JP2594534B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JP2594534B2 JP2594534B2 JP59238929A JP23892984A JP2594534B2 JP 2594534 B2 JP2594534 B2 JP 2594534B2 JP 59238929 A JP59238929 A JP 59238929A JP 23892984 A JP23892984 A JP 23892984A JP 2594534 B2 JP2594534 B2 JP 2594534B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- carbon
- hydrogen
- magnetic storage
- head
- Prior art date
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁
気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその
製造方法に関する。
気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその
製造方法に関する。
（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁
気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッ
ドと磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記
憶体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶
体面との間に空間層分の空間を作り、この状態で記録再
生をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ
方式。以下CSS方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記録体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッ
ドと磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記
憶体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶
体面との間に空間層分の空間を作り、この状態で記録再
生をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ
方式。以下CSS方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記録体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の
間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗さ
せ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめる
ことがある。また、前記接触摩擦状態においてヘッドの
わずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさ
せ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもあ
る。また、磁性媒体が金属の場合、高湿度において水分
の侵入により腐食を生じる。これらの摩耗および腐食を
防ぐために種々の保護膜が検討されており、特開昭53-5
7002号公報に示す様なスパッタリング法によるグラファ
イト膜、あるいは特公昭54-33521号公報に示す様に炭素
棒のスパーク放電による蒸着法による炭素膜が知られて
いるが、いずれも十分な耐摩耗性及び防食性を有してい
ない。
間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗さ
せ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめる
ことがある。また、前記接触摩擦状態においてヘッドの
わずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさ
せ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもあ
る。また、磁性媒体が金属の場合、高湿度において水分
の侵入により腐食を生じる。これらの摩耗および腐食を
防ぐために種々の保護膜が検討されており、特開昭53-5
7002号公報に示す様なスパッタリング法によるグラファ
イト膜、あるいは特公昭54-33521号公報に示す様に炭素
棒のスパーク放電による蒸着法による炭素膜が知られて
いるが、いずれも十分な耐摩耗性及び防食性を有してい
ない。
（発明の目的） 本発明の目的は耐摩耗性と防食性に優れた磁気記憶体
を提供することにある。
を提供することにある。
（発明の構成） すなわち、本発明は下地体の上に磁性媒体が被覆さ
れ、該磁性媒体上に、炭素の未結合手に化合された水素
を10〜50原子パーセント含有し、ダイヤモンド類似構造
を有する絶縁性非晶質炭素膜である。
れ、該磁性媒体上に、炭素の未結合手に化合された水素
を10〜50原子パーセント含有し、ダイヤモンド類似構造
を有する絶縁性非晶質炭素膜である。
（構成の詳細な説明） 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。図は本
発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ合
金又は陽極酸化アルマイト、NiPめっき膜、Cr,Mo又はＷ
等を被覆したアルミ合金又はポリエステル、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォンなどの
プラスチックス又は窒化ケイ素、酸化アルミ、酸化アル
ミと炭化チタン焼結体などのセラミックス又はSi,Cr M
o,W,ステンレス、チタン合金などの金属又はガラス板で
ある。
発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ合
金又は陽極酸化アルマイト、NiPめっき膜、Cr,Mo又はＷ
等を被覆したアルミ合金又はポリエステル、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォンなどの
プラスチックス又は窒化ケイ素、酸化アルミ、酸化アル
ミと炭化チタン焼結体などのセラミックス又はSi,Cr M
o,W,ステンレス、チタン合金などの金属又はガラス板で
ある。
次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてFe3O4，γ
−Fe2O3，Fe4Nなどの鉄酸化物又は窒化物又はCo-Ni,Co-
Ni−P,Co-Re,Co-Ni-Mn-Re−P,Co-Cr,Co−V,Co-Pt,Co-Pt
-Ni Co-Pt-Cr,Co-Pt−V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Sm等の
金属又は合金を被覆する。
−Fe2O3，Fe4Nなどの鉄酸化物又は窒化物又はCo-Ni,Co-
Ni−P,Co-Re,Co-Ni-Mn-Re−P,Co-Cr,Co−V,Co-Pt,Co-Pt
-Ni Co-Pt-Cr,Co-Pt−V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Sm等の
金属又は合金を被覆する。
さらに該磁性媒体２の上に水素を含む絶縁性炭素膜３
が少なくとも水素ガスあるいは炭化水素ガスを含む雰囲
気中で炭素をスパッタリングしたりあるいは少なくとも
炭化水素ガスを含む雰囲気中でDCまたはRF・PCVD法によ
り、被覆されている。本発明で用いられる水素を含む絶
縁性炭素膜は水素が50原子パーセント以下含まれている
が、いわゆる層状構造を有する水素化カーボンとは異な
る。構造はダイヤモンド類似であり、電気抵抗率は10-2
Ωcm以上の絶縁物であり、電気抵抗率が10-2Ωcm未満の
導電性の層状黒鉛（グラファイト）や無定形炭素とも異
なる。層状構造を有する水素化カーボンあるいはグラフ
ァイト無定形炭素は構造が弱く、ヘッドの摺動によりデ
ィスク面から除去され、磁気記憶体に十分な耐摩耗性を
与えることができない。また、ダイヤモンド類似構造を
有する炭素膜は硬度は高いが、摩擦係数が大きいためヘ
ッドの摺動により傷が付き易く、やはり十分な耐摩耗性
を与えることができない。また、ダイヤモンド類似構造
の炭素膜は高湿状態における水分の侵入を防ぐ防食効果
が劣っている。また層状水素化カーボン膜も結晶間のす
きまが大きく十分な防食効果が得られない。
が少なくとも水素ガスあるいは炭化水素ガスを含む雰囲
気中で炭素をスパッタリングしたりあるいは少なくとも
炭化水素ガスを含む雰囲気中でDCまたはRF・PCVD法によ
り、被覆されている。本発明で用いられる水素を含む絶
縁性炭素膜は水素が50原子パーセント以下含まれている
が、いわゆる層状構造を有する水素化カーボンとは異な
る。構造はダイヤモンド類似であり、電気抵抗率は10-2
Ωcm以上の絶縁物であり、電気抵抗率が10-2Ωcm未満の
導電性の層状黒鉛（グラファイト）や無定形炭素とも異
なる。層状構造を有する水素化カーボンあるいはグラフ
ァイト無定形炭素は構造が弱く、ヘッドの摺動によりデ
ィスク面から除去され、磁気記憶体に十分な耐摩耗性を
与えることができない。また、ダイヤモンド類似構造を
有する炭素膜は硬度は高いが、摩擦係数が大きいためヘ
ッドの摺動により傷が付き易く、やはり十分な耐摩耗性
を与えることができない。また、ダイヤモンド類似構造
の炭素膜は高湿状態における水分の侵入を防ぐ防食効果
が劣っている。また層状水素化カーボン膜も結晶間のす
きまが大きく十分な防食効果が得られない。
しかるに本発明の該媒体上に、炭素の末結合手に化合
された水素を10〜50原子パーセント含有し、ダイヤモン
ド類似構造を有する絶縁性炭素膜は高い硬度と低い摩擦
係数および水分の侵入を防ぐち密さと撥水性を有してお
り、十分な耐摩耗性と防食性を有している。
された水素を10〜50原子パーセント含有し、ダイヤモン
ド類似構造を有する絶縁性炭素膜は高い硬度と低い摩擦
係数および水分の侵入を防ぐち密さと撥水性を有してお
り、十分な耐摩耗性と防食性を有している。
また本発明の水素を含有する絶縁性炭素膜は、水素ガ
ス中で炭素をスパッタリング又はイオンプレーティング
又は蒸着することにより被覆することができる。ここで
用いる水素ガスのかわりにメタン、エタン、アセチレ
ン、プロパン、ブタン等の炭化水素を用いてもよい。
ス中で炭素をスパッタリング又はイオンプレーティング
又は蒸着することにより被覆することができる。ここで
用いる水素ガスのかわりにメタン、エタン、アセチレ
ン、プロパン、ブタン等の炭化水素を用いてもよい。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
（実施例１） アルミ合金の上にニッケル−燐めっき膜が被覆され、
表面粗さ0.005μｍに鏡面仕上げされた下地体１の上に
磁性媒体２として、コバルト−ニッケル−燐合金を0.05
μｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の上に保
護膜３として炭素を水素ガス中で次の条件でスパッタリ
ングし、水素を含む絶縁性炭素膜を0.05μｍの厚さに被
覆し、磁気ディスクを作った条件は、ガス圧比（PAr/PH
2）:20,スパッタガス圧:4×10-2torrスパッタ電力密度:
8W/cm2であり、膜中に含まれる水素量:10原子パーセン
トである。
表面粗さ0.005μｍに鏡面仕上げされた下地体１の上に
磁性媒体２として、コバルト−ニッケル−燐合金を0.05
μｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の上に保
護膜３として炭素を水素ガス中で次の条件でスパッタリ
ングし、水素を含む絶縁性炭素膜を0.05μｍの厚さに被
覆し、磁気ディスクを作った条件は、ガス圧比（PAr/PH
2）:20,スパッタガス圧:4×10-2torrスパッタ電力密度:
8W/cm2であり、膜中に含まれる水素量:10原子パーセン
トである。
（実施例２） 実施例１と同様にして但し、磁性媒体２としてスパッ
タリング法によりコバルト−クロム合金を0.5μｍの厚
さに被覆し、磁気ディスクを作った。
タリング法によりコバルト−クロム合金を0.5μｍの厚
さに被覆し、磁気ディスクを作った。
（実施例３） 実施例１と同様にして但し、水素ガスのかわりにメタ
ンガスを用いて磁気ディスクを作った。
ンガスを用いて磁気ディスクを作った。
（実施例４） 実施例２と同様にして但し、次の条件によりスパッタ
リングし、水素を含む絶縁性炭素膜を0.02μｍの厚さに
被覆し、磁気ディスクを作った。実験条件はガス圧比
（PAr/PH2２）:1,スパッタガス圧:8×10-2torr,スパッ
タ電力密度:10W/cm2であり、膜中に含まれる水素量:30
原子パーセントである。
リングし、水素を含む絶縁性炭素膜を0.02μｍの厚さに
被覆し、磁気ディスクを作った。実験条件はガス圧比
（PAr/PH2２）:1,スパッタガス圧:8×10-2torr,スパッ
タ電力密度:10W/cm2であり、膜中に含まれる水素量:30
原子パーセントである。
（実施例５） 実施例１と同様にして但し、次の条件により、R.F.の
PCVD法により、水素を含む絶縁性炭素膜を0.03μｍの厚
さに被覆し、磁気ディスクを作った。実験条件はメタン
ガスを用い、流量:20SCCM,ガス圧:1 torr,高周波電力:3
0Wであり、膜中に含まれる水素量:20原子パーセントで
ある。
PCVD法により、水素を含む絶縁性炭素膜を0.03μｍの厚
さに被覆し、磁気ディスクを作った。実験条件はメタン
ガスを用い、流量:20SCCM,ガス圧:1 torr,高周波電力:3
0Wであり、膜中に含まれる水素量:20原子パーセントで
ある。
（実施例６） 実施例１と同様にして但し、次の条件によりDCのPCVD
法に水素を含む絶縁性炭素膜を0.03μｍの厚さに被覆
し、磁気ディスクを作った。実験条件はメタンガスを用
い、流量:20SCCM,ガス圧:1 torr,電圧:400V電流密度:1m
Alcm2であり、膜中に含まれる水素量:20原子パーセント
である。
法に水素を含む絶縁性炭素膜を0.03μｍの厚さに被覆
し、磁気ディスクを作った。実験条件はメタンガスを用
い、流量:20SCCM,ガス圧:1 torr,電圧:400V電流密度:1m
Alcm2であり、膜中に含まれる水素量:20原子パーセント
である。
（比較例１） 実施例と同様の磁性媒体２の上に炭素を下記の条件
で、Arガスのみの雰囲気でスパッタリング法により被覆
して磁気ディスクを作った。実験条件はガス圧PAr:4×1
0-2torr,スパッタ電力密度:8W/cm2である。
で、Arガスのみの雰囲気でスパッタリング法により被覆
して磁気ディスクを作った。実験条件はガス圧PAr:4×1
0-2torr,スパッタ電力密度:8W/cm2である。
（比較例２） 比較比１と同様にして但し磁性媒体２の上に、層状水
素化カーボンをアルブンガスのみの雰囲気中でスパッタ
リング法により被覆して磁気ディスクを作った。
素化カーボンをアルブンガスのみの雰囲気中でスパッタ
リング法により被覆して磁気ディスクを作った。
次に実施例１〜５および比較例1,2で示した磁気ディ
スクを用いて摩擦係数の測定およびヘッドとディスクの
起動停止繰り返し試験（CSS試験）および温度90℃、相
対湿度90％における耐食性試験を１ケ月行なったところ
下表の結果を得た。
スクを用いて摩擦係数の測定およびヘッドとディスクの
起動停止繰り返し試験（CSS試験）および温度90℃、相
対湿度90％における耐食性試験を１ケ月行なったところ
下表の結果を得た。
（発明の効果） 以上の結果から明らかなように本発明の磁気記憶体は
優れた耐摩耗性と防食性を有していることが分った。
優れた耐摩耗性と防食性を有していることが分った。
なお、本発明の実施例では、磁気ディスクについて述
べたが、フロッピーディスク、磁気テープ磁気カードに
も本発明が有効であることは明らかである。
べたが、フロッピーディスク、磁気テープ磁気カードに
も本発明が有効であることは明らかである。
図は、本発明の磁気記憶体の部分断面図である。 １は下地体、２は磁性媒体、３は炭素の末結合手に化合
された水素を10〜50原子パーセント含有し、ダイヤモン
ド類似構造を有する絶縁性炭素膜である。
された水素を10〜50原子パーセント含有し、ダイヤモン
ド類似構造を有する絶縁性炭素膜である。
Claims (1)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに
該磁性媒体上に、炭素の未結合手に化合された水素を10
〜50原子パーセント含有し、ダイヤモンド類似構造を有
する絶縁性非晶質炭素膜が被覆されていることを特徴と
する磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238929A JP2594534B2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238929A JP2594534B2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117727A JPS61117727A (ja) | 1986-06-05 |
| JP2594534B2 true JP2594534B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=17037371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59238929A Expired - Lifetime JP2594534B2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594534B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0690790B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1994-11-14 | ホ−ヤ株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
| US5074983A (en) * | 1989-04-21 | 1991-12-24 | Hmt Technology Corporation | Thin film testing method |
| US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
| JP2817502B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2549361B2 (ja) * | 1984-01-26 | 1996-10-30 | 電気化学工業株式会社 | 磁気記憶媒体 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59238929A patent/JP2594534B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117727A (ja) | 1986-06-05 |
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