JP3028668B2 - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents
磁気記憶体の製造方法Info
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- JP3028668B2 JP3028668B2 JP03350782A JP35078291A JP3028668B2 JP 3028668 B2 JP3028668 B2 JP 3028668B2 JP 03350782 A JP03350782 A JP 03350782A JP 35078291 A JP35078291 A JP 35078291A JP 3028668 B2 JP3028668 B2 JP 3028668B2
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- magnetic
- magnetic medium
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- manufacturing
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記憶装置（磁気ディ
スク装置、磁気ドラム装置、フロッピ―装置、磁気テ―
プ等）に用いられる磁気記憶体の製造方法に関する。
スク装置、磁気ドラム装置、フロッピ―装置、磁気テ―
プ等）に用いられる磁気記憶体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘッ
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。即ち操作
開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態で設置した
後、磁気記憶体に所定の回転を与えることによりヘッド
と磁気記憶体面との間に空気層の空間を作り、この状態
で記録再生する方法である（コンタクト・スタ―ト・ス
トップ方式。以下、ＣＳＳ方式と呼ぶ。）。この方法で
は操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、このときヘ
ッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態
にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を
摩耗させ、遂にはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせし
めることがある。また、前記接触摩擦状態においてヘッ
ドの僅かな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一に
させ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることがあ
る。この摩耗を防ぐために種々の保護膜が検討されてお
り、特開昭５３−５７００２号公報に示すようなスパッ
タリング法によるグラファイト膜、あるいは特公昭５４
−３３５２１号公報に示すように炭素棒のスパ―ク放電
による蒸着法による炭素膜、あるいは米国特許第Ｒｅ．
３２，４６４号（United States Patent Patent Numbe
r：Re.32,464 ）が知られている。これらの膜には必ず
グラファイト微結晶を含有していることが走査型トンネ
ル顕微鏡（以下、ＳＴＭと略す。）や原子間力顕微鏡
（以下、ＡＦＭと略す。）より確認されている。
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。即ち操作
開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態で設置した
後、磁気記憶体に所定の回転を与えることによりヘッド
と磁気記憶体面との間に空気層の空間を作り、この状態
で記録再生する方法である（コンタクト・スタ―ト・ス
トップ方式。以下、ＣＳＳ方式と呼ぶ。）。この方法で
は操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、このときヘ
ッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態
にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を
摩耗させ、遂にはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせし
めることがある。また、前記接触摩擦状態においてヘッ
ドの僅かな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一に
させ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることがあ
る。この摩耗を防ぐために種々の保護膜が検討されてお
り、特開昭５３−５７００２号公報に示すようなスパッ
タリング法によるグラファイト膜、あるいは特公昭５４
−３３５２１号公報に示すように炭素棒のスパ―ク放電
による蒸着法による炭素膜、あるいは米国特許第Ｒｅ．
３２，４６４号（United States Patent Patent Numbe
r：Re.32,464 ）が知られている。これらの膜には必ず
グラファイト微結晶を含有していることが走査型トンネ
ル顕微鏡（以下、ＳＴＭと略す。）や原子間力顕微鏡
（以下、ＡＦＭと略す。）より確認されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た保護膜にはグラファイト微結晶を含有しているため、
何れも十分な耐摩耗性を有していない。十分な耐摩耗性
を有する炭素膜は完全なアモルファスであって、グラフ
ァイト微結晶を含んでいないものが望ましい。本発明は
以上述べたような問題点を解決するためになされたもの
で、耐摩耗性に優れた磁気記憶体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
た保護膜にはグラファイト微結晶を含有しているため、
何れも十分な耐摩耗性を有していない。十分な耐摩耗性
を有する炭素膜は完全なアモルファスであって、グラフ
ァイト微結晶を含んでいないものが望ましい。本発明は
以上述べたような問題点を解決するためになされたもの
で、耐摩耗性に優れた磁気記憶体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、下地体上に磁
性媒体が被覆された磁気記憶体の製造方法であって、磁
性媒体を０℃以下に保持しつつ該磁性媒体上に炭素をス
パッタリングし、アモルファス性炭素よりなる無機炭素
膜を形成することを特徴とする磁気記憶体の製造方法で
ある。
性媒体が被覆された磁気記憶体の製造方法であって、磁
性媒体を０℃以下に保持しつつ該磁性媒体上に炭素をス
パッタリングし、アモルファス性炭素よりなる無機炭素
膜を形成することを特徴とする磁気記憶体の製造方法で
ある。
【０００５】本発明において、下地体としてはアルミ合
金、陽極酸化アルマイト，ニッケル−燐鍍金膜等を被覆
したアルミ合金、ポリエステル，ポリイミド，ポリアミ
ドイミド等のプラスチック、窒化珪素，酸化アルミと炭
化チタン焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタン
合金、ガラス板等が挙げられる。次に、下地体の上に磁
性媒体として、クロム，モリブデン，タングステン，バ
ナジウム，レニウム，金，ビスマス等の金属またはそれ
らのうち少なくとも一つの元素を含む合金を高周波マグ
ネトロンスパッタ法等により被覆した上に、Ｃｏ−Ｎ
ｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｗ，Ｃｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｍｎ−Ｐ，Ｃ
ｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｃｒ，Ｃｏ−ＲｈまたはＣｏ−Ｓｍ等の金属または合
金またはＦｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ3Ｏ4，Ｆｅ4Ｎ等の鉄酸化
物または窒化物を被覆する。被着方法としては例えば高
周波マグネトロンスパッタ法や無電解メッキ法等があ
る。
金、陽極酸化アルマイト，ニッケル−燐鍍金膜等を被覆
したアルミ合金、ポリエステル，ポリイミド，ポリアミ
ドイミド等のプラスチック、窒化珪素，酸化アルミと炭
化チタン焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタン
合金、ガラス板等が挙げられる。次に、下地体の上に磁
性媒体として、クロム，モリブデン，タングステン，バ
ナジウム，レニウム，金，ビスマス等の金属またはそれ
らのうち少なくとも一つの元素を含む合金を高周波マグ
ネトロンスパッタ法等により被覆した上に、Ｃｏ−Ｎ
ｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｗ，Ｃｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｍｎ−Ｐ，Ｃ
ｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｃｒ，Ｃｏ−ＲｈまたはＣｏ−Ｓｍ等の金属または合
金またはＦｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ3Ｏ4，Ｆｅ4Ｎ等の鉄酸化
物または窒化物を被覆する。被着方法としては例えば高
周波マグネトロンスパッタ法や無電解メッキ法等があ
る。
【０００６】次に、上記下地体および磁性媒体を液体窒
素や電子冷凍機により０℃以下に保持し、上記磁性媒体
上に炭素を該磁性媒体膜の表面が酸化しないうちに直ち
にスパッタリングし、無機炭素膜を５〜５０ｎｍの膜厚
で被覆する。磁性媒体膜の表面が酸化した場合は逆スパ
ッタにより表面酸化層を取り除いたのち、直ちに無機炭
素膜を同様に被覆してもよい。炭素をスパッタリングす
る雰囲気としては、アルゴンやネオン等の不活性ガスの
他に水素を含んでもよい。このように、上記下地体およ
び磁性媒体を０℃以下に保持し、上記磁性媒体上に無機
炭素膜を被覆すると、この無機炭素膜は完全なアモルフ
ァスになり、グラファイト微結晶を含まない。この特徴
はＳＴＭやＡＦＭにより確認できる。このため、優れた
耐摩耗性を有するものとなる。さらに、上記無機炭素膜
の上には、潤滑剤を塗布してもよい。ここでは磁性媒体
上に直接無機炭素膜を被覆したが、United States Pate
nt Patent Number：Re.32,464 に示されているように前
記磁性媒体上に下地膜として、珪素、ゲルマニウム、ア
ルミニウム、ほう素あるいはそれらの組み合わせからな
るものを高周波マグネトロンスパッタ法、直流あるいは
高周波プラズマＣＶＤ法等により５０〜５００ｎｍの膜
厚で被覆し、その下地膜上に無機炭素膜を被覆してもよ
い。
素や電子冷凍機により０℃以下に保持し、上記磁性媒体
上に炭素を該磁性媒体膜の表面が酸化しないうちに直ち
にスパッタリングし、無機炭素膜を５〜５０ｎｍの膜厚
で被覆する。磁性媒体膜の表面が酸化した場合は逆スパ
ッタにより表面酸化層を取り除いたのち、直ちに無機炭
素膜を同様に被覆してもよい。炭素をスパッタリングす
る雰囲気としては、アルゴンやネオン等の不活性ガスの
他に水素を含んでもよい。このように、上記下地体およ
び磁性媒体を０℃以下に保持し、上記磁性媒体上に無機
炭素膜を被覆すると、この無機炭素膜は完全なアモルフ
ァスになり、グラファイト微結晶を含まない。この特徴
はＳＴＭやＡＦＭにより確認できる。このため、優れた
耐摩耗性を有するものとなる。さらに、上記無機炭素膜
の上には、潤滑剤を塗布してもよい。ここでは磁性媒体
上に直接無機炭素膜を被覆したが、United States Pate
nt Patent Number：Re.32,464 に示されているように前
記磁性媒体上に下地膜として、珪素、ゲルマニウム、ア
ルミニウム、ほう素あるいはそれらの組み合わせからな
るものを高周波マグネトロンスパッタ法、直流あるいは
高周波プラズマＣＶＤ法等により５０〜５００ｎｍの膜
厚で被覆し、その下地膜上に無機炭素膜を被覆してもよ
い。
【０００７】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明する。 実施例１〜９ 図１は本発明の一実施例を示す部分断面図である。ニッ
ケル−燐メッキ膜が被覆されたアルミ合金よりなる下地
体１上に表１に示す磁性媒体２を被覆した。さらに、下
地体１および磁性媒体２を表１に示す温度に液体窒素や
電子冷凍機で保持し、その磁性媒体２の上に無機炭素膜
３を高周波マグネトロンスパッタ法により水素ガス、あ
るいは水素とアルゴンの混合ガスよりなる雰囲気中でス
パッタパワ―密度４〜２０Ｗ／ｃｍ2、全ガス圧５〜６
０ｍＴｏｒｒの条件下、膜厚３０ｎｍで被覆した。次に
実施例で得られた磁気ディスクを用いて摩耗試験として
ヘッドとディスクの起動停止繰り返し試験（ＣＳＳ試
験）を行ったところ、いずれの磁気ディスクにおいても
１０万回以上傷が発生しなかった。
ケル−燐メッキ膜が被覆されたアルミ合金よりなる下地
体１上に表１に示す磁性媒体２を被覆した。さらに、下
地体１および磁性媒体２を表１に示す温度に液体窒素や
電子冷凍機で保持し、その磁性媒体２の上に無機炭素膜
３を高周波マグネトロンスパッタ法により水素ガス、あ
るいは水素とアルゴンの混合ガスよりなる雰囲気中でス
パッタパワ―密度４〜２０Ｗ／ｃｍ2、全ガス圧５〜６
０ｍＴｏｒｒの条件下、膜厚３０ｎｍで被覆した。次に
実施例で得られた磁気ディスクを用いて摩耗試験として
ヘッドとディスクの起動停止繰り返し試験（ＣＳＳ試
験）を行ったところ、いずれの磁気ディスクにおいても
１０万回以上傷が発生しなかった。
【０００８】
【表１】 ──────────────────────────────── 実施例 磁性媒体 温度（℃） ──────────────────────────────── １ クロム膜上のコバルト −２００ ２ クロム膜上のＣｏ80Ｎｉ20 −２００ ３ クロム膜上のＣｏ80Ｎｉ20Ｃｒ5 −２００ ４ クロム膜上のＣｏ80Ｃｒ20 −２００ ５ クロム膜上のＣｏ80Ｃｒ15Ｔａ5 −２００ ６ Ｃｏ80Ｐｔ20 −２００ ７ クロム膜上のＣｏ80Ｎｉ20Ｃｒ5 −１００ ８ クロム膜上のＣｏ80Ｎｉ20Ｃｒ5 −５０ ９ クロム膜上のＣｏ80Ｎｉ20Ｃｒ5 ０ ────────────────────────────────
【０００９】比較例 実施例と同様にして、ただし、下地体１および磁性媒体
２を０℃以下に保持しないで無機炭素膜を磁性媒体２上
に３０ｎｍ被覆した。得られた磁気ディスクについて実
施例と同様の試験を行ったところ、ＣＳＳ試験では、３
０回で傷が発生した。
２を０℃以下に保持しないで無機炭素膜を磁性媒体２上
に３０ｎｍ被覆した。得られた磁気ディスクについて実
施例と同様の試験を行ったところ、ＣＳＳ試験では、３
０回で傷が発生した。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記憶
体の製造方法によれば、優れた耐摩耗性を有する磁気記
憶体を提供できる。
体の製造方法によれば、優れた耐摩耗性を有する磁気記
憶体を提供できる。
【図１】本発明の方法による磁気記憶体の一実施例の部
分断面図である。
分断面図である。
１ 下地体 ２ 磁性媒体 ３ 無機炭素膜
Claims (1)
- 【請求項１】 下地体上に磁性媒体が被覆された磁気記
憶体の製造方法であって、磁性媒体を０℃以下に保持し
つつ該磁性媒体上に炭素をスパッタリングし、アモルフ
ァス性炭素よりなる無機炭素膜を形成することを特徴と
する磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03350782A JP3028668B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 磁気記憶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03350782A JP3028668B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166181A JPH05166181A (ja) | 1993-07-02 |
| JP3028668B2 true JP3028668B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=18412833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03350782A Expired - Lifetime JP3028668B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028668B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP03350782A patent/JP3028668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05166181A (ja) | 1993-07-02 |
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Legal Events
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