JPS59217224A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS59217224A JPS59217224A JP58090191A JP9019183A JPS59217224A JP S59217224 A JPS59217224 A JP S59217224A JP 58090191 A JP58090191 A JP 58090191A JP 9019183 A JP9019183 A JP 9019183A JP S59217224 A JPS59217224 A JP S59217224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coated
- magnetic
- oxide
- film
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等)に用いられる蝉気記1意体に関する。
ドラム装置等)に用いられる蝉気記1意体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体粒子を有
機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、基体上に塗布
・乾燥・焼成して装造するため、磁化の要請によシ、連
続薄膜媒体からなる磁気記録媒体の研究−発が盛んに行
なわれている。この連続薄膜媒体の1つにメッキ、真空
蒸着、スパッタ。
機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、基体上に塗布
・乾燥・焼成して装造するため、磁化の要請によシ、連
続薄膜媒体からなる磁気記録媒体の研究−発が盛んに行
なわれている。この連続薄膜媒体の1つにメッキ、真空
蒸着、スパッタ。
イオンブレーティング等の手法により作られる金属磁性
媒体が知られている1、該金属磁性媒体は下地の種類に
よって磁気特性あるいは出力の均一性が左右される。
媒体が知られている1、該金属磁性媒体は下地の種類に
よって磁気特性あるいは出力の均一性が左右される。
本発明の目的は金属磁性媒体に優れた磁気特性と出力の
均一性を与える該媒体の下地を有する磁気記憶体を提供
するものである。
均一性を与える該媒体の下地を有する磁気記憶体を提供
するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非磁性金属
層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物層上にC。
層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物層上にC。
酸化物あるいはCo −Ni 酸化物を介してコバルト
合金からなる金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されている。
合金からなる金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図におい
て磁気記憶体の金属円盤1としてアルミ合金が軽くて加
工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場合
によってはチタン合金が用いられることもある。基盤表
面は機械加工によシ小さなうねシ(円周方向で50μm
以下、半径方向で1100p以下)を有する面に仕上げ
られている。
て磁気記憶体の金属円盤1としてアルミ合金が軽くて加
工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場合
によってはチタン合金が用いられることもある。基盤表
面は機械加工によシ小さなうねシ(円周方向で50μm
以下、半径方向で1100p以下)を有する面に仕上げ
られている。
次にこの基盤1の上に非磁性金属層2としてニッケルー
燐合金がめっきによシ被覆され、該金属層20表面は機
械的研磨によシ最犬表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕
上げされる。
燐合金がめっきによシ被覆され、該金属層20表面は機
械的研磨によシ最犬表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕
上げされる。
次に上記金属層2の上にCo−P又はCo −N i
−Pがメッキ法によって被覆され、該Co−P又はCo
−N1−P被膜を希硝酸に浸漬して250〜300℃で
焼成しCo酸化物あるいはCo −N i酸化物からな
る転化膜3を形成する。該転化膜3の上にCo−Pt。
−Pがメッキ法によって被覆され、該Co−P又はCo
−N1−P被膜を希硝酸に浸漬して250〜300℃で
焼成しCo酸化物あるいはCo −N i酸化物からな
る転化膜3を形成する。該転化膜3の上にCo−Pt。
Co −Ni −Pt 、 Co−’N−Pt 、 C
o−V−Pt 、 Co−Cr −Pt 、Co −R
e−Pt 、Co−8t −Pt 、Co −Ge−P
t 。
o−V−Pt 、 Co−Cr −Pt 、Co −R
e−Pt 、Co−8t −Pt 、Co −Ge−P
t 。
Co −Mo−Pt 、 Co −Ta−Pt 、 C
o−Ti −Pt 、 Co−Zr−PtあるいはCo
−Hf −P t などのコバルト及び白金を含む
金属磁性媒体4がスパッタリング、メッキ、−79蒸着
又はイオンブレーティング法によ)被膜される。Co酸
化物からなる転化膜3の上に被覆された上記媒体4は保
磁力(He) 500=170UoQ(エルステッド)
、飽和磁束密度(Bs) 3000〜1秒000 G
(ガウス)、角形比0.8〜0.97の範囲の優れたヒ
ステリシス特性を示す。
o−Ti −Pt 、 Co−Zr−PtあるいはCo
−Hf −P t などのコバルト及び白金を含む
金属磁性媒体4がスパッタリング、メッキ、−79蒸着
又はイオンブレーティング法によ)被膜される。Co酸
化物からなる転化膜3の上に被覆された上記媒体4は保
磁力(He) 500=170UoQ(エルステッド)
、飽和磁束密度(Bs) 3000〜1秒000 G
(ガウス)、角形比0.8〜0.97の範囲の優れたヒ
ステリシス特性を示す。
金属磁性媒体4の上に被覆される保踵膜は硬質であるこ
とが好ましく、オスミウム、ルテニウム。
とが好ましく、オスミウム、ルテニウム。
イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窒化物または炭化物あるいはホウ素。
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窒化物または炭化物あるいはホウ素。
炭素あるいはホウ素と炭素の合金あるいはダイアモンド
状カーボンあるいはポリ珪酸が望ましい。
状カーボンあるいはポリ珪酸が望ましい。
さらに保護膜4の上にR−G(RはC数10〜40の飽
和又は不飽和炭化水素又は)ν素化炭化水素。
和又は不飽和炭化水素又は)ν素化炭化水素。
GはC0OH,OH,NH,、C0OR’ 、 Si
(OR’ )s 。
(OR’ )s 。
エチレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも出来る。
次にいくつかの例をあけて本発明を説明する。
実施例1゜
金属円盤1として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねシ(円周方向で50pm以下および半径方向で
10μm以下)を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金としてニッケルー燐合
金を約50pmの厚さにめっきし、このニッケルー燐め
っき膜を最大表面粗さ0.02μm、厚さ30μmまで
鏡面研磨仕上げした。
さなうねシ(円周方向で50pm以下および半径方向で
10μm以下)を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金としてニッケルー燐合
金を約50pmの厚さにめっきし、このニッケルー燐め
っき膜を最大表面粗さ0.02μm、厚さ30μmまで
鏡面研磨仕上げした。
次にこのニッケルー燐めっき膜2上にGo−Pをめっき
によシ0.1μmの厚さに被覆し、0.54の希硝酸水
溶液に浸漬した後、275℃で1時間焼成してコバルト
酸化物からなる転化)換3を形成した。
によシ0.1μmの厚さに被覆し、0.54の希硝酸水
溶液に浸漬した後、275℃で1時間焼成してコバルト
酸化物からなる転化)換3を形成した。
次にこの転化膜3の上に金属薄膜媒体4としてC00J
pt6.l薄膜がスパッタリングによシ膜厚500A
で被覆され該媒体上に保護膜5として5in2が200
Xの膜厚でスパッタリングによる被覆して磁気ディスク
を作った。
pt6.l薄膜がスパッタリングによシ膜厚500A
で被覆され該媒体上に保護膜5として5in2が200
Xの膜厚でスパッタリングによる被覆して磁気ディスク
を作った。
実施例2゜
実施例1と同様にして但し転化膜3としてCo−N1−
PをめっきによJo、1μmの厚さに被覆し、0.1%
の希硝酸水溶液に浸漬した後、300℃で1時間焼成し
てコバルト・ニッケル酸化物からなるノ摸を形成して磁
気ディスクを作った。
PをめっきによJo、1μmの厚さに被覆し、0.1%
の希硝酸水溶液に浸漬した後、300℃で1時間焼成し
てコバルト・ニッケル酸化物からなるノ摸を形成して磁
気ディスクを作った。
実施例3゜
実施例1と同様にして但し金属磁性媒体4としてCo−
N i −P tを用いて磁気ディスクを作った。
N i −P tを用いて磁気ディスクを作った。
実施例4
実施例1と同様にして但し金属磁性媒体4としてCo−
8i−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
8i−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例5
実施例1と同様にして但し金属磁性媒体4としてCo−
Ge−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Ge−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例6
実施例1と同様にして但し金属磁性媒体4としてCo−
IVIo −P tを用いて磁気ディスクを作った。
IVIo −P tを用いて磁気ディスクを作った。
実施例7
実施例1と同様にして但し金属磁性媒体4としてCo
−V−P t を用いて磁気ディスクを作った。
−V−P t を用いて磁気ディスクを作った。
実施例8
実施例1と同様にして但し金属磁性媒体4としてCo−
Cr−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Cr−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例9゜
実施例1と同様にして但し保護膜5としてテトラヒドロ
キシシラン2.4重蓋%イソグロビルアルコール溶液を
スピン塗布して被覆したポリ珪酸を用いて磁気ディスク
を作った。
キシシラン2.4重蓋%イソグロビルアルコール溶液を
スピン塗布して被覆したポリ珪酸を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例10゜
実施例1と同様にして但し保護膜5としてタングステン
をスパッタリングにょシ被覆して磁気ディスクを作った
。
をスパッタリングにょシ被覆して磁気ディスクを作った
。
以上実施例1〜10で示した磁気ディスクを用いて電磁
変換特性およびヘッドとの摩耗試験および環境試験を行
なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性については
実施例1〜のディスクについて4IO00〜80,00
0 FRPIの記録密度が得られた。ヘッドとの摩耗試
験は2万回のコンタクトスタートストップテストを行な
ったところ、ディスク表面に傷は全く見られなかった。
変換特性およびヘッドとの摩耗試験および環境試験を行
なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性については
実施例1〜のディスクについて4IO00〜80,00
0 FRPIの記録密度が得られた。ヘッドとの摩耗試
験は2万回のコンタクトスタートストップテストを行な
ったところ、ディスク表面に傷は全く見られなかった。
又、温度80℃。
相対湿度9096で6ケ月放置する壊境試朕を行なった
ところ、実施例1〜10についてはエラーの増加数は全
てゼロであっfcoまだ転化膜を介さないで直接非磁性
金属上に金属薄膜媒体を被覆した場合に比べS、Hは3
dB改善された。
ところ、実施例1〜10についてはエラーの増加数は全
てゼロであっfcoまだ転化膜を介さないで直接非磁性
金属上に金属薄膜媒体を被覆した場合に比べS、Hは3
dB改善された。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた副食性(耐
環境性)及び耐摩耗性及び高記憶密度特性を有している
ことが分った。
環境性)及び耐摩耗性及び高記憶密度特性を有している
ことが分った。
図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分哨面図。
図中、1は金属円盤、2は非磁性合金ノー、3はCo
(71化物あるいはCo−N i酸化物からなる転化膜
、4はコバルト及び白金を含む金属薄膜媒体、5は保護
膜である。
(71化物あるいはCo−N i酸化物からなる転化膜
、4はコバルト及び白金を含む金属薄膜媒体、5は保護
膜である。
Claims (3)
- (1) 金属円盤上に非磁性合金が被覆され、さらに
該非磁性合金上にco酸化物あるいはCo−Ni酸化物
からなる転化膜が被覆され、さらに該転化膜の上処コバ
ルトおよび白金を含む金属磁性媒体が被覆され、さらに
該媒体上に保護膜が被覆されて構成されたことを特徴と
する磁気記憶体。 - (2)転化膜1)ico O、CogO,、CogO4
、NiO(1)うち少なくとも1以上を含んでいる特許
請求の範囲第1項記載の磁気記憶体。 - (3) コバルトおよび白金を含む金属磁性媒体がC
o−Pt 、Co −Ni−Pt 、Co−W−PL
、Co−V−Pt 。 Co−Cr−Pt 、Co −Re−Pt、 Co−8
i −Pt 、Co −Ge −Pt 、Co −Mo
−Pt 、 Co −Ta−Pt 、 Go −Ti
−Pt 、 Co−Zr−Pt あるいはCo−HfP
t である特許請求の範囲第1.!1Ii1記載の磁気
記憶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58090191A JPS59217224A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58090191A JPS59217224A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59217224A true JPS59217224A (ja) | 1984-12-07 |
JPH0474772B2 JPH0474772B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=13991587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58090191A Granted JPS59217224A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59217224A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250836A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-07 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
US5024903A (en) * | 1988-04-04 | 1991-06-18 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a magnetic layer of a quaternary alloy |
US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
JPH04281214A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH05151567A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 磁気記録体の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP58090191A patent/JPS59217224A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250836A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-07 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
US5024903A (en) * | 1988-04-04 | 1991-06-18 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a magnetic layer of a quaternary alloy |
JPH04281214A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH05151567A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 磁気記録体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0474772B2 (ja) | 1992-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0580804B2 (ja) | ||
JPH0572727B2 (ja) | ||
JPS59217224A (ja) | 磁気記憶体 | |
JP2540479B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPS5961107A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPS61199224A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6018817A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0556006B2 (ja) | ||
JP2952967B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59180829A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0556007B2 (ja) | ||
JPH0514325B2 (ja) | ||
JPH0580805B2 (ja) | ||
JPS6035332A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPS615437A (ja) | 磁気デイスクの製造方法 | |
JPS60193124A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0580803B2 (ja) | ||
JPS59116923A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPS6364623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61199236A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0467252B2 (ja) | ||
JPH0467251B2 (ja) | ||
JPH0467250B2 (ja) | ||
JPS62256217A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61199230A (ja) | 磁気記録媒体 |