JPH11353615A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11353615A JPH11353615A JP10162683A JP16268398A JPH11353615A JP H11353615 A JPH11353615 A JP H11353615A JP 10162683 A JP10162683 A JP 10162683A JP 16268398 A JP16268398 A JP 16268398A JP H11353615 A JPH11353615 A JP H11353615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin
- magnetic head
- pole portion
- film magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
- G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
- G11B21/16—Supporting the heads; Supporting the sockets for plug-in heads
- G11B21/20—Supporting the heads; Supporting the sockets for plug-in heads while the head is in operative position but stationary or permitting minor movements to follow irregularities in surface of record carrier
- G11B21/21—Supporting the heads; Supporting the sockets for plug-in heads while the head is in operative position but stationary or permitting minor movements to follow irregularities in surface of record carrier with provision for maintaining desired spacing of head from record carrier, e.g. fluid-dynamic spacing, slider
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スペーシングロスを小さくすると共に、ポール
部を構成する磁性膜を、酸化及び腐食等から、確実に保
護し得る薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】スライダ１は媒体対向面側に空気ベアリン
グのための基体表面１３、１４を有する。誘導型薄膜磁
気変換素子２は、端部が基体表面１３、１４に現れる第
１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２を有する。第
１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２は、先端が基
体表面１３、１４に現れ、一部が凹部４、５によって削
減されている。保護膜１０は、基体表面１３、１４及び
凹部４、５内に付着されている。保護膜１０は、凹部
４、５の上で見た膜厚ｄ１が、基体表面１３、１４の上
で見た膜厚ｄ２よりも厚い。
部を構成する磁性膜を、酸化及び腐食等から、確実に保
護し得る薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】スライダ１は媒体対向面側に空気ベアリン
グのための基体表面１３、１４を有する。誘導型薄膜磁
気変換素子２は、端部が基体表面１３、１４に現れる第
１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２を有する。第
１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２は、先端が基
体表面１３、１４に現れ、一部が凹部４、５によって削
減されている。保護膜１０は、基体表面１３、１４及び
凹部４、５内に付着されている。保護膜１０は、凹部
４、５の上で見た膜厚ｄ１が、基体表面１３、１４の上
で見た膜厚ｄ２よりも厚い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
等の磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置における高密度記録に
対応するため、薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅は、例
えば、１．０μｍ以下まで、超狭小化されている。この
ような超狭小のトラック幅を得る手段として、スライダ
の空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）に加工を施
す手法が知られている。これらの技術の適用によって超
狭小化されたトラック幅を得るには、スライダの媒体対
向面に研磨加工等を施して、所定のギャップ深さを確保
した後、収束イオンビームを用いて、ポール部を構成す
る磁性膜を含む領域を掘り下げるか、または、フォトリ
ソグラフィ技術の適用によってパターンを画定し、画定
されたパターンに従って、ＡＢＳをイオンミリング等の
手段によって加工する。例えば、IEEE Transactions on
MagneticsVol.27, No.6, November 1991は、ＡＢＳに
現れるポール部のトラック方向の幅を、収束イオンビー
ムによって削減する技術を開示している。また、IEEE T
ransactions on Magnetics Vol.30, No.6, November 19
94は、フォトリソグラフィ技術の適用によって、トラッ
ク幅を画定する技術を開示している。
対応するため、薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅は、例
えば、１．０μｍ以下まで、超狭小化されている。この
ような超狭小のトラック幅を得る手段として、スライダ
の空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）に加工を施
す手法が知られている。これらの技術の適用によって超
狭小化されたトラック幅を得るには、スライダの媒体対
向面に研磨加工等を施して、所定のギャップ深さを確保
した後、収束イオンビームを用いて、ポール部を構成す
る磁性膜を含む領域を掘り下げるか、または、フォトリ
ソグラフィ技術の適用によってパターンを画定し、画定
されたパターンに従って、ＡＢＳをイオンミリング等の
手段によって加工する。例えば、IEEE Transactions on
MagneticsVol.27, No.6, November 1991は、ＡＢＳに
現れるポール部のトラック方向の幅を、収束イオンビー
ムによって削減する技術を開示している。また、IEEE T
ransactions on Magnetics Vol.30, No.6, November 19
94は、フォトリソグラフィ技術の適用によって、トラッ
ク幅を画定する技術を開示している。
【０００３】上述した加工によれば、掘り下げられた凹
部内に、ポール部を構成する磁性膜の端面が露出する。
そこで、凹部内に露出する磁性膜を、酸化や腐食から保
護する手段として、ＡＢＳ及び凹部を含む媒体対向面の
全面に、保護膜を形成する。保護膜としては、一般に
は、ダイヤモンド．ライク．カーボン（以下ＤＬＣと称
する）が用いられる。
部内に、ポール部を構成する磁性膜の端面が露出する。
そこで、凹部内に露出する磁性膜を、酸化や腐食から保
護する手段として、ＡＢＳ及び凹部を含む媒体対向面の
全面に、保護膜を形成する。保護膜としては、一般に
は、ダイヤモンド．ライク．カーボン（以下ＤＬＣと称
する）が用いられる。
【０００４】ところが、従来は、ＡＢＳ及び凹部内に、
ほぼ同一厚みの保護膜を形成してあった。この構造は、
次のような問題点を生じる。即ち、凹部内に露出する磁
性膜を、酸化や腐食から保護するためには、保護膜を厚
く付着させて、凹部内に露出する磁性膜の全体を保護膜
で覆う必要がある。ところが、保護膜の厚みが増大する
と、ＡＢＳに付着する保護膜の厚みも、当然厚くなるか
ら、スペーシングロスが増え、電磁変換特性が悪くな
る。
ほぼ同一厚みの保護膜を形成してあった。この構造は、
次のような問題点を生じる。即ち、凹部内に露出する磁
性膜を、酸化や腐食から保護するためには、保護膜を厚
く付着させて、凹部内に露出する磁性膜の全体を保護膜
で覆う必要がある。ところが、保護膜の厚みが増大する
と、ＡＢＳに付着する保護膜の厚みも、当然厚くなるか
ら、スペーシングロスが増え、電磁変換特性が悪くな
る。
【０００５】上記問題は、トラック幅の狭小化のための
掘り下げ加工に限らず、ポール部を含む領域を掘り下げ
る場合に生じる問題である。
掘り下げ加工に限らず、ポール部を含む領域を掘り下げ
る場合に生じる問題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、スペ
ーシングロスを小さくすると共に、ポール部を構成する
磁性膜を、酸化及び腐食等から、確実に保護し得る薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
ーシングロスを小さくすると共に、ポール部を構成する
磁性膜を、酸化及び腐食等から、確実に保護し得る薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
【０００７】本発明のもう一つの課題は、上述した薄膜
磁気ヘッドを製造するのに適した方法を提供することで
ある。
磁気ヘッドを製造するのに適した方法を提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも一つの誘導型薄膜磁気変換素子と、保護膜とを含
む。前記スライダは、媒体対向面側に、基体表面と、前
記基体表面から落ち込む凹部とを有する。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも一つの誘導型薄膜磁気変換素子と、保護膜とを含
む。前記スライダは、媒体対向面側に、基体表面と、前
記基体表面から落ち込む凹部とを有する。
【０００９】前記誘導型薄膜磁気変換素子は、ポール部
を有し、前記スライダ上に設けられている。前記ポール
部は、先端が前記基体表面に現れ、一部が前記凹部によ
って削減されている。
を有し、前記スライダ上に設けられている。前記ポール
部は、先端が前記基体表面に現れ、一部が前記凹部によ
って削減されている。
【００１０】前記保護膜は、前記基体表面及び前記凹部
内に付着されている。前記保護膜は、前記凹部の上で見
た膜厚が、前記基体表面の上で見た膜厚よりも厚くなっ
ている。
内に付着されている。前記保護膜は、前記凹部の上で見
た膜厚が、前記基体表面の上で見た膜厚よりも厚くなっ
ている。
【００１１】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、誘導型薄膜磁気変換素子は、スライダ上
に設けられ、基体表面に現れるポール部を有し、ポール
部は一部が凹部によって削減されている。この構造によ
れば、凹部によるポール部の削減に応じた電磁変換特性
を得ることができる。ポール部の削減の代表例は、トラ
ック幅の狭小化のための削減である。この場合は、ポー
ル部は媒体移動方向と交差するトラック方向の幅が凹部
によって削減されるので、削減量に応じて狭小化された
記録トラック幅を持つ浮上型の薄膜磁気ヘッドが得られ
る。
ッドにおいて、誘導型薄膜磁気変換素子は、スライダ上
に設けられ、基体表面に現れるポール部を有し、ポール
部は一部が凹部によって削減されている。この構造によ
れば、凹部によるポール部の削減に応じた電磁変換特性
を得ることができる。ポール部の削減の代表例は、トラ
ック幅の狭小化のための削減である。この場合は、ポー
ル部は媒体移動方向と交差するトラック方向の幅が凹部
によって削減されるので、削減量に応じて狭小化された
記録トラック幅を持つ浮上型の薄膜磁気ヘッドが得られ
る。
【００１２】スライダの媒体対向面には、保護膜が付着
されている。従って、媒体対向面に設けられた凹部内に
露出する磁性膜を保護膜で覆い、ポール部を構成する磁
性膜を、酸化や腐食から保護することができる。
されている。従って、媒体対向面に設けられた凹部内に
露出する磁性膜を保護膜で覆い、ポール部を構成する磁
性膜を、酸化や腐食から保護することができる。
【００１３】保護膜は、凹部の上で見た膜厚が、基体表
面の上で見た膜厚よりも厚い。逆にいえば、保護膜は、
基体表面の上で見た膜厚が、凹部の上で見た膜厚よりも
薄い。従って、凹部内で露出するポール部の磁性膜を、
保護膜によって覆うと共に、に、基体表面における保護
膜の膜厚を薄くして、スペーシングロスを小さくするこ
とができる。
面の上で見た膜厚よりも厚い。逆にいえば、保護膜は、
基体表面の上で見た膜厚が、凹部の上で見た膜厚よりも
薄い。従って、凹部内で露出するポール部の磁性膜を、
保護膜によって覆うと共に、に、基体表面における保護
膜の膜厚を薄くして、スペーシングロスを小さくするこ
とができる。
【００１４】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの
断面図、図３は図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドの
一部拡大斜視部、図４は図３の４ー４線に沿った断面図
である。これらの図において、寸法は誇張されている。
図示された本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ１
と、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２と、保
護膜１０とを含む。
ドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの
断面図、図３は図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドの
一部拡大斜視部、図４は図３の４ー４線に沿った断面図
である。これらの図において、寸法は誇張されている。
図示された本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ１
と、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２と、保
護膜１０とを含む。
【００１６】スライダ１は媒体対向面側にレール部１
１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面１３、
１４（図２〜図４参照）がＡＢＳのために用いられる。
レール部１１、１２は２本に限らない。例えば、１〜３
本のレール部を有することがあり、レール部を持たない
平面となることもある。また、浮上特性改善等のため
に、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付されることも
ある。何れのタイプのスライダであっても、本発明の適
用が可能である。
１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面１３、
１４（図２〜図４参照）がＡＢＳのために用いられる。
レール部１１、１２は２本に限らない。例えば、１〜３
本のレール部を有することがあり、レール部を持たない
平面となることもある。また、浮上特性改善等のため
に、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付されることも
ある。何れのタイプのスライダであっても、本発明の適
用が可能である。
【００１７】誘導型薄膜磁気変換素子２は、端部が基体
表面１３、１４に現れる第１のポール部Ｐ１及び第２の
ポール部Ｐ２を有する。誘導型薄膜磁気変換素子２の第
１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２は、先端が基
体表面１３、１４に現れ、一部が凹部４、５によって削
減されている。凹部４、５の深さ、幅及び形状等は、凹
部４、５の機能によって変更される。
表面１３、１４に現れる第１のポール部Ｐ１及び第２の
ポール部Ｐ２を有する。誘導型薄膜磁気変換素子２の第
１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２は、先端が基
体表面１３、１４に現れ、一部が凹部４、５によって削
減されている。凹部４、５の深さ、幅及び形状等は、凹
部４、５の機能によって変更される。
【００１８】実施例において、凹部４、５は、第１のポ
ール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２を挟み、トラック方
向ｂ１の両側に設けられている。従って、第１のポール
部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２は、媒体移動方向ａ１と
交差するトラック方向ｂ１の幅Ｗ０が基体表面１３、１
４に付された凹部４、５によって画定される。凹部４、
５がポール部Ｐ２のトラック方向ｂ１の幅Ｗ０を画定す
るために用いられている実施例の場合、凹部４、５は、
例えば深さ０．５〜１．０μｍ、幅３０〜１００μｍと
なるように形成される。
ール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２を挟み、トラック方
向ｂ１の両側に設けられている。従って、第１のポール
部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２は、媒体移動方向ａ１と
交差するトラック方向ｂ１の幅Ｗ０が基体表面１３、１
４に付された凹部４、５によって画定される。凹部４、
５がポール部Ｐ２のトラック方向ｂ１の幅Ｗ０を画定す
るために用いられている実施例の場合、凹部４、５は、
例えば深さ０．５〜１．０μｍ、幅３０〜１００μｍと
なるように形成される。
【００１９】保護膜１０は、基体表面１３、１４及び凹
部４、５内に付着され、基体表面１３、１４に付着され
た部分の表面１００がＡＢＳとして用いられる。保護膜
１０は、凹部４、５の上で見た膜厚ｄ１が、基体表面１
３、１４の上で見た膜厚ｄ２よりも厚くなっている。凹
部４、５の上で見た膜厚ｄ１は、凹部４、５の底面から
保護膜１０の表面までの最小膜厚で与えられる。基体表
面１３、１４の上で見た膜厚ｄ２は、基体表面１３、１
４から保護膜１０までの最小膜厚で与えられる。一例と
して、凹部４、５の上で見た膜厚ｄ１は、例えば、１６
〜１８ｎｍ程度、またはそれ以上に選定され、凹部４、
５の上で見た膜厚ｄ１は６〜８ｎｍ程度に選定される。
凹部４、５は、深さ０．５〜１．０μｍ、幅３０〜１０
０μｍとなるように形成されるので、凹部４、５の深さ
に比較して、凹部４、５の上で見た保護膜１０の厚みｄ
１は極めて小さくなる。図示では、保護膜１０の厚みｄ
１、ｄ２は誇張して示してある。
部４、５内に付着され、基体表面１３、１４に付着され
た部分の表面１００がＡＢＳとして用いられる。保護膜
１０は、凹部４、５の上で見た膜厚ｄ１が、基体表面１
３、１４の上で見た膜厚ｄ２よりも厚くなっている。凹
部４、５の上で見た膜厚ｄ１は、凹部４、５の底面から
保護膜１０の表面までの最小膜厚で与えられる。基体表
面１３、１４の上で見た膜厚ｄ２は、基体表面１３、１
４から保護膜１０までの最小膜厚で与えられる。一例と
して、凹部４、５の上で見た膜厚ｄ１は、例えば、１６
〜１８ｎｍ程度、またはそれ以上に選定され、凹部４、
５の上で見た膜厚ｄ１は６〜８ｎｍ程度に選定される。
凹部４、５は、深さ０．５〜１．０μｍ、幅３０〜１０
０μｍとなるように形成されるので、凹部４、５の深さ
に比較して、凹部４、５の上で見た保護膜１０の厚みｄ
１は極めて小さくなる。図示では、保護膜１０の厚みｄ
１、ｄ２は誇張して示してある。
【００２０】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、誘導型薄膜磁気変換素子２は、スライダ
１の上に設けられ、先端がＡＢＳのための基体表面１
３、１４に現れる第１のポール部Ｐ１及び第２のポール
部Ｐ２を有し、第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部
Ｐ２は一部が凹部４、５によって削減されている。この
構造によれば、凹部４、５による第１のポール部Ｐ１及
び第２のポール部Ｐ２の削減位置、形状、深さまたは広
さ等に応じた電磁変換特性を得ることができる。
ッドにおいて、誘導型薄膜磁気変換素子２は、スライダ
１の上に設けられ、先端がＡＢＳのための基体表面１
３、１４に現れる第１のポール部Ｐ１及び第２のポール
部Ｐ２を有し、第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部
Ｐ２は一部が凹部４、５によって削減されている。この
構造によれば、凹部４、５による第１のポール部Ｐ１及
び第２のポール部Ｐ２の削減位置、形状、深さまたは広
さ等に応じた電磁変換特性を得ることができる。
【００２１】実施例の場合、凹部４、５は、第１のポー
ル部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２を挟み、トラック方向
ｂ１の両側に設けられている。第１のポール部Ｐ１及び
第２のポール部Ｐ２は、媒体移動方向ａ１と交差するト
ラック方向ｂ１の幅Ｗ０が基体表面１３、１４に付され
た凹部４、５によって実質的に画定されている。この構
造によれば、削減量に応じて狭小化された記録トラック
幅Ｗ０を持つ浮上型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
ル部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２を挟み、トラック方向
ｂ１の両側に設けられている。第１のポール部Ｐ１及び
第２のポール部Ｐ２は、媒体移動方向ａ１と交差するト
ラック方向ｂ１の幅Ｗ０が基体表面１３、１４に付され
た凹部４、５によって実質的に画定されている。この構
造によれば、削減量に応じて狭小化された記録トラック
幅Ｗ０を持つ浮上型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００２２】スライダ１の媒体対向面には、保護膜１０
が付着されている。従って、媒体対向面に設けられた凹
部４、５の内部に露出する第１のポール部Ｐ１及び第２
のポール部Ｐ２を、保護膜１０によって覆い、酸化や腐
食から保護することができる。保護膜１０は、スライダ
１の基体表面１３、１４にも付着されているので、基体
表面１３、１４の上で見た保護膜１０の表面１００がＡ
ＢＳとして機能する。
が付着されている。従って、媒体対向面に設けられた凹
部４、５の内部に露出する第１のポール部Ｐ１及び第２
のポール部Ｐ２を、保護膜１０によって覆い、酸化や腐
食から保護することができる。保護膜１０は、スライダ
１の基体表面１３、１４にも付着されているので、基体
表面１３、１４の上で見た保護膜１０の表面１００がＡ
ＢＳとして機能する。
【００２３】保護膜１０は、凹部４、５の上で見た膜厚
ｄ１が、ＡＢＳのために用いられる基体表面１３、１４
の上で見た膜厚ｄ２よりも厚い。逆にいえば、保護膜１
０は、基体表面１３、１４の上で見た膜厚ｄ２が、凹部
４、５の上で見た膜厚ｄ１よりも薄い。従って、凹部
４、５内で露出する第１のポール部Ｐ１及び第２のポー
ル部Ｐ２を、保護膜１０によって完全に覆うと同時に、
基体表面１３、１４の上で見た保護膜１０の膜厚ｄ２を
薄くして、スペーシングロスを小さくすることができ
る。保護膜１０は、基体表面１３、１４の上で見た膜厚
ｄ２が約１０ｎｍ以下、例えば６〜８ｎｍ程度の膜厚と
なるように形成する。保護膜１０は、ダイヤモンド．ラ
イク．カーボン膜（以下ＤＬＣ膜と称する）、または、
窒化膜を含むことができる。
ｄ１が、ＡＢＳのために用いられる基体表面１３、１４
の上で見た膜厚ｄ２よりも厚い。逆にいえば、保護膜１
０は、基体表面１３、１４の上で見た膜厚ｄ２が、凹部
４、５の上で見た膜厚ｄ１よりも薄い。従って、凹部
４、５内で露出する第１のポール部Ｐ１及び第２のポー
ル部Ｐ２を、保護膜１０によって完全に覆うと同時に、
基体表面１３、１４の上で見た保護膜１０の膜厚ｄ２を
薄くして、スペーシングロスを小さくすることができ
る。保護膜１０は、基体表面１３、１４の上で見た膜厚
ｄ２が約１０ｎｍ以下、例えば６〜８ｎｍ程度の膜厚と
なるように形成する。保護膜１０は、ダイヤモンド．ラ
イク．カーボン膜（以下ＤＬＣ膜と称する）、または、
窒化膜を含むことができる。
【００２４】更に、保護膜１０は、シリコン膜を含み、
シリコン膜をＤＬＣ膜の下地膜として用いることもでき
る。図５はその一例を示す断面図である、保護膜１０
は、例えば２ｎｍ程度のＳｉ膜１０１を、基体表面１
３、１４及び凹部４、５の内部に付着させ、その上に例
えば６ｎｍ程度のＤＬＣ膜１０２を付着させる。上述の
２層構造を、基体表面１３、１４では一層だけ設け、凹
部４、５の内部では、２層以上設ける。Ｓｉ膜１０１で
なる下地膜は、アルティック等のセラミック構造体でな
るスライダ１に対する保護膜１０の付着強度を増大させ
る。
シリコン膜をＤＬＣ膜の下地膜として用いることもでき
る。図５はその一例を示す断面図である、保護膜１０
は、例えば２ｎｍ程度のＳｉ膜１０１を、基体表面１
３、１４及び凹部４、５の内部に付着させ、その上に例
えば６ｎｍ程度のＤＬＣ膜１０２を付着させる。上述の
２層構造を、基体表面１３、１４では一層だけ設け、凹
部４、５の内部では、２層以上設ける。Ｓｉ膜１０１で
なる下地膜は、アルティック等のセラミック構造体でな
るスライダ１に対する保護膜１０の付着強度を増大させ
る。
【００２５】本発明は、凹部４、５の形状に関わりなく
適用できる。また、保護膜１０の平面形状は任意でよ
い。平坦な面であってもよいし、粗面化された面または
凹凸面であってもよい。保護膜１０の表面１００がＡＢ
Ｓとなるので、その表面形状を選択することにより、Ａ
ＢＳ特性を制御できる。
適用できる。また、保護膜１０の平面形状は任意でよ
い。平坦な面であってもよいし、粗面化された面または
凹凸面であってもよい。保護膜１０の表面１００がＡＢ
Ｓとなるので、その表面形状を選択することにより、Ａ
ＢＳ特性を制御できる。
【００２６】再び、図１〜図４を参照して説明する。図
示された実施例において、誘導型薄膜磁気変換素子２
は、第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２、コイル膜２
３、アルミナ等でなるギャップ膜２４、有機樹脂で構成
された絶縁膜２５及びアルミナ等でなる保護膜２６など
を有している。第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２
の先端部は微小厚みのギャップ膜２４を隔てて対向する
第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２となってお
り、第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２におい
て書き込みを行なう。第１の磁性膜２１及び第２の磁性
膜２２は、そのヨーク部が第１のポール部Ｐ１及び第２
のポール部Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部にお
いて、磁気回路を完成するように互いに結合されてい
る。絶縁膜２５の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦
巻状にまわるように、コイル膜２３を形成してある。コ
イル膜２３の両端は、取り出し電極２７、２８に導通さ
れている（図１参照）。コイル膜２３の巻数および層数
は任意である。
示された実施例において、誘導型薄膜磁気変換素子２
は、第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２、コイル膜２
３、アルミナ等でなるギャップ膜２４、有機樹脂で構成
された絶縁膜２５及びアルミナ等でなる保護膜２６など
を有している。第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２
の先端部は微小厚みのギャップ膜２４を隔てて対向する
第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２となってお
り、第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２におい
て書き込みを行なう。第１の磁性膜２１及び第２の磁性
膜２２は、そのヨーク部が第１のポール部Ｐ１及び第２
のポール部Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部にお
いて、磁気回路を完成するように互いに結合されてい
る。絶縁膜２５の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦
巻状にまわるように、コイル膜２３を形成してある。コ
イル膜２３の両端は、取り出し電極２７、２８に導通さ
れている（図１参照）。コイル膜２３の巻数および層数
は任意である。
【００２７】本発明において、凹部４、５を付する薄膜
磁気変換素子２は、誘導型である。誘導型薄膜磁気変換
素子２を磁気記録の書き込み及び読み出しとしても使用
してもよい。これとは異なって、誘導型薄膜磁気変換素
子２を書き込み専用とし、これとは別に、読み出し用と
して、磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気変換素子（以下
ＭＲ素子と称する）を備えてもよい。
磁気変換素子２は、誘導型である。誘導型薄膜磁気変換
素子２を磁気記録の書き込み及び読み出しとしても使用
してもよい。これとは異なって、誘導型薄膜磁気変換素
子２を書き込み専用とし、これとは別に、読み出し用と
して、磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気変換素子（以下
ＭＲ素子と称する）を備えてもよい。
【００２８】実施例では、誘導型磁気変換素子２を書き
込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する。
ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造のものが提案さ
れ、実用に供されている。例えばパーマロイ等による異
方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大磁気抵抗（Ｇ
ＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発明において、
何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３は、第１のシ
ールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ねている第１の
磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の内部に配置さ
れている。絶縁膜３２はアルミナ等によって構成されて
いる。ＭＲ素子３は取り出し電極３３、３４に接続され
ている（図１参照）。
込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する。
ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造のものが提案さ
れ、実用に供されている。例えばパーマロイ等による異
方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大磁気抵抗（Ｇ
ＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発明において、
何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３は、第１のシ
ールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ねている第１の
磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の内部に配置さ
れている。絶縁膜３２はアルミナ等によって構成されて
いる。ＭＲ素子３は取り出し電極３３、３４に接続され
ている（図１参照）。
【００２９】薄膜磁気変換素子２、３は、レール部１
１、１２の一方または両者の媒体移動方向ａ１の端部に
設けられている。媒体移動方向ａ１は、媒体が高速移動
した時の空気の流出方向と一致する。スライダ１の媒体
移動方向ａ１の端面には、薄膜磁気変換素子２に接続さ
れた取り出し電極２７、２８及び薄膜磁気変換素子３に
接続された取り出し電極３３、３４が設けられている。
１、１２の一方または両者の媒体移動方向ａ１の端部に
設けられている。媒体移動方向ａ１は、媒体が高速移動
した時の空気の流出方向と一致する。スライダ１の媒体
移動方向ａ１の端面には、薄膜磁気変換素子２に接続さ
れた取り出し電極２７、２８及び薄膜磁気変換素子３に
接続された取り出し電極３３、３４が設けられている。
【００３０】図６は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の
実施例における薄膜磁気変換素子２の部分の拡大斜視図
である。図において、図１〜図５に図示された構成部分
と同一の構成部分は、同一の参照符号を付してある。凹
部４、５は図示されていないが、その構造及び形状は図
１〜図５の実施例と同じである。第１の磁性膜２１及び
第２の磁性膜２２のうち、第２の磁性膜２２は、ポール
部Ｐ２において、ギャップ膜２４と接する第３の磁性層
２２１と、第３の磁性層２２１に接して積層（図６にお
いて右側）された第４の磁性層２２２とを有する。かか
る構成とすることにより、第１の磁性層の物性的特性
を、第４の磁性層の物性的特性と異ならせ、それによっ
て、必要な特性改善を行なうことができる。
実施例における薄膜磁気変換素子２の部分の拡大斜視図
である。図において、図１〜図５に図示された構成部分
と同一の構成部分は、同一の参照符号を付してある。凹
部４、５は図示されていないが、その構造及び形状は図
１〜図５の実施例と同じである。第１の磁性膜２１及び
第２の磁性膜２２のうち、第２の磁性膜２２は、ポール
部Ｐ２において、ギャップ膜２４と接する第３の磁性層
２２１と、第３の磁性層２２１に接して積層（図６にお
いて右側）された第４の磁性層２２２とを有する。かか
る構成とすることにより、第１の磁性層の物性的特性
を、第４の磁性層の物性的特性と異ならせ、それによっ
て、必要な特性改善を行なうことができる。
【００３１】例えば、第３の磁性層２２１の飽和磁束密
度を第４の磁性層２２２の飽和磁束密度よりも大きい値
に選定する。この場合には高周波記録特性を改善するこ
とができる。第３の磁性層２２１の飽和磁束密度を第４
の磁性層２２２の飽和磁束密度よりも大きい値に設定す
るための具体例としては、第４の磁性層２２２を、Ｎｉ
（８０％）ーＦｅ（２０％）のパーマロイで構成し、第
３の磁性層２２１をＮｉ（５０％）ーＦｅ（５０％）の
パーマロイで構成する組み合わせを例示することができ
る。このような組成の第３の磁性膜２２１は、上記組成
の第４の磁性膜２２１に比較して、腐食し易いので、本
発明による保護膜構造は、極めて有効である。
度を第４の磁性層２２２の飽和磁束密度よりも大きい値
に選定する。この場合には高周波記録特性を改善するこ
とができる。第３の磁性層２２１の飽和磁束密度を第４
の磁性層２２２の飽和磁束密度よりも大きい値に設定す
るための具体例としては、第４の磁性層２２２を、Ｎｉ
（８０％）ーＦｅ（２０％）のパーマロイで構成し、第
３の磁性層２２１をＮｉ（５０％）ーＦｅ（５０％）の
パーマロイで構成する組み合わせを例示することができ
る。このような組成の第３の磁性膜２２１は、上記組成
の第４の磁性膜２２１に比較して、腐食し易いので、本
発明による保護膜構造は、極めて有効である。
【００３２】高周波記録特性を改善する別の手段とし
て、第３の磁性層２２１の比抵抗を、第４の磁性層２２
２の比抵抗よりも大きくすることも有効である。
て、第３の磁性層２２１の比抵抗を、第４の磁性層２２
２の比抵抗よりも大きくすることも有効である。
【００３３】第３の磁性層２２１の耐摩耗性を、第４の
磁性層２２２の耐摩耗性よりも大きくすることも有効で
ある。この場合は、ギャップ膜２４に隣接していて、実
質的にギャップ厚みを定めている第３の磁性層２２１の
摩耗を回避し、安定した電磁変換特性を得ることができ
る。説明は省略するが、第１の磁性膜２１についても、
同様の構造を採用できる。
磁性層２２２の耐摩耗性よりも大きくすることも有効で
ある。この場合は、ギャップ膜２４に隣接していて、実
質的にギャップ厚みを定めている第３の磁性層２２１の
摩耗を回避し、安定した電磁変換特性を得ることができ
る。説明は省略するが、第１の磁性膜２１についても、
同様の構造を採用できる。
【００３４】更に、薄膜磁気ヘッドのポール部の構造と
しては、実施例に示すものに限らず、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のポール
構造に適用できる。例えば、ポール部を２層以上の多層
膜構造としたもの、２つのポール部のうち、一方のみを
多層膜構造としたものであっても、本発明の適用が可能
である。また、ポール部を多層膜構造とした場合、ポー
ル部を構成する磁性膜の一部は、媒体対向面に露出しな
いように、媒体対向面から後退した位置に形成してもよ
い。更に、基体の一面に凹部を設け、この凹部内に誘導
型薄膜磁気変換素子のコイル部等の主要部を配置した構
造を採用し、薄膜磁気ヘッドを小型化してもよい。
しては、実施例に示すものに限らず、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のポール
構造に適用できる。例えば、ポール部を２層以上の多層
膜構造としたもの、２つのポール部のうち、一方のみを
多層膜構造としたものであっても、本発明の適用が可能
である。また、ポール部を多層膜構造とした場合、ポー
ル部を構成する磁性膜の一部は、媒体対向面に露出しな
いように、媒体対向面から後退した位置に形成してもよ
い。更に、基体の一面に凹部を設け、この凹部内に誘導
型薄膜磁気変換素子のコイル部等の主要部を配置した構
造を採用し、薄膜磁気ヘッドを小型化してもよい。
【００３５】次に、図７〜図１５を参照して、本発明に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００３６】まず、図７に示すように、多数の薄膜磁気
ヘッドＡを、治具６上に配列し、かつ、一面を接着等の
手段によって固定する。薄膜磁気ヘッドＡのそれぞれ
は、レール１１、１２のための研削加工、及び、基体表
面１３、１４の研磨加工が既に終了しており、必要なギ
ャップ深さが得られている。図７に図示した薄膜磁気ヘ
ッドＡの配列は、多数の薄膜磁気ヘッド要素を一列に整
列させたバーを、治具６に取り付け、治具６上で、必要
な加工を施すことによって得られる。
ヘッドＡを、治具６上に配列し、かつ、一面を接着等の
手段によって固定する。薄膜磁気ヘッドＡのそれぞれ
は、レール１１、１２のための研削加工、及び、基体表
面１３、１４の研磨加工が既に終了しており、必要なギ
ャップ深さが得られている。図７に図示した薄膜磁気ヘ
ッドＡの配列は、多数の薄膜磁気ヘッド要素を一列に整
列させたバーを、治具６に取り付け、治具６上で、必要
な加工を施すことによって得られる。
【００３７】次に、図８に示すように、支持体７１上に
有機質レジスト膜７２が形成されたレジストフィルム７
を基体表面１３、１４上に重ねてレジスト膜７２を転写
する。
有機質レジスト膜７２が形成されたレジストフィルム７
を基体表面１３、１４上に重ねてレジスト膜７２を転写
する。
【００３８】その後、図９に示すように、支持体７１を
除去する。支持体７１は、ポリエチレン・テレフタレー
ト等の可撓性フィルムで構成されている。レジスト膜７
２は、一般には感光性レジストが用いられ、ネガ型、ポ
ジ型の何れの感光性レジストを使用してもよい。実施例
は、ポジ型の感光性レジストを採用している。ポジ型の
感光性レジストとしては、例えば、商品名ＰＦＲ３００
４（日本合成ゴム社製）等がある。レジストフィルム７
は、レジスト膜７２がスピンコートにより形成されてい
る。レジスト膜７２の膜厚は、基体表面１３、１４の加
工に必要な厚みに設定され、均一な厚みとなっている。
転写は、熱ロール８を用いた熱圧着により行なうことが
できる。
除去する。支持体７１は、ポリエチレン・テレフタレー
ト等の可撓性フィルムで構成されている。レジスト膜７
２は、一般には感光性レジストが用いられ、ネガ型、ポ
ジ型の何れの感光性レジストを使用してもよい。実施例
は、ポジ型の感光性レジストを採用している。ポジ型の
感光性レジストとしては、例えば、商品名ＰＦＲ３００
４（日本合成ゴム社製）等がある。レジストフィルム７
は、レジスト膜７２がスピンコートにより形成されてい
る。レジスト膜７２の膜厚は、基体表面１３、１４の加
工に必要な厚みに設定され、均一な厚みとなっている。
転写は、熱ロール８を用いた熱圧着により行なうことが
できる。
【００３９】レジスト膜７２を基体表面１３、１４に転
写した後、図１０に示すように、凹部加工に必要なパタ
ーンを有するマスク９を用いて露光し、現像する。実施
例では、レジスト膜７２として、ポジ型の感光性レジス
トを使用することを前提としているので、現像では、露
光部分が除去される。現像は、アルカリ現像液により露
光部分をエッチングすることによって得られる。この
後、パターニング工程によって残されたレジスト膜７２
の上から基体表面１３、１４にイオンミリングまたはケ
ミカルエッチング等の加工を施す。これにより、図１１
に示すように、所定のパターン及び深さを持つ凹部４、
５が形成される。
写した後、図１０に示すように、凹部加工に必要なパタ
ーンを有するマスク９を用いて露光し、現像する。実施
例では、レジスト膜７２として、ポジ型の感光性レジス
トを使用することを前提としているので、現像では、露
光部分が除去される。現像は、アルカリ現像液により露
光部分をエッチングすることによって得られる。この
後、パターニング工程によって残されたレジスト膜７２
の上から基体表面１３、１４にイオンミリングまたはケ
ミカルエッチング等の加工を施す。これにより、図１１
に示すように、所定のパターン及び深さを持つ凹部４、
５が形成される。
【００４０】次に、図１２に示すように、レジスト膜７
２を除去することなく、レジスト膜７２の上から、保護
膜１１０を形成する。保護膜１１０は、レジスト膜７２
によって覆われている基体表面１３、１４を除き、凹部
４、５を含むスライダ１の表面に付着される。保護膜１
１０は例えばスパッタリング等によって形成する。保護
膜１１０は、例えば１０ｎｍ以上の膜厚となるように付
着させる。
２を除去することなく、レジスト膜７２の上から、保護
膜１１０を形成する。保護膜１１０は、レジスト膜７２
によって覆われている基体表面１３、１４を除き、凹部
４、５を含むスライダ１の表面に付着される。保護膜１
１０は例えばスパッタリング等によって形成する。保護
膜１１０は、例えば１０ｎｍ以上の膜厚となるように付
着させる。
【００４１】次に、図１３に示すように、レジスト膜７
２を除去する。レジスト膜７２の表面に付着されていた
保護膜１１０は、レジスト膜７２と共に除去される。
２を除去する。レジスト膜７２の表面に付着されていた
保護膜１１０は、レジスト膜７２と共に除去される。
【００４２】次に、図１４に示すように、スライダ１の
媒体対向面の全面に対し、スパッタリング等によって、
保護膜１２０を付着させる。保護膜１２０は例えば６〜
８ｎｍ程度の膜厚となるように付着させる。凹部４、５
の内部には、既に、保護膜１１０が形成されているの
で、凹部４、５の上で見た保護膜１０の膜厚ｄ１は、図
１５に示すように、第１回目に付着された保護膜１１０
の膜厚と、第２回目に付着された保護膜１２０の膜厚ｄ
２との和となる。スライダ１の基体表面１３、１４で見
た膜厚は、第２回目に付着された保護膜１２０の膜厚ｄ
２だけとなる。従って、保護膜１０は、凹部４、５の上
で見た膜厚ｄ１が、基体表面１３、１４の上で見た膜厚
ｄ２よりも、必ず厚くなる。
媒体対向面の全面に対し、スパッタリング等によって、
保護膜１２０を付着させる。保護膜１２０は例えば６〜
８ｎｍ程度の膜厚となるように付着させる。凹部４、５
の内部には、既に、保護膜１１０が形成されているの
で、凹部４、５の上で見た保護膜１０の膜厚ｄ１は、図
１５に示すように、第１回目に付着された保護膜１１０
の膜厚と、第２回目に付着された保護膜１２０の膜厚ｄ
２との和となる。スライダ１の基体表面１３、１４で見
た膜厚は、第２回目に付着された保護膜１２０の膜厚ｄ
２だけとなる。従って、保護膜１０は、凹部４、５の上
で見た膜厚ｄ１が、基体表面１３、１４の上で見た膜厚
ｄ２よりも、必ず厚くなる。
【００４３】上記実施例におけるプロセス上の特徴は、
基体表面１３、１４を除き、スライダ１の媒体対向面に
保護膜１１０を形成した後、基体表面１３、１４、及
び、凹４、５部に保護膜１２０を形成する２段階工程に
ある。これとは異なって、基体表面１３、１４に保護膜
１１０を形成した後、基体表面１３、１４を除く媒体対
向面の全面に、保護膜１２０を形成する２段階工程を採
用することもできる。
基体表面１３、１４を除き、スライダ１の媒体対向面に
保護膜１１０を形成した後、基体表面１３、１４、及
び、凹４、５部に保護膜１２０を形成する２段階工程に
ある。これとは異なって、基体表面１３、１４に保護膜
１１０を形成した後、基体表面１３、１４を除く媒体対
向面の全面に、保護膜１２０を形成する２段階工程を採
用することもできる。
【００４４】実施例では、支持体７１上に有機質のレジ
スト膜７２が形成されたレジストフィルム７を用いた例
を示したが、スピンコート法等を採用することもでき
る。また、フォトレジストを用いたパターン形成を例に
とって説明したが、他の高精度パターン形成技術、例え
ば収束イオンビーム加工技術を採用することもできる。
スト膜７２が形成されたレジストフィルム７を用いた例
を示したが、スピンコート法等を採用することもでき
る。また、フォトレジストを用いたパターン形成を例に
とって説明したが、他の高精度パターン形成技術、例え
ば収束イオンビーム加工技術を採用することもできる。
【００４５】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）スペーシングロスを小さくすると共に、ポール部
を構成する磁性膜を、酸化及び腐食等から、確実に保護
し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｂ）上述した薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した方
法を提供することができる。
のような効果が得られる。 （ａ）スペーシングロスを小さくすると共に、ポール部
を構成する磁性膜を、酸化及び腐食等から、確実に保護
し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｂ）上述した薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した方
法を提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る
る
【図３】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドの一部拡
大斜視図である
大斜視図である
【図４】図３の４ー４線に沿った断面図である。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例にお
ける薄膜磁気変換素子の部分の拡大断面図である。
ける薄膜磁気変換素子の部分の拡大断面図である。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例にお
ける薄膜磁気変換素子部分の拡大断面図である。
ける薄膜磁気変換素子部分の拡大断面図である。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に含ま
れる一工程を示す図である。
れる一工程を示す図である。
【図８】図７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図９】図８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１０】図９に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１１】図１０に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１２】図１１に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１４】図１３に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１５】図１４の一部拡大図である。
１ スライダ １３、１４ 基体表面 ２ 誘導型薄膜磁気変換素子 Ｐ１ 第１のポール部 Ｐ２ 第２のポール部 ４、５ 凹部 １０ 保護膜 １００ ＡＢＳ
フロントページの続き (72)発明者 桃井 紋次郎 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 山中 昇 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 スライダと、少なくとも一つの誘導型薄
膜磁気変換素子と、保護膜とを含む薄膜磁気ヘッドであ
って、 前記スライダは、媒体対向面側に、基体表面と、前記基
体表面から落ち込む凹部とを有しており、 前記誘導型薄膜磁気変換素子は、ポール部を有し、前記
スライダ上に設けられており、 前記ポール部は、先端が前記基体表面に現れ、一部が前
記凹部によって削減されており、 前記保護膜は、前記基体表面及び前記凹部内に付着さ
れ、前記凹部の上で見た膜厚が、前記基体表面の上で見
た膜厚よりも厚くなっている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記凹部は、前記ポール部のトラック幅を画定する薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッドであって、 前記保護膜は、ダイヤモンド．ライク．カーボン膜を含
む薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項３に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記保護膜は、シリコン膜を含み、前記シリコン膜は前
記ダイヤモンド．ライク．カーボン膜の下地膜を構成す
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１または２の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッドであって、 前記保護膜は、窒化膜を含む薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 前記凹部は、前記ポール部を挟み、前記トラック方向の
両側に設けられている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 前記ポール部は、ギャップ膜を介して対向する第１のポ
ール部及び第２のポール部を有しており、 前記ポール部の少なくとも一方は、前記トラック方向の
幅が、前記凹部によって実質的に画定されている薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項８】 請求項７に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記第１のポール部は、前記トラック方向の幅が前記凹
部によって実質的に画定されている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項７に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記第１のポール部及び前記第２のポール部は、前記ト
ラック方向の幅が前記凹部によって実質的に画定されて
いる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項７に記載された薄膜磁気ヘッド
であって、 前記第１のポール部及び前記第２のポール部の少なくと
も一方は、２つの磁性膜を含み、前記２つの磁性膜は、
物性的特性が互いに異なり、互いに隣接して備えられて
いる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記２つの磁性膜のうち、前記ギャップ膜に隣接する磁
性膜は、飽和磁束密度が他方の磁性膜の飽和磁束密度よ
りも大きい薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１０または１１の何れかに記載
された薄膜磁気ヘッドであって、 前記ギャップ膜に隣接する磁性膜は、比抵抗が、前記他
方の磁性膜の比抵抗よりも大きい薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１０乃至１２の何れかに記載さ
れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記ギャップ膜に隣接する磁性膜は、耐摩耗性が、前記
他方の磁性膜の耐摩耗性よりも優れている薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１４】 請求項１乃至１３の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドであって、 磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気変換素子を含む薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 前記スライダの前記基体表面に前記凹部を形成し、 前記基体表面を除き、前記凹部を含む前記媒体対向面
に、前記保護膜を形成し、 前記基体表面、及び、前記凹部に前記保護膜を形成する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１４の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 前記スライダの前記媒体対向面に前記凹部を形成し、 前記媒体対向面のうち、前記基体表面に前記保護膜を形
成し、 前記基体表面を除き、前記凹部を含む前記媒体対向面の
全面に前記保護膜を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10162683A JPH11353615A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| SG1999002941A SG78363A1 (en) | 1998-06-10 | 1999-06-08 | Thin film magnetic head and manufacturing method thereof |
| US09/327,447 US6198600B1 (en) | 1998-06-10 | 1999-06-08 | Thin film magnetic head and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10162683A JPH11353615A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11353615A true JPH11353615A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15759322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10162683A Pending JPH11353615A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6198600B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11353615A (ja) |
| SG (1) | SG78363A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269889B2 (en) | 2001-09-11 | 2007-09-18 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282061B1 (en) * | 1994-03-17 | 2001-08-28 | Fujitsu Limited | Magnetic head with improved floating surface |
| JP2000113414A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法 |
| US6606222B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-08-12 | Seagate Technology Llc | Convergent channel, trenched disc head slider |
| JP2000149233A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Read Rite Smi Kk | 磁気ヘッド装置、並びに、その製造方法 |
| US6587308B2 (en) * | 1999-01-29 | 2003-07-01 | Seagate Technology, Llc | Disc head slider having profiled convergent channel features |
| JP2001006308A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-01-12 | Fujitsu Ltd | 浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク駆動装置 |
| JP2001084537A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Tdk Corp | バー状ヘッド集合体、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 |
| JP2001110017A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び回転型磁気ヘッド装置 |
| US6433965B1 (en) | 2000-03-02 | 2002-08-13 | Read-Rite Corporation | Laminated carbon-containing overcoats for information storage system transducers |
| US6493185B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Optimized pad design for slider and method for making the same |
| US6714382B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-03-30 | Hitachi Global Storage Technologies | Self-limiting wear contact pad slider and method for making the same |
| US6989965B2 (en) * | 2002-11-07 | 2006-01-24 | Seagate Technology Llc | Head slider having tilted protrusions for ramp load-unload applications |
| JP2005235290A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッドスライダ |
| US7248434B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-07-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Planarized perpendicular pole tip system and method for manufacturing the same |
| US7724474B2 (en) * | 2005-08-09 | 2010-05-25 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising contact pad including portions of closure and substrate and magnetic recording apparatus comprising the head |
| US8547665B2 (en) * | 2008-01-03 | 2013-10-01 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having a material formed in one or more recesses extending into the media support surface of at least one of the substrate and the closure |
| US8339737B2 (en) * | 2009-06-12 | 2012-12-25 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Perpendicular magnetic recording head including non-magnetic protruding layer |
| US8593763B2 (en) * | 2011-04-28 | 2013-11-26 | Seagate Technology Llc | Preventing oil migration to slider fluid bearing surface |
| US10971176B2 (en) | 2019-02-21 | 2021-04-06 | International Business Machines Corporation | Tunnel magnetoresistive sensor with adjacent gap having chromium alloy seed layer and refractory material layer |
| US11594247B1 (en) * | 2022-02-28 | 2023-02-28 | Western Digital Technologies, Inc. | Slider air bearing designs with higher pressure and higher thermal flying height (TFC) efficiency |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0767457B1 (en) * | 1990-01-19 | 2001-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording device |
| JPH07230615A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH08153379A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-06-11 | Sony Corp | 浮上型磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
| US5617273A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-01 | International Business Machines Corporation | Thin film slider with protruding R/W element formed by chemical-mechanical polishing |
| JP2928168B2 (ja) * | 1996-08-28 | 1999-08-03 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JP3597664B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2004-12-08 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US5986851A (en) * | 1997-08-15 | 1999-11-16 | Seagate Technology, Inc. | Selective carbon overcoat of the trailing edge of MR sliders |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP10162683A patent/JPH11353615A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-08 SG SG1999002941A patent/SG78363A1/en unknown
- 1999-06-08 US US09/327,447 patent/US6198600B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269889B2 (en) | 2001-09-11 | 2007-09-18 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG78363A1 (en) | 2001-02-20 |
| US6198600B1 (en) | 2001-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11353615A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH07176014A (ja) | 改良磁極端を有する磁気ヘッド及びその制作方法 | |
| US6801379B2 (en) | Multi-magnetic recording head, and magnetic recording method and magnetic recording apparatus using the same | |
| JP2000105906A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2000057522A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0916925A (ja) | 誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2613906B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3367877B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| US7497008B2 (en) | Method of fabricating a thin film magnetic sensor on a wafer | |
| JP2003317214A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの下部シールド層の形成方法 | |
| JP2002208115A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3639529B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3640916B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2707758B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US6538847B2 (en) | Magnetic head having separated upper magnetic cores for avoiding magnetic saturation and manufacturing method of same | |
| JPH103617A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| US7243411B2 (en) | Method for protecting write head coil during write pole/shaping | |
| JP3837269B2 (ja) | 磁気ヘッドスライダー及びその製造方法 | |
| JP3164050B2 (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 | |
| JP3474533B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3231510B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH11175932A (ja) | インダクティブ／ｍｒ複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JP4033437B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0877520A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP4010702B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030827 |