JP3362034B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number
JP3362034B2
JP3362034B2 JP2001007499A JP2001007499A JP3362034B2 JP 3362034 B2 JP3362034 B2 JP 3362034B2 JP 2001007499 A JP2001007499 A JP 2001007499A JP 2001007499 A JP2001007499 A JP 2001007499A JP 3362034 B2 JP3362034 B2 JP 3362034B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic
flux density
thin film
saturation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001007499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002216317A (ja
Inventor
哲哉 箕野
山口　　淳
晴司 矢里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2001007499A priority Critical patent/JP3362034B2/ja
Priority to US09/942,871 priority patent/US6822830B2/en
Publication of JP2002216317A publication Critical patent/JP2002216317A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3362034B2 publication Critical patent/JP3362034B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
    • G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
    • G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク装置に用いられる薄膜磁
気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を
有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ（Magneto-resistive）素子とも記す。）を有
する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッ
ドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドは、それぞれ媒体対向面（エア
ベアリング面）側において互いに対向する磁極部分を含
む下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部
分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャ
ップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極
層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを
備えている。
【０００４】ところで、近年、ハードディスク装置の高
記録密度化のために、薄膜磁気ヘッドにおける記録ヘッ
ドのトラック幅の縮小と、記録媒体の高保磁力化が進ん
でいる。このようなトラック幅の縮小と記録媒体の高保
磁力化に伴い、記録ヘッドには、発生磁界をより大きく
することが要求される。従来、磁極層を構成する材料と
しては、パーマロイ（ＮｉＦｅ）が使用されることが多
かった。しかし、記録ヘッドの発生磁界をより大きくす
るには、磁極層に、パーマロイよりも飽和磁束密度の大
きな材料を使用する必要がある。
【０００５】特開平５−１２０６３０号公報や特開平６
−１２４４１５号公報には、ハードディスク装置の高記
録密度化に対応するための薄膜磁気ヘッドとして、記録
ヘッドにおける少なくとも一方の磁極層を、記録ギャッ
プ層に接しない第１の層と、記録ギャップ層に接する第
２の層の２つの層で構成し、第２の層を、第１の層を構
成する材料よりも飽和磁束密度の大きい材料で構成した
薄膜磁気ヘッドが示されている。このような構造のヘッ
ドによれば、磁極部分の記録媒体側の端部まで達する磁
束の減少を抑えて、記録ヘッドの発生磁界を大きくする
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ハードディ
スク装置の高記録密度化のために、最近では、記録ヘッ
ドの磁極幅としては０．５μｍ以下の寸法が要求されて
きている。このように磁極幅が微小になると、磁極幅の
縮小に伴う発生磁界の減少を補うために、上記のように
磁極層を２つの層で構成したヘッドでは、飽和磁束密度
の大きな第２の層の厚みを比較的大きくする必要が生じ
る。
【０００７】しかしながら、第２の層の厚みを大きくす
ると、媒体対向面において大きな磁界が発生する領域の
面積、すなわち第２の層の媒体対向面側の端部の面積が
大きくなる。そうすると、媒体対向面における磁束の広
がりが大きくなり、その結果、記録媒体における磁化パ
ターンが大きくなって記録密度の向上が困難になった
り、非線形磁化遷移点移動（Non-linear Transition Sh
ift；以下、ＮＬＴＳと記す。）が大きくなるという問
題点がある。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅が小さい場合でも、媒体対向
面における磁極部分からの発生磁界を大きくでき且つ媒
体対向面における磁束の広がりを抑制できるようにした
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁
極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギ
ャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層
の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
態で設けられた薄膜コイルとを備え、第１の磁性層と第
２の磁性層の少なくとも一方は、一方の面がギャップ層
に隣接する第１の層と、一方の面が第１の層の他方の面
に隣接する第２の層と、一方の面が第２の層の他方の面
に隣接する第３の層とを含み、第１の層、第２の層およ
び第３の層は、媒体対向面に露出し、第２の層の飽和磁
束密度は第３の層の飽和磁束密度よりも大きく、第１の
層の飽和磁束密度は第２の層の飽和磁束密度よりも大き
いものである。
【００１０】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁性
層と第２の磁性層の少なくとも一方は、少なくとも磁極
部分において、第１ないし第３の層を含み、これらの層
の飽和磁束密度は、ギャップ層に近い層ほど大きくなっ
ている。これにより、媒体対向面における磁極部分から
の発生磁界を大きくしながら、媒体対向面における磁束
の広がりを抑制することが可能になる。
【００１１】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、媒体対
向面における第１の層の厚みをＴ１、媒体対向面におけ
る第２の層の厚みをＴ２としたとき、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ
２）の値は０．０２５以上、０．５以下であってもよ
い。また、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０５以上、
０．２５以下であってもよい。
【００１２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
第１の層の飽和磁束密度をＢ１、第２の層の飽和磁束密
度をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値は０．６５以上、
０．９５以下であってもよい。また、Ｂ２／Ｂ１の値は
０．７５以上、０．９５以下であってもよい。
【００１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分
と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ
層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間
に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造
する方法であって、第１の磁性層を形成する工程と、第
１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、ギャッ
プ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、薄膜コイル
を形成する工程とを備え、第１の磁性層を形成する工程
と第２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、一
方の面がギャップ層に隣接する第１の層と、一方の面が
第１の層の他方の面に隣接する第２の層と、一方の面が
第２の層の他方の面に隣接する第３の層とを形成し、第
１の層、第２の層および第３の層は、媒体対向面に露出
し、第２の層の飽和磁束密度は第３の層の飽和磁束密度
よりも大きく、第１の層の飽和磁束密度は第２の層の飽
和磁束密度よりも大きいものである。
【００１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１の磁性層と第２の磁性層の少なくとも一方は、少な
くとも磁極部分において、第１ないし第３の層を含み、
これらの層の飽和磁束密度は、ギャップ層に近い層ほど
大きくなる。これにより、媒体対向面における磁極部分
からの発生磁界を大きくしながら、媒体対向面における
磁束の広がりを抑制することが可能になる。
【００１５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、媒体対向面における第１の層の厚みをＴ１、媒体対
向面における第２の層の厚みをＴ２としたとき、Ｔ１／
（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０２５以上、０．５以下であ
ってもよい。また、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０
５以上、０．２５以下であってもよい。
【００１６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第１の層の飽和磁束密度をＢ１、第２の層の
飽和磁束密度をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値は０．
６５以上、０．９５以下であってもよい。また、Ｂ２／
Ｂ１の値は０．７５以上、０．９５以下であってもよ
い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、図１を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。
図１は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。図１において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な
断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平
行な断面を示している。
【００１８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、セ
ラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に形成
された絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上
に形成された再生ヘッドと、この再生ヘッドの上に形成
された記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）と、この記録
ヘッドを覆う絶縁材料よりなる保護層１６とを備えてい
る。また、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体
対向面としてのエアベアリング面３０を備えている。
【００１９】再生ヘッドは、絶縁層２の上に形成された
磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シール
ド層３の上に形成された絶縁材料よりなる下部シールド
ギャップ膜４と、一端部がエアベアリング面３０に配置
されるように、下部シールドギャップ膜４の上に形成さ
れた再生用のＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）５と、下部
シールドギャップ膜４の上に形成され、ＭＲ素子５に電
気的に接続された一対の電極層６と、下部シールドギャ
ップ膜４、ＭＲ素子５および電極層６を覆うように形成
された上部シールドギャップ膜７と、この上部シールド
ギャップ膜７の上に形成された磁性材料よりなる上部シ
ールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）８
とを備えている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気
抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子ある
いはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗
効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００２０】記録ヘッドは、下部磁極層８と、この下部
磁極層８の上に形成された絶縁材料よりなる記録ギャッ
プ層９と、この記録ギャップ層９の上において、薄膜コ
イルを形成する部分に形成された絶縁層１０と、この絶
縁層１０の上に形成された導電性材料よりなる薄膜コイ
ルの第１層部分１１と、絶縁層１０および薄膜コイルの
第１層部分１１を覆うように形成された絶縁層１２と、
絶縁層１２の上に形成された導電性材料よりなる薄膜コ
イルの第２層部分１３と、薄膜コイルの第２層部分１３
を覆うように形成された絶縁層１４と、記録ギャップ層
９および絶縁層１４の上に形成された磁性材料からなる
記録ヘッド用の上部磁極層１５とを備えている。保護層
１６は、上部磁極層１５を覆うように形成されている。
絶縁層１２のエアベアリング面３０側の端部は、エアベ
アリング面３０から所定の位置に配置され、スロートハ
イトを規定する。なお、スロートハイトとは、２つの磁
極層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベ
アリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高
さ）をいう。
【００２１】下部磁極層８のエアベアリング面３０側の
一部である磁極部分と、上部磁極層１５のエアベアリン
グ面３０側の一部である磁極部分は、記録ギャップ層９
を介して互いに対向している。上部磁極層１５の磁極部
分は、記録トラック幅に等しい幅を有している。また、
上部磁極層１５のエアベアリング面３０とは反対側の端
部は、記録ギャップ層９に形成されたコンタクトホール
９ａを介して下部磁極層８に接続され、磁気的に連結さ
れている。薄膜コイルの第１層部分１１および第２層部
分１３はコンタクトホール９ａの回りに巻回されてい
る。
【００２２】このように、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリ
ング面３０）と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えてい
る。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面３
０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有してい
る。
【００２３】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含む下部磁極層８および上部磁極層１５と、この下
部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１５の磁極部分との
間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が
下部磁極層８および上部磁極層１５の間に、これらに対
して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１１，１３
とを有している。
【００２４】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１５が本発
明における第２の磁性層に対応する。なお、下部磁極層
８の代わりに、上部シールド層と、下部磁性層と、非磁
性材料よりなり、上部シールド層と下部磁性層とを分離
する分離層とを設けてもよい。
【００２５】本実施の形態において、上部磁極層１５
は、磁極部分において一方の面（下面）が記録ギャップ
層９に隣接する第１の層１５ａと、一方の面（下面）が
第１の層１５ａの他方の面（上面）に隣接する第２の層
１５ｂと、一方の面（下面）が第２の層１５ｂの他方の
面（上面）に隣接する第３の層１５ｃとを含んでいる。
第２の層１５ｂの飽和磁束密度Ｂ２は第３の層１５ｃの
飽和磁束密度Ｂ３よりも大きく、第１の層１５ａの飽和
磁束密度Ｂ１は第２の層１５ｂの飽和磁束密度Ｂ２より
も大きくなっている。すなわち、第１の層１５ａないし
第３の層１５ｃの飽和磁束密度は、記録ギャップ層９に
近い層ほど大きくなっている。
【００２６】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
では、下部磁極層８は記録媒体の進行方向の後側（薄膜
磁気ヘッドを含むスライダにおける空気流入端側）に配
置され、上部磁極層１５は記録媒体の進行方向の前側
（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおける空気流出端
側）に配置される。
【００２７】次に、図２ないし図４を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。なお、図２ないし図４において、（ａ）はエアベア
リング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエア
ベアリング面に平行な断面を示している。
【００２８】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドの製
造方法では、まず、図２に示したように、アルティック
（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板
１の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２を、例えば１〜
５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層２の上に、スパ
ッタリング法またはめっき法等によって、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部
シールド層３を、例えば約３μｍの厚みに形成する。
【００２９】次に、下部シールド層３の上に、スパッタ
リング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる下
部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎｍの
厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上
に、スパッタリング法等によって、再生用のＭＲ素子５
を、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。
【００３０】次に、下部シールドギャップ膜４の上に、
スパッタリング法等によって、ＭＲ素子５に電気的に接
続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５
の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶
縁材料よりなる上部シールドギャップ膜７を、例えば１
０〜２００ｎｍの厚みに形成する。
【００３１】なお、上記の再生ヘッドを構成する各層
は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法
やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパター
ニングされる。
【００３２】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる下部磁極層８を、例えば３〜４μｍの厚みに形
成する。なお、下部磁極層８に用いる磁性材料は、Ｎｉ
Ｆｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料
である。下部磁極層８は、スパッタリング法またはめっ
き法等によって形成される。
【００３３】なお、下部磁極層８の代わりに、上部シー
ルド層と、この上部シールド層の上にスパッタリング法
等によって形成されたアルミナ等の非磁性材料よりなる
分離層と、この分離層の上に形成された下部磁性層とを
設けてもよい。
【００３４】次に、下部磁極層８の上に、スパッタリン
グ法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる記録ギ
ャップ層９を、例えば１５０〜３００ｎｍの厚みに形成
する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイルの
中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッチ
ングしてコンタクトホール９ａを形成する。
【００３５】次に、記録ギャップ層９の上において、薄
膜コイルを形成する部分に、例えば熱硬化させたフォト
レジストよりなる絶縁層１０を形成する。次に、絶縁層
１０の上に、フレームめっき法等によって、銅（Ｃｕ）
等の導電性材料よりなる薄膜コイルの第１層部分１１を
形成する。次に、絶縁層１０および薄膜コイルの第１層
部分１１を覆うように、例えば熱硬化させたフォトレジ
ストよりなる絶縁層１２を形成する。次に、絶縁層１２
の上に、フレームめっき法等によって、銅等の導電性材
料よりなる薄膜コイルの第２層部分１３を形成する。次
に、薄膜コイルの第２層部分１３を覆うように、例えば
熱硬化させたフォトレジストよりなる絶縁層１４を形成
する。薄膜コイルの第１層部分１１と第２層部分１３
は、互いに接続され、コンタクトホール９ａの回りに巻
回される。
【００３６】次に、図３に示したように、エアベアリン
グ面（媒体対向面）３０から絶縁層１２，１４の上を経
て、コンタクトホール９ａにかけて、スパッタリング法
等によって、上部磁極層１５の第１の層１５ａを形成す
る。第１の層１５ａのエアベアリング面３０とは反対側
の端部は、記録ギャップ層９に形成されたコンタクトホ
ール９ａを介して下部磁極層８に接続される。次に、第
１の層１５ａの上に、フレームめっき法等によって、上
部磁極層１５の第２の層１５ｂを形成する。次に、第２
の層１５ｂの上に、フレームめっき法等によって、上部
磁極層１５の第３の層１５ｃを形成する。このようにし
て、第１の層１５ａ、第２の層１５ｂおよび第３の層１
５ｃよりなる上部磁極層１５が形成される。
【００３７】次に、図４に示したように、上部磁極層１
５の磁極部分をマスクとして、ドライエッチングによ
り、記録ギャップ層９をエッチングする。このときのド
ライエッチングには、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）やイオンミリング等が用いられる。次に、例えばア
ルゴンイオンミリングによって、上部シールド層８を選
択的に例えば０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、
図４（ｂ）に示したようなトリム（Trim）構造とする。
このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発
生する磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を
防止することができる。
【００３８】次に、図１に示したように、スパッタリン
グ法等によって、全体に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁
材料よりなる保護層１６を、例えば５〜５０μｍの厚さ
に形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しな
い電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むス
ライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッ
ドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成
して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００３９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
前述のように、上部磁極層１５は、一方の面が記録ギャ
ップ層９に隣接する第１の層１５ａと、一方の面が第１
の層１５ａの他方の面に隣接する第２の層１５ｂと、一
方の面が第２の層１５ｂの他方の面に隣接する第３の層
１５ｃとを含んでいる。第２の層１５ｂの飽和磁束密度
Ｂ２は第３の層１５ｃの飽和磁束密度Ｂ３よりも大き
く、第１の層１５ａの飽和磁束密度Ｂ１は第２の層１５
ｂの飽和磁束密度Ｂ２よりも大きくなっている。
【００４０】Ｂ１＞Ｂ２＞Ｂ３の関係を満たす範囲内
で、第１の層１５ａの飽和磁束密度Ｂ１は１．０〜２．
４Ｔ（テスラ）の範囲内の値が好ましく、第２の層１５
ｂの飽和磁束密度Ｂ２は０．９〜２．２Ｔの範囲内の値
が好ましく、第３の層１５ｃの飽和磁束密度Ｂ３は０．
８〜２．０Ｔの範囲内の値が好ましい。
【００４１】また、エアベアリング面３０における第１
の層１５ａの厚みをＴ１、エアベアリング面３０におけ
る第２の層１５ｂの厚みをＴ２としたとき、Ｔ１／（Ｔ
１＋Ｔ２）の値は０．０２５以上、０．５以下であるこ
とが好ましく、０．０５以上、０．２５以下であること
がより好ましい。その理由については後で詳しく説明す
る。
【００４２】また、Ｂ２／Ｂ１の値は、０．６５以上、
０．９５以下であることが好ましく、０．７５以上、
０．９５以下であることがより好ましい。この理由につ
いても後で詳しく説明する。
【００４３】上述のように、少なくとも磁極部分におい
て、上部磁極層１５の第１の層１５ａないし第３の層１
５ｃの飽和磁束密度を、ギャップ層９に近い層ほど大き
くすることにより、上部磁極層１５の磁極部分のエアベ
アリング面３０側の端部まで達する磁束の減少を抑え
て、記録ヘッドの発生磁界を大きくすることが可能にな
る。更に、この構成により、上部磁極層１５を２つの層
で構成した場合に比べて、エアベアリング面３０におい
て大きな磁界が発生する領域を記録ギャップ層９の近傍
のより狭い領域に絞り込むことが可能になる。以上のこ
とから、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法によれば、磁極幅が小さい場合でも、エアベア
リング面３０における磁極部分からの発生磁界を大きく
でき且つエアベアリング面３０における磁束の広がりを
抑制することが可能になる。なお、発生磁界増大の効果
は、重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性
で評価することができる。また、磁束の広がり抑制の効
果は、ＮＬＴＳや、記録媒体における磁化パターンの幅
（実効トラック幅）と磁極幅（光学的トラック幅）との
差によって評価することができる。
【００４４】ここで、本実施の形態における一実施例の
薄膜磁気ヘッドと、上部磁極層を２つの層で構成した比
較例の薄膜磁気ヘッドとで、オーバーライト特性、ＮＬ
ＴＳ、および記録媒体における磁化パターンの幅（実効
トラック幅）と磁極幅（光学的トラック幅）との差（以
下、トラック幅誤差と言う。）を比較した結果について
説明する。
【００４５】一実施例の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極
層１５の第１の層１５ａをＦｅＮ層とし、第２の層１５
ｂをＣｏＮｉＦｅ層とし、第３の層１５ｃをＮｉＦｅ層
とした。エアベアリング面３０における第１の層１５ａ
の厚みＴ１、第２の層１５ｂの厚みＴ２、第３の層の厚
みＴ３は、それぞれ、Ｔ１＝５０ｎｍ、Ｔ２＝４５０ｎ
ｍ、Ｔ３＝２０００ｎｍとした。また、第１の層１５ａ
の飽和磁束密度Ｂ１、第２の層１５ｂの飽和磁束密度Ｂ
２、第３の層１５ｃの飽和磁束密度Ｂ３は、それぞれ、
Ｂ１＝２．０Ｔ、Ｂ２＝１．８Ｔ、Ｂ３＝０．９Ｔであ
る。
【００４６】一方、比較例の薄膜磁気ヘッドでは、上部
磁極層を、一方の面が記録ギャップ層に隣接する第１の
層と、一方の面が第１の層の他方の面に隣接する第２の
層とで構成した。この比較例では、第１の層をＦｅＮ層
とし、第２の層をＮｉＦｅ層とした。また、エアベアリ
ング面における第１の層の厚みは５００ｎｍとし、エア
ベアリング面における第２の層の厚みは２０００ｎｍと
した。また、第１の層の飽和磁束密度は２．０Ｔであ
り、第２の層の飽和磁束密度は０．９Ｔである。
【００４７】一実施例の薄膜磁気ヘッドあるいは比較例
の薄膜磁気ヘッドにおけるＦｅＮ層は直流マグネトロン
スパッタリング装置を用いてスパッタリング法により成
膜し、ＣｏＮｉＦｅ層およびＮｉＦｅ層は電解めっき法
により成膜した。
【００４８】次に、一実施例の薄膜磁気ヘッドと比較例
の薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性を、記録周波数１８０
ＭＨｚ、記録媒体の回転数７２００ｒｐｍの条件で、保
磁力が３３５０Ｏｅ（３３５０×７９Ａ／ｍ）の記録媒
体を用いて測定した。電磁変換特性としては、オーバー
ライト特性（以下、ＯＷとも記す。）およびＮＬＴＳを
測定した。一実施例の薄膜磁気ヘッドと比較例の薄膜磁
気ヘッドについてトラック幅誤差を測定した。これらの
測定結果を、以下の表に示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】上記の表から分かるように、一実施例のヘ
ッドでは、比較例のヘッドに比べて、上部磁極層全体の
飽和磁束密度が小さいにもかかわらず、オーバーライト
特性がほとんど劣化することなく、ＮＬＴＳが改善さ
れ、また、トラック幅誤差が小さくなっている。
【００５１】次に、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値の好まし
い範囲を求めるために行った実験について説明する。こ
の実験では、それぞれ上部磁極層１５が第１の層１５
ａ、第２の層１５ｂおよび第３の層１５ｃで構成され、
Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値が異なる複数の薄膜磁気ヘッ
ドを作製し、それらのオーバーライト特性とＮＬＴＳを
測定した。作製した複数の薄膜磁気ヘッドにおいて、第
１の層１５ａの飽和磁束密度Ｂ１、第２の層１５ｂの飽
和磁束密度Ｂ２、第３の層１５ｃの飽和磁束密度Ｂ３
は、それぞれ、Ｂ１＝２．０Ｔ、Ｂ２＝１．７Ｔ、Ｂ３
＝１．０Ｔとした。また、作製した複数の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、エアベアリング面３０における第１の層１
５ａの厚みと第２の層１５ｂの厚みとの和Ｔ１＋Ｔ２は
１．０μｍとし、第３の層１５ｃの厚みＴ３は１．５μ
ｍとした。実験結果を以下の表と図７に示す。なお、Ｔ
１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値が１の場合は、上部磁極層１５
が第１の層１５ａと第３の層１５ｃのみで構成される場
合である。
【００５２】
【表２】
【００５３】上記の表および図７から分かるように、Ｔ
１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値が１の場合、すなわち上部磁極
層１５を第１の層１５ａと第３の層１５ｃのみで構成し
た場合には、オーバーライト特性は良好であるが、ＮＬ
ＴＳは劣化する。これに対し、上部磁極層１５を第１の
層１５ａ、第２の層１５ｂおよび第３の層１５ｃで構成
した場合には、オーバーライト特性をあまり劣化させる
ことなく、ＮＬＴＳを改善することができる。Ｔ１／
（Ｔ１＋Ｔ２）の値が０．５のときには、Ｔ１／（Ｔ１
＋Ｔ２）の値が１の場合に比べて、オーバーライト特性
はほとんど劣化せずに、ＮＬＴＳが改善されている。Ｔ
１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値が小さくなるほど、オーバーラ
イト特性は劣化する。オーバーライト特性は、約−３０
ｄＢ以下となるのが好ましい。Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の
値が０．０２５のときにはオーバーライト特性が−３０
ｄＢに近い−２９ｄＢであり、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の
値が０．０２５よりも小さくなるとオーバーライト特性
はそれよりも劣化する。従って、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）
の値は０．０２５以上、０．５以下であることが好まし
い。ＮＬＴＳは、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値が０．０５
から０．２５の間で最良の値となる。従って、Ｔ１／
（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０５以上、０．２５以下であ
ることがより好ましい。
【００５４】次に、Ｂ２／Ｂ１の値の好ましい範囲を求
めるために行った実験について説明する。この実験で
は、それぞれ上部磁極層１５が第１の層１５ａ、第２の
層１５ｂおよび第３の層１５ｃで構成され、Ｂ２／Ｂ１
の値が異なる複数の薄膜磁気ヘッドを作製し、それらの
オーバーライト特性とＮＬＴＳを測定した。作製した複
数の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の層１５ａの飽和磁
束密度Ｂ１は２．０Ｔとし、第２の層１５ｂの飽和磁束
密度Ｂ２は１．０〜２．０Ｔとし、第３の層１５ｃの飽
和磁束密度Ｂ３は１．０Ｔとした。また、作製した複数
の薄膜磁気ヘッドにおいて、エアベアリング面３０にお
ける第１の層１５ａの厚みＴ１は０．２５μｍとし、エ
アベアリング面３０における第２の層１５ｂの厚みＴ２
は０．７５μｍとし、エアベアリング面３０における第
３の層１５ｃの厚みＴ３は１．５μｍとした。実験結果
を以下の表と図８に示す。なお、Ｂ２／Ｂ１の値が１の
場合は、Ｂ１とＢ２が共に２．０Ｔとなり、上部磁極層
１５が第１の層１５ａと第３の層１５ｃのみで構成され
る場合である。
【００５５】
【表３】
【００５６】上記の表および図８から分かるように、Ｂ
２／Ｂ１の値が１の場合、すなわち上部磁極層１５を第
１の層１５ａと第３の層１５ｃのみで構成した場合に
は、オーバーライト特性は良好であるが、ＮＬＴＳは劣
化する。これに対し、上部磁極層１５を第１の層１５
ａ、第２の層１５ｂおよび第３の層１５ｃで構成した場
合には、オーバーライト特性をあまり劣化させることな
く、ＮＬＴＳを改善することができる。Ｂ２／Ｂ１の値
が０．９５のときには、Ｂ２／Ｂ１の値が１の場合に比
べて、オーバーライト特性はほとんど劣化せずに、ＮＬ
ＴＳが改善されている。Ｂ２／Ｂ１の値が小さくなるほ
ど、オーバーライト特性は劣化する。オーバーライト特
性は、約−３０ｄＢ以下となるのが好ましい。Ｂ２／Ｂ
１の値が０．６５のときにはオーバーライト特性が−３
０ｄＢに近い−２９ｄＢであり、Ｂ２／Ｂ１の値が０．
６５よりも小さくなるとオーバーライト特性はそれより
も劣化する。従って、Ｂ２／Ｂ１の値は、０．６５以
上、０．９５以下であることが好ましい。ＮＬＴＳは、
Ｂ２／Ｂ１の値が０．７５から０．９５の間で最良の値
となる。従って、Ｂ２／Ｂ１の値は０．７５以上、０．
９５以下であることがより好ましい。
【００５７】なお、図１に示した薄膜磁気ヘッドでは、
下部磁極層８は１つの層によって構成されているが、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、図５または図６
に示したように、下部磁極層８は２つ以上の層によって
構成されていてもよい。図５は下部磁極層８を２つの層
で構成した薄膜磁気ヘッドを示し、図６は下部磁極層８
を３つの層で構成した薄膜磁気ヘッドを示している。な
お、図５および図６において、（ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。
【００５８】図５に示した薄膜磁気ヘッドでは、下部磁
極層８は、上部シールドギャップ膜７の上に形成された
第２の層８ｂと、この第２の層８ｂの上に形成された第
１の層８ａとを有している。記録ギャップ層９は第１の
層８ａの上に形成されている。第１の層８ａの飽和磁束
密度は第２の層８ｂの飽和磁束密度よりも大きくなって
いる。このような構成とすることにより、下部磁極層８
が１つの層で構成される場合に比べて、エアベアリング
面３０における磁極部分からの発生磁界を大きくするこ
とが可能になる。
【００５９】図６に示した薄膜磁気ヘッドでは、下部磁
極層８は、上部シールドギャップ膜７の上に形成された
第３の層８ｃと、この第３の層８ｃの上に形成された第
２の層８ｂと、この第２の層８ｂの上に形成された第１
の層８ａとを有している。記録ギャップ層９は第１の層
８ａの上に形成されている。第２の層８ｂの飽和磁束密
度は第３の層８ｃの飽和磁束密度よりも大きく、第１の
層８ａの飽和磁束密度は第２の層８ｂの飽和磁束密度よ
りも大きくなっている。このような構成とすることによ
り、下部磁極層８が１つの層で構成される場合に比べ
て、エアベアリング面３０における磁極部分からの発生
磁界を大きくし、且つエアベアリング面３０における磁
束の広がりを抑制することが可能になる。
【００６０】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
について説明する。図９は、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの断面図である。図９において、（ａ）はエア
ベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分の
エアベアリング面に平行な断面を示している。
【００６１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
上部磁極層１５の第１の層１５ａを磁極部分にのみ配置
している。従って、本実施の形態では、上部磁極層１５
は、磁極部分では第１の層１５ａないし第３の層１５ｃ
の３つの層で構成され、他の部分では第２の層１５ｂお
よび第３の層１５ｃの２つの層で構成されている。本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部磁
極層１５の第１の層１５ａを磁極部分にのみ形成する。
【００６２】本実施の形態では、上部磁極層１５のうち
の磁極部分以外の部分は第１の層１５ａを含まない。し
かし、磁極部分以外の部分では磁路の体積を十分に確保
することができる。従って、磁極部分以外の部分が、飽
和磁束密度の大きな第１の層１５ａを含まなくても、磁
極部分以外の部分における磁束の飽和を防止することが
できる。
【００６３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００６４】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
について説明する。
【００６５】始めに、図１０ないし図１５を参照して、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。なお、図１０ないし図１５において、（ａ）
はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極
部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００６６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１０に示したように、アルティック
（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板
５１の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層５２を、例え
ば１〜５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層５２の上
に、スパッタリング法またはめっき法等によって、パー
マロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなる再生ヘッド用
の下部シールド層５３を、例えば約３μｍの厚みに形成
する。
【００６７】次に、下部シールド層５３の上に、スパッ
タリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる
下部シールドギャップ膜５４を、例えば１０〜２００ｎ
ｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜５
４の上に、スパッタリング法等によって、再生用のＭＲ
素子５５を、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素
子５５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭ
Ｒ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル
磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用
いた素子を用いることができる。
【００６８】次に、下部シールドギャップ膜５４の上
に、スパッタリング法等によって、ＭＲ素子５５に電気
的に接続される一対の電極層５６を、数十ｎｍの厚みに
形成する。次に、下部シールドギャップ膜５４およびＭ
Ｒ素子５５の上に、スパッタリング法等によって、アル
ミナ等の絶縁材料よりなる上部シールドギャップ膜５７
を、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成する。
【００６９】なお、上記の再生ヘッドを構成する各層
は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法
やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパター
ニングされる。
【００７０】次に、上部シールドギャップ膜５７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）５８を、例えば３〜４μｍの厚みに形
成する。なお、下部磁極層５８に用いる磁性材料は、Ｎ
ｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材
料である。下部磁極層５８は、スパッタリング法または
めっき法等によって形成される。
【００７１】なお、下部磁極層５８の代わりに、上部シ
ールド層と、この上部シールド層の上にスパッタリング
法等によって形成されたアルミナ等の非磁性材料よりな
る分離層と、この分離層の上に形成された下部磁性層と
を設けてもよい。
【００７２】次に、図１１に示したように、下部磁極層
５８の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等
の絶縁材料よりなる記録ギャップ層５９を、例えば１５
０〜３００ｎｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のた
めに、後述する薄膜コイルの中心部分において、記録ギ
ャップ層５９を部分的にエッチングしてコンタクトホー
ル５９ａを形成する。
【００７３】次に、記録ギャップ層５９の上に、例えば
銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分６０を、例
えば２〜３μｍの厚みに形成する。なお、図１１（ａ）
において、符号６０ａは、第１層部分６０のうち、後述
する薄膜コイルの第２層部分６５に接続される接続部を
表している。第１層部分６０は、コンタクトホール５９
ａの周囲に巻回される。
【００７４】次に、図１２に示したように、薄膜コイル
の第１層部分６０およびその周辺の記録ギャップ層５９
を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を
有する有機絶縁材料よりなる絶縁層６１を所定のパター
ンに形成する。次に、絶縁層６１の表面を平坦にするた
めに所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁
層６１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた
斜面形状となる。
【００７５】次に、絶縁層６１のうちの後述するエアベ
アリング面８０側（図１２（ａ）における左側）の斜面
部分からエアベアリング面８０側にかけての領域におい
て、記録ギャップ層５９および絶縁層６１の上に、記録
ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層６２のトラッ
ク幅規定層６２Ａを形成する。上部磁極層６２は、この
トラック幅規定層６２Ａと、後述する連結部分層６２Ｂ
およびヨーク部分層６２Ｃとで構成される。
【００７６】トラック幅規定層６２Ａは、記録ギャップ
層５９の上に形成された第１の層６２Ａａと、この第１
の層６２Ａａの上に形成された第２の層６２Ａｂと、こ
の第２の層６２Ａｂの上に形成された第３の層６２Ａｃ
とで構成されている。第１の層６２Ａａは例えばスパッ
タリング法によって形成され、第２の層６２Ａｂおよび
第３の層６２Ａｃは例えばフレームめっき法によって形
成される。
【００７７】また、トラック幅規定層６２Ａは、記録ギ
ャップ層５９の上に形成され、上部磁極層６２の磁極部
分となる先端部６２Ａ1と、絶縁層６１のエアベアリン
グ面８０側の斜面部分の上に形成され、ヨーク部分層６
２Ｃに接続される接続部６２Ａ2とを有している。先端
部６２Ａ1の幅は記録トラック幅と等しくなっている。
【００７８】トラック幅規定層６２Ａを形成する際に
は、同時に、コンタクトホール５９ａの上に磁性材料よ
りなる連結部分層６２Ｂを形成すると共に、接続部６０
ａの上に磁性材料よりなる接続層６３を形成する。連結
部分層６２Ｂは、上部磁極層６２のうち、下部磁極層５
８に磁気的に連結される部分を構成する。
【００７９】次に、トラック幅規定層６２Ａの周辺にお
いて、トラック幅規定層６２Ａをマスクとして、記録ギ
ャップ層５９および下部磁極層５８の磁極部分における
記録ギャップ層５９側の少なくとも一部をエッチングし
て、図１２（ｂ）に示したようなトリム構造とする。記
録ギャップ層５９のエッチングには例えば反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）が用いられ、下部磁極層８のエッ
チングには例えばイオンミリングが用いられる。
【００８０】次に、図１３に示したように、全体に、ア
ルミナ等の無機絶縁材料よりなる絶縁層６４を、例えば
３〜４μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層６４
を、例えば化学機械研磨によって、トラック幅規定層６
２Ａ、連結部分層６２Ｂおよび接続層６３の表面に至る
まで研磨して平坦化する。
【００８１】次に、図１４に示したように、平坦化され
た絶縁層６４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コ
イルの第２層部分６５を、例えば２〜３μｍの厚みに形
成する。なお、図１４（ａ）において、符号６５ａは、
第２層部分６５のうち、接続層６３を介して薄膜コイル
の第１層部分６０の接続部６０ａに接続される接続部を
表している。第２層部分６５は、連結部分層６２Ｂの周
囲に巻回される。
【００８２】次に、薄膜コイルの第２層部分６５および
その周辺の絶縁層６４を覆うように、フォトレジスト等
の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁
層６６を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層６６
の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。こ
の熱処理により、絶縁層６６の外周および内周の各端縁
部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【００８３】次に、図１５に示したように、トラック幅
規定層６２Ａ、絶縁層６４，６６および連結部分層６２
Ｂの上に、パーマロイ等の記録ヘッド用の磁性材料によ
って、上部磁極層６２のヨーク部分を構成するヨーク部
分層６２Ｃを形成する。ヨーク部分層６２Ｃのエアベア
リング面８０側の端部は、エアベアリング面８０から離
れた位置に配置されている。また、ヨーク部分層６２Ｃ
は、連結部分層６２Ｂを介して下部磁極層５８に接続さ
れている。
【００８４】次に、全体を覆うように、例えばアルミナ
よりなるオーバーコート層６７を形成し、その表面を平
坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成す
る。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッド
のエアベアリング面８０を形成して、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８５】このようにして製造される本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面
（エアベアリング面８０）と再生ヘッドと記録ヘッド
（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッド
は、ＭＲ素子５５と、エアベアリング面８０側の一部が
ＭＲ素子５５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ
素子５５をシールドするための下部シールド層５３およ
び上部シールド層（下部磁極層５８）とを有している。
【００８６】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面８０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層５８および上部磁極層６２と、この下部磁極層５８の
磁極部分と上部磁極層６２の磁極部分との間に設けられ
た記録ギャップ層５９と、少なくとも一部が下部磁極層
５８および上部磁極層６２の間に、これらに対して絶縁
された状態で配設された薄膜コイル６０，６５とを有し
ている。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、図１
５（ａ）に示したように、エアベアリング面８０から、
絶縁層６１のエアベアリング面８０側の端部までの長さ
が、スロートハイトＴＨとなる。
【００８７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
下部磁極層５８は記録媒体の進行方向の後側（薄膜磁気
ヘッドを含むスライダにおける空気流入端側）に配置さ
れ、上部磁極層６２は記録媒体の進行方向の前側（薄膜
磁気ヘッドを含むスライダにおける空気流出端側）に配
置される。
【００８８】本実施の形態において、下部磁極層５８は
本発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層６２
は本発明における第２の磁性層に対応する。
【００８９】本実施の形態において、上部磁極層６２
は、トラック幅規定層６２Ａと連結部分層６２Ｂとヨー
ク部分層６２Ｃとで構成されている。トラック幅規定層
６２Ａは、一方の面（下面）が記録ギャップ層５９に隣
接する第１の層６２Ａａと、一方の面（下面）が第１の
層６２Ａａの他方の面（上面）に隣接する第２の層６２
Ａｂと、一方の面（下面）が第２の層６２Ａｂの他方の
面（上面）に隣接する第３の層６２Ａｃとを含んでい
る。第２の層６２Ａｂの飽和磁束密度は第３の層６２Ａ
ｃの飽和磁束密度よりも大きく、第１の層６２Ａａの飽
和磁束密度は第２の層６２Ａｂの飽和磁束密度よりも大
きくなっている。すなわち、第１の層６２Ａａないし第
３の層６２Ａｃの飽和磁束密度は、記録ギャップ層５９
に近い層ほど大きくなっている。
【００９０】本実施の形態において、第１の層６２Ａａ
ないし第３の層６２Ａｃの飽和磁束密度をＢ１〜Ｂ３と
すると、Ｂ１〜Ｂ３の好ましい範囲は、第１の実施の形
態におけるＢ１〜Ｂ３の好ましい範囲と同様である。
【００９１】また、本実施の形態において、エアベアリ
ング面８０における第１の層６２Ａａの厚みをＴ１、エ
アベアリング面８０における第２の層６２Ａｂの厚みを
Ｔ２とすると、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値の好ましい範
囲は、第１の実施の形態におけるＴ１／（Ｔ１＋Ｔ２）
の値の好ましい範囲と同様である。
【００９２】また、本実施の形態におけるＢ２／Ｂ１の
値の好ましい範囲は、第１の実施の形態におけるＢ２／
Ｂ１の値の好ましい範囲と同様である。
【００９３】本実施の形態では、上部磁極層６２のう
ち、磁極部分を含むトラック幅規定層６２Ａのみが、第
１の層６２Ａａないし第３の層６２Ａｃの３つの層を含
む。しかし、磁極部分以外の部分では磁路の体積を十分
に確保することができる。従って、磁極部分以外の部分
が飽和磁束密度の大きな第１の層６２Ａａを含まなくて
も、磁極部分以外の部分における磁束の飽和を防止する
ことができる。
【００９４】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態で
は、上部磁極層のみ、あるいは下部磁極層と上部磁極層
の両方が、少なくとも磁極部分において３つの層を含む
例を示したが、下部磁極層のみが少なくとも磁極部分に
おいて３つの層を含むようにしてもよい。
【００９６】また、本発明では、少なくとも一方の磁極
層が、少なくとも磁極部分において、４つ以上の層を含
み、これらの層の飽和磁束密度が記録ギャップ層に近い
層ほど大きくなるようにしてもよい。
【００９７】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００９８】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。
【００９９】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドまたはその製造方法によれば、第１の磁性層と第
２の磁性層の少なくとも一方が、媒体対向面に露出する
３つの層を含み、これらの層の飽和磁束密度がギャップ
層に近い層ほど大きくなるようにしたので、磁極幅が小
さい場合でも、媒体対向面における磁極部分からの発生
磁界を大きくでき且つ媒体対向面における磁束の広がり
を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの他の構成の例を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの更に他の構成の例を示す断面図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の第１の層および
第２の層の厚みとオーバーライト特性およびＮＬＴＳと
の関係を示す特性図である。
【図８】薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の第１の層および
第２の層の飽和磁束密度とオーバーライト特性およびＮ
ＬＴＳとの関係を示す特性図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１１…薄
膜コイルの第１層部分、１３…薄膜コイルの第２層部
分、１５…上部磁極層、１５ａ…第１の層、１５ｂ…第
２の層、１５ｃ…第３の層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−149620（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−188222（ＪＰ，Ａ) 特開2001−291208（ＪＰ，Ａ) 特開2001−297409（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性層と第２の磁性層の少なくとも一方は、
    一方の面が前記ギャップ層に隣接する第１の層と、一方
    の面が前記第１の層の他方の面に隣接する第２の層と、
    一方の面が前記第２の層の他方の面に隣接する第３の層
    とを含み、 前記第１の層、第２の層および第３の層は、前記媒体対
    向面に露出し、 前記第２の層の飽和磁束密度は前記第３の層の飽和磁束
    密度よりも大きく、前記第１の層の飽和磁束密度は前記
    第２の層の飽和磁束密度よりも大きく、 前記媒体対向面における前記第１の層の厚みをＴ１、媒
    体対向面における前記第２の層の厚みをＴ２としたと
    き、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０２５以上、０．
    ５以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０
    ５以上、０．２５以下であることを特徴とする請求項１
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性層と第２の磁性層の少なくとも一方は、
    一方の面が前記ギャップ層に隣接する第１の層と、一方
    の面が前記第１の層の他方の面に隣接する第２の層と、
    一方の面が前記第２の層の他方の面に隣接する第３の層
    とを含み、 前記第１の層、第２の層および第３の層は、前記媒体対
    向面に露出し、 前記第２の層の飽和磁束密度は前記第３の層の飽和磁束
    密度よりも大きく、前記第１の層の飽和磁束密度は前記
    第２の層の飽和磁束密度よりも大きく、 前記第１の層の飽和磁束密度をＢ１、前記第２の層の飽
    和磁束密度をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値は０．６
    ５以上、０．９５以下であることを特徴とする薄膜磁気
    ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記Ｂ２／Ｂ１の値は０．７５以上、
    ０．９５以下であることを特徴とする請求項３記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、 前記第１の磁性層を形成する工程と第２の磁性層を形成
    する工程の少なくとも一方は、一方の面が前記ギャップ
    層に隣接する第１の層と、一方の面が前記第１の層の他
    方の面に隣接する第２の層と、一方の面が前記第２の層
    の他方の面に隣接する第３の層とを形成し、 前記第１の層、第２の層および第３の層は、前記媒体対
    向面に露出し、 前記第２の層の飽和磁束密度は前記第３の層の飽和磁束
    密度よりも大きく、前記第１の層の飽和磁束密度は前記
    第２の層の飽和磁束密度よりも大きく、 前記媒体対向面における前記第１の層の厚みをＴ１、媒
    体対向面における前記第２の層の厚みをＴ２としたと
    き、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０２５以上、０．
    ５以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  6. 【請求項６】 前記Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０
    ５以上、０．２５以下であることを特徴とする請求項５
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、 前記第１の磁性層を形成する工程と第２の磁性層を形成
    する工程の少なくとも一方は、一方の面が前記ギャップ
    層に隣接する第１の層と、一方の面が前記第１の層の他
    方の面に隣接する第２の層と、一方の面が前記第２の層
    の他方の面に隣接する第３の層とを形成し、 前記第１の層、第２の層および第３の層は、前記媒体対
    向面に露出し、 前記第２の層の飽和磁束密度は前記第３の層の飽和磁束
    密度よりも大きく、前記第１の層の飽和磁束密度は前記
    第２の層の飽和磁束密度よりも大きく、 前記第１の層の飽和磁束密度をＢ１、前記第２の層の飽
    和磁束密度をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値は０．６
    ５以上、０．９５以下であることを特徴とする薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記Ｂ２／Ｂ１の値は０．７５以上、
    ０．９５以下であることを特徴とする請求項７記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性層と第２の磁性層の一方は、磁極部分を
    含む層と、この磁極部分を含む層に接続されたヨーク部
    分層とを有し、 前記磁極部分を含む層は、一方の面が前記ギャップ層に
    隣接する第１の層と、一方の面が前記第１の層の他方の
    面に隣接する第２の層と、一方の面が前記第２の層の他
    方の面に隣接する第３の層とを含み、 前記第１の層、第２の層および第３の層は、前記媒体対
    向面に露出し、 前記第２の層の飽和磁束密度は前記第３の層の飽和磁束
    密度よりも大きく、前記第１の層の飽和磁束密度は前記
    第２の層の飽和磁束密度よりも大きく、 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面か
    ら離れた位置に配置され、 前記媒体対向面における前記第１の層の厚みをＴ１、媒
    体対向面における前記第２の層の厚みをＴ２としたと
    き、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．０２５以上、０．
    ５以下である ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）の値は０．
    ０５以上、０．２５以下であることを特徴とする請求項
    ９記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互
    いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互い
    に対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、
    前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極
    部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
    が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および
    第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜
    コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性層と第２の磁性層の一方は、磁極部分を
    含む層と、この磁極部分を含む層に接続されたヨーク部
    分層とを有し、 前記磁極部分を含む層は、一方の面が前記ギャップ層に
    隣接する第１の層と、一方の面が前記第１の層の他方の
    面に隣接する第２の層と、一方の面が前記第２の層の他
    方の面に隣接する第３の層とを含み、 前記第１の層、第２の層および第３の層は、前記媒体対
    向面に露出し、 前記第２の層の飽和磁束密度は前記第３の層の飽和磁束
    密度よりも大きく、前 記第１の層の飽和磁束密度は前記
    第２の層の飽和磁束密度よりも大きく、 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面か
    ら離れた位置に配置され、 前記第１の層の飽和磁束密度をＢ１、前記第２の層の飽
    和磁束密度をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値は０．６
    ５以上、０．９５以下であることを特徴とする薄膜磁気
    ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記Ｂ２／Ｂ１の値は０．７５以上、
    ０．９５以下であることを特徴とする請求項１１記載の
    薄膜磁気ヘッド。
JP2001007499A 2001-01-16 2001-01-16 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP3362034B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001007499A JP3362034B2 (ja) 2001-01-16 2001-01-16 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US09/942,871 US6822830B2 (en) 2001-01-16 2001-08-31 Thin-film magnetic head and method of manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001007499A JP3362034B2 (ja) 2001-01-16 2001-01-16 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002216317A JP2002216317A (ja) 2002-08-02
JP3362034B2 true JP3362034B2 (ja) 2003-01-07

Family

ID=18875240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001007499A Expired - Fee Related JP3362034B2 (ja) 2001-01-16 2001-01-16 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6822830B2 (ja)
JP (1) JP3362034B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4191913B2 (ja) * 2001-07-25 2008-12-03 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 薄膜磁気ヘッド
US7085100B2 (en) * 2002-03-19 2006-08-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head having a bilayer pole tip
US7688545B1 (en) 2002-09-11 2010-03-30 Seagate Technology Llc Recording head writer with high magnetic moment material at the writer gap and associated process
JP4331663B2 (ja) * 2004-09-17 2009-09-16 富士通株式会社 薄膜コイル、コイル駆動回路、および磁気ヘッド
US20070207439A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Lynch Robert P Endodontic file having a taper defined by a continuously changing concavity
US8489864B2 (en) * 2009-06-26 2013-07-16 Microsoft Corporation Performing escape actions in transactions

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5111352A (en) * 1987-07-29 1992-05-05 Digital Equipment Corporation Three-pole magnetic head with reduced flux leakage
US5590008A (en) 1991-04-25 1996-12-31 Hitachi, Ltd. Magnetic disc unit having a plurality of magnetic heads which include multilayer magnetic films
US5606478A (en) * 1994-12-08 1997-02-25 International Business Machines Corporation Ni45 Fe55 metal-in-gap thin film magnetic head
JPH09293209A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH10149513A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Nec Corp 磁気抵抗効果型複合ヘッド
JPH11149620A (ja) 1997-09-10 1999-06-02 Toshiba Corp 磁気ヘッド
US6275360B1 (en) * 1997-09-29 2001-08-14 Hitachi, Ltd. Read-write head
JP3234814B2 (ja) * 1998-06-30 2001-12-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
US6353511B1 (en) * 1999-06-15 2002-03-05 Read-Rite Corporation Thin film write head for improved high speed and high density recording
JP3473684B2 (ja) * 1999-11-08 2003-12-08 日本電気株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置
US6306311B1 (en) * 1999-11-01 2001-10-23 Headway Technologies, Inc. Method to make a high data rate stitched writer for a giant magneto-resistive head
JP2001167408A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6504677B1 (en) * 1999-12-28 2003-01-07 Headway Technologies, Inc. Multi-layer stitched write head design for high data rate application
CN1446352A (zh) * 2000-08-15 2003-10-01 西加特技术有限责任公司 一种磁头

Also Published As

Publication number Publication date
US20020135934A1 (en) 2002-09-26
US6822830B2 (en) 2004-11-23
JP2002216317A (ja) 2002-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6433968B1 (en) Merged read/write head and method of fabricating same
JP2001084535A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気抵抗効果装置の製造方法
JP3999469B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3583649B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果装置
JP3943337B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3367877B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3856587B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3362034B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3588287B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001034911A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2000182215A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3805922B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001167408A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6654203B2 (en) Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly and hard disk drive
JP3640916B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3611801B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6317291B1 (en) Thin-film magnetic head having improved data writing characteristics and a method of making the same
JP2001093113A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3986292B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3490643B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3474533B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2002008207A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP4010702B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2004326853A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置
JP2000251219A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20021008

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071018

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081018

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081018

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091018

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091018

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101018

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111018

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121018

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121018

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131018

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees