JPS61117727A - 磁気記憶体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体及びその製造方法Info
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- JPS61117727A JPS61117727A JP23892984A JP23892984A JPS61117727A JP S61117727 A JPS61117727 A JP S61117727A JP 23892984 A JP23892984 A JP 23892984A JP 23892984 A JP23892984 A JP 23892984A JP S61117727 A JPS61117727 A JP S61117727A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態・ でセットした後、磁気
記憶体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記
憶体面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録
再生をする方法である（コンタクト・スタート・ストッ
プ方式。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態・ でセットした後、磁気
記憶体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記
憶体面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録
再生をする方法である（コンタクト・スタート・ストッ
プ方式。
以下Ｃ８Ｓ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時に磁
気記憶体の回転が止まり、この時へンドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
気記憶体の回転が止まり、この時へンドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記検体を摩耗させ
、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。また、前記接触摩擦状態においてヘッドのわ
ずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ
、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記検体を摩耗させ
、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。また、前記接触摩擦状態においてヘッドのわ
ずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ
、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
また、磁性媒体か金属の場合、高湿度において水分の侵
入により腐食を生じる。これらの摩耗および腐食を防ぐ
ためｌこ種々の保ａｍが検討されており、特開昭５３−
５７００２に示す様なスパッタリンク法によるグラファ
イト膜、あるいは特公昭５４−３３５２１に示す様に炭
素棒のスパーク放電による蒸着法による炭素膜か知られ
ているが、いずれも十分な耐摩耗性及び防食性を有して
いない。
入により腐食を生じる。これらの摩耗および腐食を防ぐ
ためｌこ種々の保ａｍが検討されており、特開昭５３−
５７００２に示す様なスパッタリンク法によるグラファ
イト膜、あるいは特公昭５４−３３５２１に示す様に炭
素棒のスパーク放電による蒸着法による炭素膜か知られ
ているが、いずれも十分な耐摩耗性及び防食性を有して
いない。
（発明の目的）
本発明の目的は耐摩耗性と防食性に優れた磁気記憶体を
提供することにある。
提供することにある。
（発明の構成）
すなわち、本発明は下地体の上に磁性媒体か被覆され、
該媒体上に水素を含有し、３次元構造を有する絶縁性炭
素膜が形成された磁気記憶体、及び下地体上に磁性媒体
を形成し、この後該磁性媒体上に少なくとも水素ガスあ
るいは炭化水素ガスを含む雰囲気中で炭素をスパッタリ
ンクすることにより、絶縁性炭素膜を被覆することを％
徴とする磁気記憶体の製造方法、及び下地体上に磁性媒
体を被覆し、ざら（こその上に少なくとも炭化水素ガス
を含む雰囲気中でＤＣあるいはＲＦプラズマ化学気相法
（プラズマＣＶＤ法以下ＰＣＶ−Ｄ法と略す）により絶
縁性炭素膜を被覆することを特徴とする。
該媒体上に水素を含有し、３次元構造を有する絶縁性炭
素膜が形成された磁気記憶体、及び下地体上に磁性媒体
を形成し、この後該磁性媒体上に少なくとも水素ガスあ
るいは炭化水素ガスを含む雰囲気中で炭素をスパッタリ
ンクすることにより、絶縁性炭素膜を被覆することを％
徴とする磁気記憶体の製造方法、及び下地体上に磁性媒
体を被覆し、ざら（こその上に少なくとも炭化水素ガス
を含む雰囲気中でＤＣあるいはＲＦプラズマ化学気相法
（プラズマＣＶＤ法以下ＰＣＶ−Ｄ法と略す）により絶
縁性炭素膜を被覆することを特徴とする。
（Ｗ成の詳細な説明）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図〆は本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１は
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ＮｉＰめつき膜、
Ｃｒ１Ｍ０又はＷ等を被覆したアルミ合金又はポリエス
テル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサ
ルフオンなどのプラスチックス又は窒化ケイ素、酸化ア
ルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体などのセラミック
ス又はＳｉ、ＣｒＭＯ，Ｗ、ステンレス、チタン合金な
どの金属又はカラス板である。
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ＮｉＰめつき膜、
Ｃｒ１Ｍ０又はＷ等を被覆したアルミ合金又はポリエス
テル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサ
ルフオンなどのプラスチックス又は窒化ケイ素、酸化ア
ルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体などのセラミック
ス又はＳｉ、ＣｒＭＯ，Ｗ、ステンレス、チタン合金な
どの金属又はカラス板である。
次にこの下地体１の上（こ磁性媒体２としてＦｅ。
０４ ＋ ｒ−Ｆｅ、０３ 、Ｆｅ、Ｎなどの鉄酸化物
又は窒化物又はＣｏ−Ｎ１．Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−Ｒ
ｅ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｍ［１−Ｒｅ −Ｐ 、 Ｃｏ−Ｃｒ
、 ｃｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｐ ｔ 、 Ｃｏ −
Ｐ Ｌ−Ｎｉ（：ｏ−ｐｔ−Ｃｒ 、Ｃｏ−ｐｔ−Ｖ、
Ｃｏ−ｇｈ、Ｃｏ−Ｎｉ −１ｙｌ。
又は窒化物又はＣｏ−Ｎ１．Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−Ｒ
ｅ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｍ［１−Ｒｅ −Ｐ 、 Ｃｏ−Ｃｒ
、 ｃｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｐ ｔ 、 Ｃｏ −
Ｐ Ｌ−Ｎｉ（：ｏ−ｐｔ−Ｃｒ 、Ｃｏ−ｐｔ−Ｖ、
Ｃｏ−ｇｈ、Ｃｏ−Ｎｉ −１ｙｌ。
又は（’ｏ−３ｍ等の金属又は合金を被覆する。
さらに該磁性媒体２の上に水素を含む絶縁性炭素膜３が
少なくとも水素ガスあるいは炭化水素ガスを含む雰囲気
中で炭素をスパッタリンクしたりあるいは少なくとも炭
化水素ガスを含む雰囲気中でＤＣまたはＲＦ −ＰＣＶ
Ｄ法により、被覆されている。本発明で用いられる水素
を含む絶縁性炭素膜は水素が５０！子パーセント以下含
まれているが、いわゆる層状構造を有する水素化カーボ
ンとは異なる。構造はダイヤモンド類似であり、電気抵
抗率は１０−２Ω口以上の絶縁物であり、電気抵抗率が
１０−２０α未満の導電性の層状黒鉛（グラファイト）
や無定形炭素とも異なる。層状構造を有する水素化カー
ホンあるいはクラファイト無定形炭素は構造が弱く、ヘ
ッドの摺動によりディスク面から除去され、磁気記憶体
に十分な耐摩耗性を与えることができない。また、ダイ
アモンド類構造を有する炭素膜は硬度は高いか、摩擦係
数か大きいためヘッドの摺動により傷が付き易く、やは
り十分な耐摩耗性を与えることかできない。また、ダイ
ヤモンド類似構造の炭素膜は高湿状態における水分の侵
入を防ぐ防食効果が劣っている。また層状水素化カーボ
ン膜も結晶間のすきまが大きく十分な防食効果が得られ
ない。
少なくとも水素ガスあるいは炭化水素ガスを含む雰囲気
中で炭素をスパッタリンクしたりあるいは少なくとも炭
化水素ガスを含む雰囲気中でＤＣまたはＲＦ −ＰＣＶ
Ｄ法により、被覆されている。本発明で用いられる水素
を含む絶縁性炭素膜は水素が５０！子パーセント以下含
まれているが、いわゆる層状構造を有する水素化カーボ
ンとは異なる。構造はダイヤモンド類似であり、電気抵
抗率は１０−２Ω口以上の絶縁物であり、電気抵抗率が
１０−２０α未満の導電性の層状黒鉛（グラファイト）
や無定形炭素とも異なる。層状構造を有する水素化カー
ホンあるいはクラファイト無定形炭素は構造が弱く、ヘ
ッドの摺動によりディスク面から除去され、磁気記憶体
に十分な耐摩耗性を与えることができない。また、ダイ
アモンド類構造を有する炭素膜は硬度は高いか、摩擦係
数か大きいためヘッドの摺動により傷が付き易く、やは
り十分な耐摩耗性を与えることかできない。また、ダイ
ヤモンド類似構造の炭素膜は高湿状態における水分の侵
入を防ぐ防食効果が劣っている。また層状水素化カーボ
ン膜も結晶間のすきまが大きく十分な防食効果が得られ
ない。
しかるに本発明の水素を含有し、３次元構造を有する絶
縁性炭素膜は高い硬度と低い摩擦係数および水分の侵入
を防ぐち密さと撥水性を有しており、十分な耐摩耗性と
防食性を有している。
縁性炭素膜は高い硬度と低い摩擦係数および水分の侵入
を防ぐち密さと撥水性を有しており、十分な耐摩耗性と
防食性を有している。
また本発明の水素を含有する絶縁性炭素膜は、水素ガス
中で炭素をスパッタリンク又はイオンブレーティング又
は蒸着することにより被覆することができる。ここで用
いる水素ガスのかわりにメタン、エタン、アセチレン、
プロパン、ブタン等の炭化水素を用いてもよい。
中で炭素をスパッタリンク又はイオンブレーティング又
は蒸着することにより被覆することができる。ここで用
いる水素ガスのかわりにメタン、エタン、アセチレン、
プロパン、ブタン等の炭化水素を用いてもよい。
次に実施例により本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
アルミ合金の上にニッケルー燐めっき膜が被覆され、表
面粗さｏ、ｏ ｏ ｓμｍに鏡面仕上げされた下地体１
の上に磁性媒体２として、コバルト−ニッケルー燐合金
を０．０５μｍの厚さｌこめつきした。次にこの磁性媒
体２の上に保護膜３として炭素を水素ガス中で次の条件
でスパッタリンクし、水素を含む絶縁性炭素膜を０．０
５μｍの厚さに被覆し、磁気ディスクを作った条件は、
ガス圧比（Ｐ＾ｒ／Ｐｋ２）：２０．スパッタガス圧：
４ｘｌＱ−”ｔｏｒｒスパッタ電力密度：８ｗ／−で
あり、膜中に含まれる水素量；ｉｏ原子パーセントであ
る。
面粗さｏ、ｏ ｏ ｓμｍに鏡面仕上げされた下地体１
の上に磁性媒体２として、コバルト−ニッケルー燐合金
を０．０５μｍの厚さｌこめつきした。次にこの磁性媒
体２の上に保護膜３として炭素を水素ガス中で次の条件
でスパッタリンクし、水素を含む絶縁性炭素膜を０．０
５μｍの厚さに被覆し、磁気ディスクを作った条件は、
ガス圧比（Ｐ＾ｒ／Ｐｋ２）：２０．スパッタガス圧：
４ｘｌＱ−”ｔｏｒｒスパッタ電力密度：８ｗ／−で
あり、膜中に含まれる水素量；ｉｏ原子パーセントであ
る。
（実施例２）
実施例１と同様にして、但し、磁性媒体２としてスパッ
タリンク法によりコバルト−クロム合金を０．５μｍの
厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
タリンク法によりコバルト−クロム合金を０．５μｍの
厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
（実施例３）
実施例１と同様にして但し、水素ガスのかわりｆこメタ
ンガスを用いて磁気ディスクを作った。
ンガスを用いて磁気ディスクを作った。
（実施例４）
実施例２と同様にして但し、次の条件によりスパッタリ
ンクし、水素を含む絶縁性炭素膜を０．０２μｍの厚さ
に被覆し、磁気ティスフを作った。実験条件はカス正比
（ＰＡｒ／ＰＨｔ） ’ １．スパッタカス圧Ｂｘ１０
−２ＬＯｒｒ、スハ７ ’ｌ ’ＷＬ力’ＭＫ ’ Ｉ
ＯＷ／ａｄ テあり、膜中に含まれる水素量、３０原子
バーでントである。
ンクし、水素を含む絶縁性炭素膜を０．０２μｍの厚さ
に被覆し、磁気ティスフを作った。実験条件はカス正比
（ＰＡｒ／ＰＨｔ） ’ １．スパッタカス圧Ｂｘ１０
−２ＬＯｒｒ、スハ７ ’ｌ ’ＷＬ力’ＭＫ ’ Ｉ
ＯＷ／ａｄ テあり、膜中に含まれる水素量、３０原子
バーでントである。
（実施例５）
実施例１と同様にして但し、次の条件により、Ｒ，Ｆ・
のＰＣＶＤ法により、水素を含む絶縁性炭素膜を０．０
３の厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
のＰＣＶＤ法により、水素を含む絶縁性炭素膜を０．０
３の厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
実験条件はメタンガスを用い、流量： ２０ＳＣＣＭ。
ガス圧； １ ｔｏｒｒ、高周波電カニ３０Ｗであり、
膜中に含まれる水素量：２０鳳子パーセントである。
膜中に含まれる水素量：２０鳳子パーセントである。
（実施例６）
実施例１と同様にして但し、次の条件によりＤＣのＰＣ
ＶＤ法に水素を含む絶縁性炭素膜を０．０３の厚さに被
覆し、磁気ディスクを作った。実験条件はメタンガスを
用い、流量； ２０ＳＣＣＭ、カス圧、１ｔｏｒｒ 、
電圧： ４００Ｖ電流密度：１ｍＡｌ−であり、膜中に
含まれる水素量：２０原子パーセントである。
ＶＤ法に水素を含む絶縁性炭素膜を０．０３の厚さに被
覆し、磁気ディスクを作った。実験条件はメタンガスを
用い、流量； ２０ＳＣＣＭ、カス圧、１ｔｏｒｒ 、
電圧： ４００Ｖ電流密度：１ｍＡｌ−であり、膜中に
含まれる水素量：２０原子パーセントである。
（比較例１）
実施例と同様に磁性媒体２の上に炭素を下記の条件で、
Ａｒガスのみの雰囲気でスパッタリンク法により被覆し
て磁気ディスクを作った。実験条件はガス圧ＰＪｒ：４
Ｘ１０−’ｔｏｒｒ、スバ７タ電力密度：８Ｗ／−であ
る。
Ａｒガスのみの雰囲気でスパッタリンク法により被覆し
て磁気ディスクを作った。実験条件はガス圧ＰＪｒ：４
Ｘ１０−’ｔｏｒｒ、スバ７タ電力密度：８Ｗ／−であ
る。
（比較例２）
でスパッタリンク法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
た。
次に実施例１〜５および比較例１．２で示した磁気ディ
スクを用いて摩擦係数の測定およびヘッドとディスクの
起動停止繰り返し試Ｍ（Ｃ８Ｓ試験）および温度９０°
０、相対湿度９０チにおける耐食性試験を１ケ月行なっ
たところ下表の結果を得た。
スクを用いて摩擦係数の測定およびヘッドとディスクの
起動停止繰り返し試Ｍ（Ｃ８Ｓ試験）および温度９０°
０、相対湿度９０チにおける耐食性試験を１ケ月行なっ
たところ下表の結果を得た。
（発明の効果）
以上の結果から明らかなようｌこ本発明の磁気記憶体は
優れた耐摩耗性と防食性を有していることが分った。
優れた耐摩耗性と防食性を有していることが分った。
なお、本発明の実施例では、磁気ディスクについて述べ
たが、フロッピーディスク、磁気テープ磁気カードにも
本発明が有効であることは明らかである。
たが、フロッピーディスク、磁気テープ磁気カードにも
本発明が有効であることは明らかである。
図は、本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
１は下地体、２は磁性媒体、３は水素を含み、３次元構
造を有する絶縁性炭素膜である。
造を有する絶縁性炭素膜である。
Claims (3)
- （１）下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに該磁性
媒体上に水素を含有し、３次元構造を有する絶縁性炭素
膜が被覆されていることを特徴とする磁気記憶体。 - （２）下地体の上に磁性媒体を被覆し、さらにその上に
少なくとも水素あるいは炭化水素ガスを含む雰囲気中で
炭素をスパッタリンクし、絶縁性炭素膜を形成すること
を特徴とする磁気記憶体の製造方法。 - （３）下地体の上に磁性媒体を被覆し、さらにその上に
少なくとも炭化水素ガスを含む雰囲気中でＤＣ又はＲＦ
プラズマＣＶＤ法により絶縁性炭素膜を被覆することを
特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238929A JP2594534B2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238929A JP2594534B2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117727A true JPS61117727A (ja) | 1986-06-05 |
| JP2594534B2 JP2594534B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=17037371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59238929A Expired - Lifetime JP2594534B2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594534B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
| JPS63300427A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Hoya Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
| US5074983A (en) * | 1989-04-21 | 1991-12-24 | Hmt Technology Corporation | Thin film testing method |
| JPH0644556A (ja) * | 1992-03-25 | 1994-02-18 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157725A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記憶媒体 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59238929A patent/JP2594534B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157725A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記憶媒体 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300427A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Hoya Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
| US5074983A (en) * | 1989-04-21 | 1991-12-24 | Hmt Technology Corporation | Thin film testing method |
| US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
| US5397644A (en) * | 1990-02-01 | 1995-03-14 | Komag, Incorporated | Magnetic disk having a sputtered hydrogen-doped carbon protective film |
| JPH0644556A (ja) * | 1992-03-25 | 1994-02-18 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2594534B2 (ja) | 1997-03-26 |
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