JPH05258288A - 磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記憶装置Info
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- JPH05258288A JPH05258288A JP5223292A JP5223292A JPH05258288A JP H05258288 A JPH05258288 A JP H05258288A JP 5223292 A JP5223292 A JP 5223292A JP 5223292 A JP5223292 A JP 5223292A JP H05258288 A JPH05258288 A JP H05258288A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】耐摺動性に優れ、高密度記録に適した磁気記録
媒体および信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供す
る。 【構成】磁性層上に設けた第一の保護被覆層の硬度を５
ＧＰａ以上とし、さらにその上に設けた第二の保護被覆
層をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成
る第一の群から選ばれた少なくとも１種の元素から構成
した磁気記録媒体、および該磁気記録媒体面を有する磁
気記憶装置。
媒体および信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供す
る。 【構成】磁性層上に設けた第一の保護被覆層の硬度を５
ＧＰａ以上とし、さらにその上に設けた第二の保護被覆
層をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成
る第一の群から選ばれた少なくとも１種の元素から構成
した磁気記録媒体、および該磁気記録媒体面を有する磁
気記憶装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフレキシブル型磁気ディ
スク装置，ドラム型磁気記憶装置，テープ型磁気記憶装
置，カード型磁気記憶装置，リジッド型磁気ディスク装
置などに用いる磁気記録媒体および磁気記憶装置に関す
る。
スク装置，ドラム型磁気記憶装置，テープ型磁気記憶装
置，カード型磁気記憶装置，リジッド型磁気ディスク装
置などに用いる磁気記録媒体および磁気記憶装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に対応するため、酸
化鉄薄膜，窒化鉄薄膜，磁性合金薄膜などの薄膜磁性層
を記録層とする磁気記録媒体の研究開発が進められてい
る。これら薄膜媒体は非磁性基体上にスパッタリング
法，真空蒸着法，メッキ法，イオンプレーティング法等
の手法により形成されることが多い。これらは膜厚が小
さいこと、保磁力や磁化が大きいことなどの理由により
高記録密度化に適していると言える。しかし、磁性薄膜
を用いた磁気記録媒体は磁気ヘッドの摺動により損傷を
受けやすく、耐摺動性が悪いという問題を持っている。
磁気ファイルとして使用される磁気記録媒体等は、特に
高度の信頼性が要求されるため、これら問題点を克服す
ることは、高記録密度化を実現するうえで極めて重要で
ある。
化鉄薄膜，窒化鉄薄膜，磁性合金薄膜などの薄膜磁性層
を記録層とする磁気記録媒体の研究開発が進められてい
る。これら薄膜媒体は非磁性基体上にスパッタリング
法，真空蒸着法，メッキ法，イオンプレーティング法等
の手法により形成されることが多い。これらは膜厚が小
さいこと、保磁力や磁化が大きいことなどの理由により
高記録密度化に適していると言える。しかし、磁性薄膜
を用いた磁気記録媒体は磁気ヘッドの摺動により損傷を
受けやすく、耐摺動性が悪いという問題を持っている。
磁気ファイルとして使用される磁気記録媒体等は、特に
高度の信頼性が要求されるため、これら問題点を克服す
ることは、高記録密度化を実現するうえで極めて重要で
ある。
【０００３】従来の連続薄膜を用いた磁気記録媒体で
は、問題点を解決するため、磁性膜上にＣ系保護被覆層
を形成する手法（特開昭61−54017号公報，特開昭61−5
4019号公報）、Ｃ系保護被覆層上にさらに有機系液体潤
滑剤を形成する手法（特開昭61−96512号公報）、ＷＣ
保護被覆層を形成する手法（特開昭49−20081号公報，
特開昭53−21901号公報，特開昭53−21902号公報）、Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗの窒化物あるい
は炭化物保護被覆層を形成する手法（米国特許Ｒｅ.324
64号公報）、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆの酸化物，窒化
物，炭化物，硼化物保護被覆層を形成する手法（特開昭
63−66722 号公報）、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕを形成する手法
（特開昭53−39708 号公報）、Ｃｏ，Ｐｄ，Ｎｉ上にＲ
ｈ，Ｐｔ，Ｒｕを形成する手法（特開昭51−58304 号公
報）等が提案されている。
は、問題点を解決するため、磁性膜上にＣ系保護被覆層
を形成する手法（特開昭61−54017号公報，特開昭61−5
4019号公報）、Ｃ系保護被覆層上にさらに有機系液体潤
滑剤を形成する手法（特開昭61−96512号公報）、ＷＣ
保護被覆層を形成する手法（特開昭49−20081号公報，
特開昭53−21901号公報，特開昭53−21902号公報）、Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗの窒化物あるい
は炭化物保護被覆層を形成する手法（米国特許Ｒｅ.324
64号公報）、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆの酸化物，窒化
物，炭化物，硼化物保護被覆層を形成する手法（特開昭
63−66722 号公報）、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕを形成する手法
（特開昭53−39708 号公報）、Ｃｏ，Ｐｄ，Ｎｉ上にＲ
ｈ，Ｐｔ，Ｒｕを形成する手法（特開昭51−58304 号公
報）等が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者らの
検討によると、上記のＣ，酸化物，窒化物，炭化物，硼
化物等の非金属保護被覆層を設ける従来技術の場合に
は、保護被覆層の硬度は相対的に高いにもかかわらず、
化学的安定性に劣るため、磁気ヘッドの摺動によりヘッ
ド材や雰囲気に存在するガス，水等と化学反応を起こし
破壊に至り易く、特に、ＣＳＳ時や磁気ヘッドと磁気記
録媒体とが高速で接触する場合の耐摺動性が不十分であ
った。一方、Ａｌ，Ｐｔ，ＡｕやＣｏ，Ｐｄ，Ｎｉ上に
Ｒｈ，Ｐｔ，Ｒｕなどの金属保護被覆層を設ける別の従
来技術の場合には、保護被覆層の化学的安定性が高く、
磁気ヘッドと磁気記録媒体との高速接触時の強度は高い
ものの、硬度が小さいため摩耗し易く、長期的な観点で
十分な耐摺動性を示さないことが問題であった。
検討によると、上記のＣ，酸化物，窒化物，炭化物，硼
化物等の非金属保護被覆層を設ける従来技術の場合に
は、保護被覆層の硬度は相対的に高いにもかかわらず、
化学的安定性に劣るため、磁気ヘッドの摺動によりヘッ
ド材や雰囲気に存在するガス，水等と化学反応を起こし
破壊に至り易く、特に、ＣＳＳ時や磁気ヘッドと磁気記
録媒体とが高速で接触する場合の耐摺動性が不十分であ
った。一方、Ａｌ，Ｐｔ，ＡｕやＣｏ，Ｐｄ，Ｎｉ上に
Ｒｈ，Ｐｔ，Ｒｕなどの金属保護被覆層を設ける別の従
来技術の場合には、保護被覆層の化学的安定性が高く、
磁気ヘッドと磁気記録媒体との高速接触時の強度は高い
ものの、硬度が小さいため摩耗し易く、長期的な観点で
十分な耐摺動性を示さないことが問題であった。
【０００５】本発明の目的は、金属または酸化物，窒化
物等の磁性層上に、磁性層との密着性に優れた高硬度，
高靱性の第一の保護被覆層を形成し、さらにその上に第
一の保護被覆層との密着性に優れると共に、化学的安定
性に優れた第二の保護被覆層を形成することにより、耐
摺動性に優れ、高密度記録に適した磁気記録媒体および
信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供することを目的
とする。
物等の磁性層上に、磁性層との密着性に優れた高硬度，
高靱性の第一の保護被覆層を形成し、さらにその上に第
一の保護被覆層との密着性に優れると共に、化学的安定
性に優れた第二の保護被覆層を形成することにより、耐
摺動性に優れ、高密度記録に適した磁気記録媒体および
信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、保護被覆層を二層構造とし、磁性層上に設
けた第一の保護被覆層を非金属材料から構成し、さらに
その上に設けた表面側の第二の保護被覆層をＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成る第一の群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素から構成したものであ
る。磁性層上に設けた第一の保護被覆層の硬度を５ＧＰ
ａ以上とすればさらに好ましい。ここで上記保護被覆層
上に少なくとも一つの吸着性末端基を有する潤滑剤層を
存在せしめることで耐摺動性，耐食性を著しく向上でき
る。上記第一の保護被覆層の膜厚を１ｎｍ以上３５ｎｍ
以下、上記第二の保護被覆層の膜厚を１ｎｍ以上５ｎｍ
以下とし、さらに第一の保護被覆層と第二の保護被覆層
を合わせた全保護被覆層の膜厚を２ｎｍ以上４０ｎｍ以
下することで耐摺動性を高く保つと共に記録再生特性も
良好にできる。
するために、保護被覆層を二層構造とし、磁性層上に設
けた第一の保護被覆層を非金属材料から構成し、さらに
その上に設けた表面側の第二の保護被覆層をＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成る第一の群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素から構成したものであ
る。磁性層上に設けた第一の保護被覆層の硬度を５ＧＰ
ａ以上とすればさらに好ましい。ここで上記保護被覆層
上に少なくとも一つの吸着性末端基を有する潤滑剤層を
存在せしめることで耐摺動性，耐食性を著しく向上でき
る。上記第一の保護被覆層の膜厚を１ｎｍ以上３５ｎｍ
以下、上記第二の保護被覆層の膜厚を１ｎｍ以上５ｎｍ
以下とし、さらに第一の保護被覆層と第二の保護被覆層
を合わせた全保護被覆層の膜厚を２ｎｍ以上４０ｎｍ以
下することで耐摺動性を高く保つと共に記録再生特性も
良好にできる。
【０００７】このような磁気記録媒体と磁気コアの一部
に金属磁性合金を少なくとも含み、実質的にジルコニア
もしくはアルミナチタンカーバイドもしくはフェライト
を磁気コアの主たる成分とする磁気ヘッドとを組み合わ
せることにより、記憶容量が従来に比べ１.５ 倍以上大
きい磁気記憶装置を作製できる。また、上記磁気記憶装
置に使用する磁気ヘッドは金属磁性合金を少なくとも磁
気コアの一部として含み、実質的にジルコニアもしくは
アルミナチタンカーバイドもしくはフェライトを磁気コ
ア部の主たる成分とすることにより磁気記憶装置の信頼
性を著しく高めることができるので特に望ましい。
に金属磁性合金を少なくとも含み、実質的にジルコニア
もしくはアルミナチタンカーバイドもしくはフェライト
を磁気コアの主たる成分とする磁気ヘッドとを組み合わ
せることにより、記憶容量が従来に比べ１.５ 倍以上大
きい磁気記憶装置を作製できる。また、上記磁気記憶装
置に使用する磁気ヘッドは金属磁性合金を少なくとも磁
気コアの一部として含み、実質的にジルコニアもしくは
アルミナチタンカーバイドもしくはフェライトを磁気コ
ア部の主たる成分とすることにより磁気記憶装置の信頼
性を著しく高めることができるので特に望ましい。
【０００８】
【作用】上記効果は以下の作用による。Ｃ系保護被覆層
を用いた場合、また、ＷＣを保護被覆層として用いた場
合や、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗの窒化
物あるいは炭化物を保護被覆層として用いた場合、また
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆの酸化物，窒化物，炭化物，硼
化物を保護被覆層として用いた場合には、これら材料が
相対的に磁性層との強い密着性を有すると共に、高い硬
度を有するため原理的には磁気記録媒体の薄膜保護被覆
層として使用可能である。ところが、上記材料を保護被
覆層として形成した磁気記録媒体の耐摺動性に関して検
討した結果、ＣＳＳ時のように磁気ヘッドが不安定かつ
半浮上状態で磁気記録媒体に激しく接触する場合や、磁
気ヘッドと磁気記録媒体が高速で接触する場合には、こ
れらの磁気記録媒体が時として瞬時に破壊され、充分な
耐摺動性を示さないことがあることが明らかになった。
これは、保護被覆層が化学的安定性に劣るため、磁気ヘ
ッドの摺動によりヘッド材や雰囲気に存在するガス，水
等と化学反応を起こし破壊に至り易いためである。一
方、Ａｌ，Ｐｔ，ＡｕまたはＣｏ，Ｐｄ，Ｎｉ上にＲ
ｈ，Ｐｔ，Ｒｕ等の金属材料をを形成して保護被覆層と
して用いた場合には、保護被覆層の化学的安定性は高い
ものの、硬度が小さいためＣＳＳ初期時のように磁気ヘ
ッドが磁気記録媒体と連続的に摺動する場合など、保護
被覆層が塑性変形を起こすと共に摩耗し、磁性層の破壊
に至り易く、充分な耐摺動性を示さないことがあること
が明らかになった。
を用いた場合、また、ＷＣを保護被覆層として用いた場
合や、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗの窒化
物あるいは炭化物を保護被覆層として用いた場合、また
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆの酸化物，窒化物，炭化物，硼
化物を保護被覆層として用いた場合には、これら材料が
相対的に磁性層との強い密着性を有すると共に、高い硬
度を有するため原理的には磁気記録媒体の薄膜保護被覆
層として使用可能である。ところが、上記材料を保護被
覆層として形成した磁気記録媒体の耐摺動性に関して検
討した結果、ＣＳＳ時のように磁気ヘッドが不安定かつ
半浮上状態で磁気記録媒体に激しく接触する場合や、磁
気ヘッドと磁気記録媒体が高速で接触する場合には、こ
れらの磁気記録媒体が時として瞬時に破壊され、充分な
耐摺動性を示さないことがあることが明らかになった。
これは、保護被覆層が化学的安定性に劣るため、磁気ヘ
ッドの摺動によりヘッド材や雰囲気に存在するガス，水
等と化学反応を起こし破壊に至り易いためである。一
方、Ａｌ，Ｐｔ，ＡｕまたはＣｏ，Ｐｄ，Ｎｉ上にＲ
ｈ，Ｐｔ，Ｒｕ等の金属材料をを形成して保護被覆層と
して用いた場合には、保護被覆層の化学的安定性は高い
ものの、硬度が小さいためＣＳＳ初期時のように磁気ヘ
ッドが磁気記録媒体と連続的に摺動する場合など、保護
被覆層が塑性変形を起こすと共に摩耗し、磁性層の破壊
に至り易く、充分な耐摺動性を示さないことがあること
が明らかになった。
【０００９】これに対し本発明者らの検討によれば、磁
性層上に少なくとも二層の保護被覆層を設け、磁性層側
の第一の保護被覆層を非金属材料で構成し、さらにその
上に設けた表面側の第二の保護被覆層をＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成る第一の群から選ば
れた少なくとも１種の元素から構成すると、第一の保護
被覆層が高硬度なため磁気ヘッドとの接触による塑性変
形を防ぎ、さらに第二の保護被覆層が化学的安定性に優
れるため、磁気ヘッドの摺動によるヘッド材や雰囲気に
存在するガス，水等との化学反応を防ぎ、破壊し難くす
るため耐摺動性を向上することができることが明らかに
なった。
性層上に少なくとも二層の保護被覆層を設け、磁性層側
の第一の保護被覆層を非金属材料で構成し、さらにその
上に設けた表面側の第二の保護被覆層をＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成る第一の群から選ば
れた少なくとも１種の元素から構成すると、第一の保護
被覆層が高硬度なため磁気ヘッドとの接触による塑性変
形を防ぎ、さらに第二の保護被覆層が化学的安定性に優
れるため、磁気ヘッドの摺動によるヘッド材や雰囲気に
存在するガス，水等との化学反応を防ぎ、破壊し難くす
るため耐摺動性を向上することができることが明らかに
なった。
【００１０】
＜実施例１＞図１は本発明の実施例１の磁気記録媒体の
構成図である。ＮｉＰをメッキし、その表面に、略円周
方向に中心線平均面粗さで５ｎｍの凹凸を設けた１３０
mmφのＡｌ−Ｍｇ合金基板１１上にＲＦマグネトロンス
パッタ法で、基板温度２５０℃，アルゴンガス圧２ｍTo
rr，投入電力１０Ｗ／cm2 で膜厚５０ｎｍのＣｒ非磁性
下地層１２，１２′，膜厚５０ｎｍのＣｏ0.86Ｃｒ0.12
Ｔａ0.02磁性層１３，１３′を形成した。その後、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法で、基板温度２５０℃，アルゴ
ンガス圧１５ｍTorr、またはアルゴン５０vol％窒素５
０vol％混合ガス圧１５ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2で膜
厚２５ｎｍのＮｉ，Ａｌ，(Ｗ0.9Ｃｏ0.1)0.5Ｃ0.5，
(Ｚｒ0.5Ｎｂ0.5)Ｎの４種類の第一の保護被覆層１４，
１４′を形成した。さらにその上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法で、基板温度２５０℃，アルゴンガス圧１５
ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2 で膜厚３ｎｍのＡｕから成
る第二の保護被覆層１５，１５′を形成し、さらに末端
に吸着性のエステル基を有するパーフルオロアルキルポ
リエーテル潤滑層１６，１６′を４ｎｍ設けて磁気記録
媒体とした。
構成図である。ＮｉＰをメッキし、その表面に、略円周
方向に中心線平均面粗さで５ｎｍの凹凸を設けた１３０
mmφのＡｌ−Ｍｇ合金基板１１上にＲＦマグネトロンス
パッタ法で、基板温度２５０℃，アルゴンガス圧２ｍTo
rr，投入電力１０Ｗ／cm2 で膜厚５０ｎｍのＣｒ非磁性
下地層１２，１２′，膜厚５０ｎｍのＣｏ0.86Ｃｒ0.12
Ｔａ0.02磁性層１３，１３′を形成した。その後、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法で、基板温度２５０℃，アルゴ
ンガス圧１５ｍTorr、またはアルゴン５０vol％窒素５
０vol％混合ガス圧１５ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2で膜
厚２５ｎｍのＮｉ，Ａｌ，(Ｗ0.9Ｃｏ0.1)0.5Ｃ0.5，
(Ｚｒ0.5Ｎｂ0.5)Ｎの４種類の第一の保護被覆層１４，
１４′を形成した。さらにその上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法で、基板温度２５０℃，アルゴンガス圧１５
ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2 で膜厚３ｎｍのＡｕから成
る第二の保護被覆層１５，１５′を形成し、さらに末端
に吸着性のエステル基を有するパーフルオロアルキルポ
リエーテル潤滑層１６，１６′を４ｎｍ設けて磁気記録
媒体とした。
【００１１】第一の保護被覆層の硬度は、図１に示した
構成で第二の保護被覆層を設けない構成の磁気記録媒体
を別に準備し、マイクロヌープ硬度計を用いて測定し
た。耐摺動性の評価には、ＮｉＦｅ合金を磁極材とし、
コア部をジルコニアを主たる成分とする非磁性材料とし
た薄膜磁気ヘッドと組み合わせた磁気ディスク装置を用
いてＣＳＳ（コンタクト／スタート／ストップ）試験を
行なった。第一の保護被覆層の硬度と耐ＣＳＳ特性の関
係を表１に示す。
構成で第二の保護被覆層を設けない構成の磁気記録媒体
を別に準備し、マイクロヌープ硬度計を用いて測定し
た。耐摺動性の評価には、ＮｉＦｅ合金を磁極材とし、
コア部をジルコニアを主たる成分とする非磁性材料とし
た薄膜磁気ヘッドと組み合わせた磁気ディスク装置を用
いてＣＳＳ（コンタクト／スタート／ストップ）試験を
行なった。第一の保護被覆層の硬度と耐ＣＳＳ特性の関
係を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】上記第一の保護被覆層の硬度の好適な範囲
について説明する。表１に示すように、第一の保護被覆
層の硬度が５ＧＰａ以下の場合には、ＣＳＳ回数が一千
回以下と小さく実用に不十分であるが、硬度が５ＧＰａ
以上の場合には、ＣＳＳ回数が１０万回以上と実用上十
分な耐摺動性が確保できる。したがって上記第一の保護
被覆層の硬度は５ＧＰａ以上が望ましい。
について説明する。表１に示すように、第一の保護被覆
層の硬度が５ＧＰａ以下の場合には、ＣＳＳ回数が一千
回以下と小さく実用に不十分であるが、硬度が５ＧＰａ
以上の場合には、ＣＳＳ回数が１０万回以上と実用上十
分な耐摺動性が確保できる。したがって上記第一の保護
被覆層の硬度は５ＧＰａ以上が望ましい。
【００１４】次に、第一，第二保護被覆層の膜厚の好適
な範囲について説明する。第一の非金属保護被覆層の膜
厚は１ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることが望ましい。な
ぜならば、膜厚が１ｎｍより小さいと磁気記録媒体の耐
摺動性向上に十分な寄与をなし得ず、逆に膜厚が３５ｎ
ｍより大きいと、磁性層と磁気ヘッドの距離を不必要に
隔てることになり、記録再生特性の低下を招くと共に、
非金属材料特有の脆さが現われやすくなるからである。
第二の保護被覆層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下である
ことが望ましい。なぜならば、膜厚が１ｎｍより小さい
と磁気記録媒体の耐摺動性向上に十分な寄与をなし得
ず、逆に膜厚が５ｎｍより大きいと、磁性層と磁気ヘッ
ドの距離を不必要に隔てることになり、記録再生特性の
低下を招くと共に、金属材料特有の柔らかさが現われや
すくなるからである。
な範囲について説明する。第一の非金属保護被覆層の膜
厚は１ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることが望ましい。な
ぜならば、膜厚が１ｎｍより小さいと磁気記録媒体の耐
摺動性向上に十分な寄与をなし得ず、逆に膜厚が３５ｎ
ｍより大きいと、磁性層と磁気ヘッドの距離を不必要に
隔てることになり、記録再生特性の低下を招くと共に、
非金属材料特有の脆さが現われやすくなるからである。
第二の保護被覆層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下である
ことが望ましい。なぜならば、膜厚が１ｎｍより小さい
と磁気記録媒体の耐摺動性向上に十分な寄与をなし得
ず、逆に膜厚が５ｎｍより大きいと、磁性層と磁気ヘッ
ドの距離を不必要に隔てることになり、記録再生特性の
低下を招くと共に、金属材料特有の柔らかさが現われや
すくなるからである。
【００１５】第一の保護被覆層と第二の保護被覆層を合
わせた全保護被覆層の膜厚を２ｎｍ以上４０ｎｍにする
と両材料がそれぞれ島状に成長するようになり、両者の
特長が最も良く活かせるので好ましい。逆に、全保護被
覆層の膜厚が２ｎｍ以下では保護被覆層としての効果が
現われないため好ましくなく、４０ｎｍ以上では磁性層
と磁気ヘッドの距離を不必要に隔てることになり、記録
再生特性の低下を招くため好ましくない。
わせた全保護被覆層の膜厚を２ｎｍ以上４０ｎｍにする
と両材料がそれぞれ島状に成長するようになり、両者の
特長が最も良く活かせるので好ましい。逆に、全保護被
覆層の膜厚が２ｎｍ以下では保護被覆層としての効果が
現われないため好ましくなく、４０ｎｍ以上では磁性層
と磁気ヘッドの距離を不必要に隔てることになり、記録
再生特性の低下を招くため好ましくない。
【００１６】ジルコニア，アルミナチタンカーバイド，
フェライトのように略０.００５cal／sec／cm／deg以上
の熱伝導率を持つ材料を磁気ヘッドのコア材とした場
合、熱歪の発生が少なく、また潤滑剤の熱揮発も少ない
ので耐摺動性が向上し特に好ましい。本発明の磁気記録
媒体と磁気ヘッドを用いて磁気記憶装置を構成すると従
来装置に比べて大容量の磁気記憶装置が提供できるので
特に好ましい。
フェライトのように略０.００５cal／sec／cm／deg以上
の熱伝導率を持つ材料を磁気ヘッドのコア材とした場
合、熱歪の発生が少なく、また潤滑剤の熱揮発も少ない
ので耐摺動性が向上し特に好ましい。本発明の磁気記録
媒体と磁気ヘッドを用いて磁気記憶装置を構成すると従
来装置に比べて大容量の磁気記憶装置が提供できるので
特に好ましい。
【００１７】＜実施例２＞図１に示す構造の磁気記録媒
体でさらに別の実施例について説明する。ＮｉＰをメッ
キし、その表面に、円周方向に中心線平均面粗さで１０
ｎｍの凹凸を設けた１３０mmφのＡｌ−Ｍｇ合金基板１
１上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度３００
℃，アルゴンガス圧３ｍTorr，投入電力５Ｗ／cm2 で膜
厚６０ｎｍのＣｒ0.9Ｔｉ0.1非磁性下地層１２，１
２′，膜厚４０ｎｍのＣｏ0.83Ｃｒ0.12Ｐｔ0.05磁性層
１３，１３′を形成した。次いで、ＤＣマグネトロンス
パッタ法で、基板温度１００℃，アルゴンガス圧１５ｍ
Torr，投入電力１Ｗ／cm2 で膜厚２０ｎｍの（Ｗ0.6Ｍ
ｏ0.3Ｃｏ0.1)0.5Ｃ0.5から成る第一の保護被覆層１
４，１４′を形成した。
体でさらに別の実施例について説明する。ＮｉＰをメッ
キし、その表面に、円周方向に中心線平均面粗さで１０
ｎｍの凹凸を設けた１３０mmφのＡｌ−Ｍｇ合金基板１
１上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度３００
℃，アルゴンガス圧３ｍTorr，投入電力５Ｗ／cm2 で膜
厚６０ｎｍのＣｒ0.9Ｔｉ0.1非磁性下地層１２，１
２′，膜厚４０ｎｍのＣｏ0.83Ｃｒ0.12Ｐｔ0.05磁性層
１３，１３′を形成した。次いで、ＤＣマグネトロンス
パッタ法で、基板温度１００℃，アルゴンガス圧１５ｍ
Torr，投入電力１Ｗ／cm2 で膜厚２０ｎｍの（Ｗ0.6Ｍ
ｏ0.3Ｃｏ0.1)0.5Ｃ0.5から成る第一の保護被覆層１
４，１４′を形成した。
【００１８】さらにその上に、第一の保護被覆層と同条
件で膜厚３ｎｍのＲｈから成る第二の保護被覆層１５，
１５′を形成し、さらに末端にエステル基を有するパー
フルオロアルキルポリエーテル系潤滑層１６，１６′を
４ｎｍ設けて磁気記録媒体とした。
件で膜厚３ｎｍのＲｈから成る第二の保護被覆層１５，
１５′を形成し、さらに末端にエステル基を有するパー
フルオロアルキルポリエーテル系潤滑層１６，１６′を
４ｎｍ設けて磁気記録媒体とした。
【００１９】＜実施例３＞図１に示す構造の磁気記録媒
体でさらに別の実施例について説明する。ＮｉＰをメッ
キし、その表面に、円周方向に中心線平均面粗さで１０
ｎｍの凹凸を設けた６３.５mmφ のアモルファスカーボ
ン基板１１上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温
度２５０℃，アルゴンガス圧５ｍTorr，投入電力５Ｗ／
cm2 で膜厚１００ｎｍのＣｒ非磁性下地層１２，１
２′，膜厚５０ｎｍのＣｏ0.85Ｃｒ0.10Ｐｔ0.05磁性層
１３，１３′を形成した。次いでＲＦマグネトロンスパ
ッタ法で、基板温度１５０℃，アルゴン５０vol％窒素
５０vol％混合ガス圧１３ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2で
膜厚２０ｎｍの（Ｚr0.5Ｎb0.5)0.5Ｎ0.5から成る第一
の保護被覆層１４，１４′を形成した。さらにその上に
ＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１５０℃，ア
ルゴンガス圧１３ｍTorr，投入電力５Ｗ／cm2 で膜厚４
ｎｍのＩｒから成る第二の保護被覆層１５，１５′を形
成し、さらに末端にＯＨ基を有するパーフルオロアルキ
ルポリエーテル系潤滑層１６，１６′を５ｎｍ設けて磁
気記録媒体とした。
体でさらに別の実施例について説明する。ＮｉＰをメッ
キし、その表面に、円周方向に中心線平均面粗さで１０
ｎｍの凹凸を設けた６３.５mmφ のアモルファスカーボ
ン基板１１上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温
度２５０℃，アルゴンガス圧５ｍTorr，投入電力５Ｗ／
cm2 で膜厚１００ｎｍのＣｒ非磁性下地層１２，１
２′，膜厚５０ｎｍのＣｏ0.85Ｃｒ0.10Ｐｔ0.05磁性層
１３，１３′を形成した。次いでＲＦマグネトロンスパ
ッタ法で、基板温度１５０℃，アルゴン５０vol％窒素
５０vol％混合ガス圧１３ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2で
膜厚２０ｎｍの（Ｚr0.5Ｎb0.5)0.5Ｎ0.5から成る第一
の保護被覆層１４，１４′を形成した。さらにその上に
ＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１５０℃，ア
ルゴンガス圧１３ｍTorr，投入電力５Ｗ／cm2 で膜厚４
ｎｍのＩｒから成る第二の保護被覆層１５，１５′を形
成し、さらに末端にＯＨ基を有するパーフルオロアルキ
ルポリエーテル系潤滑層１６，１６′を５ｎｍ設けて磁
気記録媒体とした。
【００２０】＜実施例４＞次に、図１に示す構造の磁気
記録媒体でさらに別の実施例について説明する。表面を
化学的エッチング処理により、略無秩序で、中心線平均
面粗さで５ｎｍの凹凸を設けた８９mmφの強化ガラス基
板１１上にＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度３
００℃，アルゴンガス圧１ｍTorr，投入電力１０Ｗ／cm
2 で膜厚５０ｎｍのＣｒ非磁性下地層１２，１２′，膜
厚６０ｎｍのＣｏ0.84Ｃｒ0.13Ｔａ0.03磁性層１３，１
３′を形成した。次いでＲＦマグネトロンスパッタ法
で、基板温度１５０℃，アルゴン５０vol％酸素５０vol
％混合ガス圧１０ｍTorr，投入電力２Ｗ／cm2 で膜厚２
０ｎｍの（Ｚｒ0.45Ｎｂ0.45Ｃｏ0.1)0.5Ｏ0.5から成る
第一の保護被覆層１４，１４′を形成した。さらにその
上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１５０
℃，アルゴンガス圧１０ｍTorr，投入電力２Ｗ／cm2で
膜厚３ｎｍのＰｔ0.87Ｒｈ0.13から成る第二の保護被覆
層１５,１５′を形成し、さらにＣＮを含む吸着性極性
基を有するパーフルオロアルキルポリエーテル系潤滑層
１６，１６′を７ｎｍ設けて磁気記録媒体とした。
記録媒体でさらに別の実施例について説明する。表面を
化学的エッチング処理により、略無秩序で、中心線平均
面粗さで５ｎｍの凹凸を設けた８９mmφの強化ガラス基
板１１上にＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度３
００℃，アルゴンガス圧１ｍTorr，投入電力１０Ｗ／cm
2 で膜厚５０ｎｍのＣｒ非磁性下地層１２，１２′，膜
厚６０ｎｍのＣｏ0.84Ｃｒ0.13Ｔａ0.03磁性層１３，１
３′を形成した。次いでＲＦマグネトロンスパッタ法
で、基板温度１５０℃，アルゴン５０vol％酸素５０vol
％混合ガス圧１０ｍTorr，投入電力２Ｗ／cm2 で膜厚２
０ｎｍの（Ｚｒ0.45Ｎｂ0.45Ｃｏ0.1)0.5Ｏ0.5から成る
第一の保護被覆層１４，１４′を形成した。さらにその
上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度１５０
℃，アルゴンガス圧１０ｍTorr，投入電力２Ｗ／cm2で
膜厚３ｎｍのＰｔ0.87Ｒｈ0.13から成る第二の保護被覆
層１５,１５′を形成し、さらにＣＮを含む吸着性極性
基を有するパーフルオロアルキルポリエーテル系潤滑層
１６，１６′を７ｎｍ設けて磁気記録媒体とした。
【００２１】＜比較例１＞図２に示す構造の磁気記録媒
体で比較例について説明する。ＮｉＰをメッキし、その
表面に、円周方向に中心線平均面粗さで１０ｎｍの凹凸
を設けた１３０mmφのＡｌ−Ｍｇ合金基板２１上にＲＦ
マグネトロンスパッタ法で、基板温度２００℃，アルゴ
ンガス圧１.５ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2で膜厚３００
ｎｍのＣｒ非磁性下地層２２，２２′，膜厚７０ｎｍの
Ｃo0.60Ｎi0.35Ｚｒ0.05磁性層２３，２３′を形成し
た。その後、カーボン保護被覆層２４，２４′をＤＣマ
グネトロンスパッタ法で、基板温度１５０℃，アルゴン
ガス圧２ｍTorr，投入電力１５Ｗ／cm2 で３０ｎｍ形成
し、末端にエステル基を有するパーフルオロアルキルポ
リエーテル系潤滑層２５，２５′を４ｎｍ設けて磁気記
録媒体とした。
体で比較例について説明する。ＮｉＰをメッキし、その
表面に、円周方向に中心線平均面粗さで１０ｎｍの凹凸
を設けた１３０mmφのＡｌ−Ｍｇ合金基板２１上にＲＦ
マグネトロンスパッタ法で、基板温度２００℃，アルゴ
ンガス圧１.５ｍTorr，投入電力１Ｗ／cm2で膜厚３００
ｎｍのＣｒ非磁性下地層２２，２２′，膜厚７０ｎｍの
Ｃo0.60Ｎi0.35Ｚｒ0.05磁性層２３，２３′を形成し
た。その後、カーボン保護被覆層２４，２４′をＤＣマ
グネトロンスパッタ法で、基板温度１５０℃，アルゴン
ガス圧２ｍTorr，投入電力１５Ｗ／cm2 で３０ｎｍ形成
し、末端にエステル基を有するパーフルオロアルキルポ
リエーテル系潤滑層２５，２５′を４ｎｍ設けて磁気記
録媒体とした。
【００２２】＜比較例２＞図２に示す構造の磁気記録媒
体でさらに別の比較例について説明する。表面を化学的
エッチング処理により、略無秩序で、中心線平均面粗さ
で５ｎｍの凹凸を設けた８９mmφの強化ガラス基板２１
上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度３５０
℃，アルゴンガス圧１ｍTorr，投入電力３Ｗ／cm2 で膜
厚２５０ｎｍのＣｒ非磁性下地層２２，２２′，膜厚５
０ｎｍのＣｏ0.87Ｃｒ0.10Ｔａ0.03磁性層２３，２３′
を形成した。その後、Ｔｉ0.5Ｃ0.5保護被覆層２４，２
４′をＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度２５０
℃，アルゴンガス圧５ｍTorr，投入電力１０Ｗ／cm2 で
３０ｎｍ形成し、末端にベンゼン環を含む吸着基を有す
るパーフルオロアルキルポリエーテル系潤滑層２５，２
５′を５ｎｍ設けて磁気記録媒体とした。
体でさらに別の比較例について説明する。表面を化学的
エッチング処理により、略無秩序で、中心線平均面粗さ
で５ｎｍの凹凸を設けた８９mmφの強化ガラス基板２１
上にＲＦマグネトロンスパッタ法で、基板温度３５０
℃，アルゴンガス圧１ｍTorr，投入電力３Ｗ／cm2 で膜
厚２５０ｎｍのＣｒ非磁性下地層２２，２２′，膜厚５
０ｎｍのＣｏ0.87Ｃｒ0.10Ｔａ0.03磁性層２３，２３′
を形成した。その後、Ｔｉ0.5Ｃ0.5保護被覆層２４，２
４′をＤＣマグネトロンスパッタ法で、基板温度２５０
℃，アルゴンガス圧５ｍTorr，投入電力１０Ｗ／cm2 で
３０ｎｍ形成し、末端にベンゼン環を含む吸着基を有す
るパーフルオロアルキルポリエーテル系潤滑層２５，２
５′を５ｎｍ設けて磁気記録媒体とした。
【００２３】実施例２〜４，比較例１，２の磁気記録媒
体についてＣＳＳ試験により耐摺動性を評価した。結果
を表２に示す。
体についてＣＳＳ試験により耐摺動性を評価した。結果
を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２に示すように本実施例の磁気記録媒体
の耐ＣＳＳ特性は比較例のそれに比べて格段に優れ、良
好な耐摩耗性を示した。
の耐ＣＳＳ特性は比較例のそれに比べて格段に優れ、良
好な耐摩耗性を示した。
【００２６】ここで、基板１１にはＮｉＰメッキＡｌ合
金，強化ガラス，結晶化ガラス，プラスチック，アモル
ファスカーボン，セラミックス，表面ガラスコートセラ
ミックス等、非磁性下地層１２，１２′にはＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−Ｗ等、磁性層
１３，１３′にはＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等を用いることができ、
いずれの組合せでも同様の効果が得られる。
金，強化ガラス，結晶化ガラス，プラスチック，アモル
ファスカーボン，セラミックス，表面ガラスコートセラ
ミックス等、非磁性下地層１２，１２′にはＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−Ｗ等、磁性層
１３，１３′にはＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等を用いることができ、
いずれの組合せでも同様の効果が得られる。
【００２７】＜実施例５＞実施例２の磁気記録媒体を
２，４ないし８枚用い、ＣｏＴａＺｒ，ＦeＡlＳi合金
等をギャップ部に設け、コア部を多結晶もしくは単結晶
のフェライトとしたメタルインギャップ型磁気ヘッド、
もしくはＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＴａＺｒ合金等を磁
極材とし、コア部をジルコニアを主たる成分とする非磁
性材料とした薄膜磁気ヘッドと組み合わせて磁気ディス
ク装置を作製した。
２，４ないし８枚用い、ＣｏＴａＺｒ，ＦeＡlＳi合金
等をギャップ部に設け、コア部を多結晶もしくは単結晶
のフェライトとしたメタルインギャップ型磁気ヘッド、
もしくはＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＴａＺｒ合金等を磁
極材とし、コア部をジルコニアを主たる成分とする非磁
性材料とした薄膜磁気ヘッドと組み合わせて磁気ディス
ク装置を作製した。
【００２８】図３に作製した磁気ディスク装置の構成図
を示す。図３において、３０１，３０２，３０３，３０
４は磁気ディスク、３０５，３０６，３０７，３０８，
３０９，３１０，３１１は本発明より成る磁気ヘッド、
３１２は可動式ヘッドアーム、３１３はボイスコイルモ
ータ、３１４は制御回路、３１５は位置決め検出回路、
３１６はヘッド選択スイッチ、３１７は記録再生回路、
３１８はコントローラである。エラーが生じるまでの平
均装置寿命を求めたが、いずれも従来の磁気ディスクを
用いた装置に比べ２〜１０倍以上の寿命となり、高い信
頼性が得られた。磁気コアをフェライトとした場合に
は、単結晶のフェライトを用いたときに特に優れた特性
が得られた。従来のＭｎ−Ｚｎフェライトリングヘッド
と組み合わせた磁気ディスク装置に比べて、トラック幅
方向の余分な情報を消去する能力が高いため、本発明よ
り成る磁気ディスク装置は位相マージンが広く、記憶容
量を１.５ 倍以上高めることができた。
を示す。図３において、３０１，３０２，３０３，３０
４は磁気ディスク、３０５，３０６，３０７，３０８，
３０９，３１０，３１１は本発明より成る磁気ヘッド、
３１２は可動式ヘッドアーム、３１３はボイスコイルモ
ータ、３１４は制御回路、３１５は位置決め検出回路、
３１６はヘッド選択スイッチ、３１７は記録再生回路、
３１８はコントローラである。エラーが生じるまでの平
均装置寿命を求めたが、いずれも従来の磁気ディスクを
用いた装置に比べ２〜１０倍以上の寿命となり、高い信
頼性が得られた。磁気コアをフェライトとした場合に
は、単結晶のフェライトを用いたときに特に優れた特性
が得られた。従来のＭｎ−Ｚｎフェライトリングヘッド
と組み合わせた磁気ディスク装置に比べて、トラック幅
方向の余分な情報を消去する能力が高いため、本発明よ
り成る磁気ディスク装置は位相マージンが広く、記憶容
量を１.５ 倍以上高めることができた。
【００２９】
【発明の効果】本発明の保護被覆層を設けた磁気記録媒
体は耐摺動性に優れるため、高密度記録に適し、実用に
十分な耐摺動性を持つ磁気記録媒体および磁気記憶装置
が得られる。
体は耐摺動性に優れるため、高密度記録に適し、実用に
十分な耐摺動性を持つ磁気記録媒体および磁気記憶装置
が得られる。
【図１】本発明の実施例１における磁気記録媒体の断面
図。
図。
【図２】本発明の比較例１における磁気記録媒体の断面
図。
図。
【図３】本発明の実施例５における磁気ディスク装置の
ブロック図。
ブロック図。
１１，２１…基板、１２，１２′，２２，２２′…非磁
性下地層、１３，13′，２３，２３′…磁性層、１４，
１４′…第一の保護被覆層、１５，１５′…第二の保護
被覆層、１６，１６′，２５，２５′…潤滑層、２４，
２４′…保護被覆層。
性下地層、１３，13′，２３，２３′…磁性層、１４，
１４′…第一の保護被覆層、１５，１５′…第二の保護
被覆層、１６，１６′，２５，２５′…潤滑層、２４，
２４′…保護被覆層。
フロントページの続き (72)発明者 石川 晃 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大野 徒之 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 尾嵜 明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山本 朋生 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 加藤 幸男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】非磁性基板上に少なくとも一層の磁性層を
有し、その上に第一の保護被覆層、さらにその上に第二
の保護被覆層を含む磁気記録媒体において、上記第一の
保護被覆層は非金属材料から成り、上記第二の保護被覆
層はＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから成
る第一の群から選ばれた少なくとも１種の元素から成る
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、上記第一の保護被覆層
の硬度が５ＧＰａ以上である磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１または２において、上記第二の保
護被覆層上に少なくとも一つの吸着性末端基を有する潤
滑剤層が存在する磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１ないし３において、上記第一の保
護被覆層の膜厚は１ｎｍ以上３５ｎｍ以下である磁気記
録媒体。 - 【請求項５】請求項１ないし３において、上記第二の保
護被覆層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下である磁気記録
媒体。 - 【請求項６】請求項１ないし５において、上記第一の保
護被覆層と上記第二の保護被覆層を合わせた全保護被覆
層の膜厚が２ｎｍ以上４０ｎｍ以下である磁気記録媒
体。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載の上記磁
気記録媒体を少なくとも一つ有する磁気記録媒体と金属
磁性合金を磁気コアの一部として含む磁気ヘッドを含む
磁気記憶装置。 - 【請求項８】請求項７において、上記磁気ヘッドのコア
材が実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカーバ
イドもしくはフェライトを主たる成分とする磁気記憶装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223292A JPH05258288A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223292A JPH05258288A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258288A true JPH05258288A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12908987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223292A Pending JPH05258288A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258288A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046765A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et memoire magnetique |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP5223292A patent/JPH05258288A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046765A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et memoire magnetique |
| US6329037B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-12-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic memory |
| US6491798B2 (en) | 1998-03-13 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
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