JP2000173040A - 記録媒体 - Google Patents
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- JP2000173040A JP2000173040A JP10342590A JP34259098A JP2000173040A JP 2000173040 A JP2000173040 A JP 2000173040A JP 10342590 A JP10342590 A JP 10342590A JP 34259098 A JP34259098 A JP 34259098A JP 2000173040 A JP2000173040 A JP 2000173040A
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- grain
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１０ｎｍ以下の厚さになっても十分な耐久性お
よび耐食性を実現し得る保護層を備えた記録媒体を提供
する。 【解決手段】実質的に粒径１ｎｍ以上のグレインを含有
しない第１保護層と当該保護層の表面に形成され且つ粒
径１〜３ｎｍのグレインを有する第２保護層とを備えて
いる記録媒体。
よび耐食性を実現し得る保護層を備えた記録媒体を提供
する。 【解決手段】実質的に粒径１ｎｍ以上のグレインを含有
しない第１保護層と当該保護層の表面に形成され且つ粒
径１〜３ｎｍのグレインを有する第２保護層とを備えて
いる記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に関し、
詳しくは、特に薄膜型の磁気記録媒体であって、従来の
記録媒体よりも優れた耐久性、耐食性および電磁変換特
性を示す記録媒体に関する。
詳しくは、特に薄膜型の磁気記録媒体であって、従来の
記録媒体よりも優れた耐久性、耐食性および電磁変換特
性を示す記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録・再生方式として、コンタクト・ス
タート・アンド・ストップ方式（ＣＳＳ方式）、すなわ
ち、記録媒体の回転により浮上する記録・再生ヘッドを
使用し、情報の記録再生時にはヘッドが記録媒体と接触
せず、記録媒体の回転が十分遅い状態でのみヘッドと記
録媒体が接触する方式を採用した記録媒体が知られてい
る。例えば、磁気記録媒体は、その様な記録媒体の典型
例の一つであり、非磁性基板上に磁性金属またはそれら
の合金を被着することにより磁性層を形成して製造され
る。
タート・アンド・ストップ方式（ＣＳＳ方式）、すなわ
ち、記録媒体の回転により浮上する記録・再生ヘッドを
使用し、情報の記録再生時にはヘッドが記録媒体と接触
せず、記録媒体の回転が十分遅い状態でのみヘッドと記
録媒体が接触する方式を採用した記録媒体が知られてい
る。例えば、磁気記録媒体は、その様な記録媒体の典型
例の一つであり、非磁性基板上に磁性金属またはそれら
の合金を被着することにより磁性層を形成して製造され
る。
【０００３】ところで、上記様な記録媒体は、使用時に
おいて、磁気ヘッドとの摺動によって摩耗損傷を受け、
摩擦係数の上昇や磁気特性上の劣化を起こす。そこで、
炭素膜、酸化物膜、炭化物膜、窒化物膜または硼化物膜
などの保護層、パーフルオロポリエーテル、高級脂肪酸
またはその金属塩などの潤滑層が提案され、これらを備
えた記録媒体が既に実用化されている。そして、記録媒
体の耐久性試験として、記録媒体の回転を制御して断続
的に浮上ヘッドの離着陸を繰り返すＣＳＳテストが行わ
れている。
おいて、磁気ヘッドとの摺動によって摩耗損傷を受け、
摩擦係数の上昇や磁気特性上の劣化を起こす。そこで、
炭素膜、酸化物膜、炭化物膜、窒化物膜または硼化物膜
などの保護層、パーフルオロポリエーテル、高級脂肪酸
またはその金属塩などの潤滑層が提案され、これらを備
えた記録媒体が既に実用化されている。そして、記録媒
体の耐久性試験として、記録媒体の回転を制御して断続
的に浮上ヘッドの離着陸を繰り返すＣＳＳテストが行わ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
記録媒体の場合は、次の様な問題を生じることがある。 （１）ＣＳＳの回数を重ねるにつれて摩擦係数が増加
し、摩耗により表面が損傷する。（２）何らかの原因で
ヘッドスライダーに浮力が働かず、通常ならヘッドが浮
上する様な高速回転中でもヘッドが浮上せずに記録媒体
と摺動し、ヘッド及び記録媒体が破壊される現象（ヘッ
ドクラッシュ）を生ずる。
記録媒体の場合は、次の様な問題を生じることがある。 （１）ＣＳＳの回数を重ねるにつれて摩擦係数が増加
し、摩耗により表面が損傷する。（２）何らかの原因で
ヘッドスライダーに浮力が働かず、通常ならヘッドが浮
上する様な高速回転中でもヘッドが浮上せずに記録媒体
と摺動し、ヘッド及び記録媒体が破壊される現象（ヘッ
ドクラッシュ）を生ずる。
【０００５】また、高温高湿環境下の使用の際、従来の
記録媒体の保護層では、記録層が環境中の水分や酸素に
曝されるのを完全に防止することが出来ないため、記録
層が腐食してエラーを発生したりヘッドクラッシュを起
こすことがある。この問題を解決するために潤滑層を厚
くした場合は、記録媒体とヘッドとの間にメニスカスが
形成され、記録媒体にヘッドが吸着し易くなるという不
具合がある。
記録媒体の保護層では、記録層が環境中の水分や酸素に
曝されるのを完全に防止することが出来ないため、記録
層が腐食してエラーを発生したりヘッドクラッシュを起
こすことがある。この問題を解決するために潤滑層を厚
くした場合は、記録媒体とヘッドとの間にメニスカスが
形成され、記録媒体にヘッドが吸着し易くなるという不
具合がある。
【０００６】更には、記録密度の高密度化のためには保
護層は薄いことが望まれ、近年のギガビット毎平方イン
チオーダーの記録媒体の場合、保護層の厚さは１０ｎｍ
以下になろうとしている。そのため、１０ｎｍを超える
厚さの従来の保護層で使用していた材料を単に薄膜化し
ただけでは、実用上十分な耐久性および耐食性を得るこ
とが出来ない。
護層は薄いことが望まれ、近年のギガビット毎平方イン
チオーダーの記録媒体の場合、保護層の厚さは１０ｎｍ
以下になろうとしている。そのため、１０ｎｍを超える
厚さの従来の保護層で使用していた材料を単に薄膜化し
ただけでは、実用上十分な耐久性および耐食性を得るこ
とが出来ない。
【０００７】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、１０ｎｍ以下の厚さになっても十分
な耐久性および耐食性を実現し得る保護層を備えた記録
媒体を提供することにある。
あり、その目的は、１０ｎｍ以下の厚さになっても十分
な耐久性および耐食性を実現し得る保護層を備えた記録
媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、記録媒体
の表面粗さ、記録層および保護層の微視的な構成に着目
して鋭意検討した結果、保護層を形成するグレインの粒
径により、その耐久性および耐食性が著しく異なるとの
知見を得た。
の表面粗さ、記録層および保護層の微視的な構成に着目
して鋭意検討した結果、保護層を形成するグレインの粒
径により、その耐久性および耐食性が著しく異なるとの
知見を得た。
【０００９】本発明は、上記の知見に基づき更に検討を
重ねた結果完成されたものであり、その要旨は、実質的
に粒径１ｎｍ以上のグレインを含有しない第１保護層と
当該保護層の表面に形成され且つ粒径１〜３ｎｍのグレ
インを有する第２保護層とを備えていることを特徴とす
る記録媒体に存する。
重ねた結果完成されたものであり、その要旨は、実質的
に粒径１ｎｍ以上のグレインを含有しない第１保護層と
当該保護層の表面に形成され且つ粒径１〜３ｎｍのグレ
インを有する第２保護層とを備えていることを特徴とす
る記録媒体に存する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の記録媒体の特徴は、耐久性および耐食性に優れ
た保護層に存する。従って、本発明の記録媒体の種類
は、特に制限されないが、典型的には、非磁性基板の表
面に少なくとも磁性層と保護層とを順次に形成して成る
磁気記録媒体が挙げられる。
本発明の記録媒体の特徴は、耐久性および耐食性に優れ
た保護層に存する。従って、本発明の記録媒体の種類
は、特に制限されないが、典型的には、非磁性基板の表
面に少なくとも磁性層と保護層とを順次に形成して成る
磁気記録媒体が挙げられる。
【００１１】非磁性基板としては、通常、無電解メッキ
法によりＮｉ−Ｐ層を設けたＡｌ合金板が使用される
が、その他、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属基板、ガラス基板、セ
ラミック基板、炭素質基板または樹脂基板なども使用す
ることが出来る。
法によりＮｉ−Ｐ層を設けたＡｌ合金板が使用される
が、その他、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属基板、ガラス基板、セ
ラミック基板、炭素質基板または樹脂基板なども使用す
ることが出来る。
【００１２】磁性層、すなわち、強磁性金属薄膜層は、
無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などの方法によっ
て形成される。磁性層の具体例としては、Ｃｏ−Ｐ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ−Ｔａ系合金などの強磁性金属薄膜が挙げられる。磁
性層の厚さは通常１０〜７０ｎｍ程度とされる。また、
必要に応じ、複数層の磁性層を構成することも出来る。
無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などの方法によっ
て形成される。磁性層の具体例としては、Ｃｏ−Ｐ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ−Ｔａ系合金などの強磁性金属薄膜が挙げられる。磁
性層の厚さは通常１０〜７０ｎｍ程度とされる。また、
必要に応じ、複数層の磁性層を構成することも出来る。
【００１３】非磁性基板上に形成する他の層としては、
非磁性基板と磁性層の間に設ける下地層や中間層などが
挙げられる。下地層としては、通常、スパッタリングに
より形成した５〜２００ｎｍ厚さのＣｒ層が使用され
る。下地層の上に設けられる中間層の材料は、公知の材
料から適宜選択される。
非磁性基板と磁性層の間に設ける下地層や中間層などが
挙げられる。下地層としては、通常、スパッタリングに
より形成した５〜２００ｎｍ厚さのＣｒ層が使用され
る。下地層の上に設けられる中間層の材料は、公知の材
料から適宜選択される。
【００１４】本発明において、保護層は、通常、磁性層
の表面に設けられるが、必要に応じて他の層を介して設
けてもよい。本発明における保美層は、異なる粒径のグ
レインにて形成される２層から成る。そして、第１保護
層および第２保護層の種類としては、特に限定されない
が、炭素質膜が好適に使用される。
の表面に設けられるが、必要に応じて他の層を介して設
けてもよい。本発明における保美層は、異なる粒径のグ
レインにて形成される２層から成る。そして、第１保護
層および第２保護層の種類としては、特に限定されない
が、炭素質膜が好適に使用される。
【００１５】上記のグレインとは、多数の原子が集合し
て出来た粒状物を示す。そして、グレインは、例えば走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、１００，０００〜３
００，０００倍程度の倍率で保護層を観察した際に、グ
レイン間の境界である粒界によってグレインを一つ一つ
区別することが出来る。一つ一つのグレインの粒径は、
全く同じではないが、本発明においては、数十個程度の
グレインを無作為に抽出し、それらの粒径の平均値を求
め、その層のグレインの粒径とする。
て出来た粒状物を示す。そして、グレインは、例えば走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、１００，０００〜３
００，０００倍程度の倍率で保護層を観察した際に、グ
レイン間の境界である粒界によってグレインを一つ一つ
区別することが出来る。一つ一つのグレインの粒径は、
全く同じではないが、本発明においては、数十個程度の
グレインを無作為に抽出し、それらの粒径の平均値を求
め、その層のグレインの粒径とする。
【００１６】第１保護層は、実質的に粒径１ｎｍ以上の
グレインを含有しないことによって特徴付けられる。斯
かる第１保護層は、化学的成膜法（以下「ＣＶＤ法」と
略す）等で形成することが出来る。第２保護層は、第１
保護層の表面に形成され且つ粒径１〜３ｎｍのグレイン
を有することによって特徴付けられる。斯かる第２保護
層は、スパッタリング法で形成することが出来る。
グレインを含有しないことによって特徴付けられる。斯
かる第１保護層は、化学的成膜法（以下「ＣＶＤ法」と
略す）等で形成することが出来る。第２保護層は、第１
保護層の表面に形成され且つ粒径１〜３ｎｍのグレイン
を有することによって特徴付けられる。斯かる第２保護
層は、スパッタリング法で形成することが出来る。
【００１７】ＣＶＤ法において、電源としては、直流、
交流または周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源が好適
に使用される。また、好ましい電力は１０〜１０００Ｗ
である。また、非磁性基板の両面に同時に成膜する観点
から、熱フィラメント型、容量結合型または誘導結合型
のイオン化源を採用したプラズマＣＶＤ法が好適に使用
される。特に、熱フィラメントプラズマＣＶＤ法は、工
業生産におけるメンテナンス及び稼働率の点でも優れて
いる。
交流または周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源が好適
に使用される。また、好ましい電力は１０〜１０００Ｗ
である。また、非磁性基板の両面に同時に成膜する観点
から、熱フィラメント型、容量結合型または誘導結合型
のイオン化源を採用したプラズマＣＶＤ法が好適に使用
される。特に、熱フィラメントプラズマＣＶＤ法は、工
業生産におけるメンテナンス及び稼働率の点でも優れて
いる。
【００１８】ＣＶＤ法における原料ガスとしては、メタ
ン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素、アルコール類、窒素含有炭
化水素、フッ素含有炭化水素などが挙げられるが、ベン
ゼン、トルエン又はピロールが好適に使用される。ま
た、原料ガスには、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2等の不
活性ガスを併用してもよい。
ン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素、アルコール類、窒素含有炭
化水素、フッ素含有炭化水素などが挙げられるが、ベン
ゼン、トルエン又はピロールが好適に使用される。ま
た、原料ガスには、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2等の不
活性ガスを併用してもよい。
【００１９】炭素ターゲット材をスパッタリングする際
の導入ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2、炭
化水素、アルコール類、窒素含有炭化水素、フッ素含有
炭化水素などが挙げられる。好ましい態様においては、
不活性ガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＨ2、Ｎ2、炭
化水素、ピロール等の窒素含有炭化水素が使用されるま
た、好ましいスパッタリング電力は１０〜１０００Ｗで
ある。
の導入ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2、炭
化水素、アルコール類、窒素含有炭化水素、フッ素含有
炭化水素などが挙げられる。好ましい態様においては、
不活性ガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＨ2、Ｎ2、炭
化水素、ピロール等の窒素含有炭化水素が使用されるま
た、好ましいスパッタリング電力は１０〜１０００Ｗで
ある。
【００２０】保護層を形成する際、記録媒体にバイアス
電圧を印加しなくてもよいが、電圧を印加することが膜
硬度の点から好ましい。また、保護層の形成後、ヘッド
の浮上安定性を確保する目的で保護層の異常突起をバー
ニッシュで除去することがある。そして、保護層の表面
には厚さ１〜３ｎｍ程度の潤滑層を設ける。潤滑層とし
ては、パーフルオロポリエーテル等フッ素系材料が好適
に使用される。
電圧を印加しなくてもよいが、電圧を印加することが膜
硬度の点から好ましい。また、保護層の形成後、ヘッド
の浮上安定性を確保する目的で保護層の異常突起をバー
ニッシュで除去することがある。そして、保護層の表面
には厚さ１〜３ｎｍ程度の潤滑層を設ける。潤滑層とし
ては、パーフルオロポリエーテル等フッ素系材料が好適
に使用される。
【００２１】本発明における保護層は次の様な作用を奏
する。すなわち、第１保護層の構成グレインの粒径が１
ｎｍ未満と小さいため、グレイン間の結合力が増加し、
グレイン同士が緻密に配置されるため、粒界の隙間が無
くなり、記録層が雰囲気から完全に遮断され、高温高湿
条件下での耐食性が良好となる。一方、保護層上の潤滑
剤の保持という観点からは、グレインの粒径が大きい方
が両者の界面となる表面積が稼げるため好ましいが、３
ｎｍを超える粒径のグレインが存在すると耐食性が劣
る。そこで、本発明においては、高い耐食性を確保する
ため、潤滑剤側の第２保護層の構成グレインの粒径は１
〜３ｎｍと規定されている。第１保護層と第２保護層の
密度比は、特に制限されないが、４：３〜２：１の範囲
が好適である。
する。すなわち、第１保護層の構成グレインの粒径が１
ｎｍ未満と小さいため、グレイン間の結合力が増加し、
グレイン同士が緻密に配置されるため、粒界の隙間が無
くなり、記録層が雰囲気から完全に遮断され、高温高湿
条件下での耐食性が良好となる。一方、保護層上の潤滑
剤の保持という観点からは、グレインの粒径が大きい方
が両者の界面となる表面積が稼げるため好ましいが、３
ｎｍを超える粒径のグレインが存在すると耐食性が劣
る。そこで、本発明においては、高い耐食性を確保する
ため、潤滑剤側の第２保護層の構成グレインの粒径は１
〜３ｎｍと規定されている。第１保護層と第２保護層の
密度比は、特に制限されないが、４：３〜２：１の範囲
が好適である。
【００２２】因に、従来の磁気記録媒体に使用されてい
る保護層を測定した結果、グレイン粒径が３ｎｍ以上を
超える大きいものであった。この様にグレインの粒径が
大きくなると、グレイン間の結合力が小さく、また、粒
界の隙間から磁性層が雰囲気に曝され易い。そのため、
ＣＳＳ時にヘッドの摺動によってグレインが欠落して摩
擦係数が上昇したり、高温高湿条件下では粒界の隙間か
ら浸入した水分や酸素が磁性層を腐食させるものと考え
られる。
る保護層を測定した結果、グレイン粒径が３ｎｍ以上を
超える大きいものであった。この様にグレインの粒径が
大きくなると、グレイン間の結合力が小さく、また、粒
界の隙間から磁性層が雰囲気に曝され易い。そのため、
ＣＳＳ時にヘッドの摺動によってグレインが欠落して摩
擦係数が上昇したり、高温高湿条件下では粒界の隙間か
ら浸入した水分や酸素が磁性層を腐食させるものと考え
られる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例により限定されるものではない。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例により限定されるものではない。
【００２４】実施例１〜３ 基板としては、表面平均粗さ１．５ｎｍ、直径３．５イ
ンチのＮｉ−Ｐメッキ被覆Ａｌ合金ディスク基板を使用
した。上記の表面平均粗さは、先端の曲率半径が５０ｎ
ｍの探針を使用し、原子間力顕微鏡による２５μｍ×２
５μｍの領域について測定した値である。
ンチのＮｉ−Ｐメッキ被覆Ａｌ合金ディスク基板を使用
した。上記の表面平均粗さは、先端の曲率半径が５０ｎ
ｍの探針を使用し、原子間力顕微鏡による２５μｍ×２
５μｍの領域について測定した値である。
【００２５】先ず、基板上に表面粗さが１．０〜２．５
ｎｍになる様に機械テキスチャー加工（表面処理）を施
した。その後、ＣＳＳゾーンにレーザーテキスチャを施
した後、スパッタリング法により、基板温度２００℃
で、Ｃｒ下地層（厚さ４０ｎｍ）、Ｃｏ合金磁性層（厚
さ３０ｎｍ）を形成した。
ｎｍになる様に機械テキスチャー加工（表面処理）を施
した。その後、ＣＳＳゾーンにレーザーテキスチャを施
した後、スパッタリング法により、基板温度２００℃
で、Ｃｒ下地層（厚さ４０ｎｍ）、Ｃｏ合金磁性層（厚
さ３０ｎｍ）を形成した。
【００２６】次いで、プラズマＣＶＤ装置内に上記の基
板を設置し、真空ポンプで装置内を３×１０-4Ｐａまで
排気した。その後、流量３．５ｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ
で装置内にトルエンを導入し、装置内部のフィラメント
に電流を流してトルエンのイオン化源となる熱電子を得
て、フィラメント−アノード間で放電させ、安定したプ
ラズマ状態を維持した。そして、基板−フィラメント間
電位差が４００Ｖになる様にバイアスを印加しながら非
晶質炭素保護層を形成した。厚さは１．５ｎｍ（実施例
１）、３．０ｎｍ（実施例２）、５．０ｎｍ（実施例
３）とした。ＳＥＭによる観察では、グレインの大きさ
は何れも１ｎｍ未満であった。
板を設置し、真空ポンプで装置内を３×１０-4Ｐａまで
排気した。その後、流量３．５ｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ
で装置内にトルエンを導入し、装置内部のフィラメント
に電流を流してトルエンのイオン化源となる熱電子を得
て、フィラメント−アノード間で放電させ、安定したプ
ラズマ状態を維持した。そして、基板−フィラメント間
電位差が４００Ｖになる様にバイアスを印加しながら非
晶質炭素保護層を形成した。厚さは１．５ｎｍ（実施例
１）、３．０ｎｍ（実施例２）、５．０ｎｍ（実施例
３）とした。ＳＥＭによる観察では、グレインの大きさ
は何れも１ｎｍ未満であった。
【００２７】次いで、上記の各第１層上に、アルゴン−
水素−窒素雰囲気中のスパッタリング法により２．５ｎ
ｍの第２層を形成し、保護層のトータル厚さを４．０ｎ
ｍ（実施例１）、５．５ｎｍ（実施例２）、７．５ｎｍ
（実施例３）とした。この際の第２層のグレインの大き
さは何れも２．０ｎｍであった。この各保護層上にパー
フルオロポリエーテル液体潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布
した。
水素−窒素雰囲気中のスパッタリング法により２．５ｎ
ｍの第２層を形成し、保護層のトータル厚さを４．０ｎ
ｍ（実施例１）、５．５ｎｍ（実施例２）、７．５ｎｍ
（実施例３）とした。この際の第２層のグレインの大き
さは何れも２．０ｎｍであった。この各保護層上にパー
フルオロポリエーテル液体潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布
した。
【００２８】得られた各ディスクを使用してＣＳＳ試験
を行った。ヘッドには、押し付け荷重５ｇｆのＭＲヘッ
ドを使用した。５秒間で７２００ｒｐｍまでディスクの
回転数を上げ、そのまま、７２００ｒｐｍに５秒間保持
した後、電源を切って１０秒間で停止させ、５秒間放置
する一連の操作をＣＳＳの１サイクルとした。試験中の
環境は３２℃８０％である。２０，０００サイクル繰り
返した後の摩擦係数を測定した。実施例の条件を表１に
示し、試験結果を表２に示した。
を行った。ヘッドには、押し付け荷重５ｇｆのＭＲヘッ
ドを使用した。５秒間で７２００ｒｐｍまでディスクの
回転数を上げ、そのまま、７２００ｒｐｍに５秒間保持
した後、電源を切って１０秒間で停止させ、５秒間放置
する一連の操作をＣＳＳの１サイクルとした。試験中の
環境は３２℃８０％である。２０，０００サイクル繰り
返した後の摩擦係数を測定した。実施例の条件を表１に
示し、試験結果を表２に示した。
【００２９】また、試験後にディスク表面の傷および汚
れの有無を表面観察した。ディスク表面に傷は見られな
かった。さらに、上記の各ディスクの耐食試験を行っ
た。すなわち、８５℃８０％の環境に１週間放置した
後、保護層表面に移動した磁性層Ｃｏを純水によって抽
出し、原子吸光法によって定量化した。この結果を表２
に示した。
れの有無を表面観察した。ディスク表面に傷は見られな
かった。さらに、上記の各ディスクの耐食試験を行っ
た。すなわち、８５℃８０％の環境に１週間放置した
後、保護層表面に移動した磁性層Ｃｏを純水によって抽
出し、原子吸光法によって定量化した。この結果を表２
に示した。
【００３０】比較例１〜３ 実施例と同様の方法により下地層および磁性層を形成し
た後、アルゴン−水素雰囲気中のスパッタ法により第１
層を形成した。厚さは１．５ｎｍ（比較例１）、３．０
ｎｍ（比較例２）、５．０ｎｍ（比較例３）とした。Ｓ
ＥＭによる観察では、グレインの大きさは、それぞれ、
１．５ｎｍ（比較例１）、２．０ｎｍ（比較例２）、
３．０ｎｍ（比較例３）であった。
た後、アルゴン−水素雰囲気中のスパッタ法により第１
層を形成した。厚さは１．５ｎｍ（比較例１）、３．０
ｎｍ（比較例２）、５．０ｎｍ（比較例３）とした。Ｓ
ＥＭによる観察では、グレインの大きさは、それぞれ、
１．５ｎｍ（比較例１）、２．０ｎｍ（比較例２）、
３．０ｎｍ（比較例３）であった。
【００３１】次に、上記の各第１層上に、実施例と同様
のスパッタリング法により２．５ｎｍの第２層を形成
し、保護層のトータル厚さを４．０ｎｍ（比較例１）、
５．５ｎｍ（比較例２）、７．５ｎｍ（比較例３）とし
た。この際の第２層のグレインの大きさは何れも２．０
ｎｍであった。この各保護層上にパーフルオロポリエー
テル液体潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布した。得られた各
ディスクを使用して実施例と同様の試験を行った。比較
例の条件を表１に示し、試験結果を表２に示した。
のスパッタリング法により２．５ｎｍの第２層を形成
し、保護層のトータル厚さを４．０ｎｍ（比較例１）、
５．５ｎｍ（比較例２）、７．５ｎｍ（比較例３）とし
た。この際の第２層のグレインの大きさは何れも２．０
ｎｍであった。この各保護層上にパーフルオロポリエー
テル液体潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布した。得られた各
ディスクを使用して実施例と同様の試験を行った。比較
例の条件を表１に示し、試験結果を表２に示した。
【００３２】上記のディスクを使用し、実施例１と同様
の方法によりＣＳＳ試験を行った。その結果を表１に記
した。更に、実施例１と同様の方法により、各ディスク
の耐食試験を行った。その結果を表２に示した。
の方法によりＣＳＳ試験を行った。その結果を表１に記
した。更に、実施例１と同様の方法により、各ディスク
の耐食試験を行った。その結果を表２に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】表２に示す結果より、従来の記録媒体の保
護層ではＣＳＳ耐久性および耐食性が不十分であるが、
本発明の記録媒体の保護層によれば、厚さが１０ｎｍ以
下と薄くなってもヘッドクラッシュ防止して長年月の使
用に耐えることが分かる。
護層ではＣＳＳ耐久性および耐食性が不十分であるが、
本発明の記録媒体の保護層によれば、厚さが１０ｎｍ以
下と薄くなってもヘッドクラッシュ防止して長年月の使
用に耐えることが分かる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、１０ｎｍ
以下の厚さになっても十分な耐久性および耐食性を実現
し得る保護層を備えた記録媒体が提供される。
以下の厚さになっても十分な耐久性および耐食性を実現
し得る保護層を備えた記録媒体が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 秀高 岡山県倉敷市潮通三丁目10番地 三菱化学 株式会社水島事業所内 Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA05 AA06 DA03 EA03 FA01 FA02 5D112 AA07 AA11 BC05 FA04 FA09
Claims (5)
- 【請求項１】 実質的に粒径１ｎｍ以上のグレインを含
有しない第１保護層と当該保護層の表面に形成され且つ
粒径１〜３ｎｍのグレインを有する第２保護層とを備え
ていることを特徴とする記録媒体。 - 【請求項２】 第１保護層および第２保護層が炭素質膜
で形成されている請求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項３】 第１保護層と第２保護層の密度比が４：
３〜２：１である請求項２又は３に記載の記録媒体。 - 【請求項４】 第１保護層がＣＶＤ法により、第２保護
層がスパッタリングにより形成されている請求項１〜３
の何れかに記載の記録媒体。 - 【請求項５】 記録媒体が磁気記録媒体である請求項１
〜４の何れかに記載の記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10342590A JP2000173040A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10342590A JP2000173040A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173040A true JP2000173040A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18354953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10342590A Pending JP2000173040A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010020832A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体 |
-
1998
- 1998-12-02 JP JP10342590A patent/JP2000173040A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010020832A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 磁気記録媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |