JP3368064B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3368064B2 JP3368064B2 JP19547994A JP19547994A JP3368064B2 JP 3368064 B2 JP3368064 B2 JP 3368064B2 JP 19547994 A JP19547994 A JP 19547994A JP 19547994 A JP19547994 A JP 19547994A JP 3368064 B2 JP3368064 B2 JP 3368064B2
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- magnetic recording
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/02—Cabinets; Cases; Stands; Disposition of apparatus therein or thereon
- G11B33/08—Insulation or absorption of undesired vibrations or sounds
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリジッド型磁気ディスク
装置、ドラム型磁気記憶装置、カ−ド型磁気記憶装置な
どにの磁気記憶装置に用いる磁気記録媒体に係り、特
に、高い耐衝撃性と高い保磁力を有する磁気記録媒体に
関する。
装置、ドラム型磁気記憶装置、カ−ド型磁気記憶装置な
どにの磁気記憶装置に用いる磁気記録媒体に係り、特
に、高い耐衝撃性と高い保磁力を有する磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年情報量の増加に伴い磁気記憶装置に
は益々の大容量化が要求される一方、小型化の要求も強
まっている。小型化された磁気記憶装置は可搬型コンピ
ュ−タ等に搭載されることも多く、落下等の機械的衝撃
から磁気記憶装置が損傷しない程度の高い耐衝撃性を備
える必要がある。これに対応するために、例えば特開昭
４９−１２２７０７号公報では、磁気記録媒体の基板と
して、ＮｉＰをメッキしたＡｌ合金基板に替えて、より
降伏強度の高い強化ガラス、結晶化ガラス、セラミク
ス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコン、表面酸化
単結晶シリコン等の非金属非磁性基板を使用する手法等
が提案されている。
は益々の大容量化が要求される一方、小型化の要求も強
まっている。小型化された磁気記憶装置は可搬型コンピ
ュ−タ等に搭載されることも多く、落下等の機械的衝撃
から磁気記憶装置が損傷しない程度の高い耐衝撃性を備
える必要がある。これに対応するために、例えば特開昭
４９−１２２７０７号公報では、磁気記録媒体の基板と
して、ＮｉＰをメッキしたＡｌ合金基板に替えて、より
降伏強度の高い強化ガラス、結晶化ガラス、セラミク
ス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコン、表面酸化
単結晶シリコン等の非金属非磁性基板を使用する手法等
が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術で使用されていた上記強化ガラス、結晶化ガラ
ス、セラミクス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコ
ン、表面酸化単結晶シリコン等の基板では、ＮｉＰメッ
キＡｌ合金基板を使用したときに比べ、磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいという問題があることがわか
った。すなわち、本発明者らの研究によると、上記強化
ガラス、結晶化ガラス、セラミクス、アモルファスカ−
ボン、単結晶シリコン、表面酸化単結晶シリコン等の基
板の常温における線膨張係数は、例えばホ−ヤ株式会社
製強化ガラス基板エヌ５エ−で約０．０００００９／ｄ
ｅｇ、コ−ニングインコ−ポレイテッド製結晶化ガラス
基板メムコア２で約０．００００１２／ｄｅｇであり、
ＮｉＰメッキＡｌ合金基板の常温における線膨張係数約
０．００００２３／ｄｅｇに比べて著しく小さく、また
磁性層の常温における線膨張係数例えば約０．００００
１２／ｄｅｇにごく近いかまたはこれよりも小さいた
め、基板上に直接もしくは下地層を介して設けられた磁
性層に基板から加わる面内圧縮歪が小さくなるか、ある
いは面内引っ張り歪が加わり、その結果磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいことが明らかとなった。
来技術で使用されていた上記強化ガラス、結晶化ガラ
ス、セラミクス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコ
ン、表面酸化単結晶シリコン等の基板では、ＮｉＰメッ
キＡｌ合金基板を使用したときに比べ、磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいという問題があることがわか
った。すなわち、本発明者らの研究によると、上記強化
ガラス、結晶化ガラス、セラミクス、アモルファスカ−
ボン、単結晶シリコン、表面酸化単結晶シリコン等の基
板の常温における線膨張係数は、例えばホ−ヤ株式会社
製強化ガラス基板エヌ５エ−で約０．０００００９／ｄ
ｅｇ、コ−ニングインコ−ポレイテッド製結晶化ガラス
基板メムコア２で約０．００００１２／ｄｅｇであり、
ＮｉＰメッキＡｌ合金基板の常温における線膨張係数約
０．００００２３／ｄｅｇに比べて著しく小さく、また
磁性層の常温における線膨張係数例えば約０．００００
１２／ｄｅｇにごく近いかまたはこれよりも小さいた
め、基板上に直接もしくは下地層を介して設けられた磁
性層に基板から加わる面内圧縮歪が小さくなるか、ある
いは面内引っ張り歪が加わり、その結果磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいことが明らかとなった。
【０００４】従って、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決し、磁性層に大きい面内圧縮歪を加えるこ
とにより、磁気記録媒体の保磁力を大きくして再生出力
を高めるとともに、高い耐衝撃性を保つことにより、高
密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することにある。
問題点を解決し、磁性層に大きい面内圧縮歪を加えるこ
とにより、磁気記録媒体の保磁力を大きくして再生出力
を高めるとともに、高い耐衝撃性を保つことにより、高
密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非金属非磁性基板上に少なくとも一層の
多結晶薄膜または非晶質薄膜からなる磁性層を有する磁
気記録媒体において、非金属非磁性基板の常温における
線膨脹係数を０．００００１３／ｄｅｇ以上０．０００
１／ｄｅｇ以下としたものである。
に、本発明は、非金属非磁性基板上に少なくとも一層の
多結晶薄膜または非晶質薄膜からなる磁性層を有する磁
気記録媒体において、非金属非磁性基板の常温における
線膨脹係数を０．００００１３／ｄｅｇ以上０．０００
１／ｄｅｇ以下としたものである。
【０００６】また、本発明は、非金属非磁性基板の常温
における線膨張係数を磁性層の常温における線膨張係数
より大きくしたものである。
における線膨張係数を磁性層の常温における線膨張係数
より大きくしたものである。
【０００７】磁性層としては、負の磁歪定数をもつもの
が用いられる。また磁性層の線膨張係数は、上記非金属
非磁性基板の線膨張係数よりも低い例えば０．００００
１２／ｄｅｇのものが用いられる。
が用いられる。また磁性層の線膨張係数は、上記非金属
非磁性基板の線膨張係数よりも低い例えば０．００００
１２／ｄｅｇのものが用いられる。
【０００８】なお、このような磁気記録媒体と組み合わ
される磁気ヘッドとして、磁気コア（スライダ）の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バイ
ドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする磁
気ヘッドを用いることにより、記憶容量が従来に比べて
１．５倍以上大きく、信頼性の高い大容量磁気記憶装置
を作製できる。磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面にＣ，
Ｓｉ，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3からなる被覆層を設
けると、磁気記憶装置の信頼性を著しく向上できるの
で、より好ましい。
される磁気ヘッドとして、磁気コア（スライダ）の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バイ
ドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする磁
気ヘッドを用いることにより、記憶容量が従来に比べて
１．５倍以上大きく、信頼性の高い大容量磁気記憶装置
を作製できる。磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面にＣ，
Ｓｉ，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3からなる被覆層を設
けると、磁気記憶装置の信頼性を著しく向上できるの
で、より好ましい。
【０００９】
【作用】上記構成に基づく作用を説明する。
【００１０】本発明は、線膨張係数の大きい非金属非磁
性基板を使用することで、高い耐衝撃性を保ちながら、
磁気記録媒体の保磁力を大きくして出力を高めることに
より、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供するもの
であって、これは以下の作用による。
性基板を使用することで、高い耐衝撃性を保ちながら、
磁気記録媒体の保磁力を大きくして出力を高めることに
より、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供するもの
であって、これは以下の作用による。
【００１１】一般的に磁性層としてよく使用されている
Ｃｏを主成分とする合金磁性材料は負の磁歪定数を持つ
ものが多く、これは圧縮歪の方向に保磁力が高くなる性
質を示す。一方、磁気記録媒体では、約１５０℃から３
００℃の基板上に直接もしくは下地層を介して設けられ
た磁性層が室温まで冷却される際、基板と磁性層の熱膨
張率の違いにより、磁性層は基板から面内圧縮または面
内引っ張りの応力を受け歪を生じる。したがって高い保
磁力を得るには磁性層が基板から大きな面内圧縮応力を
受けることが有効である。図３は本発明の実施例１，２
および比較例１〜４の磁気記録媒体の常温における基板
の線膨脹係数と面内円周方向の保磁力の関係を示す図で
ある。この図から明らかな如く、線膨脹係数の大きい基
板を使用した磁気記録媒体は高保磁力を示すことがわか
る。
Ｃｏを主成分とする合金磁性材料は負の磁歪定数を持つ
ものが多く、これは圧縮歪の方向に保磁力が高くなる性
質を示す。一方、磁気記録媒体では、約１５０℃から３
００℃の基板上に直接もしくは下地層を介して設けられ
た磁性層が室温まで冷却される際、基板と磁性層の熱膨
張率の違いにより、磁性層は基板から面内圧縮または面
内引っ張りの応力を受け歪を生じる。したがって高い保
磁力を得るには磁性層が基板から大きな面内圧縮応力を
受けることが有効である。図３は本発明の実施例１，２
および比較例１〜４の磁気記録媒体の常温における基板
の線膨脹係数と面内円周方向の保磁力の関係を示す図で
ある。この図から明らかな如く、線膨脹係数の大きい基
板を使用した磁気記録媒体は高保磁力を示すことがわか
る。
【００１２】次に、非金属非磁性基板の線膨脹係数の好
適な範囲について説明する。磁性層が常温で基板から大
きな面内圧縮応力を受けるためには基板の熱膨張率が磁
性層の熱膨張率より大きいことが必要となる。上記Ｃｏ
を主成分とする合金磁性材料の常温における線膨脹係数
が約０．００００１２／ｄｅｇであることから、非金属
非磁性基板の常温における線膨脹係数を０．００００１
３／ｄｅｇ以上とすることがこのように大きな面内圧縮
応力を受ける上で望ましい。線膨脹係数が０．００００
１３／ｄｅｇ未満では磁性層に基板から加わる面内圧縮
歪が小さくなるか、あるいは面内引っ張り歪が加わり保
磁力が小さくなりやすいため好ましくない。一方、常温
における線膨脹係数が０．０００１／ｄｅｇより大きい
と磁性層の線膨張係数に比べて大きくなり過ぎるため、
磁性層に過大な歪が加わり、基板と磁性層との密着性を
劣化させるのでこれもまた好ましくない。したがって、
高保磁力を得かつ基板と磁性層の密着性を良くする上で
非金属非磁性基板の常温における線膨脹係数を０．００
００１３／ｄｅｇ以上０．０００１／ｄｅｇ以下とする
ことが好ましい。
適な範囲について説明する。磁性層が常温で基板から大
きな面内圧縮応力を受けるためには基板の熱膨張率が磁
性層の熱膨張率より大きいことが必要となる。上記Ｃｏ
を主成分とする合金磁性材料の常温における線膨脹係数
が約０．００００１２／ｄｅｇであることから、非金属
非磁性基板の常温における線膨脹係数を０．００００１
３／ｄｅｇ以上とすることがこのように大きな面内圧縮
応力を受ける上で望ましい。線膨脹係数が０．００００
１３／ｄｅｇ未満では磁性層に基板から加わる面内圧縮
歪が小さくなるか、あるいは面内引っ張り歪が加わり保
磁力が小さくなりやすいため好ましくない。一方、常温
における線膨脹係数が０．０００１／ｄｅｇより大きい
と磁性層の線膨張係数に比べて大きくなり過ぎるため、
磁性層に過大な歪が加わり、基板と磁性層との密着性を
劣化させるのでこれもまた好ましくない。したがって、
高保磁力を得かつ基板と磁性層の密着性を良くする上で
非金属非磁性基板の常温における線膨脹係数を０．００
００１３／ｄｅｇ以上０．０００１／ｄｅｇ以下とする
ことが好ましい。
【００１３】このような線膨張係数をもつ非金属非磁性
基板として各種のガラスがあり、これを用いることで高
い耐衝撃性と高保磁力を共に得ることができる。
基板として各種のガラスがあり、これを用いることで高
い耐衝撃性と高保磁力を共に得ることができる。
【００１４】なお、本発明の磁気記録媒体と組み合わさ
れる磁気ヘットとしては、磁気コア（スライダ）の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み、実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バ
イドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする
磁気ヘッドを用いることにより、信頼性の高い大容量の
磁気記憶装置を作製できるため好ましい。ジルコニア，
アルミナチタンカ−バイド，およびフェライトは０．０
０５ｃａｌ／ｓｅｃ／ｃｍ／ｄｅｇ以上の熱伝導率を持
ち熱歪が少なく、潤滑剤の熱揮発の発生が少ないことに
よって、耐摺動特性が向上するためである。さらに、磁
気ヘッドの磁気記録媒体対向面にＣ，Ｓｉ，ＳｉＯ2，
ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3からなる被覆層を設けると、磁気記
憶装置の信頼性を著しく向上できるので、より好まし
い。これは、磁気ヘッドと磁気記録媒体が接触したとき
の摩擦係数を低減できるためである。このような磁気ヘ
ッドは、低摩擦係数のため、動作中に摩擦熱により磁気
記録媒体の温度を上昇して、面内圧縮歪を低下させその
保磁力を低下させるおそれがないので、好都合である。
れる磁気ヘットとしては、磁気コア（スライダ）の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み、実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バ
イドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする
磁気ヘッドを用いることにより、信頼性の高い大容量の
磁気記憶装置を作製できるため好ましい。ジルコニア，
アルミナチタンカ−バイド，およびフェライトは０．０
０５ｃａｌ／ｓｅｃ／ｃｍ／ｄｅｇ以上の熱伝導率を持
ち熱歪が少なく、潤滑剤の熱揮発の発生が少ないことに
よって、耐摺動特性が向上するためである。さらに、磁
気ヘッドの磁気記録媒体対向面にＣ，Ｓｉ，ＳｉＯ2，
ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3からなる被覆層を設けると、磁気記
憶装置の信頼性を著しく向上できるので、より好まし
い。これは、磁気ヘッドと磁気記録媒体が接触したとき
の摩擦係数を低減できるためである。このような磁気ヘ
ッドは、低摩擦係数のため、動作中に摩擦熱により磁気
記録媒体の温度を上昇して、面内圧縮歪を低下させその
保磁力を低下させるおそれがないので、好都合である。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面により説明す
る。
る。
【００１６】実施例１
図１は本発明の実施例１の磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【００１７】中心線平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ
φ、厚さ１．０ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００１８／ｄｅｇの日本電気硝子株式会社製エムエル−
０１ガラス基板１１上にＤＣマグネトロンスパッタ法
で、基板温度２５０℃、アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒ、
投入電力１０Ｗ／ｃｍ2で膜厚３０ｎｍのＣｒ下地層１
２，１２’、膜厚３０ｎｍのＣｏ0．78Ｃｒ0．16Ｔ
ａ0．06磁性層１３，１３’を形成した後、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度１４０℃、アルゴンガス
圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ2で膜厚１０ｎ
ｍのカ−ボン保護被覆層１４，１４’を形成し、さらに
末端にベンゼン環を含む吸着性極性基を有するパ−フル
オロアルキルポリエ−テル潤滑層１５，１５’を４ｎｍ
設けてディスク状磁気記録媒体とした。
φ、厚さ１．０ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００１８／ｄｅｇの日本電気硝子株式会社製エムエル−
０１ガラス基板１１上にＤＣマグネトロンスパッタ法
で、基板温度２５０℃、アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒ、
投入電力１０Ｗ／ｃｍ2で膜厚３０ｎｍのＣｒ下地層１
２，１２’、膜厚３０ｎｍのＣｏ0．78Ｃｒ0．16Ｔ
ａ0．06磁性層１３，１３’を形成した後、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度１４０℃、アルゴンガス
圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ2で膜厚１０ｎ
ｍのカ−ボン保護被覆層１４，１４’を形成し、さらに
末端にベンゼン環を含む吸着性極性基を有するパ−フル
オロアルキルポリエ−テル潤滑層１５，１５’を４ｎｍ
設けてディスク状磁気記録媒体とした。
【００１８】実施例２
次に、図１に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の実施
例について説明する。
例について説明する。
【００１９】中心線平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ
φ、厚さ１．５ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００１６／ｄｅｇの日本電気硝子株式会社製エ−３ガラ
ス基板を使用し、実施例１と同じ方法で磁気記録媒体を
作製した。
φ、厚さ１．５ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００１６／ｄｅｇの日本電気硝子株式会社製エ−３ガラ
ス基板を使用し、実施例１と同じ方法で磁気記録媒体を
作製した。
【００２０】実施例３
図２は本発明の実施例３の磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【００２１】中心線平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ
φ、厚さ０．６３５ｍｍ、常温における線膨張係数０．
００００１８／ｄｅｇの日本電気硝子株式会社製エムエ
ル−０１ガラス基板２１上にＤＣマグネトロンスパッタ
法で、基板温度２５０℃、アルゴンガス圧３ｍＴｏｒ
ｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ2で膜厚２５ｎｍのＣｏ0．76
Ｃｒ0．16Ｐｔ0．08磁性層２２，２２’を形成した後、
ＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度１００℃、ア
ルゴン８５ｖｏｌ％メタン１５ｖｏｌ％混合ガス圧１０
ｍＴｏｒｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ2で膜厚１０ｎｍのカ
−ボン保護被覆層２３，２３’を形成し、さらに末端に
をＣＮを含む吸着性極性基を有するパ−フルオロアルキ
ルポリエ−テル潤滑層２４，２４’を４ｎｍ設けて磁気
記録媒体とした。
φ、厚さ０．６３５ｍｍ、常温における線膨張係数０．
００００１８／ｄｅｇの日本電気硝子株式会社製エムエ
ル−０１ガラス基板２１上にＤＣマグネトロンスパッタ
法で、基板温度２５０℃、アルゴンガス圧３ｍＴｏｒ
ｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ2で膜厚２５ｎｍのＣｏ0．76
Ｃｒ0．16Ｐｔ0．08磁性層２２，２２’を形成した後、
ＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度１００℃、ア
ルゴン８５ｖｏｌ％メタン１５ｖｏｌ％混合ガス圧１０
ｍＴｏｒｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ2で膜厚１０ｎｍのカ
−ボン保護被覆層２３，２３’を形成し、さらに末端に
をＣＮを含む吸着性極性基を有するパ−フルオロアルキ
ルポリエ−テル潤滑層２４，２４’を４ｎｍ設けて磁気
記録媒体とした。
【００２２】比較例１
次に、図１に示す構造の磁気記録媒体で比較例１につい
て説明する。
て説明する。
【００２３】中心線平均面粗さ３ｎｍの直径６５ｍｍ
φ、厚さ０．８ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００１２／ｄｅｇのコ−ニングインコ−ポレイテッド製
メムコア２結晶化ガラス基板を使用し、実施例１と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
φ、厚さ０．８ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００１２／ｄｅｇのコ−ニングインコ−ポレイテッド製
メムコア２結晶化ガラス基板を使用し、実施例１と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
【００２４】比較例２
次に、図１に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の比較
例について説明する。
例について説明する。
【００２５】中心線平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ
φ、厚さ０．６３５ｍｍ、常温における線膨張係数０．
０００００９／ｄｅｇのホ−ヤ株式会社製エヌ５エ−強
化ガラス基板を使用し、実施例１と同じ方法で磁気記録
媒体を作製した。
φ、厚さ０．６３５ｍｍ、常温における線膨張係数０．
０００００９／ｄｅｇのホ−ヤ株式会社製エヌ５エ−強
化ガラス基板を使用し、実施例１と同じ方法で磁気記録
媒体を作製した。
【００２６】比較例３
次に、図１に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の比較
例について説明する。
例について説明する。
【００２７】中心線平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ
φ、厚さ０．６３５ｍｍ、常温における線膨張係数０．
０００００３／ｄｅｇの株式会社神戸製鋼所製アモルフ
ァスカ−ボン基板ユ−ダックを使用し、実施例１と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
φ、厚さ０．６３５ｍｍ、常温における線膨張係数０．
０００００３／ｄｅｇの株式会社神戸製鋼所製アモルフ
ァスカ−ボン基板ユ−ダックを使用し、実施例１と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
【００２８】比較例４
次に、図１に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の比較
例について説明する。
例について説明する。
【００２９】中心線平均面粗さ１ｎｍの直径６５ｍｍ
φ、厚さ０．８ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００２３／ｄｅｇのＮｉＰメッキＡｌ合金基板を使用
し、実施例１と同じ方法で磁気記録媒体を作製した。
φ、厚さ０．８ｍｍ、常温における線膨張係数０．００
００２３／ｄｅｇのＮｉＰメッキＡｌ合金基板を使用
し、実施例１と同じ方法で磁気記録媒体を作製した。
【００３０】実施例４
上記実施例１〜３および比較例１〜４の磁気記録媒体の
面内円周方向の保磁力を振動試料型磁力計により測定し
た。
面内円周方向の保磁力を振動試料型磁力計により測定し
た。
【００３１】図３は常温における基板の線膨張係数と磁
気記録媒体の面内円周方向の保磁力の関係を示す図であ
る。図３で、「実１」「実２」は上記実施例１と２を、
「比１」〜「比４」は上記比較例１〜４を示す。比較例
４は、基板の線膨張係数が本発明の条件を満足してい
て、保磁力が大きくても、ＮｉＰメッキＡｌの合金基板
を用いたため表面硬度が低く変形が生じてしまい、後記
のようにエラーが発生した。
気記録媒体の面内円周方向の保磁力の関係を示す図であ
る。図３で、「実１」「実２」は上記実施例１と２を、
「比１」〜「比４」は上記比較例１〜４を示す。比較例
４は、基板の線膨張係数が本発明の条件を満足してい
て、保磁力が大きくても、ＮｉＰメッキＡｌの合金基板
を用いたため表面硬度が低く変形が生じてしまい、後記
のようにエラーが発生した。
【００３２】さらに上記実施例１〜３および比較例１〜
４の磁気記録媒体を１，２，４ないし８枚用い、磁気コ
アの一部にＮｉＦｅ合金を少なくとも含み、コア部をジ
ルコニアを主たる成分とする非磁性材料とした薄膜磁気
ヘッドを組み合わせて図４に示す磁気記憶装置を作製
し、記録再生特性を評価した。図４において、４０１，
４０２，４０３，４０４は本発明より成る磁気記録媒
体、４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，４１
０，４１１，４１２は磁気ヘッド、４１３は可動式ヘッ
ドア−ム、４１４はボイスコイルモ−タ、４１５は制御
回路、４１６は位置決め検出回路、４１７はヘッド選択
スイッチ、４１８は記録再生回路、４１９はコントロ−
ラである。この装置で８０ｋＦＣＩの信号を記録再生し
たときの装置Ｓ／Ｎを評価した。
４の磁気記録媒体を１，２，４ないし８枚用い、磁気コ
アの一部にＮｉＦｅ合金を少なくとも含み、コア部をジ
ルコニアを主たる成分とする非磁性材料とした薄膜磁気
ヘッドを組み合わせて図４に示す磁気記憶装置を作製
し、記録再生特性を評価した。図４において、４０１，
４０２，４０３，４０４は本発明より成る磁気記録媒
体、４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，４１
０，４１１，４１２は磁気ヘッド、４１３は可動式ヘッ
ドア−ム、４１４はボイスコイルモ−タ、４１５は制御
回路、４１６は位置決め検出回路、４１７はヘッド選択
スイッチ、４１８は記録再生回路、４１９はコントロ−
ラである。この装置で８０ｋＦＣＩの信号を記録再生し
たときの装置Ｓ／Ｎを評価した。
【００３３】さらに、上記磁気記憶装置に１５０Ｇ，１
１ｍｓｅｃの衝撃を与えた後、エラ−の発生の有無を調
べた。
１ｍｓｅｃの衝撃を与えた後、エラ−の発生の有無を調
べた。
【００３４】以上の結果を図５にまとめて示す。
【００３５】図５に示すように、実施例１〜３の磁気記
録媒体は比較例１〜４の磁気記録媒体に比べ、保磁力が
高く記録再生特性に格段に優れ、また耐衝撃性も優れて
いることが明らかとなった。
録媒体は比較例１〜４の磁気記録媒体に比べ、保磁力が
高く記録再生特性に格段に優れ、また耐衝撃性も優れて
いることが明らかとなった。
【００３６】実施例５
次に実施例１〜３の磁気記録媒体を使用した上記実施例
４の磁気記憶装置の磁気ヘッドを、磁気抵抗効果素子を
再生部に含み、コア部をアルミナチタンカ−バイドを主
たる成分とする非磁性材料とした記録再生分離型磁気ヘ
ッドに替えて、実施例４と同様の手法で記録再生特性を
評価したところ、装置Ｓ／Ｎが１．５倍以上向上した。
実施例１〜３の磁気記録媒体と磁気抵抗効果素子を再生
部に含む記録再生分離型磁気ヘッドとの組合せでは、媒
体Ｓ／Ｎが大きいため磁気ヘッドの浮上量を大きくでき
ること等により信頼性の高い磁気記憶装置を提供でき
る。エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めたとこ
ろ、従来の記録媒体を用いた装置に比べ、２〜１０倍以
上の寿命となり高い信頼性が得られた。磁気抵抗効果素
子の表面にＣ，Ｓｉ，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の
層を設けると、装置の信頼性をさらに向上できるので好
ましい。
４の磁気記憶装置の磁気ヘッドを、磁気抵抗効果素子を
再生部に含み、コア部をアルミナチタンカ−バイドを主
たる成分とする非磁性材料とした記録再生分離型磁気ヘ
ッドに替えて、実施例４と同様の手法で記録再生特性を
評価したところ、装置Ｓ／Ｎが１．５倍以上向上した。
実施例１〜３の磁気記録媒体と磁気抵抗効果素子を再生
部に含む記録再生分離型磁気ヘッドとの組合せでは、媒
体Ｓ／Ｎが大きいため磁気ヘッドの浮上量を大きくでき
ること等により信頼性の高い磁気記憶装置を提供でき
る。エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めたとこ
ろ、従来の記録媒体を用いた装置に比べ、２〜１０倍以
上の寿命となり高い信頼性が得られた。磁気抵抗効果素
子の表面にＣ，Ｓｉ，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の
層を設けると、装置の信頼性をさらに向上できるので好
ましい。
【００３７】ここで、下地層１２，１２’にはＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｖ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−
Ｗ，Ｃ，Ｎｉ−Ｐ等が用いられる。磁性層１３，１
３’，３２，３２’にはＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｓｉ等が用いられる。これらの磁性層は、いず
れも線膨張係数が約０．００００１２／ｄｅｇである。
また保護被覆層１４，１４’，３３，３３’にはＣ，炭
化物，窒化物，酸化物，硼化物等を用いることができ、
いずれの組合せでも同様の効果が得られる。また、下地
層、磁性層、保護被覆層を２層以上で構成しても差し支
えない。
ｏ，Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｖ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−
Ｗ，Ｃ，Ｎｉ−Ｐ等が用いられる。磁性層１３，１
３’，３２，３２’にはＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｓｉ等が用いられる。これらの磁性層は、いず
れも線膨張係数が約０．００００１２／ｄｅｇである。
また保護被覆層１４，１４’，３３，３３’にはＣ，炭
化物，窒化物，酸化物，硼化物等を用いることができ、
いずれの組合せでも同様の効果が得られる。また、下地
層、磁性層、保護被覆層を２層以上で構成しても差し支
えない。
【００３８】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、磁性層に比べて線膨張係数の大きい非金属非磁性
基板を使用することにより、高い耐衝撃性を保ちなが
ら、記録媒体の保磁力を大きくして再生出力を高め、高
密度記録が可能な磁気記録媒体が得られるという効果が
ある。
れば、磁性層に比べて線膨張係数の大きい非金属非磁性
基板を使用することにより、高い耐衝撃性を保ちなが
ら、記録媒体の保磁力を大きくして再生出力を高め、高
密度記録が可能な磁気記録媒体が得られるという効果が
ある。
【００３９】また、非金属非磁性基板として常温におけ
る線膨張係数が０．００００１３／ｄｅｇ〜０．０００
１／ｄｅｇの範囲のものを用いることにより、Ｃｏ系等
線膨張係数が約０．００００１２／ｄｅｇまたはそれ以
下の磁性層と組み合わせて高い保磁力及び高い耐衝撃性
を有する磁気記録媒体が得られるという効果がある。
る線膨張係数が０．００００１３／ｄｅｇ〜０．０００
１／ｄｅｇの範囲のものを用いることにより、Ｃｏ系等
線膨張係数が約０．００００１２／ｄｅｇまたはそれ以
下の磁性層と組み合わせて高い保磁力及び高い耐衝撃性
を有する磁気記録媒体が得られるという効果がある。
【図１】本発明の実施例１における磁気記録媒体の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例３における磁気記録媒体の断面
図である。
図である。
【図３】基板の線膨脹係数と磁気記録媒体の保磁力の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４】本発明の実施例４における磁気記憶装置の構成
図である。
図である。
【図５】実施例及び比較例の各種特性を示す図である。
１１，２１ 非磁性基板
１２，１２’ 下地層
１３，１３’，２２，２２’ 磁性層
１４，１４’，２３，２３’ 保護被覆層
１５，１５’，２４，２４’ 潤滑層
４０１，４０２，４０３，４０４ 磁気記録媒体
４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，４１０，４
１１，４１２ 磁気ヘッド ４１３ 可動式ヘッドア−ム ４１４ ボイスコイルモ−タ ４１５ 制御回路 ４１６ 位置決め検出回路 ４１７ ヘッド選択スイッチ ４１８ 記録再生回路 ４１９ コントロ−ラ
１１，４１２ 磁気ヘッド ４１３ 可動式ヘッドア−ム ４１４ ボイスコイルモ−タ ４１５ 制御回路 ４１６ 位置決め検出回路 ４１７ ヘッド選択スイッチ ４１８ 記録再生回路 ４１９ コントロ−ラ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 稲垣 譲
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 藤田 塩地
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 米川 隆生
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 正田 光広
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 加藤 章
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 細江 譲
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社 日立製作所 中央研究所内
(72)発明者 五十嵐 万壽和
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社 日立製作所 中央研究所内
(56)参考文献 特開 昭62−9921（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−253522（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−13219（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−92680（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−169722（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/66
G11B 5/73
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラスからなる非金属非磁性基板上に少
なくとも一層の多結晶薄膜または非晶質薄膜のＣｏを主
成分とする合金からなる磁性層を有する磁気記録媒体で
あって、前記ガラスからなる 非金属非磁性基板の常温における線
膨脹係数が０．００００１３／ｄｅｇ以上０．０００１
／ｄｅｇ以下であって、且つ前記ガラスからなる非金属
非磁性基板の常温における線膨張係数を前記磁性層の常
温における線膨張係数よりも大きくして、高い耐衝撃性
と高保磁力を得ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記磁性層は負の磁歪定数を有すること
を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19547994A JP3368064B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 磁気記録媒体 |
| US08/518,391 US5906884A (en) | 1994-08-19 | 1995-08-15 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19547994A JP3368064B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863731A JPH0863731A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3368064B2 true JP3368064B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=16341775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19547994A Expired - Fee Related JP3368064B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5906884A (ja) |
| JP (1) | JP3368064B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4568926B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2010-10-27 | ソニー株式会社 | 磁気機能素子及び磁気記録装置 |
| US7706103B2 (en) | 2006-07-25 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Electric field assisted writing using a multiferroic recording media |
| US20100053817A1 (en) * | 2008-09-04 | 2010-03-04 | Robert Glenn Biskeborn | Coated magnetic head and methods for fabrication thereof |
| US8611044B2 (en) | 2011-06-02 | 2013-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having separate protection for read transducers and write transducers |
| US8611043B2 (en) | 2011-06-02 | 2013-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having polycrystalline coating |
| US8837082B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-09-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording head having quilted-type coating |
| US9036297B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-05-19 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording head having protected reader sensors and near zero recession writer poles |
| US8780496B2 (en) | 2012-09-21 | 2014-07-15 | International Business Machines Corporation | Device such as magnetic head having hardened dielectric portions |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1800523A1 (de) * | 1968-10-02 | 1970-07-02 | Ibm Deutschland | Verfahren zur Herstellung einer Magnetschicht mit niedriger Magnetostriktion und mit hoher Koerzitivkraft fuer magnetische Aufzeichnungstraeger |
| JPS49122707A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-25 | ||
| US4438066A (en) * | 1981-06-30 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Zero to low magnetostriction, high coercivity, polycrystalline, Co-Pt magnetic recording media |
| JPS61247932A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トルクセンサ |
| US4680211A (en) * | 1985-07-25 | 1987-07-14 | The Dow Chemical Company | Recording disks |
| JPH0692263B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-11-16 | 伊藤忠商事株式会社 | 記録ディスク基板及びその製造方法 |
| CA2039161A1 (en) * | 1989-08-31 | 1991-03-01 | Keisuke Funaki | Magnetic recording medium |
| US5431804A (en) * | 1990-10-09 | 1995-07-11 | Diamond Technologies Company | Nickel-cobalt-boron alloy deposited on a substrate |
| US5401572A (en) * | 1991-06-27 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording method for digital image signal |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP19547994A patent/JP3368064B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-15 US US08/518,391 patent/US5906884A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5906884A (en) | 1999-05-25 |
| JPH0863731A (ja) | 1996-03-08 |
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