JPH05298689A - 磁気ディスク保護膜の形成方法 - Google Patents
磁気ディスク保護膜の形成方法Info
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- JPH05298689A JPH05298689A JP12104092A JP12104092A JPH05298689A JP H05298689 A JPH05298689 A JP H05298689A JP 12104092 A JP12104092 A JP 12104092A JP 12104092 A JP12104092 A JP 12104092A JP H05298689 A JPH05298689 A JP H05298689A
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- JP
- Japan
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- magnetic disk
- protective film
- glow discharge
- amorphous carbon
- hard amorphous
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚さ３００オングストローム以下においても
きわめて高い硬度を持ち、さらに密着性、耐摩耗性、潤
滑性に優れており、高密度記録技術の要求に十分耐え得
る実用性の高い磁気ディスク保護膜の形成方法を提供す
る。 【構成】 磁気ディスク基体上に、水素を５〜３０原子
％含有する硬質非晶質炭素保護膜を設ける方法におい
て、該磁気ディスク基体表面を、予めアルゴンガスまた
は水素ガスの直流グロー放電プラズマにより清浄化した
後、該硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電プラズマ
ＣＶＤ法により形成する。
きわめて高い硬度を持ち、さらに密着性、耐摩耗性、潤
滑性に優れており、高密度記録技術の要求に十分耐え得
る実用性の高い磁気ディスク保護膜の形成方法を提供す
る。 【構成】 磁気ディスク基体上に、水素を５〜３０原子
％含有する硬質非晶質炭素保護膜を設ける方法におい
て、該磁気ディスク基体表面を、予めアルゴンガスまた
は水素ガスの直流グロー放電プラズマにより清浄化した
後、該硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電プラズマ
ＣＶＤ法により形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、硬度が高く、密着性、
潤滑性ならびに耐摩耗性に優れた磁気ディスク保護膜の
形成方法に関する。
潤滑性ならびに耐摩耗性に優れた磁気ディスク保護膜の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクや磁気ヘッドは、コンピュ
ータの情報記憶装置に広く用いられている。磁気ディス
クはアルミニウムあるいはプラスチック等の基板上にフ
ェライトや鉄、コバルト、ニッケルないしはこれらの化
合物またはネオジミウム、サマリウム、ガドリニウム、
テルビウム等の希土類金属やそれらからなる化合物を磁
気記録媒体として塗布法やスパッタ法等により薄膜状に
付着させて用いられている。磁気ヘッドは種々の方式が
あるが、いずれも記録媒体に書き込まれた磁化の向きに
応じた磁束の変化を電気信号として取り出すもので、こ
の際磁気ヘッドは可能な限り磁気ディスクに近づけて使
用される。また、この時磁気ディスクは回転と停止を頻
繁に繰り返すので、その度に磁気ヘッドと磁気ディスク
は互いに接触、摩擦を繰り返すことになる。従って、通
常、磁気ディスク上には磁気ヘッドによる磁気記録媒体
の摩耗損傷を防止するための保護膜が必要とされる。
ータの情報記憶装置に広く用いられている。磁気ディス
クはアルミニウムあるいはプラスチック等の基板上にフ
ェライトや鉄、コバルト、ニッケルないしはこれらの化
合物またはネオジミウム、サマリウム、ガドリニウム、
テルビウム等の希土類金属やそれらからなる化合物を磁
気記録媒体として塗布法やスパッタ法等により薄膜状に
付着させて用いられている。磁気ヘッドは種々の方式が
あるが、いずれも記録媒体に書き込まれた磁化の向きに
応じた磁束の変化を電気信号として取り出すもので、こ
の際磁気ヘッドは可能な限り磁気ディスクに近づけて使
用される。また、この時磁気ディスクは回転と停止を頻
繁に繰り返すので、その度に磁気ヘッドと磁気ディスク
は互いに接触、摩擦を繰り返すことになる。従って、通
常、磁気ディスク上には磁気ヘッドによる磁気記録媒体
の摩耗損傷を防止するための保護膜が必要とされる。
【０００３】磁気ディスクの保護膜に必要とされる特性
は、基板ないしは下地との密着性、表面の潤滑性、そし
て耐摩耗性に優れていること等である。良好な密着性
は、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触あるいは摩擦時
に保護膜が剥離しないために重要となる。優れた潤滑性
は磁気ディスクと磁気ヘッドとの摩擦で生ずるトルクを
小さくし、磁気ディスクの高速回転動作の安定性や信頼
性を保つために重要である。潤滑性は摩擦係数によって
評価することが可能で、摩擦係数が小さいほど保護膜と
して優れている。耐摩耗性の評価には硬度を指標とする
ことができ、硬度が高いほど耐摩耗性は優れている。従
って基板との密着性が良好で、しかも高硬度、低摩擦係
数を有することが優れた保護膜としての条件であるとい
える。
は、基板ないしは下地との密着性、表面の潤滑性、そし
て耐摩耗性に優れていること等である。良好な密着性
は、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触あるいは摩擦時
に保護膜が剥離しないために重要となる。優れた潤滑性
は磁気ディスクと磁気ヘッドとの摩擦で生ずるトルクを
小さくし、磁気ディスクの高速回転動作の安定性や信頼
性を保つために重要である。潤滑性は摩擦係数によって
評価することが可能で、摩擦係数が小さいほど保護膜と
して優れている。耐摩耗性の評価には硬度を指標とする
ことができ、硬度が高いほど耐摩耗性は優れている。従
って基板との密着性が良好で、しかも高硬度、低摩擦係
数を有することが優れた保護膜としての条件であるとい
える。
【０００４】従来、磁気ディスクの保護膜としては、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、ア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の酸化物や窒化物、もしくは炭素
膜が用いられている。ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4およびＡｌ2Ｏ
3保護膜は、通常、シリコンやアルミニウムの有機金属
化合物を溶媒中に溶解したものを塗布乾燥後、熱処理す
る方法、アルゴンと酸素の混合ガス中ないしは窒素中で
スパッタリングする方法、あるいは蒸着法等により形成
される。また、炭素保護膜の形成方法としては、スパッ
タ法および炭化水素ガスを用いた化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）法がある。これらの保護膜は、保護膜としての特性
を維持するために通常５００〜１０００オングストロー
ム程度の厚さを必要とし、さらにその上には厚さ数十オ
ングストロームの有機物からなる潤滑剤を摩擦係数低減
のために塗布して使用されている。
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、ア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の酸化物や窒化物、もしくは炭素
膜が用いられている。ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4およびＡｌ2Ｏ
3保護膜は、通常、シリコンやアルミニウムの有機金属
化合物を溶媒中に溶解したものを塗布乾燥後、熱処理す
る方法、アルゴンと酸素の混合ガス中ないしは窒素中で
スパッタリングする方法、あるいは蒸着法等により形成
される。また、炭素保護膜の形成方法としては、スパッ
タ法および炭化水素ガスを用いた化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）法がある。これらの保護膜は、保護膜としての特性
を維持するために通常５００〜１０００オングストロー
ム程度の厚さを必要とし、さらにその上には厚さ数十オ
ングストロームの有機物からなる潤滑剤を摩擦係数低減
のために塗布して使用されている。
【０００５】一方、近年の高度に発達した情報処理技術
は、ますます大容量化を必要としており、高密度記録媒
体技術はより重要性を増している。特に磁気ディスクの
保護膜は、磁気ヘッドと磁気記録媒体とのスペースの縮
小化に伴い１００オングストローム以下の薄膜化が要求
されつつある。
は、ますます大容量化を必要としており、高密度記録媒
体技術はより重要性を増している。特に磁気ディスクの
保護膜は、磁気ヘッドと磁気記録媒体とのスペースの縮
小化に伴い１００オングストローム以下の薄膜化が要求
されつつある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記で説明した従来の
保護膜では、硬度、密着性、耐摩耗性そして潤滑性は十
分とは言えない。例えば、ビッカース硬度はＳｉＯ2 で
は２０００ｋｇ／ｍｍ2、Ａｌ2Ｏ3やＳｉ3Ｎ4では３０
００ｋｇ／ｍｍ2程度である。さらに、これらの保護膜
の厚さは５００オングストロームが下限であり、それ以
下の厚さでは膜の硬度、耐摩耗性および耐腐食性は格段
に低下してしまうという欠点がある。
保護膜では、硬度、密着性、耐摩耗性そして潤滑性は十
分とは言えない。例えば、ビッカース硬度はＳｉＯ2 で
は２０００ｋｇ／ｍｍ2、Ａｌ2Ｏ3やＳｉ3Ｎ4では３０
００ｋｇ／ｍｍ2程度である。さらに、これらの保護膜
の厚さは５００オングストロームが下限であり、それ以
下の厚さでは膜の硬度、耐摩耗性および耐腐食性は格段
に低下してしまうという欠点がある。
【０００７】これに対し、近年高硬度で潤滑性に優れた
保護膜材料として、スパッタ法あるいはＣＶＤ法で作ら
れる硬質炭素膜が注目されている。しかしながらその潤
滑性はまだ不十分である。例えば、１９９０年の日本国
際潤滑会議予稿集(Proceedings of the Japan Internat
ional Tribology Conference)の１８８１ページに記載
されているように、磁気ヘッドと炭素保護膜とが接触、
摩擦を繰り返すうちに保護膜の摩擦係数が大きくなり、
潤滑性が劣化するという問題がある。
保護膜材料として、スパッタ法あるいはＣＶＤ法で作ら
れる硬質炭素膜が注目されている。しかしながらその潤
滑性はまだ不十分である。例えば、１９９０年の日本国
際潤滑会議予稿集(Proceedings of the Japan Internat
ional Tribology Conference)の１８８１ページに記載
されているように、磁気ヘッドと炭素保護膜とが接触、
摩擦を繰り返すうちに保護膜の摩擦係数が大きくなり、
潤滑性が劣化するという問題がある。
【０００８】一方、磁気ディスク保護膜として優れた潤
滑性と耐摩耗性を示すものとして、特願昭６２−２３４
３２８号に記載されているような、直流グロー放電プラ
ズマを利用した硬質非晶質炭素膜があげられる。しかし
ながら、該保護膜の形成には、磁気ディスク基体と硬質
非晶質炭素膜との密着性を確保するためにＳｉの中間層
を設ける必要があった。すなわち、磁気ディスク基体に
おいて、磁気ディスク基板上に形成された磁気記録媒体
表面に存在すると思われる酸化膜のため、磁気ディスク
基体と硬質非晶質炭素膜との界面における結合が弱いと
考えられ、磁気記録媒体および硬質非晶質炭素と界面で
強固な結合を作ると考えられるＳｉの中間層を形成する
ことにより磁気ディスク基体と保護膜との密着性を確保
する必要があったと考えられる。したがって、この場
合、磁気ディスク基体上の保護膜の厚さの低減には限界
があった。そのため、直流グロー放電プラズマを利用し
た硬質非晶質炭素膜を、中間層なしで磁気ディスク基体
に密着性良く形成する技術が切望されていた。
滑性と耐摩耗性を示すものとして、特願昭６２−２３４
３２８号に記載されているような、直流グロー放電プラ
ズマを利用した硬質非晶質炭素膜があげられる。しかし
ながら、該保護膜の形成には、磁気ディスク基体と硬質
非晶質炭素膜との密着性を確保するためにＳｉの中間層
を設ける必要があった。すなわち、磁気ディスク基体に
おいて、磁気ディスク基板上に形成された磁気記録媒体
表面に存在すると思われる酸化膜のため、磁気ディスク
基体と硬質非晶質炭素膜との界面における結合が弱いと
考えられ、磁気記録媒体および硬質非晶質炭素と界面で
強固な結合を作ると考えられるＳｉの中間層を形成する
ことにより磁気ディスク基体と保護膜との密着性を確保
する必要があったと考えられる。したがって、この場
合、磁気ディスク基体上の保護膜の厚さの低減には限界
があった。そのため、直流グロー放電プラズマを利用し
た硬質非晶質炭素膜を、中間層なしで磁気ディスク基体
に密着性良く形成する技術が切望されていた。
【０００９】本発明は以上の欠点を改善し、３００オン
グストローム以下の厚さにおいても、高硬度で耐摩耗
性、密着性、そして潤滑性に優れた磁気ディスク保護膜
の形成方法を提供することを目的とする。
グストローム以下の厚さにおいても、高硬度で耐摩耗
性、密着性、そして潤滑性に優れた磁気ディスク保護膜
の形成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気ディスク
基体上に、水素を含有する硬質非晶質炭素膜からなる保
護膜を形成する方法であって、真空装置内に配置された
磁気ディスク基体表面を直流グロー放電プラズマにより
清浄化した後に、真空装置内で連続して硬質非晶質炭素
保護膜を直流グロー放電プラズマＣＶＤ法により形成す
る工程を備えてなることを特徴とする磁気ディスク保護
膜の形成方法である。上記発明においては、アルゴンガ
スまたは水素ガスの直流プラズマ放電により磁気ディス
ク基体表面を清浄化することが好ましい。
基体上に、水素を含有する硬質非晶質炭素膜からなる保
護膜を形成する方法であって、真空装置内に配置された
磁気ディスク基体表面を直流グロー放電プラズマにより
清浄化した後に、真空装置内で連続して硬質非晶質炭素
保護膜を直流グロー放電プラズマＣＶＤ法により形成す
る工程を備えてなることを特徴とする磁気ディスク保護
膜の形成方法である。上記発明においては、アルゴンガ
スまたは水素ガスの直流プラズマ放電により磁気ディス
ク基体表面を清浄化することが好ましい。
【００１１】
【作用】硬質非晶質炭素保護膜の形成に先立ち、基体表
面を真空中で清浄化することにより、基体表面の酸化膜
は除去される。このため、形成される保護膜と、基体表
面とは、密着性がよくなる。従来設けられていたＳｉ中
間層が不要となり、基体上の保護膜の厚さが低減され
る。硬質非晶炭素膜の形成においては、原料気体として
水素ガスおよびメタンガスを用い、水素を５〜３０原子
％含有する硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電によ
り形成したときに特に良好な結果を与える。
面を真空中で清浄化することにより、基体表面の酸化膜
は除去される。このため、形成される保護膜と、基体表
面とは、密着性がよくなる。従来設けられていたＳｉ中
間層が不要となり、基体上の保護膜の厚さが低減され
る。硬質非晶炭素膜の形成においては、原料気体として
水素ガスおよびメタンガスを用い、水素を５〜３０原子
％含有する硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電によ
り形成したときに特に良好な結果を与える。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。磁
気ディスク基体としては、アルミニウム合金製の磁気デ
ィスク基板上に、コバルト・クロム・タンタルを含む磁
気記録媒体層をスパッタ法により約１０μｍ形成させた
ものを用いた。
気ディスク基体としては、アルミニウム合金製の磁気デ
ィスク基板上に、コバルト・クロム・タンタルを含む磁
気記録媒体層をスパッタ法により約１０μｍ形成させた
ものを用いた。
【００１３】実施例１ 磁気ディスク基体表面の清浄化は、図１に示した装置を
用いて行った。真空槽１１に磁気記録媒体層とそれを支
持する基板とからなる磁気ディスク基体１５を陰極とし
て設置し、磁気ディスク基体１５の上下両面に平行に陽
極となる対向電極１２を設置する。排気装置１６で真空
槽１１を１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した後、アルゴンガ
スをガス導入口１４から導入し、真空槽１１内の気体の
圧力を０．１〜０．５Ｔｏｒｒとした。陽極である対向
電極１２はアース電位とし、陰極となる磁気ディスク基
体１５に直流電源１３により電圧を印加し、直流グロー
放電を発生させ、磁気ディスク基体表面を清浄化した。
この時印加する電圧は、放電電流密度が１〜２mA／cm2
となるように設定した。また、グロー放電中の磁気ディ
スク基体１５は特に外部からの加熱を行わなかった。硬
質非晶質炭素保護膜２０は、磁気ディスク基体１５表面
の清浄化を行ったのと同じ真空槽１１内で真空を破るこ
となく連続的に行った。磁気ディスク基体１５表面の清
浄化を行った後、真空槽１１を再び１０-3Ｔｏｒｒまで
排気し、その後、水素ガスおよびメタンガスをガス導入
口１４を通して水素ガスボンベ１８およびメタンガスボ
ンベ１９から供給する。真空槽１１内は排気装置１６に
より適当な圧力に調整される。水素ガスおよびメタンガ
スをメタンガスの体積分率が１〜１０体積％の範囲で導
入し、真空槽１１内の気体の全圧を０．１〜１０Ｔｏｒ
ｒとした。陽極である対向電極１２はアース電位とし、
陰極となる磁気ディスク基体１５に直流電源１３により
電圧を印加し、直流グロー放電を発生させた。この時印
加する電圧は、放電電流密度が０．１〜３mA／cm2とな
るように設定した。また、グロー放電中の磁気ディスク
基体１５は特に外部からの加熱を行わず、硬質非晶質炭
素膜２０の厚さは１００〜２００オングストロームとし
た。
用いて行った。真空槽１１に磁気記録媒体層とそれを支
持する基板とからなる磁気ディスク基体１５を陰極とし
て設置し、磁気ディスク基体１５の上下両面に平行に陽
極となる対向電極１２を設置する。排気装置１６で真空
槽１１を１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した後、アルゴンガ
スをガス導入口１４から導入し、真空槽１１内の気体の
圧力を０．１〜０．５Ｔｏｒｒとした。陽極である対向
電極１２はアース電位とし、陰極となる磁気ディスク基
体１５に直流電源１３により電圧を印加し、直流グロー
放電を発生させ、磁気ディスク基体表面を清浄化した。
この時印加する電圧は、放電電流密度が１〜２mA／cm2
となるように設定した。また、グロー放電中の磁気ディ
スク基体１５は特に外部からの加熱を行わなかった。硬
質非晶質炭素保護膜２０は、磁気ディスク基体１５表面
の清浄化を行ったのと同じ真空槽１１内で真空を破るこ
となく連続的に行った。磁気ディスク基体１５表面の清
浄化を行った後、真空槽１１を再び１０-3Ｔｏｒｒまで
排気し、その後、水素ガスおよびメタンガスをガス導入
口１４を通して水素ガスボンベ１８およびメタンガスボ
ンベ１９から供給する。真空槽１１内は排気装置１６に
より適当な圧力に調整される。水素ガスおよびメタンガ
スをメタンガスの体積分率が１〜１０体積％の範囲で導
入し、真空槽１１内の気体の全圧を０．１〜１０Ｔｏｒ
ｒとした。陽極である対向電極１２はアース電位とし、
陰極となる磁気ディスク基体１５に直流電源１３により
電圧を印加し、直流グロー放電を発生させた。この時印
加する電圧は、放電電流密度が０．１〜３mA／cm2とな
るように設定した。また、グロー放電中の磁気ディスク
基体１５は特に外部からの加熱を行わず、硬質非晶質炭
素膜２０の厚さは１００〜２００オングストロームとし
た。
【００１４】このようにして形成した保護膜は、光学顕
微鏡による観察において損傷が認められなかった。ま
た、エリプソメトリーを用いた膜厚測定結果により、面
内の膜厚むらが保護膜厚の１０％以内と優れた平坦性を
持つことが分かった。更に、透過型電子顕微鏡を用いた
構造観察により、保護膜は非晶質であることが分かっ
た。
微鏡による観察において損傷が認められなかった。ま
た、エリプソメトリーを用いた膜厚測定結果により、面
内の膜厚むらが保護膜厚の１０％以内と優れた平坦性を
持つことが分かった。更に、透過型電子顕微鏡を用いた
構造観察により、保護膜は非晶質であることが分かっ
た。
【００１５】次に、厚さ１００オングストロームの硬質
非晶質炭素保護膜を形成した磁気ディスクについて、磁
気ヘッドを磁気ディスクに押しつけた後、磁気ディスク
を磁気ヘッドが浮上するまで高速回転させ、浮上後再び
停止し、再度磁気ヘッドをディスク面に接触させるとい
う動作を繰り返すコンタクト・スタート・ストップ（Ｃ
ＳＳ）試験と摩擦係数測定とが同時に実施可能なＣＳＳ
−μ試験により耐摩耗性および潤滑性を評価した。ＣＳ
Ｓ試験には、磁気ヘッドとしてアルミニウムと炭化チタ
ンからなる焼結体基板を加工したものを用い、磁気ヘッ
ドの接触荷重を２０ｇ、また磁気ディスクの最高回転数
を３６００ｒｐｍとして試験を実施した。本実施例で
は、潤滑剤を用いることなく２万回のＣＳＳ試験後も、
磁気ディスク表面には摩耗による損傷や膜のはがれ等は
認められず、また、摩擦係数も０．２以下と、保護膜は
優れた耐摩耗性、密着性、潤滑性を持つことが分かっ
た。さらに別途に調べた硬度も、従来の炭素膜よりも大
きく、天然のダイヤモンドに匹敵する値が得られた。
非晶質炭素保護膜を形成した磁気ディスクについて、磁
気ヘッドを磁気ディスクに押しつけた後、磁気ディスク
を磁気ヘッドが浮上するまで高速回転させ、浮上後再び
停止し、再度磁気ヘッドをディスク面に接触させるとい
う動作を繰り返すコンタクト・スタート・ストップ（Ｃ
ＳＳ）試験と摩擦係数測定とが同時に実施可能なＣＳＳ
−μ試験により耐摩耗性および潤滑性を評価した。ＣＳ
Ｓ試験には、磁気ヘッドとしてアルミニウムと炭化チタ
ンからなる焼結体基板を加工したものを用い、磁気ヘッ
ドの接触荷重を２０ｇ、また磁気ディスクの最高回転数
を３６００ｒｐｍとして試験を実施した。本実施例で
は、潤滑剤を用いることなく２万回のＣＳＳ試験後も、
磁気ディスク表面には摩耗による損傷や膜のはがれ等は
認められず、また、摩擦係数も０．２以下と、保護膜は
優れた耐摩耗性、密着性、潤滑性を持つことが分かっ
た。さらに別途に調べた硬度も、従来の炭素膜よりも大
きく、天然のダイヤモンドに匹敵する値が得られた。
【００１６】実施例２ 実施例１では磁気ディスク基体表面の清浄化にアルゴン
ガスを用いたが、アルゴンガスの代わりに水素ガスを用
い、実施例１と同じく図１に示した装置を用いて、同様
な方法を用いることによっても良好な結果を得た。この
時、プラズマ放電中の水素ガスの圧力を０．１〜０．５
Ｔｏｒｒとし、印加する電圧を、放電電流密度が０．５
〜１mA／cm2となるように設定した。また、硬質非晶質
炭素保護膜は、実施例１の時とまったく同様の方法によ
り形成した。このようにして形成した保護膜は、実施例
１の時と同様に、損傷が認められず、面内の膜厚むらも
保護膜厚の１０％以内と優れた平坦性を持ち、さらに、
保護膜は非晶質であった。
ガスを用いたが、アルゴンガスの代わりに水素ガスを用
い、実施例１と同じく図１に示した装置を用いて、同様
な方法を用いることによっても良好な結果を得た。この
時、プラズマ放電中の水素ガスの圧力を０．１〜０．５
Ｔｏｒｒとし、印加する電圧を、放電電流密度が０．５
〜１mA／cm2となるように設定した。また、硬質非晶質
炭素保護膜は、実施例１の時とまったく同様の方法によ
り形成した。このようにして形成した保護膜は、実施例
１の時と同様に、損傷が認められず、面内の膜厚むらも
保護膜厚の１０％以内と優れた平坦性を持ち、さらに、
保護膜は非晶質であった。
【００１７】次に、厚さ１００オングストロームの硬質
非晶質炭素保護膜を形成した磁気ディスクについて、実
施例１の時と同様の条件でＣＳＳ−μ試験により耐摩耗
性および潤滑性を評価した。本実施例では、潤滑剤を用
いることなく２万回のＣＳＳ試験後も、磁気ディスク表
面には摩耗による損傷や膜のはがれ等は認められず、ま
た、摩擦係数も０．１５以下と、保護膜は優れた耐摩耗
性、密着性と潤滑性を持つことが分かった。また、比較
のために、同様の方法で、磁気ディスク基体表面の清浄
化を行わずに硬質非晶質炭素保護膜を形成した磁気ディ
スクと、スパッタによる炭素保護膜を設けた磁気ディス
クについてもＣＳＳ−μ試験を行った。その結果、清浄
化を行わずに硬質非晶質炭素保護膜を設けた磁気ディス
クでは、保護膜のはがれが見られた。また、スパッタに
よる炭素膜を設けた磁気ディスクでは、２万回後も摩耗
損傷こそ認められなかったものの、摩擦係数は試験開始
直後においては約０．４、２万回後においては約０．６
と大きいことがわかった。
非晶質炭素保護膜を形成した磁気ディスクについて、実
施例１の時と同様の条件でＣＳＳ−μ試験により耐摩耗
性および潤滑性を評価した。本実施例では、潤滑剤を用
いることなく２万回のＣＳＳ試験後も、磁気ディスク表
面には摩耗による損傷や膜のはがれ等は認められず、ま
た、摩擦係数も０．１５以下と、保護膜は優れた耐摩耗
性、密着性と潤滑性を持つことが分かった。また、比較
のために、同様の方法で、磁気ディスク基体表面の清浄
化を行わずに硬質非晶質炭素保護膜を形成した磁気ディ
スクと、スパッタによる炭素保護膜を設けた磁気ディス
クについてもＣＳＳ−μ試験を行った。その結果、清浄
化を行わずに硬質非晶質炭素保護膜を設けた磁気ディス
クでは、保護膜のはがれが見られた。また、スパッタに
よる炭素膜を設けた磁気ディスクでは、２万回後も摩耗
損傷こそ認められなかったものの、摩擦係数は試験開始
直後においては約０．４、２万回後においては約０．６
と大きいことがわかった。
【００１８】実施例１および実施例２ともに、清浄化さ
れた磁気ディスク基体表面の状態は真空槽１１内の圧力
や直流電源１３により印加される電圧等により大きく変
化するが、真空槽１１内の圧力が０．１〜０．５Ｔｏｒ
ｒ、そして直流電源１３により印加される電圧値は安定
なグロー放電が維持できる値の時に、均一に大きな損傷
なく清浄化することができた。また、形成される硬質非
晶質炭素膜は、気体の混合比、真空槽内の圧力や直流電
源により印加される電圧等により大きく変化するが、メ
タンの体積分率が１〜１０体積％、真空槽１１内圧力が
０．１〜１０Ｔｏｒｒ、そして直流電源により印加され
る電圧値は安定なグロー放電が維持できる値の時に、均
一で損傷のない良質の膜を得ることができた。
れた磁気ディスク基体表面の状態は真空槽１１内の圧力
や直流電源１３により印加される電圧等により大きく変
化するが、真空槽１１内の圧力が０．１〜０．５Ｔｏｒ
ｒ、そして直流電源１３により印加される電圧値は安定
なグロー放電が維持できる値の時に、均一に大きな損傷
なく清浄化することができた。また、形成される硬質非
晶質炭素膜は、気体の混合比、真空槽内の圧力や直流電
源により印加される電圧等により大きく変化するが、メ
タンの体積分率が１〜１０体積％、真空槽１１内圧力が
０．１〜１０Ｔｏｒｒ、そして直流電源により印加され
る電圧値は安定なグロー放電が維持できる値の時に、均
一で損傷のない良質の膜を得ることができた。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明より作製され
た磁気ディスク保護膜は、厚さ３００オングストローム
以下においてもきわめて高い硬度を持ち、さらに密着
性、耐摩耗性、潤滑性に優れており、高密度記録技術の
要求に十分耐え得る実用性の高いものといえる。
た磁気ディスク保護膜は、厚さ３００オングストローム
以下においてもきわめて高い硬度を持ち、さらに密着
性、耐摩耗性、潤滑性に優れており、高密度記録技術の
要求に十分耐え得る実用性の高いものといえる。
【図１】本発明による磁気ディスク保護膜の形成に用い
られる装置の一例の構成図である。
られる装置の一例の構成図である。
１１ 真空槽 １２ 対向電極 １３ 直流電源 １４ ガス導入口 １５ 磁気ディスク基体 １６ 排気装置 １７ アルゴンガスボンベ １８ 水素ガスボンベ １９ メタンガスボンベ ２０ 硬質非晶質炭素膜 ２１ 排気バルブ ２２ 気体導入バルブ
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気ディスク基体上に、水素を含有する
硬質非晶質炭素膜からなる保護膜を形成する方法であっ
て、真空装置内に配置された磁気ディスク基体表面を直
流グロー放電プラズマにより清浄化した後に、真空装置
内で連続して硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電プ
ラズマＣＶＤ法により形成する工程を備えてなることを
特徴とする磁気ディスク保護膜の形成方法。 - 【請求項２】 磁気ディスク基体表面を、水素ガスの直
流グロー放電プラズマにより清浄化することを特徴とす
る請求項１記載の磁気ディスク保護膜の形成方法。 - 【請求項３】 磁気ディスク基体表面を、アルゴンガス
の直流グロー放電プラズマにより清浄化することを特徴
とする請求項１記載の磁気ディスク保護膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12104092A JPH05298689A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 磁気ディスク保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12104092A JPH05298689A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 磁気ディスク保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05298689A true JPH05298689A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14801333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12104092A Pending JPH05298689A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 磁気ディスク保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05298689A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664343A3 (en) * | 1994-01-03 | 1997-01-15 | Xerox Corp | Method of improving adhesion in a process for depositing fluoropolymer. |
| SG82661A1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-08-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium and production process |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP12104092A patent/JPH05298689A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664343A3 (en) * | 1994-01-03 | 1997-01-15 | Xerox Corp | Method of improving adhesion in a process for depositing fluoropolymer. |
| US5900288A (en) * | 1994-01-03 | 1999-05-04 | Xerox Corporation | Method for improving substrate adhesion in fluoropolymer deposition processes |
| SG82661A1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-08-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium and production process |
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