JP2002197614A - 垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法Info
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- Y10S977/934—Giant magnetoresistance, GMR
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の垂直記録型の垂直磁気記録ヘッドで
は、スキュー角が発生したときにサイドフリンジングが
発生していた。 【解決手段】主磁極層２４の記録媒体との対向面での正
面形状を略逆台形にすることにより、スキュー角が発生
しても側辺２４ｆ１がトラックの幅方向にはみ出すこと
が防止でき、サイドフリンジングを抑えることができ
る。
は、スキュー角が発生したときにサイドフリンジングが
発生していた。 【解決手段】主磁極層２４の記録媒体との対向面での正
面形状を略逆台形にすることにより、スキュー角が発生
しても側辺２４ｆ１がトラックの幅方向にはみ出すこと
が防止でき、サイドフリンジングを抑えることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハード膜を
有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与え
て記録を行う垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に係
り、特に記録パターンにフリンジングが発生するのを抑
制し、高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録ヘッドお
よびその製造方法を提供することを目的としている。
有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与え
て記録を行う垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に係
り、特に記録パターンにフリンジングが発生するのを抑
制し、高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録ヘッドお
よびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００２】
【従来の技術】ディスクなどの記録媒体に磁気データを
高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。
図２７は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される垂直
磁気記録ヘッドの一般的な構造を示す断面図である。
高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。
図２７は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される垂直
磁気記録ヘッドの一般的な構造を示す断面図である。
【０００３】図２７に示すように、垂直磁気記録方式の
垂直磁気記録ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動し
または摺動するスライダ１のトレーリング側端面に設け
られるものであり、例えばスライダ１のトレーリング側
端面１ａにおいて、前記垂直磁気記録ヘッドＨは、非磁
性膜２と、非磁性の被覆膜３との間に配置される。
垂直磁気記録ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動し
または摺動するスライダ１のトレーリング側端面に設け
られるものであり、例えばスライダ１のトレーリング側
端面１ａにおいて、前記垂直磁気記録ヘッドＨは、非磁
性膜２と、非磁性の被覆膜３との間に配置される。
【０００４】前記垂直磁気記録ヘッドＨは、強磁性材料
で形成された補助磁極層４と、前記補助磁極層４の上に
間隔を開けて形成された同じく強磁性材料で形成された
主磁極層５とを有しており、前記補助磁極層４の端面４
ａと前記主磁極層５の端面５ａとが、記録媒体Ｍｄとの
対向面Ｈａに現れている。前記対向面Ｈａよりも奥側に
おいて、前記補助磁極層４と前記主磁極層５は、磁気接
続部６において磁気的に接続されている。
で形成された補助磁極層４と、前記補助磁極層４の上に
間隔を開けて形成された同じく強磁性材料で形成された
主磁極層５とを有しており、前記補助磁極層４の端面４
ａと前記主磁極層５の端面５ａとが、記録媒体Ｍｄとの
対向面Ｈａに現れている。前記対向面Ｈａよりも奥側に
おいて、前記補助磁極層４と前記主磁極層５は、磁気接
続部６において磁気的に接続されている。
【０００５】前記補助磁極層４と前記主磁極層５との間
にはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶
縁層７が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁
性絶縁層７の端面７ａが、前記補助磁極層４の端面４ａ
と前記主磁極層５の端面５ａとの間に現れている。
にはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶
縁層７が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁
性絶縁層７の端面７ａが、前記補助磁極層４の端面４ａ
と前記主磁極層５の端面５ａとの間に現れている。
【０００６】そして、前記非磁性絶縁層７内には、Ｃｕ
などの導電性材料で形成されたコイル層８が埋設されて
いる。
などの導電性材料で形成されたコイル層８が埋設されて
いる。
【０００７】図２７に示すように、主磁極層５の端面５
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｘ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
Ｔｗであり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラッ
ク幅方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなって
いる。
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｘ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
Ｔｗであり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラッ
ク幅方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなって
いる。
【０００８】前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録
が行われる記録媒体Ｍｄは、垂直磁気記録ヘッドＨに対
してＹ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜
Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
が行われる記録媒体Ｍｄは、垂直磁気記録ヘッドＨに対
してＹ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜
Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【０００９】前記コイル層８に通電されることにより補
助磁極層４と主磁極層５とに記録磁界が誘導されると、
補助磁極層４の端面４ａと、主磁極層５の端面５ａとの
間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍａを
垂直に通過し、ソフト膜Ｍｂを通る。ここで、前記のよ
うに主磁極層５の端面５ａの面積が、補助磁極層４の端
面４ａでの面積よりも十分に小さくなっているため、主
磁極層５の端面５ａの対向部分で磁束φが集中し、端面
５ａが対向する部分での前記ハード膜Ｍａに対し、前記
磁束φにより磁気データが記録される。
助磁極層４と主磁極層５とに記録磁界が誘導されると、
補助磁極層４の端面４ａと、主磁極層５の端面５ａとの
間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍａを
垂直に通過し、ソフト膜Ｍｂを通る。ここで、前記のよ
うに主磁極層５の端面５ａの面積が、補助磁極層４の端
面４ａでの面積よりも十分に小さくなっているため、主
磁極層５の端面５ａの対向部分で磁束φが集中し、端面
５ａが対向する部分での前記ハード膜Ｍａに対し、前記
磁束φにより磁気データが記録される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図２８は図２７の垂直
磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正
面図である。図２７及び図２８の垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層５は、磁性材料からなるメッキ下地層５ｂ上
に、磁性材料を用いてメッキ形成されている。メッキ形
成された主磁極層５は上面５ｃが凸状に湾曲した曲面に
なる。また、従来の垂直磁気記録ヘッドでは主磁極層５
の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対
する垂直面となっている。
磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正
面図である。図２７及び図２８の垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層５は、磁性材料からなるメッキ下地層５ｂ上
に、磁性材料を用いてメッキ形成されている。メッキ形
成された主磁極層５は上面５ｃが凸状に湾曲した曲面に
なる。また、従来の垂直磁気記録ヘッドでは主磁極層５
の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対
する垂直面となっている。
【００１１】図２９は、図２７及び図２８に示された垂
直磁気記録ヘッドによって信号が記録された記録媒体上
の記録トラックの平面図である。
直磁気記録ヘッドによって信号が記録された記録媒体上
の記録トラックの平面図である。
【００１２】スライダ１がディスク状の記録媒体Ｍｄの
外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回転
接線方向（図示Ｙ方向）に対して前記主磁極層５の側辺
５ｄ，５ｄが傾くスキュー角が発生することがある。こ
こで図２８に示すように主磁極層５の側辺５ｄ，５ｄが
トラック幅方向に対する垂直面であると、主磁極層５の
側辺５ｄ，５ｄが記録媒体の移動接線方向（図示Ｙ方
向）に対してスキュー角を有するときに、破線で示すよ
うに主磁極層の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅Ｔｗの外側
に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、オ
フトラック性能の低下を招く。
外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回転
接線方向（図示Ｙ方向）に対して前記主磁極層５の側辺
５ｄ，５ｄが傾くスキュー角が発生することがある。こ
こで図２８に示すように主磁極層５の側辺５ｄ，５ｄが
トラック幅方向に対する垂直面であると、主磁極層５の
側辺５ｄ，５ｄが記録媒体の移動接線方向（図示Ｙ方
向）に対してスキュー角を有するときに、破線で示すよ
うに主磁極層の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅Ｔｗの外側
に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、オ
フトラック性能の低下を招く。
【００１３】また、主磁極層５の上面５ｃが凸状に湾曲
した曲面であると、記録トラック上の磁区境界Ｂが湾曲
し、再生波形のパルス幅が広くなり高記録密度化を進め
ると鮮明な記録磁化分布が得られなくなる。従って、記
録トラックの長さ方向（図示Ａ方向）の記録密度を上げ
ることが難しくなる。
した曲面であると、記録トラック上の磁区境界Ｂが湾曲
し、再生波形のパルス幅が広くなり高記録密度化を進め
ると鮮明な記録磁化分布が得られなくなる。従って、記
録トラックの長さ方向（図示Ａ方向）の記録密度を上げ
ることが難しくなる。
【００１４】本発明は、上記従来の課題を解決するため
のものであり、記録パターンにフリンジングが発生する
のを抑制できオフトラック性能の向上を図ることが可能
であり、また、記録トラックの長さ方向の記録密度を向
上させることのできる垂直磁気記録ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的としている。
のものであり、記録パターンにフリンジングが発生する
のを抑制できオフトラック性能の向上を図ることが可能
であり、また、記録トラックの長さ方向の記録密度を向
上させることのできる垂直磁気記録ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体との
対向面に、補助磁極層と主磁極層とが間隔を開けて位置
し、前記対向面よりも奥側に前記補助磁極層と前記主磁
極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主
磁極層に集中する前記記録媒体平面に対する垂直方向磁
界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直
磁気記録ヘッドにおいて、前記対向面よりも奥側では前
記補助磁極層から立ち上がる接続層が設けられて、前記
主磁極層と前記接続層が直接に、又は前記主磁極層の上
と前記接続層の上に形成されたヨーク層によって、磁気
的に接続されており、前記対向面では、前記補助磁極層
上に絶縁層を介して積層された前記主磁極層のトラック
幅方向の内幅寸法が、前記補助磁極層から離れるにした
がって徐々に広くなるように、前記主磁極層の前記補助
磁極層側の端辺よりも上辺（トレーリング側の端辺）が
幅広とされていることを特徴とするものである。
対向面に、補助磁極層と主磁極層とが間隔を開けて位置
し、前記対向面よりも奥側に前記補助磁極層と前記主磁
極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主
磁極層に集中する前記記録媒体平面に対する垂直方向磁
界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直
磁気記録ヘッドにおいて、前記対向面よりも奥側では前
記補助磁極層から立ち上がる接続層が設けられて、前記
主磁極層と前記接続層が直接に、又は前記主磁極層の上
と前記接続層の上に形成されたヨーク層によって、磁気
的に接続されており、前記対向面では、前記補助磁極層
上に絶縁層を介して積層された前記主磁極層のトラック
幅方向の内幅寸法が、前記補助磁極層から離れるにした
がって徐々に広くなるように、前記主磁極層の前記補助
磁極層側の端辺よりも上辺（トレーリング側の端辺）が
幅広とされていることを特徴とするものである。
【００１６】本発明では、前記対向面で、前記主磁極層
のトラック幅方向の内幅寸法が、前記補助磁極層から離
れるにしたがって徐々に広くなるように、前記主磁極層
の前記補助磁極層側の端辺よりも上辺が幅広とされてい
る。すなわち前記対向面において前記主磁極層の正面形
状が略逆台形になっている。
のトラック幅方向の内幅寸法が、前記補助磁極層から離
れるにしたがって徐々に広くなるように、前記主磁極層
の前記補助磁極層側の端辺よりも上辺が幅広とされてい
る。すなわち前記対向面において前記主磁極層の正面形
状が略逆台形になっている。
【００１７】従って、記録媒体に記録を行うとき、前記
主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対してスキ
ュー角を生じても、前記側辺が記録トラックの外にはみ
出すことを防ぐことができ、フリンジングを防止できる
ようになり、オフトラック性能の向上を図ることができ
る。
主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対してスキ
ュー角を生じても、前記側辺が記録トラックの外にはみ
出すことを防ぐことができ、フリンジングを防止できる
ようになり、オフトラック性能の向上を図ることができ
る。
【００１８】また、本発明では、前記対向面において、
前記主磁極層の前記上辺が直線形状にされていることが
好ましい。
前記主磁極層の前記上辺が直線形状にされていることが
好ましい。
【００１９】前記記録媒体は、垂直磁気記録ヘッドの前
記補助磁極層側からヨーク層側に向かう方向に走行す
る。従って、前記記録媒体上の記録トラックの磁区境界
の形状は、前記主磁極層の上辺の形状によって決まる。
記補助磁極層側からヨーク層側に向かう方向に走行す
る。従って、前記記録媒体上の記録トラックの磁区境界
の形状は、前記主磁極層の上辺の形状によって決まる。
【００２０】前記主磁極層の前記上辺が直線形状にされ
ていると前記記録トラックの磁区境界も直線形状とな
り、記録トラックの長さ方向の記録密度を上げても鮮明
な記録磁化分布を得ることができ、良好な記録再生特性
を得ることができる。
ていると前記記録トラックの磁区境界も直線形状とな
り、記録トラックの長さ方向の記録密度を上げても鮮明
な記録磁化分布を得ることができ、良好な記録再生特性
を得ることができる。
【００２１】また、本発明では前記主磁極層が非磁性金
属材料からなるメッキ下地層上にメッキ形成されたもの
とすることができる。
属材料からなるメッキ下地層上にメッキ形成されたもの
とすることができる。
【００２２】メッキ下地層が非磁性金属材料を用いて形
成されたときには、メッキ下地層のトラック幅方向の幅
寸法が、前記主磁極層の底面のトラック幅方向の幅寸法
よりも大きくなってもよい。
成されたときには、メッキ下地層のトラック幅方向の幅
寸法が、前記主磁極層の底面のトラック幅方向の幅寸法
よりも大きくなってもよい。
【００２３】また、本発明では、前記主磁極層は磁性材
料からなるメッキ下地層上に形成され、このメッキ下地
層のトラック幅方向における両側端面の少なくとも一部
は、前記主磁極層の前記補助磁極層側の端辺のトラック
幅方向の端部よりもトラック幅方向へはみ出して形成さ
れており、そのはみ出し量は、記録媒体への記録時にス
キュー角が生じたときに、前記記録媒体に記録される記
録トラック幅Ｔｗ１からはみ出さない長さであってもよ
い。
料からなるメッキ下地層上に形成され、このメッキ下地
層のトラック幅方向における両側端面の少なくとも一部
は、前記主磁極層の前記補助磁極層側の端辺のトラック
幅方向の端部よりもトラック幅方向へはみ出して形成さ
れており、そのはみ出し量は、記録媒体への記録時にス
キュー角が生じたときに、前記記録媒体に記録される記
録トラック幅Ｔｗ１からはみ出さない長さであってもよ
い。
【００２４】なお、前記主磁極層が磁性材料からなるメ
ッキ下地層上に形成されるときには、このメッキ下地層
のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の前記補助
磁極層側の端辺のトラック幅方向の幅寸法より小さいこ
とが好ましい。
ッキ下地層上に形成されるときには、このメッキ下地層
のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の前記補助
磁極層側の端辺のトラック幅方向の幅寸法より小さいこ
とが好ましい。
【００２５】前記メッキ下地層のトラック幅方向の幅寸
法が上述した範囲であると、記録媒体に記録を行うと
き、前記主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対
してスキュー角を生じても、前記メッキ下地層が記録ト
ラックの外にはみ出すことを防ぐことができ、フリンジ
ングを防止できる。
法が上述した範囲であると、記録媒体に記録を行うと
き、前記主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対
してスキュー角を生じても、前記メッキ下地層が記録ト
ラックの外にはみ出すことを防ぐことができ、フリンジ
ングを防止できる。
【００２６】なお、本発明では、前記対向面に現れてい
る前記補助磁極層の端面の面積よりも、前記対向面に現
れている前記主磁極層の端面の面積が十分に小さく、且
つ前記対向面と平行な断面での、前記主磁極層の断面積
が、前記ヨーク層の断面積よりも小さいものとすること
が好ましい。
る前記補助磁極層の端面の面積よりも、前記対向面に現
れている前記主磁極層の端面の面積が十分に小さく、且
つ前記対向面と平行な断面での、前記主磁極層の断面積
が、前記ヨーク層の断面積よりも小さいものとすること
が好ましい。
【００２７】また、前記主磁極層の飽和磁束密度が、前
記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高いものとして構成す
ることが可能である。
記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高いものとして構成す
ることが可能である。
【００２８】なお、前記ヨーク層の前端面は、前記対向
面よりも奥側に位置していることが好ましい。
面よりも奥側に位置していることが好ましい。
【００２９】また、本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造
方法は、以下の工程を有するものである。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程、（ｂ）記
録媒体との対向面となる面よりも奥側で、前記補助磁極
層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、（ｃ）前記
記録媒体との対向面となる面よりも奥側の領域にコイル
層を形成する工程、（ｄ）前記補助磁極層上に絶縁層を
積層し、この絶縁層上にメッキ下地層を成膜する工程、
（ｅ）前記メッキ下地層の上にレジスト層を形成して、
前記対向面となる部分で、前記レジスト層に、トラック
幅方向の内幅寸法が、補助磁極層から離れるにしたがっ
て徐々に広がり、且つ前記対向面から奥側へ所定の奥行
きを有する溝を形成する工程、（ｆ）前記溝内で、主磁
極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去
する工程、（ｇ）前記主磁極層と前記接続層を、直接又
は前記主磁極層の上と前記接続層の上にヨーク層を形成
して、磁気的に接続する工程、本発明の垂直磁気記録ヘ
ッドの製造方法では、前記（ｅ）の工程において、前記
レジスト層に、トラック幅方向の内幅寸法が、補助磁極
層から離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向
面から奥側へ所定の奥行きを有する溝を形成し、前記
（ｆ）の工程において、前記溝内で主磁極層をメッキ形
成する。
方法は、以下の工程を有するものである。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程、（ｂ）記
録媒体との対向面となる面よりも奥側で、前記補助磁極
層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、（ｃ）前記
記録媒体との対向面となる面よりも奥側の領域にコイル
層を形成する工程、（ｄ）前記補助磁極層上に絶縁層を
積層し、この絶縁層上にメッキ下地層を成膜する工程、
（ｅ）前記メッキ下地層の上にレジスト層を形成して、
前記対向面となる部分で、前記レジスト層に、トラック
幅方向の内幅寸法が、補助磁極層から離れるにしたがっ
て徐々に広がり、且つ前記対向面から奥側へ所定の奥行
きを有する溝を形成する工程、（ｆ）前記溝内で、主磁
極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去
する工程、（ｇ）前記主磁極層と前記接続層を、直接又
は前記主磁極層の上と前記接続層の上にヨーク層を形成
して、磁気的に接続する工程、本発明の垂直磁気記録ヘ
ッドの製造方法では、前記（ｅ）の工程において、前記
レジスト層に、トラック幅方向の内幅寸法が、補助磁極
層から離れるにしたがって徐々に広がり、且つ前記対向
面から奥側へ所定の奥行きを有する溝を形成し、前記
（ｆ）の工程において、前記溝内で主磁極層をメッキ形
成する。
【００３０】すなわち、得られた垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層は、前記対向面でトラック幅方向の内幅寸法
が、前記補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広く
なるように、前記主磁極層の前記補助磁極層側の端辺よ
りも上辺が幅広とされている。すなわち前記対向面にお
いて前記主磁極層の正面形状が略逆台形になっている。
主磁極層は、前記対向面でトラック幅方向の内幅寸法
が、前記補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広く
なるように、前記主磁極層の前記補助磁極層側の端辺よ
りも上辺が幅広とされている。すなわち前記対向面にお
いて前記主磁極層の正面形状が略逆台形になっている。
【００３１】前記（ｅ）の工程において、前記レジスト
層にトラック幅方向の内幅寸法が、補助磁極層から離れ
るにしたがって徐々に広がる溝を形成するためには、前
記（ｅ）の工程で、前記メッキ下地層の上にレジスト層
を形成しこのレジスト層に溝をパターン形成した後、前
記レジスト層を熱処理する方法を使用することができ
る。
層にトラック幅方向の内幅寸法が、補助磁極層から離れ
るにしたがって徐々に広がる溝を形成するためには、前
記（ｅ）の工程で、前記メッキ下地層の上にレジスト層
を形成しこのレジスト層に溝をパターン形成した後、前
記レジスト層を熱処理する方法を使用することができ
る。
【００３２】または、前記（ｅ）の工程で、前記メッキ
下地層の上にレジスト層を形成しこのレジスト層のパタ
ーニング精度を調節することにより、トラック幅方向の
内幅寸法が補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広
がる溝をパターン形成することができる。
下地層の上にレジスト層を形成しこのレジスト層のパタ
ーニング精度を調節することにより、トラック幅方向の
内幅寸法が補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広
がる溝をパターン形成することができる。
【００３３】本発明では、前記（ｆ）の工程と前記
（ｇ）の工程の間に、（ｈ）前記主磁極層の中心線に対
して所定の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射
させるミリングで、前記主磁極層の上面を平坦化させる
工程を有することが好ましい。、前記主磁極層の上面を
平坦化させることにより、前記対向面において前記主磁
極層の前記上辺を直線形状にすることができる。
（ｇ）の工程の間に、（ｈ）前記主磁極層の中心線に対
して所定の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射
させるミリングで、前記主磁極層の上面を平坦化させる
工程を有することが好ましい。、前記主磁極層の上面を
平坦化させることにより、前記対向面において前記主磁
極層の前記上辺を直線形状にすることができる。
【００３４】また、前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の工
程の間に、（ｉ）前記主磁極層の中心線に対して所定の
角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミリ
ングで、前記主磁極層の側面を削り、前記主磁極層のト
ラック幅方向の幅寸法を設定する工程を有してもよい。
程の間に、（ｉ）前記主磁極層の中心線に対して所定の
角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミリ
ングで、前記主磁極層の側面を削り、前記主磁極層のト
ラック幅方向の幅寸法を設定する工程を有してもよい。
【００３５】さらに、前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の
工程の間に、（ｊ）前記主磁極層の中心線に対して所定
の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミ
リングで、前記主磁極層以外の領域で前記メッキ下地層
を除去し、さらに前記主磁極層の側辺に付着した前記メ
ッキ下地層の材料を前記ミリングで除去する工程を有し
てもよい。なお、本発明では、前記（ｆ）の工程と前記
（ｇ）の工程の間に、（ｋ）前記主磁極層の中心線に対
して所定の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射
させるミリングで、前記主磁極層の上面を平坦化させ、
さらに前記主磁極層以外の領域における前記メッキ下地
層の除去、前記主磁極層の側面に付着した前記メッキ下
地層の材料の除去、及び前記主磁極層の側面を削ること
による前記主磁極層のトラック幅方向の幅寸法の設定を
前記ミリングによって同時に行う工程を有することがて
きる。
工程の間に、（ｊ）前記主磁極層の中心線に対して所定
の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミ
リングで、前記主磁極層以外の領域で前記メッキ下地層
を除去し、さらに前記主磁極層の側辺に付着した前記メ
ッキ下地層の材料を前記ミリングで除去する工程を有し
てもよい。なお、本発明では、前記（ｆ）の工程と前記
（ｇ）の工程の間に、（ｋ）前記主磁極層の中心線に対
して所定の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射
させるミリングで、前記主磁極層の上面を平坦化させ、
さらに前記主磁極層以外の領域における前記メッキ下地
層の除去、前記主磁極層の側面に付着した前記メッキ下
地層の材料の除去、及び前記主磁極層の側面を削ること
による前記主磁極層のトラック幅方向の幅寸法の設定を
前記ミリングによって同時に行う工程を有することがて
きる。
【００３６】前記（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）または（ｋ）
の工程において、前記所定の角度を４５°以上８０°以
下とすることが好ましく、より好ましくは、前記所定の
角度を６０°以上７０°以下とすることである。
の工程において、前記所定の角度を４５°以上８０°以
下とすることが好ましく、より好ましくは、前記所定の
角度を６０°以上７０°以下とすることである。
【００３７】なお、前記（ｄ）の工程において、前記メ
ッキ下地層を磁性材料を用いて形成してもよいし、前記
メッキ下地層を非磁性材料を用いて形成してもよい。
ッキ下地層を磁性材料を用いて形成してもよいし、前記
メッキ下地層を非磁性材料を用いて形成してもよい。
【００３８】前記メッキ下地層を非磁性材料を用いて形
成した場合には、前記主磁極層の形成後余分な前記メッ
キ下地層を除去した後、前記主磁極層に重なる領域以外
の領域に前記メッキ下地層が残っても垂直磁気記録ヘッ
ドの記録特性に大きな影響を及ぼさないようにできる。
成した場合には、前記主磁極層の形成後余分な前記メッ
キ下地層を除去した後、前記主磁極層に重なる領域以外
の領域に前記メッキ下地層が残っても垂直磁気記録ヘッ
ドの記録特性に大きな影響を及ぼさないようにできる。
【００３９】従って、前記メッキ下地層を非磁性材料を
用いて形成した場合には、前記（ｊ）及び（ｋ）の工程
において、前記主磁極層以外の領域で前記メッキ下地層
を除去するときに、前記メッキ下地層のトラック幅方向
の幅寸法を、前記主磁極層の底面のトラック幅方向の幅
寸法よりも大きくしてもよい。
用いて形成した場合には、前記（ｊ）及び（ｋ）の工程
において、前記主磁極層以外の領域で前記メッキ下地層
を除去するときに、前記メッキ下地層のトラック幅方向
の幅寸法を、前記主磁極層の底面のトラック幅方向の幅
寸法よりも大きくしてもよい。
【００４０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施形態の垂
直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図である。図２は
垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分
正面図である。
直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図である。図２は
垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分
正面図である。
【００４１】図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨｖは記録
媒体Ｍｄに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍ
ａを垂直方向に磁化させるものである。
媒体Ｍｄに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍ
ａを垂直方向に磁化させるものである。
【００４２】記録媒体Ｍｄはディスク状であり、その表
面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率
の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回
転軸中心となって回転させられる。
面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率
の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回
転軸中心となって回転させられる。
【００４３】垂直磁気記録ヘッドＨｖのスライダ１１は
Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、
スライダ１１の対向面１１ａが記録媒体Ｍｄに対向し、
記録媒体Ｍｄが回転すると、表面の空気流によりスライ
ダ１１が記録媒体Ｍｄの表面から浮上し、またはスライ
ダ１１が記録媒体Ｍｄに摺動する。垂直磁気記録ヘッド
はスライダ１１のトレーリング側端面１１ｂ側に設けら
れている。図１においてスライダ１１に対する記録媒体
Ｍｄの移動方向は図示Ｚ方向である。
Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、
スライダ１１の対向面１１ａが記録媒体Ｍｄに対向し、
記録媒体Ｍｄが回転すると、表面の空気流によりスライ
ダ１１が記録媒体Ｍｄの表面から浮上し、またはスライ
ダ１１が記録媒体Ｍｄに摺動する。垂直磁気記録ヘッド
はスライダ１１のトレーリング側端面１１ｂ側に設けら
れている。図１においてスライダ１１に対する記録媒体
Ｍｄの移動方向は図示Ｚ方向である。
【００４４】スライダ１１のトレーリング側端面１１ｂ
には、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非
磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層の上に
読取り部ＨRが形成されている。
には、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非
磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層の上に
読取り部ＨRが形成されている。
【００４５】読取り部ＨRは、下から下部シールド層５
２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、および上
部シールド層５１から成る。磁気抵抗効果素子５３は、
異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子
などである。
２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、および上
部シールド層５１から成る。磁気抵抗効果素子５３は、
異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子
などである。
【００４６】上部シールド層５１の上には、Ａｌ2Ｏ3ま
たはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１２が
形成されて、非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の
垂直磁気記録ヘッドＨｖが設けられている。そして垂直
磁気記録ヘッドＨｖは無機非磁性絶縁材料などで形成さ
れた保護層１３により被覆されている。そして垂直磁気
記録ヘッドＨｖの記録媒体との対向面Ｈｖａは、スライ
ダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
たはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１２が
形成されて、非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の
垂直磁気記録ヘッドＨｖが設けられている。そして垂直
磁気記録ヘッドＨｖは無機非磁性絶縁材料などで形成さ
れた保護層１３により被覆されている。そして垂直磁気
記録ヘッドＨｖの記録媒体との対向面Ｈｖａは、スライ
ダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【００４７】垂直磁気記録ヘッドＨｖでは、パーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされて補助磁
極層２１が形成されている。補助磁極層２１はいわゆる
リターンパス層である。非磁性絶縁層１２は、補助磁極
層２１の下（補助磁極層２１とスライダ１１のトレーリ
ング側端面１１ｂとの間）および補助磁極層２１の周囲
に形成されている。そして図１に示すように、補助磁極
層２１の表面（上面）２１ａと非磁性絶縁層１２の表面
（上面）１２ａとは同一の平面上に位置している。
（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされて補助磁
極層２１が形成されている。補助磁極層２１はいわゆる
リターンパス層である。非磁性絶縁層１２は、補助磁極
層２１の下（補助磁極層２１とスライダ１１のトレーリ
ング側端面１１ｂとの間）および補助磁極層２１の周囲
に形成されている。そして図１に示すように、補助磁極
層２１の表面（上面）２１ａと非磁性絶縁層１２の表面
（上面）１２ａとは同一の平面上に位置している。
【００４８】図１に示すように、対向面Ｈｖａよりも奥
側（ハイト方向、図示Ｘ方向）では、補助磁極層２１の
表面２１ａ上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形成され
ている。
側（ハイト方向、図示Ｘ方向）では、補助磁極層２１の
表面２１ａ上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形成され
ている。
【００４９】接続層２５の周囲において、補助磁極層２
１の表面２１ａおよび非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上
に、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性絶縁層２６が形成されて、こ
の非磁性絶縁層２６の上にＣｕなどの導電性材料により
コイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフ
レームメッキ法などで形成されたものであり、接続層２
５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン
形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２
７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底
上げ層３１が形成されている。
１の表面２１ａおよび非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上
に、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性絶縁層２６が形成されて、こ
の非磁性絶縁層２６の上にＣｕなどの導電性材料により
コイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフ
レームメッキ法などで形成されたものであり、接続層２
５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン
形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２
７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底
上げ層３１が形成されている。
【００５０】コイル層２７および底上げ層３１は、レジ
スト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されてお
り、さらに絶縁層３３で覆われている。
スト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されてお
り、さらに絶縁層３３で覆われている。
【００５１】絶縁層３３は無機絶縁材料で形成されるこ
とが好ましく、無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以
上を選択できる。
とが好ましく、無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以
上を選択できる。
【００５２】そして接続層２５の表面（上面）２５ａ、
底上げ層３１の表面（上面）３１ａ、および絶縁層３３
の表面（上面）３３ａは、同一面となるように加工され
ている。このような平坦化加工は後述の製造方法で説明
するように、ＣＭＰ技術などを用いて行なわれる。
底上げ層３１の表面（上面）３１ａ、および絶縁層３３
の表面（上面）３３ａは、同一面となるように加工され
ている。このような平坦化加工は後述の製造方法で説明
するように、ＣＭＰ技術などを用いて行なわれる。
【００５３】この第１実施形態では、絶縁層３３の上
に、ＮｉＦｅからなる主磁極層２４が形成されており、
主磁極層２４の前端面２４ａは、対向面Ｈｖａと同一面
とされている。主磁極層２４はＮｉＦｅからなるメッキ
下地層２４ｂ上にメッキ形成されている。
に、ＮｉＦｅからなる主磁極層２４が形成されており、
主磁極層２４の前端面２４ａは、対向面Ｈｖａと同一面
とされている。主磁極層２４はＮｉＦｅからなるメッキ
下地層２４ｂ上にメッキ形成されている。
【００５４】絶縁層３３の上には、Ａｌ2Ｏ3からなる無
機絶縁層３４を介して、ＮｉＦｅ合金などからなるヨー
ク層３５が形成されている。ヨーク層３５はＮｉＦｅか
らなるメッキ下地層３５ｄ上にメッキ形成されている。
図１では、主磁極層２４の後方部２４ｃとヨーク層３５
の先部領域３５ｂが磁気的に接続され、またヨーク層３
５の基端部３５ｃは接続層２５の上面２５ａに磁気的に
接続された状態になっている。
機絶縁層３４を介して、ＮｉＦｅ合金などからなるヨー
ク層３５が形成されている。ヨーク層３５はＮｉＦｅか
らなるメッキ下地層３５ｄ上にメッキ形成されている。
図１では、主磁極層２４の後方部２４ｃとヨーク層３５
の先部領域３５ｂが磁気的に接続され、またヨーク層３
５の基端部３５ｃは接続層２５の上面２５ａに磁気的に
接続された状態になっている。
【００５５】また、主磁極層２４がハイト方向奥側に延
され、主磁極層２４の後方部が接続層２５の上面２５ａ
に磁気的に接続され、主磁極層２４の上層にヨーク層３
５が形成されてもよい。
され、主磁極層２４の後方部が接続層２５の上面２５ａ
に磁気的に接続され、主磁極層２４の上層にヨーク層３
５が形成されてもよい。
【００５６】またヨーク層３５の前端面３５ａは、対向
面Ｈｖａよりもハイト方向奥側に位置して保護層１３内
に埋没しており、対向面Ｈｖａには現れていない。
面Ｈｖａよりもハイト方向奥側に位置して保護層１３内
に埋没しており、対向面Ｈｖａには現れていない。
【００５７】なお本実施の形態ではヨーク層３５の膜厚
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
【００５８】またヨーク層３５の前端面３５ａは、ハイ
ト方向（図示Ｘ方向）に対する垂直面となっている。た
だし、ヨーク層３５の前端面３５ａが下面から上面に向
けてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成され
てもよい。ヨーク層３５の下に形成される主磁極層２４
の上面とヨーク層３５の前端面３５ａ間の外角θ１は９
０°以上であることが好ましい。これによって主磁極層
２４からヨーク層３５に向けて漏れる磁界を少なくでき
主磁極層２４により磁界を集中させることができるから
である。
ト方向（図示Ｘ方向）に対する垂直面となっている。た
だし、ヨーク層３５の前端面３５ａが下面から上面に向
けてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成され
てもよい。ヨーク層３５の下に形成される主磁極層２４
の上面とヨーク層３５の前端面３５ａ間の外角θ１は９
０°以上であることが好ましい。これによって主磁極層
２４からヨーク層３５に向けて漏れる磁界を少なくでき
主磁極層２４により磁界を集中させることができるから
である。
【００５９】また図１に示すように、底上げ層３１の表
面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３６か
ら底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が
可能となっている。なお、リード層３６はヨーク層３５
と同じ材料で形成でき、ヨーク層３５とリード層３６を
同時にメッキで形成することが可能である。そして、ヨ
ーク層３５およびリード層３６がＡｌ2Ｏ3からなる保護
層１３に覆われている。
面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３６か
ら底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が
可能となっている。なお、リード層３６はヨーク層３５
と同じ材料で形成でき、ヨーク層３５とリード層３６を
同時にメッキで形成することが可能である。そして、ヨ
ーク層３５およびリード層３６がＡｌ2Ｏ3からなる保護
層１３に覆われている。
【００６０】図２に示すように、対向面Ｈｖａに現れて
いる主磁極層２４は、トラック幅方向(図示Ｙ方向）の
内幅寸法が、補助磁極層２１から離れるにしたがって徐
々に広くなるように、主磁極層２４の補助磁極層２１側
の端辺２４ｄよりも上辺（トレーリング側の端辺）２４
ｅが幅広とされている。すなわち対向面Ｈｖａにおいて
主磁極層２４の正面形状が略逆台形になっている。な
お、図２では主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２４ｆ１が
直線形状になっているが、側辺２４ｆ１，２４ｆ１が湾
曲していてもよい。主磁極層２４の周囲は、無機絶縁層
３４及び保護層１３に覆われている。
いる主磁極層２４は、トラック幅方向(図示Ｙ方向）の
内幅寸法が、補助磁極層２１から離れるにしたがって徐
々に広くなるように、主磁極層２４の補助磁極層２１側
の端辺２４ｄよりも上辺（トレーリング側の端辺）２４
ｅが幅広とされている。すなわち対向面Ｈｖａにおいて
主磁極層２４の正面形状が略逆台形になっている。な
お、図２では主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２４ｆ１が
直線形状になっているが、側辺２４ｆ１，２４ｆ１が湾
曲していてもよい。主磁極層２４の周囲は、無機絶縁層
３４及び保護層１３に覆われている。
【００６１】図１及び図２に示された垂直磁気記録ヘッ
ドのトラック幅Ｔｗは上辺２４ｅの内幅寸法によって規
制される。本発明では、トラック幅Ｔｗを０．５μｍ以
下、さらには０．３μｍ以下にできる。また、メッキ下
地層２４ｂの高さ寸法と主磁極層２４の高さ寸法を合わ
せたポール長Ｐは０．２〜０．４５μｍである。メッキ
下地層２４ｂの厚さは１５〜５０ｎｍである。
ドのトラック幅Ｔｗは上辺２４ｅの内幅寸法によって規
制される。本発明では、トラック幅Ｔｗを０．５μｍ以
下、さらには０．３μｍ以下にできる。また、メッキ下
地層２４ｂの高さ寸法と主磁極層２４の高さ寸法を合わ
せたポール長Ｐは０．２〜０．４５μｍである。メッキ
下地層２４ｂの厚さは１５〜５０ｎｍである。
【００６２】本実施の形態では、メッキ下地層２４ｂは
ＮｉＦｅ，Ｎｉなどの磁性材料を用いて形成されてい
る。本実施の形態では、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，
２４ｆ１とメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ
１が連続した直線形状または曲線形状を構成している。
すなわち、メッキ下地層２４ｂのトラック幅方向(図示
Ｙ方向）の内幅寸法も、補助磁極層から離れるにしたが
って徐々に広くなっており、メッキ下地層２４ｂと主磁
極層２４とが一つの略逆台形を構成している。従って、
メッキ下地層２４ｂが磁性材料を用いて形成された場合
でもメッキ下地層２４から発生する漏れ磁界によって、
記録媒体上の記録トラックパターンが乱れることを防ぐ
ことができる。
ＮｉＦｅ，Ｎｉなどの磁性材料を用いて形成されてい
る。本実施の形態では、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，
２４ｆ１とメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ
１が連続した直線形状または曲線形状を構成している。
すなわち、メッキ下地層２４ｂのトラック幅方向(図示
Ｙ方向）の内幅寸法も、補助磁極層から離れるにしたが
って徐々に広くなっており、メッキ下地層２４ｂと主磁
極層２４とが一つの略逆台形を構成している。従って、
メッキ下地層２４ｂが磁性材料を用いて形成された場合
でもメッキ下地層２４から発生する漏れ磁界によって、
記録媒体上の記録トラックパターンが乱れることを防ぐ
ことができる。
【００６３】メッキ下地層２４ｂは、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，
ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣ
ｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用いて形成されても
よい。メッキ下地層２４ｂが非磁性材料を用いて形成さ
れたときは、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２４ｆ１と
メッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ１が連続し
た直線形状または曲線形状を構成していなくとも、例え
ば、図２２に示すように、主磁極層２４の補助磁極層２
１側の端辺２４ｄの内幅寸法（トラック幅方向の幅寸
法）Ｗ８よりも、メッキ下地層２４ｂの内幅寸法（トラ
ック幅方向の幅寸法）Ｗ９の方が大きくなっても記録媒
体上の記録トラックパターンが乱れることを防ぐことが
できる。
ｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，
ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣ
ｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用いて形成されても
よい。メッキ下地層２４ｂが非磁性材料を用いて形成さ
れたときは、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２４ｆ１と
メッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ１が連続し
た直線形状または曲線形状を構成していなくとも、例え
ば、図２２に示すように、主磁極層２４の補助磁極層２
１側の端辺２４ｄの内幅寸法（トラック幅方向の幅寸
法）Ｗ８よりも、メッキ下地層２４ｂの内幅寸法（トラ
ック幅方向の幅寸法）Ｗ９の方が大きくなっても記録媒
体上の記録トラックパターンが乱れることを防ぐことが
できる。
【００６４】また、本実施の形態では、対向面Ｈｖａに
おいて、主磁極層２４の上辺２４ｅが直線形状にされて
いる。
おいて、主磁極層２４の上辺２４ｅが直線形状にされて
いる。
【００６５】なお、図２に示すように、主磁極層２４の
下面両側に形成されている絶縁層３３の上面３３ａは、
主磁極層２４から離れるにしたがって下面方向へ傾斜し
ているが、これは、主磁極層２４下以外の絶縁層３３上
に形成された余分なメッキ下地層２４ｂを除去する際の
エッチングの影響によるものである。絶縁層３３の上面
３３ａは、主磁極層２４から離れるにしたがって下面方
向へ湾曲してもよい。
下面両側に形成されている絶縁層３３の上面３３ａは、
主磁極層２４から離れるにしたがって下面方向へ傾斜し
ているが、これは、主磁極層２４下以外の絶縁層３３上
に形成された余分なメッキ下地層２４ｂを除去する際の
エッチングの影響によるものである。絶縁層３３の上面
３３ａは、主磁極層２４から離れるにしたがって下面方
向へ湾曲してもよい。
【００６６】なお、主磁極層２４の上辺２４ｅと側辺２
４ｆ１がなす角θ２は、６０°以上で９０°未満である
ことが好ましく、より好ましくは、６０°以上８０°以
下である。
４ｆ１がなす角θ２は、６０°以上で９０°未満である
ことが好ましく、より好ましくは、６０°以上８０°以
下である。
【００６７】図３に示すように、ヨーク層３５は奥側に
至るにしたがって幅寸法Ｗｙが徐々に広がる形状であ
り、この幅寸法Ｗｙが徐々に広がる部分のヨーク層３５
が主磁極層２４の上に重ねられている。
至るにしたがって幅寸法Ｗｙが徐々に広がる形状であ
り、この幅寸法Ｗｙが徐々に広がる部分のヨーク層３５
が主磁極層２４の上に重ねられている。
【００６８】または、図４に示すように、ヨーク層３５
は、対向面Ｈｖａ側である先部領域３５ｂでトラック幅
方向の幅寸法Ｗｙが細くなり、後方領域３５ｃでトラッ
ク幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる平面形状であっ
て、先部領域３５ｂが主磁極層２４の上に重ねられてい
てもよい。
は、対向面Ｈｖａ側である先部領域３５ｂでトラック幅
方向の幅寸法Ｗｙが細くなり、後方領域３５ｃでトラッ
ク幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる平面形状であっ
て、先部領域３５ｂが主磁極層２４の上に重ねられてい
てもよい。
【００６９】または図５に示すように、主磁極層２５の
後方部２４ｃが幅寸法が徐々に広がる形状であり、この
後方部２４ｃにヨーク層３５が重ねられていてもよい。
後方部２４ｃが幅寸法が徐々に広がる形状であり、この
後方部２４ｃにヨーク層３５が重ねられていてもよい。
【００７０】図５のように、主磁極層２４の後方部２４
ｃが徐々に幅広になる形状であると、ヨーク層３５から
主磁極層２４への磁束の通過効率が良くなって、オーバ
ーライト特性を向上できる。なお、図５のように、主磁
極層２４の幅広の後方部２４ｃがヨーク層３５内に完全
に入り込んだ平面形状であると、後方部２４ｃが、ヨー
ク層３５から前方にはみ出ているものよりも、ヨーク層
３５から主磁極層２４への磁束の通過効率がよくなる。
なお、主磁極層２４の後方部２４ｃがハイト方向奥側に
延長され、図１の接続層２５と主磁極層２４とが直接磁
気的に接続され、ヨーク層３５が形成されなくてもよ
い。
ｃが徐々に幅広になる形状であると、ヨーク層３５から
主磁極層２４への磁束の通過効率が良くなって、オーバ
ーライト特性を向上できる。なお、図５のように、主磁
極層２４の幅広の後方部２４ｃがヨーク層３５内に完全
に入り込んだ平面形状であると、後方部２４ｃが、ヨー
ク層３５から前方にはみ出ているものよりも、ヨーク層
３５から主磁極層２４への磁束の通過効率がよくなる。
なお、主磁極層２４の後方部２４ｃがハイト方向奥側に
延長され、図１の接続層２５と主磁極層２４とが直接磁
気的に接続され、ヨーク層３５が形成されなくてもよ
い。
【００７１】図３、図４、図５のいずれの構造において
も、対向面Ｈｖａに現れている補助磁極層２１の前端面
２１ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｗｒよりも、対向面Ｈ
ｖａに現れている主磁極層２４の前端面２４ａのトラッ
ク幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小さくなっている。また
図１に示すように、補助磁極層２１の厚みＨ３よりも主
磁極層２４の厚みＨ１が小さくなっている。よって、対
向面Ｈｖａに現れている主磁極層２４の前端面２４ａの
面積は、補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十
分に小さくなっている。また、主磁極層２４の厚みＨ１
は、ヨーク層３５の厚みＨ２よりも小さい。
も、対向面Ｈｖａに現れている補助磁極層２１の前端面
２１ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｗｒよりも、対向面Ｈ
ｖａに現れている主磁極層２４の前端面２４ａのトラッ
ク幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小さくなっている。また
図１に示すように、補助磁極層２１の厚みＨ３よりも主
磁極層２４の厚みＨ１が小さくなっている。よって、対
向面Ｈｖａに現れている主磁極層２４の前端面２４ａの
面積は、補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十
分に小さくなっている。また、主磁極層２４の厚みＨ１
は、ヨーク層３５の厚みＨ２よりも小さい。
【００７２】そして、対向面Ｈｖａと平行な面で切断し
たときの断面で見たときに、主磁極層２４の断面積は、
ヨーク層３５の後方領域部分の断面積よりも小さくなっ
ている。
たときの断面で見たときに、主磁極層２４の断面積は、
ヨーク層３５の後方領域部分の断面積よりも小さくなっ
ている。
【００７３】そして好ましくは、主磁極層２４はヨーク
層３５よりも飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成さ
れている。
層３５よりも飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成さ
れている。
【００７４】この垂直磁気記録ヘッドＨｖでは、リード
層３６を介してコイル層２７に記録電流が与えられる
と、コイル層２７を流れる電流の電流磁界によって補助
磁極層２１とヨーク層３５に記録磁界が誘導される。図
１に示すように、対向面Ｈｖａでは、主磁極層２４の前
端面２４ａと補助磁極層２１の前端面２１ｂからの漏れ
記録磁界が、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍａを貫通しソフ
ト膜Ｍｂを通過する。主磁極層２４の前端面２４ａの面
積が補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に
小さいために、主磁極層２４の前端面２４ａに洩れ記録
磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより
ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記
録される。主磁極層２４の前端面２４ａから発生する又
は吸収される洩れ記録磁界によってハード膜Ｍａの磁束
密度は飽和し、補助磁極層２１の前端面２１ｂに吸収さ
れる又は発生する漏れ記録磁界によってはハード膜Ｍａ
はほとんど磁化されない。
層３６を介してコイル層２７に記録電流が与えられる
と、コイル層２７を流れる電流の電流磁界によって補助
磁極層２１とヨーク層３５に記録磁界が誘導される。図
１に示すように、対向面Ｈｖａでは、主磁極層２４の前
端面２４ａと補助磁極層２１の前端面２１ｂからの漏れ
記録磁界が、記録媒体Ｍｄのハード膜Ｍａを貫通しソフ
ト膜Ｍｂを通過する。主磁極層２４の前端面２４ａの面
積が補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に
小さいために、主磁極層２４の前端面２４ａに洩れ記録
磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより
ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記
録される。主磁極層２４の前端面２４ａから発生する又
は吸収される洩れ記録磁界によってハード膜Ｍａの磁束
密度は飽和し、補助磁極層２１の前端面２１ｂに吸収さ
れる又は発生する漏れ記録磁界によってはハード膜Ｍａ
はほとんど磁化されない。
【００７５】また、この垂直磁気記録ヘッドＨｖでは、
主磁極層２４とヨーク層３５とが別の層として形成され
ているため、主磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法Ｔ
ｗおよび厚みＨ１を、ヨーク層３５の幅寸法Ｗｙおよび
厚みＨ２と別のものとして設定することができる。した
がって、主磁極層２４の幅寸法Ｔｗを小さくして、狭ト
ラックによる記録を可能にできる。しかもヨーク層３５
を十分に大きな断面積となるように形成できるため、コ
イル層２７で誘導された記録磁界の多くの磁束をヨーク
層３５から主磁極層２４へ導くことができる。
主磁極層２４とヨーク層３５とが別の層として形成され
ているため、主磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法Ｔ
ｗおよび厚みＨ１を、ヨーク層３５の幅寸法Ｗｙおよび
厚みＨ２と別のものとして設定することができる。した
がって、主磁極層２４の幅寸法Ｔｗを小さくして、狭ト
ラックによる記録を可能にできる。しかもヨーク層３５
を十分に大きな断面積となるように形成できるため、コ
イル層２７で誘導された記録磁界の多くの磁束をヨーク
層３５から主磁極層２４へ導くことができる。
【００７６】そして、主磁極層２４をヨーク層３５より
も飽和磁束密度の高い磁性材料で形成しておくと、幅寸
法Ｔｗと厚みＨ１の小さい主磁極層２４からハード膜Ｍ
ａに対して密度の高い磁束φを垂直方向へ与えることが
可能となり、オーバーライト特性が向上するようにな
る。
も飽和磁束密度の高い磁性材料で形成しておくと、幅寸
法Ｔｗと厚みＨ１の小さい主磁極層２４からハード膜Ｍ
ａに対して密度の高い磁束φを垂直方向へ与えることが
可能となり、オーバーライト特性が向上するようにな
る。
【００７７】図６は、図１及び図２に示された垂直磁気
記録ヘッドによって信号が記録された記録媒体上の記録
トラックの平面図である。
記録ヘッドによって信号が記録された記録媒体上の記録
トラックの平面図である。
【００７８】スライダ１１がディスク状の記録媒体Ｍｄ
の外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回
転接線方向（図示Ｚ方向）に対して主磁極層２４の側辺
２４ｆ１，２４ｆ１が傾くスキュー角が発生することが
ある。図２に示すように、対向面Ｈｖａに現れている主
磁極層２４は、トラック幅方向(図示Ｙ方向）の内幅寸
法が、補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広くな
るように、主磁極層２４の補助磁極層２１側の端辺２４
ｄよりも上辺２４ｅが幅広とされ、対向面Ｈｖａにおい
て主磁極層２４の正面形状が略逆台形になっている。
の外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回
転接線方向（図示Ｚ方向）に対して主磁極層２４の側辺
２４ｆ１，２４ｆ１が傾くスキュー角が発生することが
ある。図２に示すように、対向面Ｈｖａに現れている主
磁極層２４は、トラック幅方向(図示Ｙ方向）の内幅寸
法が、補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広くな
るように、主磁極層２４の補助磁極層２１側の端辺２４
ｄよりも上辺２４ｅが幅広とされ、対向面Ｈｖａにおい
て主磁極層２４の正面形状が略逆台形になっている。
【００７９】従って、主磁極層２４の側辺２４ｆ１，２
４ｆ１が記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方向）に対し
てスキュー角を有するときに、破線で示すように側辺２
４ｆ１が記録トラック幅Ｔｗから側方へ斜めに大きくは
み出すことがない。よって側辺２４ｆ１によるフリンジ
ングを防止できるようになり、オフトラック性能の向上
を図ることができる。
４ｆ１が記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方向）に対し
てスキュー角を有するときに、破線で示すように側辺２
４ｆ１が記録トラック幅Ｔｗから側方へ斜めに大きくは
み出すことがない。よって側辺２４ｆ１によるフリンジ
ングを防止できるようになり、オフトラック性能の向上
を図ることができる。
【００８０】また、主磁極層２４の上辺２４ｅが直線形
状であるので、記録トラック上の磁区境界Ｂ１またはＢ
２も直線形状となり、再生波形のパルス幅が狭くなり高
記録密度化を進めたときでも鮮明な記録磁化分布が得ら
れる。従って、記録トラックの長さ方向（図示Ｚ方向）
の記録密度を上げることが容易になる。
状であるので、記録トラック上の磁区境界Ｂ１またはＢ
２も直線形状となり、再生波形のパルス幅が狭くなり高
記録密度化を進めたときでも鮮明な記録磁化分布が得ら
れる。従って、記録トラックの長さ方向（図示Ｚ方向）
の記録密度を上げることが容易になる。
【００８１】図１ないし図３に示された垂直磁気記録ヘ
ッドの製造方法について以下に説明する。図７から図１
０に示す一工程図は垂直磁気記録ヘッドの縦断面図を示
している。
ッドの製造方法について以下に説明する。図７から図１
０に示す一工程図は垂直磁気記録ヘッドの縦断面図を示
している。
【００８２】図７に示す工程では、非磁性絶縁層１２上
に磁性材料製の補助磁極層２１を形成した後、補助磁極
層２１のハイト方向後方も非磁性絶縁層１２で埋め、さ
らに補助磁極層２１および非磁性絶縁層１２の上面をＣ
ＭＰ技術などを用いて平坦化加工する。
に磁性材料製の補助磁極層２１を形成した後、補助磁極
層２１のハイト方向後方も非磁性絶縁層１２で埋め、さ
らに補助磁極層２１および非磁性絶縁層１２の上面をＣ
ＭＰ技術などを用いて平坦化加工する。
【００８３】次に、図８に示すように、補助磁極層２１
のハイト方向後方に、磁性材料製の接続層２５をメッキ
形成する。なお、接続層２５の形成は、後述するコイル
層２７の形成後に行ってもよい。
のハイト方向後方に、磁性材料製の接続層２５をメッキ
形成する。なお、接続層２５の形成は、後述するコイル
層２７の形成後に行ってもよい。
【００８４】次に、図９に示すように、補助磁極層２１
上面２１ａから接続層２５の上面にかけて無機絶縁材料
をスパッタして非磁性絶縁層２６を形成する。さらに、
非磁性絶縁層２６の上にフレームメッキ法を用いて、Ｃ
ｕなどの導電性材料により、コイル層２７を形成し、底
上げ層３１を同じくメッキにより形成する。このときコ
イル層２７は、接続層２５の高さよりも十分に低い位置
に形成する。そしてコイル層２７と底上げ層３１を有機
材料の絶縁層３２で覆い、さらに、無機絶縁材料をスパ
ッタして、全ての層を覆う絶縁層３３を形成する。
上面２１ａから接続層２５の上面にかけて無機絶縁材料
をスパッタして非磁性絶縁層２６を形成する。さらに、
非磁性絶縁層２６の上にフレームメッキ法を用いて、Ｃ
ｕなどの導電性材料により、コイル層２７を形成し、底
上げ層３１を同じくメッキにより形成する。このときコ
イル層２７は、接続層２５の高さよりも十分に低い位置
に形成する。そしてコイル層２７と底上げ層３１を有機
材料の絶縁層３２で覆い、さらに、無機絶縁材料をスパ
ッタして、全ての層を覆う絶縁層３３を形成する。
【００８５】次に、図９の状態に成膜された各層に対し
て、図示上方からＣＭＰ技術などを用いて研磨加工を行
なう。この研磨加工は、絶縁層３３、接続層２５および
底上げ層３１の全てを横断する水平面（Ｌ−Ｌ面）の位
置まで行なう。
て、図示上方からＣＭＰ技術などを用いて研磨加工を行
なう。この研磨加工は、絶縁層３３、接続層２５および
底上げ層３１の全てを横断する水平面（Ｌ−Ｌ面）の位
置まで行なう。
【００８６】研磨加工の結果、図１０に示すように、接
続層２５の表面２５ａ、絶縁層３３の表面３３ａおよび
底上げ層３１の表面３１ａが全て同一面となるように加
工される。
続層２５の表面２５ａ、絶縁層３３の表面３３ａおよび
底上げ層３１の表面３１ａが全て同一面となるように加
工される。
【００８７】次に図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘ
ッドの主磁極層の製造方法について説明する。図１１及
び図１２は製造方法を工程別に示したものであるが、各
図において（Ｂ）は製造過程にある垂直磁気記録ヘッド
の主磁極層２４の形成部分周辺を上方向から見た部分平
面図、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ矢視方向から見た部分断
面図である。
ッドの主磁極層の製造方法について説明する。図１１及
び図１２は製造方法を工程別に示したものであるが、各
図において（Ｂ）は製造過程にある垂直磁気記録ヘッド
の主磁極層２４の形成部分周辺を上方向から見た部分平
面図、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ矢視方向から見た部分断
面図である。
【００８８】図１１に示す工程では、まず絶縁層３３の
上面３３ａ、接続層２５の上面２５ａ、および底上げ層
３１の上面３１ａの全体にメッキ下地層２４ｂを成膜
し、メッキ下地層２４ｂの上一面にレジスト層４０を形
成し、露光現像により、記録媒体との対向面となる部分
に、前記対向面から奥側へ所定の奥行きを有し主磁極層
２４の抜きパターンとなる溝４０ａを形成する。溝４０
ａは、図示左側に向かうに従って内幅方向（図示Ｙ方
向）の寸法が大きくなるメッキ溜め溝４０ａ２と内幅方
向の寸法が一定である磁極形成溝４０ａ１からなる。な
お、レジスト層４０の外側のメッキ下地層２４ｂが露出
している部分は、後のメッキ形成の工程においてダミー
メッキを形成するためのダミー形成部４１である。
上面３３ａ、接続層２５の上面２５ａ、および底上げ層
３１の上面３１ａの全体にメッキ下地層２４ｂを成膜
し、メッキ下地層２４ｂの上一面にレジスト層４０を形
成し、露光現像により、記録媒体との対向面となる部分
に、前記対向面から奥側へ所定の奥行きを有し主磁極層
２４の抜きパターンとなる溝４０ａを形成する。溝４０
ａは、図示左側に向かうに従って内幅方向（図示Ｙ方
向）の寸法が大きくなるメッキ溜め溝４０ａ２と内幅方
向の寸法が一定である磁極形成溝４０ａ１からなる。な
お、レジスト層４０の外側のメッキ下地層２４ｂが露出
している部分は、後のメッキ形成の工程においてダミー
メッキを形成するためのダミー形成部４１である。
【００８９】メッキ下地層２４ｂは、ＮｉＦｅを用いて
ｔ１＝５０ｎｍの厚さで形成した。あるいは、Ｃｒ／Ｃ
ｕのメッキ下地層２４ｂを形成してもよい。または、メ
ッキ下地層２４ｂをＮｉなどの磁性材料またはＣｕ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，Ｎｉ
Ｐｄ，ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，Ｎ
ｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用いて形成して
もよい。
ｔ１＝５０ｎｍの厚さで形成した。あるいは、Ｃｒ／Ｃ
ｕのメッキ下地層２４ｂを形成してもよい。または、メ
ッキ下地層２４ｂをＮｉなどの磁性材料またはＣｕ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，Ｎｉ
Ｐｄ，ＮｉＷ,ＮｉＢ，ＮｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，Ｎ
ｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの非磁性材料を用いて形成して
もよい。
【００９０】レジスト層４０のレジスト厚（ｔ２）は１
〜２μｍである。なお、溝４０ａのトラック幅方向の幅
寸法Ｗ１は０．３５〜０．６μｍとした。
〜２μｍである。なお、溝４０ａのトラック幅方向の幅
寸法Ｗ１は０．３５〜０．６μｍとした。
【００９１】溝４０ａの形成後、レジスト層４０を熱処
理して、溝４０ａの側面４０ｂ，４０ｂを傾斜面或いは
湾曲面とする。すなわち、溝４０ａのトラック幅方向の
内幅寸法が、補助磁極層から離れるにしたがって徐々に
広がるようにする。図１２（Ａ）では、溝４０ａの側面
４０ｂ，４０ｂを傾斜面としている。
理して、溝４０ａの側面４０ｂ，４０ｂを傾斜面或いは
湾曲面とする。すなわち、溝４０ａのトラック幅方向の
内幅寸法が、補助磁極層から離れるにしたがって徐々に
広がるようにする。図１２（Ａ）では、溝４０ａの側面
４０ｂ，４０ｂを傾斜面としている。
【００９２】熱処理後のメッキ下地層２４ｂの表面とレ
ジスト層４０の側面４０ｂがなす角θ３を６０°以上９
０°未満、より好ましくは、６０°以上８０°以下にす
る。本実施の形態ではθ３＝６５°としている。前記θ
３の大きさを規定することにより、形成される主磁極層
２４の側面のテーパ角を規定することができる。なお、
溝４０の底面４０ｃのトラック幅方向寸法Ｗ３は０．３
５〜０．６０μｍである。
ジスト層４０の側面４０ｂがなす角θ３を６０°以上９
０°未満、より好ましくは、６０°以上８０°以下にす
る。本実施の形態ではθ３＝６５°としている。前記θ
３の大きさを規定することにより、形成される主磁極層
２４の側面のテーパ角を規定することができる。なお、
溝４０の底面４０ｃのトラック幅方向寸法Ｗ３は０．３
５〜０．６０μｍである。
【００９３】図１３は、図１２（Ａ）に示した工程の
後、溝４０内及びダミー形成部４１上で、ＮｉＦｅなど
の磁性材料を用いてメッキ形成した状態を示す断面図で
ある。溝４０内には主磁極層２４が形成され、ダミー形
成部４１上にはダミーメッキ４２が形成される。ダミー
メッキ４２があると、メッキの品質を良くすることがで
きる。メッキの形成にはパルスメッキ法を用いる。な
お、ダミー形成部４１及びダミーメッキ４２は必ずしも
形成されなくてもよい。
後、溝４０内及びダミー形成部４１上で、ＮｉＦｅなど
の磁性材料を用いてメッキ形成した状態を示す断面図で
ある。溝４０内には主磁極層２４が形成され、ダミー形
成部４１上にはダミーメッキ４２が形成される。ダミー
メッキ４２があると、メッキの品質を良くすることがで
きる。メッキの形成にはパルスメッキ法を用いる。な
お、ダミー形成部４１及びダミーメッキ４２は必ずしも
形成されなくてもよい。
【００９４】主磁極層２４及びダミーメッキ４２を形成
した後、図１４に示すごとくレジスト層４０を除去す
る。次に、図１５に示すように、主磁極層２４をレジス
トで覆って保護し、ダミーメッキ４２をエッチングによ
って除去する。ダミーメッキ４２が除去された状態の主
磁極層２４の形成部分周辺を上方向から見た部分平面図
が図１６（Ｂ）、図１６（Ｂ）をＡ−Ａ矢視方向から見
た部分断面図が図１６（Ａ）である。図１６では、メッ
キ形成された直後の主磁極層２４の形状を示している。
メッキ形成された直後の主磁極層２４は、内幅方向（図
示Ｙ方向）の寸法が図示左方向に向かうに従って大きく
なるメッキ溜め部２４ｇと内幅方向（図示Ｙ方向）の寸
法が一定である磁極形成部２４ｈからなっている。メッ
キ溜め部２４ｇが形成されると主磁極層２４をメッキ形
成するときに均一なメッキを形成することが容易にな
る。なお、メッキ溜め部２４ｇは、後の製造工程におい
て研磨除去され、完成した垂直磁気記録ヘッドには存在
しない。すなわち、図１６（Ｂ）に示される磁極形成部
２４ｈのみが完成した垂直磁気記録ヘッドの主磁極層２
４になる。完成した垂直磁気記録ヘッドの記録媒体との
対向面は、Ａ−Ａ線で示される面になる。
した後、図１４に示すごとくレジスト層４０を除去す
る。次に、図１５に示すように、主磁極層２４をレジス
トで覆って保護し、ダミーメッキ４２をエッチングによ
って除去する。ダミーメッキ４２が除去された状態の主
磁極層２４の形成部分周辺を上方向から見た部分平面図
が図１６（Ｂ）、図１６（Ｂ）をＡ−Ａ矢視方向から見
た部分断面図が図１６（Ａ）である。図１６では、メッ
キ形成された直後の主磁極層２４の形状を示している。
メッキ形成された直後の主磁極層２４は、内幅方向（図
示Ｙ方向）の寸法が図示左方向に向かうに従って大きく
なるメッキ溜め部２４ｇと内幅方向（図示Ｙ方向）の寸
法が一定である磁極形成部２４ｈからなっている。メッ
キ溜め部２４ｇが形成されると主磁極層２４をメッキ形
成するときに均一なメッキを形成することが容易にな
る。なお、メッキ溜め部２４ｇは、後の製造工程におい
て研磨除去され、完成した垂直磁気記録ヘッドには存在
しない。すなわち、図１６（Ｂ）に示される磁極形成部
２４ｈのみが完成した垂直磁気記録ヘッドの主磁極層２
４になる。完成した垂直磁気記録ヘッドの記録媒体との
対向面は、Ａ−Ａ線で示される面になる。
【００９５】メッキ形成直後の主磁極層２４の磁極形成
部２４ｈの補助磁極層側の端面２４ｉの内幅方向の寸法
Ｗ４は０．６０μｍ、上面２４ｊの内幅方向の寸法Ｗ５
は０．９６μｍ、高さ寸法ｔ３は０．９６μｍである。
メッキ形成直後の上面２４ｊは、図１６（Ａ）に示され
るように中央部分が盛り上がった湾曲面になっている。
部２４ｈの補助磁極層側の端面２４ｉの内幅方向の寸法
Ｗ４は０．６０μｍ、上面２４ｊの内幅方向の寸法Ｗ５
は０．９６μｍ、高さ寸法ｔ３は０．９６μｍである。
メッキ形成直後の上面２４ｊは、図１６（Ａ）に示され
るように中央部分が盛り上がった湾曲面になっている。
【００９６】なお、図１６（Ａ）に示される、主磁極層
２４の側面２４ｆとメッキ下地層２４ｂとがなす角θ４
の大きさは、前述したレジスト層４０の側面４０ｂとメ
ッキ下地層２４ｂとがなす角θ３の大きさに等しく、さ
らに図２に示された主磁極層２４の上辺２４ｅと側面２
４ｆとがなす角θ２（テーパ角）に等しい。
２４の側面２４ｆとメッキ下地層２４ｂとがなす角θ４
の大きさは、前述したレジスト層４０の側面４０ｂとメ
ッキ下地層２４ｂとがなす角θ３の大きさに等しく、さ
らに図２に示された主磁極層２４の上辺２４ｅと側面２
４ｆとがなす角θ２（テーパ角）に等しい。
【００９７】次に、図１６（Ａ）の図示上方向から主磁
極層２４の縦方向の中心線Ｃに対して所定の角度θ５だ
け傾いた方向からミリング粒子Ｍを入射させる異方性イ
オンミリングを行う。
極層２４の縦方向の中心線Ｃに対して所定の角度θ５だ
け傾いた方向からミリング粒子Ｍを入射させる異方性イ
オンミリングを行う。
【００９８】主磁極層２４の縦方向の中心線Ｃに対する
斜め方向からのイオンミリングによって、主磁極層２４
の上面２４ｊを平坦化させること、主磁極層２４以外の
領域におけるメッキ下地層２４ｂの除去、メッキ下地層
２４ｂの除去の際に主磁極層２４の側面２４ｆ，２４ｆ
に付着したメッキ下地層２４ｂの材料の除去、及び主磁
極層２４の側面２４ｆ，２４ｆを削ることによる主磁極
層２４のトラック幅方向（内幅方向）の幅寸法の設定を
同時に行うことができる。
斜め方向からのイオンミリングによって、主磁極層２４
の上面２４ｊを平坦化させること、主磁極層２４以外の
領域におけるメッキ下地層２４ｂの除去、メッキ下地層
２４ｂの除去の際に主磁極層２４の側面２４ｆ，２４ｆ
に付着したメッキ下地層２４ｂの材料の除去、及び主磁
極層２４の側面２４ｆ，２４ｆを削ることによる主磁極
層２４のトラック幅方向（内幅方向）の幅寸法の設定を
同時に行うことができる。
【００９９】中心線Ｃに対する所定の角度θ５を４５°
以上８０°以下にすることが好ましく、より好ましくは
６０°以上７０°以下である。本実施の形態では、θ５
を７０°に設定している。
以上８０°以下にすることが好ましく、より好ましくは
６０°以上７０°以下である。本実施の形態では、θ５
を７０°に設定している。
【０１００】図１７は、イオンミリング後の主磁極層２
４の磁極形成部２４ｈの断面図である。イオンミリング
後、主磁極層２４の上面２４ｊは平坦化され、直線形状
になっている。
４の磁極形成部２４ｈの断面図である。イオンミリング
後、主磁極層２４の上面２４ｊは平坦化され、直線形状
になっている。
【０１０１】また、主磁極層２４以外の領域におけるメ
ッキ下地層２４ｂは除去され、主磁極層２４の側面２４
ｆ，２４ｆとメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４
ｂ１が連続した直線形状または曲線形状を構成してい
る。すなわち、メッキ下地層２４ｂのトラック幅方向
(図示Ｙ方向）の内幅寸法も、補助磁極層から離れるに
したがって徐々に広くなっており、メッキ下地層２４ｂ
と主磁極層２４とが一つの略逆台形を構成している。
ッキ下地層２４ｂは除去され、主磁極層２４の側面２４
ｆ，２４ｆとメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４
ｂ１が連続した直線形状または曲線形状を構成してい
る。すなわち、メッキ下地層２４ｂのトラック幅方向
(図示Ｙ方向）の内幅寸法も、補助磁極層から離れるに
したがって徐々に広くなっており、メッキ下地層２４ｂ
と主磁極層２４とが一つの略逆台形を構成している。
【０１０２】なお、メッキ下地層２４ｂの除去の際に主
磁極層２４の側面２４ｆ，２４ｆに付着したメッキ下地
層２４ｂの材料も除去されている。
磁極層２４の側面２４ｆ，２４ｆに付着したメッキ下地
層２４ｂの材料も除去されている。
【０１０３】また、主磁極層２４の側面２４ｆ，２４ｆ
が削られ、主磁極層２４のトラック幅方向（内幅方向）
の幅寸法がメッキ形成直後より細くされている。
が削られ、主磁極層２４のトラック幅方向（内幅方向）
の幅寸法がメッキ形成直後より細くされている。
【０１０４】イオンミリング後の主磁極層２４の磁極形
成部２４ｈの補助磁極層側の端面２４ｉの内幅方向の寸
法Ｗ６は０．１９μｍ、上面２４ｊの内幅方向の寸法Ｗ
７（トラック幅Ｔｗ）は０．４９μｍ、高さ寸法ｔ４は
０．３３μｍである。なお、補助磁極層側の端面２４ｉ
と側面２４ｆとがなす角θ６（テーパ角）は６５°であ
る。
成部２４ｈの補助磁極層側の端面２４ｉの内幅方向の寸
法Ｗ６は０．１９μｍ、上面２４ｊの内幅方向の寸法Ｗ
７（トラック幅Ｔｗ）は０．４９μｍ、高さ寸法ｔ４は
０．３３μｍである。なお、補助磁極層側の端面２４ｉ
と側面２４ｆとがなす角θ６（テーパ角）は６５°であ
る。
【０１０５】イオンミリングにより、主磁極層２４下以
外の絶縁層３３上に形成された余分なメッキ下地層２４
ｂを除去する際に、主磁極層２４の下面両側に形成され
ている絶縁層３３の上面３３ａも掘り込まれ、上面３３
ａが主磁極層２４から離れるにしたがって下面方向へ傾
斜する。また、イオンミリング後、絶縁層３３の上面が
点線３３ｂで示されるように、主磁極層２４から離れる
にしたがって下面方向へ湾曲してもよい。
外の絶縁層３３上に形成された余分なメッキ下地層２４
ｂを除去する際に、主磁極層２４の下面両側に形成され
ている絶縁層３３の上面３３ａも掘り込まれ、上面３３
ａが主磁極層２４から離れるにしたがって下面方向へ傾
斜する。また、イオンミリング後、絶縁層３３の上面が
点線３３ｂで示されるように、主磁極層２４から離れる
にしたがって下面方向へ湾曲してもよい。
【０１０６】図１８は、図１７に示される工程終了後の
垂直磁気記録ヘッドの縦断面図である。図１８に示され
た垂直磁気記録ヘッドでは、主磁極層２４の断面形状は
図１７に示される略逆台形となっている。
垂直磁気記録ヘッドの縦断面図である。図１８に示され
た垂直磁気記録ヘッドでは、主磁極層２４の断面形状は
図１７に示される略逆台形となっている。
【０１０７】次に、図１９に示すように、主磁極層２
４、絶縁層３３、接続層２５、及び底上げ層３１上に無
機絶縁材料の無機絶縁層３４を成膜する。
４、絶縁層３３、接続層２５、及び底上げ層３１上に無
機絶縁材料の無機絶縁層３４を成膜する。
【０１０８】なお、主磁極層２４の上面２４ｊを平坦化
させる方法として、上述したイオンミリングを用いる方
法の他に、主磁極層２４を無機絶縁層３４で覆った後、
ＣＭＰ技術によって、上面２４ｊを平坦化することもで
きる。その後、主磁極層２４の後方部２４ｃ、接続層２
５の上面２５ａ及び底上げ層３１の上面３１ａが露出す
るように、絶縁層３４に穴部３４ａ、３４ｂ、３４ｃを
形成する。穴部３４ａ、３４ｂ、３４ｃの形成後、少な
くとも主磁極層２４の後方部２４ｃ上、絶縁層３４上、
接続層２５の上面２５ａ上及び底上げ層３１の上面３１
ａ上にメッキ下地層３５ｄを成膜する。
させる方法として、上述したイオンミリングを用いる方
法の他に、主磁極層２４を無機絶縁層３４で覆った後、
ＣＭＰ技術によって、上面２４ｊを平坦化することもで
きる。その後、主磁極層２４の後方部２４ｃ、接続層２
５の上面２５ａ及び底上げ層３１の上面３１ａが露出す
るように、絶縁層３４に穴部３４ａ、３４ｂ、３４ｃを
形成する。穴部３４ａ、３４ｂ、３４ｃの形成後、少な
くとも主磁極層２４の後方部２４ｃ上、絶縁層３４上、
接続層２５の上面２５ａ上及び底上げ層３１の上面３１
ａ上にメッキ下地層３５ｄを成膜する。
【０１０９】メッキ下地層３５ｄは、Ｎｉｆｅ，Ｎｉな
どの磁性材料またはＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐ
ｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，ＮｉＷ,ＮｉＢ，Ｎ
ｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの
非磁性材料を用いて形成する。
どの磁性材料またはＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐ
ｔ，ＮｉＬｕ，ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，ＮｉＷ,ＮｉＢ，Ｎ
ｉＭｏ，Ｉｒ，ＮｉＣｕ，ＮｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉなどの
非磁性材料を用いて形成する。
【０１１０】次に、図２１の工程に示すように、主磁極
層２４及び接続層２５上に磁気的に接続されるヨーク層
３５をメッキ形成する。このときヨーク層３５のトラッ
ク幅方向における幅寸法が前記主磁極層２４と重ねられ
た位置での前記主磁極層の幅寸法より幅広になる。
層２４及び接続層２５上に磁気的に接続されるヨーク層
３５をメッキ形成する。このときヨーク層３５のトラッ
ク幅方向における幅寸法が前記主磁極層２４と重ねられ
た位置での前記主磁極層の幅寸法より幅広になる。
【０１１１】なお、主磁極層２４の平面形状を図４また
は図５に示された形状にするには、図１１に示す工程に
おいて、レジスト層４０を露光現像するときの溝４０ａ
の磁極形成溝４０ａ１の抜き形状を、図４または図５に
示された主磁極層２４の平面形状と同じ形状にすればよ
い。
は図５に示された形状にするには、図１１に示す工程に
おいて、レジスト層４０を露光現像するときの溝４０ａ
の磁極形成溝４０ａ１の抜き形状を、図４または図５に
示された主磁極層２４の平面形状と同じ形状にすればよ
い。
【０１１２】ヨーク層３５の先部領域の形状は、図３、
図４、または図５に示される形状で形成することがで
き、また主磁極層２４上にヨーク層３５を重ねるときに
は、図３、図４、図５に示されるような位置で重ねあわ
せる。
図４、または図５に示される形状で形成することがで
き、また主磁極層２４上にヨーク層３５を重ねるときに
は、図３、図４、図５に示されるような位置で重ねあわ
せる。
【０１１３】またヨーク層３５の前端面３５ａは、対向
面となる面よりもハイト方向奥側に位置するように形成
される。
面となる面よりもハイト方向奥側に位置するように形成
される。
【０１１４】なお本実施の形態ではヨーク層３５の膜厚
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
Ｈ２は、主磁極層２４の膜厚Ｈ１よりも厚く形成され
る。
【０１１５】またヨーク層３５の前端面３５ａは、ハイ
ト方向（図示Ｘ方向）に対する垂直面となっている。た
だし、ヨーク層３５の前端面３５ａが下面から上面に向
けてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成され
てもよい。ヨーク層３５の下に形成される主磁極層２４
の上面とヨーク層３５の前端面３５ａ間の外角θ１は９
０°以上であることが好ましい。これによって主磁極層
２４からヨーク層３５に向けて漏れる磁界を少なくでき
主磁極層２４により磁界を集中させることができるから
である。
ト方向（図示Ｘ方向）に対する垂直面となっている。た
だし、ヨーク層３５の前端面３５ａが下面から上面に向
けてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成され
てもよい。ヨーク層３５の下に形成される主磁極層２４
の上面とヨーク層３５の前端面３５ａ間の外角θ１は９
０°以上であることが好ましい。これによって主磁極層
２４からヨーク層３５に向けて漏れる磁界を少なくでき
主磁極層２４により磁界を集中させることができるから
である。
【０１１６】なお、主磁極層２４はヨーク層３５よりも
飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されることが好
ましい。
飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されることが好
ましい。
【０１１７】次に底上げ層３１と電気的に接続されるリ
ード層３６を、底上げ層３１上にＣｕなどの導電性材料
を用いてメッキ形成し、ヨーク層３５及びリード層３６
周辺の余分なメッキ下地層３５ｄをイオンミリングによ
って除去する。
ード層３６を、底上げ層３１上にＣｕなどの導電性材料
を用いてメッキ形成し、ヨーク層３５及びリード層３６
周辺の余分なメッキ下地層３５ｄをイオンミリングによ
って除去する。
【０１１８】なお、前記ヨーク層３５と同時に、磁性材
料を用いてリード層３６を形成することも可能である。
料を用いてリード層３６を形成することも可能である。
【０１１９】次に、図１に示す保護層１３を形成する。
さらに対向面Ｈｖａを研磨して、対向面Ｈｖａに、補助
磁極層２１の前端面２１ｂ、絶縁層３３の前端面３３ｃ
および主磁極層２４の前端面２４ａを同一面となるよう
に露出させる。
さらに対向面Ｈｖａを研磨して、対向面Ｈｖａに、補助
磁極層２１の前端面２１ｂ、絶縁層３３の前端面３３ｃ
および主磁極層２４の前端面２４ａを同一面となるよう
に露出させる。
【０１２０】また必要に応じて、図１に示すスライダ１
１の対向面１１ａと垂直磁気記録ヘッドＨｖの対向面Ｈ
ｖａとが、ＤＬＣなどのカーボンを主体とする耐摩耗性
の保護膜で覆われる。
１の対向面１１ａと垂直磁気記録ヘッドＨｖの対向面Ｈ
ｖａとが、ＤＬＣなどのカーボンを主体とする耐摩耗性
の保護膜で覆われる。
【０１２１】また、図１ないし図５に示す完成した垂直
磁気記録ヘッドにおいて、対向面Ｈｖａに現れている補
助磁極層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向の幅寸法
Ｗｒよりも、対向面Ｈｖａに現れている主磁極層２４の
前端面２４ａのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小
さくなるようにし、また図１に示すように、補助磁極層
２１の厚みＨ３よりも主磁極層２４の厚みＨ１が小さく
なるようにする。すなわち、対向面Ｈｖａに現れている
主磁極層２４の前端面２４ａの面積が、補助磁極層２１
の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さくなるようにす
る。
磁気記録ヘッドにおいて、対向面Ｈｖａに現れている補
助磁極層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向の幅寸法
Ｗｒよりも、対向面Ｈｖａに現れている主磁極層２４の
前端面２４ａのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小
さくなるようにし、また図１に示すように、補助磁極層
２１の厚みＨ３よりも主磁極層２４の厚みＨ１が小さく
なるようにする。すなわち、対向面Ｈｖａに現れている
主磁極層２４の前端面２４ａの面積が、補助磁極層２１
の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さくなるようにす
る。
【０１２２】また、主磁極層２４の厚みＨ１は、ヨーク
層３５の厚みＨ２よりも小さくなるようにする。そし
て、対向面Ｈｖａと平行な面で切断したときの断面で見
たときに、主磁極層２４の断面積が、ヨーク層３５の後
方領域部分の断面積よりも小さくなるようにする。
層３５の厚みＨ２よりも小さくなるようにする。そし
て、対向面Ｈｖａと平行な面で切断したときの断面で見
たときに、主磁極層２４の断面積が、ヨーク層３５の後
方領域部分の断面積よりも小さくなるようにする。
【０１２３】本実施の形態では、図１２に示す工程でレ
ジスト層４０に形成された溝４０ａの側面４０ｂ，４０
ｂを傾斜面とするために、熱処理を行う方法を示した。
レジスト層４０に形成された溝４０ａの側面４０ｂ，４
０ｂを傾斜面または湾曲面とするための他の方法とし
て、レジスト層４０の材料の露光感度を選択してパター
ニング精度を調節し、露光・現像の際にレジスト層の下
面側よりも上面側の内幅寸法が幅広となり、側面４０
ｂ，４０ｂが傾斜面または湾曲面となる溝４０ａを形成
する方法がある。
ジスト層４０に形成された溝４０ａの側面４０ｂ，４０
ｂを傾斜面とするために、熱処理を行う方法を示した。
レジスト層４０に形成された溝４０ａの側面４０ｂ，４
０ｂを傾斜面または湾曲面とするための他の方法とし
て、レジスト層４０の材料の露光感度を選択してパター
ニング精度を調節し、露光・現像の際にレジスト層の下
面側よりも上面側の内幅寸法が幅広となり、側面４０
ｂ，４０ｂが傾斜面または湾曲面となる溝４０ａを形成
する方法がある。
【０１２４】なお、図１１の工程において溝部４０ａ
を、接続層２５に重なる位置にまでハイト方向に延して
形成し、主磁極層２４を接続層２５と磁気的に接続させ
るようにしても良い。
を、接続層２５に重なる位置にまでハイト方向に延して
形成し、主磁極層２４を接続層２５と磁気的に接続させ
るようにしても良い。
【０１２５】なお、図１１に示す工程において、メッキ
下地層２４ｂが非磁性材料を用いて形成されたときは、
図１６に示す工程において、主磁極層２４以外の領域で
メッキ下地層２４ｂが完全に除去されなくとも、磁気記
録特性が低下することを抑えることができる。
下地層２４ｂが非磁性材料を用いて形成されたときは、
図１６に示す工程において、主磁極層２４以外の領域で
メッキ下地層２４ｂが完全に除去されなくとも、磁気記
録特性が低下することを抑えることができる。
【０１２６】すなわち、主磁極層２４の側面２４ｆ，２
４ｆとメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ１が
連続した直線形状または曲線形状を構成していなくと
も、例えば図２２に示すように、主磁極層２４の底面２
４ｄの内幅寸法（トラック幅方向の幅寸法）Ｗ８より
も、メッキ下地層２４ｂの内幅寸法（トラック幅方向の
幅寸法）Ｗ９の方が大きくなっても記録媒体上の記録ト
ラックパターンが乱れることを防ぐことができる。
４ｆとメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２４ｂ１が
連続した直線形状または曲線形状を構成していなくと
も、例えば図２２に示すように、主磁極層２４の底面２
４ｄの内幅寸法（トラック幅方向の幅寸法）Ｗ８より
も、メッキ下地層２４ｂの内幅寸法（トラック幅方向の
幅寸法）Ｗ９の方が大きくなっても記録媒体上の記録ト
ラックパターンが乱れることを防ぐことができる。
【０１２７】また、図１において上部シールド層５１と
補助磁極層２１を一体化して、ひとつの磁性層で前記上
部シールド層と補助磁極層の機能を発揮させてもよい。
補助磁極層２１を一体化して、ひとつの磁性層で前記上
部シールド層と補助磁極層の機能を発揮させてもよい。
【０１２８】なお、前記読取り部ＨRを設けず、スライ
ダ１１のトレーリング側端部に前記垂直磁気記録用の垂
直磁気記録ヘッドＨｖのみを搭載してもよい。
ダ１１のトレーリング側端部に前記垂直磁気記録用の垂
直磁気記録ヘッドＨｖのみを搭載してもよい。
【０１２９】
【実施例】図２３は、前述した本発明の製造方法の実施
の形態中の図１６に示された工程にある垂直磁気記録ヘ
ッドの主磁極層周辺の部分断面図である。
の形態中の図１６に示された工程にある垂直磁気記録ヘ
ッドの主磁極層周辺の部分断面図である。
【０１３０】図２３の図示上方向から主磁極層２４の縦
方向の中心線Ｃに対して所定の角度θ５だけ傾いた方向
から異方的にミリング粒子を入射させるイオンミリング
を行っている。
方向の中心線Ｃに対して所定の角度θ５だけ傾いた方向
から異方的にミリング粒子を入射させるイオンミリング
を行っている。
【０１３１】図２４は、主磁極層２４の縦方向の中心線
Ｃに対するミリング角度とエッチング速度との関係を示
すグラフである。
Ｃに対するミリング角度とエッチング速度との関係を示
すグラフである。
【０１３２】（□）で表されるグラフ曲線は、主磁極層
２４の高さ方向（図２３に示すＺ方向）のエッチング速
度である。主磁極層２４の高さ方向のエッチング速度
は、中心線Ｃに対するミリング角度に依存している。グ
ラフより前記ミリング角度が約４０度のとき、最もエッ
チング速度が大きくなっている。前記ミリング角度が約
４０度より小さくなるにつれて、または約４０度より大
きくなるにつれてエッチング速度は小さくなっていく。
特に前記ミリング角度が約７０度前後のとき、前記ミリ
ング角度の変化量に対するエッチング速度の変化率が最
も大きくなっている。
２４の高さ方向（図２３に示すＺ方向）のエッチング速
度である。主磁極層２４の高さ方向のエッチング速度
は、中心線Ｃに対するミリング角度に依存している。グ
ラフより前記ミリング角度が約４０度のとき、最もエッ
チング速度が大きくなっている。前記ミリング角度が約
４０度より小さくなるにつれて、または約４０度より大
きくなるにつれてエッチング速度は小さくなっていく。
特に前記ミリング角度が約７０度前後のとき、前記ミリ
ング角度の変化量に対するエッチング速度の変化率が最
も大きくなっている。
【０１３３】図２３に示されるように、主磁極層２４の
上面２４ｊは、中心部分が盛り上がった湾曲面となって
いるので、ミリング粒子が前記中心線Ｃに対して所定の
角度θ５だけ傾いた方向から異方的に入射する時、上面
２４ｊ上の各点の接平面の法線方向とミリング粒子の入
射方向との角度は前記各点ごとに異なる角度になる。
上面２４ｊは、中心部分が盛り上がった湾曲面となって
いるので、ミリング粒子が前記中心線Ｃに対して所定の
角度θ５だけ傾いた方向から異方的に入射する時、上面
２４ｊ上の各点の接平面の法線方向とミリング粒子の入
射方向との角度は前記各点ごとに異なる角度になる。
【０１３４】例えば、図２３の点Ｐ１における接平面Ｓ
０の法線（中心線Ｃ）方向とミリング粒子Ｍ１の入射方
向との角度はθ５である。また、点Ｐ２における接平面
Ｓ１の法線Ｖ１方向とミリング粒子Ｍ２の入射方向との
角度をθ５ａとし、点Ｐ３における接平面Ｓ２の法線Ｖ
２方向とミリング粒子Ｍ３の入射方向との角度をθ５ｂ
とすると、θ５≠θ５ａ≠θ５ｂとなる。従って、主磁
極層２４の上面２４ｊ上の各点における前記ミリング速
度に差が生じる。
０の法線（中心線Ｃ）方向とミリング粒子Ｍ１の入射方
向との角度はθ５である。また、点Ｐ２における接平面
Ｓ１の法線Ｖ１方向とミリング粒子Ｍ２の入射方向との
角度をθ５ａとし、点Ｐ３における接平面Ｓ２の法線Ｖ
２方向とミリング粒子Ｍ３の入射方向との角度をθ５ｂ
とすると、θ５≠θ５ａ≠θ５ｂとなる。従って、主磁
極層２４の上面２４ｊ上の各点における前記ミリング速
度に差が生じる。
【０１３５】本発明では、主磁極層２４の上面２４ｊを
イオンミリングによってエッチングしていくときに、前
記上面２４ｊ上の各点におけるエッチング速度に差を生
じさせることができ、しかも、エッチングの進行ととも
に、前記上面２４ｊ上におけるエッチング速度の速さの
分布が変化していくために、主磁極層２４の上面２４ｊ
の湾曲が全体としてなだらかになっていき、最後には前
記上面２４ｊを図１７に示すように平坦面とすることが
できるのである。
イオンミリングによってエッチングしていくときに、前
記上面２４ｊ上の各点におけるエッチング速度に差を生
じさせることができ、しかも、エッチングの進行ととも
に、前記上面２４ｊ上におけるエッチング速度の速さの
分布が変化していくために、主磁極層２４の上面２４ｊ
の湾曲が全体としてなだらかになっていき、最後には前
記上面２４ｊを図１７に示すように平坦面とすることが
できるのである。
【０１３６】なお、中心線Ｃに対して所定の角度θ５だ
け傾いた方向から異方的にミリング粒子を入射させるイ
オンミリングを行うことにより、主磁極層２４の下層以
外の領域のメッキ下地層２４ｂを除去し、同時に主磁極
層２４の側面２４ｆ，２４ｆを削り、主磁極層２４のト
ラック幅方向（内幅方向：図示Ｙ方向）の幅寸法をメッ
キ形成直後より細くすることができる。
け傾いた方向から異方的にミリング粒子を入射させるイ
オンミリングを行うことにより、主磁極層２４の下層以
外の領域のメッキ下地層２４ｂを除去し、同時に主磁極
層２４の側面２４ｆ，２４ｆを削り、主磁極層２４のト
ラック幅方向（内幅方向：図示Ｙ方向）の幅寸法をメッ
キ形成直後より細くすることができる。
【０１３７】しかし、（◇）で表される主磁極層２４の
トラック幅方向のエッチング速度のグラフ曲線から読み
取れるように、角度θ５が小さくなると、エッチング速
度が負の値になる。すなわち、主磁極層２４のトラック
幅方向（内幅方向：図示Ｙ方向）の幅寸法がメッキ形成
直後より太くなる。これは、角度θ５が小さくなると、
除去されたメッキ下地層２４ｂが側面２４ｆ，２４ｆに
付着する率が高くなるためである。
トラック幅方向のエッチング速度のグラフ曲線から読み
取れるように、角度θ５が小さくなると、エッチング速
度が負の値になる。すなわち、主磁極層２４のトラック
幅方向（内幅方向：図示Ｙ方向）の幅寸法がメッキ形成
直後より太くなる。これは、角度θ５が小さくなると、
除去されたメッキ下地層２４ｂが側面２４ｆ，２４ｆに
付着する率が高くなるためである。
【０１３８】メッキ下地層２４ｂが側面２４ｆ，２４ｆ
に付着する率を低くして、主磁極層２４のトラック幅方
向のエッチングを効率よく行うためには前記角度θ５を
４５度以上にすることが好ましい。
に付着する率を低くして、主磁極層２４のトラック幅方
向のエッチングを効率よく行うためには前記角度θ５を
４５度以上にすることが好ましい。
【０１３９】また、主磁極層２４の高さ方向のミリング
速度が遅すぎると、エッチング加工の効率が悪くなるの
で、前記角度θ５は８０度以下であることが好ましい。
速度が遅すぎると、エッチング加工の効率が悪くなるの
で、前記角度θ５は８０度以下であることが好ましい。
【０１４０】または、前記角度θ５が７０度以下である
とより好ましい。ただし、主磁極層２４の高さ方向のミ
リング速度が速すぎると、加工後の主磁極層２４の体積
が小さくなり磁気記録特性が悪くなるので、前記角度θ
５は６０度以上であることがより好ましい。
とより好ましい。ただし、主磁極層２４の高さ方向のミ
リング速度が速すぎると、加工後の主磁極層２４の体積
が小さくなり磁気記録特性が悪くなるので、前記角度θ
５は６０度以上であることがより好ましい。
【０１４１】前記角度θ５が６０度以上７０度以下であ
れば、前記角度θ５の変化量に対するエッチング速度の
変化率を大きくでき、前記上面２４ｊ上の各点における
エッチング速度の差を大きくすることができ、前記上面
２４ｊを効率よく平坦化することができる。
れば、前記角度θ５の変化量に対するエッチング速度の
変化率を大きくでき、前記上面２４ｊ上の各点における
エッチング速度の差を大きくすることができ、前記上面
２４ｊを効率よく平坦化することができる。
【０１４２】図２５及び図２６は、上述した垂直磁気記
録ヘッドの製造方法の実施の形態の図１６に示す工程に
おいて、主磁極層２４以外の領域でメッキ下地層２４ｂ
が完全に除去されなかったときに、メッキ下地層２４ｂ
が磁性材料を用いて形成された場合と非磁性材料を用い
て形成した場合とで、磁気記録特性が変化することを示
すグラフである。
録ヘッドの製造方法の実施の形態の図１６に示す工程に
おいて、主磁極層２４以外の領域でメッキ下地層２４ｂ
が完全に除去されなかったときに、メッキ下地層２４ｂ
が磁性材料を用いて形成された場合と非磁性材料を用い
て形成した場合とで、磁気記録特性が変化することを示
すグラフである。
【０１４３】図２５は、メッキ下地層２４ｂが磁性材料
を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ下
地層２４ｂが残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性をマイクロトラックプロファイル法によって測定した
結果を示している。
を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ下
地層２４ｂが残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性をマイクロトラックプロファイル法によって測定した
結果を示している。
【０１４４】マイクロトラックプロファイル法とは、記
録媒体上に微小トラックである信号を記録しておき、磁
気抵抗効果素子などの再生素子を記録トラック上でトラ
ック幅方向に走査させて再生出力を読み取ることによ
り、記録トラック上のトラック幅方向の記録信号強度分
布を測定するものである。
録媒体上に微小トラックである信号を記録しておき、磁
気抵抗効果素子などの再生素子を記録トラック上でトラ
ック幅方向に走査させて再生出力を読み取ることによ
り、記録トラック上のトラック幅方向の記録信号強度分
布を測定するものである。
【０１４５】図２５に示されるように、磁性材料を用い
て形成されたメッキ下地層２４ｂが主磁極層２４以外の
領域に残存していると、記録トラック上には主信号Ｓｍ
のピーク以外にサイド信号Ｓｓのピークが現れる。この
サイド信号Ｓｓは、磁極層２４以外の領域に残存したメ
ッキ下地層２４ｂによって書き込まれたものであり、垂
直磁気記録ヘッドにスキュー角が生じたときに特に発生
しやすくなる。
て形成されたメッキ下地層２４ｂが主磁極層２４以外の
領域に残存していると、記録トラック上には主信号Ｓｍ
のピーク以外にサイド信号Ｓｓのピークが現れる。この
サイド信号Ｓｓは、磁極層２４以外の領域に残存したメ
ッキ下地層２４ｂによって書き込まれたものであり、垂
直磁気記録ヘッドにスキュー角が生じたときに特に発生
しやすくなる。
【０１４６】図２６は、メッキ下地層２４ｂが非磁性材
料を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ
下地層２４ｂが残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録
特性をマイクロトラックプロファイル法によって測定し
た結果を示している。
料を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ
下地層２４ｂが残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録
特性をマイクロトラックプロファイル法によって測定し
た結果を示している。
【０１４７】図２６に示されるように、非磁性材料を用
いて形成されたメッキ下地層２４ｂが主磁極層２４以外
の領域に残存していても、記録トラック上には主信号Ｓ
ｍのピークのみが現れ、サイド信号Ｓｓは検出されな
い。
いて形成されたメッキ下地層２４ｂが主磁極層２４以外
の領域に残存していても、記録トラック上には主信号Ｓ
ｍのピークのみが現れ、サイド信号Ｓｓは検出されな
い。
【０１４８】すなわち、メッキ下地層２４ｂが非磁性材
料を用いて形成された場合には、主磁極層２４の側面２
４ｆ，２４ｆとメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２
４ｂ１が連続した直線形状または曲線形状を構成してい
なくとも、例えば図２２に示すように、主磁極層２４の
底面２４ｄのトラック幅方向の幅寸法Ｗ８よりも、メッ
キ下地層２４ｂトラック幅方向の幅寸法Ｗ９の方が大き
くなっても記録媒体上にサイド信号Ｓｓが現れ、記録ト
ラックパターンが乱れることを防ぐことができることが
わかる。
料を用いて形成された場合には、主磁極層２４の側面２
４ｆ，２４ｆとメッキ下地層２４ｂの側辺２４ｂ１，２
４ｂ１が連続した直線形状または曲線形状を構成してい
なくとも、例えば図２２に示すように、主磁極層２４の
底面２４ｄのトラック幅方向の幅寸法Ｗ８よりも、メッ
キ下地層２４ｂトラック幅方向の幅寸法Ｗ９の方が大き
くなっても記録媒体上にサイド信号Ｓｓが現れ、記録ト
ラックパターンが乱れることを防ぐことができることが
わかる。
【０１４９】従って、メッキ下地層２４ｂが非磁性材料
を用いて形成することにより、垂直磁気記録へッドの高
記録密度化対応を容易にすることができる。
を用いて形成することにより、垂直磁気記録へッドの高
記録密度化対応を容易にすることができる。
【０１５０】
【発明の効果】以上詳細に説明した本発明では、前記記
録媒体との対向面で、前記主磁極層のトラック幅方向の
内幅寸法が、前記補助磁極層から離れるにしたがって徐
々に広くなるように、前記主磁極層の前記補助磁極層側
の端辺よりも上辺が幅広とされている。すなわち前記対
向面において前記主磁極層の正面形状が略逆台形になっ
ている。
録媒体との対向面で、前記主磁極層のトラック幅方向の
内幅寸法が、前記補助磁極層から離れるにしたがって徐
々に広くなるように、前記主磁極層の前記補助磁極層側
の端辺よりも上辺が幅広とされている。すなわち前記対
向面において前記主磁極層の正面形状が略逆台形になっ
ている。
【０１５１】従って、記録媒体に記録を行うとき、前記
主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対してスキ
ュー角を生じても、前記側辺が記録トラックの外にはみ
出すことを防ぐことができ、フリンジングを防止できる
ようになり、オフトラック性能の向上を図ることができ
る。
主磁極層の側辺が記録媒体の移動接線方向に対してスキ
ュー角を生じても、前記側辺が記録トラックの外にはみ
出すことを防ぐことができ、フリンジングを防止できる
ようになり、オフトラック性能の向上を図ることができ
る。
【０１５２】また、本発明では、前記対向面において、
前記主磁極層の前記上辺が直線形状にされている。
前記主磁極層の前記上辺が直線形状にされている。
【０１５３】従って、前記記録トラックの磁区境界が直
線形状となり、記録トラックの長さ方向の記録密度を上
げても鮮明な記録磁化分布を得ることができ、良好な記
録再生特性を得ることができる。
線形状となり、記録トラックの長さ方向の記録密度を上
げても鮮明な記録磁化分布を得ることができ、良好な記
録再生特性を得ることができる。
【０１５４】また、本発明では、前記メッキ下地層の上
にレジスト層を形成しこのレジスト層に前記主磁極層を
形成するための溝をパターン形成した後、前記レジスト
層を熱処理する方法を使用すること、または、前記レジ
スト層のパターニング精度を調節することにより、トラ
ック幅方向の内幅寸法が補助磁極層から離れるにしたが
って徐々に広がる溝をパターン形成することができ、正
面から見た形状が略逆台形状の主磁極層を得ることがで
きる。
にレジスト層を形成しこのレジスト層に前記主磁極層を
形成するための溝をパターン形成した後、前記レジスト
層を熱処理する方法を使用すること、または、前記レジ
スト層のパターニング精度を調節することにより、トラ
ック幅方向の内幅寸法が補助磁極層から離れるにしたが
って徐々に広がる溝をパターン形成することができ、正
面から見た形状が略逆台形状の主磁極層を得ることがで
きる。
【０１５５】また、前記主磁極層の中心線に対して所定
の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミ
リングで、前記主磁極層の上面を平坦化させ、前記対向
面において前記主磁極層の前記上辺を直線形状にするこ
とができる。
の角度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミ
リングで、前記主磁極層の上面を平坦化させ、前記対向
面において前記主磁極層の前記上辺を直線形状にするこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態の垂直磁気記録ヘッドが記
録媒体に対向している状態を示す断面図、
録媒体に対向している状態を示す断面図、
【図２】図１に示す垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との
対向面から見た正面図、
対向面から見た正面図、
【図３】図１のＢ矢視の平面図、
【図４】本発明の他の実施の形態の垂直磁気記録ヘッド
を上方向から見た平面図、
を上方向から見た平面図、
【図５】本発明の他の実施の形態の垂直磁気記録ヘッド
を上方向から見た平面図、
を上方向から見た平面図、
【図６】本発明の垂直磁気記録ヘッドにスキュー角が発
生した状態を示す説明図、
生した状態を示す説明図、
【図７】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦断
面図、
面図、
【図８】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦断
面図、
面図、
【図９】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦断
面図、
面図、
【図１０】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
断面図、
【図１１】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するも
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
【図１２】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するも
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
【図１３】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
断面図、
【図１４】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
断面図、
【図１５】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
断面図、
【図１６】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するも
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
のであり、（Ａ）は横断面図、（Ｂ）は垂直磁気記録ヘ
ッドの上方向から見た平面図、
【図１７】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する横
断面図、
断面図、
【図１８】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
断面図、
【図１９】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
断面図、
【図２０】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
断面図、
【図２１】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明する縦
断面図、
断面図、
【図２２】本発明の他の実施の形態の垂直磁気記録ヘッ
ドを記録媒体との対向面から見た正面図、
ドを記録媒体との対向面から見た正面図、
【図２３】イオンミリングにかけられている主磁極層の
横断面図、
横断面図、
【図２４】イオンミリングのミリング角度と主磁極層の
エッチング速度の関係を示すグラフ、
エッチング速度の関係を示すグラフ、
【図２５】主磁極層以外の領域に磁性材料からなるメッ
キ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性、
キ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性、
【図２６】主磁極層以外の領域に非磁性材料からなるメ
ッキ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性、
ッキ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特
性、
【図２７】従来の垂直磁気記録ヘッドを示す断面図、
【図２８】従来の垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、
【図２９】従来の垂直磁気記録ヘッドにスキュー角が発
生した状態を示す説明図、
生した状態を示す説明図、
Ｈｖ 垂直磁気記録ヘッド Ｈｖａ 対向面 Ｍ 記録媒体 Ｍａ ハード膜 Ｍｂ ソフト膜 １１ スライダ １２ 非磁性絶縁層 １３ 保護層 ２１ 補助磁極層 ２４ 主磁極層 ２４ｂ メッキ下地層 ２５ 接続層 ２６ 非磁性絶縁層 ２７ コイル層 ３１ 底上げ層 ３２ 有機材料の絶縁層 ３３ 無機絶縁層 ３５ ヨーク層 ３６ リード層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月１５日（２００２．２．１
５）
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】図２７に示すように、主磁極層５の端面５
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｙ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
Ｔｗであり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラッ
ク幅方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなって
いる。
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｙ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
Ｔｗであり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラッ
ク幅方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなって
いる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録
が行われる記録媒体Ｍｄは、垂直磁気記録ヘッドＨに対
してＺ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜
Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
が行われる記録媒体Ｍｄは、垂直磁気記録ヘッドＨに対
してＺ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜
Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図２８は図２７の垂直
磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正
面図である。図２７及び図２８の垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層５は、磁性材料からなるメッキ下地層５ｂ上
に、磁性材料を用いてメッキ形成されている。メッキ形
成された主磁極層５は上面５ｃが凸状に湾曲した曲面に
なる。また、従来の垂直磁気記録ヘッドでは主磁極層５
の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅方向（図示Ｙ方向）に対
する垂直面となっている。
磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正
面図である。図２７及び図２８の垂直磁気記録ヘッドの
主磁極層５は、磁性材料からなるメッキ下地層５ｂ上
に、磁性材料を用いてメッキ形成されている。メッキ形
成された主磁極層５は上面５ｃが凸状に湾曲した曲面に
なる。また、従来の垂直磁気記録ヘッドでは主磁極層５
の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅方向（図示Ｙ方向）に対
する垂直面となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】スライダ１がディスク状の記録媒体Ｍｄの
外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回転
接線方向（図示Ｚ方向）に対して前記主磁極層５の側辺
５ｄ，５ｄが傾くスキュー角が発生することがある。こ
こで図２８に示すように主磁極層５の側辺５ｄ，５ｄが
トラック幅方向に対する垂直面であると、主磁極層５の
側辺５ｄ，５ｄが記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方
向）に対してスキュー角を有するときに、破線で示すよ
うに主磁極層の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅Ｔｗの外側
に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、オ
フトラック性能の低下を招く。
外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍｄの回転
接線方向（図示Ｚ方向）に対して前記主磁極層５の側辺
５ｄ，５ｄが傾くスキュー角が発生することがある。こ
こで図２８に示すように主磁極層５の側辺５ｄ，５ｄが
トラック幅方向に対する垂直面であると、主磁極層５の
側辺５ｄ，５ｄが記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方
向）に対してスキュー角を有するときに、破線で示すよ
うに主磁極層の側辺５ｄ，５ｄがトラック幅Ｔｗの外側
に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、オ
フトラック性能の低下を招く。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２７】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２８】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牛膓 英紀 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 矢澤 久幸 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 小林 潔 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 児山 輝 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 AA05 BA01 BA08 BA12 CA02 DA01 DA04 DA07 DA08 DA31 5D111 AA08 AA11 AA24 BB09 GG16 JJ07 KK04
Claims (20)
- 【請求項１】 記録媒体との対向面に、補助磁極層と主
磁極層とが間隔を開けて位置し、前記対向面よりも奥側
に前記補助磁極層と前記主磁極層とに記録磁界を与える
コイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する前記記録
媒体平面に対する垂直方向磁界によって、前記記録媒体
に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、 前記対向面よりも奥側では前記補助磁極層から立ち上が
る接続層が設けられて、前記主磁極層と前記接続層が直
接に、又は前記主磁極層の上と前記接続層の上に形成さ
れたヨーク層によって、磁気的に接続されており、 前記対向面では、前記補助磁極層上に絶縁層を介して積
層された前記主磁極層のトラック幅方向の内幅寸法が、
前記補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広くなる
ように、前記主磁極層の前記補助磁極層側の端辺よりも
上辺が幅広とされていることを特徴とする垂直磁気記録
ヘッド。 - 【請求項２】 前記対向面において、前記主磁極層の前
記上辺が直線形状にされている請求項１記載の垂直磁気
記録ヘッド。 - 【請求項３】 前記主磁極層が非磁性金属材料からなる
メッキ下地層上にメッキ形成されたものである請求項１
または２記載の垂直磁気記録ヘッド。 - 【請求項４】 前記非磁性金属材料からなるメッキ下地
層のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の底面の
トラック幅方向の幅寸法よりも大きい請求項３に記載の
垂直磁気記録ヘッド。 - 【請求項５】 前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ
下地層上に形成され、このメッキ下地層のトラック幅方
向における両側端面の少なくとも一部は、前記主磁極層
の前記補助磁極層側の端辺のトラック幅方向の端部より
もトラック幅方向へはみ出して形成されており、そのは
み出し量は、記録媒体への記録時にスキュー角が生じた
ときに、前記記録媒体に記録される記録トラック幅Ｔｗ
１からはみ出さない長さである請求項１または２記載の
垂直磁気記録ヘッド。 - 【請求項６】 前記対向面に現れている前記補助磁極層
の端面の面積よりも、前記対向面に現れている前記主磁
極層の端面の面積が十分に小さく、且つ前記対向面と平
行な断面での、前記主磁極層の断面積が、前記ヨーク層
の断面積よりも小さい請求項１ないし５のいずれかに記
載の垂直磁気記録ヘッド。 - 【請求項７】 前記主磁極層の飽和磁束密度が、前記ヨ
ーク層の飽和磁束密度よりも高い請求項１ないし６のい
ずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。 - 【請求項８】 前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よ
りも奥側に位置している請求項１ないし７のいずれかに
記載の垂直磁気記録ヘッド。 - 【請求項９】 以下の工程を有することを特徴とする垂
直磁気記録ヘッドの製造方法。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程、（ｂ）記
録媒体との対向面となる面よりも奥側で、前記補助磁極
層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、（ｃ）前記
記録媒体との対向面となる面よりも奥側の領域にコイル
層を形成する工程、（ｄ）前記補助磁極層上に絶縁層を
積層し、この絶縁層上にメッキ下地層を成膜する工程、
（ｅ）前記メッキ下地層の上にレジスト層を形成して、
前記対向面となる部分で、前記レジスト層に、トラック
幅方向の内幅寸法が、補助磁極層から離れるにしたがっ
て徐々に広がり、且つ前記対向面から奥側へ所定の奥行
きを有する溝を形成する工程、（ｆ）前記溝内で、主磁
極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去
する工程、（ｇ）前記主磁極層と前記接続層を、直接又
は前記主磁極層の上と前記接続層の上にヨーク層を形成
して、磁気的に接続する工程、 - 【請求項１０】 前記（ｅ）の工程で、前記メッキ下地
層の上にレジスト層を形成しこのレジスト層に溝をパタ
ーン形成した後、前記レジスト層を熱処理することによ
り、前記溝のトラック幅方向の内幅寸法を補助磁極層か
ら離れるにしたがって徐々に広がる形状にする請求項９
記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記（ｅ）の工程で、前記メッキ下地
層の上にレジスト層を形成しこのレジスト層のパターニ
ング精度を調節することにより、トラック幅方向の内幅
寸法が補助磁極層から離れるにしたがって徐々に広がる
溝をパターン形成する請求項９記載の垂直磁気記録ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の工程
の間に、（ｈ）前記主磁極層の中心線に対して所定の角
度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミリン
グで、前記主磁極層の上面を平坦化させる工程を有する
請求項９ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の工程
の間に、（ｉ）前記主磁極層の中心線に対して所定の角
度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミリン
グで、前記主磁極層の側面を削り、前記主磁極層のトラ
ック幅方向の幅寸法を設定する工程を有する請求項９な
いし１２のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１４】 前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の工程
の間に、（ｊ）前記主磁極層の中心線に対して所定の角
度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミリン
グで、前記主磁極層以外の領域で前記メッキ下地層を除
去し、さらに前記主磁極層の側面に付着した前記メッキ
下地層の材料を前記ミリングで除去する工程を有する請
求項９ないし１３のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記（ｆ）の工程と前記（ｇ）の工程
の間に、（ｋ）前記主磁極層の中心線に対して所定の角
度だけ傾いた方向からミリング粒子を入射させるミリン
グで、前記主磁極層の上面を平坦化させ、さらに前記主
磁極層以外の領域における前記メッキ下地層の除去、前
記主磁極層の側面に付着した前記メッキ下地層の材料の
除去、及び前記主磁極層の側面を削ることによる前記主
磁極層のトラック幅方向の幅寸法の設定を、同時に行う
工程を有する請求項９ないし１１のいずれかに記載の垂
直磁気記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）または
（ｋ）の工程において、前記所定の角度を４５°以上８
０°以下とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載
の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）または
（ｋ）の工程において、前記所定の角度を６０°以上７
０°以下とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載
の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記（ｄ）の工程において、前記メッ
キ下地層を磁性材料を用いて形成する請求項９ないし１
７のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１９】 前記（ｄ）の工程において、前記メッ
キ下地層を非磁性材料を用いて形成する請求項９ないし
１７のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２０】 前記（ｊ）または（ｋ）の工程におい
て、前記主磁極層以外の領域で前記メッキ下地層を除去
するときに、前記メッキ下地層のトラック幅方向の幅寸
法を、前記主磁極層の底面のトラック幅方向の幅寸法よ
りも大きくする請求項１９に記載の垂直磁気記録ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000394641A JP3866512B2 (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 垂直磁気記録ヘッドの製造方法 |
| US10/024,965 US6697221B2 (en) | 2000-12-26 | 2001-12-18 | Perpendicular magnetic recording head with inverted trapezoidal main magnetic pole layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000394641A JP3866512B2 (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 垂直磁気記録ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
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