JPH0556006B2 - - Google Patents
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- JPH0556006B2 JPH0556006B2 JP57225171A JP22517182A JPH0556006B2 JP H0556006 B2 JPH0556006 B2 JP H0556006B2 JP 57225171 A JP57225171 A JP 57225171A JP 22517182 A JP22517182 A JP 22517182A JP H0556006 B2 JPH0556006 B2 JP H0556006B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置お
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は、γ−Fe2O3、CrO2・Fe、Fe−Co
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造
するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさの
レベルで不連続である。 しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要
請により、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい
磁気記憶媒体の研究開発が盛んに行なわれてい
る。この連続薄膜媒体は主にメツキ、真空蒸着、
スパツタ、イオンプレーテイング等の手法により
作られる金属薄膜からなるものと、真空蒸着、ス
パツタ、イオンプレーテイング等の手法により作
られるFe2O4又はγ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜
からなるものが知られている。金属薄膜からなる
磁気記憶媒体（以下金属薄膜体と称する）は高
温・高湿下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、
十分耐食性のある金属薄膜媒体はまだ知られてい
ない。 本発明の目的は上述の現況に鑑み、優れた磁気
特性を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜
媒体を有する磁気記憶体を提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された非
磁性合金層又は非磁性金属酸化物層が被覆された
基板上に１〜15原子パーセントのチタン及び20〜
35原子パーセントの白金と残部がコバルトの合金
又は、１〜20原子パーセントのモリブデンと20〜
35原子パーセントの白金と残部がコバルトの合金
からなる金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保
護膜が被覆されて構成されている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第１図において磁気記憶体の基板１としてア
ルミ合金が軽くて加工性が良く安価なことから最
も良く用いられるが、場合によつてはチタン合金
が用いられることもある。基板表面は機械加工に
より小さなうねり（円周方向で50μｍ以下、半径
方向で100μｍ以下）を有する面に仕上げられて
いる。 次にこの基板１の上に非磁性合金属２としてニ
ツケル−燐合金がめつきにより被覆され、この下
地体の表面は機械的研磨により最大表面粗さ
0.03μｍ以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地
体の鏡面研磨面上にニツケル−燐合金がめつきさ
れ、その上に、金属薄膜媒体３として１〜15原子
パーセントのチタンと20〜35原子パーセントの白
金と残部がコバルトからなる合金、又は、１〜20
原子パーセントのモリブデンと20〜35原子パーセ
ントの白金と残部がコバルトからなる合金の金属
薄膜媒体が高周波スパツタ法により被覆される。
次に上記金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表され
る保護膜４が高周波スパツタ法により被覆され
る。 金属薄膜媒体は抗磁力（Hc）500〜1200oe（エ
ルステツド）、飽和磁束密度（Bs）12000G（ガウ
ス）以下角形比（Ｓ＝Br／Bs）0.7〜0.9、保磁力
角形比（S*）0.7〜0.9の範囲の磁気記憶媒体とし
て優れたヒステリシス特性を示す。上記特性は金
属薄膜媒体中の白金およびモリブデンまたはチタ
ンの量に大きく依存する。 第２図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角
形比Ｓと保磁力角形比S*の金属薄膜媒体のチタ
ンの原子パーセント濃度による変化を示す図で、
チタンが１〜15st％の範囲で高記憶密度可能な磁
気記憶媒体として使用できることがわかる。 同様に第３図、Br、Hc、Ｓ、S*のモリブデン
の原子パーセント濃度による変化を示す図で、モ
リブデンが１〜20at％の範囲で高記憶密度可能な
磁気記憶媒体として使用できることがわかる。 第４図は磁気記憶体を、25℃の水中に浸漬する
前の飽和磁束密度Boに対する25℃の水中に浸漬
した時の飽和磁束密度Bs（Bs／Bo）の時間変化
を示したものであり、値が1.0に近い程耐食性が
良い。 以上の様に白金を35原子パーセント以下及びモ
リブデン、チタンをそれぞれ20原子パーセント以
下、15原子パーセント以下含むコバルト合金から
なる金属薄膜媒体３は磁気記憶媒体として優れて
いることが分る。 金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜４は硬
質であることが望ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホ
ウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポ
リ珪酸が望ましい。 これらの保護膜はスパツタにより形成できる。
ただしポリ珪酸は、テトラヒドロキシシランのイ
ソプロピルアルコールの溶液を塗布して300℃で
１時間焼成することにより形成する。 さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜40
の飽和又は不飽和炭化水素又はフツ素化炭化水素
ＧはCOOH、OH、NH2、COOR′、Si（OR′）3、
CONH2までの官能基）からなる潤滑剤あるいは
フツ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロ
ロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも
出来る。 また非磁性合金２として他に酸化アルミニウム
を用いることができる。 次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。 実施例 １ 基板１として施盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下および半
径方向で10μｍ以下）を有する面に仕上げられた
デイスク状アルミニウム合金盤上に非磁性合金層
２としてニツケル−燐合金を約50μｍの厚さにめ
つきし、このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗
さ0.02μｍ、厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げした。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属薄膜
媒体３として高周波スパツタ法によりアルゴン圧
４×10-2torr、パワー密度6W／cm2にて膜厚500Å
のチタンを10原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さらに
この金属薄膜媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚に
高周波スパツタ法により被覆して磁気デイスクを
作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比
Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ650oe、5200G、
0.80、0.90であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして但しパワー密度5W／cm2
にて金属薄膜媒体３としてモリブデンを９原子パ
ーセントおよび白金を20原子パーセント含むコバ
ルト合金薄膜を膜厚500Åで被覆して磁気デイス
クを作つた。HcBr、Ｓ、およびS*はそれぞれ
1100oe、4500G、0.80、0.85であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして但し金属薄膜媒体３とし
てチタン２原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を500Åで被覆して磁
気デイスクを作つた。Hc、Br、ＳおよびS*はそ
れぞれ1010oe、9200G、0.85、0.85であつた。 実施例 ４ 実施例２と同様に但し金属薄膜媒体３としてモ
リブデンを15原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚800Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ550oe、4000G、0.80、0.80であつた。 実施例 ５ 実施例１と同様に但し金属薄膜媒体３としてモ
リブデンを２原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ1150oe、900G、0.80、0.80であつた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして但し非磁性合金層２とし
てアルミニウム合金からなる基板１の表面を陽極
酸化により非磁性金属酸化物として酸化アルミニ
ウムを被覆し、この酸化アルミニウム最大表面粗
さ0.02μｍまで鏡面研磨仕上げして、磁気デイス
クを作つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして但し保護膜４として、次
の物質をそれぞれスパツタ法により800Å厚さに
被覆してそれぞれ磁気デイスクを作つた。
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は、γ−Fe2O3、CrO2・Fe、Fe−Co
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造
するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさの
レベルで不連続である。 しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要
請により、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい
磁気記憶媒体の研究開発が盛んに行なわれてい
る。この連続薄膜媒体は主にメツキ、真空蒸着、
スパツタ、イオンプレーテイング等の手法により
作られる金属薄膜からなるものと、真空蒸着、ス
パツタ、イオンプレーテイング等の手法により作
られるFe2O4又はγ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜
からなるものが知られている。金属薄膜からなる
磁気記憶媒体（以下金属薄膜体と称する）は高
温・高湿下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、
十分耐食性のある金属薄膜媒体はまだ知られてい
ない。 本発明の目的は上述の現況に鑑み、優れた磁気
特性を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜
媒体を有する磁気記憶体を提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された非
磁性合金層又は非磁性金属酸化物層が被覆された
基板上に１〜15原子パーセントのチタン及び20〜
35原子パーセントの白金と残部がコバルトの合金
又は、１〜20原子パーセントのモリブデンと20〜
35原子パーセントの白金と残部がコバルトの合金
からなる金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保
護膜が被覆されて構成されている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第１図において磁気記憶体の基板１としてア
ルミ合金が軽くて加工性が良く安価なことから最
も良く用いられるが、場合によつてはチタン合金
が用いられることもある。基板表面は機械加工に
より小さなうねり（円周方向で50μｍ以下、半径
方向で100μｍ以下）を有する面に仕上げられて
いる。 次にこの基板１の上に非磁性合金属２としてニ
ツケル−燐合金がめつきにより被覆され、この下
地体の表面は機械的研磨により最大表面粗さ
0.03μｍ以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地
体の鏡面研磨面上にニツケル−燐合金がめつきさ
れ、その上に、金属薄膜媒体３として１〜15原子
パーセントのチタンと20〜35原子パーセントの白
金と残部がコバルトからなる合金、又は、１〜20
原子パーセントのモリブデンと20〜35原子パーセ
ントの白金と残部がコバルトからなる合金の金属
薄膜媒体が高周波スパツタ法により被覆される。
次に上記金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表され
る保護膜４が高周波スパツタ法により被覆され
る。 金属薄膜媒体は抗磁力（Hc）500〜1200oe（エ
ルステツド）、飽和磁束密度（Bs）12000G（ガウ
ス）以下角形比（Ｓ＝Br／Bs）0.7〜0.9、保磁力
角形比（S*）0.7〜0.9の範囲の磁気記憶媒体とし
て優れたヒステリシス特性を示す。上記特性は金
属薄膜媒体中の白金およびモリブデンまたはチタ
ンの量に大きく依存する。 第２図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角
形比Ｓと保磁力角形比S*の金属薄膜媒体のチタ
ンの原子パーセント濃度による変化を示す図で、
チタンが１〜15st％の範囲で高記憶密度可能な磁
気記憶媒体として使用できることがわかる。 同様に第３図、Br、Hc、Ｓ、S*のモリブデン
の原子パーセント濃度による変化を示す図で、モ
リブデンが１〜20at％の範囲で高記憶密度可能な
磁気記憶媒体として使用できることがわかる。 第４図は磁気記憶体を、25℃の水中に浸漬する
前の飽和磁束密度Boに対する25℃の水中に浸漬
した時の飽和磁束密度Bs（Bs／Bo）の時間変化
を示したものであり、値が1.0に近い程耐食性が
良い。 以上の様に白金を35原子パーセント以下及びモ
リブデン、チタンをそれぞれ20原子パーセント以
下、15原子パーセント以下含むコバルト合金から
なる金属薄膜媒体３は磁気記憶媒体として優れて
いることが分る。 金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜４は硬
質であることが望ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホ
ウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポ
リ珪酸が望ましい。 これらの保護膜はスパツタにより形成できる。
ただしポリ珪酸は、テトラヒドロキシシランのイ
ソプロピルアルコールの溶液を塗布して300℃で
１時間焼成することにより形成する。 さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜40
の飽和又は不飽和炭化水素又はフツ素化炭化水素
ＧはCOOH、OH、NH2、COOR′、Si（OR′）3、
CONH2までの官能基）からなる潤滑剤あるいは
フツ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロ
ロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも
出来る。 また非磁性合金２として他に酸化アルミニウム
を用いることができる。 次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。 実施例 １ 基板１として施盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下および半
径方向で10μｍ以下）を有する面に仕上げられた
デイスク状アルミニウム合金盤上に非磁性合金層
２としてニツケル−燐合金を約50μｍの厚さにめ
つきし、このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗
さ0.02μｍ、厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げした。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属薄膜
媒体３として高周波スパツタ法によりアルゴン圧
４×10-2torr、パワー密度6W／cm2にて膜厚500Å
のチタンを10原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さらに
この金属薄膜媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚に
高周波スパツタ法により被覆して磁気デイスクを
作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比
Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ650oe、5200G、
0.80、0.90であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして但しパワー密度5W／cm2
にて金属薄膜媒体３としてモリブデンを９原子パ
ーセントおよび白金を20原子パーセント含むコバ
ルト合金薄膜を膜厚500Åで被覆して磁気デイス
クを作つた。HcBr、Ｓ、およびS*はそれぞれ
1100oe、4500G、0.80、0.85であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして但し金属薄膜媒体３とし
てチタン２原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を500Åで被覆して磁
気デイスクを作つた。Hc、Br、ＳおよびS*はそ
れぞれ1010oe、9200G、0.85、0.85であつた。 実施例 ４ 実施例２と同様に但し金属薄膜媒体３としてモ
リブデンを15原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚800Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ550oe、4000G、0.80、0.80であつた。 実施例 ５ 実施例１と同様に但し金属薄膜媒体３としてモ
リブデンを２原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ1150oe、900G、0.80、0.80であつた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして但し非磁性合金層２とし
てアルミニウム合金からなる基板１の表面を陽極
酸化により非磁性金属酸化物として酸化アルミニ
ウムを被覆し、この酸化アルミニウム最大表面粗
さ0.02μｍまで鏡面研磨仕上げして、磁気デイス
クを作つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして但し保護膜４として、次
の物質をそれぞれスパツタ法により800Å厚さに
被覆してそれぞれ磁気デイスクを作つた。
【表】
比較例 １
実施例１と同様にして但しニツケル−燐めつき
膜の上に膜厚1μｍのクロムを介して金属薄膜媒
体３としてコバルトを膜厚500Åで被覆して磁気
デイスクを作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度
Br、角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ
600oe、13600G、0.8、0.8であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様にして白金を10at％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被
覆して磁気デイスクを作つた。抗磁力Hc、残留
磁束密度Br、角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれ
ぞれ600oe、11000G、0.8、0.8であつた。 以上実施例１〜７および比較例１，２で示した
磁気デイスクを用いて電磁変換特性およびヘツド
との摩耗試験および環境試験および水浸漬腐食試
験を行なつた結果、次の特性を得た。 電磁変換特性については実施例１〜７のデイス
クについて40000〜80000FRPIの記憶密度が得ら
れたが、比較例１，２のデイスクでは20000FRPI
の記憶密度しが得られなかつた。ヘツドとの摩耗
試験は２万回のコンタクトスタートストツプテス
トを行なつたところデイスク表面に傷は全く見ら
れなかつた。又、温度80℃、相対湿度90％で６ケ
月放置する環境試験を行なつたところ実施例１〜
７および比較例２についてはエラーの増加数は全
て０であつたが、比較例１のデイスクはエラーが
100倍に増加した。 最後に実施例１〜７および比較例１、２のデイ
スクを切断して15mm×15mmの切片を作り、１ケ月
間25℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Bsの変化
を調べたところ、第４図の様な結果が得られた。
すなわち実施例１〜７は１ケ月の水中浸漬後も
Bsの変化は全くなかつたが比較例１は50％、比
較例２は25％Bsが減少した。 以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐
食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高記憶密度特
性を有していることが分つた。
膜の上に膜厚1μｍのクロムを介して金属薄膜媒
体３としてコバルトを膜厚500Åで被覆して磁気
デイスクを作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度
Br、角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ
600oe、13600G、0.8、0.8であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様にして白金を10at％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被
覆して磁気デイスクを作つた。抗磁力Hc、残留
磁束密度Br、角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれ
ぞれ600oe、11000G、0.8、0.8であつた。 以上実施例１〜７および比較例１，２で示した
磁気デイスクを用いて電磁変換特性およびヘツド
との摩耗試験および環境試験および水浸漬腐食試
験を行なつた結果、次の特性を得た。 電磁変換特性については実施例１〜７のデイス
クについて40000〜80000FRPIの記憶密度が得ら
れたが、比較例１，２のデイスクでは20000FRPI
の記憶密度しが得られなかつた。ヘツドとの摩耗
試験は２万回のコンタクトスタートストツプテス
トを行なつたところデイスク表面に傷は全く見ら
れなかつた。又、温度80℃、相対湿度90％で６ケ
月放置する環境試験を行なつたところ実施例１〜
７および比較例２についてはエラーの増加数は全
て０であつたが、比較例１のデイスクはエラーが
100倍に増加した。 最後に実施例１〜７および比較例１、２のデイ
スクを切断して15mm×15mmの切片を作り、１ケ月
間25℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Bsの変化
を調べたところ、第４図の様な結果が得られた。
すなわち実施例１〜７は１ケ月の水中浸漬後も
Bsの変化は全くなかつたが比較例１は50％、比
較例２は25％Bsが減少した。 以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐
食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高記憶密度特
性を有していることが分つた。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分
断面図である。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は金属
薄膜媒体、４は保護膜である。 第２図は本発明の磁気記憶体に用いられる金属
薄膜媒体における残留磁束密度Br、抗磁力Hc、
および角形比Ｓ、保磁力角形比S*の金属薄膜媒
体中のチタンの原子パーセント濃度による変化を
示す図であり、第３図は同様にBr、Hc、Ｓ、S*
の金属薄膜媒体中のモリブデンの原子パーセント
濃度による変化を示す図である。第４図は本発明
の磁気記憶体を、25℃の水中に浸漬する前の飽和
磁束密度Boに対する25℃の水中に浸漬した時の
飽和磁束密度Bs（Bs／Bo）の時間変化を示す図
である。
断面図である。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は金属
薄膜媒体、４は保護膜である。 第２図は本発明の磁気記憶体に用いられる金属
薄膜媒体における残留磁束密度Br、抗磁力Hc、
および角形比Ｓ、保磁力角形比S*の金属薄膜媒
体中のチタンの原子パーセント濃度による変化を
示す図であり、第３図は同様にBr、Hc、Ｓ、S*
の金属薄膜媒体中のモリブデンの原子パーセント
濃度による変化を示す図である。第４図は本発明
の磁気記憶体を、25℃の水中に浸漬する前の飽和
磁束密度Boに対する25℃の水中に浸漬した時の
飽和磁束密度Bs（Bs／Bo）の時間変化を示す図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に非磁性合金層又は非磁性酸化物層が
被覆され、前記非磁性合金層又は前記非磁性酸化
物層上に１〜15原子パーセントのチタンと20〜35
原子パーセントの白金と残部がコバルトからなる
合金、又は、１〜20原子パーセントのモリブデン
と20〜35原子パーセントの白金と残部がコバルト
からなる合金の金属薄膜媒体が被覆され、前記金
属薄膜媒体上に保護膜が被覆されていることを特
徴とする磁気記憶体。 ２ 非磁性合金層がニツケル−燐である特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ３ 非磁性酸化物層が酸化アルミニウムである特
許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ４ 保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウ
ム、マンガン、又はタングステンである特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ５ 保護膜がケイ素、チタン、タンタル又はハフ
ニウムの酸化物、窒化物又は炭化物である特許請
求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ６ 保護膜がホウ素、炭素又はホウ素と炭素の合
金である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶
体。 ７ 保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１
項記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225171A JPS59116924A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225171A JPS59116924A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116924A JPS59116924A (ja) | 1984-07-06 |
| JPH0556006B2 true JPH0556006B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=16825053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57225171A Granted JPS59116924A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116924A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68925045T2 (de) * | 1988-02-22 | 1996-08-22 | Sony Corp | Magnetischer Aufzeichnungsträger |
| DE102009008358A1 (de) | 2008-02-19 | 2009-09-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai | Lichtkoppler und Herstellungsverfahren für diesen |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57225171A patent/JPS59116924A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59116924A (ja) | 1984-07-06 |
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