JPH08153379A - 浮上型磁気ヘッド装置及びその製造方法 - Google Patents

浮上型磁気ヘッド装置及びその製造方法

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JPH08153379A
JPH08153379A JP7104265A JP10426595A JPH08153379A JP H08153379 A JPH08153379 A JP H08153379A JP 7104265 A JP7104265 A JP 7104265A JP 10426595 A JP10426595 A JP 10426595A JP H08153379 A JPH08153379 A JP H08153379A
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magnetic head
slider
head device
intermediate layer
flying
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JP7104265A
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Shuichi Haga
秀一 芳賀
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 スライダと磁気ディスク間の摩耗及び吸着を
低減させて両者の耐摩耗性及びＣＳＳ耐久性を向上させ
るとともに、磁気ヘッド及び磁気ディスクの製品寿命を
大幅に向上させて信頼性の向上を図る。 【構成】 各スライダレール７ａ，７ｂの空気潤滑面ａ
上には、Ｓｉよりなる中間層１１及びダイヤモンド状カ
ーボンよりなる上層１２を順次積層成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して、情報信号の書込み或は読出しを行うのに好適
な浮上型磁気ヘッド装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ等に組み込まれ、情報の記
録及び再生を行うハードディスクドライブ装置は、当然
のことながら、情報の記録媒体である磁気ディスクと、
これに情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドより構成さ
れている。
【０００３】このとき、磁気ヘッドとしては、磁気ディ
スク表面との接触による摩耗損傷を避けるために、起動
時及び停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク表面に接し
た状態にあり、当該磁気ディスクの高速回転時に磁気デ
ィスク表面に発生する空気流によって磁気ヘッドを磁気
ディスク面より微小間隔（いわゆるフライングハイト）
を有して浮上走行させるように構成したいわゆるコンタ
クト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）型の浮上型磁気ヘ
ッドが用いられている。
【０００４】上記浮上型磁気ヘッド装置は、磁気ヘッド
の装着されたスライダと、このスライダに固着されてい
る可撓性を有する板バネ状のジンバルバネと、このジン
バルバネに一端が取り付けられている板バネ状のサスペ
ンションと、更にこのサスペンションの他端にベースプ
レートを介して取り付けられているアームとを有して構
成されている。なお、上記ジンバルバネのスライダ固着
部には、磁気ヘッドの装着されたスライダのディスク表
面からの浮上距離を規定する突起であるディンプルが設
けられている。
【０００５】上記スライダは、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ等よりなる基板からなり、通常砥石による機械加工で
形成され、磁気ディスクに対して上記スライダを微小間
隙をもって安定した浮上姿勢で浮上させるための空気流
入溝と、この空気流入溝の両側に形成されたスライダレ
ールと、空気流入端側の端面上のスライダレール側に真
空薄膜形成技術によって作製された磁気ヘッド素子とを
有して構成されている。
【０００６】上記各スライダレール上にはそれぞれ空気
潤滑面が形成され、これら空気潤滑面の空気流入端側に
は、角度１゜以下のごく緩やかな傾斜面であるテーパ部
が形成されている。上記各空気潤滑面に発生する空気圧
によって上記スライダは浮上せしめられる。各空気潤滑
面上における空気圧の発生は、かなり上記テーパ部に起
因する。
【０００７】また、上記磁気ヘッドは、基板上に下層コ
アが形成され、この上に絶縁膜を介して導体コイル及び
上層コアが形成され構成されている。そして、上記上層
及び下層コアは、導体コイルを中央部に挟んでバックギ
ャップ及び磁気ギャップを介して磁気的に結合され、磁
気回路部を形成する。
【０００８】上記の如く、浮上型磁気ヘッド装置におい
ては、その起動時或は停止時には上記スライダが磁気デ
ィスク表面に接しており、起動動作直後或は停止動作直
後には磁気ディスク表面に摺動することになる。このと
き、スライダ表面及び磁気ディスク表面が極めて平滑な
面であるために、両表面間に密着が起こり易く、両表面
にそれぞれ摩耗が生じる。したがって、上記浮上型磁気
ヘッド装置にはＣＳＳ耐久性の点で深刻な問題がある。
さらに、上記両表面間の摺動により発生する摩耗粉がス
ライダ表面に付着し、当該スライダの浮上性能の早期低
下を来すという問題もある。
【０００９】そこで、上記スライダ表面にダイヤモンド
状カーボンに代表される硬質カーボンよりなる上層を成
膜することが考えられる。ダイヤモンド状カーボンは、
比較的低温にて成膜が可能であり、しかも薄膜状態で自
己潤滑性を有しており、成膜した際の摩擦係数が低く硬
度が高いために耐摩耗性に優れている。したがって、上
記上層を成膜することにより、スライダ表面と磁気ディ
スク表面との間に生じがちな摩耗を防止することが可能
となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】近時ではハードディス
クの高記録密度化への要請が高まっており、この要請に
答えるためにはフライングハイトを極力小さくする必要
がある。したがってこのスペーシングロスを抑えるため
に上記上層は極めて薄いものであり且つスライダとの十
分な密着性を有するものでなくてはならない。しかしな
がら、硬質カーボン、特にダイヤモンド状カーボンより
なる上記上層は内部応力が比較的高いために上記スライ
ダとの密着性が悪く、さらにその厚みが薄くなる程密着
性の低下が著しいものとなる。
【００１１】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、スライダと磁気デ
ィスク間の摩耗及び吸着を低減させて両者の耐摩耗性及
びＣＳＳ耐久性を向上させるとともに、磁気ヘッド及び
磁気ディスクの製品寿命を大幅に向上させて信頼性の向
上を図ることを可能とする浮上型磁気ヘッド装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、磁気ヘッドが設けられたスライダが支持部材により
支持され、起動時及び停止時には磁気ヘッドが磁気ディ
スク表面に接した状態にあり、当該磁気ディスクの高速
回転時に磁気ディスク表面に発生する空気流によって磁
気ヘッドを磁気ディスク面より微小間隔を有して浮上走
行させるように構成した浮上型磁気ヘッド装置及びその
製造方法である。
【００１３】本発明は、上記スライダの浮上面となる主
面の少なくともスライダレール表面に、中間層を介して
硬質カーボンよりなる上層とを順次積層して上記浮上型
磁気ヘッド装置を構成することを特徴とするものであ
る。
【００１４】ここで、上記中間層の材料としては、３族
或は４族に属する元素、或はシリコン系の材料を用いる
ことを特徴とし、具体的には、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｃから
選ばれた少なくとも１種、或はＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，Ｓｉ
Ｏ，Ｓｉ3 Ｎ4 から選ばれた少なくとも１種を用いるこ
とが好適である。
【００１５】また、上記スライダの材料の具体例として
は、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いることが好適である。
【００１６】さらにまた、上記硬質カーボンとしては、
そのビッカース硬度が１０００以上であることが必要で
あることから例えばダイヤモンド状カーボンが挙げられ
る。
【００１７】なお、上記中間層の厚みとしては５オング
ストローム以上１００オングストローム以下であること
が好ましく、また上記上層の厚みとしては１０オングス
トローム以上２００オングストローム以下であることが
好ましい。ここで、中間層或は上層の厚みが５オングス
トローム或は１０オングストロームより小である場合で
は、スライダ表面の十分な摩擦特性を確保することがで
きずに電磁変換特性が低下し、１００オングストローム
或は２００オングストロームより大である場合ではスペ
ーシングロスが大きくなって同様に電磁変換特性の低下
を来すことになる。
【００１８】さらに本発明は、上記浮上型磁気ヘッド装
置を作製するに際して、スライダの浮上面となる主面の
少なくともスライダレール表面にＨ2 ガス或は不活性ガ
スをイオン化させて供給しプラズマエッチング処理等の
エッチング処理を施した後に、上記中間層を成膜し、再
度不活性ガスにより中間層表面にプラズマエッチング等
を施して上記上層を薄膜形成技術により上記中間層上に
積層成膜することを特徴とするものである。
【００１９】この場合、エッチング処理時に使用する不
活性ガスの具体例としてはＡｒを用いることが好適であ
り、また上記中間層及び上層の成膜法である薄膜形成技
術の具体例としては、それぞれプラズマＣＶＤ法，真空
蒸着法，真空スパッタ法，或はイオンプレーティング法
等を用いることが好ましい。
【００２０】
【作用】本発明に係る浮上型磁気ヘッド装置において
は、スライダの浮上面となる主面の少なくともスライダ
レール表面に、３族或は４族に属する１種の元素或はシ
リコン系材料よりなる中間層と硬質カーボンよりなる上
層とが順次積層されている。したがって、上記中間層が
存することによってスライダ表面の成膜箇所と上記上層
との間の密着性が向上するためにフライングハイトを小
さくしてシステムの高記録密度化を図ることが可能とな
るとともに、上記スライダの起動動作直後或は停止動作
直後において磁気ディスク表面に摺動する際にスライダ
表面及び磁気ディスク表面に生じがちな摩耗や吸着の大
幅な低減がなされることになる。
【００２１】また、上記浮上型磁気ヘッド装置を作製す
るに際して、上記スライダ表面の成膜箇所にＨ2 ガス或
は不活性ガスをイオン化させて供給してエッチング処理
を施した後に、薄膜形成技術により上記中間層を成膜
し、この中間層表面に対して再度Ｈ2 ガス或は不活性ガ
スを用いてエッチング処理して上記上層を積層成膜す
る。したがって、Ｈ2 ガス或は不活性ガスを用いた前処
理により上記成膜箇所が洗浄されて活性化され、この状
態で中間層及び上層が成膜されるために、上記成膜箇所
と上記上層との間の密着性が更に向上することになる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明に係る浮上型磁気ヘッド装置及
びその製造方法の具体的な実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
【００２３】本実施例に係る浮上型磁気ヘッド装置は、
図１に示すように、磁気ヘッド素子１が設けられたスラ
イダ２と、このスライダ２に取り付けられ、外部から加
わる外力を緩衝させるジンバルバネ３と、このジンバル
バネ３を介してスライダ２を支持するサスペンション４
と、サスペンション４の端部と接続されて当該サスペン
ション４を回動駆動させるアクチュエータ１４とから構
成されている。
【００２４】スライダ２は、図２に示すように、非磁性
且つ導電性を有する材料であるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣより
なり、スライダ２の磁気ディスク５の対向面には、この
スライダ２を当該磁気ディスク５に対して微小間隙（い
わゆるフライングハイト）をもって安定した浮上姿勢で
浮上させるための空気流入溝６が設けられている。この
空気流入溝６は、溝の深さ０．５〜１００μｍ程でスラ
イダ２の長手方向に形成されており、当該空気流入溝６
の左右長手方向にそれぞれスライダレール７ａ，７ｂが
突出形成されている。なお、スライダ２の材料として
は、非磁性フェライト材、ＳｉＣ系、Ｚｒ０2 系、Ｃａ
ＴｉＯ2 系等のものを用いることも考えられる。
【００２５】上記各スライダレール７ａ，７ｂ上にはそ
れぞれ空気潤滑面ａが形成され、これら空気潤滑面の空
気流入端１０ａ側には、角度１゜以下のごく緩やかな傾
斜面であるテーパ部８ａ，８ｂが形成されている。上記
各空気潤滑面ａに発生する空気圧によって上記スライダ
２は浮上せしめられる。各空気潤滑面ａ上における空気
圧の発生は、かなり上記テーパ部に起因する。
【００２６】そして特に、図３に示すように、各スライ
ダレール７ａ，７ｂの空気潤滑面ａ上には、３族或は４
族に属する元素、或はシリコン系材料よりなる中間層１
１及びダイヤモンド状カーボンよりなる上層１２が順次
積層成膜されている。なお、前記中間層１１の厚みとし
ては５〜１００オングストロームであることが好まし
く、前記上層１２の厚みとしては１０〜２００オングス
トロームであることが好ましい。ここで、中間層１１或
は上層１２の厚みが５或は１０オングストロームより小
である場合では、スライダ２の表面の十分な摩擦特性を
確保することができずに電磁変換特性が低下し、１００
或は２００オングストロームより大である場合では、ス
ペーシングロスが大きくなって同様に電磁変換特性の低
下を来すことになる。
【００２７】また、上記中間層１１として、具体的に
は、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｃ等、或はＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，Ｓ
ｉＯ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の材料を用いることが好適である。
さらに、上記上層１２の材料として用いたダイヤモンド
状カーボンは、ラマン分光による測定にて１５２０〜１
５６０ｃｍ-1付近に幅広いピークを有し、ビッカース硬
度が１０００以上であることから硬質カーボンの好例と
して使用するものである。
【００２８】上記磁気ヘッド素子１は、スライダ２の側
面部、すなわちスライダレール７ａと直交する空気流出
端１０ｂ側の側面部２ａ上に成膜形成されており、その
磁気ギャップｇがスライダレール７ａ（或は側面部２
ａ）の側縁部１３に臨むようになされている。かかる磁
気ヘッド素子１としては、例えばバルク型の磁気ヘッド
やスライダ２と一体化したモノリシック型の磁気ヘッド
あるいは薄膜磁気ヘッド等が用いられるが、中でも高透
磁率且つ高飽和密度の磁性薄膜を用いることが可能であ
り、しかも微小寸法化が高精度で行える等の観点から薄
膜磁気ヘッドを用いることが望ましい。
【００２９】上記の如く構成された浮上型磁気ヘッド装
置においては、上記スライダ２の表面のスライダレール
７ａ，７ｂがその起動時には磁気ディスク５の表面と接
しており、磁気ディスク５の上記図１中矢印Ｒ１方向へ
の回転によって発生する空気流を受けて浮上し、磁気デ
ィスク５の表面から所定のフライングハイトをもって情
報の記録・再生を行う。このとき、磁気ディスク５が矢
印Ｒ１方向に回転すると、アクチュエータによりサスペ
ンション４に支持されたスライダ２が矢印Ｒ２方向に回
動する。そして、磁気ディスク５を停止させるとスライ
ダ２はそのスライダレール７ａ，７ｂが磁気ディスク５
の表面に降下してこの表面に接触した状態となる。
【００３０】ここで、上記スライダ２のスライダレール
７ａ，７ｂの空気潤滑面ａ上に中間層１１及び上層１２
を成膜するには、先ず、所要の真空チャンバー内にスラ
イダ２を設置し、バックグラウンドの真空度が２×１０
-4Ｐａ程度以下となるまで真空引きを行った後に、当該
真空チャンバー内にＡｒガスを導入して０．２Ｐａ程度
となるようにガス量を調整する。
【００３１】次いで、各空気潤滑面ａに対してＨ2 ガス
或はＡｒ等の不活性ガス（以下、単に不活性ガスと記
す。）を用いて投入電力を２００Ｗとして当該不活性ガ
スをイオン化させて供給しプラズマエッチング処理を施
して当該各空気潤滑面ａを洗浄し活性化させた後、真空
スパッタ法によりＳｉＯ2 よりなる中間層１１を膜厚５
〜１００オングストロームに成膜する。その後、この中
間層１１の表面に再度上記と同条件にてプラズマエッチ
ング処理を施し、ソースガスとして例えばメタン，エチ
レン，アセチレン，或はベンゼン等の炭化水素系のガス
（本例ではエチレンガス）を用いて適度に水素を添加し
プラズマＣＶＤ法により上記中間層１１上にダイヤモン
ド状カーボンよりなる上層１２を積層成膜する。
【００３２】なお、中間層１１及び上層１２の成膜法で
ある薄膜形成技術としては、真空スパッタ法及びプラズ
マＣＶＤ法以外にも真空蒸着法やイオンプレーティング
法等の手法を用いることも可能である。
【００３３】このように、本実施例においては、上記ス
ライダ２のスライダレール表面の空気潤滑面ａに、上記
中間層１１とダイヤモンド状カーボンよりなる上層１２
とが順次積層されている。したがって、上記中間層１１
が存することによってスライダ２表面の成膜箇所である
空気潤滑面ａと上記上層１２との間の密着性が向上する
ためにフライングハイトを小さくしてシステムの高記録
密度化を図ることが可能となるとともに、上記スライダ
２の起動動作直後或は停止動作直後において磁気ディス
ク５表面に摺動する際にスライダ２表面及び磁気ディス
ク５表面に生じがちな摩耗や吸着の大幅な低減がなされ
ることになる。
【００３４】また、上記浮上型磁気ヘッド装置を作製す
るに際して、上記スライダ２表面の空気潤滑面ａに不活
性ガスをイオン化させて供給してプラズマエッチング処
理を施した後に、薄膜形成技術により上記中間層１１を
成膜し、この中間層１１の表面に対して再度不活性ガス
を用いてエッチング処理して上記上層１２を積層成膜す
る。したがって、不活性ガスを用いた前処理により上記
空気潤滑面ａが洗浄されて活性化され、この状態で中間
層１１及び上層１２が成膜されるために、上記空気潤滑
面ａと上記上層１２との間の密着性が更に向上すること
になる。
【００３５】ここで、上記実施例に関するいくつかの実
験例について説明する。
【００３６】先ず、第１の実験例について述べる。この
第１の実験例は、Ｓｉを材料として用いて成膜した中間
層１１と上記上層１２との膜厚をそれぞれ変化させて成
膜した場合のＣＳＳ耐久性及び電磁変換特性（実験１）
と、異なる材料を用いて成膜した数種の中間層１１のＣ
ＳＳ耐久性（実験２）とについてそれぞれ調べたもので
ある。
【００３７】先ず、実験１について説明する。ここで、
ＣＳＳ耐久性を測定するに際しては、図４に示すような
ＣＳＳフリクションテスタを使用して行った。このＣＳ
Ｓフリクションテスタは、ロードセルを有してなる測定
手段２１と、ブリッジ２２，ストレインアンプ２３，及
びコンピュータ２４とからなる演算手段２５とから構成
されている。ここで、測定手段２１は、そのアーム２６
に磁気ヘッド素子１を有するスライダ２がサスペンショ
ン４を介して設置されており、磁気ディスク５をスライ
ダ２が摺動する際の摩擦力を上記ロードセルによって電
気出力に変換した後、ブリッジ２２を経由してストレイ
ンアンプ２３にて増幅し、コンピュータ２４にて摩擦係
数に換算して表示する。ここでは、摩擦係数が０．５を
越えるまでのＣＳＳ回数を測定してＣＳＳ耐久性を評価
した。
【００３８】また、電磁変換特性を測定するに際して
は、磁気ディスクとしてＨｃが１８００（Ｏｅ）、Ｂｒ
δが１５０（Ｇμｍ）のものを使用し、記録周波数を１
ＭＨｚとしたときの再生出力値に対して出力波形の高さ
が半分となったときの幅ＰＷ50を指標とした。この幅Ｐ
Ｗ50が狭い程多くの情報が記録可能であることになる。
【００３９】この実験１においては、上記上層１２の膜
厚を１００オングストロームとして、上記中間層１１の
膜厚をそれぞれ０，３，１０，８０，２００オングスト
ロームとした場合をサンプル１〜５として実験Ａとし
た。また、中間層１１の膜厚を５０オングストロームと
して、上層１２の膜厚をそれぞれ０，５，１００，３０
０オングストロームとした場合をサンプル６〜１０と
し、さらに、これらサンプル１〜１０の比較例として中
間層１１及び上層１２を形成しない場合をサンプル１１
として実験Ｂとした。以下、実験ＡにおけるＣＳＳ耐久
性及び電磁変換特性の結果を表１，２に、実験Ｂにおけ
るＣＳＳ耐久性及び電磁変換特性の結果を表３，４に示
す。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】表１及び表３に示すように、サンプル３〜
５及びサンプル８〜１０については、摩擦係数が０．５
を越えるまでのＣＳＳ回数が２００００回を越え、ＣＳ
Ｓ耐久性は極めて良好であった。それに対して、サンプ
ル１，２及びサンプル６，７，１１については、十分な
密着性が確保されずに早い回で摩擦係数が０．５を越
え、良好なＣＳＳ耐久性を得ることはできなかった。
【００４５】また、表２及び表４に示すように、サンプ
ル１〜４及びサンプル６〜９，１１については、測定値
にあまり変化がないことが分かるが、それに対して、サ
ンプル５及びサンプル１０については、出力値，ＰＷ50
共に悪化することが確認された。
【００４６】以上の結果から、上記中間層１１の膜厚は
５〜１００オングストローム、上記上層１２の膜厚は１
０〜２００オングストロームの範囲内であることが望ま
しいことが分かる。
【００４７】次いで、実験２について説明する。この実
験２においては、上記実験１の上記実験１で用いたＣＳ
Ｓフリクションテスタを使用して実験１と同様にＣＳＳ
耐久性を調べた。上記中間層１１及び上記上層１２の膜
厚をそれぞれ５０オングストローム及び１００オングス
トロームとし、中間層１１の材料としてＳｉ，Ｂ，Ａ
ｌ，Ｃを用いて形成したものをサンプル１２〜１５と
し、さらに、これらサンプル１２〜１５の比較例とし
て、Ｃｒ，Ｔａを用いて形成したものをサンプル１６，
１７とした。実験結果を以下の表５に示す。
【００４８】
【表５】
【００４９】このように、サンプル１２〜１５について
は、摩擦係数が０．５を越えるまでのＣＳＳ回数が２０
０００回を越え、ＣＳＳ耐久性は極めて良好であった。
それに対して、サンプル１６，１７については、十分な
密着性が確保されずに早い回で摩擦係数が０．５を越
え、良好なＣＳＳ耐久性を得ることはできなかった。
【００５０】以上の結果から、上記中間層１１の材料と
して、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｃを用いることが好ましいこと
が分かる。
【００５１】次いで、第２の実験例について説明する。
この第２の実験例は、ＳｉＯ2 を材料として成膜された
中間層１１と上記上層１２との膜厚をそれぞれ変化させ
て成膜した場合のＣＳＳ耐久性及び電磁変換特性につい
て調べたものである。ここで、ＣＳＳ耐久性及び電磁変
換特性を測定する手法は、上記第１の実験例の場合と同
様である。
【００５２】この実験においては、上記上層１２の膜厚
を１００オングストロームとして、上記中間層１１の膜
厚をそれぞれ０，３，１０，８０，２００オングストロ
ームとした場合をサンプル２１〜２５として実験１とし
た。また、中間層１１の膜厚を５０オングストロームと
して、上層１２の膜厚をそれぞれ０，５，１００，３０
０オングストロームとした場合をサンプル２６〜３０と
し、さらに、これらサンプル１〜１０の比較例として中
間層１１及び上層１２を形成しない場合をサンプル３１
として実験２とした。以下、実験１におけるＣＳＳ耐久
性及び電磁変換特性の結果を表６，７に、実験２におけ
るＣＳＳ耐久性及び電磁変換特性の結果を表８，９に示
す。
【００５３】
【表６】
【００５４】
【表７】
【００５５】
【表８】
【００５６】
【表９】
【００５７】表６及び表８に示すように、サンプル２３
〜２５及びサンプル２８〜３０については、摩擦係数が
０．５を越えるまでのＣＳＳ回数が２００００回を越
え、ＣＳＳ耐久性は極めて良好であった。それに対し
て、サンプル２１，２２及びサンプル２６，２７，３１
については、十分な密着性が確保されずに早い回で摩擦
係数が０．５を越え、良好なＣＳＳ耐久性を得ることは
できなかった。
【００５８】また、表７及び表９に示すように、サンプ
ル２１〜２４及びサンプル２６〜２９，３１について
は、測定値にあまり変化がないことが分かるが、それに
対して、サンプル２５及びサンプル３０については、出
力値，ＰＷ50共に悪化することが確認された。
【００５９】以上の結果から、上記中間層１１の膜厚は
５〜１００オングストローム、上記上層１２の膜厚は１
０〜２００オングストロームの範囲内であることが望ま
しいこと分かる。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、スライダと磁気ディス
ク間の摩耗及び吸着が低減されて両者の耐摩耗性及びＣ
ＳＳ耐久性が向上するとともに、磁気ヘッド及び磁気デ
ィスクの製品寿命が大幅に向上して信頼性の向上を図る
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る浮上型磁気ヘッド装置を模式的に
示す斜視図である。
【図２】上記浮上型磁気ヘッド装置の構成要素であるス
ライダを模式的に示す斜視図である。
【図３】上記スライダ表面の様子を模式的に示す断面図
である。
【図４】ＣＳＳ耐久性を測定するためのＣＳＳフリクシ
ョンテスタを示す模式図である。
【符号の説明】
１ 磁気ヘッド素子 ２ スライダ ３ ジンバルバネ ４ サスペンション ５ 磁気ディスク ６ 空気流入溝 ７ａ，７ｂ スライダレール ８ａ，８ｂ テーパ部 １０ａ 空気流入端 １０ｂ 空気流出端 １１ 中間層 １２ 上層

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気ヘッドが設けられたスライダが支持
    部材により支持されてなる浮上型磁気ヘッド装置におい
    て、 上記スライダの浮上面となる主面の少なくともスライダ
    レール表面に３族或は４族に属する元素からなる中間層
    と硬質カーボンよりなる上層とが順次積層されてなるこ
    とを特徴とする浮上型磁気ヘッド装置。
  2. 【請求項２】 中間層がＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｃから選ばれ
    た少なくとも１種よりなることを特徴とする請求項１記
    載の浮上型磁気ヘッド装置。
  3. 【請求項３】 スライダがＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣよりなる
    ことを特徴とする請求項１記載の浮上型磁気ヘッド装
    置。
  4. 【請求項４】 硬質カーボンがダイヤモンド状カーボン
    であることを特徴とする請求項１記載の浮上型磁気ヘッ
    ド装置。
  5. 【請求項５】 中間層の厚みが５オングストローム以上
    １００オングストローム以下であることを特徴とする請
    求項１記載の浮上型磁気ヘッド装置。
  6. 【請求項６】 上層の厚みが１０オングストローム以上
    ２００オングストローム以下であることを特徴とする請
    求項１記載の浮上型磁気ヘッド装置。
  7. 【請求項７】 上層のビッカース硬度が１０００以上で
    あることを特徴とする請求項１記載の浮上型磁気ヘッド
    装置。
  8. 【請求項８】 磁気ヘッドが設けられたスライダが支持
    部材により支持されてなる浮上型磁気ヘッド装置におい
    て、 上記スライダの浮上面となる主面の少なくともスライダ
    レール表面にシリコン系材料からなる中間層と硬質カー
    ボンよりなる上層とが順次積層されてなることを特徴と
    する浮上型磁気ヘッド装置。
  9. 【請求項９】 中間層がＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＳｉＯ，Ｓ
    ｉ3 Ｎ4 から選ばれた少なくとも１種よりなることを特
    徴とする請求項８記載の浮上型磁気ヘッド装置。
  10. 【請求項１０】 スライダがＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣよりな
    ることを特徴とする請求項８記載の浮上型磁気ヘッド装
    置。
  11. 【請求項１１】 硬質カーボンがダイヤモンド状カーボ
    ンであることを特徴とする請求項８記載の浮上型磁気ヘ
    ッド装置。
  12. 【請求項１２】 中間層の厚みが５オングストローム以
    上１００オングストローム以下であることを特徴とする
    請求項８記載の浮上型磁気ヘッド装置。
  13. 【請求項１３】 上層の厚みが１０オングストローム以
    上２００オングストローム以下であることを特徴とする
    請求項８記載の浮上型磁気ヘッド装置。
  14. 【請求項１４】 上層のビッカース硬度が１０００以上
    であることを特徴とする請求項８記載の浮上型磁気ヘッ
    ド装置。
  15. 【請求項１５】 磁気ヘッドが設けられたスライダが支
    持部材により支持されてなり、上記スライダの浮上面と
    なる主面の少なくともスライダレール表面に３族或は４
    族に属する元素からなる中間層と硬質カーボンよりなる
    上層とが順次積層されてなる浮上型磁気ヘッド装置を作
    製するに際して、 スライダの浮上面となる主面の少なくともスライダレー
    ル表面にＨ2 ガス或は不活性ガスをイオン化させて供給
    してエッチング処理を施した後に、薄膜形成技術により
    上記中間層を成膜し、この中間層表面に対して再度不活
    性ガスを用いてエッチングを施して上記上層を薄膜形成
    技術により上記中間層上に積層成膜することを特徴とす
    る浮上型磁気ヘッド装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 不活性ガスがＡｒであることを特徴と
    する請求項１５記載の浮上型磁気ヘッド装置の製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 薄膜形成技術として、プラズマＣＶＤ
    法，真空蒸着法，真空スパッタ法，或はイオンプレーテ
    ィング法のうちから選ばれた１つの方法を用いることを
    特徴とする請求項１５記載の浮上型磁気ヘッド装置の製
    造方法。
  18. 【請求項１８】 磁気ヘッドが設けられたスライダが支
    持部材により支持されてなり、上記スライダの浮上面と
    なる主面の少なくともスライダレール表面にシリコン系
    材料からなる中間層と硬質カーボンよりなる上層とが順
    次積層されてなる浮上型磁気ヘッド装置を作製するに際
    して、 スライダの浮上面となる主面の少なくともスライダレー
    ル表面にＨ2 ガス或は不活性ガスをイオン化させて供給
    してエッチング処理を施した後に、薄膜形成技術により
    上記中間層を成膜し、この中間層表面に対して再度不活
    性ガスを用いてエッチングを施して上記上層を薄膜形成
    技術により上記中間層上に積層成膜することを特徴とす
    る浮上型磁気ヘッド装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 不活性ガスがＡｒであることを特徴と
    する請求項１８記載の浮上型磁気ヘッド装置の製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 薄膜形成技術として、プラズマＣＶＤ
    法，真空蒸着法，真空スパッタ法，或はイオンプレーテ
    ィング法のうちから選ばれた１つの方法を用いることを
    特徴とする請求項１８記載の浮上型磁気ヘッド装置の製
    造方法。
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