性絶縁材料からなる。磁気ギャップ層113上には、コイル絶縁下地層114を介して上層コイル115が形成されている。上層コイル115は下層コイル107と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。上層コイル115は、例えばAu,Ag,Pt,Cu,Cr,Al,Ti,NiP,Mo,Pd,Rhから選ばれる1種、または2種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
上記下層コイル107と上層コイル115とは、ソレノイド状になるように、それぞれの図示X方向における端部同士が電気的に接続されている。コイル層(磁界発生手段)の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではない。
上層コイル115の周囲には非磁性絶縁層116が形成され、この非磁性絶縁層116の上から磁気ギャップ層113上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料により補助磁極層(リターンヨーク層)150が形成されている。補助磁極層150は、対向面Fに露出する先端面150aを有し、この対向面Fでギャップ間隔をあけて主磁極層110と対向している。補助磁極層150のハイト方向の後端部は、主磁極層110と接続する接続部150bである。磁気ギャップ層113上であって対向面Fから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層118が形成されている。この対向面Fからスロートハイト決め層118の前端縁までの距離により、垂直磁気記録ヘッドHのスロートハイトが規定される。
補助磁極層150のハイト方向の後方には、上層コイル115から延出されたリード層119が、コイル絶縁下地層114を介して形成されている。そして、補助磁極層150およびリード層119が、非磁性絶縁材料で形成された保護層120に覆われている。
上記垂直磁気記録ヘッドHにおいて、図2に示されるように主磁極層110は、対向面Fから見た形状がそのボトム部110b側(非磁性絶縁層108側)ほど幅狭になる台形形状をなしている。現状の技術レベルにおける記録トラック幅寸法は130nm程度であり、主磁極層110のボトム部110bのトラック幅方向の寸法は、この記録トラック幅寸法よりも小さい。主磁極層110の側面110cはメッキ下地膜109の再付着膜109’で覆われており、この再付着膜109’によって、主磁極層110がボトム部110b側から浮いたり倒れたり等することなく、所望の台形形状で安定に保持されている。メッキ下地膜109は、例えばNiP、Au、NiW、NiMo、NiPd、NiCr、Pd、Cr、Cu、Ti及びTiNから選ばれる1種、または2種以上の非磁性材料から形成されるので、主磁極層110の記録トラック幅寸法は、ボトム部110bを覆う再付着膜109’に関係なく、主磁極層110の形状により規定されている。
次に、図3〜図6を参照し、図2の主磁極層110の形成方法について説明する。図3〜図6は、主磁極形成方法の各工程を、対向面Fから見て示す部分断面図である。
先ず、図3に示すように、非磁性絶縁層108の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜109を形成する。具体的にメッキ下地膜109は、例えばNiP、Au、NiW、NiMo、NiPd、NiCr、Pd、Cr、Cu、Ti及びTiNから選ばれる1種、または2種以上の非磁性材料により形成することが好ましい。
次に、同図3に示すように、メッキ下地膜109の上にレジスト層Rを形成し、このレジスト層Rによって、非磁性絶縁層108側ほど幅狭になる台形形状の空間βを設ける。
続いて、図4に示すように、レジスト層Rにより形成された台形形状空間β内に、強磁性材料からなる主磁極層110をメッキにより形成する。主磁極層110は、NiFe−X(但し、XはTc、Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir、Pt、Sのうち1種以上)、FeCo−X’(但し、X’はPd、Pt、Ru、Ir、Ni、Cr、Rhのうち1種以上)、またはFeCoから形成することができる。
続いて、図5に示すように、レジスト層Rを除去し、台形形状をなす主磁極層110の側面110cをエッチング(サイドエッチング)して記録トラック幅寸法Twを規定する。このエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ1は45°≦θ1≦75°程度に制御する。図5の矢印方向はミリング方向である。
続いて、図6に示すように、非磁性絶縁層108が露出するまでメッキ下地膜109をエッチングし、メッキ下地膜109からの跳ね返りを主磁極層110の側面110cに再付着させる。メッキ下地膜109は、エッチングにより削られると、該メッキ下地膜109または該メッキ下地膜109の下の非磁性絶縁層108に当たって跳ね返り、主磁極層110のボトム部110b側から上に向かって順に再付着していく。すなわち、主磁極層110の側面110cにメッキ下地膜109の再付着膜109’を形成する。このボトムエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ2を5°≦θ2≦40°の範囲で制御することで、主磁極層110にエッチングダメージを与えることなくメッキ下地膜109のみをエッチングし、主磁極層110の側面110c全体にメッキ下地膜109を再付着させることができる。主磁極層110の側面110cに形成されたメッキ下地膜109の再付着膜109’は、主磁極層110を側面から支えて主磁極層110の形状及び位置を安定化させる。メッキ下地膜109は非磁性材料で形成してあるので、主磁極層110の側面110cに再付着しても主磁極層110の磁気的特性に影響を与えることはなく、主磁極層110の記録トラック幅寸法は上記サイドエッチング工程で規定した寸法で維持される。
以上により、図2に示す垂直磁気記録ヘッドHの主磁極層110が得られる。
次に、図7及び図8を参照し、本発明を適用した垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法の第2実施形態について説明する。
本第2実施形態で形成される主磁極層110は、図7に示すように、その側面110cが、メッキ下地膜109のエッチング跳ね返りにより形成された再付着膜109’と非磁性絶縁層108のエッチング跳ね返りにより形成された再付着膜108’の二層で覆われる。これら二層の再付着膜109’、108’により、主磁極層110は、ボトム部110b側から浮いたり剥がれたり等することなく、所望の台形形状で安定に保持される。この非磁性絶縁層108は非磁性であるから、主磁極層110の側面110cに再付着しても、主磁極層110の磁気的特性に影響を与えない。
この主磁極層110は、メッキ下地膜109を主磁極層110の側面110cに再付着させる工程まで第1実施形態と同様に実行した後に続いて、図8に示すように、非磁性絶縁層108をエッチングし、該非磁性絶縁層108からの跳ね返りを主磁極層110の側面110cに再付着させることで、得られる。非磁性絶縁層108のエッチング工程は、メッキ下地膜109のエッチング工程と同様、イオンミリングにより行い、そのミリング角度θ3を5°≦θ3≦40°の範囲で制御することで、主磁極層110及びメッキ下地膜109の再付着膜109’にエッチングダメージを与えることなく非磁性絶縁層108のみをエッチングし、主磁極層110の側面110c全体に非磁性絶縁層108を再付着させることができる。
本第2実施形態によれば、単層(メッキ下地膜109の再付着膜109’)で主磁極層110の側面110cを覆う第1実施形態よりも、より強固に主磁極層110を保持できる。
次に、図9〜図11を参照し、本発明を適用した垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法の第3実施形態について説明する。
本第3実施形態で形成される主磁極層110は、図9に示されるように、該主磁極層110とメッキ下地膜109が非磁性絶縁層108側で幅狭の台形形状を共に形成し、この主磁極層110及びメッキ下地膜109の側面が、非磁性絶縁層108の再付着膜108’で覆われる。この非磁性絶縁層108の再付着膜108’により、主磁極層110は、そのボトム部110b側から浮いたり倒れたり等することなく、所望の台形形状で安定に保持される。
図10及び図11は、第3実施形態による主磁極形成方法の各工程を、対向面Fから見て示す部分断面図である。
先ず、上述した第1実施形態と同様にして、非磁性絶縁層108の上にメッキ下地膜109を形成し、メッキ下地膜109の上に非磁性絶縁層108側ほど幅狭になる台形形状の空間βを有するレジスト層Rを形成し、この台形形状空間β内に主磁極層110をメッキにより形成する(図3及び図4参照)。
主磁極層110を形成したら、図10に示すように、レジスト層Rを除去し、主磁極層110の側面110c及びメッキ下地膜109をエッチング(サイドエッチング)して記録トラック幅寸法Twを規定する。このエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ1は45°≦θ1≦75°程度に制御する。図5の矢印方向はミリング方向である。ここで、主磁極層110から露出しているメッキ下地膜109はエッチングによりすべて除去し、主磁極層110の下層位置にのみメッキ下地膜109を残す。残したメッキ下地膜109は、主磁極層110と共に台形形状を形成する。
続いて、図11に示すように、非磁性絶縁層108をエッチングし、非磁性絶縁層108からの跳ね返りを主磁極層110及びメッキ下地膜109の側面に再付着させる。このボトムエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ2を5°≦θ2≦40°の範囲で制御することで、主磁極層110及びメッキ下地膜109にエッチングダメージを与えることなく非磁性絶縁層108のみをエッチングし、主磁極層110及びメッキ下地膜109の側面全体に非磁性絶縁層108からの再付着膜108’を形成する。主磁極層110及びメッキ下地膜109の側面に形成された再付着膜108’は、主磁極層110及びメッキ下地膜109を側面から支えて主磁極層110の形状及び位置を安定化させる。第1及び第2実施形態と同様に非磁性絶縁層108は非磁性であるから、主磁極層110の側面110cに再付着しても主磁極層110の磁気的特性に影響を与えることはなく、主磁極層110の記録トラック幅寸法は上記サイドエッチング工程で規定した寸法で維持される。
以上により、図7に示す主磁極層110が得られる。
以上の各実施形態によれば、非磁性材料からなるメッキ下地膜109及び非磁性絶縁層108の少なくとも一方のエッチング跳ね返りを再付着させることによって主磁極層110をその側面110c側から支えるので、狭トラック化により主磁極層のトラック幅方向の寸法が小さくなっても、主磁極層のボトム部の浮きや剥がれを防止でき、形成した主磁極層を安定に保持することができる。これにより、ヘッド品質も向上する。
各実施形態では、主磁極層110の側面110c全体が再付着膜109’(108’)で覆われているが、この再付着膜109’(108’)は、主磁極層110の少なくともボトム部110bを覆っていればよい。また、主磁極層110の上面には、サイドエッチング時に主磁極層110の上面が削られることを防止する保護層を形成することもできる。
以上では、いわゆるシールデッドポール構造の垂直磁気記録ヘッドの主磁極層に本発明方法を適用した実施形態について説明したが、本発明方法は、単磁極型の垂直磁気記録ヘッドの主磁極層にも適用可能である。
本発明方法の第1実施形態により形成された主磁極層を含む垂直磁気記録ヘッドの積層構造を、トラック幅方向から見て示す部分断面図である。 図1の主磁極層を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 第1実施形態による主磁極形成方法の一工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 図3に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 図4に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 図5に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 本発明方法の第2実施形態により形成された主磁極層を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 第2実施形態による主磁極形成方法の一工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 本発明方法の第3実施形態により形成された主磁極層を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 第3実施形態による主磁極形成方法の一工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。 図10に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
符号の説明
108 非磁性絶縁層
108’ 再付着膜
109 メッキ下地膜
109’ 再付着膜
110 主磁極層
110b ボトム部
110c 側面
113 磁気ギャップ層
150 補助磁極層
β 台形形状空間
F 対向面
H 垂直磁気記録ヘッド
M 記録媒体
Ma ハード膜
Mb ソフト膜
R レジスト層
Tw トラック幅

Claims (7)

  1. 非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、
    前記非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、
    このメッキ下地膜の上に、前記台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、
    このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、
    前記レジストを除去する工程と、
    露出した台形形状をなす主磁極層の側面及び前記メッキ下地膜の一部をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、
    前記非磁性絶縁層が露出するまで前記メッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜からの跳ね返りを前記主磁極層の側面に再付着させる工程と、
    を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
  2. 請求項1記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記メッキ下地膜のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を5°以上40°以下に制御することで前記メッキ下地膜を前記主磁極層の側面に再付着させる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
  3. 請求項1または2記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記メッキ下地膜を再付着させる工程の後に、前記非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを、前記メッキ下地膜が付着している前記主磁極層の側面に再付着させる工程を有する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
  4. 請求項3記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記非磁性絶縁層のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を5°以上40°以下に制御することで前記非磁性絶縁層を前記主磁極層の側面に再付着させる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
  5. 非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、
    前記非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、
    このメッキ下地膜の上に、前記台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、
    このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、
    前記レジストを除去する工程と、
    露出した台形形状をなす主磁極層の側面及び前記メッキ下地膜をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、
    前記非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを前記主磁極層及び前記メッキ下地膜の側面に再付着させる工程と、
    を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
  6. 請求項5記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記非磁性絶縁層のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を5°以上40°以下に制御することで前記非磁性絶縁層を前記主磁極層及び前記メッキ下地膜の側面に再付着させる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記メッキ下地膜は、NiP、Au、NiW、NiMo、NiPd、NiCr、Pd、Cr、Cu、Ti及びTiNから選ばれる1種、または2種以上の非磁性材料により形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
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