JP2006139898A - 薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】 トラック幅制御が高い精度でおこなわれる薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、記録媒体に対向するＡＢＳ３０の側に磁極端部１１を有する主磁極層１０と、ＡＢＳ３０の側において、記録ギャップ層２４を形成するようにして磁極端部１１に対向するライトシールド層４０と、ライトシールド層４０または主磁極層１０の周りに巻回された薄膜コイル１００とが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッド３００Ａを製造可能な構成を有している。そして、主磁極層１０の磁極端部１１は、その延在方向に関する幅が略均一である均一幅部１２を有している。
【選択図】 図４

Description

本発明は、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドを製造するための薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドに関する。

近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。

薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、ハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向に情報を記録する長手記録方式と、ハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。

従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、下記特許文献１〜４等に開示されている。

ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドはハードディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）の側に配置された磁極端部がある角度での傾き(Skew Angle)を生じる。垂直記録方式の磁気ヘッド（perpendicular magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）で書き込み能力が高い場合は、このSkew Angleが生じることによって、隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題があった。この書きにじみが生じると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす。そのため、従来のＰＭＲは、主磁極層におけるＡＢＳ側の磁極端部を一方向に向って漸次幅の狭まるベベル形状にしている（この点に関しては、例えば、下記特許文献５および６参照）。
米国特許第６，５０４，６７５号明細書 米国特許第４，６５６，５４６号明細書 米国特許第４，６７２，４９３号明細書 特開２００４−９４９９７号公報 特開２００３−２４２６０７号公報 特開２００３−２０３３１１号公報

しかしながら、上述した主磁極層のＡＢＳ側の磁極端部がベベル形状であるＰＭＲにおいては、その磁極端部の幅（以下、端部幅と称す。）の均一性が不十分で、主磁極層の長さ方向に関して均等でなかった。そのため、ウェハ上に形成された主磁極層の上記磁極端部を所定位置で切断して、この主磁極層のＡＢＳを規定する際に、その切断位置によってＡＢＳにおける端部幅が異なった。従って、従来のＰＭＲでは、製品毎で、ＡＢＳにおけるトラック幅（記録トラック幅）に大きなズレが生じる場合があった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、トラック幅制御が高い精度でおこなわれる薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、主磁極層の磁極端部が、媒体対向面に交差する延在方向に沿って幅が略均一である均一幅部を有することを特徴とする。

この薄膜磁気ヘッド用構造物においては、均一幅部を有する磁極端部を備えた主磁極層が形成されている。そのため、媒体対向面（ＡＢＳ）を規定する際、磁極端部のこの均一幅部で主磁極層を切断することにより、ＡＢＳにおける幅が高い精度で同一幅となる。従って、薄膜磁気ヘッドの作製に際し、この薄膜磁気ヘッド用構造物を用いることで、高い精度でトラック幅が制御された薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

また、主磁極層に対応する形状に窪み、幅が略均一である極細溝部を含む磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を更に備え、磁極形成用凹部の極細溝部に均一幅部が形成されていることが好ましい。この場合、主磁極層が磁極形成用凹部内に埋め込まれるようにして形成される。

また、磁極形成用凹部は、極細溝部の各端部から連続的に延びると共に、極細溝部から離れるにしたがって漸次幅が広がる１対の可変幅凹部を有し、極細溝部が、磁極形成用凹部内にめっき法を用いて主磁極層を形成する際、可変幅凹部において成長しためっきが極細溝部を隙間なく充塞可能な幅及び長さを有することが好ましい。この場合、磁極形成用凹部の各可変幅凹部内において成長しためっきが、極細溝部の両端部から極細溝部に入り込むため、極細溝部をより確実に充塞することができる。

また、均一幅部のその延在方向に沿った長さは０．３〜１．２μｍであることが好ましく、幅は０．２μｍ以下であることが好ましい。

また、主磁極層は、磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有することが好ましい。従来のＰＭＲには、高密度で情報記録を行うと、既にハードディスクに書き込まれているデータを消去してしまう、ポールイレージャー（Pole Erasure）とよばれる現象が生じるという問題があった。このポールイレージャーとは、最大保持力(Coercivity)Ｈｃの大きい記録媒体（ハードディスク）にデータを書込んだ後、薄膜コイルに記録電流（ｗrite current）を流していないにもかかわらず、漏れ磁束がＡＢＳからハードディスクに流れて他のデータを消去してしまう現象である。そして、このポールイレージャーの発生は、磁極端部とヨーク磁極部との端面接合によって防止することができる。

また、極細溝部が、奥行き方向に交差する方向の溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されていることが好ましい。この場合、ベベル形状の磁極端部を有する主磁極層が形成される。

本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、前記主磁極層の前記磁極端部を形成する際、前記磁極端部の少なくとも一部が、その延在方向に関する幅が略均一である均一幅部となるように形成することを特徴とする。

この薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法によれば、均一幅部を有する磁極端部を備えた主磁極層が形成される。そのため、この製造方法によって作製された薄膜磁気ヘッドにおいて媒体対向面（ＡＢＳ）を規定する際、磁極端部のこの均一幅部で主磁極層を切断することにより、ＡＢＳにおける幅が高い精度で同一幅となる。従って、薄膜磁気ヘッドの作製に際し、この製造方法により作製された薄膜磁気ヘッド用構造物を用いることで、高い精度でトラック幅が制御された薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

また、主磁極層の磁極端部を形成する工程は、主磁極層に対応する形状に窪み、幅が略均一である極細溝部を有する磁極形成用凹部を備えたベース絶縁層を形成する工程と、磁極形成用凹部内を磁性材料で充たして、主磁極層を形成すると共に、極細溝部内に均一幅部を形成する工程とを含むことが好ましい。

また、磁極形成用凹部は、極細溝部の各端部から連続的に延びると共に、極細溝部から離れるにしたがって漸次幅が広がる１対の可変幅凹部を有しており、極細溝部内に均一幅部をめっき法を用いて形成する際、可変幅凹部において成長しためっきが極細溝部を隙間なく充塞することが好ましい。この場合、磁極形成用凹部の各可変幅凹部内において成長しためっきが、極細溝部の両端部から極細溝部に入り込んで極細溝部を充塞する。

また、主磁極層を形成する工程は、ベース絶縁層の磁極形成用凹部における極細溝部以外の領域において露出した凹部内端面を有する端面付磁極層を形成する工程と、端面付磁極層における凹部内端面に接合された接合磁極層を形成する工程とを含むことが好ましい。

また、主磁極層を形成する際、磁極形成用凹部のうち、極細溝部内を充たす磁性材料の厚さが、極細溝部以外の領域の磁性材料の厚さよりも厚くなるようにしてもよい。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極層の磁極端部が、その延在方向に関する幅が略均一である均一幅部を有することを特徴とする。

この薄膜磁気ヘッドにおいては、均一幅部を有する磁極端部を備えた主磁極層が形成されている。そのため、媒体対向面（ＡＢＳ）における幅が高い精度で制御される。従って、この薄膜磁気ヘッドにおいては、高い精度でトラック幅が制御されている。

本発明によれば、トラック幅制御が高い精度でおこなわれる薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドが提供される。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
（薄膜磁気ヘッド用構造物の構造）

まず、図１〜図４を参照して、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の構造について説明する。ここで、図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物３００の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。

薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、垂直記録方式の磁気ヘッドを製造可能な構成を有している。この薄膜磁気ヘッド用構造物３００は図示しない基板上に形成されていて、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０で切断することによって、本発明における薄膜磁気ヘッド３００Ａが得られるようになっている。

薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、基板と、その基板に積層され、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッドを製造するための再生ヘッド用構造物と、記録ヘッドを製造するための記録ヘッド用構造物とを有している。なお、図１（Ａ），（Ｂ）では絶縁層１に積層されている記録ヘッド用構造物が示され、基板および再生ヘッド用構造物は省略されている。

以下では薄膜磁気ヘッド用構造物３００における記録ヘッド用構造物の主要部の構造について説明し、その他の部分の構造については後述する製造工程において説明する。また、特に断りのないかぎり、記録ヘッド用構造物の各構成要素はＡＢＳ３０で切断する前と後とにおいて、ともに同じ名称および符号を用いて説明するが、双方を区別するときは、ＡＢＳ３０で切断した後の符号に“´”を付している。

図１に示すように、薄膜磁気ヘッド用構造物３００は絶縁層１と、主磁極層１０、記録ギャップ層２４、ライトシールド（Write shield）層４０、バック磁極層５１および薄膜コイル１００を有し、これらが絶縁層１に積層された構成を有している。

絶縁層１は本発明におけるベース絶縁層であって、基板における所定領域に形成されている。ここで、図２は絶縁層１を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。図３は図２の要部を拡大して示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ｂ）における要部を拡大して示す断面図である。なお、図２では、絶縁層１について、後述するキャビティ２を中心とする矩形状の所定領域を示している。

絶縁層１はアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなり、記録ヘッドが形成される表面側の中央部分にキャビティ（cavity）２を有している（図２の（Ａ），図３の（Ａ）における斜線部分）。キャビティ２は本発明における磁極形成用凹部であって、設定通りの寸法および形状で主磁極層１０を形成するため、主磁極層１０の外形形状に対応する形状に窪ませたものである。すなわち、キャビティ２は、詳しくは後述するが、主磁極層１０よりも先に形成されていて、深さｄ１（約０・２５〜０．３５μｍ、好ましくは０．３μｍ）、幅、奥行きを含む寸法および形状が想定している主磁極層１０の厚さ、幅、奥行きに適合するように形成されている。キャビティ２は極細溝部３、可変幅凹部４、定幅凹部５および張出凹部６を有し、中に埋め込まれる磁性材によって、主磁極層１０が形成されるようになっている。

極細溝部３は薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるように形成され、そのトラック幅を狭めて記録密度を向上可能な構造を有している。この極細溝部３は図３に示すように、奥行き方向中間部分にＡＢＳ３０を確保できるように奥行き（長さ）がＬ１（後述するネックハイトＮＨよりも長い、Ｌ１＞ＮＨ）に設定されている。また、奥行き方向に交差する表面側の溝幅がＷ３、下側の溝幅がＷ４となっていて、薄膜磁気ヘッドの記録密度が向上するように、溝幅Ｗ３および溝幅Ｗ４を可変幅凹部４および定幅凹部５よりも極力狭めた極細構造を有している。また、主磁極層１０の後述する磁極端部１１がベベル形状を有するように、溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されている。すなわち、極細溝部３は溝幅Ｗ３よりも溝幅Ｗ４が小さく（Ｗ３＞Ｗ４）、図３の（Ｃ）に示すべベル角θが約７〜１２度程度（例えば、１０度）になっている。

そして、この極細溝部３の一方の端部からは、可変幅凹部４が連続的に延びており、また他方の端部からは、張出凹部６が連続的に延びている。これら可変幅凹部４および張出凹部６（１対の可変幅凹部）はいずれも、極細溝部３から離れるにしたがって幅方向の溝幅が漸次広がっている。そして、可変幅凹部４は、幅方向の溝幅が一定の定幅凹部５につながっている。なお、可変幅凹部４と極細溝部３の境界部分と、ＡＢＳ３０までの間隔がのちにネックハイトＮＨになる。

上述したキャビティ２を用いて形成される主磁極層１０´（切断前の主磁極層１０も同様）は図４に示すように、磁極端部１１´とヨーク磁極部２０´とを有し、薄膜コイル１００に近い側の表面が段差のない平坦な構造を有している。ここで、図４はＡＢＳ３０に沿って切断した後の主磁極層１０´を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。この主磁極層１０´は、キャビティ２に埋め込まれるように形成されている。

磁極端部１１´（切断前の磁極端部１１も同様）は、ヨーク磁極部２０´よりも、ＡＢＳ３０に近い位置に配置されている。磁極端部１１´は、ＡＢＳ３０に交差する方向に沿って延在しており、その延在方向の全体に亘って均一幅部１２が形成されている。この均一幅部１２は、本発明における薄膜磁気ヘッドのトラック幅を規定する部分であり、磁極端部１１´の延在方向に関する幅が均一で０．１μｍとなっている。

磁極端部１１´は、極細溝部３によって決まる幅を有している。すなわち、磁極端部１１´は、ＡＢＳ３０に沿った方向における薄膜コイル１００に近いほうの幅がＷ１で、薄膜コイル１００から離れたほうの幅がＷ２であり、幅が薄膜コイル１００から離れるにしたがい漸次狭まるベベル形状になっている（Ｗ１＞Ｗ２であり、幅Ｗ１がトラック幅になる。図１参照。）。そして、磁極端部１１´は薄膜磁気ヘッドによるデータの記録密度を高くするため、上記Ｗ１を狭めた狭トラック幅構造になっている。なお、これらの幅Ｗ１、Ｗ２は、それぞれキャビティ２における極細溝部３の溝幅Ｗ３、Ｗ４に対応している。そして、磁極端部１１´の奥行き（ＡＢＳ３０からの距離）がネックハイトＮＨに対応するようになっている（本実施の形態では、ネックハイトＮＨは０．１〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１５μｍになっている）。

ヨーク磁極部２０´は、磁極端部１１´と同じ磁性材を用いて一体に形成されており、磁極端部１１´よりも大きさ（面積）が大きく形成されている。このヨーク磁極部２０´は、幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がる可変幅領域２１と、幅が一定の定幅領域２２とを有している。可変幅領域２１は、磁極端部１１´のＡＢＳ３０から離れた側から連続して形成されている。定幅領域２２は、可変幅領域２１のＡＢＳ３０から離れた側から連続して形成されている。また、定幅領域２２は、記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた位置において、バック磁極層５１と磁気的に連結されている。

図１に戻って、主磁極層１０と、ライトシールド層４０の後述する第１のシールド部４１、絶縁層３１およびバック磁極層５１との間には、記録ギャップ層２４が介在している。

ここで、ライトシールド層４０は、第１のシールド部４１と、第２のシールド部４２と、第３のシールド部４３とを有している。第１のシールド部４１は、ＡＢＳ３０側において、記録ギャップ層２４を挟んで主磁極層１０の磁極端部１１と対向し、ＡＢＳ３０に交差する方向のＡＢＳ３０からの奥行きによって、ネックハイトＮＨが決まるようにして形成されている。第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１とバック磁極層５１に薄膜コイル１００に近い側から接続するように形成され、薄膜コイル１００の厚さと同等の高さを有している。第３のシールド部４３は第２のシールド部４２に接続され、絶縁層３２を介して薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆するようにして形成されている。

バック磁極層５１は、記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた部分において、ヨーク磁極部２０に接続されている。また、バック磁極層５１は、第２のシールド部４２に磁気的に連結され、第２のシールド部４２とともに連結部４４を形成している。

また、ヨーク磁極部２０の上方には、薄膜コイル１００が、記録ギャップ層２４および絶縁層３１を介し、可変幅領域２１と定幅領域２２とを跨ぐように形成されている。また、薄膜コイル１００は、ライトシールド層４０に対して、絶縁層３１，３２を介して絶縁された状態で、ライトシールド層４０の回りに平面渦巻き状に巻回されている。なお、この薄膜コイル１００は、適宜、主磁極層１０周りをらせん状に巻回するヘリカル型のコイルに変更してもよい。

以上のような構成を有する薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、極細溝部３の中間部分において、ＡＢＳ３０を形成するように切断することで、本発明における薄膜磁気ヘッド３００Ａ（図１参照）となる。

そして、以上で詳細に説明したように、主磁極層１０の磁極端部１１には、極細溝部３で成型された均一幅部１２が形成されている。そのため、薄膜磁気ヘッドの製造に際し、ＡＢＳ３０を形成するように極細溝部３の中間部分において切断をおこなうと、磁極端部１１のこの均一幅部１２で主磁極層１０が切断される。ここで、均一幅部１２は均一幅（すなわち、その長さ方向に関してＷ１が変わらない）となっているので、その切断位置が均一幅部１２が延在する範囲で前後した場合でも、切断面（ＡＢＳ３０）に現れる磁極端部１１´の幅Ｗ１（すなわち、トラック幅）に変わりがない。

一方、磁極端部の幅が充分に均等でない従来の磁気ヘッド用構造物では、ＡＢＳ切断時にその切断位置が前後した場合に、ＡＢＳに現れる磁極端部の幅が変わってしまい、製品毎にトラック幅のバラツキが生じてしまう。これに対して、薄膜磁気ヘッドの作製に際し、磁極端部１１に均一幅部１２が形成されたこの薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いることで、高い精度でトラック幅が制御された薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
（薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法）

次に、上述の図１〜図４に加えて、図５、図６、図８、図９および図１１〜図１３を参照して、上述の構造を有する薄膜磁気ヘッド用構造物３００の製造方法について説明する。

ここで、図５、図６、図８、図９は、製造方法の各工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。また、（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は、（Ｂ）におけるＡＢＳ３０で切断した断面図である。また、図１１〜図１３は、製造方法の各工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）はＡＢＳに直交する面で切断した断面図であり、（Ｄ）は（Ａ）におけるＡＢＳ３０で切断した断面図である。

薄膜磁気ヘッド用構造物３００の作製にあたり、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣ）よりなる図示しない基板の上に、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッド用構造物を積層する。次に、絶縁層１をアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や非磁性材を用いて形成する。

次に、絶縁層１にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、絶縁層１の表面をキャビティ２に対応した形状に露出させるレジストパターンを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクにして、反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という）を行い、絶縁層１のレジストパターンで被覆されない部分を除去して、図２（Ａ），（Ｂ）及び図５（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示したキャビティ２を形成する。

次に、図６に示すように、絶縁層１の表面全体に被膜１６を形成する。この被膜１６は、図７に示すように、絶縁層１に近い方から順に、Ａｌ_２Ｏ_３層１６ａ、Ｔａ層１６ｂ、シード層１６ｃが積層された３層構造となっている。Ａｌ_２Ｏ_３層１６ａおよびＴａ層１６ｂは、ＲＩＥによって形成した極細溝部３の寸法（幅および深さ）をより高い精度で制御するために形成される。そして、Ａｌ_２Ｏ_３層１６ａはＡＬＣＶＤ法によって、Ｔａ層１６ｂはスパッタ法によって積層され、両層合わせて約２００〜５００Åの厚さで形成される。また、シード層１６ｃは、キャビティ２内に磁性材をめっきするためのものであり、スパッタ法又はＩＢＤ法（イオンビーム蒸着法）により厚さ約４００Åで形成される。なお、Ｔａ層１６も磁性材のめっきの際にシード層として利用することができるため、シード層１６ｃは、適宜、省略可能である。

このようにして形成した被膜１６のシード層１６ｃ上に、図８に示すように、高い飽和磁束密度（２．３〜２．４Ｔ程度）を有する磁性材であるＣｏＮｉＦｅからなる磁性層２６をめっき成膜する。この磁性層２６の厚さは約０．７μｍであり、この磁性層２６が後に主磁極層１０となる。

続いて、図９および図１０に示すように、磁性層２６の薄膜コイル１００に近い側の表面を含む基板の表面全体を、被膜１６のＴａ層１６ｂ表面を終点とする化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）をおこない、磁性層２６の表面平坦化処理を行う。それにより、キャビティ２に埋め込まれるようにして主磁極層１０が形成される。このように、極細溝部３の近傍に成膜されているＴａ層１６ｂを、ＣＭＰの終点検出に利用することで、極細溝部３近傍における研磨量の調整を高精度におこなうことができる。すなわち、磁極端部１１の高さが、被膜１６に覆われたキャビティ２の深さに高精度で合致する。

表面平坦化処理を行った後は、記録ギャップ層２４、第１のシールド部４１、バック磁極層５１および絶縁層３１を、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように形成する。

より具体的に説明すると、まず、主磁極層１０を含む基板の上面全体を覆うようにして、記録ギャップ層２４を形成するための被膜３４を４００〜５００Åで形成する。この被膜３４の材料はアルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌ_２Ｏ_３，Ｓｉ_２Ｏ_３，ＮｉＰｄ等の非磁性金属材料でもよい。この被膜３４によって、後に記録ギャップ層２４が形成される。次に、被膜３４のうちの、第１のシールド部４１とバック磁極層５１が形成される部分を開口した上で、第１のシールド部４１とバック磁極層５１を形成する。この場合、第１のシールド部４１はネックハイトＮＨを決めるように、記録ギャップ層２４を介して磁極端部１１と対向するようにして形成される。また、バック磁極層５１は、ヨーク磁極部２０における記録ギャップ層２４で被覆されない箇所に接合されるように形成される。第１のシールド部４１とバック磁極層５１はヨーク磁極部２０と同様のＣｏＮｉＦｅや、ＮｉＦｅを磁性材に用いて、めっきで形成すればよい。そして、基板の上面全体を覆うように、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる絶縁層３１を例えば１．０〜１．５μｍの厚さで形成する。

続いて、第１のシールド部４１とヨーク磁極部２０の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。これにより、第２のシールド部４２を形成すべき箇所に開口部が形成される。そして、図１２に示すように、絶縁層３１の上に、導電性材料からなる電極膜（図示せず）およびフォトリゾグラフィによるフレームを形成した上で、電極膜を用いた電気めっきを行い、Ｃｕよりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の電極膜が薄膜コイル１００になる。薄膜コイル１００は絶縁層３１を介してヨーク磁極部２０上に形成される。

次に、図示しないが、フォトリゾグラフィによって、フレームを形成し、フレームめっき法によって、第２のシールド部４２を形成する。第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１と同じ磁性材を用いる。なお、この第２のシールド部４２と、薄膜コイル１００とは、順序を逆にして形成してもよい。

さらに、基板の上面全体を覆うようにフォトレジスト１０１を塗布し、その上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる絶縁層３５を厚さ３．０〜４．０μｍ程度で形成した後、表面全体をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う（図１３参照）。

さらに続いて、基板の上面全体を覆うようにアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる絶縁層を０．２μｍ程度の厚さで形成した後、第２のシールド部４２が形成されている箇所に開口部を設ける。これによって、薄膜コイル１００と、第３のシールド部４３とがショートしないように絶縁するための絶縁層３２が得られる。最後に、第３のシールド部４３を２〜３μｍ程度の厚さで形成すると、ライトシールド層４０が形成される。以上までの各工程を経ることによって、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッド用構造物３００が得られる。

ここで、被膜１６で覆われたキャビティ２が、磁性層２６で充たされる過程について、図１４、図１５および図１６を参照しつつ説明する。

キャビティ２に被膜１６を形成した状態（図６に示した状態）から磁性層２６のめっき成膜を開始すると、キャビティ２の底面および内側面に形成されている被膜１６のシード層１６ｃ表面から、磁性層２６が徐々に成長していく。このとき、図１４および図１５に示すように、可変幅凹部４および張出凹部６（図２参照）の内側面に成長しためっき（磁性材）のうち、極細溝部３の近傍（図１４の一点鎖線円Ｃ参照）のめっき同士がぶつかり合い、その結果、極細溝部３の両側から極細溝部３の中に入り込む。なお、図１４における矢印は、異方成長する磁性材結晶２６ａの成長方向を示している。このようにして、図１５に示すように、極細溝部３が、極細溝部３内で成長しためっきと、その両側の可変幅凹部４および張出凹部６で成長しためっきとによって充たされていく。さらにめっき成膜が進行すると、図１６に示すように、可変幅凹部４および張出凹部６から極細溝部３内に入り込んだ磁性層２６が、隙間なく極細溝部３を充塞してしまう。

なお、可変幅凹部４や張出凹部６に比べて極細溝部３のほうが底面積が小さくなっているため、シード層１６ｃ上において均一なめっき成膜をおこなった場合には、極細溝部３に形成される磁性層２６の厚さはキャビティ２内の他の領域（すなわち、可変幅凹部４、張出凹部６および定幅凹部５）に形成される磁性層２６の厚さよりも厚くなる。この状態から、さらにめっき成膜をおこなうことにより、キャビティ２全体を埋める磁性層２６が形成される（図８参照）。

なお、極細溝部３の長さが長すぎる場合には、上述した極細溝部３の両側からの磁性層２６の回り込みが充分におこなわれず、図１７に示すように、極細溝部３に対応する磁極端部１１´にキーホール１５が生成される。このキーホール１５は、磁極端部１１´の延在方向に延び、断面が略Ｖ字状となっている。このキーホール１５は、極細溝部３の長さが１．２μｍ以下にすると生成されないことが、発明者らの研究の末、明らかになった。なお、極細溝部３を覆う被膜１６の厚さは、極細溝部３の長さや幅に対して無視できる程度に薄いため、極細溝部３の長さおよび幅と均一幅部１２の長さおよび幅とは実質的に等しい。

すなわち、可変幅凹部４および張出凹部６において成長しためっきが極細溝部３に入り込んで、極細溝部３をより確実にめっきで充塞させるためには、極細溝部３の長さ（すなわち、均一幅部１２の長さ）は１．２μｍ以下（例えば、０．８μｍ）であることが好ましい。ただし、極細溝部３の長さが０．３μｍ未満になるとＡＢＳ切断をおこないにくいため、極細溝部３の長さは０．３μｍ以上であることが好ましい。なお、ＣＤ−ＳＥＭを用いての自動測長をより確実におこなうことができる点で、極細溝部３の長さは０．５μｍ以上であることがより好ましい。また、極細溝部３の幅（すなわち、均一幅部１２の幅）が０．２μｍ以下である場合には、極細溝部３内でのめっき成長がおこりにくいため、極細溝部３の長さを１．２μｍ以下とすることは、極細溝部３をめっきで隙間なく充塞させる上で非常に効果的である。

以上で説明した製造方法によれば、確かに、均一幅部１２を有する主磁極層１０が形成される。従って、薄膜磁気ヘッドの作製に際し、この製造方法によって作製された薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いることで、高い精度でトラック幅が制御された薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

ここで、従来のＰＭＲでは、主磁極層における磁極端部のＡＢＳ側部分をベベル形状にするにあたって、次のようにすることがあった。すなわち、従来のＰＭＲでは、図１８（Ａ）に示すように、絶縁層５００に形成されている主磁極層５０１にアルミナからなる絶縁層５０２を形成し、イオンビームＰの直接照射によってイオンビームエッチング（以下「ＩＢＥ」という）を行うことがあった。この場合、主磁極層５０１の各位置におけるエッチングスピードは、イオンビームの照射具合によって異なっていた。すなわち、ビーム中心からの距離や、磁極端部へのビーム照射を阻害する障壁（例えば、上述したヨーク磁極部２０の可変幅領域２１など）などに起因して、エッチングスピードが速い部分と、エッチングスピードが遅い部分とが生じていた。そのため、どうしても均一な幅を有する磁極端部を備えた主磁極層を得ることができなかった。従って、上述したように、ＡＢＳ切断時にその切断位置が前後した場合、ＡＢＳに現れる磁極端部の幅が変わってしまい、製品毎にトラック幅のバラツキが生じてしまっていた。

さらに、従来のＰＭＲでは、ＩＢＥによる絶縁層５００のエッチングスピードよりも、主磁極層５０１における磁極端部のエッチングスピードが遅く、磁極端部をベベル形状にするためにはＩＢＥを長い時間行う必要があった。そのため、磁極端部のＡＢＳ側部分が図１８（Ｂ）に示すように、径の細い縮径部５０１ａを含む形状になっていた。

加えて、従来のＰＭＲでは、図１９（Ａ）に示すような形状で主磁極層５０１を形成しようとしたにもかかわらず、トラック幅に対応した幅の狭い帯状部分５０１ｂの後端部分（フレアポイント）が図１９（Ｂ）に示すように後退して、ネックハイトＮＨが想定していた長さ（約０．１５μｍ）よりもｄ（約０．２〜０．３μｍ）だけ長くなってしまう、という問題があった。一般に、主磁極層の磁極端部の切断位置は、上記フレアポイントからの距離によって決定されるため、フレアポイントのエッジが後退したり、エッジが削られたりした場合には、フレアポイントの位置特定が困難になり、トラック幅がズレる事態を招くこととなる。その上、このような従来のＰＭＲでは、ＡＢＳ５０３に近い箇所の磁気量を大きくすることが困難であったため、オーバーライト特性（記録媒体に記録されているデータに別のデータを上書きしてしまう特性）を良好にすることが難しいという問題があった。

また、従来、主磁極層５０１における磁極端部は、フォトリゾグラフィによりめっき形成されていたが、ＡＢＳ側部分をベベル形状にするときに、図２０（Ａ）に示すようにテーパー角をもったレジストパターン５０４と、レジストパターン５０４と絶縁層５００との間に介在するシード層５０５とが用いられることがあった。この場合、記録密度を向上させるためにトラック幅を狭めようとすると、図２０（Ｂ）に示すように、レジストパターン５０４を除去した後にイオンビームＰを照射して、ＩＢＥによる長時間の調節作業（trimming）を行う必要があった。その結果、やはり上述したＩＢＥのエッチングスピードの問題で、均一な幅を有する磁極端部を備えた主磁極層を得ることができなかった。

一方、図２１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、予め幅の狭いレジストパターンを作成してめっきを行った場合には、シード層５０５の露出面が狭くなってしまうため、シード層５０５は、レジストパターン５０４によって画成された溝部に主磁極層５０１を充分に成長させるほどの電気を供給することができなかった。また、幅の狭い主磁極層５０１の磁極端部にＩＢＥを施した場合には、磁極端部が倒れるおそれもあった。

このように、従来のＰＭＲでは、記録密度を向上させるために磁極端部の幅を狭めようとすると、その幅が不均一にならざるを得なかった。

これに対し、本実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、キャビティ２を備えた絶縁層１を有し、そのキャビティ２に主磁極層１０が埋め込まれているため、以上のような問題をすべて解消できるようになっている。

すなわち、キャビティ２が、主磁極層１０の外形形状に対応した形状に窪ませたものであるため、主磁極層１０がキャビティ２に埋め込まれるようにして形成されると、主磁極層１０を設定したとおりの形状および寸法で形成することができる。また、キャビティ２の極細溝部３によってトラック幅が決まるため、磁極端部をベベル形状にするためにＩＢＥを長い時間行う必要は一切ない。そのため、ネックハイトを想定したとおりの値に設定でき、ＡＢＳに近い箇所の磁気量を大きくすることが可能であり、オーバーライト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを製造できるようになっている。

また、極細溝部３の幅を可能なかぎり狭めればトラック幅を狭めることができる上、その極細溝部３によってトラック幅を想定したとおりの値に設定できるため、トラック幅が狭いだけでなく、その寸法精度および歩留まりも良好になり、形成された磁極端部が倒れるおそれも皆無である。したがって、薄膜磁気ヘッド用構造物３００のようなキャビティ２を有することにより、記録密度の高められる主磁極層を確実に形成することができる。

なお、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの主磁極層１０は、以下に示す製造方法によって、接合構造を有するものにすることも可能である。すなわち、図２２に示すように、極細溝部３が磁性層２６で完全に埋められた状態（図１６に示した状態）で、磁性層２６となる磁性材の供給をやめる。このとき、磁性層２６はキャビティ２における極細溝部３以外の領域内において露出した凹部内端面２６ａを有し、本発明における端面付磁極層となっている。そして、磁性層２６を構成する磁性材よりも飽和磁束密度の低い磁性材（１．９〜２．１Ｔ程度）の供給を開始する。それにより、キャビティ２の内側面の表面と極細溝部３とに磁性層２６が形成され、キャビティ２の極細溝部３以外の部分に厚さ１．０μｍ程度の磁性層２７が充填された状態となる（図２２（Ａ）参照）。

このとき、キャビティ２内において、磁性層２６の凹部内端面２６ａに磁性層２７が接合して、その両者の接合部分が境界面２８になる。すなわち、この磁性層２７が本発明における接合磁極層となっており、この磁性層２７によって、後にヨーク磁極部２０Ａ´が形成される。また、境界面２８は後に境界面１４になる。さらに、基板の表面全体における絶縁層１の外側部分にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる絶縁層２９を０．５〜１．０μｍ程度の厚さで形成する（図２２（Ｂ）参照）。

続いて、磁性層２６および磁性層２７の薄膜コイル１００に近い側の表面を含む基板の表面全体を、上述した被膜１６のＴａ層１６ｂをストッパ層としてＣＭＰ研摩して、表面平坦化処理を行う（図２２（Ｃ）参照）。それにより、図２３に示すような主磁極層１０Ａ´が得られる。

主磁極層１０Ａ´は、図２３に示すように、磁極端部１１Ａ´と、ヨーク磁極部２０Ａ´とを有し、図４に示した主磁極層１０´同様、薄膜コイル１００に近い側の表面が段差のない平坦な構造を有している。ここで、図２３はＡＢＳ３０に沿って切断した後の主磁極層１０Ａ´を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。また、図２４は主磁極層１０Ａ´を示す平面図である。この主磁極層１０Ａ´は、磁極端部１１Ａ´とヨーク磁極部２０Ａ´とのＡＢＳ３０に沿った方向の端面同士が、キャビティ２における極細溝部３以外の領域（可変幅凹部４）において接合された端面接合構造を有している。そして、端面同士の接合によって、境界面１４が形成されている。

磁極端部１１Ａ´は、ヨーク磁極部２０Ａ´よりも、ＡＢＳ３０に近い位置に配置されている。磁極端部１１Ａ´は、本発明における薄膜磁気ヘッドのトラック幅を規定する均一幅部１２と、ＡＢＳ３０に沿った方向の横幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がる可変幅構造の可変幅部１３とで構成されている。均一幅部１２は、ＡＢＳ３０に交差する方向に延在しており、磁極端部１１´の延在方向に関する幅が均一で０．１μｍとなっている。なお、ＡＢＳ３０から磁極端部１１Ａ´の後端部までの奥行きＤ２は、ＡＢＳ３０からヨーク磁極部２０Ａ´の後端部までの奥行きＤ１よりも短く、磁極端部１１Ａ´がライトシールド層４０に接続されない縮長構造を有するようになっている。

そして、磁極端部１１Ａ´は薄膜磁気ヘッドによるデータの記録密度を高くするため、磁極端部１１´同様、幅Ｗ１を狭めた狭トラック幅構造になっている。そして、磁極端部１１Ａ´は、狭トラック幅構造にしても磁束の飽和が起きないように、ヨーク磁極部２０Ａ´よりも飽和磁束密度の高い磁性材（Hi−Bs材）が用いられている。磁極端部１１Ａ´およびヨーク磁極部２０Ａ´は、磁化ｍｓの方向がＡＢＳ３０に沿った方向に揃うようにして磁化されている（図２４参照）。

ここで、従来のＰＭＲの中には、例えば図２５（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すような構造を有する薄膜磁気ヘッド４００があった。この薄膜磁気ヘッド４００は、絶縁層４０１上に形成され、ＡＢＳ４０３の側に配置された磁極端部がベベル形状を有する主磁極層４０２と、主磁極層４０２と磁気的に連結され、ＡＢＳ４０３の側で記録ギャップ層４０４を挟んで、主磁極層４０２と対向するライトシールド層４０５と、薄膜コイル４０６とを有している。また、薄膜コイル４０６がフォトレジスト４０７により互いに絶縁され、主磁極層４０２と、ライトシールド層４０５とを連結する連結部４０８の周りに平面渦巻き状に巻回されている。そして、この薄膜磁気ヘッド４００のように従来のＰＭＲでは、磁化ｍｓの方向がＡＢＳ４０３に沿った方向を向くように磁性材を磁化して、主磁極層４０２を形成している。

そして、薄膜磁気ヘッド４００のような従来のＰＭＲでは、磁化ｍｓの方向をＡＢＳ４０３に沿った方向に揃えても、書き込み終了後における主磁極層４０２の内部の残留磁化（remnant magnetization）ｍｒの方向がＡＢＳ４０３側を向き、磁化ｍｓとは異なる方向を向いてしまう（以下、ＡＢＳに沿った方向と異なる方向を「異方向」という）。そのため、このようなＰＭＲによってデータの書き込みを行うと、記録電流（ｗrite current）を流していないにも関わらず、残留磁化ｍｒによる漏れ磁束によって、既にハードディスクに書き込まれているデータが消去されたり、書き込まれたデータの信号が弱められてしまうというわけである。

つまり、従来のＰＭＲでは、主磁極層４０２がＡＢＳ４０３から薄膜コイルを挟んで反対側の端部まで、すべて同じ磁性材を用いて形成されていたため、残留磁化ｍｒがＡＢＳ４０３側を向いてしまっていた。一方、磁極端部１１Ａとヨーク磁極部２０Ａという２つの磁極による端面接合構造を有する主磁極層１０Ａを備えた薄膜磁気ヘッド用構造物３００によれば、図２４に示すように、磁極端部１１Ａとヨーク磁極部２０Ａとの端面接合による境界面１４によって、ヨーク磁極部２０Ａから磁極端部１１Ａへの残留磁化ｍｒ_２０の放出が遮断されるようになっている。そのため、主磁極層１０Ａを備えた薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、ＡＢＳ３０側を向いてしまう残留磁化ｍｒが少ない薄膜磁気ヘッドを製造することができる。そのため、このような薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いることによって、ポールイレージャーの発生を効果的に防止可能な薄膜磁気ヘッドが得られる。なお、主磁極層１０Ａを構成する磁性材料と、ヨーク磁極部２０Ａを構成する磁性材料とが同じ材料であっても、端面接合構造を形成することができるため、ポールイレージャーの発生を防止することができる。

しかも、磁極端部１１Ａをヨーク磁極部２０Ａよりも小さくし、ヨーク磁極部２０Ａが磁極端部１１Ａよりも大きさ（面積）が大きくなるようにしているため、ヨーク磁極部２０Ａの磁気量（magnetic volume、磁気ボリュームともいう）は、磁極端部１１の磁気量よりも大きくなっている。しかし、境界面１４によって、その磁気量の大きいヨーク磁極部２０Ａからの残留磁化の放出が遮断され、残留磁化の放出が激減するようになっているので、ポールイレージャーの発生がより効果的に防止されるようになっている。

さらに、図１４を参照して説明したように、極細溝部３の内側面において成長する磁性体は、磁性体結晶２６の結晶方向が極細溝部３を横断する方向を向いている。すなわち、この結晶方向と、極細溝部３内に形成される均一幅部１２内の磁界の方向（すなわち、極細溝部３の延在方向）とが直交関係にある。磁性体結晶２６ｂの結晶成長方向と、主磁極層１０の均一幅部１２内における磁界の方向とが、このような関係にある場合、上述したポールイレージャーの発生をより効果的に抑制できることを、発明者らは新たに見出した。

ところで、一般にＰＭＲの場合、主磁極層は最大保持力Ｈｃが小さく（２〜１０Ｏｅ程度）、磁歪（Magnetostriction）λが小さい（１〜３×１０^−６）磁性材が望ましいとされており、ポールイレージャーを解消するにも、磁歪（Magnetostriction）λが小さい磁性材が望ましいとされている。

そして、記録密度が向上するようにトラック幅を狭めても、磁束の飽和に伴うオーバーライト特性の悪化が生じないようにするには、主磁極層の磁性材を飽和磁束密度の高い磁性材で形成するのが望ましい。しかし、そうすると、主磁極層の磁歪λを小さくすることが難しくなる。この点を考慮して、上述した主磁極層
１０Ａを有する薄膜磁気ヘッド用構造物３００では、主磁極層１０Ａを飽和磁束密度の異なる磁極端部１１Ａとヨーク磁極部２０Ａとの接合構造とし、しかも、ヨーク磁極部２０Ａの飽和磁束密度を磁極端部１１Ａの飽和磁束密度よりも低くして、ヨーク磁極部２０Ａの磁歪λが小さくなるようにしている。こうすることによって、主磁極層１０Ａの全体としての磁歪λが小さくなるようにしている。したがって、このような薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いることによって、ポールイレージャーの発生をより効果的に防止可能な薄膜磁気ヘッドが得られるようになっている。
変形例

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
（変形例１）

上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００の製造工程は次のように変更することができる。すなわち、図１２（Ａ），（Ｂ）を用いて説明したように、基板の上面全体をＣＭＰにより研摩した後、第２のシールド部４２よりも先に絶縁層３１を介して薄膜コイル１００を形成する。次に、薄膜コイル１００を被覆するようにしてフォトレジスト１０１を形成する。さらに、薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆し、第１のシールド部４１およびバック磁極層５１に接続されるようにして、第２のシールド部４２を形成する。すると、図２６（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する薄膜磁気ヘッド用構造物３０１が得られる。

この薄膜磁気ヘッド用構造物３０１は、薄膜磁気ヘッド用構造物３００と比較して、第３のシールド部４３を有しない点と、絶縁層３２を有しない点とで異なるが、他は同じ構成を有する。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３０１は、薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様の作用効果を奏する。また、本変形例における製造工程では、第３のシールド部４３を製造するための工程を要しないため、薄膜磁気ヘッド用構造物３００の製造工程よりも工程を簡略化することができる。
（変形例２）

上述した端面接合された磁極端部１１Ａとヨーク磁極層２０Ａとの間に、図２７に示した薄膜磁気ヘッド用構造物３１０のように、非磁性膜６１を介在させてもよい。この非磁性膜６１は、ヨーク磁極部２０の薄膜コイル１００側の表面以外の部分に形成されている。つまり、非磁性膜６１は磁極端部１１とヨーク磁極部２０との境界面１４およびヨーク磁極部２０と被膜１６との間の部分に配置されている。非磁性膜６１はＲｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，ＮｉＰｄ等からなり、厚さは約１０〜３０Åとなっている。

この非磁性膜６１は、磁極端部１１およびヨーク磁極部２０における残留磁化ｍｒの方向を制御し、その残留磁化ｍｒの方向が異方向を向くことを防止する機能を有している。よって、薄膜磁気ヘッド用構造物３１０は、薄膜磁気ヘッド用構造物３００よりも記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を一層効果的に防止することができるようになっている。
（変形例３）

さらに、図２８に示した薄膜磁気ヘッド用構造物３２０のように、適宜、上部ヨーク磁極部４５を設けてもよい。この薄膜磁気ヘッド用構造物３２０は、上部ヨーク磁極部４５を有するが、この上部ヨーク磁極部４５はヨーク磁極部２０における薄膜コイル１００に近い側の表面の、記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた位置に接合されている。上部ヨーク磁極部４５は、第１シールド部４１をめっきで形成するときに第１シールド部４１と一緒に形成される。

この上部ヨーク磁極部４５をヨーク磁極部２０に接合することによって、主磁極層１０のＡＢＳ３０付近の磁気量を増やすことができる。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３２０によれば、オーバーライト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。この薄膜磁気ヘッド用構造物３２０を製造するときは、ヨーク磁極部２０における記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた部分に上部ヨーク磁極部４５を接合する工程を更に設ければよい。
（変形例４）

同様に、図２９に示した薄膜磁気ヘッド用構造物３３０のように、適宜、下部ヨーク磁極部４６を設けてもよい。この薄膜磁気ヘッド用構造物３３０は、下部ヨーク磁極部４６を有するが、この下部ヨーク磁極部４６はヨーク磁極部２０を挟んで薄膜コイル１００に対向する位置のヨーク磁極層２０Ａ表面に接合されている。この下部ヨーク磁極部４６は、公知のフォトリゾグラフィ技術を用いてキャビティ２を形成する段階で形成される。

そして、この下部ヨーク磁極部４６をヨーク磁極部２０に接合することによって、上記の上部ヨーク磁極部４５同様、主磁極層１０のＡＢＳ３０付近の磁気量を増やすことができる。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３３０によれば、オーバーライト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
（変形例５）

また、上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００，３０１，３１０，３２０，３３０が備えるキャビティ２の形状は、図２に示した形状に限定されず、図３０〜図３５に示した形状などに適宜変更することができる。

すなわち、図３０に示したキャビティ２Ａでは、可変幅凹部４が、フレア角の異なる２段の可変幅凹部４ａ，４ｂで構成されている点で、図２に示したキャビティ２と異なる。また、図３１に示したキャビティ２Ｂでは、可変幅凹部４がフレア角の異なる２段の可変幅凹部４ａ，４ｂで構成されている点に加えて、張出凹部６が可変幅凹部６ａと定幅凹部６ｂとで構成されている点で、図２に示したキャビティ２と異なる。さらに、図３２に示したキャビティ２Ｃでは、可変幅凹部４がフレア角の異なる２段の可変幅凹部４ａ，４ｂで構成されている点と、張出凹部６がフレア角の異なる２段の可変幅凹部６ａ，６ｂで構成されている点で、図２に示したキャビティ２と異なる。そして、図３３に示したキャビティ２Ｄでは、張出凹部６が、可変幅凹部６ａと定幅凹部６ｂとで構成されている点で、図２に示したキャビティ２と異なる。

また、図３４に示したキャビティ２Ｅでは、ヨーク磁極層２０に対応する凹部が、フレア角の異なる２段の可変幅凹部４ａ，４ｂと、定幅凹部４ｃとで構成されている。さらに、図３５に示したに示したキャビティ２Ｆでは、ヨーク磁極層２０に対応する凹部はフレア角の異なる２段の可変幅凹部４ａ，４ｂで構成されており、その境界位置における互いの幅が相違している。すなわち、可変幅凹部４ａと可変幅凹部４ｂとの境界位置において、可変幅凹部４ａの幅に比べて可変幅凹部４ｂの幅が広くなっている。なお、図３０〜図３５には、フレア角の角度を例示しているが、この角度に限定されるものではない。

なお、上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００，３０１，３１０，３２０，３３０は、必ずしもキャビティ２を用いて製造する必要はなく、適宜、公知のフォトリゾグラフィ技術に変更することができる。また、磁極端部の端面形状は、公知の端面形状を有していてもよく、必ずしもベベル形状でなくてもよい。さらに、磁極端部の均一幅部の幅は０．１μｍに限らず、０．２μｍ以下であれば適宜増減してもよい。

図１は本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図２は絶縁層を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。 図３は図２の要部を拡大して示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ｂ）における要部を拡大して示す断面図である。 図４はＡＢＳに沿って切断した後の主磁極層を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。 図５は製造方法の一工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。 図６は図５の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。 図７は図６の要部拡大図であり、図６の（Ｄ）の極細溝部に形成された被膜の構成を示した図である。 図８は図６の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。 図９は図８の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。 図１０は図９の要部拡大図であり、図９の（Ｄ）の極細溝部に形成された被膜の構成を示した図である。 図１１は図９の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図１２は図１１の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図１３は図１２の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図１４は、キャビティに磁極層が形成される際の極細溝部の状態を示した要部拡大図である。 図１５は図８に至る工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。 図１６は図１５の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。 図１７は従来の主磁極層に発生するキーホールを示す図である。 図１８は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図で、（Ａ）はエッチング前、（Ｂ）はエッチング後を示す図である。 図１９は従来の薄膜磁気ヘッドにおける主磁極層を示す平面図で、（Ａ）は設定通りの主磁極層、（Ｂ）は製造された主磁極層を示す図である。 図２０は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図で、（Ａ）はフォトレジストのある状態、（Ｂ）はフォトレジストの除去後を示す図である。 図２１は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図で、（Ａ）は別のフォトレジストのある状態、（Ｂ）はフォトレジストの除去後を示す図である。 図２２は薄膜磁気ヘッド用構造物の異なる製造方法を示す断面図であり、（Ａ）は第１の工程を示す図、（Ｂ）は第２の工程を示す図、（Ｃ）は第３の工程を示す図である。 図２３はＡＢＳに沿って切断した後の主磁極層を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。 図２４は図２３に示した主磁極層の平面図である。 図２５は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。 図２６は変形例１に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図２７は変形例２に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図２８は変形例３に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図２９は変形例４に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。 図３０はキャビティの一態様を示した図である。 図３１はキャビティの一態様を示した図である。 図３２はキャビティの一態様を示した図である。 図３３はキャビティの一態様を示した図である。 図３４はキャビティの一態様を示した図である。 図３５はキャビティの一態様を示した図である。

符号の説明

１…絶縁層、２，２Ａ〜２Ｆ…キャビティ、３…極細溝部、４…可変幅凹部、６…張出凹部、１０，１０Ａ…主磁極層、１１，１１Ａ…磁極端部、１２…均一幅部、２０，２０Ａ…ヨーク磁極部、２４…記録ギャップ層、２６…磁性層、２７…磁性層、３０…ＡＢＳ、４０…ライトシールド層、１００…薄膜コイル、３００，３０１，３１０，３２０，３３０…薄膜磁気ヘッド用構造物、３００Ａ…薄膜磁気ヘッド、Ｗ１…幅。

Claims (13)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、
   前記主磁極層の前記磁極端部が、前記媒体対向面に交差する延在方向に沿って幅が略均一である均一幅部を有する、薄膜磁気ヘッド用構造物。
2. 前記主磁極層に対応する形状に窪み、幅が略均一である極細溝部を含む磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を更に備え、前記磁極形成用凹部の前記極細溝部に前記均一幅部が形成されている、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
3. 前記磁極形成用凹部は、前記極細溝部の各端部から連続的に延びると共に、前記極細溝部から離れるにしたがって漸次幅が広がる１対の可変幅凹部を有し、
   前記極細溝部が、前記磁極形成用凹部内にめっき法を用いて前記主磁極層を形成する際、前記可変幅凹部において成長しためっきが前記極細溝部を隙間なく充塞可能な幅及び長さを有する、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
4. 前記均一幅部のその延在方向に沿った長さが０．３〜１．２μｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
5. 前記均一幅部の幅が０．２μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
6. 前記主磁極層は、前記磁極端部と、前記磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
7. 前記極細溝部が、奥行き方向に交差する方向の溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されている、請求項２〜６のいずれか一項に記載の記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
8. 記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、
   前記主磁極層の前記磁極端部を形成する際、前記磁極端部の少なくとも一部が、その延在方向に関する幅が略均一である均一幅部となるように形成する、薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
9. 前記主磁極層の前記磁極端部を形成する工程は、
   前記主磁極層に対応する形状に窪み、幅が略均一である極細溝部を有する磁極形成用凹部を備えたベース絶縁層を形成する工程と、
   前記磁極形成用凹部内を磁性材料で充たして、前記主磁極層を形成すると共に、前記極細溝部内に前記均一幅部を形成する工程とを含む、請求項８に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
10. 前記磁極形成用凹部は、前記極細溝部の各端部から連続的に延びると共に、前記極細溝部から離れるにしたがって漸次幅が広がる１対の可変幅凹部を有しており、
    前記極細溝部内に前記均一幅部をめっき法を用いて形成する際、前記可変幅凹部において成長しためっきが前記極細溝部を隙間なく充塞する、請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
11. 前記主磁極層を形成する工程は、
    前記ベース絶縁層の前記磁極形成用凹部における前記極細溝部以外の領域において露出した凹部内端面を有する端面付磁極層を形成する工程と、
    前記端面付磁極層における前記凹部内端面に接合された接合磁極層を形成する工程とを含む、請求項９又は１０に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
12. 前記主磁極層を形成する際、
    前記磁極形成用凹部のうち、前記極細溝部内を充たす前記磁性材料の厚さが、前記極細溝部以外の領域の前記磁性材料の厚さよりも厚くなる、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
13. 記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
    前記主磁極層の前記磁極端部が、その延在方向に関する幅が略均一である均一幅部を有する、薄膜磁気ヘッド。

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