JP2001110017A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び回転型磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び回転型磁気ヘッド装置Info
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜シールドタイプのＭＲヘッドにおいて、
磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材としての基板の
欠け等の欠損を生じさせないようにし、ヘリカルスキャ
ン方式の再生用ヘッドとして好適なものとする。 【解決手段】 下層シールド薄膜３の幅Ｗ１及び上層シ
ールド薄膜７の幅Ｗ２を、ＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大
きく、且つ、当たり幅Ｗ４よりも小さくなるように設定
する。
磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材としての基板の
欠け等の欠損を生じさせないようにし、ヘリカルスキャ
ン方式の再生用ヘッドとして好適なものとする。 【解決手段】 下層シールド薄膜３の幅Ｗ１及び上層シ
ールド薄膜７の幅Ｗ２を、ＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大
きく、且つ、当たり幅Ｗ４よりも小さくなるように設定
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を利
用して磁気記録媒体に記録された信号を読み取る磁気抵
抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた回転型磁気ヘッド
装置に関する。
用して磁気記録媒体に記録された信号を読み取る磁気抵
抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた回転型磁気ヘッド
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、固定ドラムとこの固定ドラム
に対して回転可能に設けられた回転ドラムとを有し、回
転ドラムに磁気ヘッドが取り付けられてなる回転型磁気
ヘッド装置を用い、この回転型磁気ヘッド装置の外周面
に磁気テープを斜めに巻き付けて、回転ドラムの回転に
伴って移動する磁気ヘッドを磁気テープ上に斜めに摺動
させて、この磁気テープに対する信号の記録又は再生を
行うようにした、ヘリカルスキャン（Helical Scan：斜
め走査）と呼ばれる記録再生方式が提案されている。
に対して回転可能に設けられた回転ドラムとを有し、回
転ドラムに磁気ヘッドが取り付けられてなる回転型磁気
ヘッド装置を用い、この回転型磁気ヘッド装置の外周面
に磁気テープを斜めに巻き付けて、回転ドラムの回転に
伴って移動する磁気ヘッドを磁気テープ上に斜めに摺動
させて、この磁気テープに対する信号の記録又は再生を
行うようにした、ヘリカルスキャン（Helical Scan：斜
め走査）と呼ばれる記録再生方式が提案されている。
【０００３】このヘリカルスキャン方式では、磁気ヘッ
ドが、走行する磁気テープ上を高速で摺動して信号の記
録及び再生を行うので、磁気テープと磁気ヘッドとの相
対摺動速度が速く、データ転送レートの向上が実現され
ている。
ドが、走行する磁気テープ上を高速で摺動して信号の記
録及び再生を行うので、磁気テープと磁気ヘッドとの相
対摺動速度が速く、データ転送レートの向上が実現され
ている。
【０００４】近年、このヘリカルスキャン方式におい
て、ハードディスクドライブ等の再生用磁気ヘッドとし
て普及している磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという。）を再生用ヘッドとして用いる技術が提
案されている。
て、ハードディスクドライブ等の再生用磁気ヘッドとし
て普及している磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという。）を再生用ヘッドとして用いる技術が提
案されている。
【０００５】ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果素子（以下、
ＭＲ素子という。）の磁気抵抗効果を利用して磁気記録
媒体に記録された信号を読み取る磁気ヘッドであり、一
対の基板がギャップを介して接合一体化され、ギャップ
中に磁気抵抗効果を発揮するＭＲ素子が薄膜形成されて
なる。このＭＲヘッドは、薄膜形成されるＭＲ素子の幅
によりトラック幅が決定されるので、狭トラック化が容
易であると共に、ＭＲ素子が磁気記録媒体と対向する面
から露出しているので再生感度が高いという特徴を有し
ている。
ＭＲ素子という。）の磁気抵抗効果を利用して磁気記録
媒体に記録された信号を読み取る磁気ヘッドであり、一
対の基板がギャップを介して接合一体化され、ギャップ
中に磁気抵抗効果を発揮するＭＲ素子が薄膜形成されて
なる。このＭＲヘッドは、薄膜形成されるＭＲ素子の幅
によりトラック幅が決定されるので、狭トラック化が容
易であると共に、ＭＲ素子が磁気記録媒体と対向する面
から露出しているので再生感度が高いという特徴を有し
ている。
【０００６】したがって、ヘリカルスキャン方式の再生
用ヘッドとして以上のような特徴を有するＭＲヘッドを
用いることにより、記録トラックの狭トラック化を実現
して、より高密度で信号の記録再生を行うことが期待さ
れている。
用ヘッドとして以上のような特徴を有するＭＲヘッドを
用いることにより、記録トラックの狭トラック化を実現
して、より高密度で信号の記録再生を行うことが期待さ
れている。
【０００７】ところで、ＭＲヘッドとしては、一対の磁
気シールド部材間のシールド間ギャップ内にＭＲ素子が
配された、いわゆるシールド型ＭＲヘッドが普及してい
る。このシールド型ＭＲヘッドは、一対の非磁性材間に
ＭＲ素子が設けられたノンシールド型ＭＲヘッドに比較
し、周波数特性が良好であり、高い分解能が得られると
いう特徴を有している。
気シールド部材間のシールド間ギャップ内にＭＲ素子が
配された、いわゆるシールド型ＭＲヘッドが普及してい
る。このシールド型ＭＲヘッドは、一対の非磁性材間に
ＭＲ素子が設けられたノンシールド型ＭＲヘッドに比較
し、周波数特性が良好であり、高い分解能が得られると
いう特徴を有している。
【０００８】このようなシールド型ＭＲヘッドとして
は、一対の磁気シールド部材を軟磁性薄膜により構成し
た、いわゆる薄膜シールドタイプのＭＲヘッドが知られ
ている。この薄膜シールドタイプのＭＲヘッドは、一対
の磁気シールド部材を軟磁性基板により構成した基板シ
ールドタイプのＭＲヘッドに比べて、一対の磁気シール
ド部材間の間隔、すなわちシールド間ギャップの厚さの
制御が容易で、良好な周波数特性を得やすいという利点
を有している。
は、一対の磁気シールド部材を軟磁性薄膜により構成し
た、いわゆる薄膜シールドタイプのＭＲヘッドが知られ
ている。この薄膜シールドタイプのＭＲヘッドは、一対
の磁気シールド部材を軟磁性基板により構成した基板シ
ールドタイプのＭＲヘッドに比べて、一対の磁気シール
ド部材間の間隔、すなわちシールド間ギャップの厚さの
制御が容易で、良好な周波数特性を得やすいという利点
を有している。
【０００９】以上のような理由から、ヘリカルスキャン
方式の再生用ヘッドとして用いるには、薄膜シールドタ
イプのＭＲヘッドが最適と思われる。
方式の再生用ヘッドとして用いるには、薄膜シールドタ
イプのＭＲヘッドが最適と思われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した薄
膜シールドタイプのＭＲヘッドをヘリカルスキャン方式
の再生用ヘッドとして用いる場合には、従来ヘリカルス
キャン方式で用いられていたインダクティブ型のバルク
ヘッドと同様に、一対のガード材が接合一体化されてこ
れらの接合面間に感磁部が設けられた構造とされる。そ
して、このような構造とされた薄膜シールドタイプのＭ
Ｒヘッドは、ヘリカルスキャン方式で使用するのに適し
た形状に成形されることになる。
膜シールドタイプのＭＲヘッドをヘリカルスキャン方式
の再生用ヘッドとして用いる場合には、従来ヘリカルス
キャン方式で用いられていたインダクティブ型のバルク
ヘッドと同様に、一対のガード材が接合一体化されてこ
れらの接合面間に感磁部が設けられた構造とされる。そ
して、このような構造とされた薄膜シールドタイプのＭ
Ｒヘッドは、ヘリカルスキャン方式で使用するのに適し
た形状に成形されることになる。
【００１１】この薄膜シールドタイプのＭＲヘッドは、
ヘリカルスキャン方式で使用するのに適した形状に成形
する過程で、磁気シールド部材となる軟磁性薄膜の膜剥
がれやチップの欠け等の欠損を生じてしまう場合があっ
た。このように欠損が生じた薄膜シールドタイプのＭＲ
ヘッドを、ヘリカルスキャン方式の再生用ヘッドとして
用いると、磁気テープを傷つけてしまう場合がある。特
に、ヘリカルスキャン方式では、磁気ヘッドが磁気テー
プ上を高速で摺動するので、再生用ヘッドとして用いる
薄膜シールドタイプのＭＲヘッドに以上のような欠損が
生じていると、磁気テープの損傷を招く可能性が大き
い。
ヘリカルスキャン方式で使用するのに適した形状に成形
する過程で、磁気シールド部材となる軟磁性薄膜の膜剥
がれやチップの欠け等の欠損を生じてしまう場合があっ
た。このように欠損が生じた薄膜シールドタイプのＭＲ
ヘッドを、ヘリカルスキャン方式の再生用ヘッドとして
用いると、磁気テープを傷つけてしまう場合がある。特
に、ヘリカルスキャン方式では、磁気ヘッドが磁気テー
プ上を高速で摺動するので、再生用ヘッドとして用いる
薄膜シールドタイプのＭＲヘッドに以上のような欠損が
生じていると、磁気テープの損傷を招く可能性が大き
い。
【００１２】以上のような薄膜シールドタイプのＭＲヘ
ッドの欠損は、主に、ガード材となる基板とこの基板上
に形成された磁気シールド部材となる軟磁性薄膜との熱
膨張係数の違いに起因して生じることが分かってきた。
ッドの欠損は、主に、ガード材となる基板とこの基板上
に形成された磁気シールド部材となる軟磁性薄膜との熱
膨張係数の違いに起因して生じることが分かってきた。
【００１３】すなわち、磁気シールド部材となる軟磁性
薄膜に対しては、その磁気特性を向上させるために、成
膜後に加熱処理を施すことが一般的に行われているが、
この軟磁性薄膜と基板との熱膨張係数が異なるために、
軟磁性薄膜に加熱処理を行う過程で、これらの界面に応
力が加わってひびが生じてしまう場合があった。そし
て、軟磁性薄膜と基板との界面にひびが生じると、この
薄膜シールドタイプのＭＲヘッドをヘリカルスキャン方
式で使用するのに適した形状に成形する過程で、シール
ド薄膜の膜剥がれやチップの欠け等の欠損を生じてしま
う場合があった。
薄膜に対しては、その磁気特性を向上させるために、成
膜後に加熱処理を施すことが一般的に行われているが、
この軟磁性薄膜と基板との熱膨張係数が異なるために、
軟磁性薄膜に加熱処理を行う過程で、これらの界面に応
力が加わってひびが生じてしまう場合があった。そし
て、軟磁性薄膜と基板との界面にひびが生じると、この
薄膜シールドタイプのＭＲヘッドをヘリカルスキャン方
式で使用するのに適した形状に成形する過程で、シール
ド薄膜の膜剥がれやチップの欠け等の欠損を生じてしま
う場合があった。
【００１４】特に、軟磁性薄膜と基板との接触面積が大
きい場合、すなわち、軟磁性薄膜が基板上に広い範囲で
形成されている場合には、このような応力が強く働いて
界面にひびが生じやすい。
きい場合、すなわち、軟磁性薄膜が基板上に広い範囲で
形成されている場合には、このような応力が強く働いて
界面にひびが生じやすい。
【００１５】本発明は、以上のような実情に鑑みて創案
されたものであり、軟磁性薄膜の膜剥がれやチップの欠
け等の欠損が生じることを有効に抑制し、ヘリカルスキ
ャン方式の再生用ヘッドとして用いて好適なＭＲヘッド
及びこのＭＲヘッドを用いた回転型磁気ヘッド装置を提
供することを目的とする。
されたものであり、軟磁性薄膜の膜剥がれやチップの欠
け等の欠損が生じることを有効に抑制し、ヘリカルスキ
ャン方式の再生用ヘッドとして用いて好適なＭＲヘッド
及びこのＭＲヘッドを用いた回転型磁気ヘッド装置を提
供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗効
果型磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間に一対の
磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップが形成さ
れ、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素子が配
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その長さ方
向に沿って溝が形成され、この溝により当該磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当たり幅が規制
されていると共に、上記一対の磁気シールド薄膜の幅
が、上記磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ上記当
たり幅よりも小さくされていることを特徴としている。
果型磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間に一対の
磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップが形成さ
れ、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素子が配
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その長さ方
向に沿って溝が形成され、この溝により当該磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当たり幅が規制
されていると共に、上記一対の磁気シールド薄膜の幅
が、上記磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ上記当
たり幅よりも小さくされていることを特徴としている。
【００１７】すなわち、この磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、いわゆる薄膜シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気
ヘッドとして構成されており、一対の磁気シールド薄膜
の幅が、磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ当たり
幅よりも小さくなるように設定されている。
は、いわゆる薄膜シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気
ヘッドとして構成されており、一対の磁気シールド薄膜
の幅が、磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ当たり
幅よりも小さくなるように設定されている。
【００１８】一対の磁気シールド薄膜は、その幅が磁気
抵抗効果素子の幅よりも小さいと、十分な磁気シールド
効果を発揮することができない。また、一対の磁気シー
ルド薄膜の幅があまり大きいと、この磁気シールド薄膜
とガード材との接触面積が大きくなって、これらの熱膨
張係数の違いにより、これらの界面にひびが生じてしま
い、この磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材の欠け
等の欠損を招来してしまう場合がある。
抵抗効果素子の幅よりも小さいと、十分な磁気シールド
効果を発揮することができない。また、一対の磁気シー
ルド薄膜の幅があまり大きいと、この磁気シールド薄膜
とガード材との接触面積が大きくなって、これらの熱膨
張係数の違いにより、これらの界面にひびが生じてしま
い、この磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材の欠け
等の欠損を招来してしまう場合がある。
【００１９】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おいては、一対の磁気シールド薄膜の幅が、磁気抵抗効
果素子の幅よりも大きく且つ上記当たり幅よりも小さく
なる範囲に設定されているので、この磁気シールド薄膜
に十分な磁気シールド効果を発揮させることができると
共に、磁気シールド薄膜とガード材との接触面積が制限
されることによって、これらの界面にひびが生じてしま
う不都合が有効に抑制され、磁気シールド薄膜の膜剥が
れやガード材の欠け等の欠損が防止される。
おいては、一対の磁気シールド薄膜の幅が、磁気抵抗効
果素子の幅よりも大きく且つ上記当たり幅よりも小さく
なる範囲に設定されているので、この磁気シールド薄膜
に十分な磁気シールド効果を発揮させることができると
共に、磁気シールド薄膜とガード材との接触面積が制限
されることによって、これらの界面にひびが生じてしま
う不都合が有効に抑制され、磁気シールド薄膜の膜剥が
れやガード材の欠け等の欠損が防止される。
【００２０】また、本発明に係る回転型磁気ヘッド装置
は、固定ドラムとこの固定ドラムに対して回転可能に設
けられた回転ドラムとを有する装置本体と、この装置本
体の回転ドラム側に取り付けられた再生用磁気ヘッドと
を備えている。そして、この回転型磁気ヘッド装置にお
いて、再生用磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間
に一対の磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップ
が形成され、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果
素子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであっ
て、磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、
その長さ方向に沿って溝が形成され、この溝により当該
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当た
り幅が規制されていると共に、上記一対の磁気シールド
薄膜の幅が、上記磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且
つ上記当たり幅よりも小さくされていることを特徴とし
ている。
は、固定ドラムとこの固定ドラムに対して回転可能に設
けられた回転ドラムとを有する装置本体と、この装置本
体の回転ドラム側に取り付けられた再生用磁気ヘッドと
を備えている。そして、この回転型磁気ヘッド装置にお
いて、再生用磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間
に一対の磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップ
が形成され、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果
素子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであっ
て、磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、
その長さ方向に沿って溝が形成され、この溝により当該
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当た
り幅が規制されていると共に、上記一対の磁気シールド
薄膜の幅が、上記磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且
つ上記当たり幅よりも小さくされていることを特徴とし
ている。
【００２１】この回転型磁気ヘッド装置において、再生
用磁気ヘッドは、いわゆる薄膜シールドタイプの磁気抵
抗効果型磁気ヘッドとして構成され、回転ドラムに取り
付けられている。そして、この再生用磁気ヘッドは、回
転ドラムが回転操作されることにより円軌跡を描いて移
動し、装置本体の外周面に巻き付けられた磁気記録媒体
上を摺動する。これにより、磁気記録媒体に書き込まれ
ていた信号が読み出されることになる。
用磁気ヘッドは、いわゆる薄膜シールドタイプの磁気抵
抗効果型磁気ヘッドとして構成され、回転ドラムに取り
付けられている。そして、この再生用磁気ヘッドは、回
転ドラムが回転操作されることにより円軌跡を描いて移
動し、装置本体の外周面に巻き付けられた磁気記録媒体
上を摺動する。これにより、磁気記録媒体に書き込まれ
ていた信号が読み出されることになる。
【００２２】この回転型磁気ヘッド装置において、薄膜
シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドとして構成
された再生用磁気ヘッドは、一対の磁気シールド薄膜の
幅が、磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ上記当た
り幅よりも小さくなる範囲に設定されているので、この
磁気シールド薄膜に十分な磁気シールド効果を発揮させ
ることができると共に、磁気シールド薄膜とガード材と
の接触面積が制限されることによって、これらの界面に
ひびが生じてしまう不都合が有効に抑制され、磁気シー
ルド薄膜の膜剥がれやガード材の欠け等の欠損が防止さ
れる。
シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドとして構成
された再生用磁気ヘッドは、一対の磁気シールド薄膜の
幅が、磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ上記当た
り幅よりも小さくなる範囲に設定されているので、この
磁気シールド薄膜に十分な磁気シールド効果を発揮させ
ることができると共に、磁気シールド薄膜とガード材と
の接触面積が制限されることによって、これらの界面に
ひびが生じてしまう不都合が有効に抑制され、磁気シー
ルド薄膜の膜剥がれやガード材の欠け等の欠損が防止さ
れる。
【００２３】本発明に係る回転型磁気ヘッド装置は、以
上のように、磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材の
欠け等の欠損が有効に抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを再生用磁気ヘッドとして用いているので、再生用
磁気ヘッドが磁気記録媒体上を摺動する際に磁気記録媒
体を傷つけてしまうことがなく、磁気記録媒体に書き込
まれていた信号を適切に読み出すことができる。
上のように、磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材の
欠け等の欠損が有効に抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを再生用磁気ヘッドとして用いているので、再生用
磁気ヘッドが磁気記録媒体上を摺動する際に磁気記録媒
体を傷つけてしまうことがなく、磁気記録媒体に書き込
まれていた信号を適切に読み出すことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２５】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの一例を図１及び図２に示す。この磁気抵抗効果型磁
気ヘッド（以下、ＭＲヘッド１という。）は、第１の基
板２と、この第１の基板２上に形成された第１の軟磁性
薄膜（以下、下層シールド薄膜３という。）と、この下
層シールド薄膜３上に形成された非磁性非導電性膜（以
下、下層ギャップ膜４という。）と、この下層ギャップ
膜４上に形成された磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子
５という。）と、このＭＲ素子５上に形成された非磁性
非導電性膜（以下、上層ギャップ膜６という。）と、こ
の上層ギャップ膜６上に形成された第２の軟磁性薄膜
（以下、上層シールド薄膜７という。）と、この上層シ
ールド薄膜７上に接着材を介して接合された第２の基板
８とを備えている。
ドの一例を図１及び図２に示す。この磁気抵抗効果型磁
気ヘッド（以下、ＭＲヘッド１という。）は、第１の基
板２と、この第１の基板２上に形成された第１の軟磁性
薄膜（以下、下層シールド薄膜３という。）と、この下
層シールド薄膜３上に形成された非磁性非導電性膜（以
下、下層ギャップ膜４という。）と、この下層ギャップ
膜４上に形成された磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子
５という。）と、このＭＲ素子５上に形成された非磁性
非導電性膜（以下、上層ギャップ膜６という。）と、こ
の上層ギャップ膜６上に形成された第２の軟磁性薄膜
（以下、上層シールド薄膜７という。）と、この上層シ
ールド薄膜７上に接着材を介して接合された第２の基板
８とを備えている。
【００２６】このＭＲヘッド１は、接合一体化された一
対の基板２，８により一対のガード材が構成されてい
る。そして、これら一対の基板２，８の接合面間に、下
層シールド薄膜３と上層シールド薄膜７とにより挟持さ
れたかたちで、下層ギャップ膜４、ＭＲ素子５、上層ギ
ャップ膜６がそれぞれ設けられており、下層ギャップ膜
４及び上層ギャップ膜６によりシールド間ギャップが構
成されている。このシールド間ギャップ内には、ＭＲ素
子５が配設されており、このＭＲ素子５の一端部が、記
録媒体である磁気テープに対する摺動面（以下、テープ
摺動面１１という。）から外部に露出するようになさ
れ、感磁部とされている。
対の基板２，８により一対のガード材が構成されてい
る。そして、これら一対の基板２，８の接合面間に、下
層シールド薄膜３と上層シールド薄膜７とにより挟持さ
れたかたちで、下層ギャップ膜４、ＭＲ素子５、上層ギ
ャップ膜６がそれぞれ設けられており、下層ギャップ膜
４及び上層ギャップ膜６によりシールド間ギャップが構
成されている。このシールド間ギャップ内には、ＭＲ素
子５が配設されており、このＭＲ素子５の一端部が、記
録媒体である磁気テープに対する摺動面（以下、テープ
摺動面１１という。）から外部に露出するようになさ
れ、感磁部とされている。
【００２７】なお、図１は本発明に係るＭＲヘッド１を
示す斜視図であり、図２は図１におけるＡ部をテープ摺
動面１１側から見た図である。これら図１及び図２で
は、特徴を分かり易く示すために、上記ＭＲヘッド１の
各部を実際のものとは異なる比率で示している。
示す斜視図であり、図２は図１におけるＡ部をテープ摺
動面１１側から見た図である。これら図１及び図２で
は、特徴を分かり易く示すために、上記ＭＲヘッド１の
各部を実際のものとは異なる比率で示している。
【００２８】第１の基板２及び第２の基板８は、それぞ
れ平面形状が略長方形の薄板状に形成されてなり、その
上部端面が所定の曲率を有する円弧状に成形されてい
る。また、この円弧状に成形された第１の基板２及び第
２の基板８の上部端面には、その幅方向の両端部に、長
さ方向に沿って２本の溝９，１０が形成されており、こ
れら２本の溝９，１０間の領域がテープ摺動面１１とさ
れている。
れ平面形状が略長方形の薄板状に形成されてなり、その
上部端面が所定の曲率を有する円弧状に成形されてい
る。また、この円弧状に成形された第１の基板２及び第
２の基板８の上部端面には、その幅方向の両端部に、長
さ方向に沿って２本の溝９，１０が形成されており、こ
れら２本の溝９，１０間の領域がテープ摺動面１１とさ
れている。
【００２９】すなわち、このＭＲヘッド１においては、
図１中矢印Ｂで示す当該ＭＲヘッド１の磁気テープに対
する摺動方向に沿って、第１の基板２及び第２の基板８
の上部端面の幅方向の両端部に２本の溝９，１０が形成
されることにより、テープ摺動面１１の幅、すなわち、
磁気テープに対する当たり幅が規制されるようになされ
ている。
図１中矢印Ｂで示す当該ＭＲヘッド１の磁気テープに対
する摺動方向に沿って、第１の基板２及び第２の基板８
の上部端面の幅方向の両端部に２本の溝９，１０が形成
されることにより、テープ摺動面１１の幅、すなわち、
磁気テープに対する当たり幅が規制されるようになされ
ている。
【００３０】下層ギャップ膜４と上層ギャップ膜６は、
一対のシールド部材間のシールド間ギャップを構成する
ものである。そして、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素
子５がこれら下層ギャップ膜４と上層ギャップ膜６とに
より挟み込まれた状態で配設されている。
一対のシールド部材間のシールド間ギャップを構成する
ものである。そして、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素
子５がこれら下層ギャップ膜４と上層ギャップ膜６とに
より挟み込まれた状態で配設されている。
【００３１】ＭＲ素子５は、磁気抵抗効果によって磁気
テープ等の磁気記録媒体からの信号を検出するものであ
る。すなわち、ＭＲ素子５は、磁気記録媒体からの磁界
によって、その磁化方向が初めに磁化している方向から
変化することによって、その抵抗値を変化させる。ＭＲ
ヘッド１は、このＭＲ素子５の抵抗値変化を検出するこ
とにより、磁気記録媒体に記録された信号を読み取るよ
うにしている。
テープ等の磁気記録媒体からの信号を検出するものであ
る。すなわち、ＭＲ素子５は、磁気記録媒体からの磁界
によって、その磁化方向が初めに磁化している方向から
変化することによって、その抵抗値を変化させる。ＭＲ
ヘッド１は、このＭＲ素子５の抵抗値変化を検出するこ
とにより、磁気記録媒体に記録された信号を読み取るよ
うにしている。
【００３２】ＭＲ素子５のトラック方向の両端には、こ
のＭＲ素子５の磁区を単磁区化するための一対の安定化
膜１２，１３が設けられている。また、この安定化膜１
２，１３上には、ＭＲ素子５及びＭＲ素子５に電気的に
接続される部分の抵抗値を低くするための一対の低抵抗
化膜１４，１５が設けられている。
のＭＲ素子５の磁区を単磁区化するための一対の安定化
膜１２，１３が設けられている。また、この安定化膜１
２，１３上には、ＭＲ素子５及びＭＲ素子５に電気的に
接続される部分の抵抗値を低くするための一対の低抵抗
化膜１４，１５が設けられている。
【００３３】さらに、ＭＲヘッド１には、ＭＲ素子５に
センス電流を供給するための一対の導体部１６，１７
が、一方の端部が一対の安定化膜１２，１３と接続され
た形で設けられている。この一対の導体部１６，１７
は、一対の安定化膜１２，１３を介してＭＲ素子５に電
気的に接続されている。
センス電流を供給するための一対の導体部１６，１７
が、一方の端部が一対の安定化膜１２，１３と接続され
た形で設けられている。この一対の導体部１６，１７
は、一対の安定化膜１２，１３を介してＭＲ素子５に電
気的に接続されている。
【００３４】また、この一対の導体部１６，１７の他方
の端部上には、外部回路と接続される外部接続端子１
８，１９が設けられている。この外部接続端子１８，１
９は、端面が外部に露呈して、この端面にリード線等が
接続されるようになされている。
の端部上には、外部回路と接続される外部接続端子１
８，１９が設けられている。この外部接続端子１８，１
９は、端面が外部に露呈して、この端面にリード線等が
接続されるようになされている。
【００３５】下層シールド薄膜３と上層シールド薄膜７
は、一対の磁気シールド部材として機能するものであ
り、シールド間ギャップを構成する下層ギャップ膜４及
び上層ギャップ膜６とシールド間ギャップ内に配設され
たＭＲ素子５を挟み込むように、第１の基板２と第２の
基板８の接合面間に配設されている。
は、一対の磁気シールド部材として機能するものであ
り、シールド間ギャップを構成する下層ギャップ膜４及
び上層ギャップ膜６とシールド間ギャップ内に配設され
たＭＲ素子５を挟み込むように、第１の基板２と第２の
基板８の接合面間に配設されている。
【００３６】これら下層シールド薄膜３と上層シールド
薄膜７は、それぞれの幅Ｗ１，Ｗ２が、ＭＲ素子５の幅
Ｗ３よりも大きく、且つ、２本の溝９，１０により規制
されたテープ摺動面１１の幅、すなわち、磁気テープに
対する当たり幅Ｗ４よりも小さくなるように形成されて
いる。特に、下層シールド薄膜３の幅Ｗ１と上層シール
ド薄膜７の幅Ｗ２は、当たり幅Ｗ４に対する比率で７／
８以下とされていることが望ましい。
薄膜７は、それぞれの幅Ｗ１，Ｗ２が、ＭＲ素子５の幅
Ｗ３よりも大きく、且つ、２本の溝９，１０により規制
されたテープ摺動面１１の幅、すなわち、磁気テープに
対する当たり幅Ｗ４よりも小さくなるように形成されて
いる。特に、下層シールド薄膜３の幅Ｗ１と上層シール
ド薄膜７の幅Ｗ２は、当たり幅Ｗ４に対する比率で７／
８以下とされていることが望ましい。
【００３７】ここで、第１の基板２と第２の基板８との
接合面は、図１中矢印Ｂで示す磁気テープに対する摺動
方向と直交する方向に対して所定のアジマス角をもって
傾斜するようになされている。そして、これらの接合面
の傾斜する方向に沿った下層シールド薄膜３の長さが、
ここでいう下層シールド薄膜の幅Ｗ１であり、これらの
接合面の傾斜する方向に沿った上層シールド薄膜７の長
さが、ここでいう上層シールド薄膜の幅Ｗ２である。ま
た、これらの接合面の傾斜する方向に沿ったＭＲ素子５
の長さが、ここでいうＭＲ素子５の幅Ｗ３である。
接合面は、図１中矢印Ｂで示す磁気テープに対する摺動
方向と直交する方向に対して所定のアジマス角をもって
傾斜するようになされている。そして、これらの接合面
の傾斜する方向に沿った下層シールド薄膜３の長さが、
ここでいう下層シールド薄膜の幅Ｗ１であり、これらの
接合面の傾斜する方向に沿った上層シールド薄膜７の長
さが、ここでいう上層シールド薄膜の幅Ｗ２である。ま
た、これらの接合面の傾斜する方向に沿ったＭＲ素子５
の長さが、ここでいうＭＲ素子５の幅Ｗ３である。
【００３８】以上のように構成されたＭＲヘッド１は、
薄膜形成されるＭＲ素子５の幅によりトラック幅が決定
されるので、狭トラック化が容易である。また、このＭ
Ｒヘッド１は、ＭＲ素子５がテープ摺動面１１から露出
しているので、高い再生感度が得られる。
薄膜形成されるＭＲ素子５の幅によりトラック幅が決定
されるので、狭トラック化が容易である。また、このＭ
Ｒヘッド１は、ＭＲ素子５がテープ摺動面１１から露出
しているので、高い再生感度が得られる。
【００３９】また、このＭＲヘッド１は、いわゆる薄膜
シールドタイプのＭＲヘッドとして構成されているの
で、シールド間ギャップの厚さの制御が容易で、良好な
周波数特性が得られる。
シールドタイプのＭＲヘッドとして構成されているの
で、シールド間ギャップの厚さの制御が容易で、良好な
周波数特性が得られる。
【００４０】さらに、このＭＲヘッド１は、下層シール
ド薄膜３の幅Ｗ１及び上層シールド薄膜７の幅Ｗ２が、
ＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大きく、且つ、磁気テープに
対する当たり幅Ｗ４よりも小さくされているので、これ
ら下層シールド薄膜３及び上層シールド薄膜７に十分な
磁気シールド効果を発揮させることができると共に、下
層シールド薄膜３と第１の基板２との接触面積及び上層
シールド薄膜７と第２の基板８との接触面積が制限され
ることによって、下層シールド薄膜３の膜剥がれや上層
シールド薄膜７の膜剥がれ、第１の基板２や第２の基板
８の欠け等の欠損を招来してしまうといった不都合が有
効に抑制される。
ド薄膜３の幅Ｗ１及び上層シールド薄膜７の幅Ｗ２が、
ＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大きく、且つ、磁気テープに
対する当たり幅Ｗ４よりも小さくされているので、これ
ら下層シールド薄膜３及び上層シールド薄膜７に十分な
磁気シールド効果を発揮させることができると共に、下
層シールド薄膜３と第１の基板２との接触面積及び上層
シールド薄膜７と第２の基板８との接触面積が制限され
ることによって、下層シールド薄膜３の膜剥がれや上層
シールド薄膜７の膜剥がれ、第１の基板２や第２の基板
８の欠け等の欠損を招来してしまうといった不都合が有
効に抑制される。
【００４１】すなわち、この種の薄膜シールドタイプの
ＭＲヘッドにおいては、下層シールド薄膜及び上層シー
ルド薄膜の幅が磁気抵抗効果素子の幅よりも小さいと、
これら下層シールド薄膜及び上層シールド薄膜に十分な
磁気シールド効果を発揮させることができない。また、
下層シールド薄膜及び上層シールド薄膜の幅があまり大
きいと、下層シールド薄膜と第１の基板との接触面積及
び上層シールド薄膜と第２の基板との接触面積が大きく
なって、これらの熱膨張係数の違いにより、これらの界
面にひびが生じてしまい、下層シールド薄膜の膜剥がれ
や上層シールド薄膜７の膜剥がれ、第１の基板２や第２
の基板８の欠け等の欠損を招来してしまう場合がある。
ＭＲヘッドにおいては、下層シールド薄膜及び上層シー
ルド薄膜の幅が磁気抵抗効果素子の幅よりも小さいと、
これら下層シールド薄膜及び上層シールド薄膜に十分な
磁気シールド効果を発揮させることができない。また、
下層シールド薄膜及び上層シールド薄膜の幅があまり大
きいと、下層シールド薄膜と第１の基板との接触面積及
び上層シールド薄膜と第２の基板との接触面積が大きく
なって、これらの熱膨張係数の違いにより、これらの界
面にひびが生じてしまい、下層シールド薄膜の膜剥がれ
や上層シールド薄膜７の膜剥がれ、第１の基板２や第２
の基板８の欠け等の欠損を招来してしまう場合がある。
【００４２】しかしながら、本発明を適用したＭＲヘッ
ド１においては、下層シールド薄膜３の幅Ｗ１及び上層
シールド薄膜７の幅Ｗ２が、ＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも
大きく、且つ、磁気テープに対する当たり幅Ｗ４よりも
小さくされているので、以上のような不都合が有効に抑
制されることになる。
ド１においては、下層シールド薄膜３の幅Ｗ１及び上層
シールド薄膜７の幅Ｗ２が、ＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも
大きく、且つ、磁気テープに対する当たり幅Ｗ４よりも
小さくされているので、以上のような不都合が有効に抑
制されることになる。
【００４３】特に、下層シールド薄膜３の幅Ｗ１と上層
シールド薄膜７の幅Ｗ２が、当たり幅Ｗ４に対する比率
で７／８以下とされている場合には、下記の表１に示す
ように、ＭＲヘッド１に欠損が生じる割合を５％以下に
することができる。ＭＲヘッド１に欠損が生じる割合を
５％以下に抑えることができれば、十分に実用性のある
ものと判断できる。
シールド薄膜７の幅Ｗ２が、当たり幅Ｗ４に対する比率
で７／８以下とされている場合には、下記の表１に示す
ように、ＭＲヘッド１に欠損が生じる割合を５％以下に
することができる。ＭＲヘッド１に欠損が生じる割合を
５％以下に抑えることができれば、十分に実用性のある
ものと判断できる。
【００４４】
【表１】
【００４５】なお、この表１は、この種の薄膜シールド
タイプのＭＲヘッドにおいて、当たり幅に対する下層シ
ールド薄膜及び上層シールド薄膜の幅の比率と、欠損が
生じる割合との関係を示したものであり、当たり幅が８
０μｍに設定されたＭＲヘッドにおいて、下層シールド
薄膜及び上層シールド薄膜の幅を変化させたときの欠損
が生じた割合を表にしたものである。
タイプのＭＲヘッドにおいて、当たり幅に対する下層シ
ールド薄膜及び上層シールド薄膜の幅の比率と、欠損が
生じる割合との関係を示したものであり、当たり幅が８
０μｍに設定されたＭＲヘッドにおいて、下層シールド
薄膜及び上層シールド薄膜の幅を変化させたときの欠損
が生じた割合を表にしたものである。
【００４６】以上のように構成されたＭＲヘッド１は、
例えば図３に示すような回転型磁気ヘッド装置２０に搭
載される。
例えば図３に示すような回転型磁気ヘッド装置２０に搭
載される。
【００４７】この図３に示す回転型磁気ヘッド装置２０
は、ヘリカルスキャン方式により磁気テープＴに対して
信号の記録再生を行うように構成された記録再生装置に
用いられ、テープ走行系に案内されてこの記録再生装置
内を所定の経路で走行する磁気テープＴの記録面上に磁
気ヘッドを摺動させ、この磁気テープＴに対して信号を
書き込み、また、信号が書き込まれた磁気テープＴの記
録面上に磁気ヘッドを摺動させ、この磁気テープＴに書
き込まれた信号を読み出すものである。
は、ヘリカルスキャン方式により磁気テープＴに対して
信号の記録再生を行うように構成された記録再生装置に
用いられ、テープ走行系に案内されてこの記録再生装置
内を所定の経路で走行する磁気テープＴの記録面上に磁
気ヘッドを摺動させ、この磁気テープＴに対して信号を
書き込み、また、信号が書き込まれた磁気テープＴの記
録面上に磁気ヘッドを摺動させ、この磁気テープＴに書
き込まれた信号を読み出すものである。
【００４８】この回転型磁気ヘッド装置２０は、記録再
生装置内に固定されて設けられる固定ドラム２１と、こ
の固定ドラム２１と同軸上に設けられ、モータの駆動に
より回転操作される回転ドラム２２とを備え、全体略円
柱状に形成されている。
生装置内に固定されて設けられる固定ドラム２１と、こ
の固定ドラム２１と同軸上に設けられ、モータの駆動に
より回転操作される回転ドラム２２とを備え、全体略円
柱状に形成されている。
【００４９】固定ドラム２１は、アルミニウム等の金属
材料が所定の厚みを有する略円盤状に成形されてなり、
その外周面には、磁気テープＴの巻き付きを案内して、
その姿勢を維持するためのテープガイド溝２３が設けら
れている。このテープガイド溝２３は、固定ドラム２１
の中心軸と垂直な方向に対して所定の角度で傾斜して形
成されている。磁気テープＴは、この固定ドラム２１の
外周面に設けられたテープガイド溝２３に下端部を支持
された状態で、この回転型磁気ヘッド装置２０の外周面
に斜めに巻き付けられることになる。
材料が所定の厚みを有する略円盤状に成形されてなり、
その外周面には、磁気テープＴの巻き付きを案内して、
その姿勢を維持するためのテープガイド溝２３が設けら
れている。このテープガイド溝２３は、固定ドラム２１
の中心軸と垂直な方向に対して所定の角度で傾斜して形
成されている。磁気テープＴは、この固定ドラム２１の
外周面に設けられたテープガイド溝２３に下端部を支持
された状態で、この回転型磁気ヘッド装置２０の外周面
に斜めに巻き付けられることになる。
【００５０】回転ドラム２２は、固定ドラム２１と同様
にアルミニウム等の金属材料が所定の厚みを有する略円
盤状に成形されてなる。そして、回転ドラム２２は、そ
の中心部にモータの軸部が挿通され、モータの駆動によ
り回転操作されるようになされている。
にアルミニウム等の金属材料が所定の厚みを有する略円
盤状に成形されてなる。そして、回転ドラム２２は、そ
の中心部にモータの軸部が挿通され、モータの駆動によ
り回転操作されるようになされている。
【００５１】また、回転ドラム２２には、磁気テープＴ
に対して信号を書き込む記録用の磁気ヘッドとしてイン
ダクティブ型の磁気ヘッド２４が取り付けられ、また、
磁気テープＴに書き込まれている信号を読み出す再生用
の磁気ヘッドとして上述したＭＲヘッド１が取り付けら
れている。これらの磁気ヘッドは、ヘッド支持基板に支
持された状態で、その先端部が回転型磁気ヘッド装置２
０の外周面から外方を臨むように、回転ドラム２２に取
り付けられている。
に対して信号を書き込む記録用の磁気ヘッドとしてイン
ダクティブ型の磁気ヘッド２４が取り付けられ、また、
磁気テープＴに書き込まれている信号を読み出す再生用
の磁気ヘッドとして上述したＭＲヘッド１が取り付けら
れている。これらの磁気ヘッドは、ヘッド支持基板に支
持された状態で、その先端部が回転型磁気ヘッド装置２
０の外周面から外方を臨むように、回転ドラム２２に取
り付けられている。
【００５２】以上のように構成される回転型磁気ヘッド
装置２０は、ヘリカルスキャン方式の記録再生装置内に
配設される。そして、この回転型磁気ヘッド装置２０の
外周面には、テープ走行系に案内されて図３中矢印Ｃで
示す方向へと走行する磁気テープＴが、例えば１８０度
の巻き付け角で巻き付けられる。このとき、磁気テープ
Ｔは、固定ドラム２１の外周面に形成されたテープガイ
ド溝２３に沿って巻き付けられることにより、回転型磁
気ヘッド装置２０の外周面に斜めに巻き付けられること
になる。
装置２０は、ヘリカルスキャン方式の記録再生装置内に
配設される。そして、この回転型磁気ヘッド装置２０の
外周面には、テープ走行系に案内されて図３中矢印Ｃで
示す方向へと走行する磁気テープＴが、例えば１８０度
の巻き付け角で巻き付けられる。このとき、磁気テープ
Ｔは、固定ドラム２１の外周面に形成されたテープガイ
ド溝２３に沿って巻き付けられることにより、回転型磁
気ヘッド装置２０の外周面に斜めに巻き付けられること
になる。
【００５３】回転型磁気ヘッド装置２０は、その外周面
に磁気テープＴが巻き付けられた状態で回転ドラム２２
が回転操作される。そして、この回転ドラム２２の回転
に伴って、回転ドラム２２に取り付けられた記録用の磁
気ヘッド２４や再生用のＭＲヘッド１が、回転型磁気ヘ
ッド装置２０の外周面に沿って図３中矢印Ｄ方向へ移動
し、回転型磁気ヘッド装置２０の外周面に巻き付けられ
た磁気テープＴの記録面上を斜めに摺動する。これによ
り、この磁気テープＴの信号記録面に信号が書き込ま
れ、また、信号が書き込まれた磁気テープＴの記録面か
ら信号が読み出される。
に磁気テープＴが巻き付けられた状態で回転ドラム２２
が回転操作される。そして、この回転ドラム２２の回転
に伴って、回転ドラム２２に取り付けられた記録用の磁
気ヘッド２４や再生用のＭＲヘッド１が、回転型磁気ヘ
ッド装置２０の外周面に沿って図３中矢印Ｄ方向へ移動
し、回転型磁気ヘッド装置２０の外周面に巻き付けられ
た磁気テープＴの記録面上を斜めに摺動する。これによ
り、この磁気テープＴの信号記録面に信号が書き込ま
れ、また、信号が書き込まれた磁気テープＴの記録面か
ら信号が読み出される。
【００５４】この回転型磁気ヘッド装置２０において
は、再生用の磁気ヘッドとして、上述したＭＲヘッド１
が用いられているので、記録トラックの狭トラック化を
実現して、より高密度で信号の記録再生を行うことが可
能となる。
は、再生用の磁気ヘッドとして、上述したＭＲヘッド１
が用いられているので、記録トラックの狭トラック化を
実現して、より高密度で信号の記録再生を行うことが可
能となる。
【００５５】また、この回転型磁気ヘッド装置２０にお
いて再生用の磁気ヘッドとして用いられるＭＲヘッド１
は、上述したように、下層シールド薄膜３の膜剥がれや
上層シールド薄膜７の膜剥がれ、ガード材となる第１の
基板２や第２の基板８の欠け等の欠損が抑制された構造
とされているので、このＭＲヘッド１を再生用の磁気ヘ
ッドとして用いた回転型磁気ヘッド装置２０では、磁気
テープＴを傷つけてしまうことがなく、磁気テープＴに
対する信号の記録再生を適切に行うことができる。
いて再生用の磁気ヘッドとして用いられるＭＲヘッド１
は、上述したように、下層シールド薄膜３の膜剥がれや
上層シールド薄膜７の膜剥がれ、ガード材となる第１の
基板２や第２の基板８の欠け等の欠損が抑制された構造
とされているので、このＭＲヘッド１を再生用の磁気ヘ
ッドとして用いた回転型磁気ヘッド装置２０では、磁気
テープＴを傷つけてしまうことがなく、磁気テープＴに
対する信号の記録再生を適切に行うことができる。
【００５６】ここで、上述したＭＲヘッド１の製造方法
について以下に説明する。なお、以下の説明で用いる図
面は、特徴を分かりやすく図示するために、図１及び図
２と同様に、特徴となる部分を拡大して示している場合
があり、各部材の寸法の比率が実際と同じであるとは限
らない。
について以下に説明する。なお、以下の説明で用いる図
面は、特徴を分かりやすく図示するために、図１及び図
２と同様に、特徴となる部分を拡大して示している場合
があり、各部材の寸法の比率が実際と同じであるとは限
らない。
【００５７】また、以下の説明では、ＭＲヘッド１を構
成する各部材並びにその材料、大きさ及び膜厚等につい
て具体的な例を挙げるが、本発明は以下の例に限定され
るものではない。例えば、以下の説明では、ハードディ
スク装置等で実用化されているものと同様な構造を有す
る、いわゆるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）バイアス
方式のＭＲ素子４を用いた例を挙げるが、バイアス方法
はこの例に限定されるものではない。
成する各部材並びにその材料、大きさ及び膜厚等につい
て具体的な例を挙げるが、本発明は以下の例に限定され
るものではない。例えば、以下の説明では、ハードディ
スク装置等で実用化されているものと同様な構造を有す
る、いわゆるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）バイアス
方式のＭＲ素子４を用いた例を挙げるが、バイアス方法
はこの例に限定されるものではない。
【００５８】本発明に係るＭＲヘッド１を作製する際
は、まず、第１の基板２となる例えば直径４インチの円
盤状の第１の基板材３０を用意し、この第１の基板材３
０の表面に対して鏡面研磨加工を施す。この第１の基板
材３０上には、後述するように、最終的にＭＲヘッド１
となるヘッド素子が多数形成される。
は、まず、第１の基板２となる例えば直径４インチの円
盤状の第１の基板材３０を用意し、この第１の基板材３
０の表面に対して鏡面研磨加工を施す。この第１の基板
材３０上には、後述するように、最終的にＭＲヘッド１
となるヘッド素子が多数形成される。
【００５９】この第１の基板材３０は、最終的にガード
材としての第１の基板２となるものであり、その材料に
は高硬度の軟磁性フェライト材料を用いる。具体的に
は、例えばＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライ
トが好適である。
材としての第１の基板２となるものであり、その材料に
は高硬度の軟磁性フェライト材料を用いる。具体的に
は、例えばＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライ
トが好適である。
【００６０】次に、図４及び図５に示すように、第１の
基板材３０上に、最終的に下層シールド薄膜３となる軟
磁性薄膜３１をスパッタリング等により成膜する。ここ
で、軟磁性薄膜３１としては、例えば、Ｎｉ−Ｆｅ系の
合金膜が好適である。
基板材３０上に、最終的に下層シールド薄膜３となる軟
磁性薄膜３１をスパッタリング等により成膜する。ここ
で、軟磁性薄膜３１としては、例えば、Ｎｉ−Ｆｅ系の
合金膜が好適である。
【００６１】次に、図６及び図７に示すように、フォト
リソグラフィ技術を用いて、軟磁性薄膜３１上に、最終
的に得られるＭＲヘッド１の下層シールド薄膜３に対応
した形状のレジスト膜３２を、第１の基板材３０上に形
成される多数のヘッド素子毎に形成する。具体的には、
図６中ｔ１で示す長さが、最終的に得られるＭＲヘッド
１のＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大きく、且つ、当たり幅
Ｗ４よりも小さい値、例えば６０μｍ程度とされたレジ
スト膜３２を、第１の基板材３０上に形成される多数の
ヘッド素子毎に形成する。
リソグラフィ技術を用いて、軟磁性薄膜３１上に、最終
的に得られるＭＲヘッド１の下層シールド薄膜３に対応
した形状のレジスト膜３２を、第１の基板材３０上に形
成される多数のヘッド素子毎に形成する。具体的には、
図６中ｔ１で示す長さが、最終的に得られるＭＲヘッド
１のＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大きく、且つ、当たり幅
Ｗ４よりも小さい値、例えば６０μｍ程度とされたレジ
スト膜３２を、第１の基板材３０上に形成される多数の
ヘッド素子毎に形成する。
【００６２】そして、このレジスト膜３２をマスクとし
てドライエッチングを行った後、マスクとして用いたレ
ジスト膜３２を除去する。これにより、図８及び図９に
示すように、軟磁性薄膜３１が最終的に得られるＭＲヘ
ッド１の下層シールド薄膜３の形状、すなわち、幅Ｗ１
が、最終的に得られるＭＲヘッド１のＭＲ素子５の幅Ｗ
３よりも大きく、且つ、当たり幅Ｗ４よりも小くされた
形状に成形されることになる。
てドライエッチングを行った後、マスクとして用いたレ
ジスト膜３２を除去する。これにより、図８及び図９に
示すように、軟磁性薄膜３１が最終的に得られるＭＲヘ
ッド１の下層シールド薄膜３の形状、すなわち、幅Ｗ１
が、最終的に得られるＭＲヘッド１のＭＲ素子５の幅Ｗ
３よりも大きく、且つ、当たり幅Ｗ４よりも小くされた
形状に成形されることになる。
【００６３】次に、下層シールド薄膜３となる軟磁性薄
膜３１に対して、アニール処理を行う。このアニール処
理は、軟磁性薄膜３１に磁場をかけながら熱処理を行う
ものであり、軟磁性薄膜３１の磁気特性の向上を図るた
めのものである。
膜３１に対して、アニール処理を行う。このアニール処
理は、軟磁性薄膜３１に磁場をかけながら熱処理を行う
ものであり、軟磁性薄膜３１の磁気特性の向上を図るた
めのものである。
【００６４】次に、下層シールド薄膜３となる軟磁性薄
膜３１が形成された第１の基板材３０上に、非磁性非導
電性膜３３をスパッタリング等により成膜し、表面を平
坦化する。これにより、図１０及び図１１に示すよう
に、隣接する軟磁性薄膜３１間の隙間が非磁性非導電性
膜３３で埋められることになる。
膜３１が形成された第１の基板材３０上に、非磁性非導
電性膜３３をスパッタリング等により成膜し、表面を平
坦化する。これにより、図１０及び図１１に示すよう
に、隣接する軟磁性薄膜３１間の隙間が非磁性非導電性
膜３３で埋められることになる。
【００６５】次に、図１２及び図１３に示すように、非
磁性非導電性膜３３が成膜され、表面が平坦化された第
１の基板材３０上に、更に、最終的に下層ギャップ膜４
となる非磁性非導電性膜３４をスパッタリング等により
成膜する。ここで、非磁性非導電性膜３４の材料として
は、絶縁特性や耐摩耗性等の観点から、Ａｌ2Ｏ3が好適
である。なお、この非磁性非導電性膜４１の膜厚は、記
録信号の周波数等に応じて適切な値に設定すればよい。
本例においては、この非磁性非導電性膜４１の膜厚を１
９０ｎｍに設定している。
磁性非導電性膜３３が成膜され、表面が平坦化された第
１の基板材３０上に、更に、最終的に下層ギャップ膜４
となる非磁性非導電性膜３４をスパッタリング等により
成膜する。ここで、非磁性非導電性膜３４の材料として
は、絶縁特性や耐摩耗性等の観点から、Ａｌ2Ｏ3が好適
である。なお、この非磁性非導電性膜４１の膜厚は、記
録信号の周波数等に応じて適切な値に設定すればよい。
本例においては、この非磁性非導電性膜４１の膜厚を１
９０ｎｍに設定している。
【００６６】次に、図１４及び図１５に示すように、非
磁性非導電性膜３４上に、ＳＡＬバイアス方式のＭＲ素
子５を構成する薄膜（以下、ＭＲ素子用薄膜３５とい
う。）をスパッタリング等により成膜する。具体的に
は、ＭＲ素子用薄膜３５は、例えば、膜厚約５ｎｍのＴ
ａ層、膜厚約４３ｎｍのＮｉＦｅＮｂ層、膜厚約５ｎｍ
のＴａ層、膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ層及び膜厚約１ｎ
ｍのＴａ層が以上の順序でスパッタリングにより順次成
膜されることにより形成される。
磁性非導電性膜３４上に、ＳＡＬバイアス方式のＭＲ素
子５を構成する薄膜（以下、ＭＲ素子用薄膜３５とい
う。）をスパッタリング等により成膜する。具体的に
は、ＭＲ素子用薄膜３５は、例えば、膜厚約５ｎｍのＴ
ａ層、膜厚約４３ｎｍのＮｉＦｅＮｂ層、膜厚約５ｎｍ
のＴａ層、膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ層及び膜厚約１ｎ
ｍのＴａ層が以上の順序でスパッタリングにより順次成
膜されることにより形成される。
【００６７】以上のＭＲ素子用薄膜３５においては、Ｎ
ｉＦｅ層が磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であり、ＭＲ
素子５の感磁部となる。また、以上のＭＲ素子用薄膜３
５においては、ＮｉＦｅＮｂ層がＮｉＦｅ層に対してバ
イアス磁界を印加するためのいわゆるＳＡＬ膜となる。
ｉＦｅ層が磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であり、ＭＲ
素子５の感磁部となる。また、以上のＭＲ素子用薄膜３
５においては、ＮｉＦｅＮｂ層がＮｉＦｅ層に対してバ
イアス磁界を印加するためのいわゆるＳＡＬ膜となる。
【００６８】なお、ＭＲ素子用薄膜３５を構成する各層
の材料及びその膜厚は、以上の例に限定されるものでは
なく、ＭＲヘッド１の使用目的等に応じて適切な材料を
選択し、適切な膜厚に設定するようにすればよい。
の材料及びその膜厚は、以上の例に限定されるものでは
なく、ＭＲヘッド１の使用目的等に応じて適切な材料を
選択し、適切な膜厚に設定するようにすればよい。
【００６９】次に、図１６及び図１７示すように、フォ
トリソグラフィ技術を用いて、各ヘッド素子毎に２つの
矩形状の永久磁石膜３６ａ，３６ｂをＭＲ素子用薄膜３
５に埋め込む。この永久磁石膜３６ａ，３６ｂは、最終
的に上述したＭＲヘッド１の安定化膜１２，１３となる
ものであり、例えば、長辺方向の長さｔ２が約５０μ
ｍ、短辺方向の長さｔ３が約１０μｍとなり、２つの永
久磁石膜３６ａ，３６ｂ間の間隔ｔ４が約５μｍとなる
ように形成される。これら２つの永久磁石膜３６ａ，３
６ｂ間の間隔ｔ４が、最終的にＭＲ素子５のトラック幅
となる。すなわち、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素子
５のトラック幅が約５μｍとなる。
トリソグラフィ技術を用いて、各ヘッド素子毎に２つの
矩形状の永久磁石膜３６ａ，３６ｂをＭＲ素子用薄膜３
５に埋め込む。この永久磁石膜３６ａ，３６ｂは、最終
的に上述したＭＲヘッド１の安定化膜１２，１３となる
ものであり、例えば、長辺方向の長さｔ２が約５０μ
ｍ、短辺方向の長さｔ３が約１０μｍとなり、２つの永
久磁石膜３６ａ，３６ｂ間の間隔ｔ４が約５μｍとなる
ように形成される。これら２つの永久磁石膜３６ａ，３
６ｂ間の間隔ｔ４が、最終的にＭＲ素子５のトラック幅
となる。すなわち、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素子
５のトラック幅が約５μｍとなる。
【００７０】なお、ＭＲ素子５のトラック幅は、以上の
例に限定されるものではなく、ＭＲヘッド１の使用目的
等に応じて適切な値に設定すればよい。
例に限定されるものではなく、ＭＲヘッド１の使用目的
等に応じて適切な値に設定すればよい。
【００７１】次に、図１８及び図１９に示すように、Ｍ
Ｒ素子５及びＭＲ素子５に電気的に接続される部分の抵
抗値を減少させるために、永久磁石膜３６ａ，３６ｂ上
に、抵抗値の低い低抵抗化膜３７ａ，３７ｂを成膜す
る。この低抵抗化膜３７ａ，３７ｂは、最終的にＭＲヘ
ッド１の低抵抗化膜１４，１５となるものである。
Ｒ素子５及びＭＲ素子５に電気的に接続される部分の抵
抗値を減少させるために、永久磁石膜３６ａ，３６ｂ上
に、抵抗値の低い低抵抗化膜３７ａ，３７ｂを成膜す
る。この低抵抗化膜３７ａ，３７ｂは、最終的にＭＲヘ
ッド１の低抵抗化膜１４，１５となるものである。
【００７２】このような永久磁石膜３６ａ，３６ｂと低
抵抗化膜３７ａ，３７ｂをＭＲ素子用薄膜３５に埋め込
む際は、例えば、まず、フォトレジストにより、各ヘッ
ド素子毎に２つの長方形の開口部を有するマスクを形成
する。次に、エッチングを施して、開口部に露呈してい
たＭＲ素子用薄膜３５を除去する。なお、ここでのエッ
チングはドライ方式でもウェット方式でも構わないが、
加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好
適である。
抵抗化膜３７ａ，３７ｂをＭＲ素子用薄膜３５に埋め込
む際は、例えば、まず、フォトレジストにより、各ヘッ
ド素子毎に２つの長方形の開口部を有するマスクを形成
する。次に、エッチングを施して、開口部に露呈してい
たＭＲ素子用薄膜３５を除去する。なお、ここでのエッ
チングはドライ方式でもウェット方式でも構わないが、
加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好
適である。
【００７３】次に、マスクが形成されたＭＲ素子用薄膜
３５上に、スパッタリング等により永久磁石膜３６ａ，
３６ｂを成膜する。なお、永久磁石膜３６ａ，３６ｂの
材料としては、保磁力が１０００［Ｏｅ］以上ある材料
が好ましく、例えば、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が
好適である。
３５上に、スパッタリング等により永久磁石膜３６ａ，
３６ｂを成膜する。なお、永久磁石膜３６ａ，３６ｂの
材料としては、保磁力が１０００［Ｏｅ］以上ある材料
が好ましく、例えば、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が
好適である。
【００７４】次に、低抵抗化膜３７ａ，３７ｂをスパッ
タリング等により成膜する。なお、低抵抗化膜３７ａ，
３７ｂの材料としては、例えばＣｒ，Ｔａ等が好適であ
る。
タリング等により成膜する。なお、低抵抗化膜３７ａ，
３７ｂの材料としては、例えばＣｒ，Ｔａ等が好適であ
る。
【００７５】また、永久磁石膜３６ａ，３６ｂの膜厚及
び低抵抗化膜３７ａ，３７ｂの膜厚は、ＭＲヘッド１が
用いられる環境において必要とされる抵抗値やＭＲ素子
５のトラック幅等により決定される。本例においては、
永久磁石膜３６ａ，３６ｂの膜厚をＭＲ素子用薄膜３５
と同程度とし、低抵抗化膜３７ａ，３７ｂの膜厚を約６
０ｎｍとした。
び低抵抗化膜３７ａ，３７ｂの膜厚は、ＭＲヘッド１が
用いられる環境において必要とされる抵抗値やＭＲ素子
５のトラック幅等により決定される。本例においては、
永久磁石膜３６ａ，３６ｂの膜厚をＭＲ素子用薄膜３５
と同程度とし、低抵抗化膜３７ａ，３７ｂの膜厚を約６
０ｎｍとした。
【００７６】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された永久磁石膜及び
低抵抗化膜とともに除去する。これにより、図１９に示
したように、所定のパターンの永久磁石膜３６ａ，３６
ｂ及び低抵抗化膜３７ａ，３７ｂが、ＭＲ素子用薄膜３
５に埋め込まれた状態とされる。なお、図１７乃至図１
９は、一つのＭＲ素子５に対応する部分、すなわち図１
６のＥ部に相当する部分を拡大して示している。また、
後掲する図２２乃至図３１も同様に一つのＭＲ素子５に
対応する部分、すなわち図１６中のＥ部に相当する部分
を拡大して示している。
を、このフォトレジスト上に成膜された永久磁石膜及び
低抵抗化膜とともに除去する。これにより、図１９に示
したように、所定のパターンの永久磁石膜３６ａ，３６
ｂ及び低抵抗化膜３７ａ，３７ｂが、ＭＲ素子用薄膜３
５に埋め込まれた状態とされる。なお、図１７乃至図１
９は、一つのＭＲ素子５に対応する部分、すなわち図１
６のＥ部に相当する部分を拡大して示している。また、
後掲する図２２乃至図３１も同様に一つのＭＲ素子５に
対応する部分、すなわち図１６中のＥ部に相当する部分
を拡大して示している。
【００７７】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２０及び図２１に示すように、最終的にＭＲ素子５と
なる部分３５ａ及びこのＭＲ素子５にセンス電流を供給
するための導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃ
を残して、ＭＲ素子用薄膜３５をエッチング除去する。
図２０及び図２１に示すように、最終的にＭＲ素子５と
なる部分３５ａ及びこのＭＲ素子５にセンス電流を供給
するための導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃ
を残して、ＭＲ素子用薄膜３５をエッチング除去する。
【００７８】具体的には、例えば、まずフォトレジスト
により、各ヘッド素子毎に、最終的にＭＲ素子５となる
部分３５ａ及びこのＭＲ素子５にセンス電流を供給する
ための導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃとに
開口部を有するマスクを形成する。
により、各ヘッド素子毎に、最終的にＭＲ素子５となる
部分３５ａ及びこのＭＲ素子５にセンス電流を供給する
ための導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃとに
開口部を有するマスクを形成する。
【００７９】次に、エッチングを施して、開口部に露呈
していたＭＲ素子用薄膜３５を除去する。なお、ここで
のエッチングは、ドライ方式でもウェット方式でも構わ
ないが、加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチ
ングが好適である。
していたＭＲ素子用薄膜３５を除去する。なお、ここで
のエッチングは、ドライ方式でもウェット方式でも構わ
ないが、加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチ
ングが好適である。
【００８０】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を除去することにより、図２２及び図２３に示すよう
に、ＭＲ素子用薄膜３５のうち、最終的にＭＲ素子５と
なる部分３５ａ及び導体部１６，１７となる部分３５
ｂ，３５ｃとが残された状態となる。
を除去することにより、図２２及び図２３に示すよう
に、ＭＲ素子用薄膜３５のうち、最終的にＭＲ素子５と
なる部分３５ａ及び導体部１６，１７となる部分３５
ｂ，３５ｃとが残された状態となる。
【００８１】なお、最終的にＭＲ素子５となる部分３５
ａの高さ、すなわちＭＲ素子５の高さｔ５や導体部１
６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃの長さｔ６及び幅ｔ
７、さらに一対の導体部１６，１７となる部分３５ｂ，
３５ｃ間の間隔ｔ８は、ＭＲヘッド１が用いられる環境
に応じて最適な値に設定するようにすればよい。本例に
おいては、ＭＲ素子５の高さｔ５を約４μｍとした。Ｍ
Ｒ素子５の高さｔ５は、テープ摺動面１１の端部から他
端までの長さ、すなわちＭＲ素子５のデプス長に相当す
る。したがって、本例のＭＲヘッド１においては、ＭＲ
素子５のデプス長は、約５μｍとなる。
ａの高さ、すなわちＭＲ素子５の高さｔ５や導体部１
６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃの長さｔ６及び幅ｔ
７、さらに一対の導体部１６，１７となる部分３５ｂ，
３５ｃ間の間隔ｔ８は、ＭＲヘッド１が用いられる環境
に応じて最適な値に設定するようにすればよい。本例に
おいては、ＭＲ素子５の高さｔ５を約４μｍとした。Ｍ
Ｒ素子５の高さｔ５は、テープ摺動面１１の端部から他
端までの長さ、すなわちＭＲ素子５のデプス長に相当す
る。したがって、本例のＭＲヘッド１においては、ＭＲ
素子５のデプス長は、約５μｍとなる。
【００８２】また、本例においては、導体部１６，１７
となる部分３５ｂ，３５ｃのそれぞれの長さｔ６を約２
ｍｍとし、それぞれの幅ｔ７を約８０μｍとし、それら
の間隔ｔ８を約４０μｍとした。ここで、導体部１６，
１７となる部分３５ｂ，３５ｃの間隔ｔ８は、ＭＲ素子
５の幅Ｗ３と等しくされている。したがって、本例のＭ
Ｒヘッド１においては、ＭＲ素子５の幅Ｗ３は、約４０
μｍとされる。
となる部分３５ｂ，３５ｃのそれぞれの長さｔ６を約２
ｍｍとし、それぞれの幅ｔ７を約８０μｍとし、それら
の間隔ｔ８を約４０μｍとした。ここで、導体部１６，
１７となる部分３５ｂ，３５ｃの間隔ｔ８は、ＭＲ素子
５の幅Ｗ３と等しくされている。したがって、本例のＭ
Ｒヘッド１においては、ＭＲ素子５の幅Ｗ３は、約４０
μｍとされる。
【００８３】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２２及び図２３に示すように、ＭＲ素子用薄膜３５の
導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃを、ＭＲ素
子用薄膜３５よりも電気抵抗の小さい導電膜に置き換え
て、導体部１６，１７を形成する。
図２２及び図２３に示すように、ＭＲ素子用薄膜３５の
導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃを、ＭＲ素
子用薄膜３５よりも電気抵抗の小さい導電膜に置き換え
て、導体部１６，１７を形成する。
【００８４】具体的には、まず、フォトレジストによ
り、ＭＲ素子用薄膜３５の導体部１６，１７となる部分
３５ｂ，３５ｃに開口部を有するマスクを形成する。次
に、エッチングを施して、開口部に露呈している部分、
すなわち導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃに
残されていたＭＲ素子用薄膜３５を除去する。次に、フ
ォトレジストのマスクをそのまま残した状態でその上に
導電膜を成膜する。ここで、導電膜は、例えば、膜厚１
５ｎｍのＴｉ膜、膜厚４μｍのＣｕ膜、膜厚１５ｎｍの
Ｔｉ膜が以上の順序でスパッタリングにより順次成膜さ
れることにより形成される。その後、マスクとなってい
たフォトレジストを、このフォトレジスト上に成膜され
た導電膜とともに除去する。これにより、図２２及び図
２３に示したように、一対の導体部１６，１７が形成さ
れる。
り、ＭＲ素子用薄膜３５の導体部１６，１７となる部分
３５ｂ，３５ｃに開口部を有するマスクを形成する。次
に、エッチングを施して、開口部に露呈している部分、
すなわち導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃに
残されていたＭＲ素子用薄膜３５を除去する。次に、フ
ォトレジストのマスクをそのまま残した状態でその上に
導電膜を成膜する。ここで、導電膜は、例えば、膜厚１
５ｎｍのＴｉ膜、膜厚４μｍのＣｕ膜、膜厚１５ｎｍの
Ｔｉ膜が以上の順序でスパッタリングにより順次成膜さ
れることにより形成される。その後、マスクとなってい
たフォトレジストを、このフォトレジスト上に成膜され
た導電膜とともに除去する。これにより、図２２及び図
２３に示したように、一対の導体部１６，１７が形成さ
れる。
【００８５】次に、図２４及び図２５に示すように、最
終的にＭＲヘッド１の上層ギャップ膜６となる非磁性非
導電性膜３８をスパッタリング等により成膜する。ここ
で、非磁性非導電成膜３８の材料には、絶縁特性や耐磨
耗性等の観点から、Ａｌ2Ｏ3が好適である。また、この
非磁性非導電成膜３８の膜厚は、記録信号の周波数等に
応じて適切な値に設定すればよく、本例においては１８
０ｎｍ程度とした。
終的にＭＲヘッド１の上層ギャップ膜６となる非磁性非
導電性膜３８をスパッタリング等により成膜する。ここ
で、非磁性非導電成膜３８の材料には、絶縁特性や耐磨
耗性等の観点から、Ａｌ2Ｏ3が好適である。また、この
非磁性非導電成膜３８の膜厚は、記録信号の周波数等に
応じて適切な値に設定すればよく、本例においては１８
０ｎｍ程度とした。
【００８６】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２６及び図２７に示すように、非磁性非導電性膜３８
上に、最終的にＭＲヘッド１の上層シールド薄膜７とな
る軟磁性薄膜３９を形成する。
図２６及び図２７に示すように、非磁性非導電性膜３８
上に、最終的にＭＲヘッド１の上層シールド薄膜７とな
る軟磁性薄膜３９を形成する。
【００８７】具体的には、まず、フォトレストにより、
下層シールド薄膜３となる軟磁性薄膜３１が形成された
部分の直上に短冊状の開口部を有するマスクを形成す
る。次に、上層シールド薄膜７となる軟磁性薄膜３９を
スパッタリング等により成膜する。なお、軟磁性薄膜３
９の材料としては、例えばＣｏＺｒＮｂＴａ等のアモル
ファス積層膜が好適である。また、軟磁性薄膜３９の膜
厚は、磁気シールド効果を発揮するのに十分な膜厚とさ
れていればよく、本例においては約２．３μｍとした。
下層シールド薄膜３となる軟磁性薄膜３１が形成された
部分の直上に短冊状の開口部を有するマスクを形成す
る。次に、上層シールド薄膜７となる軟磁性薄膜３９を
スパッタリング等により成膜する。なお、軟磁性薄膜３
９の材料としては、例えばＣｏＺｒＮｂＴａ等のアモル
ファス積層膜が好適である。また、軟磁性薄膜３９の膜
厚は、磁気シールド効果を発揮するのに十分な膜厚とさ
れていればよく、本例においては約２．３μｍとした。
【００８８】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された軟磁性薄膜とと
もに除去する。これにより、図２６及び図２７に示すよ
うに、最終的に得られる多数のＭＲヘッド１の上層シー
ルド薄膜７の形状、すなわち、幅Ｗ２が、最終的に得ら
れるＭＲヘッド１のＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大きく、
且つ、当たり幅Ｗ４よりも小くされた形状の軟磁性薄膜
３９が形成される。
を、このフォトレジスト上に成膜された軟磁性薄膜とと
もに除去する。これにより、図２６及び図２７に示すよ
うに、最終的に得られる多数のＭＲヘッド１の上層シー
ルド薄膜７の形状、すなわち、幅Ｗ２が、最終的に得ら
れるＭＲヘッド１のＭＲ素子５の幅Ｗ３よりも大きく、
且つ、当たり幅Ｗ４よりも小くされた形状の軟磁性薄膜
３９が形成される。
【００８９】なお、上層シールド薄膜７となる軟磁性薄
膜３９の材料には、ＭＲ素子５等を構成する膜に影響を
与えないものであれば、上記アモルファス積層膜以外の
材料も使用可能である。また、その形成方法も、上述の
ようなスパッタリング法以外によるものであってもよ
く、例えば蒸着等によって形成するようにしてもよい。
膜３９の材料には、ＭＲ素子５等を構成する膜に影響を
与えないものであれば、上記アモルファス積層膜以外の
材料も使用可能である。また、その形成方法も、上述の
ようなスパッタリング法以外によるものであってもよ
く、例えば蒸着等によって形成するようにしてもよい。
【００９０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２８及び図２９に示すように、導体部１６，１７の端
部上に外部接続端子１８，１９を形成する。
図２８及び図２９に示すように、導体部１６，１７の端
部上に外部接続端子１８，１９を形成する。
【００９１】具体的には、例えば、まずフォトレジスト
により、外部接続端子１８，１９が形成される導体部１
６，１７の端部上に開口部を有するマスクを形成する。
次に、エッチングを施して、開口部に露呈している部
分、すなわち外部接続端子１８，１９が形成される部分
の非磁性非導電性膜３８を除去し、上記導体部１６，１
７の端部を露出させる。次に、フォトレジストのマスク
をそのまま残した状態で、その上に導電膜を成膜する。
ここで導電膜は、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解めっ
きにより、Ｃｕを６μｍ程度の膜厚となるように形成す
る。この導電膜の形成方法は、他の膜に影響を与えない
ものであれば、電解めっき以外の方法であってもよい。
その後、マスクとなっていたフォトレジストを、このフ
ォトレジスト上に成膜された導電膜とともに除去する。
これにより、図３０及び図３１に示すように、導体部１
６，１７の端部上に外部接続端子１８，１９が形成され
る。
により、外部接続端子１８，１９が形成される導体部１
６，１７の端部上に開口部を有するマスクを形成する。
次に、エッチングを施して、開口部に露呈している部
分、すなわち外部接続端子１８，１９が形成される部分
の非磁性非導電性膜３８を除去し、上記導体部１６，１
７の端部を露出させる。次に、フォトレジストのマスク
をそのまま残した状態で、その上に導電膜を成膜する。
ここで導電膜は、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解めっ
きにより、Ｃｕを６μｍ程度の膜厚となるように形成す
る。この導電膜の形成方法は、他の膜に影響を与えない
ものであれば、電解めっき以外の方法であってもよい。
その後、マスクとなっていたフォトレジストを、このフ
ォトレジスト上に成膜された導電膜とともに除去する。
これにより、図３０及び図３１に示すように、導体部１
６，１７の端部上に外部接続端子１８，１９が形成され
る。
【００９２】なお、この外部接続端子１８，１９の長さ
ｔ９は、例えば約５０μｍとされる。また、この外部接
続端子１８，１９の幅ｔ１０は、導体部１６，１７の幅
ｔ７と同じであり、例えば約８０μｍとされる。
ｔ９は、例えば約５０μｍとされる。また、この外部接
続端子１８，１９の幅ｔ１０は、導体部１６，１７の幅
ｔ７と同じであり、例えば約８０μｍとされる。
【００９３】次に、図３０及び図３１に示すように、Ｍ
Ｒヘッド１全体を外部と遮断するとともに表面の平坦化
を図るために、Ａl２Ｏ3等よりなる平坦化膜４０を全面
に成膜し、一対の外部接続端子１８，１９が表面に露出
するまで、この平坦化膜４０を研磨する。ここでの研磨
は、例えば、粒径が約２μｍのダイヤモンド砥粒によ
り、外部接続端子１８，１９の表面が露出するまで粗研
磨した後、シリコン砥粒によるバフ研磨を施して、表面
を鏡面状態に仕上げるようにする。なお、この平坦化膜
４０の材料は、非磁性非導電性の材料であればＡl２Ｏ3
以外も使用可能であるが、耐環境性や耐摩耗性等を考慮
するとＡｌ2Ｏ3が好適である。また、この平坦化膜４０
の形成方法は、スパッタリング以外の方法によるもので
あってもよく、例えば、蒸着等によって形成するように
してもよい。
Ｒヘッド１全体を外部と遮断するとともに表面の平坦化
を図るために、Ａl２Ｏ3等よりなる平坦化膜４０を全面
に成膜し、一対の外部接続端子１８，１９が表面に露出
するまで、この平坦化膜４０を研磨する。ここでの研磨
は、例えば、粒径が約２μｍのダイヤモンド砥粒によ
り、外部接続端子１８，１９の表面が露出するまで粗研
磨した後、シリコン砥粒によるバフ研磨を施して、表面
を鏡面状態に仕上げるようにする。なお、この平坦化膜
４０の材料は、非磁性非導電性の材料であればＡl２Ｏ3
以外も使用可能であるが、耐環境性や耐摩耗性等を考慮
するとＡｌ2Ｏ3が好適である。また、この平坦化膜４０
の形成方法は、スパッタリング以外の方法によるもので
あってもよく、例えば、蒸着等によって形成するように
してもよい。
【００９４】以上の工程を経ることにより、第１の基板
材３０上に、最終的にＭＲヘッド１となる多数のヘッド
素子が形成された状態となる。
材３０上に、最終的にＭＲヘッド１となる多数のヘッド
素子が形成された状態となる。
【００９５】次に、多数のヘッド素子が形成された第１
の基板材３０を、横方向にヘッド素子が並ぶ短冊状に切
り分け、図３２に示すような磁気ヘッドブロック５０を
形成する。ここで、横方向に並ぶヘッド素子の数は生産
性を考慮するとできる限り多い方がよい。図３２におい
ては、ヘッド素子が横方向に５個並ぶ磁気ヘッドブロッ
ク５０を図示しているが、実際は、磁気ヘッドブロック
５０は、これ以上のヘッド素子が並ぶようにしても構わ
ない。また、本例においては、磁気ヘッドブロック５０
の高さｔ１１は約２ｍｍとしている。
の基板材３０を、横方向にヘッド素子が並ぶ短冊状に切
り分け、図３２に示すような磁気ヘッドブロック５０を
形成する。ここで、横方向に並ぶヘッド素子の数は生産
性を考慮するとできる限り多い方がよい。図３２におい
ては、ヘッド素子が横方向に５個並ぶ磁気ヘッドブロッ
ク５０を図示しているが、実際は、磁気ヘッドブロック
５０は、これ以上のヘッド素子が並ぶようにしても構わ
ない。また、本例においては、磁気ヘッドブロック５０
の高さｔ１１は約２ｍｍとしている。
【００９６】次に、図３３に示すように、磁気ヘッドブ
ロック５０上に、最終的にＭＲヘッド１の第２の基板８
となる、例えば、厚さｔ１２が約０．７ｍｍの第２の基
板材６０を貼り付け、これらを接合一体化する。この第
２の基板材６０の貼り付けには、例えば樹脂等の接着材
が用いられる。このとき、第２の基板材６０の高さｔ１
３を磁気ヘッドブロック５０の高さｔ１１よりも低くし
て、外部接続端子１６，１７を外部に露出させ、これら
の外部接続端子１６，１７に外部から接続することがで
きるようにする。この第２の基板材６０には硬質の非磁
性材料が使用される。この非磁性材料の具体的な例とし
ては、アルミナ−チタン−カーバイト（アルチック）等
が挙げられる。
ロック５０上に、最終的にＭＲヘッド１の第２の基板８
となる、例えば、厚さｔ１２が約０．７ｍｍの第２の基
板材６０を貼り付け、これらを接合一体化する。この第
２の基板材６０の貼り付けには、例えば樹脂等の接着材
が用いられる。このとき、第２の基板材６０の高さｔ１
３を磁気ヘッドブロック５０の高さｔ１１よりも低くし
て、外部接続端子１６，１７を外部に露出させ、これら
の外部接続端子１６，１７に外部から接続することがで
きるようにする。この第２の基板材６０には硬質の非磁
性材料が使用される。この非磁性材料の具体的な例とし
ては、アルミナ−チタン−カーバイト（アルチック）等
が挙げられる。
【００９７】次に、最終的にＭＲヘッド１のテープ摺動
面１１となる面に対して円筒研磨加工を施し、この面を
円弧状に成形する。具体的には、ＭＲ素子５の前端がテ
ープ摺動面１１に露呈するとともに、このＭＲ素子５の
デプス長が所定の長さとなるまで円筒研磨を施す。これ
により、図３４に示すように、最終的にＭＲヘッド１の
テープ摺動面１１となる面が円弧状の曲面とされる。な
お、この円筒研磨によって形成されるテープ摺動面１１
となる面の曲面形状はテープテンション等に応じて最適
な形状とすればよく、特に限定されるものではない。
面１１となる面に対して円筒研磨加工を施し、この面を
円弧状に成形する。具体的には、ＭＲ素子５の前端がテ
ープ摺動面１１に露呈するとともに、このＭＲ素子５の
デプス長が所定の長さとなるまで円筒研磨を施す。これ
により、図３４に示すように、最終的にＭＲヘッド１の
テープ摺動面１１となる面が円弧状の曲面とされる。な
お、この円筒研磨によって形成されるテープ摺動面１１
となる面の曲面形状はテープテンション等に応じて最適
な形状とすればよく、特に限定されるものではない。
【００９８】次に、図３５に示すように、円筒研磨加工
により円弧状の曲面とされた面に砥石による研削加工を
施し、ＭＲヘッド１の当たり幅を規制するための溝９，
１０となる複数条の溝７０を形成する。これらの溝７０
は、隣接するヘッド素子間に位置して、磁気ヘッドブロ
ック５０と第２の基板材６０との接合面と直交する方向
に対して所定のアジマス角θをもって傾斜する方向に形
成される。これら複数条の溝７０が形成された面におい
て、隣接する溝７０間の領域が、最終的にＭＲヘッド１
のテープ摺動面１１となる。そして、この領域の幅が、
磁気テープに対する当たり幅とされる。したがって、こ
の溝７０の溝幅を最適な値に設定することにより、最終
的に得られるＭＲヘッド１の当たり幅を所望の値とする
ことができる。
により円弧状の曲面とされた面に砥石による研削加工を
施し、ＭＲヘッド１の当たり幅を規制するための溝９，
１０となる複数条の溝７０を形成する。これらの溝７０
は、隣接するヘッド素子間に位置して、磁気ヘッドブロ
ック５０と第２の基板材６０との接合面と直交する方向
に対して所定のアジマス角θをもって傾斜する方向に形
成される。これら複数条の溝７０が形成された面におい
て、隣接する溝７０間の領域が、最終的にＭＲヘッド１
のテープ摺動面１１となる。そして、この領域の幅が、
磁気テープに対する当たり幅とされる。したがって、こ
の溝７０の溝幅を最適な値に設定することにより、最終
的に得られるＭＲヘッド１の当たり幅を所望の値とする
ことができる。
【００９９】最後に、図３６に示すように、第２の基板
材６０が接合された磁気ヘッドブロック５０を、溝７０
の中心線（図３６中の一点鎖線）に沿って分断されるよ
うに切断し、切断された各ＭＲヘッド１を成形する。具
体的には、例えば、ＭＲヘッド１の磁気テープ走行方向
の長さが約０．８ｍｍ、幅が約３００μｍ、高さが約２
ｍｍとなるように、第２の基板材６０が接合された磁気
ヘッドブロック５０を、各ＭＲヘッド１毎に切断して成
形する。これにより、先に図１にて示したＭＲヘッド１
が多数得られる。
材６０が接合された磁気ヘッドブロック５０を、溝７０
の中心線（図３６中の一点鎖線）に沿って分断されるよ
うに切断し、切断された各ＭＲヘッド１を成形する。具
体的には、例えば、ＭＲヘッド１の磁気テープ走行方向
の長さが約０．８ｍｍ、幅が約３００μｍ、高さが約２
ｍｍとなるように、第２の基板材６０が接合された磁気
ヘッドブロック５０を、各ＭＲヘッド１毎に切断して成
形する。これにより、先に図１にて示したＭＲヘッド１
が多数得られる。
【０１００】以上のように製造されたＭＲヘッド１は、
ヘッドベースに搭載され、外部接続端子１８，１９がヘ
ッドベースに設けられた端子部に電気的に接続される。
そして、ＭＲヘッド１は、ヘッドベースに搭載された状
態で回転ドラム２２に取り付けられ、回転型磁気ヘッド
装置２０の再生用の磁気ヘッドとして用いられることに
なる。
ヘッドベースに搭載され、外部接続端子１８，１９がヘ
ッドベースに設けられた端子部に電気的に接続される。
そして、ＭＲヘッド１は、ヘッドベースに搭載された状
態で回転ドラム２２に取り付けられ、回転型磁気ヘッド
装置２０の再生用の磁気ヘッドとして用いられることに
なる。
【０１０１】
【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、一対の磁気シールド薄膜の幅が、磁気抵抗
効果素子の幅よりも大きいので、この磁気シールド薄膜
に十分な磁気シールド効果を発揮させることができる。
また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、一対
の磁気シールド薄膜の幅が、当たり幅よりも小さくさ
れ、磁気シールド薄膜とガード材との接触面積が制限さ
れているので、これらの界面にひびが生じてしまう不都
合が有効に抑制され、磁気シールド薄膜の膜剥がれやガ
ード材の欠け等の欠損が防止される。
においては、一対の磁気シールド薄膜の幅が、磁気抵抗
効果素子の幅よりも大きいので、この磁気シールド薄膜
に十分な磁気シールド効果を発揮させることができる。
また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、一対
の磁気シールド薄膜の幅が、当たり幅よりも小さくさ
れ、磁気シールド薄膜とガード材との接触面積が制限さ
れているので、これらの界面にひびが生じてしまう不都
合が有効に抑制され、磁気シールド薄膜の膜剥がれやガ
ード材の欠け等の欠損が防止される。
【０１０２】また、本発明に係る回転型磁気ヘッド装置
は、磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材の欠け等の
欠損が有効に抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘッドを再
生用磁気ヘッドとして用いているので、再生用磁気ヘッ
ドが磁気記録媒体上を摺動する際に磁気記録媒体を傷つ
けてしまうことがなく、磁気記録媒体に書き込まれてい
た信号を適切に読み出すことができる。
は、磁気シールド薄膜の膜剥がれやガード材の欠け等の
欠損が有効に抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘッドを再
生用磁気ヘッドとして用いているので、再生用磁気ヘッ
ドが磁気記録媒体上を摺動する際に磁気記録媒体を傷つ
けてしまうことがなく、磁気記録媒体に書き込まれてい
た信号を適切に読み出すことができる。
【図１】本発明に係るＭＲヘッドを示す斜視図である。
【図２】図１におけるＡ部をテープ摺動面側からみた様
子を示す模式図である。
子を示す模式図である。
【図３】上記ＭＲヘッドを再生用磁気ヘッドとして用い
た回転型磁気ヘッド装置を示す斜視図である。
た回転型磁気ヘッド装置を示す斜視図である。
【図４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第１の基板材上に下層シールド薄膜となる軟磁性薄
膜を成膜した状態を示す平面図である。
り、第１の基板材上に下層シールド薄膜となる軟磁性薄
膜を成膜した状態を示す平面図である。
【図５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図４におけるＸ１−Ｘ２線断面図である。
り、図４におけるＸ１−Ｘ２線断面図である。
【図６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層シールド薄膜となる軟磁性薄膜上にレジスト層
を成膜した状態を示す平面図である。
り、下層シールド薄膜となる軟磁性薄膜上にレジスト層
を成膜した状態を示す平面図である。
【図７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図６におけるＸ３−Ｘ４線断面図である。
り、図６におけるＸ３−Ｘ４線断面図である。
【図８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層シールド薄膜となる軟磁性薄膜を成形した状態
を示す平面図である。
り、下層シールド薄膜となる軟磁性薄膜を成形した状態
を示す平面図である。
【図９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図８におけるＸ５−Ｘ６線断面図である。
り、図８におけるＸ５−Ｘ６線断面図である。
【図１０】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、隣接する軟磁性薄膜間の隙間を埋めるように非磁性
非導電性膜を成膜した状態を示す平面図である。
り、隣接する軟磁性薄膜間の隙間を埋めるように非磁性
非導電性膜を成膜した状態を示す平面図である。
【図１１】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１０におけるＸ７−Ｘ８線断面図である。
り、図１０におけるＸ７−Ｘ８線断面図である。
【図１２】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層ギャップ膜となる非磁性非導電性膜が成膜され
た状態を示す平面図である。
り、下層ギャップ膜となる非磁性非導電性膜が成膜され
た状態を示す平面図である。
【図１３】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１２におけるＸ９−Ｘ１０線断面図である。
り、図１２におけるＸ９−Ｘ１０線断面図である。
【図１４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層ギャップ膜となる非磁性非導電性膜上にＭＲ素
子用薄膜を成膜した状態を示す平面図である。
り、下層ギャップ膜となる非磁性非導電性膜上にＭＲ素
子用薄膜を成膜した状態を示す平面図である。
【図１５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１４におけるＸ１１−Ｘ１２線断面図である。
り、図１４におけるＸ１１−Ｘ１２線断面図である。
【図１６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石膜を形成した状態を示す平面図であ
る。
り、一対の永久磁石膜を形成した状態を示す平面図であ
る。
【図１７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１６におけるＥ部を拡大して示す平面図である。
り、図１６におけるＥ部を拡大して示す平面図である。
【図１８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石膜上に一対の低抵抗化膜を形成した
状態を示す平面図である。
り、一対の永久磁石膜上に一対の低抵抗化膜を形成した
状態を示す平面図である。
【図１９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１８におけるＸ１３−Ｘ１４線断面図である。
り、図１８におけるＸ１３−Ｘ１４線断面図である。
【図２０】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、ＭＲ素子となる部分及び一対の導体部となる部分以
外のＭＲ素子用薄膜を除去した状態を示す平面図であ
る。
り、ＭＲ素子となる部分及び一対の導体部となる部分以
外のＭＲ素子用薄膜を除去した状態を示す平面図であ
る。
【図２１】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２０におけるＸ１５−Ｘ１６線断面図である。
り、図２０におけるＸ１５−Ｘ１６線断面図である。
【図２２】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の導体部を形成した状態を示す平面図である。
り、一対の導体部を形成した状態を示す平面図である。
【図２３】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２２におけるＸ１７−Ｘ１８線断面図である。
り、図２２におけるＸ１７−Ｘ１８線断面図である。
【図２４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、上層ギャップ膜となる非磁性非導電成膜を形成した
状態を示す平面図である。
り、上層ギャップ膜となる非磁性非導電成膜を形成した
状態を示す平面図である。
【図２５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２４におけるＸ１９−Ｘ２０線断面図である。
り、図２４におけるＸ１９−Ｘ２０線断面図である。
【図２６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、上層シールド薄膜となる軟磁性薄膜を形成した状態
を示す平面図である。
り、上層シールド薄膜となる軟磁性薄膜を形成した状態
を示す平面図である。
【図２７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２６におけるＸ２１−Ｘ２２線断面図である。
り、図２６におけるＸ２１−Ｘ２２線断面図である。
【図２８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、導体部の端部に外部接続端子を形成した状態を示す
平面図である。
り、導体部の端部に外部接続端子を形成した状態を示す
平面図である。
【図２９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２８におけるＸ２３−Ｘ２４線断面図である。
り、図２８におけるＸ２３−Ｘ２４線断面図である。
【図３０】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、平坦化膜を形成した状態を示す平面図である。
り、平坦化膜を形成した状態を示す平面図である。
【図３１】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３０におけるＸ２５−Ｘ２６線断面図である。
り、図３０におけるＸ２５−Ｘ２６線断面図である。
【図３２】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、多数のヘッド素子が形成された第１の基板材が横方
向にヘッド素子が並ぶ短冊状に切り分けられてなる磁気
ヘッドブロックを示す平面図である。
り、多数のヘッド素子が形成された第１の基板材が横方
向にヘッド素子が並ぶ短冊状に切り分けられてなる磁気
ヘッドブロックを示す平面図である。
【図３３】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、上記磁気ヘッドブロックに第２の基板材を接合した
状態を示す斜視図である。
り、上記磁気ヘッドブロックに第２の基板材を接合した
状態を示す斜視図である。
【図３４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックのテ
ープ摺動面となる面に円筒研磨加工を施した状態を示す
斜視図である。
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックのテ
ープ摺動面となる面に円筒研磨加工を施した状態を示す
斜視図である。
【図３５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックの円
筒研磨加工が施された面に複数条の溝を形成した状態を
示す平面図である。
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックの円
筒研磨加工が施された面に複数条の溝を形成した状態を
示す平面図である。
【図３６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックを各
ＭＲヘッド毎に分断する様子を示す平面図である。
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックを各
ＭＲヘッド毎に分断する様子を示す平面図である。
１ ＭＲヘッド、２ 第１の基板、３ 下層シールド薄
膜、４ 下層ギャップ膜、５ ＭＲ素子、６ 上層ギャ
ップ膜、７ 上層シールド薄膜、８ 第２の基板、９，
１０ 溝、１１ テープ摺動面、２０ 回転型磁気ヘッ
ド装置、２１固定ドラム、２２ 回転ドラム
膜、４ 下層ギャップ膜、５ ＭＲ素子、６ 上層ギャ
ップ膜、７ 上層シールド薄膜、８ 第２の基板、９，
１０ 溝、１１ テープ摺動面、２０ 回転型磁気ヘッ
ド装置、２１固定ドラム、２２ 回転ドラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大沼 一紀 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA19 BB08
Claims (4)
- 【請求項１】 一対のガード材の接合面間に一対の磁気
シールド薄膜を介してシールド間ギャップが形成され、
このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素子が配され
てなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その
長さ方向に沿って溝が形成され、この溝により当該磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当たり幅
が規制されていると共に、 上記一対の磁気シールド薄膜の幅が、上記磁気抵抗効果
素子の幅よりも大きく且つ上記当たり幅よりも小さくさ
れていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記一対の磁気シールド薄膜の幅が、上
記当たり幅に対する比率で７／８以下とされていること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 固定ドラムとこの固定ドラムに対して回
転可能に設けられた回転ドラムとを有する装置本体と、 上記装置本体の回転ドラム側に取り付けられた再生用磁
気ヘッドとを備え、 上記再生用磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間に
一対の磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップが
形成され、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素
子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その
長さ方向に沿って溝が形成され、この溝により当該再生
用磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当たり幅が規制さ
れていると共に、上記一対の磁気シールド薄膜の幅が、
上記磁気抵抗効果素子の幅よりも大きく且つ上記当たり
幅よりも小さくされていることを特徴とする回転型磁気
ヘッド装置。 - 【請求項４】 上記再生用磁気ヘッドは、上記一対の磁
気シールド薄膜の幅が、上記当たり幅に対する比率で７
／８以下とされていることを特徴とする請求項３記載の
回転型磁気ヘッド装置。
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP29153199A JP2001110017A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び回転型磁気ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
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