JPS59180829A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS59180829A JPS59180829A JP58055447A JP5544783A JPS59180829A JP S59180829 A JPS59180829 A JP S59180829A JP 58055447 A JP58055447 A JP 58055447A JP 5544783 A JP5544783 A JP 5544783A JP S59180829 A JPS59180829 A JP S59180829A
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- alloy
- medium
- magnetic
- nonmagnetic
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- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置及び磁気ド
ラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
ラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
現在主に実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有
するものである。この不連続媒体の磁気記憶体は、ｒ−
ｒｅ２０８、ａｒｏ２、Ｆｅ、 Ｆｃ−Ｃｏ等の磁性体
粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、基板
上忙塗布、乾燥、焼成して製造するため、磁気記憶体は
磁性粒子の大きさのレベルで不連続である。
するものである。この不連続媒体の磁気記憶体は、ｒ−
ｒｅ２０８、ａｒｏ２、Ｆｅ、 Ｆｃ−Ｃｏ等の磁性体
粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、基板
上忙塗布、乾燥、焼成して製造するため、磁気記憶体は
磁性粒子の大きさのレベルで不連続である。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記憶密度化の要請忙より
、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行なわれている。
、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行なわれている。
この連続薄膜媒体は主にメッキ、真空蒸着、スパッタ、
イオンブレーティング等の手法により作られる。Ｗ、
ＴｏＭａｌｏｎｅｙ ＩＩＪＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ
ｎ、 ＭＡＧ−１５゜１１３５ （１９７９）において
ガラス基板上にクロムを被覆し、さらにその上にコバル
ト薄膜を被覆した磁気記憶媒体が知られているが、高温
、高湿の劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のあ
る金属薄膜媒体はまだ知られていない。また上記媒体は
残留磁束密度が大き過ぎるため高密度記録には適さない
。
イオンブレーティング等の手法により作られる。Ｗ、
ＴｏＭａｌｏｎｅｙ ＩＩＪＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ
ｎ、 ＭＡＧ−１５゜１１３５ （１９７９）において
ガラス基板上にクロムを被覆し、さらにその上にコバル
ト薄膜を被覆した磁気記憶媒体が知られているが、高温
、高湿の劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のあ
る金属薄膜媒体はまだ知られていない。また上記媒体は
残留磁束密度が大き過ぎるため高密度記録には適さない
。
本発明は上述の現況に鑑み、耐食性がきわめて優れ、残
留磁束密度が上″配文献に記述されている媒体の値より
小さく、高密度記録に適した値で、さらに保磁力が太き
（、角形性が優れた金属薄膜媒体からなる磁気記憶体を
提供するもすなわち本発明の磁気記憶体は合金基板上に
非磁性合金層又は非磁性酸化物層が被覆され、該非磁性
合金層又は非磁性酸化物層上にさらに非磁性金属下地層
を介して、ニッケル及びモリブデンを含むコバルト合金
薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。
留磁束密度が上″配文献に記述されている媒体の値より
小さく、高密度記録に適した値で、さらに保磁力が太き
（、角形性が優れた金属薄膜媒体からなる磁気記憶体を
提供するもすなわち本発明の磁気記憶体は合金基板上に
非磁性合金層又は非磁性酸化物層が被覆され、該非磁性
合金層又は非磁性酸化物層上にさらに非磁性金属下地層
を介して、ニッケル及びモリブデンを含むコバルト合金
薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。
次に一面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
第１図において磁気記憶体の合金基板１としてアルミ合
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用いら
れるが、場合によってはチタン合金が用いられることも
ある。基板表面は機械加工により小さなうねり（円周方
向で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有す
る面に仕上げられている。） 次にこの基板１の上忙非磁性合金層２としてはニッケル
ー燐合金をめっきにより被覆したものが望ましく、この
下地体２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ０．０
３μｍ以下に鏡面仕上げされる。
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用いら
れるが、場合によってはチタン合金が用いられることも
ある。基板表面は機械加工により小さなうねり（円周方
向で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有す
る面に仕上げられている。） 次にこの基板１の上忙非磁性合金層２としてはニッケル
ー燐合金をめっきにより被覆したものが望ましく、この
下地体２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ０．０
３μｍ以下に鏡面仕上げされる。
次に上記非磁性合金層２の鏡面研磨上にクロムに代表さ
れる非磁性金属下地層３が高周波スパッタ法により被覆
される。又、特にクロム、銅、銀はメッキ法によっても
被覆することができる。そのクロムに代表される非磁性
金属下地層３は第２図に示すよ５に下記金属磁性媒体４
の保磁力を高める。また、下地層３の厚さにより磁性媒
体４の保磁力が変化するので、実用的な磁気記憶体を製
造するためには下地層の厚さは０．１μｍ以上必要とす
る。一方、下地層３は膜厚０８μｍで磁性媒体４の保磁
カカ勢マぼ飽和するので０．８μｍ以下で十分である。
れる非磁性金属下地層３が高周波スパッタ法により被覆
される。又、特にクロム、銅、銀はメッキ法によっても
被覆することができる。そのクロムに代表される非磁性
金属下地層３は第２図に示すよ５に下記金属磁性媒体４
の保磁力を高める。また、下地層３の厚さにより磁性媒
体４の保磁力が変化するので、実用的な磁気記憶体を製
造するためには下地層の厚さは０．１μｍ以上必要とす
る。一方、下地層３は膜厚０８μｍで磁性媒体４の保磁
カカ勢マぼ飽和するので０．８μｍ以下で十分である。
非磁性金属下地層３はクロム以外でもビスマス、スズ、
鉛、アルミニウム、亜鉛、カドミウム、金、パラジウム
、白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウ
ム、レニウム等の金属が有効である。次に上記非磁性金
属下地層３の上に金属磁性媒体４としてニッケル及びモ
リブデンを含むコバルトからなる金属薄膜媒体が高周波
スパッタ法により被覆される。次に上記金属薄膜媒体４
の上ＦＣ８＋ ０２に代表される保護膜５が高周波スパ
ッタ法により被覆される。金属薄膜媒体は保磁力（Ｈｅ
） ３００〜９０００ｅ （エルステッド）、飽和磁
束密度（Ｂｓ）３０００〜１２０００Ｇ（ガウス）、角
形比（Ｂｒ／Ｂｓ ） ０．７〜０．９、保磁力角形比
（Ｓ”） ０．７〜０．９の範囲の磁気記憶媒体として
優れたヒステリシス特性を示す。しかも上記特性は金属
薄膜媒体中のモリブデンの量に大きく依存する。
鉛、アルミニウム、亜鉛、カドミウム、金、パラジウム
、白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウ
ム、レニウム等の金属が有効である。次に上記非磁性金
属下地層３の上に金属磁性媒体４としてニッケル及びモ
リブデンを含むコバルトからなる金属薄膜媒体が高周波
スパッタ法により被覆される。次に上記金属薄膜媒体４
の上ＦＣ８＋ ０２に代表される保護膜５が高周波スパ
ッタ法により被覆される。金属薄膜媒体は保磁力（Ｈｅ
） ３００〜９０００ｅ （エルステッド）、飽和磁
束密度（Ｂｓ）３０００〜１２０００Ｇ（ガウス）、角
形比（Ｂｒ／Ｂｓ ） ０．７〜０．９、保磁力角形比
（Ｓ”） ０．７〜０．９の範囲の磁気記憶媒体として
優れたヒステリシス特性を示す。しかも上記特性は金属
薄膜媒体中のモリブデンの量に大きく依存する。
第３図は飽和磁束密度、保磁力及び角形性のニッケルを
２０原子パーセント含む金属薄膜媒体中のモリブデンの
原子パーセントによる変化を示したもので、モリブデン
４〜１８ａｔ９％の範囲で高密度記録が可能な磁気記憶
媒体として使用できる。
２０原子パーセント含む金属薄膜媒体中のモリブデンの
原子パーセントによる変化を示したもので、モリブデン
４〜１８ａｔ９％の範囲で高密度記録が可能な磁気記憶
媒体として使用できる。
第４図は、各実施例及び比較例を２５℃の水中に浸漬し
て飽和磁束密度Ｂｓの変化を調べたもので横軸は水中浸
漬日数で、縦軸は飽和磁束密度Ｂｓの変化率（Ｂｓ／Ｂ
ｏ、ただしＢｏは浸漬前の飽和磁束密度）を示している
。第４図の実施例５より耐食性に関してニッケルとモリ
ブデンの合計含有量が１４原子パ一セント以上が望まし
いことがわかった。
て飽和磁束密度Ｂｓの変化を調べたもので横軸は水中浸
漬日数で、縦軸は飽和磁束密度Ｂｓの変化率（Ｂｓ／Ｂ
ｏ、ただしＢｏは浸漬前の飽和磁束密度）を示している
。第４図の実施例５より耐食性に関してニッケルとモリ
ブデンの合計含有量が１４原子パ一セント以上が望まし
いことがわかった。
以上の様にニッケルを１０〜３０原子バーセント及びモ
リブデンを４〜１８原子パーセント含むコバルト合金か
らなる金属薄膜は磁気記録媒体として耐食性及び磁気特
性共に優れていることがわかった。金属薄膜媒体４の上
に被覆される保護膜は硬質であることが望ましく、オス
ミウム、ルテニウム、イリジウム、マンガン、タングス
テン等の金属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたは
ハフニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホウ
素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポリ珪酸が
望ましい。
リブデンを４〜１８原子パーセント含むコバルト合金か
らなる金属薄膜は磁気記録媒体として耐食性及び磁気特
性共に優れていることがわかった。金属薄膜媒体４の上
に被覆される保護膜は硬質であることが望ましく、オス
ミウム、ルテニウム、イリジウム、マンガン、タングス
テン等の金属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたは
ハフニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホウ
素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポリ珪酸が
望ましい。
さらに保護膜５の上に几−Ｇ（几は炭素数１０〜４０の
飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素、Ｇは０
ＯＯＨ，ＯＨ，ＮＨ２，０００Ｒ’、 Ｓ ｉ （ＯＲ
’ ）ａ、００ Ｎ Ｈ２などの官能基）からなる潤滑
剤を塗布することもできる。
飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素、Ｇは０
ＯＯＨ，ＯＨ，ＮＨ２，０００Ｒ’、 Ｓ ｉ （ＯＲ
’ ）ａ、００ Ｎ Ｈ２などの官能基）からなる潤滑
剤を塗布することもできる。
次に具体的に実施例及び比較例により本発明を説明する
。
。
実施例１
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さにめっきし、このニンケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍま
で鏡面研磨仕上げした。次にこのニッケルー燐めっき膜
の上に金属下地層３としてりρムを高周波スパッタ法に
より０．５μｍ被覆した。次にこのクロムスパッタ膜の
上に金属磁性媒体４として高周波スパッタ法によりアル
ゴン圧４Ｘ１０ ｔｏｒｒ、パワー密度６．０ Ｗ／
ｄにて膜厚５００Ａのニッケルを２０原子パーセント及
びモリブデンを１２原子パーセント含むコバルト合金薄
膜を被覆した。さらにこの金属磁性媒体４の上ｌＣ８ｒ
ＯＢを２００への膜厚に高周波スパッタ法により被覆
して磁気ディスクを作った。保磁力Ｈｃ、残留磁束密度
Ｂｒ（ＢｓＸＳ）はそれぞれ８０００ｅ、 ４３００Ｇ
であった。
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さにめっきし、このニンケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍま
で鏡面研磨仕上げした。次にこのニッケルー燐めっき膜
の上に金属下地層３としてりρムを高周波スパッタ法に
より０．５μｍ被覆した。次にこのクロムスパッタ膜の
上に金属磁性媒体４として高周波スパッタ法によりアル
ゴン圧４Ｘ１０ ｔｏｒｒ、パワー密度６．０ Ｗ／
ｄにて膜厚５００Ａのニッケルを２０原子パーセント及
びモリブデンを１２原子パーセント含むコバルト合金薄
膜を被覆した。さらにこの金属磁性媒体４の上ｌＣ８ｒ
ＯＢを２００への膜厚に高周波スパッタ法により被覆
して磁気ディスクを作った。保磁力Ｈｃ、残留磁束密度
Ｂｒ（ＢｓＸＳ）はそれぞれ８０００ｅ、 ４３００Ｇ
であった。
実施例２
実施例１と同様に但し金属磁性媒体４としてニッケルを
２０原子パーセント及びモリブデンを４原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４０００ｅ、９６００Ｇであっ
た。
２０原子パーセント及びモリブデンを４原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４０００ｅ、９６００Ｇであっ
た。
実施例３
実施例１と同様に但し金属磁性媒体４としてニッケルを
２０原子パーセント及びモリブデンを１８原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作っ
た。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４０００ｅ、２１００Ｇであ
った。
２０原子パーセント及びモリブデンを１８原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作っ
た。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４０００ｅ、２１００Ｇであ
った。
実施例４
実施例１と同様に但し、金属磁性媒体４としてニッケル
１０原子パーセント及びモリブデン１２原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ５０００ｅ、５３００Ｇであっ
た。
１０原子パーセント及びモリブデン１２原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ５０００ｅ、５３００Ｇであっ
た。
実施例５
実施例１と同様に但し、金属磁性媒体４としてニッケル
１０原子パーセント及びモリブデン４原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
１０原子パーセント及びモリブデン４原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４０００ｅ、１０５００Ｇであっ
た。
た。
実施例６
実施例１と同様に但し、金属磁性媒体４としてニッケル
３０原子パーセント及びモリブデン１２原子パーセ／ト
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ５０００ｅ、３３００Ｇであっ
た。
３０原子パーセント及びモリブデン１２原子パーセ／ト
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ５０００ｅ、３３００Ｇであっ
た。
実施例７
実施例１と同様に但し、非磁性金属下地層３としてクロ
ムを高周波スパッタ法により０２μｍ被覆して磁気ディ
スクを作った。Ｈｃ、 Ｂｒ４５００ｅ、４３００Ｇで
あった。
ムを高周波スパッタ法により０２μｍ被覆して磁気ディ
スクを作った。Ｈｃ、 Ｂｒ４５００ｅ、４３００Ｇで
あった。
実施例８
実施例１と同様に但し、非磁性金属下地層３としてクロ
ムを０．８μｍ被覆して磁気ディスクを作った。Ｈｅ、
Ｂｒはそれぞれ９０００ｅ、４３００Ｇであった。
ムを０．８μｍ被覆して磁気ディスクを作った。Ｈｅ、
Ｂｒはそれぞれ９０００ｅ、４３００Ｇであった。
実施例９
実施例１と同様に但し、非磁性金属下地層３として銅、
銀、ダイヤモンド構造炭素（Ｃ）、ケイ素、ゲルマニウ
ム、マンガン、バカジウムをそれぞれ被覆して磁気ディ
スクを作った。
銀、ダイヤモンド構造炭素（Ｃ）、ケイ素、ゲルマニウ
ム、マンガン、バカジウムをそれぞれ被覆して磁気ディ
スクを作った。
実施例１０
実施例１と同様に但し、非磁性金属下地層３としてアル
ミニウム２０原子パーセント含むクロム合金を被覆して
磁気ディスクを作った。
ミニウム２０原子パーセント含むクロム合金を被覆して
磁気ディスクを作った。
実施例１１
実施例１と同様に但し、非磁性金属下地層３のクロムを
電気メツキ法により０．８μｍ被覆して磁気ディスクを
作った。
電気メツキ法により０．８μｍ被覆して磁気ディスクを
作った。
実施例１２
実施例１と同様にして但し、非磁性合金層としてアルミ
ニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金属酸化
物層として酸化アルミを被覆し、この酸化アルミを最大
表面粗さ０．０２μｍまで鏡面研磨仕上げした。
ニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金属酸化
物層として酸化アルミを被覆し、この酸化アルミを最大
表面粗さ０．０２μｍまで鏡面研磨仕上げした。
実施例１３
実施例１と同様にして但し、保護膜として次の物質をそ
れぞれスパッタ法により２００への厚さに被覆してそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。
れぞれスパッタ法により２００への厚さに被覆してそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。
実施例１４
実施例１と同様にして但し、保護膜としてテトラヒドロ
キシシラン２．０重量パーセントアルコール溶液をスビ
ーン塗布法により塗布した後、２０℃３時間焼成して磁
気ディスクを作った。
キシシラン２．０重量パーセントアルコール溶液をスビ
ーン塗布法により塗布した後、２０℃３時間焼成して磁
気ディスクを作った。
比較例１
実施例１と同様にして但し、金属下地層３を介さず、金
属磁性媒体４としてコバルト薄膜を５００Ａの膜厚で被
覆して磁気ディスクを作った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ１
２００ｅ、１２０００Ｇであった。
属磁性媒体４としてコバルト薄膜を５００Ａの膜厚で被
覆して磁気ディスクを作った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ１
２００ｅ、１２０００Ｇであった。
比較例２
実施例１と同様にして但し、金属磁性媒体４としてコバ
ルト薄膜を５００人の膜厚で被覆して磁気ディスクを作
った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ４５００ｅ、１２０００Ｇ
であった。
ルト薄膜を５００人の膜厚で被覆して磁気ディスクを作
った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ４５００ｅ、１２０００Ｇ
であった。
以上実施例１〜１４で示した磁気ディスクを用いて電磁
変換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。ヘッドとの摩耗試験は２万回
のコンタクトスタートストップテストを行ない、ディス
ク表面に傷は全く見られなかった。又、環境試験につい
て温度８０℃、相対湿度９０％で６ケ月放置した時のエ
ラー増加数は全てＯであり、十分な耐食性を有している
ことが分った。又、比較例１については保磁力が小さく
十分な電磁変換が得られなかったので、比較の為、２５
℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Ｂｓの変化を調べた所
、第４図の様な結果が得られ、比較例１に比べ、実施例
は優れた耐食性を有することが分った。第４図で縦軸は
飽和磁束密度Ｂｓの変化率（Ｂｓ／Ｂｏ、但しＢｏは浸
漬前の飽和磁束密度）を示す。又、実施例１〜１４のデ
ィスクについて３００００〜７００００ＢＰＩの高密度
記録ができたが、比較例１は保磁力が小さく高密度記録
を達成することはできなかった。
変換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。ヘッドとの摩耗試験は２万回
のコンタクトスタートストップテストを行ない、ディス
ク表面に傷は全く見られなかった。又、環境試験につい
て温度８０℃、相対湿度９０％で６ケ月放置した時のエ
ラー増加数は全てＯであり、十分な耐食性を有している
ことが分った。又、比較例１については保磁力が小さく
十分な電磁変換が得られなかったので、比較の為、２５
℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Ｂｓの変化を調べた所
、第４図の様な結果が得られ、比較例１に比べ、実施例
は優れた耐食性を有することが分った。第４図で縦軸は
飽和磁束密度Ｂｓの変化率（Ｂｓ／Ｂｏ、但しＢｏは浸
漬前の飽和磁束密度）を示す。又、実施例１〜１４のデ
ィスクについて３００００〜７００００ＢＰＩの高密度
記録ができたが、比較例１は保磁力が小さく高密度記録
を達成することはできなかった。
また比較例２は電磁変換特性が得られたが、１００００
ＢＰＩと高密度記録は達成できなかった。
ＢＰＩと高密度記録は達成できなかった。
又、環境試験について温度８０℃、相対湿度９０％で６
ケ月放置した時のエラー増加数は１ｏｏｏになり、耐食
性が非常に劣っていることがわかった。
ケ月放置した時のエラー増加数は１ｏｏｏになり、耐食
性が非常に劣っていることがわかった。
又、比較例１と同様に２５℃の水中に浸漬して飽和磁束
密度Ｂｓの変化を調べた所、第４図に示すように比較例
１と同様忙耐食性が非常に劣っていることがわかった。
密度Ｂｓの変化を調べた所、第４図に示すように比較例
１と同様忙耐食性が非常に劣っていることがわかった。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性（耐
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことがわかった。
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことがわかった。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図中
、１は基板、２は非磁性合金層、又は非磁性酸化物層、
３は非磁性金属下地層、４は金属薄膜媒体、５は保護膜
である。第２図は金属薄膜媒体がニッケル２０原子パー
セント、モリブデンが１２原子パー゛セントのコバルト
合金の場合の非磁性金属下地層のクロムの厚さに対する
磁性媒体の保磁力の変化を示した特性図である。第３図
は非磁性金属下地層のクロムが０．３μｍのときのニッ
ケル２０原子パーセントを含むコバルト合金薄膜媒体に
おける飽和磁束密度、保磁力及び角形性の金属薄膜媒体
中のモリブデンの原子パーセントによる変化を示した特
性図である。第４図は本磁気記憶体の水浸漬時間による
飽和磁束密度の変化率を示した特性図である。 代理人弁理士 内層 晋 袷 Ｚ 肥 千す芭屡’３ｆ’）ＣＦ−の厚＋（μ加っ＠３旧 Ｎ ｏ ＠有量（ａ−ｔ、’ｌジ
、１は基板、２は非磁性合金層、又は非磁性酸化物層、
３は非磁性金属下地層、４は金属薄膜媒体、５は保護膜
である。第２図は金属薄膜媒体がニッケル２０原子パー
セント、モリブデンが１２原子パー゛セントのコバルト
合金の場合の非磁性金属下地層のクロムの厚さに対する
磁性媒体の保磁力の変化を示した特性図である。第３図
は非磁性金属下地層のクロムが０．３μｍのときのニッ
ケル２０原子パーセントを含むコバルト合金薄膜媒体に
おける飽和磁束密度、保磁力及び角形性の金属薄膜媒体
中のモリブデンの原子パーセントによる変化を示した特
性図である。第４図は本磁気記憶体の水浸漬時間による
飽和磁束密度の変化率を示した特性図である。 代理人弁理士 内層 晋 袷 Ｚ 肥 千す芭屡’３ｆ’）ＣＦ−の厚＋（μ加っ＠３旧 Ｎ ｏ ＠有量（ａ−ｔ、’ｌジ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板上に非磁性合金層または非磁性酸化物層が被
覆され、該非磁性合金層又は非磁性酸化物層上にさら陀
非磁性金属下地層を介して、ニッケル及びモリブデンを
含むコバルト合金薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されたことを特徴とする磁気記憶体
。 （２）非磁性合金層がニッケルー燐合金である特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （３）非磁性酸化物層が酸化アルミニウムである特許請
求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （４）非磁性金属下地層がクロム、銅、銀、ダイヤモン
ド構造炭素（ｃ）、ケイ素、ゲルマニウム、マンガン、
バナジウム及びそれらを含む合金である特許請求の範囲
第１項記載の磁気記憶体。 （５）保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウム、
マンガンまたはタングステンである特許請求の範囲第１
項記載の磁気記憶体。 （６）保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたはハフニ
ウムの酸化物、窒化物または炭化物である特許請求の範
囲第１項記載の磁気記憶体。 （７） 保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の
合金である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （８）保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記
載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055447A JPS59180829A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055447A JPS59180829A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59180829A true JPS59180829A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=12998848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055447A Pending JPS59180829A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59180829A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260415A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Sony Corp | 磁気デイスク |
| JPS62205517A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS63127426A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録円盤 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055447A patent/JPS59180829A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260415A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Sony Corp | 磁気デイスク |
| JPS62205517A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS63127426A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録円盤 |
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