JPH09293209A - 薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH09293209A JPH09293209A JP8106931A JP10693196A JPH09293209A JP H09293209 A JPH09293209 A JP H09293209A JP 8106931 A JP8106931 A JP 8106931A JP 10693196 A JP10693196 A JP 10693196A JP H09293209 A JPH09293209 A JP H09293209A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ディスク装置或いは磁気テープ装置等への
記録や再生に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、記録ヘ
ッド側の磁極端において記録磁界の広がりを抑制する。 【解決手段】導体コイル３３を挟んで上及び下に形成さ
れ、ギャップ層２７を介して先端部同士が対向する２つ
の磁極２４，２６を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、２
つの磁極２４，２６のうち、少なくとも一方の磁極２６
の先端部で、磁極２６の側部２６ｂは残りの部分よりも
高い飽和磁束密度を有する。
記録や再生に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、記録ヘ
ッド側の磁極端において記録磁界の広がりを抑制する。 【解決手段】導体コイル３３を挟んで上及び下に形成さ
れ、ギャップ層２７を介して先端部同士が対向する２つ
の磁極２４，２６を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、２
つの磁極２４，２６のうち、少なくとも一方の磁極２６
の先端部で、磁極２６の側部２６ｂは残りの部分よりも
高い飽和磁束密度を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド、
磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、よ
り詳しくは、磁気ディスク装置或いは磁気テープ装置等
への記録や再生に用いられる薄膜磁気ヘッド、磁気記録
装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、よ
り詳しくは、磁気ディスク装置或いは磁気テープ装置等
への記録や再生に用いられる薄膜磁気ヘッド、磁気記録
装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】近年、磁気ディスク装置の高記録密度化や
小型化に対応できる薄膜磁気ヘッドが注目され、その高
性能化が要求されている。再生用ヘッド（ＭＲヘッド）
においては高性能なＭＲ素子の開発が進展し、磁気記録
媒体の移動速度に依存せず、かつ高い出力が得られるス
ピンバルブ磁気抵抗効果素子等が注目されている。一
方、記録用ヘッドとしては、更なる高性能化が望まれて
おり、高い周波数まで記録でき、かつ記録にじみの少な
いものが要求されている。
小型化に対応できる薄膜磁気ヘッドが注目され、その高
性能化が要求されている。再生用ヘッド（ＭＲヘッド）
においては高性能なＭＲ素子の開発が進展し、磁気記録
媒体の移動速度に依存せず、かつ高い出力が得られるス
ピンバルブ磁気抵抗効果素子等が注目されている。一
方、記録用ヘッドとしては、更なる高性能化が望まれて
おり、高い周波数まで記録でき、かつ記録にじみの少な
いものが要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図１５（ａ）は従来例に係る共用型の薄
膜磁気ヘッドを示す斜視図で、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。図１６は薄膜磁気ヘッ
ドの先端側からみた薄膜磁気ヘッド先端部の正面図であ
る。図１５（ａ），（ｂ）及び図１６に示すように、再
生側（Ｒ）では、磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）２を
挟むようにＭＲ素子２の上下に絶縁膜を介して下部及び
上部磁気シールド１，４が形成されている。ＭＲ素子２
の下部及び上部磁気シールド１，４は隣接する記録トラ
ックからの磁界の入力を防止するため、トラック幅方向
に幅広く形成されている。
膜磁気ヘッドを示す斜視図で、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。図１６は薄膜磁気ヘッ
ドの先端側からみた薄膜磁気ヘッド先端部の正面図であ
る。図１５（ａ），（ｂ）及び図１６に示すように、再
生側（Ｒ）では、磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）２を
挟むようにＭＲ素子２の上下に絶縁膜を介して下部及び
上部磁気シールド１，４が形成されている。ＭＲ素子２
の下部及び上部磁気シールド１，４は隣接する記録トラ
ックからの磁界の入力を防止するため、トラック幅方向
に幅広く形成されている。
【０００４】記録側（Ｗ）では、記録用ヘッドの下部磁
極４は再生用ヘッドの上部磁気シールド４と共用されて
いる。記録用ヘッドの上部磁極６が下部磁極４の上に絶
縁膜５を介して形成され、上部磁極６の先端部の幅は記
録トラックの幅に合わせて細くなっている。上部磁極６
の材料として、加工の容易さからＮｉＦｅが用いられて
いる。
極４は再生用ヘッドの上部磁気シールド４と共用されて
いる。記録用ヘッドの上部磁極６が下部磁極４の上に絶
縁膜５を介して形成され、上部磁極６の先端部の幅は記
録トラックの幅に合わせて細くなっている。上部磁極６
の材料として、加工の容易さからＮｉＦｅが用いられて
いる。
【０００５】また、上記の薄膜磁気ヘッドよりもさらに
記録磁界強度を大きくするため、ＮｉＦｅ膜からなる上
部磁極の下部磁極との対向部にＦｅＮ膜を形成して高性
能化を図った例もある（特開平６−１３１６３０号公
報）。
記録磁界強度を大きくするため、ＮｉＦｅ膜からなる上
部磁極の下部磁極との対向部にＦｅＮ膜を形成して高性
能化を図った例もある（特開平６−１３１６３０号公
報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、下部磁極４を
幅広く形成してあると、記録磁界はトラック幅方向に広
がってしまい、図４（ｂ）に示すように、記録トラック
に記録された磁化は本来の記録領域の幅よりも広がると
ともにその両端部で曲がりが生じてしまう。これは、以
下の理由によるものと考えられる。即ち、記録ヘッド
（磁界流出端側）の上部磁極６の先端部は細いので、そ
の先端部の下部磁極４に対向する部分と側部は飽和し易
く、記録の際、先端部から順次磁気飽和していく。従っ
て、図４（ｂ）に示すように、磁気飽和領域は先端部か
ら次第に広がっていくため、先端部から遠いところから
も磁力線が出てくるようになる。
幅広く形成してあると、記録磁界はトラック幅方向に広
がってしまい、図４（ｂ）に示すように、記録トラック
に記録された磁化は本来の記録領域の幅よりも広がると
ともにその両端部で曲がりが生じてしまう。これは、以
下の理由によるものと考えられる。即ち、記録ヘッド
（磁界流出端側）の上部磁極６の先端部は細いので、そ
の先端部の下部磁極４に対向する部分と側部は飽和し易
く、記録の際、先端部から順次磁気飽和していく。従っ
て、図４（ｂ）に示すように、磁気飽和領域は先端部か
ら次第に広がっていくため、先端部から遠いところから
も磁力線が出てくるようになる。
【０００７】これにより、磁気記録媒体１０上の記録磁
化の幅が広がり、かつ先端部から遠いところから流出す
る磁力線の位相の遅れにより記録磁化の両端部が曲が
る。記録磁化の両端部に曲がりが生じると、それは再生
時にノイズとなり、再生エラーが生じる。また、記録磁
化の広がりは記録トラックの高密度化の妨げになる。
化の幅が広がり、かつ先端部から遠いところから流出す
る磁力線の位相の遅れにより記録磁化の両端部が曲が
る。記録磁化の両端部に曲がりが生じると、それは再生
時にノイズとなり、再生エラーが生じる。また、記録磁
化の広がりは記録トラックの高密度化の妨げになる。
【０００８】文献（S.X.Wang and P.R.Webb,"Modeling
of Submicron Trackwidth Inductive Write Head Desig
ns",IEEE,Trans.Magn.,vol.31.,p2687,1995 ）では、上
部磁極の軟磁性材料として飽和磁束密度（Ｂｓ）が高い
ＦｅＮを用いた磁気ヘッドを調査している。ＦｅＮは磁
気飽和を抑制するのに有効であるが、反応性スパッタ法
でしか堆積できないため、磁極に加工するためにはエッ
チングが必要になるが、エッチング生成物がエッチング
マスクの側壁に付着し、バリとして残ってしまう。ま
た、エッチングできたとしてもクラックが生じやすく、
使いにくいという問題がある。
of Submicron Trackwidth Inductive Write Head Desig
ns",IEEE,Trans.Magn.,vol.31.,p2687,1995 ）では、上
部磁極の軟磁性材料として飽和磁束密度（Ｂｓ）が高い
ＦｅＮを用いた磁気ヘッドを調査している。ＦｅＮは磁
気飽和を抑制するのに有効であるが、反応性スパッタ法
でしか堆積できないため、磁極に加工するためにはエッ
チングが必要になるが、エッチング生成物がエッチング
マスクの側壁に付着し、バリとして残ってしまう。ま
た、エッチングできたとしてもクラックが生じやすく、
使いにくいという問題がある。
【０００９】また、前記文献では、ギャップの縁部から
外側に磁場が漏れないように、ギャップの側部に上部磁
極の材料であるＦｅＮ膜を設けてシャントしているが、
予想された結果は得られず、通常のものよりも磁場の広
がりが大きくなっている。本発明は、上記の従来例の問
題点に鑑みて創作されたものであり、記録ヘッド側の磁
極端において記録磁界の広がりを抑制することができる
薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供するものである。
外側に磁場が漏れないように、ギャップの側部に上部磁
極の材料であるＦｅＮ膜を設けてシャントしているが、
予想された結果は得られず、通常のものよりも磁場の広
がりが大きくなっている。本発明は、上記の従来例の問
題点に鑑みて創作されたものであり、記録ヘッド側の磁
極端において記録磁界の広がりを抑制することができる
薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の発明
である、導体コイルを挟んで上及び下に形成され、ギャ
ップ層を介して先端部同士が対向する２つの磁極を有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記２つの磁極のうち、少
なくとも一方の磁極の先端部で、該磁極の側部は残りの
部分よりも高い飽和磁束密度を有することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドによって解決され、第２の発明である、
前記一方の磁極の前記ギャップ層側の部分は前記残りの
部分よりも高い飽和磁束密度を有することを特徴とする
第１の発明に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、
第３の発明である、前記薄膜磁気ヘッドは記録部と再生
部が隣接して設けられており、前記２つの磁極は前記記
録部に形成され、前記一方の磁極と対向する他方の磁極
は前記再生部の磁気シールドと共用されてなることを特
徴とする第１又は第２の発明に記載の薄膜磁気ヘッドに
よって解決され、第４の発明である、前記一方の磁極と
対向する他方の磁極の前記ギャップ層側の部分は残りの
部分よりも高い飽和磁束密度を有することを特徴とする
第３の発明に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、
第５の発明である、前記他方の磁極の前記一方の磁極と
対向する側の面は、前記一方の磁極と対向する領域が他
の領域よりも突出していることを特徴とする第３の発明
に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、第６の発明
である、前記一方の磁極と前記一方の磁極に対向する他
方の磁極はほぼ等しい幅を有することを特徴とする第１
又は第２の発明に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決さ
れ、第７の発明である、前記一方の磁極に対向する他方
の磁極は、該他方の磁極の側部が残りの部分よりも高い
飽和磁束密度を有することを特徴とする第６の発明に記
載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、第８の発明であ
る、前記他方の磁極の前記ギャップ層側の部分は前記残
りの部分よりも高い飽和磁束密度を有するによって解決
され、第９の発明である、第１乃至第８の発明のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッドを備えたスライダと、磁気記
録媒体とを有する磁気記録装置によって解決され、第１
０の発明である、絶縁膜上にメッキマスクを形成する工
程と、前記メッキマスクにしたがって前記開口内に軟磁
性膜を形成する工程と、前記メッキマスクを除去した
後、高飽和磁束密度膜を形成して前記軟磁性膜を被覆す
る工程と、前記高飽和磁束密度膜を異方性エッチングし
て前記絶縁膜上の高飽和磁束密度膜を除去するととも
に、前記軟磁性膜の側壁に前記高飽和磁束密度膜を残す
工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって解決され、第１１の発明である、絶縁膜の
上に高飽和磁束密度膜を形成する工程と、前記高飽和磁
束密度膜上に開口を有するメッキマスクを形成する工程
と、前記メッキマスクにしたがって前記開口内に軟磁性
膜を形成する工程と、前記メッキマスクを除去した後、
前記高飽和磁束密度膜をエッチングし、そのエッチング
生成物である高飽和磁束密度膜を前記軟磁性膜の側壁に
形成する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によって解決され、第１２の発明である、
前記軟磁性膜はＮｉＦｅ膜であり、前記高飽和磁束密度
膜はＦｅ系又はＣｏＺｒ系の膜であることを特徴とする
第１０又は第１１の発明に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって解決され、第１３の発明である、前記絶縁
膜は記録部側の２つの磁極のうちの一方の磁極の上に形
成されて、前記２つの磁極の間のギャップ層となること
を特徴とする第１０乃至第１２の発明のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって解決される。
である、導体コイルを挟んで上及び下に形成され、ギャ
ップ層を介して先端部同士が対向する２つの磁極を有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記２つの磁極のうち、少
なくとも一方の磁極の先端部で、該磁極の側部は残りの
部分よりも高い飽和磁束密度を有することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドによって解決され、第２の発明である、
前記一方の磁極の前記ギャップ層側の部分は前記残りの
部分よりも高い飽和磁束密度を有することを特徴とする
第１の発明に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、
第３の発明である、前記薄膜磁気ヘッドは記録部と再生
部が隣接して設けられており、前記２つの磁極は前記記
録部に形成され、前記一方の磁極と対向する他方の磁極
は前記再生部の磁気シールドと共用されてなることを特
徴とする第１又は第２の発明に記載の薄膜磁気ヘッドに
よって解決され、第４の発明である、前記一方の磁極と
対向する他方の磁極の前記ギャップ層側の部分は残りの
部分よりも高い飽和磁束密度を有することを特徴とする
第３の発明に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、
第５の発明である、前記他方の磁極の前記一方の磁極と
対向する側の面は、前記一方の磁極と対向する領域が他
の領域よりも突出していることを特徴とする第３の発明
に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、第６の発明
である、前記一方の磁極と前記一方の磁極に対向する他
方の磁極はほぼ等しい幅を有することを特徴とする第１
又は第２の発明に記載の薄膜磁気ヘッドによって解決さ
れ、第７の発明である、前記一方の磁極に対向する他方
の磁極は、該他方の磁極の側部が残りの部分よりも高い
飽和磁束密度を有することを特徴とする第６の発明に記
載の薄膜磁気ヘッドによって解決され、第８の発明であ
る、前記他方の磁極の前記ギャップ層側の部分は前記残
りの部分よりも高い飽和磁束密度を有するによって解決
され、第９の発明である、第１乃至第８の発明のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッドを備えたスライダと、磁気記
録媒体とを有する磁気記録装置によって解決され、第１
０の発明である、絶縁膜上にメッキマスクを形成する工
程と、前記メッキマスクにしたがって前記開口内に軟磁
性膜を形成する工程と、前記メッキマスクを除去した
後、高飽和磁束密度膜を形成して前記軟磁性膜を被覆す
る工程と、前記高飽和磁束密度膜を異方性エッチングし
て前記絶縁膜上の高飽和磁束密度膜を除去するととも
に、前記軟磁性膜の側壁に前記高飽和磁束密度膜を残す
工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって解決され、第１１の発明である、絶縁膜の
上に高飽和磁束密度膜を形成する工程と、前記高飽和磁
束密度膜上に開口を有するメッキマスクを形成する工程
と、前記メッキマスクにしたがって前記開口内に軟磁性
膜を形成する工程と、前記メッキマスクを除去した後、
前記高飽和磁束密度膜をエッチングし、そのエッチング
生成物である高飽和磁束密度膜を前記軟磁性膜の側壁に
形成する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によって解決され、第１２の発明である、
前記軟磁性膜はＮｉＦｅ膜であり、前記高飽和磁束密度
膜はＦｅ系又はＣｏＺｒ系の膜であることを特徴とする
第１０又は第１１の発明に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって解決され、第１３の発明である、前記絶縁
膜は記録部側の２つの磁極のうちの一方の磁極の上に形
成されて、前記２つの磁極の間のギャップ層となること
を特徴とする第１０乃至第１２の発明のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって解決される。
【００１１】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、ギャ
ップ層を介して先端部同士が対向する２つの磁極のう
ち、少なくとも一方の磁極の先端部において、磁極の側
部が残りの部分よりも高い飽和磁束密度を有している。
従って、磁気記録媒体に磁気記録を行う際、磁極の側部
が磁気飽和するのを抑制することができる。このため、
磁力線の流出領域を磁気記録媒体との対向面或いはそれ
に近いところに限定し、ギャップの外への磁場の広がり
を抑制することができる。これにより、磁気記録媒体に
記録された磁化の幅が広がらず、その両端部での曲がり
も生じないため、再生エラーの発生を防止し、磁気記録
の高密度化を図ることができる。
ップ層を介して先端部同士が対向する２つの磁極のう
ち、少なくとも一方の磁極の先端部において、磁極の側
部が残りの部分よりも高い飽和磁束密度を有している。
従って、磁気記録媒体に磁気記録を行う際、磁極の側部
が磁気飽和するのを抑制することができる。このため、
磁力線の流出領域を磁気記録媒体との対向面或いはそれ
に近いところに限定し、ギャップの外への磁場の広がり
を抑制することができる。これにより、磁気記録媒体に
記録された磁化の幅が広がらず、その両端部での曲がり
も生じないため、再生エラーの発生を防止し、磁気記録
の高密度化を図ることができる。
【００１２】また、一方の磁極の側部と、他方の磁極と
対向する部分が高い飽和磁束密度を有するので、磁気記
録を行う際、磁極に磁気飽和が生ずるのを抑制すること
ができる。従って、磁気記録媒体との対向面或いはそれ
に近いところから磁力線が発生し、ギャップの外まで磁
界が広がるのを一層よく抑制することができる。更に、
一方の磁極の側部、又は側部及び他方の磁極との対向部
の両部が高い飽和磁束密度を有し、かつ他方の磁極の表
層が高い飽和磁束密度を有するので、一方の磁極の磁気
飽和のみならず、他方の磁極が磁気飽和するのを抑制す
ることができる。従って、磁力線の流出領域及び流入領
域が広がらないため、磁極からギャップの外への磁場の
広がりを一層よく抑制することができる。
対向する部分が高い飽和磁束密度を有するので、磁気記
録を行う際、磁極に磁気飽和が生ずるのを抑制すること
ができる。従って、磁気記録媒体との対向面或いはそれ
に近いところから磁力線が発生し、ギャップの外まで磁
界が広がるのを一層よく抑制することができる。更に、
一方の磁極の側部、又は側部及び他方の磁極との対向部
の両部が高い飽和磁束密度を有し、かつ他方の磁極の表
層が高い飽和磁束密度を有するので、一方の磁極の磁気
飽和のみならず、他方の磁極が磁気飽和するのを抑制す
ることができる。従って、磁力線の流出領域及び流入領
域が広がらないため、磁極からギャップの外への磁場の
広がりを一層よく抑制することができる。
【００１３】また、一方の磁極と対向する部分の他方の
磁極が一方の磁極と同じ幅で突出しているので、一方の
磁極から流出した磁力線はギャップの外に広がらずに磁
気記録媒体を通して他方の磁極の突出部に流入する。従
って、一方の磁極の磁気飽和抑制効果と協働して、記録
トラックの幅方向への磁場の広がりを防止することがで
きる。
磁極が一方の磁極と同じ幅で突出しているので、一方の
磁極から流出した磁力線はギャップの外に広がらずに磁
気記録媒体を通して他方の磁極の突出部に流入する。従
って、一方の磁極の磁気飽和抑制効果と協働して、記録
トラックの幅方向への磁場の広がりを防止することがで
きる。
【００１４】更に、他方の磁極を一方の磁極と同じ幅で
突出させる代わりに、一方の磁極の幅と、他方の磁極の
幅とをほぼ等しくしてもよい。また、他方の磁極の幅を
一方の磁極と同じように細くした場合、他方の磁極にも
磁気飽和が生じやすくなるため、他方の磁極の側部や対
向部を残りの部分よりも高い飽和磁束密度を持たせるこ
とが磁気飽和を抑制するのに有効である。
突出させる代わりに、一方の磁極の幅と、他方の磁極の
幅とをほぼ等しくしてもよい。また、他方の磁極の幅を
一方の磁極と同じように細くした場合、他方の磁極にも
磁気飽和が生じやすくなるため、他方の磁極の側部や対
向部を残りの部分よりも高い飽和磁束密度を持たせるこ
とが磁気飽和を抑制するのに有効である。
【００１５】更に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、軟磁性膜、例えばＮｉＦｅ膜を高飽和磁束密
度膜、例えばＦｅＮ膜で被覆して異方性エッチングする
ことにより、エッチングマスクを用いずに軟磁性膜の側
壁に高飽和磁束密度膜を形成することができる。従っ
て、高飽和磁束密度膜のバリが残らず、かつ磁極の主な
部分をＮｉＦｅ膜とすることができるので、クラックの
発生も防止することができる。
によれば、軟磁性膜、例えばＮｉＦｅ膜を高飽和磁束密
度膜、例えばＦｅＮ膜で被覆して異方性エッチングする
ことにより、エッチングマスクを用いずに軟磁性膜の側
壁に高飽和磁束密度膜を形成することができる。従っ
て、高飽和磁束密度膜のバリが残らず、かつ磁極の主な
部分をＮｉＦｅ膜とすることができるので、クラックの
発生も防止することができる。
【００１６】ところで、ＦｅＮ膜をイオンミリング等に
よりエッチングするとエッチング生成物が生じて突出部
の側壁に付着することはよく知られている。本発明の他
の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、この性質を利
用している。即ち、高飽和磁束密度膜、例えばＦｅＮ膜
の上にメッキマスクにしたがって選択的に軟磁性膜を形
成した後、下地の高飽和磁束密度膜をエッチングし、そ
のエッチング生成物である高飽和磁束密度膜を軟磁性膜
の側壁に形成している。
よりエッチングするとエッチング生成物が生じて突出部
の側壁に付着することはよく知られている。本発明の他
の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、この性質を利
用している。即ち、高飽和磁束密度膜、例えばＦｅＮ膜
の上にメッキマスクにしたがって選択的に軟磁性膜を形
成した後、下地の高飽和磁束密度膜をエッチングし、そ
のエッチング生成物である高飽和磁束密度膜を軟磁性膜
の側壁に形成している。
【００１７】このため、エッチングマスクを用いずに軟
磁性膜の側壁及び対向部に高飽和磁束密度膜を形成する
ことができる。これにより、高飽和磁束密度膜のバリが
残らず、かつ磁極の主な部分をＮｉＦｅ膜とすることが
できるので、クラックの発生も防止することができる。
また、本発明の磁気記録装置によれば、第１乃至第９の
発明に係る薄膜磁気ヘッドを備えているので、記録部の
磁極の先端部から磁気記録媒体に出入りする磁力線がギ
ャップの外に広がるのを抑制することができる。
磁性膜の側壁及び対向部に高飽和磁束密度膜を形成する
ことができる。これにより、高飽和磁束密度膜のバリが
残らず、かつ磁極の主な部分をＮｉＦｅ膜とすることが
できるので、クラックの発生も防止することができる。
また、本発明の磁気記録装置によれば、第１乃至第９の
発明に係る薄膜磁気ヘッドを備えているので、記録部の
磁極の先端部から磁気記録媒体に出入りする磁力線がギ
ャップの外に広がるのを抑制することができる。
【００１８】これにより、磁気記録媒体に記録される記
録磁化の広がりとその両端部での曲がりを抑制すること
ができるため、再生エラーを抑制し、記録トラックの高
密度化の向上を図ることができる。
録磁化の広がりとその両端部での曲がりを抑制すること
ができるため、再生エラーを抑制し、記録トラックの高
密度化の向上を図ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （１）第１の実施の形態 図２（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの先端部分の斜視図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）のII−II線断面図である。また、図１は、図２
（ａ）のIII-III 線断面図である。
いて図面を参照しながら説明する。 （１）第１の実施の形態 図２（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの先端部分の斜視図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）のII−II線断面図である。また、図１は、図２
（ａ）のIII-III 線断面図である。
【００２０】図２（ａ）に示すように、再生側（Ｒ）で
は、磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）２２を挟むように
してＭＲ素子２２の上下にアルミナ膜又はシリコン酸化
膜からなる絶縁膜２３を介して下部及び上部磁気シール
ド２１，２４が形成されている。ＭＲ素子２２の下部磁
気シールド２１及び上部磁気シールド２４は隣接する記
録トラックからの磁界の入力を防止するため、トラック
幅方向に幅広く形成されている。
は、磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）２２を挟むように
してＭＲ素子２２の上下にアルミナ膜又はシリコン酸化
膜からなる絶縁膜２３を介して下部及び上部磁気シール
ド２１，２４が形成されている。ＭＲ素子２２の下部磁
気シールド２１及び上部磁気シールド２４は隣接する記
録トラックからの磁界の入力を防止するため、トラック
幅方向に幅広く形成されている。
【００２１】記録側（Ｗ）では、記録ヘッドの下部磁極
２４は再生ヘッドの上部磁気シールド２４と共用されて
いる。下部磁極２４としてＮｉＦｅ膜が用いられてい
る。下部磁極２４の上に記録ヘッドの上部磁極２６がア
ルミナ膜又はシリコン酸化膜からなる絶縁膜（ギャップ
層）を介して形成され、上部磁極２６の先端部の幅は記
録トラック幅に合わせて細くなっている。ギャップ層の
膜厚はギャップ２７の間隔を決める。また、上部磁極２
６はＮｉＦｅ膜（残りの部分）２６ａで形成され、細く
なっている先端部の両側部全面に飽和磁束密度（Ｂｓ）
の高い材料のＦｅＮ膜（高飽和磁束密度膜）２６ｂが形
成されている。なお、ＢｓはＮｉＦｅ膜２６ａでは凡そ
１Ｔであるのに対して、ＦｅＮ膜２６ｂでは凡そ２Ｔで
ある。
２４は再生ヘッドの上部磁気シールド２４と共用されて
いる。下部磁極２４としてＮｉＦｅ膜が用いられてい
る。下部磁極２４の上に記録ヘッドの上部磁極２６がア
ルミナ膜又はシリコン酸化膜からなる絶縁膜（ギャップ
層）を介して形成され、上部磁極２６の先端部の幅は記
録トラック幅に合わせて細くなっている。ギャップ層の
膜厚はギャップ２７の間隔を決める。また、上部磁極２
６はＮｉＦｅ膜（残りの部分）２６ａで形成され、細く
なっている先端部の両側部全面に飽和磁束密度（Ｂｓ）
の高い材料のＦｅＮ膜（高飽和磁束密度膜）２６ｂが形
成されている。なお、ＢｓはＮｉＦｅ膜２６ａでは凡そ
１Ｔであるのに対して、ＦｅＮ膜２６ｂでは凡そ２Ｔで
ある。
【００２２】更に、上部磁極２６全体はアルミナ膜又は
シリコン酸化膜からなる絶縁膜２５により被覆されてい
る。次に、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法について図３
（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。図３（ａ）〜
（ｅ）はその製造工程を示す断面図である。図３（ａ）
に上部磁極２６を形成する前の状態を示す。同図に示す
ように、再生側（Ｒ）の下部磁気シールド２１上に膜厚
約５０〜４００ｎｍのアルミナ膜又はシリコン酸化膜か
らなる絶縁膜２３を介して膜厚約０．５〜３μｍのＮｉ
Ｆｅ膜からなる上部磁気シールド２４が形成されてい
る。ＭＲ素子２２は下部磁気シールド２１と上部磁気シ
ールド２４の間に下部磁気シールド２１及び上部磁気シ
ールド２４と絶縁されて形成されている。また、上部磁
気シールド２４上には膜厚約０．１〜０．６μｍのアル
ミナ膜又はシリコン酸化膜からなる絶縁膜（ギャップ
層）２５ａが形成されている。その膜厚は記録ヘッドの
ギャップの間隔を決める。
シリコン酸化膜からなる絶縁膜２５により被覆されてい
る。次に、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法について図３
（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。図３（ａ）〜
（ｅ）はその製造工程を示す断面図である。図３（ａ）
に上部磁極２６を形成する前の状態を示す。同図に示す
ように、再生側（Ｒ）の下部磁気シールド２１上に膜厚
約５０〜４００ｎｍのアルミナ膜又はシリコン酸化膜か
らなる絶縁膜２３を介して膜厚約０．５〜３μｍのＮｉ
Ｆｅ膜からなる上部磁気シールド２４が形成されてい
る。ＭＲ素子２２は下部磁気シールド２１と上部磁気シ
ールド２４の間に下部磁気シールド２１及び上部磁気シ
ールド２４と絶縁されて形成されている。また、上部磁
気シールド２４上には膜厚約０．１〜０．６μｍのアル
ミナ膜又はシリコン酸化膜からなる絶縁膜（ギャップ
層）２５ａが形成されている。その膜厚は記録ヘッドの
ギャップの間隔を決める。
【００２３】この状態で、図３（ｂ）に示すように、絶
縁膜２５ａの上に上部磁極２６を形成するための幅３〜
４μｍの開口３２ａを有するレジストパターン３１ａを
形成する。次いで、レジストパターン３１ａをマスクと
してメッキを行い、レジストパターン３１ａの開口３２
ａ内に膜厚約３μｍのＮｉＦｅ膜２６ａを形成する。
縁膜２５ａの上に上部磁極２６を形成するための幅３〜
４μｍの開口３２ａを有するレジストパターン３１ａを
形成する。次いで、レジストパターン３１ａをマスクと
してメッキを行い、レジストパターン３１ａの開口３２
ａ内に膜厚約３μｍのＮｉＦｅ膜２６ａを形成する。
【００２４】次に、レジストパターン３１を除去した
後、図３（ｃ）に示すように、膜厚１００〜１５００ｎ
ｍのＦｅＮ膜２６ｂをスパッタにより形成する。次い
で、アルゴンを用いたイオンミリングによりＦｅＮ膜２
６ｂを異方性エッチングし、ＮｉＦｅ膜２６ａの側壁に
ＦｅＮ膜２６ｂを残す。このとき、エッチングマスクを
用いなくてもよいので、エッチングマスクの側壁にＦｅ
Ｎ膜２６ｂのエッチング生成物が付着し、バリとして残
ることもない。これにより、図３（ｄ）に示すように、
ＮｉＦｅ膜２６ａの先端部の側部にＦｅＮ膜２６ｂが形
成された上部磁極２６が完成する。
後、図３（ｃ）に示すように、膜厚１００〜１５００ｎ
ｍのＦｅＮ膜２６ｂをスパッタにより形成する。次い
で、アルゴンを用いたイオンミリングによりＦｅＮ膜２
６ｂを異方性エッチングし、ＮｉＦｅ膜２６ａの側壁に
ＦｅＮ膜２６ｂを残す。このとき、エッチングマスクを
用いなくてもよいので、エッチングマスクの側壁にＦｅ
Ｎ膜２６ｂのエッチング生成物が付着し、バリとして残
ることもない。これにより、図３（ｄ）に示すように、
ＮｉＦｅ膜２６ａの先端部の側部にＦｅＮ膜２６ｂが形
成された上部磁極２６が完成する。
【００２５】次に、アルミナ膜又はシリコン酸化膜から
なる絶縁膜２５ｂを形成し、上部磁極２６を被覆する。
その後、所定の工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
なお、上記ではＮｉＦｅ膜２６ａの先端部の側部だけで
はなく、ＮｉＦｅ膜２６ａ全体の側部にＦｅＮ膜２６ｂ
が形成されるが、先端部における磁気飽和の抑制効果は
変わらないし、他の磁気特性への影響もない。
なる絶縁膜２５ｂを形成し、上部磁極２６を被覆する。
その後、所定の工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
なお、上記ではＮｉＦｅ膜２６ａの先端部の側部だけで
はなく、ＮｉＦｅ膜２６ａ全体の側部にＦｅＮ膜２６ｂ
が形成されるが、先端部における磁気飽和の抑制効果は
変わらないし、他の磁気特性への影響もない。
【００２６】上記のようにして作成された薄膜磁気ヘッ
ドにより記録を行った結果について説明する。比較のた
め、上部磁極の先端部の側部にＦｅＮ膜を設けないもの
も調査した。導電コイル３３に電流を流し、０．５A-tu
rns の起磁力を発生させて記録を行った。調査結果によ
れば、図４（ａ）に示すように、第１の実施の形態に係
る磁気ヘッドでは、記録磁化の幅が広がらず、記録磁化
の両端部で曲がりも生じなかった。一方、比較例では、
図４（ｂ）に示すように、記録磁化の幅が広がり、記録
磁化の両端部で曲がりが生じた。
ドにより記録を行った結果について説明する。比較のた
め、上部磁極の先端部の側部にＦｅＮ膜を設けないもの
も調査した。導電コイル３３に電流を流し、０．５A-tu
rns の起磁力を発生させて記録を行った。調査結果によ
れば、図４（ａ）に示すように、第１の実施の形態に係
る磁気ヘッドでは、記録磁化の幅が広がらず、記録磁化
の両端部で曲がりも生じなかった。一方、比較例では、
図４（ｂ）に示すように、記録磁化の幅が広がり、記録
磁化の両端部で曲がりが生じた。
【００２７】第１の実施の形態に係る磁気ヘッドでは、
記録ヘッド側（磁界流出端側）の上部磁極２６の側部の
ＦｅＮ膜２６ｂが高い飽和磁束密度を有するので、上部
磁極２６の側部では磁気飽和が生じず、従って、磁気記
録媒体４４との対向面或いはそれに近いところから磁力
線が発生し、ギャップ２７の外側まで広がらないためで
あると考えられる。一方、比較例では、図４（ｂ）に示
すように、記録ヘッド（磁界流出端側）の上部磁極６の
先端部の下部磁極４に対向する部分とその側部が磁気飽
和し、磁気記録媒体１０との対向面から遠いところから
も磁力線が出てくるようになったためであると考えられ
る。
記録ヘッド側（磁界流出端側）の上部磁極２６の側部の
ＦｅＮ膜２６ｂが高い飽和磁束密度を有するので、上部
磁極２６の側部では磁気飽和が生じず、従って、磁気記
録媒体４４との対向面或いはそれに近いところから磁力
線が発生し、ギャップ２７の外側まで広がらないためで
あると考えられる。一方、比較例では、図４（ｂ）に示
すように、記録ヘッド（磁界流出端側）の上部磁極６の
先端部の下部磁極４に対向する部分とその側部が磁気飽
和し、磁気記録媒体１０との対向面から遠いところから
も磁力線が出てくるようになったためであると考えられ
る。
【００２８】以上のように、第１の実施の形態によれ
ば、磁極からギャップの外への磁場の広がりを抑制する
ことができるので、記録磁化の幅が広がらず、その両端
部での曲がりも生じない。これにより、再生エラーの発
生を防止し、高密度記録化を図ることができる。 （２）第２の実施の形態 図５は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの先端部について示す断面図である。
ば、磁極からギャップの外への磁場の広がりを抑制する
ことができるので、記録磁化の幅が広がらず、その両端
部での曲がりも生じない。これにより、再生エラーの発
生を防止し、高密度記録化を図ることができる。 （２）第２の実施の形態 図５は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの先端部について示す断面図である。
【００２９】第１の実施の形態と異なるところは、記録
側（Ｒ）の上部磁極２６の下部磁極２４との対向面にも
飽和磁束密度の高いＦｅＮ膜２６ｃが形成されているこ
とである。なお、図５において、図１と同じ符号で示す
ものは図１と同じものを示す。次に、上記薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法について図６（ａ）〜（ｅ）を参照しなが
ら説明する。図６（ａ）〜（ｅ）はその製造工程を示す
断面図である。
側（Ｒ）の上部磁極２６の下部磁極２４との対向面にも
飽和磁束密度の高いＦｅＮ膜２６ｃが形成されているこ
とである。なお、図５において、図１と同じ符号で示す
ものは図１と同じものを示す。次に、上記薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法について図６（ａ）〜（ｅ）を参照しなが
ら説明する。図６（ａ）〜（ｅ）はその製造工程を示す
断面図である。
【００３０】図６（ａ）は上部磁極２６を形成する前の
状態を示す。同図に示すように、再生側（Ｒ）の下部磁
気シールド２１上にアルミナ膜からなる絶縁膜２３を介
して上部磁気シールド２４が形成されている。ＭＲ素子
２２は下部磁気シールド２１と上部磁気シールド２４の
間に下部磁気シールド２１及び上部磁気シールド２４と
絶縁されて形成されている。また、上部磁気シールド２
４上には膜厚約０．１〜０．６μｍのアルミナ膜又はシ
リコン酸化膜からなる絶縁膜２５ａが形成されている。
膜厚は記録ヘッドのギャップの隙間の間隔を決める。
状態を示す。同図に示すように、再生側（Ｒ）の下部磁
気シールド２１上にアルミナ膜からなる絶縁膜２３を介
して上部磁気シールド２４が形成されている。ＭＲ素子
２２は下部磁気シールド２１と上部磁気シールド２４の
間に下部磁気シールド２１及び上部磁気シールド２４と
絶縁されて形成されている。また、上部磁気シールド２
４上には膜厚約０．１〜０．６μｍのアルミナ膜又はシ
リコン酸化膜からなる絶縁膜２５ａが形成されている。
膜厚は記録ヘッドのギャップの隙間の間隔を決める。
【００３１】この状態で、反応性スパッタにより絶縁膜
２５ａ上に膜厚約０．１〜１μｍのＦｅＮ膜２６ｃを形
成する。次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁膜２５
ａの上に上部磁極２６を形成するための幅３〜４μｍの
開口３２ｂを有するレジストパターン３１ｂを形成す
る。続いて、レジストパターン３１ｂをマスクとしてメ
ッキを行い、レジストパターン３１ｂの開口３２ｂ内に
膜厚約３μｍのＮｉＦｅ膜２６ａを形成する。
２５ａ上に膜厚約０．１〜１μｍのＦｅＮ膜２６ｃを形
成する。次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁膜２５
ａの上に上部磁極２６を形成するための幅３〜４μｍの
開口３２ｂを有するレジストパターン３１ｂを形成す
る。続いて、レジストパターン３１ｂをマスクとしてメ
ッキを行い、レジストパターン３１ｂの開口３２ｂ内に
膜厚約３μｍのＮｉＦｅ膜２６ａを形成する。
【００３２】次に、レジストパターン３１ｂを除去した
後、ガス圧２×１０-4Ｔｏｒｒのアルゴンガスを用いた
イオンミリングを行い、絶縁膜２５ａ上のＦｅＮ膜２６
ｃをエッチングする。このとき、図６（ｃ）に示すよう
に、エッチングされたＦｅＮ膜２６ｃはＮｉＦｅ膜２６
ａの側壁に再付着していく。このとき、エッチングマス
クを用いなくてもよいので、エッチングマスクの側壁に
ＦｅＮ膜２６ｂのエッチング生成物が付着し、バリとし
て残ることもない。
後、ガス圧２×１０-4Ｔｏｒｒのアルゴンガスを用いた
イオンミリングを行い、絶縁膜２５ａ上のＦｅＮ膜２６
ｃをエッチングする。このとき、図６（ｃ）に示すよう
に、エッチングされたＦｅＮ膜２６ｃはＮｉＦｅ膜２６
ａの側壁に再付着していく。このとき、エッチングマス
クを用いなくてもよいので、エッチングマスクの側壁に
ＦｅＮ膜２６ｂのエッチング生成物が付着し、バリとし
て残ることもない。
【００３３】これにより、図６（ｄ）に示すように、Ｎ
ｉＦｅ膜２６ａの側部と下部磁極２４との対向面にそれ
ぞれ膜厚１０〜１０００ｎｍのＦｅＮ膜２６ｂ，２６ｃ
が形成され、上部磁極２６が完成する。次に、図６
（ｅ）に示すように、アルミナ膜又はシリコン酸化膜か
らなる絶縁膜２５ｂを形成する。その後、所定の工程を
経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
ｉＦｅ膜２６ａの側部と下部磁極２４との対向面にそれ
ぞれ膜厚１０〜１０００ｎｍのＦｅＮ膜２６ｂ，２６ｃ
が形成され、上部磁極２６が完成する。次に、図６
（ｅ）に示すように、アルミナ膜又はシリコン酸化膜か
らなる絶縁膜２５ｂを形成する。その後、所定の工程を
経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００３４】上記のようにして作成された薄膜磁気ヘッ
ドでは、上部磁極２６の側部と、下部磁極２４との対向
面のＦｅＮ膜２６ｂが高い飽和磁束密度を有するので、
磁気記録を行う際上部磁極２６には磁気飽和が生じな
い。従って、磁気記録媒体との対向面或いはそれに近い
ところから磁力線が発生し、ギャップ２７の外まで磁界
が広がらない。
ドでは、上部磁極２６の側部と、下部磁極２４との対向
面のＦｅＮ膜２６ｂが高い飽和磁束密度を有するので、
磁気記録を行う際上部磁極２６には磁気飽和が生じな
い。従って、磁気記録媒体との対向面或いはそれに近い
ところから磁力線が発生し、ギャップ２７の外まで磁界
が広がらない。
【００３５】これにより、上記磁気ヘッドを用いて記録
を行うと、図４（ａ）と同様に、記録磁化の幅が広がら
ず、記録磁化の両端部で曲がりも生じない。従って、再
生エラーの発生を防止し、高密度記録化を図ることがで
きる。 （３）第３及び第４の実施の形態 （第３の実施の形態）図７は、本発明の第３の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図で
ある。
を行うと、図４（ａ）と同様に、記録磁化の幅が広がら
ず、記録磁化の両端部で曲がりも生じない。従って、再
生エラーの発生を防止し、高密度記録化を図ることがで
きる。 （３）第３及び第４の実施の形態 （第３の実施の形態）図７は、本発明の第３の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図で
ある。
【００３６】第２の実施の形態と異なるところは、記録
側（Ｒ）の上部磁極２６と対向する下部磁極２４の面上
に飽和磁束密度の高いＦｅＮ膜２８が形成されているこ
とである。なお、図７において、図５と同じ符号で示す
ものは図５と同じものを示す。この場合は、図６（ａ）
で下部磁極２４となるＮｉＦｅ膜を形成した後、ＦｅＮ
膜２８を形成する。以降は、図６（ｂ）〜（ｅ）と同じ
工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
側（Ｒ）の上部磁極２６と対向する下部磁極２４の面上
に飽和磁束密度の高いＦｅＮ膜２８が形成されているこ
とである。なお、図７において、図５と同じ符号で示す
ものは図５と同じものを示す。この場合は、図６（ａ）
で下部磁極２４となるＮｉＦｅ膜を形成した後、ＦｅＮ
膜２８を形成する。以降は、図６（ｂ）〜（ｅ）と同じ
工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００３７】ところで、下部磁極２４は、幅の狭い上部
磁極２６ほどではないが、上部磁極２６と対向するため
磁気飽和する。下部磁極２４が上部磁極２６との対向部
で磁気飽和すると飽和領域が次第にその周辺部まで広が
ってくる。上記第３の実施の形態によれば、下部磁極２
４上に高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜２８が形成さ
れているので、上部磁極２６のみならず対向面の下部磁
極２４が磁気飽和するのを抑制することができる。これ
により、磁極からギャップの外への磁場の広がりを一層
抑制することができる。
磁極２６ほどではないが、上部磁極２６と対向するため
磁気飽和する。下部磁極２４が上部磁極２６との対向部
で磁気飽和すると飽和領域が次第にその周辺部まで広が
ってくる。上記第３の実施の形態によれば、下部磁極２
４上に高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜２８が形成さ
れているので、上部磁極２６のみならず対向面の下部磁
極２４が磁気飽和するのを抑制することができる。これ
により、磁極からギャップの外への磁場の広がりを一層
抑制することができる。
【００３８】（第４の実施の形態）図８は、本発明の第
４の実施の形態に係る磁気ヘッドの先端部について示す
断面図である。記録側（Ｒ）の上部磁極２６と対向する
下部磁極２４の面上に飽和磁束密度の高いＦｅＮ膜２８
ａが形成されていることは第３の実施の形態と同じであ
るが、上部磁極２６の下のみに限定して形成されている
ことが第３の実施の形態と異なる。なお、図８におい
て、図７と同じ符号で示すものは図７と同じものを示
す。
４の実施の形態に係る磁気ヘッドの先端部について示す
断面図である。記録側（Ｒ）の上部磁極２６と対向する
下部磁極２４の面上に飽和磁束密度の高いＦｅＮ膜２８
ａが形成されていることは第３の実施の形態と同じであ
るが、上部磁極２６の下のみに限定して形成されている
ことが第３の実施の形態と異なる。なお、図８におい
て、図７と同じ符号で示すものは図７と同じものを示
す。
【００３９】この場合は、図６（ａ）で下部磁極２４と
なるＮｉＦｅ膜を形成した後、ＦｅＮ膜２８を形成し、
更にパターニングする。以降は、図６（ｂ）〜（ｅ）と
同じ工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。上記第４の
実施の形態によれば、下部磁極２４上に高い飽和磁束密
度を有するＦｅＮ膜２８ａが形成されているので、第３
の実施の形態と同じように、上部磁極２４と対向する下
部磁極２４の部分が磁気飽和するのを抑制することがで
きる。これにより、磁極からギャップの外への磁場の広
がりを一層抑制することができる。
なるＮｉＦｅ膜を形成した後、ＦｅＮ膜２８を形成し、
更にパターニングする。以降は、図６（ｂ）〜（ｅ）と
同じ工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。上記第４の
実施の形態によれば、下部磁極２４上に高い飽和磁束密
度を有するＦｅＮ膜２８ａが形成されているので、第３
の実施の形態と同じように、上部磁極２４と対向する下
部磁極２４の部分が磁気飽和するのを抑制することがで
きる。これにより、磁極からギャップの外への磁場の広
がりを一層抑制することができる。
【００４０】以上のように、第３及び第４の実施の形態
によれば、磁極からギャップの外への磁場の広がりを抑
制することができるので、記録磁化の幅が広がらず、そ
の両端部での曲がりも生じない。これにより、再生エラ
ーの発生を防止し、高密度化を図ることができる。 （４）第５の実施の形態 図９は、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの先端部について示す断面図である。
によれば、磁極からギャップの外への磁場の広がりを抑
制することができるので、記録磁化の幅が広がらず、そ
の両端部での曲がりも生じない。これにより、再生エラ
ーの発生を防止し、高密度化を図ることができる。 （４）第５の実施の形態 図９は、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの先端部について示す断面図である。
【００４１】第２の実施の形態と異なるところは、記録
側（Ｒ）の上部磁極２６と対向する下部磁極２４が上部
磁極２６と対向する部分で上部磁極２６とほぼ同じ幅
で、高さ０．１〜１μｍの突出部２９を有することであ
る。なお、図９において、図５と同じ符号で示すものは
図５と同じものを示す。この場合は、図６（ａ）で下部
磁極２４となるＮｉＦｅ膜を形成した後、そのＮｉＦｅ
膜を高さ０．１〜１μｍの分だけ選択的にエッチングす
る。以降は、図６（ｂ）〜（ｅ）と同じ工程を経て薄膜
磁気ヘッドが完成する。
側（Ｒ）の上部磁極２６と対向する下部磁極２４が上部
磁極２６と対向する部分で上部磁極２６とほぼ同じ幅
で、高さ０．１〜１μｍの突出部２９を有することであ
る。なお、図９において、図５と同じ符号で示すものは
図５と同じものを示す。この場合は、図６（ａ）で下部
磁極２４となるＮｉＦｅ膜を形成した後、そのＮｉＦｅ
膜を高さ０．１〜１μｍの分だけ選択的にエッチングす
る。以降は、図６（ｂ）〜（ｅ）と同じ工程を経て薄膜
磁気ヘッドが完成する。
【００４２】上記第５の実施の形態によれば、上部磁極
２６と対向する部分の下部磁極２４が上部磁極２６と同
じ幅で突出しているので、上部磁極２６から漏洩した磁
力線はギャップ２７の外に広がらずに磁気記録媒体を通
して下部磁極２４の突出部２９に入る。従って、ＦｅＮ
膜２６ａ〜２６ｃの磁気飽和抑制効果と協働して、記録
トラックの幅方向への磁場の広がりが防止される。
２６と対向する部分の下部磁極２４が上部磁極２６と同
じ幅で突出しているので、上部磁極２６から漏洩した磁
力線はギャップ２７の外に広がらずに磁気記録媒体を通
して下部磁極２４の突出部２９に入る。従って、ＦｅＮ
膜２６ａ〜２６ｃの磁気飽和抑制効果と協働して、記録
トラックの幅方向への磁場の広がりが防止される。
【００４３】従って、記録磁化の幅が広がらず、その両
端部での曲がりも生じない。これにより、再生エラーの
発生を防止し、高密度化を図ることができる。なお、上
記第３乃至第５の実施の形態では、上部磁極２６の下部
磁極２４との対向部分にＦｅＮ膜２６ｃが形成されてい
るが、上部磁極２６の側部にＦｅＮ膜２６ｂが形成され
ていれば対向部分には形成されていなくてもよい。
端部での曲がりも生じない。これにより、再生エラーの
発生を防止し、高密度化を図ることができる。なお、上
記第３乃至第５の実施の形態では、上部磁極２６の下部
磁極２４との対向部分にＦｅＮ膜２６ｃが形成されてい
るが、上部磁極２６の側部にＦｅＮ膜２６ｂが形成され
ていれば対向部分には形成されていなくてもよい。
【００４４】（５）第６乃至第９の実施の形態 （第６の実施の形態）図１０は、本発明の第６の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図
である。第１の実施の形態と異なるところは、記録側
（Ｗ）の上部磁極２６と対向する下部磁極３０が上部磁
極２６ととほぼ同じ幅で、再生側（Ｒ）の上部磁気シー
ルド２４とは別に形成されていることである。なお、図
１０において、図１と同じ符号で示すものは図１と同じ
ものを示す。
形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図
である。第１の実施の形態と異なるところは、記録側
（Ｗ）の上部磁極２６と対向する下部磁極３０が上部磁
極２６ととほぼ同じ幅で、再生側（Ｒ）の上部磁気シー
ルド２４とは別に形成されていることである。なお、図
１０において、図１と同じ符号で示すものは図１と同じ
ものを示す。
【００４５】この場合は、図３（ａ），（ｂ）と同様に
して、絶縁膜２５ａを形成した後、下部磁極３０となる
膜厚約０．５〜３μｍのＮｉＦｅ膜（残りの部分）３０
ａを形成する。続いて、絶縁膜２５ａを形成した後、図
３（ａ）〜（ｅ）と同じ工程を経て薄膜磁気ヘッドが完
成する。上記第６の実施の形態によれば、上部磁極２６
の先端部の側部にＦｅＮ膜２６ｂが形成されており、か
つ磁気ヘッドの先端部で上部磁極２６と同じ幅になって
いる下部磁極３０が再生側（Ｒ）の上部磁気シールド２
４とは別に形成されているので、上部磁極２６の側部で
磁気飽和が生じず、上部磁極２６から漏洩した磁力線は
ギャップ２７の外に広がらずに磁気記録媒体を通して下
部磁極３０に入る。
して、絶縁膜２５ａを形成した後、下部磁極３０となる
膜厚約０．５〜３μｍのＮｉＦｅ膜（残りの部分）３０
ａを形成する。続いて、絶縁膜２５ａを形成した後、図
３（ａ）〜（ｅ）と同じ工程を経て薄膜磁気ヘッドが完
成する。上記第６の実施の形態によれば、上部磁極２６
の先端部の側部にＦｅＮ膜２６ｂが形成されており、か
つ磁気ヘッドの先端部で上部磁極２６と同じ幅になって
いる下部磁極３０が再生側（Ｒ）の上部磁気シールド２
４とは別に形成されているので、上部磁極２６の側部で
磁気飽和が生じず、上部磁極２６から漏洩した磁力線は
ギャップ２７の外に広がらずに磁気記録媒体を通して下
部磁極３０に入る。
【００４６】従って、この磁気ヘッドを用いて記録を行
うと、記録磁化の幅が広がらず、その両端部での曲がり
も生じない。これにより、再生エラーの発生を防止し、
高密度化を図ることができる。 （第７の実施の形態）図１１は、本発明の第７の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図
である。
うと、記録磁化の幅が広がらず、その両端部での曲がり
も生じない。これにより、再生エラーの発生を防止し、
高密度化を図ることができる。 （第７の実施の形態）図１１は、本発明の第７の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図
である。
【００４７】第６の実施の形態と異なるところは、磁気
ヘッドの先端部で、記録側（Ｗ）の上部磁極２６の下部
磁極３０と対向する面にも高い飽和磁束密度を有するＦ
ｅＮ膜２６ｃが形成されていることである。なお、図１
１において、図１０と同じ符号で示すものは図１０と同
じものを示す。この場合は、図３（ａ），（ｂ）と同様
にして、絶縁膜２５ａを形成した後、下部磁極３０とな
る膜厚約０．５〜３μｍのＮｉＦｅ膜３０ａを形成す
る。続いて、絶縁膜２５ａを形成した後、図６（ａ）〜
（ｅ）と同じ工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
ヘッドの先端部で、記録側（Ｗ）の上部磁極２６の下部
磁極３０と対向する面にも高い飽和磁束密度を有するＦ
ｅＮ膜２６ｃが形成されていることである。なお、図１
１において、図１０と同じ符号で示すものは図１０と同
じものを示す。この場合は、図３（ａ），（ｂ）と同様
にして、絶縁膜２５ａを形成した後、下部磁極３０とな
る膜厚約０．５〜３μｍのＮｉＦｅ膜３０ａを形成す
る。続いて、絶縁膜２５ａを形成した後、図６（ａ）〜
（ｅ）と同じ工程を経て薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４８】上記第７の実施の形態によれば、上部磁極
２６の側部のみならず下部磁極３０との対向面にもＦｅ
Ｎ膜２６ｃが形成されているので、上部磁極２６の側部
及び対向部での磁気飽和を抑制することができる。従っ
て、上部磁極２６から漏洩した磁力線はギャップ２７の
外に広がらずに磁気記録媒体を通して下部磁極３０に入
る。
２６の側部のみならず下部磁極３０との対向面にもＦｅ
Ｎ膜２６ｃが形成されているので、上部磁極２６の側部
及び対向部での磁気飽和を抑制することができる。従っ
て、上部磁極２６から漏洩した磁力線はギャップ２７の
外に広がらずに磁気記録媒体を通して下部磁極３０に入
る。
【００４９】（第８の実施の形態）図１２は、本発明の
第８の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部につい
て示す断面図である。第７の実施の形態と異なるところ
は、記録側（Ｗ）の上部磁極２６と同じ幅の下部磁極３
０の側部に高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜３０ｂが
形成されていることである。特に、下部磁極３０を上部
磁極２６と同じ幅にすると磁気飽和が生じやすくなるた
め、有効である。なお、図１２において、図１１と同じ
符号で示すものは図１１と同じものを示す。
第８の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部につい
て示す断面図である。第７の実施の形態と異なるところ
は、記録側（Ｗ）の上部磁極２６と同じ幅の下部磁極３
０の側部に高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜３０ｂが
形成されていることである。特に、下部磁極３０を上部
磁極２６と同じ幅にすると磁気飽和が生じやすくなるた
め、有効である。なお、図１２において、図１１と同じ
符号で示すものは図１１と同じものを示す。
【００５０】この場合は、図２（ａ）〜（ｄ）と同様に
して、絶縁膜２５ａを形成した後、下部磁極３０となる
膜厚約０．５〜３μｍのＮｉＦｅ膜３０ａとその側部の
ＦｅＮ膜３０ｂを形成する。続いて、絶縁膜２５ａを形
成した後、図６（ａ）〜（ｅ）と同じ工程を経て薄膜磁
気ヘッドが完成する。上記第８の実施の形態によれば、
上部磁極２６と同じ幅の下部磁極３０が再生側（Ｒ）の
上部磁気シールド２４とは別に形成されているので、上
部磁極２６から漏洩した磁力線はギャップ２７の外に広
がらずに磁気記録媒体を通して下部磁極３０に入る。ま
た、下部磁極３０のＮｉＦｅ膜３０ａの側部に高い飽和
磁束密度を有するＦｅＮ膜３０ｂが形成されているの
で、下部磁極３０の磁気飽和も抑制することができ、こ
のため、ギャップ２７の外への磁力線の広がりを抑制す
ることが出来る。
して、絶縁膜２５ａを形成した後、下部磁極３０となる
膜厚約０．５〜３μｍのＮｉＦｅ膜３０ａとその側部の
ＦｅＮ膜３０ｂを形成する。続いて、絶縁膜２５ａを形
成した後、図６（ａ）〜（ｅ）と同じ工程を経て薄膜磁
気ヘッドが完成する。上記第８の実施の形態によれば、
上部磁極２６と同じ幅の下部磁極３０が再生側（Ｒ）の
上部磁気シールド２４とは別に形成されているので、上
部磁極２６から漏洩した磁力線はギャップ２７の外に広
がらずに磁気記録媒体を通して下部磁極３０に入る。ま
た、下部磁極３０のＮｉＦｅ膜３０ａの側部に高い飽和
磁束密度を有するＦｅＮ膜３０ｂが形成されているの
で、下部磁極３０の磁気飽和も抑制することができ、こ
のため、ギャップ２７の外への磁力線の広がりを抑制す
ることが出来る。
【００５１】（第９の実施の形態）図１３は、本発明の
第９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部につい
て示す断面図である。第８の実施の形態と異なるところ
は、記録側（Ｗ）の下部磁極３０の上部磁極２６との対
向面にも高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜３０ｃが形
成されていることである。なお、図１３において、図１
２と同じ符号で示すものは図１２と同じものを示す。
第９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部につい
て示す断面図である。第８の実施の形態と異なるところ
は、記録側（Ｗ）の下部磁極３０の上部磁極２６との対
向面にも高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜３０ｃが形
成されていることである。なお、図１３において、図１
２と同じ符号で示すものは図１２と同じものを示す。
【００５２】この場合は、第１の実施の形態と同様な方
法により下部磁極３０の側部のＦｅＮ膜３０ｂを形成し
た後、ＦｅＮ膜を形成し、パターニングして下部磁極３
０上にＦｅＮ膜３０ｃを残す。続いて、絶縁膜２５ａを
形成した後、図６（ａ）〜（ｄ）の工程を経て薄膜磁気
ヘッドが完成する。上記第９の実施の形態によれば、上
部磁極２６と同じ幅の下部磁極３０が再生側（Ｒ）の上
部磁気シールド２４とは別に形成されているので、上部
磁極２６から漏洩した磁力線はギャップ２７の外に広が
らずに磁気記録媒体を通して下部磁極３０に入る。ま
た、下部磁極３０の側部及び対向面と、上部磁極２６の
側部及び対向面に高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜２
６ｂ，２６ｃ，３０ｂ，３０ｃが形成されているので、
上部磁極２６及び下部磁極３０の磁気飽和を抑制するこ
とができ、このため、ギャップ２７の外への磁力線の広
がりを防止することができる。
法により下部磁極３０の側部のＦｅＮ膜３０ｂを形成し
た後、ＦｅＮ膜を形成し、パターニングして下部磁極３
０上にＦｅＮ膜３０ｃを残す。続いて、絶縁膜２５ａを
形成した後、図６（ａ）〜（ｄ）の工程を経て薄膜磁気
ヘッドが完成する。上記第９の実施の形態によれば、上
部磁極２６と同じ幅の下部磁極３０が再生側（Ｒ）の上
部磁気シールド２４とは別に形成されているので、上部
磁極２６から漏洩した磁力線はギャップ２７の外に広が
らずに磁気記録媒体を通して下部磁極３０に入る。ま
た、下部磁極３０の側部及び対向面と、上部磁極２６の
側部及び対向面に高い飽和磁束密度を有するＦｅＮ膜２
６ｂ，２６ｃ，３０ｂ，３０ｃが形成されているので、
上部磁極２６及び下部磁極３０の磁気飽和を抑制するこ
とができ、このため、ギャップ２７の外への磁力線の広
がりを防止することができる。
【００５３】以上のように、第６及び第９の実施の形態
によれば、下部磁極３０と上部磁極２６の間のギャップ
の外への磁場の広がりを抑制することができるので、記
録磁化の幅が広がらず、その両端部での曲がりも生じな
い。これにより、再生エラーの発生を防止し、高密度化
を図ることができる。なお、上記第１ないし第９の実施
の形態では、飽和磁束密度の高い部分を形成するためＦ
ｅＮ膜を形成しているが、これに限られるものではな
い。例えば、ＦｅＺｒＮ膜、ＦｅＴａＮ膜、ＣｏＺｒ膜
又はＣｏＮｉＦｅ膜等を用いてもよい。また、下部磁極
３０又は上部磁極２６となる軟磁性層にＦｅやＣｏを選
択的にイオン注入してその側部に飽和磁束密度の高い部
分を形成してもよい。
によれば、下部磁極３０と上部磁極２６の間のギャップ
の外への磁場の広がりを抑制することができるので、記
録磁化の幅が広がらず、その両端部での曲がりも生じな
い。これにより、再生エラーの発生を防止し、高密度化
を図ることができる。なお、上記第１ないし第９の実施
の形態では、飽和磁束密度の高い部分を形成するためＦ
ｅＮ膜を形成しているが、これに限られるものではな
い。例えば、ＦｅＺｒＮ膜、ＦｅＴａＮ膜、ＣｏＺｒ膜
又はＣｏＮｉＦｅ膜等を用いてもよい。また、下部磁極
３０又は上部磁極２６となる軟磁性層にＦｅやＣｏを選
択的にイオン注入してその側部に飽和磁束密度の高い部
分を形成してもよい。
【００５４】（６）第１０の実施の形態 図１４は、本発明の第１０の実施の形態に係る磁気記録
装置について示す平面図である。第１乃至第９の実施の
形態に係るＭＲヘッドがスライダに取り付けられてい
る。図１４に示すように、磁気記録装置４１はＭＲヘッ
ドを備えたスライダ４３と、磁気ディスク（磁気記録媒
体）４４と、スライダ４３を指示するスプリングアーム
４２とを有している。
装置について示す平面図である。第１乃至第９の実施の
形態に係るＭＲヘッドがスライダに取り付けられてい
る。図１４に示すように、磁気記録装置４１はＭＲヘッ
ドを備えたスライダ４３と、磁気ディスク（磁気記録媒
体）４４と、スライダ４３を指示するスプリングアーム
４２とを有している。
【００５５】上記磁気記録装置によれば、第１乃至第９
の実施の形態に係るＭＲヘッドを備えているので、上部
磁極２６及び下部磁極３０の先端部から磁気記録媒体４
４に出入りする磁力線がギャップ２７の外に広がるのを
なお一層抑制することができる。これにより、磁気ディ
スク４４に記録される記録磁化の広がりとその両端部で
の曲がりを抑制することができるため、再生エラーを抑
制し、記録トラックの高密度化の向上を図ることができ
る。
の実施の形態に係るＭＲヘッドを備えているので、上部
磁極２６及び下部磁極３０の先端部から磁気記録媒体４
４に出入りする磁力線がギャップ２７の外に広がるのを
なお一層抑制することができる。これにより、磁気ディ
スク４４に記録される記録磁化の広がりとその両端部で
の曲がりを抑制することができるため、再生エラーを抑
制し、記録トラックの高密度化の向上を図ることができ
る。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、本発明の薄膜磁気ヘッド
においては、ギャップ層を介して先端部同士が対向する
２つの磁極のうち、少なくとも一方の磁極の先端部にお
いて、磁極の側部が残りの部分よりも高い飽和磁束密度
を有している。従って、磁気記録媒体に磁気記録を行う
際、磁極の側部が磁気飽和するのを抑制することができ
る。このため、磁力線の流出領域を磁気記録媒体との対
向面或いはそれに近いところに限定し、ギャップの外へ
の磁場の広がりを抑制することができる。これにより、
磁気記録媒体に記録された磁化の幅が広がらず、その両
端部での曲がりも生じないため、再生エラーの発生を防
止し、磁気記録の高密度化を図ることができる。
においては、ギャップ層を介して先端部同士が対向する
２つの磁極のうち、少なくとも一方の磁極の先端部にお
いて、磁極の側部が残りの部分よりも高い飽和磁束密度
を有している。従って、磁気記録媒体に磁気記録を行う
際、磁極の側部が磁気飽和するのを抑制することができ
る。このため、磁力線の流出領域を磁気記録媒体との対
向面或いはそれに近いところに限定し、ギャップの外へ
の磁場の広がりを抑制することができる。これにより、
磁気記録媒体に記録された磁化の幅が広がらず、その両
端部での曲がりも生じないため、再生エラーの発生を防
止し、磁気記録の高密度化を図ることができる。
【００５７】また、一方の磁極と対向する他方の磁極を
一方の磁極とほぼ同じ幅としているので、一方の磁極か
ら流出した磁力線はギャップの外に広がらずに磁気記録
媒体を通して他方の磁極に流入する。従って、一方の磁
極の磁気飽和抑制効果と協働して、記録トラックの幅方
向への磁場の広がりを防止することができる。更に、他
方の磁極の幅を一方の磁極と同じように細くした場合、
他方の磁極にも磁気飽和が生じやすくなるため、他方の
磁極の側部や対向部を残りの部分よりも高い飽和磁束密
度を持たせることが磁気飽和を抑制するのに有効であ
る。
一方の磁極とほぼ同じ幅としているので、一方の磁極か
ら流出した磁力線はギャップの外に広がらずに磁気記録
媒体を通して他方の磁極に流入する。従って、一方の磁
極の磁気飽和抑制効果と協働して、記録トラックの幅方
向への磁場の広がりを防止することができる。更に、他
方の磁極の幅を一方の磁極と同じように細くした場合、
他方の磁極にも磁気飽和が生じやすくなるため、他方の
磁極の側部や対向部を残りの部分よりも高い飽和磁束密
度を持たせることが磁気飽和を抑制するのに有効であ
る。
【００５８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、軟磁性膜、例えばＮｉＦｅ膜を高飽和磁束密
度膜、例えばＦｅＮ膜で被覆して異方性エッチングする
ことにより、エッチングマスクを用いずに軟磁性膜の側
壁に高飽和磁束密度膜を形成することができる。更に、
本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、Ｆ
ｅＮ膜をイオンミリング等によりエッチングするとエッ
チング生成物が生じて突出部の側壁に付着する性質を利
用して、エッチング生成物である高飽和磁束密度膜を軟
磁性膜の側壁に形成している。
によれば、軟磁性膜、例えばＮｉＦｅ膜を高飽和磁束密
度膜、例えばＦｅＮ膜で被覆して異方性エッチングする
ことにより、エッチングマスクを用いずに軟磁性膜の側
壁に高飽和磁束密度膜を形成することができる。更に、
本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、Ｆ
ｅＮ膜をイオンミリング等によりエッチングするとエッ
チング生成物が生じて突出部の側壁に付着する性質を利
用して、エッチング生成物である高飽和磁束密度膜を軟
磁性膜の側壁に形成している。
【００５９】以上の製造方法では、エッチングマスクを
用いずに軟磁性膜の側壁及び対向部に高飽和磁束密度膜
を形成することができるので、高飽和磁束密度膜のバリ
が残らない。しかも磁極の主な部分をＮｉＦｅ膜とする
ことができるので、クラックの発生も防止することがで
きる。また、本発明の磁気記録装置によれば、本発明の
薄膜磁気ヘッドを備えているので、記録部の磁極の先端
部から磁気記録媒体に出入りする磁力線がギャップの外
に広がるのを抑制することができる。これにより、磁気
記録媒体に記録される記録磁化の広がりとその両端部で
の曲がりを抑制することができるため、再生エラーを抑
制し、記録トラックの高密度化の向上を図ることができ
る。
用いずに軟磁性膜の側壁及び対向部に高飽和磁束密度膜
を形成することができるので、高飽和磁束密度膜のバリ
が残らない。しかも磁極の主な部分をＮｉＦｅ膜とする
ことができるので、クラックの発生も防止することがで
きる。また、本発明の磁気記録装置によれば、本発明の
薄膜磁気ヘッドを備えているので、記録部の磁極の先端
部から磁気記録媒体に出入りする磁力線がギャップの外
に広がるのを抑制することができる。これにより、磁気
記録媒体に記録される記録磁化の広がりとその両端部で
の曲がりを抑制することができるため、再生エラーを抑
制し、記録トラックの高密度化の向上を図ることができ
る。
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す斜視図であり、
図２（ｂ）は図２（ａ）のII−II線断面図である。
る薄膜磁気ヘッドの先端部について示す斜視図であり、
図２（ｂ）は図２（ａ）のII−II線断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について示す断面
図である。
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について示す断面
図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に記録する方法
について示す斜視図であり、図４（ｂ）は、比較例に係
る薄膜磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に記録する方法
について示す斜視図である。
る薄膜磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に記録する方法
について示す斜視図であり、図４（ｂ）は、比較例に係
る薄膜磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に記録する方法
について示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について示す断面
図である。
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について示す断面
図である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第６の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第７の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第８の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第９の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
薄膜磁気ヘッドの先端部について示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第１乃至第９の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドを用いた、第１０の実施の形態
に係る磁気記録装置について示す平面図である。
態に係る薄膜磁気ヘッドを用いた、第１０の実施の形態
に係る磁気記録装置について示す平面図である。
【図１５】図１５（ａ）は、従来例に係る薄膜磁気ヘッ
ドの先端部について示す斜視図であり、図１５（ｂ）は
図１５（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
ドの先端部について示す斜視図であり、図１５（ｂ）は
図１５（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図１６】図１６は、従来例に係る薄膜磁気ヘッドの先
端部について示す断面図である。
端部について示す断面図である。
２１ 下部磁気シールド、 ２２ 磁気抵抗効果型素子、 ２３，２５，２５ｂ 絶縁膜、 ２４ 上部磁気シールド（下部磁極）、 ２５ａ 絶縁膜（ギャップ層）、 ２７ ギャップ、 ２６ 上部磁極、 ２６ａ，３０ａ ＮｉＦｅ膜（残りの部分）、 ２６ｂ，２６ｃ，２８，２８ａ，３０ｂ，３０ｃ Ｆｅ
Ｎ膜（高飽和磁束密度膜）、 ２９ 突出部、 ３０ 下部磁極、 ３１ａ，３１ｂ レジストマスク、 ３２ａ，３２ｂ 開口、 ３３ 導電コイル、 ４１ 磁気記録装置、 ４２ スプリングアーム、 ４３ スライダ、 ４４ 磁気記録媒体（磁気ディスク）。
Ｎ膜（高飽和磁束密度膜）、 ２９ 突出部、 ３０ 下部磁極、 ３１ａ，３１ｂ レジストマスク、 ３２ａ，３２ｂ 開口、 ３３ 導電コイル、 ４１ 磁気記録装置、 ４２ スプリングアーム、 ４３ スライダ、 ４４ 磁気記録媒体（磁気ディスク）。
Claims (13)
- 【請求項１】 導体コイルを挟んで上及び下に形成さ
れ、ギャップ層を介して先端部同士が対向する２つの磁
極を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記２つの磁極のうち、少なくとも一方の磁極の先端部
で、該磁極の側部は残りの部分よりも高い飽和磁束密度
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記一方の磁極の前記ギャップ層側の部
分は前記残りの部分よりも高い飽和磁束密度を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記薄膜磁気ヘッドは記録部と再生部が
隣接して設けられており、前記２つの磁極は前記記録部
に形成され、前記一方の磁極と対向する他方の磁極は前
記再生部の磁気シールドと共用されてなることを特徴と
する請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記一方の磁極と対向する他方の磁極の
前記ギャップ層側の部分は残りの部分よりも高い飽和磁
束密度を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記他方の磁極の前記一方の磁極と対向
する側の面は、前記一方の磁極と対向する領域が他の領
域よりも突出していることを特徴とする請求項３に記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記一方の磁極と前記一方の磁極に対向
する他方の磁極はほぼ等しい幅を有することを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記一方の磁極に対向する他方の磁極
は、該他方の磁極の側部が残りの部分よりも高い飽和磁
束密度を有することを特徴とする請求項６に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記他方の磁極の前記ギャップ層側の部
分は前記残りの部分よりも高い飽和磁束密度を有するこ
とを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドを備えたスライダと、磁気記録媒体と
を有する磁気記録装置。 - 【請求項１０】 絶縁膜上にメッキマスクを形成する工
程と、 前記メッキマスクにしたがって前記開口内に軟磁性膜を
形成する工程と、 前記メッキマスクを除去した後、高飽和磁束密度膜を形
成して前記軟磁性膜を被覆する工程と、 前記高飽和磁束密度膜を異方性エッチングして前記絶縁
膜上の高飽和磁束密度膜を除去するとともに、前記軟磁
性膜の側壁に前記高飽和磁束密度膜を残す工程とを有す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 絶縁膜の上に高飽和磁束密度膜を形成
する工程と、 前記高飽和磁束密度膜上に開口を有するメッキマスクを
形成する工程と、 前記メッキマスクにしたがって前記開口内に軟磁性膜を
形成する工程と、 前記メッキマスクを除去した後、前記高飽和磁束密度膜
をエッチングし、そのエッチング生成物である高飽和磁
束密度膜を前記軟磁性膜の側壁に形成する工程とを有す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記軟磁性膜はＮｉＦｅ膜であり、前
記高飽和磁束密度膜はＦｅ系又はＣｏＺｒ系の膜である
ことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記絶縁膜は記録部側の２つの磁極の
うちの一方の磁極の上に形成されて、前記２つの磁極の
間のギャップ層となることを特徴とする請求項１０乃至
請求項１２の発明のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP8106931A JPH09293209A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US08/730,101 US5774308A (en) | 1996-04-26 | 1996-10-15 | Thin film inductive head and magnetic writing/reading drive including the same |
| KR1019960056383A KR100243629B1 (ko) | 1996-04-26 | 1996-11-22 | 박막자기헤드,그 제조방법 및 자기기록재생장치 |
| DE19649859A DE19649859C2 (de) | 1996-04-26 | 1996-12-02 | Induktiver Dünnfilmkopf, Verfahren zum Herstellen desselben und magnetisches Schreib/Lese-Laufwerk |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293209A true JPH09293209A (ja) | 1997-11-11 |
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| CN (1) | CN1073253C (ja) |
| DE (1) | DE19649859C2 (ja) |
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