JPS5961107A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS5961107A JPS5961107A JP57171695A JP17169582A JPS5961107A JP S5961107 A JPS5961107 A JP S5961107A JP 57171695 A JP57171695 A JP 57171695A JP 17169582 A JP17169582 A JP 17169582A JP S5961107 A JPS5961107 A JP S5961107A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- alloy
- coated
- medium
- thin film
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7371—Non-magnetic single underlayer comprising nickel
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）だ用いられる磁気記憶体に関する。
ドラム装置等）だ用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
γ−Ｆｅｚｅｓ 、 Ｃｒｏｗ ； Ｆｅ−Ｆｅ Ｃ
。
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
γ−Ｆｅｚｅｓ 、 Ｃｒｏｗ ； Ｆｅ−Ｆｅ Ｃ
。
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散
して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁
気記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続であ
る。
して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁
気記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続であ
る。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請によシ
、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行まわれている。
、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行まわれている。
この連続薄膜媒体は主にメッキ、大空蒸着、スパッタ、
イオンブレーティング等の手法によシ作られる金属薄膜
からなるものと、真空蒸着、スパッタ、イオンブレーテ
ィング等の手法により作られるＦｅ＝０．又けγ−Ｆｅ
−０−等の金属酸化物薄膜からなるものが知られている
。金属酸化物薄膜は残留磁束密度が小さいため磁性膜中
の反磁界が小さく。
イオンブレーティング等の手法によシ作られる金属薄膜
からなるものと、真空蒸着、スパッタ、イオンブレーテ
ィング等の手法により作られるＦｅ＝０．又けγ−Ｆｅ
−０−等の金属酸化物薄膜からなるものが知られている
。金属酸化物薄膜は残留磁束密度が小さいため磁性膜中
の反磁界が小さく。
磁化遷移中が小さｂが大きな再生出力が得られず高記録
密度の面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記
録媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は残留磁束密度が
金属酸化物薄膜に比べ大きく有望であるが、高温、高湿
下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のあ
る金属薄膜媒体はまだ知られていない。
密度の面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記
録媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は残留磁束密度が
金属酸化物薄膜に比べ大きく有望であるが、高温、高湿
下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のあ
る金属薄膜媒体はまだ知られていない。
本発明の目的は上述の現況に鑑み、 ７０００ガウス程
度の適度な残留磁束密度と保磁力と優れた角形性を有し
かつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気
記憶体を提供するものである。
度の適度な残留磁束密度と保磁力と優れた角形性を有し
かつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気
記憶体を提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は合金基板上に非磁性合金
層又は非磁性酸化物層が被覆され、該非磁性合金属又は
非磁性酸化物層上に白金を７原子バー七ントから４０原
子パーセントを含み残りがコバルトである金属薄膜媒体
が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構成されて
いる。
層又は非磁性酸化物層が被覆され、該非磁性合金属又は
非磁性酸化物層上に白金を７原子バー七ントから４０原
子パーセントを含み残りがコバルトである金属薄膜媒体
が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構成されて
いる。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
第１図にお込て磁気記憶体の合金基板１としてアルミ合
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用いら
れるが、場合によってはチタン合金が用いられることも
ある。基盤表面は機械加工によυ小さなうねシ（円周方
向で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有す
る面洗仕上げられている。次にこの基盤１の上忙非磁性
合金層２としてニッケルー燐合金がめつきＫより被覆さ
れ、この下地体２の表面は機誠的研磨によシ最大表面粗
さ０．０３μｍ以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地
体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３として白金を７原
子パーセントから４０原子パーセント含み残りがコバル
トからなる金属薄膜媒体が高周波スパッタ法により被覆
される。次に上記金属薄膜媒体３の上に！’：ｉ０−に
代表される保護膜４が高周波スパッタ法によシ被覆され
る。金属薄膜媒体は抗磁力（Ｈｃ） ３００〜２０００
ｏｅ （エルテッド）、飽和磁束密度（Ｂｓ ） ８
．５００〜１４，０００ Ｇ （ガウス）。
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用いら
れるが、場合によってはチタン合金が用いられることも
ある。基盤表面は機械加工によυ小さなうねシ（円周方
向で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有す
る面洗仕上げられている。次にこの基盤１の上忙非磁性
合金層２としてニッケルー燐合金がめつきＫより被覆さ
れ、この下地体２の表面は機誠的研磨によシ最大表面粗
さ０．０３μｍ以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地
体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３として白金を７原
子パーセントから４０原子パーセント含み残りがコバル
トからなる金属薄膜媒体が高周波スパッタ法により被覆
される。次に上記金属薄膜媒体３の上に！’：ｉ０−に
代表される保護膜４が高周波スパッタ法によシ被覆され
る。金属薄膜媒体は抗磁力（Ｈｃ） ３００〜２０００
ｏｅ （エルテッド）、飽和磁束密度（Ｂｓ ） ８
．５００〜１４，０００ Ｇ （ガウス）。
角形比（Ｂｒ／Ｂｓ ） ０．７〜０．９ 、保磁力角
形比（Ｓ＊）０．７〜０．９の範囲の磁気記録媒体とし
て優れたヒステリシス特性を示す。
形比（Ｓ＊）０．７〜０．９の範囲の磁気記録媒体とし
て優れたヒステリシス特性を示す。
上記特性はコバルト中の白金の量及び膜厚に大きく依存
する。
する。
第２図は抗磁力のコバルト中の白金の原子・＜−セント
による変化を示したもので白金７〜４０原子パーセント
の範囲で高記録密度可能な磁気記憶媒体として使用出来
る。
による変化を示したもので白金７〜４０原子パーセント
の範囲で高記録密度可能な磁気記憶媒体として使用出来
る。
第３図は飽和磁束密度のコノ（シト中の白金の原子パー
セントによる変化を示したもので前記白金７〜４０原子
パーセントの範囲で９８００〜１４０００Ｇ（ガウス）
と大きな値が得られている。
セントによる変化を示したもので前記白金７〜４０原子
パーセントの範囲で９８００〜１４０００Ｇ（ガウス）
と大きな値が得られている。
第４図は抗磁力の膜厚による変化を示したもので膜厚が
薄い程Ｈｅが高くなっており、よシ高記録密度に適した
特性が得られる。
薄い程Ｈｅが高くなっており、よシ高記録密度に適した
特性が得られる。
以上の様に本発明の白金７〜４０原子パ一セント含有コ
バルト合金からなる金属薄膜が磁気記録媒体として磁気
特性及び耐食性共に優れていることが分った。
バルト合金からなる金属薄膜が磁気記録媒体として磁気
特性及び耐食性共に優れていることが分った。
一般に永久磁石に使われている白金コノくルト磁石の組
成がコバルト中の白金が４２〜７３原子パーセント（一
般には５０原子％）であることから。
成がコバルト中の白金が４２〜７３原子パーセント（一
般には５０原子％）であることから。
白金７〜４０原子パーセントの領域で優れた金属薄膜媒
体が得られたことは驚くべきことである。
体が得られたことは驚くべきことである。
金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質であるこ
とが望ましく、オ°スミウム、ルテニウム。
とが望ましく、オ°スミウム、ルテニウム。
イリジウム。マンガン、タングステン等の金属あるいけ
ケイ素、チタン、タンタルまたはノ・フニウムの酸化物
、窒化物または炭化物あるいはホウ素。
ケイ素、チタン、タンタルまたはノ・フニウムの酸化物
、窒化物または炭化物あるいはホウ素。
炭素またはホウ素と炭素の合金あるいけポリ硅酸が望ま
しい。
しい。
さらに保護膜４の上に几−Ｇ（Ｒは炭素数１０〜４０の
飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素、ＧはＣ
０ＯＨ２’０Ｈ１ＮＨｔ 、Ｃ０ＯＲ′、Ｓ ｉ （Ｏ
Ｒ）−。
飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素、ＧはＣ
０ＯＨ２’０Ｈ１ＮＨｔ 、Ｃ０ＯＲ′、Ｓ ｉ （Ｏ
Ｒ）−。
Ｃ０ＮＨ，などの官能基）からなる７１ｍＷ！Ｉ剤ある
いはフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロロ
エチレンポリマー等の潤滑剤を塗布することも出来る。
いはフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロロ
エチレンポリマー等の潤滑剤を塗布することも出来る。
次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。
実施例１
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さにめっきし、とのニッケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ００２μｍ、厚さ３０μｍまで
鏡面研磨仕上げした。次にこのニッケルー燐めっき膜の
上に金属磁性媒体３として高周波スパッタ法によりアル
ゴン圧４Ｘ１０−２ｔｏｎ ＋パワー密度４．７Ｗ／ｃ
Ｊにて膜厚８０〇への、白金を３０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を被覆した。さらにこの金属磁性媒体
３の上に５ｉｎｓを８００人の膜厚に高周波スパッタ法
によυ被覆して磁気ディスクを作った。
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さにめっきし、とのニッケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ００２μｍ、厚さ３０μｍまで
鏡面研磨仕上げした。次にこのニッケルー燐めっき膜の
上に金属磁性媒体３として高周波スパッタ法によりアル
ゴン圧４Ｘ１０−２ｔｏｎ ＋パワー密度４．７Ｗ／ｃ
Ｊにて膜厚８０〇への、白金を３０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を被覆した。さらにこの金属磁性媒体
３の上に５ｉｎｓを８００人の膜厚に高周波スパッタ法
によυ被覆して磁気ディスクを作った。
実施例２
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３として白金を
７原子パーセント含むコノ（ルト合金薄膜を膜厚１００
人で被覆して磁気ディスクを作った。
７原子パーセント含むコノ（ルト合金薄膜を膜厚１００
人で被覆して磁気ディスクを作った。
実施例３
実施例１と同様−して但し金属磁性媒体３として白金を
４０原子パーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚１０〇
八で被覆して磁気ディスクを作った。
４０原子パーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚１０〇
八で被覆して磁気ディスクを作った。
実施例４
実施例１と同様にして但し非磁性合金層としてアルミニ
ウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金属酸化物
層として酸化アルミを被覆しこの酸化アルミを最大表面
粗さ０．０２μｍまで鏡面研磨仕上げした。
ウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金属酸化物
層として酸化アルミを被覆しこの酸化アルミを最大表面
粗さ０．０２μｍまで鏡面研磨仕上げした。
実施例５
実施例１と同様にして但し保護膜として次の物質をそれ
ぞれスパッタ法により８００への厚さに被覆してそれぞ
れ磁気ディスクを作った。
ぞれスパッタ法により８００への厚さに被覆してそれぞ
れ磁気ディスクを作った。
実施例６
実施例１と同様にして但し保護膜としてテトラヒドロキ
シシラン２．０重量パーセントアルコール溶液をスピン
塗布法によシ塗布した後、２００℃３時間焼成して磁気
ディスクを作った。
シシラン２．０重量パーセントアルコール溶液をスピン
塗布法によシ塗布した後、２００℃３時間焼成して磁気
ディスクを作った。
実施例７
実施例１と同様圧して但し金属磁性媒体３として白金を
１０原子パーセント含むコノくルト合金薄膜を膜厚２０
０八で被覆して磁気ディスクを作った。
１０原子パーセント含むコノくルト合金薄膜を膜厚２０
０八で被覆して磁気ディスクを作った。
実施例８
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３として白金を
２０原子パーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚１００
０八で被覆して磁気ディスクを作った。
２０原子パーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚１００
０八で被覆して磁気ディスクを作った。
比較例
実施例１と同様だして但し金属磁性媒体３としてコバル
ト薄膜を５００人の膜厚にて被覆して磁気ディスクを作
った。
ト薄膜を５００人の膜厚にて被覆して磁気ディスクを作
った。
以上実施例１〜８で示した磁気ディスクを用いて電磁変
換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なった
結果９次の特性を得た。即ち、ヘッドとの摩耗試験は２
万回のコンタクトスタートストップテストを行ないディ
スク表面だ傷は全く認められないことを確認した。又、
環境試験について温度８０℃・相対湿度９０％で６次月
放置した時のエラーの増加数は全て０であり、十分な耐
食性を有しているととが分った。
換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なった
結果９次の特性を得た。即ち、ヘッドとの摩耗試験は２
万回のコンタクトスタートストップテストを行ないディ
スク表面だ傷は全く認められないことを確認した。又、
環境試験について温度８０℃・相対湿度９０％で６次月
放置した時のエラーの増加数は全て０であり、十分な耐
食性を有しているととが分った。
又、比較例については抗磁力が低く、十分な電磁変換特
性が得られなかったので比較の為、２５℃の水中に浸漬
して飽和磁束密度Ｂｓの変化を調べたところ９第５図の
様な結果が得られ、比較例に比べ実施例は優れた耐食性
を有することが分った。
性が得られなかったので比較の為、２５℃の水中に浸漬
して飽和磁束密度Ｂｓの変化を調べたところ９第５図の
様な結果が得られ、比較例に比べ実施例は優れた耐食性
を有することが分った。
なお、第５図の変化率けＢ ｓ ／Ｂ ｏであり、Ｂｏ
は浸漬前の飽和磁束密度である。又、実施例１〜８のデ
ィスクについて２００００〜５００００ ＢＰＩＯ高密
度記録が出来たが、比較例は抗磁力が小さく、高密度記
録を達成することが出来なかった。
は浸漬前の飽和磁束密度である。又、実施例１〜８のデ
ィスクについて２００００〜５００００ ＢＰＩＯ高密
度記録が出来たが、比較例は抗磁力が小さく、高密度記
録を達成することが出来なかった。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性（耐
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことが分った。
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことが分った。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図中
、ｌは基盤、２は非磁性合金層、３は金属磁性媒体、４
は保護膜である。 第２図は本磁気記憶体に用いられる金属磁性媒体におけ
るコバルト中の白金の原子パーセントによる抗磁力の変
化を示した説明図である。 第３図は本磁気記憶体に用いられる金属磁性媒体におけ
るコバルト中の白金の原子パーセントによる飽和磁束密
度の変化を示した説明図である。 第４図は本磁気記憶体だ用いられる金属磁性媒体におけ
るコバルト−白金合金の膜厚による抗磁力の変化を示し
た説明図である。 第５図はコバルト−白金合金からなる本磁気記憶体に用
いられる金属磁性媒体の水浸漬時間による飽和磁束密度
の変化率を示した説明図である。 第１ 関 （０゜ 籐２ 図 Ｐｆ （社、’／Ｊ 第 ３ 回 第４目 Ｐｔ＠有学（μＬ％）
、ｌは基盤、２は非磁性合金層、３は金属磁性媒体、４
は保護膜である。 第２図は本磁気記憶体に用いられる金属磁性媒体におけ
るコバルト中の白金の原子パーセントによる抗磁力の変
化を示した説明図である。 第３図は本磁気記憶体に用いられる金属磁性媒体におけ
るコバルト中の白金の原子パーセントによる飽和磁束密
度の変化を示した説明図である。 第４図は本磁気記憶体だ用いられる金属磁性媒体におけ
るコバルト−白金合金の膜厚による抗磁力の変化を示し
た説明図である。 第５図はコバルト−白金合金からなる本磁気記憶体に用
いられる金属磁性媒体の水浸漬時間による飽和磁束密度
の変化率を示した説明図である。 第１ 関 （０゜ 籐２ 図 Ｐｆ （社、’／Ｊ 第 ３ 回 第４目 Ｐｔ＠有学（μＬ％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、合金基板上圧非磁性合金層または非磁性酸化物層が
被覆され９該非磁性合金層又は非磁性酸化物層上に白金
を７原子パーセントから４０原子パーセント含み残りが
コバルトである金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保
護膜が被覆されて構成されたことを特徴とする磁気記憶
体。 ２、非磁性合金層がニッケルー燐合金である特許請求の
範囲第１項記載の磁気記憶体。 ３、非磁性（算酸化物層が酸化アルミニウムである特許
請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 囲第１項記載の磁気記憶体。 ５ 保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウ
ムの酸化物、窒化物または炭化物である特許請求の範囲
第１項記載の磁気記憶体。 ６ 保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金で
ある特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ７ 保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記載
の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171695A JPH0650683B2 (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171695A JPH0650683B2 (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961107A true JPS5961107A (ja) | 1984-04-07 |
| JPH0650683B2 JPH0650683B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=15927969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171695A Expired - Lifetime JPH0650683B2 (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650683B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224122A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Tokico Ltd | 磁気デイスク |
| DE3534571A1 (de) * | 1984-09-28 | 1986-04-03 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Lichtaufzeichnungsmaterial |
| JPS61105720A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記憶媒体 |
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| US5180640A (en) * | 1990-10-01 | 1993-01-19 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium comprising a magnetic alloy layer of cobalt nickel, platinum and chromium formed directly on a nickel alloy amorphous underlayer |
Citations (5)
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| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS587806A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-17 | インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン | 磁気薄膜材料 |
| JPS58147540A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Hitachi Ltd | 薄膜永久磁石の製造方法 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171695A patent/JPH0650683B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH0465445B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1992-10-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | |
| US5180640A (en) * | 1990-10-01 | 1993-01-19 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium comprising a magnetic alloy layer of cobalt nickel, platinum and chromium formed directly on a nickel alloy amorphous underlayer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0650683B2 (ja) | 1994-06-29 |
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