JP2002208111A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JP2002208111A JP2001081644A JP2001081644A JP2002208111A JP 2002208111 A JP2002208111 A JP 2002208111A JP 2001081644 A JP2001081644 A JP 2001081644A JP 2001081644 A JP2001081644 A JP 2001081644A JP 2002208111 A JP2002208111 A JP 2002208111A
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yoke
pole
thin
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Keiichi Sato
慶一 佐藤
Tetsuya Roppongi
哲也 六本木
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂
直な方向の磁界を大きくすることができ、且つ記録密度
を向上させることができるようにする。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８およ
び第２の磁性層１４と、第１の磁性層８と第２の磁性層
１４との間に設けられたギャップ層９と、一部が第１の
磁性層８および第２の磁性層１４の間に設けられた薄膜
コイル１０とを備えている。第２の磁性層１４は、磁極
部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂと連結部１４Ｃとを
有している。ヘッドは更に、磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側に設けられた非磁性層１５を備えてい
る。ヨーク部分層１４Ｂは磁極部分層１４Ａの後端面に
接続され、その接続面を含む断面において、ヨーク部分
層１４Ｂの厚みは磁極部分層１４Ａの厚みよりも大き
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書込み
用の誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置における記録方式に
は、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）
とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体
の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがあ
る。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、
記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密
度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドは、
一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリ
ング面）と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側に
おいてギャップ部を介して互いに対向する磁極部分を含
む第１および第２の磁性層と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた
構造になっている。
【０００４】一方、垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッ
ドには、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドと同様の
構造のリングヘッドと、一つの主磁極によって記録媒体
の面に対して垂直方向の磁界を印加する単磁極ヘッドと
がある。単磁極ヘッドを用いる場合には、記録媒体とし
ては一般的に、基板上に軟磁性層と磁気記録層とを積層
した２層媒体が用いられる。
【０００５】ところで、近年の高記録密度化に伴い、薄
膜磁気ヘッドではトラック幅の縮小が望まれている。そ
のため、上記単磁極ヘッドにおいても主磁極の幅の縮小
が望まれている。しかしながら、従来、主磁極の幅の縮
小を妨げる以下の２つの問題点があった。
【０００６】第１の問題点は、主磁極の幅を例えば０．
５μｍ以下とするような主磁極の高精度のパターニング
が困難なことである。すなわち、主磁極は、例えば、フ
ォトリソグラフィ技術によって形成されたレジストフレ
ームを用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によ
って形成される。ところが、従来、主磁極は、コイルを
覆って盛り上がった絶縁層の上に形成されるため、レジ
ストフレームも凹凸の高低差の大きな絶縁層の上に形成
されることになる。この場合、レジストの膜厚を均一に
することは難しいため、レジストフレームを精度よくパ
ターニングすることが難しい。そのため、主磁極の高精
度のパターニングが困難になる。
【０００７】第２の問題点は、主磁極の幅を縮小する
と、磁束が主磁極の先端に到達する前に飽和してしま
い、媒体対向面において主磁極の先端より発生される磁
界が小さくなることである。
【０００８】ところで、従来、長手磁気記録方式用の薄
膜磁気ヘッドにおいても同様な問題点があった。この問
題点を解決するために、長手磁気記録方式用の薄膜磁気
ヘッドでは、一方の磁性層を、媒体対向面に露出する磁
極部分と、磁極部分へ磁束を導くヨーク部分とに分けた
構造が多く採用されている。
【０００９】そこで、垂直磁気記録方式用の単磁極ヘッ
ドにおいても、主磁極を、媒体対向面に露出する磁極部
分と、磁極部分へ磁束を導くヨーク部分とに分けた構造
が提案されている。この構造によれば、磁極部分の飽和
磁束密度をヨーク部分の飽和磁束密度よりも大きくする
ことで磁束を効率的に主磁極の先端まで導くことが可能
になり、且つ幅の小さな磁極部分を形成することが可能
になる。
【００１０】ところで、従来、長手磁気記録方式用の薄
膜磁気ヘッドでは、一方の磁性層を磁極部分とヨーク部
分とに分けた構造とする場合、磁極部分とヨーク部分と
の接合は、磁極部分のギャップ部とは反対側の面でのみ
行われることが多かった。しかし、この構造では、磁極
部分とヨーク部分との接合面積が小さいため、接合部分
で磁束が飽和しやすく、特に近年の書き込み磁界の増大
の要求に応えることができない。そこで、特開平１１−
１０２５０６号公報、特開２０００−５７５２２号公
報、特開２０００−６７４１３号公報、特開２０００−
１４９２１８号公報等に示されるように、磁極部分のギ
ャップ部とは反対側の面のみならず、磁極部分の側面や
磁極部分の媒体対向面とは反対側の面でも、磁極部分と
ヨーク部分との接合を行わせる構造の薄膜磁気ヘッドが
提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】垂直磁気記録方式用の
単磁極ヘッドにおいて、主磁極を磁極部分とヨーク部分
とに分けた構造とする場合に、上述の長手磁気記録方式
用の薄膜磁気ヘッドと同様に、磁極部分のギャップ部と
は反対側の面のみならず、磁極部分の側面や磁極部分の
媒体対向面とは反対側の面でも、磁極部分とヨーク部分
との接合を行わせる構造を採用することも考えられる。
【００１２】垂直磁気記録方式用のヘッドでは、記録媒
体の面に対して垂直な方向の磁界を大きくすることが重
要である。しかしながら、垂直磁気記録方式用のヘッド
において上記の構造を採用しても、磁極部分の媒体対向
面とは反対側の面や磁極部分の側面における接合面積
は、磁極部分のギャップ部とは反対側の面における接合
面に比べて相対的に小さいため、記録媒体に対して垂直
な方向の磁界を大きくすることができないという問題点
がある。
【００１３】また、垂直磁気記録方式用のヘッドにおい
て、線記録密度を向上させるためには、主磁極を、記録
媒体の進行方向の前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダ
における空気流出端側）に配置するのが好ましい。この
場合、線記録密度をより向上させるためには、媒体対向
面において、主磁極の磁極部分のギャップ部とは反対側
の端部が平坦であることが好ましい。しかしながら、磁
極部分のギャップ部とは反対側の面に接するようにヨー
ク部分層を配置したヘッドでは、ヨーク部分層を形成す
る際に、磁極部分層のギャップ部とは反対側の面がダメ
ージを受け、媒体対向面において、磁極部分層のギャッ
プ部とは反対側の端部を平坦に保つことができないとい
う問題点がある。
【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極部分より発生される、記録媒体
の面に垂直な方向の磁界を大きくすることができ、且つ
記録密度を向上させることができるようにした薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体の進行
方向の前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように
配置された磁極部分を含むと共に、媒体対向面から離れ
た位置において互いに磁気的に連結された第１および第
２の磁性層と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層と第
２の磁性層との間に設けられたギャップ層と、少なくと
も一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第
２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
イルとを備え、第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体
対向面における幅がトラック幅を規定する磁極部分層
と、磁極部分と第１の磁性層とを磁気的に接続するヨー
ク部分層とを有し、ヨーク部分層は、磁極部分層の媒体
対向面とは反対側の端面および幅方向の両側面のうちの
少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に
接続され、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む
断面において、ヨーク部分層の厚みは磁極部分層の厚み
よりも大きいものである。
【００１６】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分
層と磁極部分層との接続面を含む断面において、ヨーク
部分層の厚みが磁極部分層の厚みよりも大きいことか
ら、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分の近傍にお
いて、ヨーク部分層側での磁束の飽和を防止することが
可能になる。これにより、接続面を介してヨーク部分層
から磁極部分層へ効率よく磁束を導くことが可能にな
り、その結果、磁極部分より発生される、記録媒体の面
に垂直な方向の磁界を大きくすることが可能になる。ま
た、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を備えてい
るので、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面が、薄
膜磁気ヘッドの製造工程においてダメージを受けること
を防止でき、その面を平坦に保つことができる。
【００１７】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク
部分層と磁極部分層との接続面を含む断面において、ヨ
ーク部分層は、磁極部分層に接触せずに磁極部分層より
もギャップ層側に存在する第１の非接触部分と、磁極部
分層に接触せずに磁極部分層よりも非磁性層側に存在す
る第２の非接触部分とを有し、第２の非接触部分の厚み
は第１の非接触部分の厚みよりも大きくてもよい。
【００１８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む断面におい
て、ヨーク部分層は、磁極部分層に接触せずに磁極部分
層よりも非磁性層側にのみ存在する非接触部分を有して
いてもよい。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャップ層側の面
において、磁極部分層に対して磁気的に接続されていて
もよい。
【００２０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ヨーク部分層のギャップ層とは反対側の面のうち、磁極
部分層の媒体対向面とは反対側の端面および幅方向の両
側面のうちの少なくとも一部において磁極部分層に対し
て磁気的に接続される部分の近傍は、非磁性層のギャッ
プ層とは反対側の面と共に平坦化されていてもよい。
【００２１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ヨーク部分層は、非磁性層を介して磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の面に隣接し、非磁性層を介して磁極部
分層に磁気的に接続されていてもよい。
【００２２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層の飽和磁束
密度以上であってもよい。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、
再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えていてもよ
い。
【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、垂直磁
気記録方式に用いられるものであってもよい。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体の進行方向の
前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように配置さ
れた磁極部分を含むと共に、媒体対向面から離れた位置
において互いに磁気的に連結された第１および第２の磁
性層と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層と第２の磁
性層との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと
を備え、第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面
における幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、磁極
部分と第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部分層
とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、第
１の磁性層を形成する工程と、ギャップ層を形成する工
程と、薄膜コイルを形成する工程と、ヨーク部分層が、
磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端面および幅方向
の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層
に対して磁気的に接続され、且つ、ヨーク部分層と磁極
部分層との接続面を含む断面において、ヨーク部分層の
厚みが磁極部分層の厚みよりも大きくなるように、磁極
部分層とヨーク部分層とを有する第２の磁性層を形成す
ると共に、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面の全
面に接する非磁性層を形成する工程とを備えたものであ
る。
【００２６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む断面におい
て、ヨーク部分層の厚みが磁極部分層の厚みよりも大き
いことから、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分の
近傍において、ヨーク部分層側での磁束の飽和を防止す
ることが可能になる。これにより、接続面を介してヨー
ク部分層から磁極部分層へ効率よく磁束を導くことが可
能になり、その結果、磁極部分より発生される、記録媒
体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることが可能にな
る。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁
極部分層のギャップ層とは反対側の面の全面に接する非
磁性層を形成するようにしたので、磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の面が、薄膜磁気ヘッドの製造工程にお
いてダメージを受けることを防止でき、その面を平坦に
保つことができる。
【００２７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む断面に
おいて、ヨーク部分層は、磁極部分層に接触せずに磁極
部分層よりもギャップ層側に存在する第１の非接触部分
と、磁極部分層に接触せずに磁極部分層よりも非磁性層
側に存在する第２の非接触部分とを有し、第２の非接触
部分の厚みは第１の非接触部分の厚みよりも大きくても
よい。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む
断面において、ヨーク部分層は、磁極部分層に接触せず
に磁極部分層よりも非磁性層側にのみ存在する非接触部
分を有していてもよい。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャッ
プ層側の面において、磁極部分層に対して磁気的に接続
されてもよい。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第２の磁性層および非磁性層を形成する工程
は、磁極部分層を形成する工程と、この磁極部分層の上
に非磁性層を形成する工程と、ヨーク部分層のうちの少
なくとも磁極部分層に対して磁気的に接続される部分を
形成する工程と、非磁性層およびヨーク部分層を覆うよ
うに保護層を形成する工程と、非磁性層が露出するまで
保護層を研磨して、ヨーク部分層のギャップ層とは反対
側の面のうち、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端
面および幅方向の両側面のうちの少なくとも一部におい
て磁極部分層に対して磁気的に接続される部分の近傍
を、非磁性層のギャップ層とは反対側の面と共に平坦化
する工程とを含んでいてもよい。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、ヨーク部分層は、非磁性層を介して磁極部分
層のギャップ層とは反対側の面に隣接し、非磁性層を介
して磁極部分層に磁気的に接続されてもよい。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層
の飽和磁束密度以上であってもよい。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］図１は本発明の第１の実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図１は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示
している。また、図１において記号Ｔで示す矢印は、記
録媒体の進行方向を表している。図２は図１のＡ−Ａ線
断面図である。図３は図１に示した薄膜磁気ヘッドの媒
体対向面を示す正面図である。図４は図１に示した薄膜
磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【００３４】図１および図２に示したように、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドは、アルティック（Ａｌ2Ｏ3
・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この
基板１の上に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁
材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成され
た磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シー
ルド層３の上に、絶縁層４を介して形成された再生素子
としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子
５の上に絶縁層４を介して形成された磁性材料よりなる
上部シールド層６とを備えている。下部シールド層３お
よび上部シールド層６の厚みは、それぞれ例えば１〜２
μｍである。
【００３５】ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面（エア
ベアリング面）ＡＢＳに配置されている。ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大
磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗
効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子
を用いることができる。
【００３６】薄膜磁気ヘッドは、更に、上部シールド層
６の上に形成された非磁性層７と、この非磁性層７の上
に形成された磁性材料よりなる第１の磁性層８と、この
第１の磁性層８の上において薄膜コイル１０を形成すべ
き位置に形成された絶縁層９Ａと、この絶縁層９Ａの上
に形成された薄膜コイル１０と、少なくとも薄膜コイル
１０の巻線間に充填された絶縁層９Ｂとを備えている。
絶縁層９Ａには、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置にお
いて、コンタクトホール９ａが形成されている。
【００３７】第１の磁性層８の厚みは例えば１〜２μｍ
である。第１の磁性層８を構成する磁性材料は、例えば
鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後
述するような高飽和磁束密度材でもよい。また、第１の
磁性層８は、２つ以上の層で構成してもよい。
【００３８】絶縁層９Ａは、アルミナ等の非導電性且つ
非磁性の材料よりなり、その厚みは例えば０．１〜１μ
ｍである。
【００３９】薄膜コイル１０は、銅等の導電性の材料よ
りなり、その巻線の厚みは例えば０．３〜２μｍであ
る。薄膜コイル１０の巻数は任意であり、巻線のピッチ
も任意である。
【００４０】絶縁層９Ｂは、形成時に流動性を有する非
導電性且つ非磁性の材料よりなる。具体的には、絶縁層
９Ｂは、例えば、フォトレジスト（感光性樹脂）のよう
な有機系の非導電性非磁性材料によって形成してもよい
し、塗布ガラスよりなるスピンオングラス（ＳＯＧ）膜
で形成してもよい。
【００４１】薄膜磁気ヘッドは、更に、コンタクトホー
ル９ａが形成された位置において第１の磁性層８の上に
形成された磁性材料よりなる連結部１４Ｃと、薄膜コイ
ル１０、絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｂを覆うように形成
された絶縁層９Ｃとを備えている。連結部１４Ｃは、後
述する第２の磁性層１４の一部となる。薄膜コイル１０
は、連結部１４Ｃの回りに巻回されている。
【００４２】連結部１４Ｃの形状は、例えば、厚みが２
〜４μｍ、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長
さ）が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。連結部
１４Ｃを構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合
金すなわちパーマロイでもよいし、後述するような高飽
和磁束密度材でもよい。
【００４３】絶縁層９Ｃは、絶縁層９Ｂよりも耐食性、
剛性および絶縁性が優れた非導電性且つ非磁性の材料よ
りなる。このような材料としては、アルミナやシリコン
酸化物（ＳｉＯ2）等の無機系の非導電性非磁性材料を
用いることができる。媒体対向面ＡＢＳにおける絶縁層
９Ａおよび絶縁層９Ｃの合計の厚みは、例えば２〜４μ
ｍである。また、この厚みは、連結部１４Ｃの厚み以上
とする。
【００４４】絶縁層９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、第１の磁性層
８と後述する第２の磁性層１４との間に設けられるギャ
ップ層９を構成する。
【００４５】薄膜磁気ヘッドは、絶縁層９Ｃの上に形成
された磁性材料よりなる第２の磁性層１４を備えてい
る。第２の磁性層１４は、前述の連結部１４Ｃと、磁極
部分を含む磁極部分層１４Ａと、ヨーク部分となり、連
結部１４Ｃを介して磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８
とを磁気的に接続するヨーク部分層１４Ｂと連結部１４
Ｃを有している。磁極部分層１４Ａは、媒体対向面ＡＢ
Ｓから、媒体対向面ＡＢＳと連結部１４Ｃとの間の所定
の位置にかけて、絶縁層９Ｃの上に形成されている。ヨ
ーク部分層１４Ｂは、連結部１４Ｃの第１の磁性層８と
は反対側の端部（以下、上端部と言う。）と磁極部分層
１４Ａの媒体対向面ＡＢＳとは反対側の端面（以下、後
端面と言う。）とを磁気的に接続する。また、ヨーク部
分層１４Ｂは、その内部において連結部１４Ｃの上端部
と磁極部分層１４Ａの後端面との間を最短距離で結ぶ磁
気経路が形成されるような形状を有している。薄膜磁気
ヘッドは、更に、磁極部分層１４Ａの上に形成された非
磁性層１５を備えている。非磁性層１５は、磁極部分層
１４Ａのギャップ層９とは反対側の面の全面に接してい
る。薄膜磁気ヘッドは、更に、それぞれ、アルミナ等の
非導電性且つ非磁性の材料よりなり、ヨーク部分層１４
Ｂの周囲に配置された保護層１７Ａと、第２の磁性層１
４を覆うように形成された保護層１７Ｂを備えている。
【００４６】薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面
は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁
性層１４側の端部（絶縁層９Ｃの磁性層１４側の端部）
の位置および連結部１４Ｃの上端部の位置よりも第１の
磁性層８側の位置に配置されている。
【００４７】磁極部分層１４Ａの厚みは、好ましくは
０．１〜０．８μｍであり、更に好ましくは０．３〜
０．８μｍである。また、媒体対向面ＡＢＳから磁極部
分層１４Ａの後端面までの長さは２μｍ以上である。
【００４８】図４に示したように、磁極部分層１４Ａ
は、媒体対向面ＡＢＳ側に配置された第１の部分１４Ａ
1と、この第１の部分１４Ａ1よりも媒体対向面ＡＢＳか
ら離れた位置に配置された第２の部分１４Ａ2とを含ん
でいる。第１の部分１４Ａ1は、第２の磁性層１４にお
ける磁極部分となる。第１の磁性層８における磁極部分
は、第１の磁性層８のうちギャップ層９を介して上記第
１の部分１４Ａ1に対向する部分を含む。
【００４９】第１の部分１４Ａ1は、トラック幅と等し
い幅を有している。すなわち、第１の部分１４Ａ1の媒
体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定してい
る。第２の部分１４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1との
境界位置では第１の部分１４Ａ 1の幅と等しく、その位
置から媒体対向面ＡＢＳより遠ざかる程、徐々に大きく
なった後、一定の大きさになっている。
【００５０】第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳに
おける幅、すなわちトラック幅は、好ましくは０．５μ
ｍ以下であり、更に好ましくは０．３μｍ以下である。
ヨーク部分層１４Ｂと接続される部分おける第２の部分
１４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳ
における幅よりも大きく、例えば２μｍ以上である。
【００５１】ヨーク部分層１４Ｂの厚みは、例えば１〜
２μｍである。ヨーク部分層１４Ｂは、図１および図４
に示したように、磁極部分層１４Ａの後端面に磁気的に
接続されている。
【００５２】磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨー
ク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。磁極
部分層１４Ａを構成する磁性材料としては、飽和磁束密
度が１．４Ｔ以上の高飽和磁束密度材を用いるのが好ま
しい。高飽和磁束密度材としては、鉄および窒素原子を
含む材料、鉄、ジルコニアおよび酸素原子を含む材料、
鉄およびニッケル元素を含む材料等を用いることができ
る。具体的には、高飽和磁束密度材としては、例えば、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、Ｆ
ｅＮやその化合物、Ｃｏ系アモルファス合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含
む。）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）
も含む。）の中のうちの少なくとも１種類を用いること
ができる。ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｕ（いず
れも化学記号）の中から選択された少なくとも１種類で
ある。
【００５３】ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料と
しては、例えば、飽和磁束密度が１．０Ｔ程度となる鉄
およびニッケル元素を含む材料を用いることができる。
このような材料は、耐食性に優れ、且つ磁極部分層１４
Ａを構成する材料よりも高抵抗である。また、このよう
な材料を用いることにより、ヨーク部分層１４Ｂの形成
が容易になる。
【００５４】また、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性
材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料と
同じ組成系のものを用いることもできる。この場合に
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度を、磁極部分層
１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくするために、ヨーク
部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層
１４Ａを構成する磁性材料に比べて、鉄原子の組成比の
小さい材料を用いるのが好ましい。
【００５５】非磁性層１５の平面的な形状は、磁極部分
層１４Ａと同様である。また、非磁性層１５は、媒体対
向面ＡＢＳに露出している。非磁性層１５の厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下である。
【００５６】非磁性層１５を構成する材料としては、例
えば、チタンまたはタンタルを含む材料（合金および酸
化物を含む。）や、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ
2）等の無機系の非導電性非磁性材料を用いることがで
きる。また、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによ
って形成する場合には、非磁性層１５を構成する材料と
して、磁極部分層１４Ａを構成する材料、およびギャッ
プ層９のうちの磁極部分層１４Ａに接する絶縁層９Ｃを
構成する材料よりもドライエッチングに対するエッチン
グ速度が小さい材料を用いるのが好ましい。このような
材料としては、例えばチタンまたはタンタルを含む材料
（合金および酸化物を含む。）を用いることができる。
【００５７】媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１
４Ａの面の形状は、長方形あるいは記録媒体の進行方向
Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され
る下辺が上辺よりも小さい台形であることが好ましい。
この面の形状が台形の場合には、磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９側の面と、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極
部分層１４Ａの面における側辺とのなす角度は９２〜１
００゜が好ましい。
【００５８】また、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９
とは反対側の面のうち、磁極部分層１４Ａの後端面にお
いて磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続される部分
の近傍は、非磁性層１５のギャップ層９とは反対側の面
および保護層１７Ａの上面と共に平坦化されている。そ
して、これらの平坦化された面の上に、保護層１７Ｂが
設けられている。
【００５９】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面ＡＢ
Ｓと再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）と
を備えている。再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素
子５と、媒体対向面ＡＢＳ側の一部がＭＲ素子５を挟ん
で対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドす
るための下部シールド層３および上部シールド層６を備
えている。
【００６０】記録ヘッドは、媒体対向面ＡＢＳ側におい
て記録媒体の進行方向Ｔの前後に所定の間隔を開けて互
いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、
媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において互いに磁気的
に連結された第１の磁性層８および第２の磁性層１４
と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層８と第２の磁性
層１４との間に設けられたギャップ層９と、少なくとも
一部が第１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に、
これらの磁性層８，１４に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイル１０とを備えている。
【００６１】第２の磁性層１４は、磁極部分を含み、媒
体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定する磁極
部分層１４Ａと、ヨーク部分となり、連結部１４Ｃを介
して磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８とを磁気的に接
続するヨーク部分層１４Ｂとを有している。ヨーク部分
層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面に磁気的に接続
されている。また、磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となってい
る。
【００６２】本実施の形態によれば、第２の磁性層１４
が磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとを有するよ
うにしたので、記録媒体に印加される磁界の強度を低下
させることなくトラック幅を縮小することが可能にな
る。
【００６３】ここで、図１に示した断面と、ヨーク部分
層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面とが
交差してできる直線上において、ヨーク部分層１４Ｂの
ギャップ層９とは反対側の端部の位置を点ａ、磁極部分
層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部の位置を点
ｂ、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部の位置を
点ｃ、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部の位
置を点ｄとする。
【００６４】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂと
磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面において、ヨー
ク部分層１４Ｂの厚みは磁極部分層１４Ａの厚みよりも
大きくなっている。すなわち、図１に示した断面におい
て、線分ａｄの長さは線分ｂｃの長さよりも大きい。こ
のような構成により、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層
１４Ｂとの接続部分の近傍において、ヨーク部分層１４
Ｂ側での磁束の飽和を防止することができる。これによ
り、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ効率よ
く磁束を導くことが可能になり、その結果、磁極部分層
１４Ａの媒体対向面側の端部より発生される、記録媒体
の面に垂直な方向の磁界を大きくすることが可能にな
る。
【００６５】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面におい
て、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａに接触せ
ずに磁極部分層１４Ａよりもギャップ層９側に存在する
第１の非接触部分（図１における線分ｃｄに対応する部
分）と、磁極部分層１４Ａに接触せずに磁極部分層１４
Ａよりも非磁性層１５側に存在する第２の非接触部分
（図１における線分ａｂに対応する部分）とを有してい
る。第２の非接触部分の厚みは第１の非接触部分の厚み
よりも大きいことが好ましい。すなわち、線分ａｂが線
分ｃｄよりも大きいことが好ましい。この場合には、ヨ
ーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａを経由せずにギ
ャップ層９を経由して第１の磁性層８に至る磁束を少な
くすることができ、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層
１４Ａへより効率よく磁束を導くことが可能になる。
【００６６】ここで、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層
１４Ａとの接続面を含む断面において、ヨーク部分層１
４Ｂの厚みをＴＹ、磁極部分層１４Ａの厚みをＴＰと
し、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度をＢＳＹ、磁極
部分層１４Ａの飽和磁束密度をＢＳＰとすると、ヨーク
部分層１４Ｂ側での磁束の飽和を防止するためには、以
下の式の関係となるのが好ましい。
【００６７】ＴＹ／ＴＰ＞ＢＳＰ／ＢＳＹ
【００６８】なお、図１では、磁極部分層１４Ａの後端
面は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に垂直に
なっている。しかし、磁極部分層１４Ａの後端面は、磁
極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に垂直な方向に対
して傾いていてもよい。この場合には、磁極部分層１４
Ａの後端面において磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１
４Ｂが磁気的に接続する部分の面積が大きくなる。従っ
て、磁極部分層１４Ａの後端面を介してヨーク部分層１
４Ｂから磁極部分層１４Ａへ効率よく磁束を導くことが
可能になり、その結果、磁極部分層１４Ａの媒体対向面
側の端部より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の
磁界をより大きくすることが可能になる。
【００６９】また、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部
分層１４Ａの面の形状は、記録媒体の進行方向Ｔの後側
（スライダにおける空気流入端側）に配置される下辺が
上辺よりも小さい台形形状とするのが好ましい。この場
合には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直磁気
記録方式に用いた場合には、スキュー角が生じたときの
記録トラック幅の変化を抑えることができ、長手磁気記
録方式に用いた場合にはトラック幅をより縮小すること
が可能となる。
【００７０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、垂
直磁気記録方式に用いるのに適している。この薄膜磁気
ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合、第２の磁性層
１４の磁極部分層１４Ａにおける第１の部分１４Ａ1が
主磁極となり、第１の磁性層８の磁極部分が補助磁極と
なる。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直
磁気記録方式に用いる場合には、記録媒体としては２層
媒体と単層媒体のいずれをも使用することが可能であ
る。
【００７１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１
４Ｂとを有し、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４
Ａに磁束を導くための十分な体積を有し、また、磁極部
分層１４Ａの飽和磁束密度がヨーク部分層１４Ｂの飽和
磁束密度以上であることから、第２の磁性層１４の途中
における磁束の飽和を防止することができる。
【００７２】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
のうち磁性層８，１４の間に配置された部分の第２の磁
性層１４側の面は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ
層９の第２の磁性層１４側の端部の位置および連結部１
４Ｃの上端部の位置よりも第１の磁性層８側の位置に配
置されている。そして、ヨーク部分層１４Ｂは、連結部
１４Ｃの上端部と磁極部分層１４Ａの後端面とを磁気的
に接続している。従って、ヨーク部分層１４Ｂは、連結
部１４Ｃと磁極部分層１４Ａとの間に短い磁気経路で且
つ強い磁気的結合を形成することができる。
【００７３】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、第２の磁性層１４の磁極部分より発生される、記録
媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくし、且つ磁路長を
短縮して高周波特性を向上させることが可能になる。磁
極部分層１４Ａに高飽和磁束密度材を用いた場合には、
特に、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくするこ
とができ、保磁力の大きな記録媒体への記録も可能とな
る。
【００７４】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
では、記録媒体の面に垂直な方向の磁界は長手方向の磁
界よりも大きく、ヘッドが発生する磁気エネルギを効率
よく、記録媒体に伝達することができる。従って、この
薄膜磁気ヘッドによれば、記録媒体の熱揺らぎの影響を
受けにくくして、線記録密度を高めることができる。
【００７５】図１に示したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８を記録媒体の進行方
向Ｔの後側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおける空
気流入端側）に配置し、第２の磁性層１４を記録媒体の
進行方向Ｔの前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにお
ける空気流出端側）に配置するのが好ましい。しかし、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式
に用いる場合には、第１の磁性層８と第２の磁性層１４
の配置は、上記の配置とは逆でもよい。
【００７６】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性層１４のヨーク
部分層１４Ｂは、その内部において連結部１４Ｃの上端
部と磁極部分層１４Ａの後端面との間を最短距離で結ぶ
磁気経路が形成されるような形状を有している。これに
より、特に磁路長を短縮でき、高周波特性を向上させる
ことが可能になる。
【００７７】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、媒体対向面ＡＢＳにおける
磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８との間の距離は、連
結部１４Ｃの厚み以上としている。そして、ヨーク部分
層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面との接続位置か
ら連結部１４Ｃとの接続位置にかけて、徐々に第１の磁
性層８に近づいている。これにより、特に磁路長を短縮
でき、高周波特性を向上させることが可能になる。
【００７８】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの少な
くとも一部は、第１の磁性層８側に突出する弧状に形成
されている。これにより、ヨーク部分層１４Ｂの一部
が、薄膜コイル１０に近くなり、薄膜コイル１０によっ
て発生される磁界をヨーク部分層１４Ｂで効率よく吸収
することが可能になる。
【００７９】また、図４に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのヨーク
部分層１４Ｂと接する部分の幅は、磁極部分層１４Ａの
媒体対向面ＡＢＳにおける幅よりも大きくなっている。
これにより、磁極部分層１４Ａのヨーク部分層１４Ｂと
接する部分の面積を大きくすることができ、この部分で
の磁束の飽和を防止することができる。その結果、磁束
を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ
導くことができ、且つ磁極部分層１４Ａの媒体対向面Ａ
ＢＳにおける露出面積を小さくすることで、記録媒体に
印加される磁界を大きくすることができる。
【００８０】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の面の全面に接する非磁性層１５を備
えている。非磁性層１５がない場合には、磁極部分層１
４Ａをドライエッチングによって形成する際や、ヨーク
部分層１４Ｂを電気めっき法によって形成する際に、磁
極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面がダメー
ジを受け、この面に例えば０．１〜０．３μｍ程度の凹
凸が生じる。本実施の形態では、非磁性層１５を設けて
いることから、磁極部分層１４Ａをドライエッチングに
よって形成する際や、ヨーク部分層１４Ｂを電気めっき
法によって形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ
層９とは反対側の面がダメージを受けることを防止で
き、その面を平坦にすることができる。特に、本実施の
形態では、非磁性層１５が媒体対向面ＡＢＳに露出して
いるので、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４
Ａのギャップ層９とは反対側の端部を平坦に保つことが
できる。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部
分層１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する
方向について均一化することができる。その結果、記録
媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記
録密度を向上させることができる。
【００８１】また、非磁性層１５を、磁極部分層１４Ａ
を構成する材料、およびギャップ層９のうちの磁極部分
層１４Ａと接する部分を構成する材料よりもドライエッ
チングに対するエッチング速度が小さい材料で構成した
場合には、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによっ
て形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは
反対側の面がダメージを受けることを防止することがで
きる。
【００８２】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１０のうち第１
の磁性層８と第２の磁性層１４の間に配置された部分
は、第１の磁性層８と第２の磁性層１４の中間の位置よ
りも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。これ
により、第２の磁性層１４よりも体積の大きな第１の磁
性層８によって、薄膜コイル１０から発生する磁界を効
率よく吸収でき、薄膜コイル１０が第２の磁性層１４に
近い場合に比べて、第１の磁性層８および第２の磁性層
１４における磁界の吸収率を高めることができる。
【００８３】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層９は、形成時に
流動性を有する材料よりなり、少なくとも薄膜コイル１
０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）と、
この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が優れ
た材料よりなり、薄膜コイル１０および第１の部分を覆
い、第１の磁性層８および第２の磁性層１４に接する第
２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）とを有している。ギャッ
プ層９の第２の部分は、媒体対向面ＡＢＳに露出してい
る。薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁性材料を充
填することは、スパッタリング法では困難であるが、有
機系の材料のように流動性を有する非磁性材料を用いた
場合には容易である。しかし、有機系の材料は、ドライ
エッチングに対する耐性、耐食性、耐熱性、剛性等の点
で信頼性に乏しい。本実施の形態では、上述のように、
形成時に流動性を有する材料によって薄膜コイル１０の
巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）を形成
し、この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が
優れた材料によって、薄膜コイル１０および第１の部分
を覆い、第１の磁性層８および第２の磁性層１４に接す
る第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）を形成するようにし
たので、薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁性材料
を充填でき、且つギャップ層９の信頼性を高めることが
できる。
【００８４】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
は、再生素子としてのＭＲ素子５を備えている。これに
より、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比
べて、再生性能を向上させることができる。また、ＭＲ
素子５は、シールド層３，６によってシールドされてい
るので、再生時の分解能を向上させることができる。
【００８５】次に、図５および図６を参照して、本実施
の形態の変形例について説明する。図５は変形例におけ
る図１のＡ−Ａ線断面図であり、図６は変形例の薄膜磁
気ヘッドの要部を示す斜視図である。この変形例では、
ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面のみ
ならず、幅方向の両側面においても、磁極部分層１４Ａ
に対して磁気的に接続されている。この変形例によれ
ば、磁極部分層１４Ａの体積が小さくても、ヨーク部分
層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続部分の面積を大き
くすることができ、この接続部分における磁束の飽和を
防止することができる。その結果、磁束を効率よくヨー
ク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ導くことがで
き、記録媒体に印加される磁界をより大きくすることが
できる。
【００８６】なお、図６に示したように、変形例では、
ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒
体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置されている。これ
により、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端
部より発生される磁界によって記録媒体に情報の書き込
みが生じることを防止することができる。
【００８７】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、後述する第２および第３の実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と共に、第３の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの構成の説明の後で説明する。
【００８８】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
図７は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す
断面図である。なお、図７は媒体対向面および基板の面
に垂直な断面を示している。また、図７において記号Ｔ
で示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図８
は図７のＢ−Ｂ線断面図である。図９は本実施の形態の
変形例における図７のＢ−Ｂ線断面図である。図１０は
図７に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図
である。
【００８９】図７に示したように、本実施の形態では、
ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含
む断面において、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１
４Ａに接触しない非接触部分（図７における線分ａｂに
対応する部分）を有している。本実施の形態では、この
非接触部分は、磁極部分層１４Ａよりも非磁性層１５側
にのみ存在している。すなわち、点ｃと点ｄが一致して
いる。本実施の形態におけるその他の構成は、第１の実
施の形態と同様である。図９に示した変形例では、第１
の実施の形態の変形例と同様に、ヨーク部分層１４Ｂ
は、磁極部分層１４Ａの後端面のみならず、幅方向の両
側面においても、磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接
続されている。
【００９０】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂと
磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面において、ヨー
ク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部（図７における
点ｄに対応する部分）を経由する磁束のほとんどが、磁
極部分層１４Ａに流れ込む。従って、本実施の形態によ
れば、第１の実施の形態に比べて、ヨーク部分層１４Ｂ
から磁極部分層１４Ａを経由せずにギャップ層９を経由
して第１の磁性層８に至る磁束を少なくすることがで
き、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへより効
率よく磁束を導くことが可能になる。本実施の形態にお
けるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同
様である。
【００９１】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
図１１は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示
す断面図である。なお、図１１は媒体対向面および基板
の面に垂直な断面を示している。また、図１１において
記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表してい
る。
【００９２】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂの
ギャップ層９とは反対側の面の全体が、非磁性層１５の
ギャップ層９とは反対側の面および保護層１７Ａの上面
と共に平坦化されている。本実施の形態では、ヨーク部
分層１４Ｂの厚みは、磁極部分層１４Ａに近づくにつれ
て徐々に小さくなる。そのため、ヨーク部分層１４Ｂに
おいて、磁極部分層１４Ａに近づくほど磁界が大きくな
り、磁極部分層１４Ａの後端面と接する部分で最大の磁
界を得ることができる。従って、本実施の形態によれ
ば、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ効率よ
く磁束を導くことができる。
【００９３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、変形例も含めて第２の実施の形態と同様
である。なお、本実施の形態において、ヨーク部分層１
４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面における
ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの位置関係
を、第１の実施の形態と同様にしてもよい。
【００９４】次に、図１２ないし図２１を参照して、第
１ないし第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。なお、図１２ないし図２１で
は、基板１ないし非磁性層７を省略している。
【００９５】第１ないし第３の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上に絶縁層２
を形成する。次に、絶縁層２の上に下部シールド層３を
形成する。次に、下部シールド層３の上に、絶縁層４の
一部となる絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上にＭＲ素子
５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードと
を形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、絶縁層
４の他の一部となる新たな絶縁膜で覆い、ＭＲ素子５お
よびリードを絶縁層４内に埋設する。
【００９６】次に、絶縁層４の上に上部シールド層６を
形成し、その上に非磁性層７を形成する。次に、この非
磁性層７の上に、第１の磁性層８を所定の形状に形成す
る。次に、図示しないが、非磁性層７および第１の磁性
層８をアルミナ等の非磁性材料で覆い、第１の磁性層８
が露出するまで非磁性材料を研磨して、第１の磁性層８
の上面を平坦化する。
【００９７】次に、図１２に示したように、第１の磁性
層８の上に、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料を
スパッタして、絶縁層９Ａを形成する。次に、周知のフ
ォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用い
て、連結部１４Ｃを形成すべき位置において、絶縁層９
Ａにコンタクトホール９ａを形成する。次に、周知のフ
ォトリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっ
き法）を用いて、絶縁層９Ａの上に薄膜コイル１０を形
成する。次に、周知のフォトリソグラフィ技術を用い
て、少なくとも薄膜コイル１０の巻線間に充填される絶
縁層９Ｂを形成する。
【００９８】次に、図１３に示したように、周知のフォ
トリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき
法）を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置
において第１の磁性層８の上に連結部１４Ｃを形成す
る。連結部１４Ｃの厚みは、例えば２〜４μｍとする。
次に、スパッタ法を用いて、薄膜コイル１０、絶縁層９
Ａ、絶縁層９Ｂおよび連結部１４Ｃを覆うように絶縁層
９Ｃを形成する。この時点における絶縁層９Ｃの厚み
は、連結部１４Ｃを十分に覆うことができる厚みであれ
ばよく、例えば５μｍとする。
【００９９】次に、図１４に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、連結部１４Ｃが露出するまで絶縁層
９Ｃの表面を研磨して、絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃ
の上面を平坦化する。この時点で、第１の磁性層８の上
面から絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上面までの距離
は、例えば２〜４μｍとする。なお、この時点では、必
ずしも連結部１４Ｃを露出させる必要はなく、後の工程
で露出させてもよい。また、媒体対向面における絶縁層
９Ａおよび絶縁層９Ｃの厚みの総和は、記録ヘッド（誘
導型電磁変換素子）のギャップ長となる。
【０１００】次に、図１５に示したように、絶縁層９Ｃ
および連結部１４Ｃの上に、磁極部分層１４Ａを構成す
る材料よりなる被エッチング層１４Ａｅを形成する。被
エッチング層１４Ａｅの厚みは、好ましくは０．１〜
０．８μｍとし、更に好ましくは０．３〜０．８μｍと
する。被エッチング層１４Ａｅの形成方法は、電気めっ
き法でもよいし、スパッタ法でもよい。被エッチング層
１４Ａｅの表面の粗さが大きい場合（例えば、算術平均
粗さＲａが１２オングストローム以上の場合）の場合
は、化学機械研磨等によって被エッチング層１４Ａｅの
表面を研磨して平坦化することが好ましい。
【０１０１】次に、被エッチング層１４Ａｅの上に、非
磁性層１５ｅを形成する。非磁性層１５ｅの厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下とする。
【０１０２】次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０１０３】次に、図１６に示したように、上記電極層
の上に、磁極部分層１４Ａおよび非磁性層１５の形状を
決定するためのマスク３２を形成する。このマスク３２
の厚みは１〜４μｍとし、材料は例えば鉄−ニッケル合
金とする。マスク３２の材料は、後で行われるドライエ
ッチングに対する耐性に優れた材料であることが好まし
い。マスク３２の材料が鉄−ニッケル合金の場合には、
マスク３２の形成方法としては、例えばフレームめっき
法が用いられる。また、マスク３２はフォトレジストに
よって形成してもよい。この場合には、マスク３２はフ
ォトリソグラフィ技術を用いて形成される。
【０１０４】次に、図１７に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａの外形を決定する。また、このエッチングにより、媒
体対向面における磁極部分層１４Ａの幅を、トラック幅
の規格に一致するように規定してもよい。
【０１０５】第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを
製造する場合には、図１７に示した絶縁層９Ｃの斜面ｇ
の上端が、磁極部分層１４Ａの後端面と磁極部分層１４
Ａのギャップ層９側の面とが交わる位置と一致したとこ
ろでエッチングを終了させればよい。第１の実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、絶縁層９Ｃ
の斜面ｇの上端が、磁極部分層１４Ａの後端面と磁極部
分層１４Ａのギャップ層９側の面とが交わる位置よりも
ギャップ層９側に配置されるまでエッチングを行えばよ
い。
【０１０６】上記のエッチング後、マスク３２は、非磁
性で、耐食性等の点で信頼性が十分にあれば残っていて
もよいし、不要ならば除去してもよい。
【０１０７】上記のエッチングにより、非磁性層１５お
よび磁極部分層１４Ａの外形が決定されるのと同時に、
連結部１４Ｃが露出する。なお、このときに連結部１４
Ｃが露出するように、連結部１４Ｃの厚みは予め所望の
厚み以上に大きくしておく。
【０１０８】次に、図示しないが、非磁性層１５、絶縁
層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上に、スパッタ法により、
電気めっき法のための電極層を形成する。この電極層の
厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッケル
合金とし、下地にＴｉ（チタン）を成膜してもよい。
【０１０９】次に、図１８に示したように、上記電極層
の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂ
の形状に対応した空隙部を有するレジストフレーム３５
を形成する。
【０１１０】次に、図１９に示したように、レジストフ
レーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき
法）によって、電極層の上にヨーク部分層１４Ｂを形成
する。次に、レジストフレーム３５を除去する。なお、
ヨーク部分層１４Ｂは、リフトオフ法を用いて形成する
ことも可能であるが、ヨーク部分層１４Ｂの形状を下地
の形状に追従させるためには電気めっき法を用いるのが
最も好ましい。
【０１１１】次に、図示しないが、電極層のうち、ヨー
ク部分層１４Ｂの下に存在する部分以外の部分をドライ
エッチングで除去する。
【０１１２】次に、図２０に示したように、非磁性層１
５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うように保護層１７Ａ
を形成する。保護層１７Ａの厚みは、積層面における凹
凸の高低差の１．５〜２倍程度が好ましい。
【０１１３】次に、図２１に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、非磁性層１５が露出するまで保護層
１７Ａを研磨して、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９
とは反対側の面のうち、少なくとも磁極部分層１４Ａに
対して磁気的に接続される部分の近傍を、非磁性層１５
のギャップ層９とは反対側の面および保護層１７Ａの上
面と共に平坦化する。
【０１１４】なお、図２１では、ヨーク部分層１４Ｂの
ギャップ層９とは反対側の面の一部のみが保護層１７Ａ
より露出しているが、ヨーク部分層１４Ｂの厚みを十分
大きくして、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９とは反
対側の面の全体が保護層１７Ａより露出するようにすれ
ば、第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができる。
【０１１５】次に、図１、図７または図１１に示したよ
うに、積層面の全体を覆うように保護層１７Ｂを形成す
る。次に、保護層１７Ｂの上に配線や端子等を形成し、
スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研
磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【０１１６】第１、第２または第３の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、各実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドと同様の作用、効果の他に、以下のよ
うな作用、効果が得られる。
【０１１７】各実施の形態では、磁極部分層１４Ａを形
成する工程は、ギャップ層９および連結部１４Ｃの上
に、磁極部分層１４Ａを構成する材料よりなる被エッチ
ング層１４Ａｅを形成する工程と、被エッチング層１４
Ａｅをドライエッチングによって選択的にエッチングし
て、磁極部分層１４Ａの外形を決定すると共に連結部１
４Ｃを露出させる工程とを含む。各実施の形態では、被
エッチング層１４Ａｅをドライエッチングすることによ
って、磁極部分層１４Ａの後端面から連結部１４Ｃの上
端部にかけて緩やかな傾斜を持つように、ヨーク部分層
１４Ｂの下地の形状が決定される。従って、この下地の
上にヨーク部分層１４Ｂを形成することにより、連結部
１４Ｃと磁極部分層１４Ａとの間を最短距離で結ぶ磁気
経路を形成することが可能になる。
【０１１８】また、各実施の形態において、被エッチン
グ層１４Ａｅを形成する工程の後で、研磨により、被エ
ッチング層１４Ａｅの上面を平坦化した場合には、媒体
対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層
９とは反対側の端部を完全に平坦化することができる。
これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４
Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向につ
いて均一化することができ、その結果、記録媒体におけ
るビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向
上させることができる。
【０１１９】また、各実施の形態では、被エッチング層
１４Ａｅを形成する工程の前に、研磨により、被エッチ
ング層１４Ａｅの下地となる絶縁層９Ｃおよび連結部１
４Ｃの上面を平坦化している。これにより、媒体対向面
ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の
端部を平坦化することができる。また、被エッチング層
１４Ａｅをスパッタ法によって形成する場合には、被エ
ッチング層１４Ａｅの成膜時の膜厚均一性がよいため、
媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の端部も平坦化することができる。こ
れらのことから、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層
１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向
について均一化することができ、その結果、記録媒体に
おけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度
を向上させることができる。
【０１２０】また、各実施の形態において、磁極部分層
１４Ａを形成する工程は、被エッチング層１４Ａｅを形
成し、被エッチング層１４Ａｅの上に非磁性層１５ｅを
形成し、非磁性層１５ｅの上に、磁極部分層１４Ａの形
状に対応したマスク３２を形成し、このマスク３２を用
いて、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅを
エッチングして、磁極部分層１４Ａの外形を決定してい
る。従って、各実施の形態によれば、被エッチング層１
４Ａｅの上面を非磁性層１５ｅで保護した状態で磁極部
分層１４Ａの外形を決定でき、磁極部分層１４Ａのギャ
ップ層９とは反対側の端部の平坦性を維持することがで
きる。
【０１２１】また、各実施の形態において、ドライエッ
チングに対する耐性に優れたマスク３２を用いた場合に
は、磁極部分層１４Ａを構成する材料がドライエッチン
グに対する耐性に優れている場合でも、マスク３２を用
いたドライエッチングによって磁極部分層１４Ａの外形
を決定することが可能になる。
【０１２２】また、各実施の形態において、ヨーク部分
層１４Ｂを形成する工程は、電気めっき法によってヨー
ク部分層１４Ｂを形成してもよい。この場合には、ヨー
ク部分層１４Ｂを容易に形成できると共に、ヨーク部分
層１４Ｂを、その下地の形状によく追従した形状に形成
することが可能になる。
【０１２３】［第４の実施の形態］次に、本発明の第４
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
図２２は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示
す断面図である。なお、図２２は媒体対向面および基板
の面に垂直な断面を示している。また、図２２において
記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表してい
る。図２３は図２２のＣ−Ｃ線断面図である。図２４は
本実施の形態の変形例における図２２のＣ−Ｃ線断面図
である。
【０１２４】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂ
は、第１の磁性層８と磁極部分層１４Ａのギャップ層９
側の面とに接し、これらに対して磁気的に接続された第
１層１４Ｂ1と、この第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａ
の後端面とに接し、これらに対して磁気的に接続された
第２層１４Ｂ2とを含んでいる。
【０１２５】ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1は、
コンタクトホール９ａが形成された位置から媒体対向面
ＡＢＳに向けて、絶縁層９Ｃの媒体対向面ＡＢＳとは反
対側の端面の位置まで、第１の磁性層８および絶縁層９
Ｂの上に形成されている。コンタクトホール９ａの位置
における第１層１４Ｂ1の厚みは、絶縁層９Ａと絶縁層
９Ｂの合計の厚みより大きく、例えば３μｍ以上であ
る。第１層１４Ｂ1の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒
体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置で
あって、磁極部分層１４Ａの後端面よりは媒体対向面Ａ
ＢＳに近い位置に配置されている。第１層１４Ｂ1を構
成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すなわち
パーマロイでもよいし、高飽和磁束密度材でもよい。
【０１２６】ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1にお
ける媒体対向面ＡＢＳ側の一部および絶縁層９Ｃの上面
は平坦化されている。磁極部分層１４Ａは、この平坦化
された第１層１４Ｂ1および絶縁層９Ｃの上面の上に形
成されている。従って、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１
４Ｂ1は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面の一
部に接し、これに対し磁気的に接続されている。
【０１２７】ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2は、
第１層１４Ｂ1の上に配置されている。第２層１４Ｂ
2は、第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａの後端面とに接
し、これらに対して磁気的に接続されている。第２層１
４Ｂ2の厚みは、例えば０．５〜２μｍである。第２層
１４Ｂ2を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系
合金すなわちパーマロイでもよいし、高飽和磁束密度材
でもよい。
【０１２８】図２２に示したように、本実施の形態で
は、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面
を含む断面において、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分
層１４Ａに接触しない非接触部分（図２２における線分
ａｂに対応する部分）を有している。本実施の形態で
は、この非接触部分は、磁極部分層１４Ａよりも非磁性
層１５側にのみ存在している。すなわち、点ｃと点ｄが
一致している。
【０１２９】ここで、図２２に示した断面と、ヨーク部
分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａとの接
続面を含む断面とが交差してできる直線上において、第
１層１４Ｂ1の媒体対向面側の端部の位置を点ｅとす
る。線分ｃｅに対応する部分において、第１層１４Ｂ1
と磁極部分層１４Ａとが磁気的に接続されている。この
ように、本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂは、磁
極部分層１４Ａのギャップ層９側の面でも磁極部分層１
４Ａに対して磁気的に接続されている。従って、本実施
の形態によれば、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４
Ｂとの磁気的な接続部分の面積を大きくすることがで
き、その結果、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂから
磁極部分層１４Ａへ導くことができる。
【０１３０】また、図２４に示した変形例では、ヨーク
部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2は、磁極部分層１４Ａの
後端面のみならず、幅方向の両側面においても、磁極部
分層１４Ａに対して磁気的に接続されている。この変形
例によれば、磁極部分層１４Ａの体積が小さくても、ヨ
ーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続部分の面
積を大きくすることができ、その結果、磁束を効率よく
ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ導くことが
できる。
【０１３１】次に、図２５ないし図３４を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図２５ないし図３４では、基板１ないし
非磁性層７を省略している。
【０１３２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図１２に示したように、絶縁層９Ｂを形成す
る工程までは、第１ないし第３の実施の形態と同様であ
る。
【０１３３】本実施の形態では、次に、図２５に示した
ように、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技術
（例えば電気めっき法）を用いて、コンタクトホール９
ａが形成された位置から媒体対向面ＡＢＳに向けて所定
の位置まで、第１の磁性層８および絶縁層９Ｂの上にヨ
ーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1を形成する。この時
点で、第１層１４Ｂ1の形状は、例えば、厚みが３μｍ
以上、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長さ）
が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。
【０１３４】次に、図２６に示したように、スパッタ法
を用いて、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂおよびヨーク部分層
１４Ｂの第１層１４Ｂ1を覆うように絶縁層９Ｃを形成
する。この時点で、絶縁層９Ｃの厚みは、第１層１４Ｂ
1の厚み以上とする。
【０１３５】次に、図２７に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ
1が露出するまで絶縁層９Ｃの表面を研磨して、絶縁層
９Ｃおよび第１層１４Ｂ1の上面を平坦化する。この時
点で、第１の磁性層８の上面から絶縁層９Ｃの上面まで
の距離は、例えば３〜６μｍとする。
【０１３６】次に、図２８に示したように、絶縁層９Ｃ
および第１層１４Ｂ1の上に、第１ないし第３の実施の
形態と同様の被エッチング層１４Ａｅおよび非磁性層１
５ｅを順に形成する。
【０１３７】次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０１３８】次に、図２９に示したように、上記電極層
の上に、第１ないし第３の実施の形態と同様に、磁極部
分層１４Ａおよび非磁性層１５の形状を決定するための
マスク３２を形成する。
【０１３９】次に、図３０に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａの外形を決定する。エッチング後、マスク３２は、非
磁性で、耐食性等の点で信頼性が十分にあれば残ってい
てもよいし、不要ならば除去してもよい。
【０１４０】次に、図示しないが、非磁性層１５、絶縁
層９Ｃおよびヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1の上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とし、下地にＴｉ（チタ
ン）を成膜してもよい。
【０１４１】次に、図３１に示したように、上記電極層
の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂ
の第２層１４Ｂ２の形状に対応した空隙部を有するレジ
ストフレーム３５を形成する。
【０１４２】次に、図３２に示したように、レジストフ
レーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき
法）によって、電極層の上にヨーク部分層１４Ｂの第２
層１４Ｂ２を形成する。次に、レジストフレーム３５を
除去する。
【０１４３】次に、図示しないが、電極層のうち、ヨー
ク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２の下に存在する部分以
外の部分をドライエッチングで除去する。
【０１４４】次に、図３３に示したように、非磁性層１
５およびヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２を覆うよ
うに保護層１７Ａを形成する。
【０１４５】次に、図３４に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、非磁性層１５が露出するまで保護層
１７Ａを研磨して、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ
２のギャップ層９とは反対側の面のうち、磁極部分層１
４Ａに対して磁気的に接続される部分の近傍を、非磁性
層１５のギャップ層９とは反対側の面および保護層１７
Ａの上面と共に平坦化する。なお、図３４では、第２層
１４Ｂ２のギャップ層９とは反対側の面の一部のみが保
護層１７Ａより露出しているが、第２層１４Ｂ ２のギャ
ップ層９とは反対側の面の全体が保護層１７Ａより露出
するようにしてもよい。
【０１４６】次に、図２２に示したように、積層面の全
体を覆うように保護層１７Ｂを形成する。次に、保護層
１７Ｂの上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基
板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの
作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１４７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、変形例も含めて第２の実施の形態と同様
である。
【０１４８】［第５の実施の形態］次に、本発明の第５
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
図３５は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示
す断面図である。なお、図３５は媒体対向面および基板
の面に垂直な断面を示している。また、図３５において
記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表してい
る。図３６は図３５のＤ−Ｄ線断面図である。図３７は
図３５に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図であ
る。
【０１４９】本実施の形態では、磁極部分層１４Ａおよ
び非磁性層１５は、媒体対向面ＡＢＳから連結部１４Ｃ
にかけて、絶縁層９Ｃの上に形成されている。連結部１
４Ｃの上端部は磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面
に磁気的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂは、連
結部１４Ｃの幅方向の両側面に磁気的に接続されてい
る。また、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの
後端面ではなく、幅方向の両側面において、磁極部分層
１４Ａに対して磁気的に接続されている。
【０１５０】ここで、図３６に示した断面と、ヨーク部
分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面と
が交差してできる直線上において、ヨーク部分層１４Ｂ
のギャップ層９とは反対側の端部の位置を点ａ、磁極部
分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部の位置を点
ｂ、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部の位置を
点ｃ、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部の位
置を点ｄとする。本実施の形態では、ヨーク部分層１４
Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面において、
ヨーク部分層１４Ｂの厚みは磁極部分層１４Ａの厚みよ
りも大きくなっている。すなわち、図３６に示した断面
において、線分ａｄの長さは線分ｂｃの長さよりも大き
い。特に、本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂと磁
極部分層１４Ａとの接続面を含む断面において、ヨーク
部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａに接触しない非接触
部分（図３６における線分ａｂに対応する部分）を有し
ている。本実施の形態では、この非接触部分は、磁極部
分層１４Ａよりも非磁性層１５側にのみ存在している。
すなわち、点ｃと点ｄが一致している。ただし、点ａ〜
ｄの位置関係は、第１の実施の形態と同様にしてもよ
い。
【０１５１】次に、図３８および図３９を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図３８および図３９では、基板１ないし
非磁性層７を省略している。
【０１５２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図１５に示したように、非磁性層１５ｅを形
成する工程までは、第１ないし第３の実施の形態と同様
である。
【０１５３】本実施の形態では、次に、図示しないが、
非磁性層１５ｅの上に、スパッタ法により、電気めっき
法のための電極層を形成する。次に、図３８に示したよ
うに、上記電極層の上に、磁極部分層１４Ａおよび非磁
性層１５の形状を決定するためのマスク３２を形成す
る。
【０１５４】次に、図３９に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａの外形を決定する。このエッチング後、マスク３２
は、非磁性で、耐食性等の点で信頼性が十分にあれば残
っていてもよいし、不要ならば除去してもよい。
【０１５５】次に、図示しないが、非磁性層１５、絶縁
層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上に、スパッタ法により、
電気めっき法のための電極層を形成する。
【０１５６】その後の工程は、第１ないし第３の実施の
形態と同様である。すなわち、上記電極層の上に、フォ
トレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂの形状に対応
した空隙部を有するレジストフレームを形成する。次
に、このレジストフレームを用いて、電気めっき法（フ
レームめっき法）によって、電極層の上にヨーク部分層
１４Ｂを形成する。次に、レジストフレームを除去す
る。次に、電極層のうち、ヨーク部分層１４Ｂの下に存
在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する。
次に、非磁性層１５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うよ
うに保護層１７Ａを形成する。次に、例えば化学機械研
磨を用いて、非磁性層１５が露出するまで保護層１７Ａ
を研磨して、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９とは反
対側の面のうち、少なくとも磁極部分層１４Ａに対して
磁気的に接続される部分の近傍を、非磁性層１５のギャ
ップ層９とは反対側の面および保護層１７Ａの上面と共
に平坦化する。なお、図３６および図３７では、ヨーク
部分層１４Ｂのギャップ層９とは反対側の面の一部のみ
が保護層１７Ａより露出しているが、ヨーク部分層１４
Ｂの厚みを十分大きくして、ヨーク部分層１４Ｂのギャ
ップ層９とは反対側の面の全体が保護層１７Ａより露出
するようにしてもよい。
【０１５７】次に、図３５に示したように、積層面の全
体を覆うように保護層１７Ｂを形成する。次に、保護層
１７Ｂの上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基
板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの
作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１５８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、ヨーク部分層１４Ｂが、磁極部分層１４
Ａの後端面ではなく、幅方向の両側面において、磁極部
分層１４Ａに対して磁気的に接続されていることによる
違い以外は、第２の実施の形態と同様である。
【０１５９】［第６の実施の形態］次に、本発明の第６
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
図４０は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示
す断面図である。なお、図４０は媒体対向面および基板
の面に垂直な断面を示している。また、図４０において
記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表してい
る。図４１は図４０に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示
す斜視図である。
【０１６０】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂ
は、磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面に
おいて磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されていると共
に、その媒体対向面ＡＢＳ側の一部は非磁性層１５を介
して磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に
隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気
的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面
ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから例えば１．５
μｍ以上離れた位置に配置されている。
【０１６１】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂの
媒体対向面ＡＢＳ側の一部が、非磁性層１５を介して磁
極部分層１４Ａに磁気的に接続されているので、磁極部
分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面からも、非磁
性層１５を介してヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１
４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側へ磁束を導くことができる。
【０１６２】図４０に示したように、本実施の形態で
は、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａの後端面と
の接続面を含む断面において、ヨーク部分層１４Ｂの厚
みは磁極部分層１４Ａの厚みよりも大きくなっている。
本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１
４Ａの後端面との接続面を含む断面において、ヨーク部
分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａに接触しない非接触部
分を有している。この非接触部分は、磁極部分層１４Ａ
よりも非磁性層１５側にのみ存在している。なお、ヨー
ク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面と
の接続面を含む断面においても同様に、ヨーク部分層１
４Ｂの厚みは磁極部分層１４Ａの厚みよりも大きくなっ
ている。また、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａ
の幅方向の両側面との接続面を含む断面において、ヨー
ク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａに接触しない非接
触部分を有している。この非接触部分は、磁極部分層１
４Ａよりも非磁性層１５側にのみ存在している。
【０１６３】次に、図４２ないし図４４を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図４２ないし図４４では、基板１ないし
非磁性層７を省略している。
【０１６４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図１５に示したように、非磁性層１５ｅを形
成する工程までは、第１ないし第３の実施の形態と同様
である。本実施の形態では、次に、図示しないが、非磁
性層１５ｅの上に、スパッタ法により、電気めっき法の
ための電極層を形成する。次に、図４２に示したよう
に、上記電極層の上に、磁極部分層１４Ａおよび非磁性
層１５の形状を決定するためのマスク３２を形成する。
【０１６５】次に、図４３に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａの外形を決定する。このエッチング後、マスク３２
は、非磁性で、耐食性等の点で信頼性が十分にあれば残
っていてもよいし、不要ならば除去してもよい。
【０１６６】次に、図示しないが、非磁性層１５、絶縁
層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上に、スパッタ法により、
電気めっき法のための電極層を形成する。
【０１６７】次に、図４４に示したように、上記電極層
の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂ
の形状に対応した空隙部を有するレジストフレーム３５
を形成する。
【０１６８】次に、図４０に示したように、レジストフ
レーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき
法）によって、電極層の上にヨーク部分層１４Ｂを形成
する。次に、レジストフレーム３５を除去する。次に、
電極層のうち、ヨーク部分層１４Ｂの下に存在する部分
以外の部分をドライエッチングで除去する。次に、非磁
性層１５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うように保護層
１７を形成する。次に、保護層１７の上に配線や端子等
を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面Ａ
ＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気
ヘッドが完成する。
【０１６９】本実施の形態では、磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９とは反対側の面に接する非磁性層１５を備え
ているので、ヨーク部分層１４Ｂを電気めっき法によっ
て形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは
反対側の面がダメージを受けることを防止でき、その面
を平坦にすることができる。特に、本実施の形態では、
非磁性層１５が媒体対向面ＡＢＳに露出しているので、
媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の端部を平坦に保つことができる。こ
れにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４Ａ
より発生される磁界を、トラックに交差する方向につい
て均一化することができる。その結果、記録媒体におけ
るビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向
上させることができる。
【０１７０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１７１】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、種々の変更が可能である。例えば、本発明では、
ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面およ
び幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁
極部分層１４Ａに対して磁気的に接続される他に、磁極
部分層１４Ａのギャップ層９側の面とギャップ層９とは
反対側の面の双方において、磁極部分層１４Ａに対して
磁気的に接続されていてもよい。
【０１７２】また、本発明は、垂直磁気記録方式に用い
られる薄膜磁気ヘッドに限らず、長手磁気記録方式に用
いられる薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１７３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし９
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドによれば、第２の磁
性層が磁極部分層とヨーク部分層とを有するようにした
ので、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させるこ
となくトラック幅を縮小することが可能になる。また、
本発明によれば、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面
を含む断面において、ヨーク部分層の厚みが磁極部分層
の厚みよりも大きいことから、磁極部分層とヨーク部分
層との接続部分の近傍において、ヨーク部分層側での磁
束の飽和を防止することが可能になる。これにより、接
続面を介してヨーク部分層から磁極部分層へ効率よく磁
束を導くことが可能になり、その結果、磁極部分より発
生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくす
ることが可能になる。また、本発明によれば、磁極部分
層のギャップ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層
を備えているので、磁極部分層のギャップ層とは反対側
の面が、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてダメージを
受けることを防止でき、その面を平坦に保つことができ
る。そのため、本発明によれば、媒体対向面において、
磁極部分層のギャップ層とは反対側の端部を平坦に保
ち、媒体対向面において磁極部分層より発生される磁界
を、トラックに交差する方向について均一化することが
でき、その結果、記録媒体におけるビットパターン形状
の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることができ
る。以上のことから、本発明によれば、磁極部分より発
生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくす
ることができ、且つ記録密度を向上させることができる
という効果を奏する。
【０１７４】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む断面
において、ヨーク部分層は、磁極部分層に接触せずに磁
極部分層よりもギャップ層側に存在する第１の非接触部
分と、磁極部分層に接触せずに磁極部分層よりも非磁性
層側に存在する第２の非接触部分とを有し、第２の非接
触部分の厚みは第１の非接触部分の厚みよりも大きいの
で、ヨーク部分層から磁極部分層を経由せずにギャップ
層を経由して第１の磁性層に至る磁束を少なくすること
ができる。そのため、本発明によれば、ヨーク部分層か
ら磁極部分層へより効率よく磁束を導くことが可能にな
るという効果を奏する。
【０１７５】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を含む断面
において、ヨーク部分層は、磁極部分層に接触せずに磁
極部分層よりも非磁性層側にのみ存在する非接触部分を
有するので、ヨーク部分層から磁極部分層を経由せずに
ギャップ層を経由して第１の磁性層に至る磁束を少なく
することができる。そのため、本発明によれば、ヨーク
部分層から磁極部分層へより効率よく磁束を導くことが
可能になるという効果を奏する。
【０１７６】また、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャップ層
側の面において、磁極部分層に対して磁気的に接続され
ているので、磁極部分層とヨーク部分層が磁気的に接続
する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層から磁極部
分層へより効率よく磁束を導くことが可能になるという
効果を奏する。
【０１７７】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層のギャップ層とは反対側の面のう
ち、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端面および幅
方向の両側面のうちの少なくとも一部において磁極部分
層に対して磁気的に接続される部分の近傍は、非磁性層
のギャップ層とは反対側の面と共に平坦化されているの
で、磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面
に垂直な方向の成分の割合を大きくすることが可能にな
るという効果を奏する。
【０１７８】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層は、非磁性層を介して磁極部分層の
ギャップ層とは反対側の面に隣接し、非磁性層を介して
磁極部分層に磁気的に接続されているので、磁極部分層
とヨーク部分層が磁気的に接続する部分の面積が大きく
なり、ヨーク部分層から磁極部分層へより効率よく磁束
を導くことが可能になるという効果を奏する。
【０１７９】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層の飽
和磁束密度以上であるので、第２の磁性層の途中におけ
る磁束の飽和を防止することができるという効果を奏す
る。
【０１８０】また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えたの
で、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比べ
て、再生性能を向上させることができるという効果を奏
する。
【０１８１】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、この薄膜磁気ヘッドが垂直磁気記録方式に用いら
れるようにしたので、記録媒体の熱揺らぎの影響を受け
にくくして、線記録密度を高めることができるという効
果を奏する。
【０１８２】また、請求項１０ないし１６のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性
層が磁極部分層とヨーク部分層とを有するようにしたの
で、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させること
なくトラック幅を縮小することが可能になる。また、本
発明によれば、ヨーク部分層と磁極部分層との接続面を
含む断面において、ヨーク部分層の厚みが磁極部分層の
厚みよりも大きいことから、磁極部分層とヨーク部分層
との接続部分の近傍において、ヨーク部分層側での磁束
の飽和を防止することが可能になる。これにより、接続
面を介してヨーク部分層から磁極部分層へ効率よく磁束
を導くことが可能になり、その結果、磁極部分より発生
される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくする
ことが可能になる。また、本発明によれば、磁極部分層
のギャップ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を
形成するようにしたので、磁極部分層のギャップ層とは
反対側の面が、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてダメ
ージを受けることを防止でき、その面を平坦に保つこと
ができる。そのため、本発明によれば、媒体対向面にお
いて、磁極部分層のギャップ層とは反対側の端部を平坦
に保ち、媒体対向面において磁極部分層より発生される
磁界を、トラックに交差する方向について均一化するこ
とができ、その結果、記録媒体におけるビットパターン
形状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることがで
きる。以上のことから、本発明によれば、磁極部分より
発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きく
することができ、且つ記録密度を向上させることができ
るという効果を奏する。
【０１８３】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ヨーク部分層と磁極部分層との接続
面を含む断面において、ヨーク部分層は、磁極部分層に
接触せずに磁極部分層よりもギャップ層側に存在する第
１の非接触部分と、磁極部分層に接触せずに磁極部分層
よりも非磁性層側に存在する第２の非接触部分とを有
し、第２の非接触部分の厚みは第１の非接触部分の厚み
よりも大きいので、ヨーク部分層から磁極部分層を経由
せずにギャップ層を経由して第１の磁性層に至る磁束を
少なくすることができる。そのため、本発明によれば、
ヨーク部分層から磁極部分層へより効率よく磁束を導く
ことが可能になるという効果を奏する。
【０１８４】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ヨーク部分層と磁極部分層との接続
面を含む断面において、ヨーク部分層は、磁極部分層に
接触せずに磁極部分層よりも非磁性層側にのみ存在する
非接触部分を有するので、ヨーク部分層から磁極部分層
を経由せずにギャップ層を経由して第１の磁性層に至る
磁束を少なくすることができる。そのため、本発明によ
れば、ヨーク部分層から磁極部分層へより効率よく磁束
を導くことが可能になるという効果を奏する。
【０１８５】また、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層
のギャップ層側の面において、磁極部分層に対して磁気
的に接続されるので、磁極部分層とヨーク部分層が磁気
的に接続する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層か
ら磁極部分層へより効率よく磁束を導くことが可能にな
るという効果を奏する。
【０１８６】また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ヨーク部分層のギャップ層とは反対
側の面のうち、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端
面および幅方向の両側面のうちの少なくとも一部におい
て磁極部分層に対して磁気的に接続される部分の近傍
は、非磁性層のギャップ層とは反対側の面と共に平坦化
されるので、磁極部分より発生される磁界のうち、記録
媒体の面に垂直な方向の成分の割合を大きくすることが
可能になるという効果を奏する。
【０１８７】また、請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ヨーク部分層は、非磁性層を介して
磁極部分層のギャップ層とは反対側の面に隣接し、非磁
性層を介して磁極部分層に磁気的に接続されるので、磁
極部分層とヨーク部分層が磁気的に接続する部分の面積
が大きくなり、ヨーク部分層から磁極部分層へより効率
よく磁束を導くことが可能になるという効果を奏する。
【０１８８】また、請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨー
ク部分層の飽和磁束密度以上であるので、第２の磁性層
の途中における磁束の飽和を防止することができるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの媒体対向面を示す正面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの要部を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の変形例における図
１のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】図５に示した変形例の薄膜磁気ヘッドの要部を
示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成を示す断面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の変形例における図
７のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１ないし第３の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図
である。
【図１３】図１２に続く工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を示す断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を示す断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を示す断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を示す断面図である。
【図２２】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図２３】図２２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図２４】本発明の第４の実施の形態の変形例における
図２２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図２５】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を示す断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を示す断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を示す断面図である。
【図２９】図２８に続く工程を示す断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を示す断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を示す断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を示す断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を示す断面図である。
【図３５】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図３６】図３５のＤ−Ｄ線断面図である。
【図３７】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの要部を示す斜視図である。
【図３８】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図３９】図３８に続く工程を示す断面図である。
【図４０】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図４１】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの要部を示す斜視図である。
【図４２】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図４３】図４２に続く工程を示す断面図である。
【図４４】図４３に続く工程を示す断面図である。
【符号の説明】
３…下部シールド層、４…絶縁層、５…ＭＲ素子、６…
上部シールド層、７…非磁性層、８…第１の磁性層、９
…ギャップ層、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…絶縁層、１０…薄膜
コイル、１４…第２の磁性層、１４Ａ…磁極部分層、１
４Ｂ…ヨーク部分層、１４Ｃ…連結部、１５…非磁性
層。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、 記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに
    対向するように配置された磁極部分を含むと共に、前記
    媒体対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結
    された第１および第２の磁性層と、 非磁性材料よりなり、前記第１の磁性層と第２の磁性層
    との間に設けられたギャップ層と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    設けられた薄膜コイルとを備え、 前記第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面にお
    ける幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、前記磁極
    部分と前記第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部
    分層とを有し、 更に、前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面
    の全面に接する非磁性層を備え、 前記ヨーク部分層は、前記磁極部分層の媒体対向面とは
    反対側の端面および幅方向の両側面のうちの少なくとも
    一部において、前記磁極部分層に対して磁気的に接続さ
    れ、 前記ヨーク部分層と前記磁極部分層との接続面を含む断
    面において、前記ヨーク部分層の厚みは前記磁極部分層
    の厚みよりも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記ヨーク部分層と前記磁極部分層との
    接続面を含む断面において、前記ヨーク部分層は、前記
    磁極部分層に接触せずに前記磁極部分層よりも前記ギャ
    ップ層側に存在する第１の非接触部分と、前記磁極部分
    層に接触せずに前記磁極部分層よりも前記非磁性層側に
    存在する第２の非接触部分とを有し、前記第２の非接触
    部分の厚みは前記第１の非接触部分の厚みよりも大きい
    ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記ヨーク部分層と前記磁極部分層との
    接続面を含む断面において、前記ヨーク部分層は、前記
    磁極部分層に接触せずに前記磁極部分層よりも前記非磁
    性層側にのみ存在する非接触部分を有することを特徴と
    する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記ヨーク部分層は、更に、前記磁極部
    分層の前記ギャップ層側の面において、前記磁極部分層
    に対して磁気的に接続されていることを特徴とする請求
    項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記ヨーク部分層の前記ギャップ層とは
    反対側の面のうち、前記磁極部分層の媒体対向面とは反
    対側の端面および幅方向の両側面のうちの少なくとも一
    部において前記磁極部分層に対して磁気的に接続される
    部分の近傍は、前記非磁性層の前記ギャップ層とは反対
    側の面と共に平坦化されていることを特徴とする請求項
    １ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記ヨーク部分層は、前記非磁性層を介
    して前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面に
    隣接し、前記非磁性層を介して前記磁極部分層に磁気的
    に接続されていることを特徴とする請求項１ないし３の
    いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記磁極部分層の飽和磁束密度は、前記
    ヨーク部分層の飽和磁束密度以上であることを特徴とす
    る請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  8. 【請求項８】 更に、再生素子としての磁気抵抗効果素
    子を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 垂直磁気記録方式に用いられることを特
    徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  10. 【請求項１０】 記録媒体に対向する媒体対向面と、記
    録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに対
    向するように配置された磁極部分を含むと共に、前記媒
    体対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結さ
    れた第１および第２の磁性層と、非磁性材料よりなり、
    前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられたギ
    ャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁
    性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁
    された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、前記第２
    の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面における幅が
    トラック幅を規定する磁極部分層と、前記磁極部分と前
    記第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部分層とを
    有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記ギャップ層を形成する工程と、 前記薄膜コイルを形成する工程と、 ヨーク部分層が、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の
    端面および幅方向の両側面のうちの少なくとも一部にお
    いて、磁極部分層に対して磁気的に接続され、且つ、ヨ
    ーク部分層と磁極部分層との接続面を含む断面におい
    て、ヨーク部分層の厚みが磁極部分層の厚みよりも大き
    くなるように、磁極部分層とヨーク部分層とを有する前
    記第２の磁性層を形成すると共に、前記磁極部分層の前
    記ギャップ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を
    形成する工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ヨーク部分層と前記磁極部分層と
    の接続面を含む断面において、前記ヨーク部分層は、前
    記磁極部分層に接触せずに前記磁極部分層よりも前記ギ
    ャップ層側に存在する第１の非接触部分と、前記磁極部
    分層に接触せずに前記磁極部分層よりも前記非磁性層側
    に存在する第２の非接触部分とを有し、前記第２の非接
    触部分の厚みは前記第１の非接触部分の厚みよりも大き
    いことを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記ヨーク部分層と前記磁極部分層と
    の接続面を含む断面において、前記ヨーク部分層は、前
    記磁極部分層に接触せずに前記磁極部分層よりも前記非
    磁性層側にのみ存在する非接触部分を有することを特徴
    とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記ヨーク部分層は、更に、前記磁極
    部分層の前記ギャップ層側の面において、前記磁極部分
    層に対して磁気的に接続されることを特徴とする請求項
    １０ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の磁性層および前記非磁性層
    を形成する工程は、前記磁極部分層を形成する工程と、
    この磁極部分層の上に前記非磁性層を形成する工程と、
    前記ヨーク部分層のうちの少なくとも前記磁極部分層に
    対して磁気的に接続される部分を形成する工程と、前記
    非磁性層およびヨーク部分層を覆うように保護層を形成
    する工程と、前記非磁性層が露出するまで前記保護層を
    研磨して、前記ヨーク部分層の前記ギャップ層とは反対
    側の面のうち、前記磁極部分層の媒体対向面とは反対側
    の端面および幅方向の両側面のうちの少なくとも一部に
    おいて前記磁極部分層に対して磁気的に接続される部分
    の近傍を、前記非磁性層の前記ギャップ層とは反対側の
    面と共に平坦化する工程とを含むことを特徴とする請求
    項１０ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記ヨーク部分層は、前記非磁性層を
    介して前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面
    に隣接し、前記非磁性層を介して前記磁極部分層に磁気
    的に接続されることを特徴とする請求項１０ないし１２
    のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記磁極部分層の飽和磁束密度は、前
    記ヨーク部分層の飽和磁束密度以上であることを特徴と
    する請求項１０ないし１５のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006139899A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Headway Technologies Inc 薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッド
US8358487B2 (en) 2011-01-05 2013-01-22 Headway Technologies, Inc. Thin-film magnetic head having coil of varying thinknesses in spaces adjacent the main magnetic pole

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3943337B2 (ja) * 2000-11-10 2007-07-11 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US7061717B2 (en) * 2003-05-22 2006-06-13 Headway Technologies, Inc. Yoke structure with constricted width
US7469467B2 (en) * 2004-04-30 2008-12-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of manufacturing a perpendicular write head
US8331058B2 (en) * 2004-05-28 2012-12-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for providing a write head with an improved pole tip to improve overwrite and/or adjacent track interference
US7279424B2 (en) * 2004-08-27 2007-10-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for fabricating thin film magnetic heads using CMP with polishing stop layer
US7558020B2 (en) * 2004-11-12 2009-07-07 Headway Technologies, Inc. Thin-film magnetic head structure having a magnetic pole tip with an even width portion method of manufacturing thereof, and thin-film magnetic head having a magnetic pole tip with an even width portion
US7429493B2 (en) * 2005-07-18 2008-09-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for fabricating a magnetic head for perpendicular recording using a CMP lift-off and resistant layer
US20070183093A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Quang Le Protective layer for CMP assisted lift-off process and method of fabrication
US8634162B2 (en) * 2007-03-08 2014-01-21 HGST Netherlands B.V. Perpendicular write head having a stepped flare structure and method of manufacture thereof
US8031434B2 (en) * 2007-12-28 2011-10-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Hybrid, self aligned magnetic write head with a partially plated pole and method of producing same
US20090195920A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Bonhote Christian R Main pole bridge structure

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6166880A (en) * 1991-08-13 2000-12-26 Tdk Corporation Thin film magnetic head which prevents errors due to electric discharge
JP3367877B2 (ja) 1997-09-29 2003-01-20 株式会社日立製作所 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2000057522A (ja) 1998-08-06 2000-02-25 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6337783B1 (en) 1998-08-12 2002-01-08 International Business Machines Corporation Write head with multi-stitched second pole piece
JP2000113412A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2000149218A (ja) 1998-11-10 2000-05-30 Read Rite Smi Kk 薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法
JP3560872B2 (ja) * 1999-10-12 2004-09-02 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6513228B1 (en) * 2000-01-05 2003-02-04 Seagate Technology Llc Method for forming a perpendicular recording read/write head

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006139899A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Headway Technologies Inc 薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッド
US7921544B2 (en) 2004-11-12 2011-04-12 Headway Technologies, Inc. Method of manufacturing a thin film magnetic head structure
US8358487B2 (en) 2011-01-05 2013-01-22 Headway Technologies, Inc. Thin-film magnetic head having coil of varying thinknesses in spaces adjacent the main magnetic pole

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