JPH0474772B2 - - Google Patents
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- JPH0474772B2 JPH0474772B2 JP58090191A JP9019183A JPH0474772B2 JP H0474772 B2 JPH0474772 B2 JP H0474772B2 JP 58090191 A JP58090191 A JP 58090191A JP 9019183 A JP9019183 A JP 9019183A JP H0474772 B2 JPH0474772 B2 JP H0474772B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置お
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は∂−Fe2O3、CrO2、Fe−Co等の磁
性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散
して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するた
め、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベル
で不連続である。しかし、近年磁気記憶媒体の高
記録密度化の要請により、連続薄膜媒体からなる
磁気記録媒体の研究開発が盛んに行なわれてい
る。この連続薄膜媒体の１つにメツキ、真空蒸
着、スパツタ、イオンプレーデイング等の手法に
より作られる金属磁性媒体が知られている。該金
属磁性媒体は下地の種類によつて磁気特性あるい
は出力の均一性が左右される。
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は∂−Fe2O3、CrO2、Fe−Co等の磁
性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散
して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するた
め、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベル
で不連続である。しかし、近年磁気記憶媒体の高
記録密度化の要請により、連続薄膜媒体からなる
磁気記録媒体の研究開発が盛んに行なわれてい
る。この連続薄膜媒体の１つにメツキ、真空蒸
着、スパツタ、イオンプレーデイング等の手法に
より作られる金属磁性媒体が知られている。該金
属磁性媒体は下地の種類によつて磁気特性あるい
は出力の均一性が左右される。
本発明の目的は金属磁性媒体に優れた磁気特性
と出力の均一性を与える該媒体の下地を有する磁
気記憶体を提供するものである。
と出力の均一性を与える該媒体の下地を有する磁
気記憶体を提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非
磁性金属層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、
該非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層上にCo
酸化物あるいはCo−Ni酸化物を介してコバルト
合金からなる金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上
に保護膜が被覆されて構成されている。
磁性金属層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、
該非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層上にCo
酸化物あるいはCo−Ni酸化物を介してコバルト
合金からなる金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上
に保護膜が被覆されて構成されている。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図
において磁気記憶体の金属円盤１としてアルミ合
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く
用いられるが、場合によつてはチタン合金が用い
られることもある。基盤表面は機械加工により小
さなうねり（円周方向で50μｍ以下、半径方向で
100μｍ以下）を有する面に仕上げられている。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図
において磁気記憶体の金属円盤１としてアルミ合
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く
用いられるが、場合によつてはチタン合金が用い
られることもある。基盤表面は機械加工により小
さなうねり（円周方向で50μｍ以下、半径方向で
100μｍ以下）を有する面に仕上げられている。
次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニ
ツケル−燐合金がめつきにより被覆され、該金属
層２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ
0.03μｍ以下に鏡面仕上げされる。
ツケル−燐合金がめつきにより被覆され、該金属
層２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ
0.03μｍ以下に鏡面仕上げされる。
次に上記金属層２の上にCo−Ｐ又はCo−Ni−
Ｐがメツキ法によつて被覆され、該Co−Ｐ又は
Co−Ni−Ｐ被膜を希硝酸に浸漬して250〜300℃
で焼成し、Co酸化物あるいはCo−Ni酸化物から
なる転化膜３を形成する。該転化膜３の上にCo
−Pt、Co−Ni−Pt、Co−Ｗ−Pt、Co−Ｖ−Pt、
Co−Cr−Pt、Co−Re−Pt、Co−Si−Pt、Co−
Ge−Pt、Co−Mo−Pt、Co−Ta−Pt、Co−Ti
−Pt、Co−Zr−PtあるいはCo−Hf−Ptなどのコ
バルト及び白金を含む金属磁性媒体４がスパツタ
リング、メツキ、真空蒸着又はイオンプレーテイ
ング法により被覆される。Co酸化物からなる転
化膜３の上に被覆された上記媒体４は保磁力
（He）500〜1700oe（エルステツド）、飽和磁束密
度（Bs）3000〜15000G（ガウス）、角形比0.8〜
0.97の範囲の優れたヒステリシス特性を示す。
Ｐがメツキ法によつて被覆され、該Co−Ｐ又は
Co−Ni−Ｐ被膜を希硝酸に浸漬して250〜300℃
で焼成し、Co酸化物あるいはCo−Ni酸化物から
なる転化膜３を形成する。該転化膜３の上にCo
−Pt、Co−Ni−Pt、Co−Ｗ−Pt、Co−Ｖ−Pt、
Co−Cr−Pt、Co−Re−Pt、Co−Si−Pt、Co−
Ge−Pt、Co−Mo−Pt、Co−Ta−Pt、Co−Ti
−Pt、Co−Zr−PtあるいはCo−Hf−Ptなどのコ
バルト及び白金を含む金属磁性媒体４がスパツタ
リング、メツキ、真空蒸着又はイオンプレーテイ
ング法により被覆される。Co酸化物からなる転
化膜３の上に被覆された上記媒体４は保磁力
（He）500〜1700oe（エルステツド）、飽和磁束密
度（Bs）3000〜15000G（ガウス）、角形比0.8〜
0.97の範囲の優れたヒステリシス特性を示す。
金属磁性媒体４の上に被覆される保護膜は硬質
であることが好ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウム酸化物、窒化物または炭化物あるいはホウ
素、炭素あるいはホウ素と炭素の合金あるいはダ
イアモンド状カーボンあるいはポリ珪酸が望まし
い。さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜
40の飽和又は不飽和炭化水素又はフツ素化炭化水
素、ＧはCOOH、OH、NH2、COOR′、Si
（OR′）3、CONH2などの官能基）からなる潤滑剤
あるいはフツ素化アルキルポリエーテル、ポリテ
トラフロロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布す
ることも出来る。
であることが好ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウム酸化物、窒化物または炭化物あるいはホウ
素、炭素あるいはホウ素と炭素の合金あるいはダ
イアモンド状カーボンあるいはポリ珪酸が望まし
い。さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜
40の飽和又は不飽和炭化水素又はフツ素化炭化水
素、ＧはCOOH、OH、NH2、COOR′、Si
（OR′）3、CONH2などの官能基）からなる潤滑剤
あるいはフツ素化アルキルポリエーテル、ポリテ
トラフロロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布す
ることも出来る。
次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。
実施例 １
金属円盤１として旋盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下およ
び半径方向で10μｍ以下）を有する面に仕上げら
れたデイスク状アルミニウム合金盤上に非磁性合
金としてニツケル−燐合金を約50μｍの厚さにめ
つきし、このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗
さ0.02μｍ、厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げした。
て十分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下およ
び半径方向で10μｍ以下）を有する面に仕上げら
れたデイスク状アルミニウム合金盤上に非磁性合
金としてニツケル−燐合金を約50μｍの厚さにめ
つきし、このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗
さ0.02μｍ、厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げした。
次にこのニツケル−燐めつき膜２上にCo−Ｐ
をめつきにより0.1μｍの厚さに被覆し、0.5％の
希硝酸水溶液に浸漬した後、275℃で１時間焼成
してコバルト酸化物からなる転化膜３を形成し
た。
をめつきにより0.1μｍの厚さに被覆し、0.5％の
希硝酸水溶液に浸漬した後、275℃で１時間焼成
してコバルト酸化物からなる転化膜３を形成し
た。
次にこの転化膜３の上に金属薄膜媒体４として
Co0.3Pt0.2薄膜がスパツタリングにより膜厚500Å
で被覆され該媒体上に保護膜５としてSiO2が200
Åの膜厚でスパツタリングによる被覆して磁気デ
イスクを作つた。
Co0.3Pt0.2薄膜がスパツタリングにより膜厚500Å
で被覆され該媒体上に保護膜５としてSiO2が200
Åの膜厚でスパツタリングによる被覆して磁気デ
イスクを作つた。
実施例 ２
実施例１と同様にして但し転化膜３としてCo
−Ni−Ｐをめつきにより0.1μｍの厚さに被覆し、
0.1％の希硝酸溶液中に浸漬した後、300℃で１時
間焼成してコバルト・ニツケル酸化物からなる膜
を形成して磁気デイスクを作つた。
−Ni−Ｐをめつきにより0.1μｍの厚さに被覆し、
0.1％の希硝酸溶液中に浸漬した後、300℃で１時
間焼成してコバルト・ニツケル酸化物からなる膜
を形成して磁気デイスクを作つた。
実施例 ３
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４とし
てCo−Ni−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
てCo−Ni−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ４
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４とし
てCo−Si−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
てCo−Si−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ５
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４とし
てCo−Ge−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
てCo−Ge−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ６
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４とし
てCo−Mo−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
てCo−Mo−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ７
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４とし
てCo−Ｖ−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
てCo−Ｖ−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ８
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４とし
てCo−Cr−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
てCo−Cr−Ptを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ９
実施例１と同様にして但し保護膜５としてテト
ラヒドロキシシラン2.4重量％イソプロピルアル
コール溶液をスピン塗布して被覆したポリ珪酸を
用いて磁気デイスクを作つた。
ラヒドロキシシラン2.4重量％イソプロピルアル
コール溶液をスピン塗布して被覆したポリ珪酸を
用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 10
実施例１と同様にして但し保護膜５としてタン
グステンをスパツタリングにより被覆して磁気デ
イスクを作つた。
グステンをスパツタリングにより被覆して磁気デ
イスクを作つた。
以上実施例１〜10で示した磁気デイスクを用い
て電磁変換特性およびヘツドとの摩耗試験および
環境試験を行なつた結果、次の特性を得た。電磁
変換特性については実施例１〜のデイスクについ
て4000〜80000FRPIの記録密度が得られた。ヘツ
ドとの摩耗試験は２万回のコンタクトスタースト
ツプテストを行なつたところ、デイスク表面に傷
は全く見られなかつた。又、温度80℃、相対湿度
90％で６ヶ月放置する環境試験を行なつたとこ
ろ、実施例１〜10についてはエラーの増加数は全
てゼロであつた。また転化膜を介さないで直接非
磁性金属上に金属薄膜媒体を被覆した場合に比べ
Ｓ／Ｎは3dB改善された。
て電磁変換特性およびヘツドとの摩耗試験および
環境試験を行なつた結果、次の特性を得た。電磁
変換特性については実施例１〜のデイスクについ
て4000〜80000FRPIの記録密度が得られた。ヘツ
ドとの摩耗試験は２万回のコンタクトスタースト
ツプテストを行なつたところ、デイスク表面に傷
は全く見られなかつた。又、温度80℃、相対湿度
90％で６ヶ月放置する環境試験を行なつたとこ
ろ、実施例１〜10についてはエラーの増加数は全
てゼロであつた。また転化膜を介さないで直接非
磁性金属上に金属薄膜媒体を被覆した場合に比べ
Ｓ／Ｎは3dB改善された。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐
食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高記憶密度特
性を有していることが分つた。
食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高記憶密度特
性を有していることが分つた。
図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面
図。 図中、１は金属円盤、２は非磁性合金層、３は
Co酸化物あるいはCo−Ni酸化物からなる転化
膜、４はコバルト及び白金を含む金属薄膜媒体、
５は保護膜である。
図。 図中、１は金属円盤、２は非磁性合金層、３は
Co酸化物あるいはCo−Ni酸化物からなる転化
膜、４はコバルト及び白金を含む金属薄膜媒体、
５は保護膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属円盤上に非磁性合金が被覆され、さらに
該非磁性合金上にCo酸化物あるいはCo−Ni酸化
物からなる転化膜が被覆され、さらに該転化膜の
上にコバルトおよび白金を含む金属磁性媒体が被
覆され、さらに該媒体上に保護膜が被覆されて構
成されたことを特徴とする磁気記憶体。 ２ 転化膜がCoO、Co2O3、Co3O4、NiOのうち
少なくとも１以上を含んでいる特許請求の範囲第
１項記載の磁気記憶体。 ３ コバルトおよび白金を含む金属磁性媒体が
Co−Pt、Co−Ni−Pt、Co−Ｗ−Pt、Co−Ｖ−
Pt、Co−Cr−Pt、Co−Re−Pt、Co−Si−Pt、
Co−Ge−Pt、Co−Mo−Pt、Co−Ta−Pt、Co
−Ti−Pt、Co−Zr−PtあるいはCo−Hf−Ptで
ある特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090191A JPS59217224A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090191A JPS59217224A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217224A JPS59217224A (ja) | 1984-12-07 |
| JPH0474772B2 true JPH0474772B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=13991587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090191A Granted JPS59217224A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217224A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250836A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-07 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
| JP2555683B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1996-11-20 | 日本ビクター株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH04281214A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH05151567A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 磁気記録体の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP58090191A patent/JPS59217224A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59217224A (ja) | 1984-12-07 |
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