JPH01125720A - 磁気記憶体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体及びその製造方法Info
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- JPH01125720A JPH01125720A JP28492387A JP28492387A JPH01125720A JP H01125720 A JPH01125720 A JP H01125720A JP 28492387 A JP28492387 A JP 28492387A JP 28492387 A JP28492387 A JP 28492387A JP H01125720 A JPH01125720 A JP H01125720A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記憶体とその製造方法に関し、特に磁気デ
ィスク装置、磁気ドラム装置、及び磁気テープ装置等の
磁気記憶装置に用いられる磁気記憶体とその製造方法に
関する。
ィスク装置、磁気ドラム装置、及び磁気テープ装置等の
磁気記憶装置に用いられる磁気記憶体とその製造方法に
関する。
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生
方法には次のような方法がある。即ち、操作開始時にへ
、ドと磁気記憶体面とを接触状態でセ、トシた後、磁気
記憶体に所定の回転を与えることによりヘッドと磁気記
憶体面と４の間に空気層の空間を作シ、この状態で記鎌
再生する方法である（コンタクト・スタート・スト、プ
方式。以下Ｃ８Ｓ方式と記す）。この方法では操作終了
時に磁気記憶体の回転が止プ、このときヘッドと磁気記
憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
方法には次のような方法がある。即ち、操作開始時にへ
、ドと磁気記憶体面とを接触状態でセ、トシた後、磁気
記憶体に所定の回転を与えることによりヘッドと磁気記
憶体面と４の間に空気層の空間を作シ、この状態で記鎌
再生する方法である（コンタクト・スタート・スト、プ
方式。以下Ｃ８Ｓ方式と記す）。この方法では操作終了
時に磁気記憶体の回転が止プ、このときヘッドと磁気記
憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、へ、ド及び磁気記憶体を磨耗させ、
遂にはへ、ド及び磁性媒体に傷を生せしめることがある
。又、接触摩擦状態においてヘッドの僅かな姿勢の変化
がヘッドＫかかる荷重を不均一にさせ、ヘッド及び磁気
記憶体表面に傷を作ることがある。更に、磁性媒体が金
属の場合、高湿度下では水分の浸入により腐食を生じる
。
に生じる摩擦力は、へ、ド及び磁気記憶体を磨耗させ、
遂にはへ、ド及び磁性媒体に傷を生せしめることがある
。又、接触摩擦状態においてヘッドの僅かな姿勢の変化
がヘッドＫかかる荷重を不均一にさせ、ヘッド及び磁気
記憶体表面に傷を作ることがある。更に、磁性媒体が金
属の場合、高湿度下では水分の浸入により腐食を生じる
。
これらの磨耗及び腐食を防ぐために種々の保護膜が検討
されてお〕、例えば、特開昭５３−５７００２号公報に
開示されているようなスパッタリング法によるグラファ
イト膜、あるいは特公昭５４−３３５２１号公報に開示
されているように炭素棒の火花放電による蒸着法による
炭素膜があるが、何れも十分な耐磨耗性及び防食性を有
していない。
されてお〕、例えば、特開昭５３−５７００２号公報に
開示されているようなスパッタリング法によるグラファ
イト膜、あるいは特公昭５４−３３５２１号公報に開示
されているように炭素棒の火花放電による蒸着法による
炭素膜があるが、何れも十分な耐磨耗性及び防食性を有
していない。
第２図は従来の磁気記憶体の一例の断面図である。
第２図に示すように１下地体ｌと、下地体１上に被覆し
たクロム膜上のニッケル３０原子チ残部コバルト合金（
Ｃｏ−３ＯＮｉ）＝コバルト燐めっき体、白金３０原子
チ残部コバルト合金、酸化鉄又は窒化鉄の磁性媒体２と
、少くとも水素を含有する厚さ３Ｑｎｍの無機炭素膜４
とから構成されている。このように形成した磁気記憶体
をＣ８Ｓ方式による試験を行った結果、３０回で傷が発
生し、温度６０℃相対湿度８０ｅｓにおける１箇月の耐
食性試験では、エラー増加率が１０倍に増加した。
たクロム膜上のニッケル３０原子チ残部コバルト合金（
Ｃｏ−３ＯＮｉ）＝コバルト燐めっき体、白金３０原子
チ残部コバルト合金、酸化鉄又は窒化鉄の磁性媒体２と
、少くとも水素を含有する厚さ３Ｑｎｍの無機炭素膜４
とから構成されている。このように形成した磁気記憶体
をＣ８Ｓ方式による試験を行った結果、３０回で傷が発
生し、温度６０℃相対湿度８０ｅｓにおける１箇月の耐
食性試験では、エラー増加率が１０倍に増加した。
上述した従来の磁気記憶体とその製造方法は、耐磨耗性
及び防食性に劣るという問題点がある。
及び防食性に劣るという問題点がある。
本発明の目的は、耐磨耗性及び防食性に優れた磁気記憶
体及びその製造方法を提供するととＫある。
体及びその製造方法を提供するととＫある。
された磁性媒体と、この磁性媒体上に被覆された珪素、
ゲルマニウム、アルミニウム及びホウ素から成る群より
選択された少くとも一種である下地膜と、この下地膜−
よに被覆された少くとも水素を含有する無機炭素膜とを
有している。
ゲルマニウム、アルミニウム及びホウ素から成る群より
選択された少くとも一種である下地膜と、この下地膜−
よに被覆された少くとも水素を含有する無機炭素膜とを
有している。
本第２の発明の磁気記憶体は、下地体と、この下地体上
に被覆された磁性媒体と、この磁性媒体上に被覆された
少くとも水素を含有する珪素及びゲルマニウムから成る
群より選択された少くとも一種である下地膜と、この下
地膜上に被覆された少くとも水素を含有する無機炭素膜
とを有している。
に被覆された磁性媒体と、この磁性媒体上に被覆された
少くとも水素を含有する珪素及びゲルマニウムから成る
群より選択された少くとも一種である下地膜と、この下
地膜上に被覆された少くとも水素を含有する無機炭素膜
とを有している。
本第３の発明の磁気記憶体の製造方法は、下地上に珪素
、ゲルマニウム、アルミニウム及びホウ素から成る群よ
り選択さｎた少くとも一種である下地膜を形成する工程
と、前記下地膜上に少くとも水素を含有する無機炭素膜
を形成する工程とを含んで構成される。
、ゲルマニウム、アルミニウム及びホウ素から成る群よ
り選択さｎた少くとも一種である下地膜を形成する工程
と、前記下地膜上に少くとも水素を含有する無機炭素膜
を形成する工程とを含んで構成される。
本第４の発明の磁気記憶体の製造方法は、下地体上に磁
性媒体を被覆する工程と、前記磁性媒体上に珪素、ゲル
マニウム、アルミニウム及びホウ素から成る群より選択
された少くとも一種である下地膜を形成する工程と、前
記下地膜上に少くとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で炭
素をスパッタリングして少くとも水素を含有する無機炭
素膜を形成する工程を含んで構成される。
性媒体を被覆する工程と、前記磁性媒体上に珪素、ゲル
マニウム、アルミニウム及びホウ素から成る群より選択
された少くとも一種である下地膜を形成する工程と、前
記下地膜上に少くとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で炭
素をスパッタリングして少くとも水素を含有する無機炭
素膜を形成する工程を含んで構成される。
本第５の発明の磁気記憶体の製造方法は、下地体上に磁
性媒体を被覆する工程と、前記磁性媒体上に少くとも水
素を含有する珪素及びゲルマニウムから成る群より選択
された一種である下地膜を形成する工程と、前記下地膜
上に少くとも水素ガスを含む雰囲気中で炭素をスパッタ
リングして少くとも水素を含有する無機炭素膜を形成す
る工程と金含んで構成される。
性媒体を被覆する工程と、前記磁性媒体上に少くとも水
素を含有する珪素及びゲルマニウムから成る群より選択
された一種である下地膜を形成する工程と、前記下地膜
上に少くとも水素ガスを含む雰囲気中で炭素をスパッタ
リングして少くとも水素を含有する無機炭素膜を形成す
る工程と金含んで構成される。
本第６の発明の磁気記憶体の製造方法は、下地体上に磁
性媒体を被覆する工程と、前記磁性媒体上に少くとも水
素を含有する珪素及びゲルマニウムから成る群よ）選択
された一種である下地膜を形成する工程と、前記下地膜
上に少くとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で炭素をスパ
ッタリングして少くとも水素を含有する無機炭素膜を形
成する工程とを含んで構成される。
性媒体を被覆する工程と、前記磁性媒体上に少くとも水
素を含有する珪素及びゲルマニウムから成る群よ）選択
された一種である下地膜を形成する工程と、前記下地膜
上に少くとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で炭素をスパ
ッタリングして少くとも水素を含有する無機炭素膜を形
成する工程とを含んで構成される。
次に１本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、下地体ｌは二、ケルー燐めっき膜が被
覆さｎたアルミニウム合金から成る。
覆さｎたアルミニウム合金から成る。
なお、下地体ｌとしてはアルミニウム合金又は陽極酸化
アルマイト、又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミ
ドイミドなどのプラスチ、り、又は窒化珪素、酸化アル
ミニ９ムと炭化チタン焼結体等のセラミックス、又はス
テンレス鋼、チタン合金又はガラス板などが用いられる
。
アルマイト、又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミ
ドイミドなどのプラスチ、り、又は窒化珪素、酸化アル
ミニ９ムと炭化チタン焼結体等のセラミックス、又はス
テンレス鋼、チタン合金又はガラス板などが用いられる
。
次に、下地体１上にクロム膜上のニッケル３０原子チ残
部コバルト合金、コバルト−燐めっき体。
部コバルト合金、コバルト−燐めっき体。
白金３０原子チ残部コバルト合金、酸化鉄又は窒化鉄の
磁性媒体２’を高周波マグネトロンスパ、り法により被
着する。
磁性媒体２’を高周波マグネトロンスパ、り法により被
着する。
なお、磁性媒体２としては、クロム、モリブデン、タン
グステン、バナンウム、レニウム、金。
グステン、バナンウム、レニウム、金。
ビスマスなどの金属又はそれらのうち少くとも一つの元
素を含む合金が高周波マグネトロンスパッタ法等により
被覆された上にＧｏ−Ｎｉ 、 Ｃｏ−Ｎｉ−０ｒ 、
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｍｏ 、 Ｃｏ−Ｎ ｉ−Ｗ、
Ｃｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎ ｉ−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｐ 、
Ｃｏ−Ｎ ｉ −Ｒｅ−Ｐ 、 Ｃｏ −Ｎｉ−几ｅ
−Ｍｎ−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｒｅ 、 Ｃｏ−Ｐ ｔ 、
Ｃｏ−Ｐ ｔ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｒｈ
又はＣｏ−８ｍ等の金属または合金またはＦｅ３Ｏ４、
ｒ−Ｆｅ３０４ 、 Ｆｅ４Ｎなどの鉄酸化物または窒
化物’を被着している。
素を含む合金が高周波マグネトロンスパッタ法等により
被覆された上にＧｏ−Ｎｉ 、 Ｃｏ−Ｎｉ−０ｒ 、
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｍｏ 、 Ｃｏ−Ｎ ｉ−Ｗ、
Ｃｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎ ｉ−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｐ 、
Ｃｏ−Ｎ ｉ −Ｒｅ−Ｐ 、 Ｃｏ −Ｎｉ−几ｅ
−Ｍｎ−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｒｅ 、 Ｃｏ−Ｐ ｔ 、
Ｃｏ−Ｐ ｔ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｒｈ
又はＣｏ−８ｍ等の金属または合金またはＦｅ３Ｏ４、
ｒ−Ｆｅ３０４ 、 Ｆｅ４Ｎなどの鉄酸化物または窒
化物’を被着している。
次に、磁性媒体２上に珪素、ゲルマニウム、アルミニウ
ム又はホウ素あるいはそれらの組合せから成る下地膜３
を高周波マグネトロンスパッタ法によシスバッタパワー
密度１〜１５Ｗ／ｉ、アルゴンガス圧１〜１００ ｍ
ｔｏｒｒの条件で膜厚５〜２０ｎｍに形成した。
ム又はホウ素あるいはそれらの組合せから成る下地膜３
を高周波マグネトロンスパッタ法によシスバッタパワー
密度１〜１５Ｗ／ｉ、アルゴンガス圧１〜１００ ｍ
ｔｏｒｒの条件で膜厚５〜２０ｎｍに形成した。
なお、成膜方法としては、直流又は高周波プラズマＣＶ
Ｄ法も使用でき、膜厚は５〜５ Ｑ ｎｍの範囲で形成
すればよい。又、珪素又はゲルマニウムあるいはそれら
の組合せから成るものの場合は少くとも水素を含んでい
てよい。
Ｄ法も使用でき、膜厚は５〜５ Ｑ ｎｍの範囲で形成
すればよい。又、珪素又はゲルマニウムあるいはそれら
の組合せから成るものの場合は少くとも水素を含んでい
てよい。
次に、下地膜３上に無機炭素膜４を高周波マグネトロン
スパッタ法によシ水素２〜５０チ残部アルゴンから成る
雰囲気中で、炭素を下地膜３０表面が酸化しないうちに
スパッタパワー密度４〜８Ｗ／−２全ガス圧２０〜６０
ｍｔＯｒｒの条件下で膜厚１０〜２０ ｎｍに形成した
。
スパッタ法によシ水素２〜５０チ残部アルゴンから成る
雰囲気中で、炭素を下地膜３０表面が酸化しないうちに
スパッタパワー密度４〜８Ｗ／−２全ガス圧２０〜６０
ｍｔＯｒｒの条件下で膜厚１０〜２０ ｎｍに形成した
。
なお、無機炭素膜の膜厚は５〜５ Ｑ ｎｍの範囲で形
成すればよく、下地膜３０表面が酸化した場合は逆スパ
ツタにより表面酸化層を取除いた後、直ちに成膜しても
よい。
成すればよく、下地膜３０表面が酸化した場合は逆スパ
ツタにより表面酸化層を取除いた後、直ちに成膜しても
よい。
以上を組合せて作成した試料１〜２４を第１表に示す。
次に試料１〜２４の磁気記憶体で製作された磁気ディス
クを用いて磨耗試験としてヘッドと磁気ディスクの起動
停止繰返し試験（ＣＳＳ試験）及び温度６０℃、相対湿
度８０チにおける耐食性試験１−１箇月行ったところ、
ＣＳＳ試験では１０万回以上傷が発生せず、耐食性試験
ではエラー増加率は変化しなかった。
クを用いて磨耗試験としてヘッドと磁気ディスクの起動
停止繰返し試験（ＣＳＳ試験）及び温度６０℃、相対湿
度８０チにおける耐食性試験１−１箇月行ったところ、
ＣＳＳ試験では１０万回以上傷が発生せず、耐食性試験
ではエラー増加率は変化しなかった。
次に１本発明の第２の実施例として第１図の第１の実施
例と同一構成で、第２表に示すように、 −無
機炭素膜形成時の雰囲気ガスを水素の代プに炭
１化水素ガスとしてのメタン（ＣＨ４）を用いて形成し
た磁気記憶体の試料２５〜２７ｔ−示す。
例と同一構成で、第２表に示すように、 −無
機炭素膜形成時の雰囲気ガスを水素の代プに炭
１化水素ガスとしてのメタン（ＣＨ４）を用いて形成し
た磁気記憶体の試料２５〜２７ｔ−示す。
第２表
試料２５〜２７の磁気記憶体で製作された磁気ディスク
を用いたＣ８Ｓ試験及び耐食性試験を上述した第１の実
施例の試料１〜２４の場合と同一条件で行った結果、Ｃ
ＳＳ試験では１０万回以上傷が発生せず、耐食性試験で
はエラー増加本社変化しなかった。
を用いたＣ８Ｓ試験及び耐食性試験を上述した第１の実
施例の試料１〜２４の場合と同一条件で行った結果、Ｃ
ＳＳ試験では１０万回以上傷が発生せず、耐食性試験で
はエラー増加本社変化しなかった。
以上説明したように本発明の磁気記憶体及びその製造方
法は、磁性媒体と無機炭素膜の間に下地膜を設けること
により優れた耐磨耗性及び防食性を得られるという効果
がある。
法は、磁性媒体と無機炭素膜の間に下地膜を設けること
により優れた耐磨耗性及び防食性を得られるという効果
がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は従来
の磁気記憶体の一例の断面図である。 ｌ・・・・・・下地体、２・・・・・・磁性媒体、３・
・・・・・下地膜、４・・・・・・無機炭素膜。
の磁気記憶体の一例の断面図である。 ｌ・・・・・・下地体、２・・・・・・磁性媒体、３・
・・・・・下地膜、４・・・・・・無機炭素膜。
Claims (6)
- （１）下地体と、この下地体上に被覆された磁性媒体と
、この磁性媒体上に被覆された珪素、ゲルマニウム、ア
ルミニウム及びホウ素から成る群より選択された少くと
も一種である下地膜と、この下地膜上に被覆された少く
とも水素を含有する無機炭素膜とを有することを特徴と
する磁気記憶体。 - （２）下地体と、この下地体上に被覆された磁性媒体と
、この磁性媒体上に被覆された少くとも水素を含有する
珪素及びゲルマニウムから成る群より選択された少くと
も一種である下地膜と、この下地膜上に被覆された少く
とも水素を含有する無機炭素膜とを有することを特徴と
する磁気記憶体。 - （３）下地体上に磁性媒体を被覆する工程と、前記磁性
媒体上に珪素、ゲルマニウム、アルミニウム及びホウ素
から成る群より選択された少くとも一種である下地膜を
形成する工程と、前記下地膜上に少くとも水素を含有す
る無機炭素膜を形成する工程とを含むことを特徴とする
磁性記憶体の製造方法。 - （４）下地体上に磁性媒体を被覆する工程と、前記磁性
媒体上に珪素、ゲルマニムウ、アルミニウム及びホウ素
から成る群より選択された少くとも一種である下地膜を
形成する工程と、前記下地膜上に少くとも炭化水素ガス
を含む雰囲気中で炭素をスパッタリングして少くとも水
素を含有する無機炭素膜を形成する工程を含むことを特
徴とする磁気記憶体の製造方法。 - （５）下地体上に磁性媒体を被覆する工程と、前記磁性
媒体上に少くとも水素を含有する珪素及びゲルマニウム
から成る群より選択された一種である下地膜を形成する
工程と、前記下地膜上に少くとも水素ガスを含む雰囲気
中で炭素をスパッタリングして少くとも水素を含有する
無機炭素膜を形成する工程とを含むことを特徴とする磁
気記憶体の製造方法。 - （６）下地体上に磁性媒体を被覆する工程と、前記磁性
媒体上に少くとも水素を含有する珪素及びゲルマニウム
から成る群より選択された一種である下地膜を形成する
工程と、前記下地膜上に少くとも炭化水素ガスを含む雰
囲気中で炭素をスパッタリングして少くとも水素を含有
する無機炭素膜を形成する工程とを含むことを特徴とす
る磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28492387A JPH01125720A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28492387A JPH01125720A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125720A true JPH01125720A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17684808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28492387A Pending JPH01125720A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013037731A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Fuji Electric Co Ltd | 記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216125A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62109222A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-20 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP28492387A patent/JPH01125720A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216125A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62109222A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-20 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013037731A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Fuji Electric Co Ltd | 記録媒体 |
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