JPS61267929A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS61267929A JPS61267929A JP61006923A JP692386A JPS61267929A JP S61267929 A JPS61267929 A JP S61267929A JP 61006923 A JP61006923 A JP 61006923A JP 692386 A JP692386 A JP 692386A JP S61267929 A JPS61267929 A JP S61267929A
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- magnetic
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
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- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
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- Y10T428/31678—Of metal
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気記録媒体に係り、特に、磁性薄膜及びこの
表面側に形成された耐食性の高い保護膜を有する磁気記
録媒体に関する。
表面側に形成された耐食性の高い保護膜を有する磁気記
録媒体に関する。
[従来の技術]
記録密度の高い合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体の研
究開発が近年大いに推進されているが、その一つとして
、基板の板面上に磁性薄膜層を形成し、さらにその上に
保護膜を設けたものがある。
究開発が近年大いに推進されているが、その一つとして
、基板の板面上に磁性薄膜層を形成し、さらにその上に
保護膜を設けたものがある。
この保護膜としては、オスミウム、ルテニウム、イリジ
ウム、マンガン、タングステン等の金属、酸化珪素、酸
化チタン、酸化タンタル、酸化ハフニウム等の酸化物、
各種の窒化物、炭化物、ホウ素、炭素、炭素とホウ素の
合金、ポリ珪酸。
ウム、マンガン、タングステン等の金属、酸化珪素、酸
化チタン、酸化タンタル、酸化ハフニウム等の酸化物、
各種の窒化物、炭化物、ホウ素、炭素、炭素とホウ素の
合金、ポリ珪酸。
ダイヤモンド構造炭素からなる膜を用いることが公知で
ある(特開昭59−61106)。
ある(特開昭59−61106)。
[発明が解決しようとする問題点1
これらの保護膜のうち、潤滑性に優れるところから、炭
素がしばしば用いられている。しかしながら、この炭素
保護膜は、N20や02等を透過させる性質が比較的高
い、これがために、炭素保護膜は、磁性膜層の耐食、耐
候性を高めるという本来の保護作用にやや欠ける。
素がしばしば用いられている。しかしながら、この炭素
保護膜は、N20や02等を透過させる性質が比較的高
い、これがために、炭素保護膜は、磁性膜層の耐食、耐
候性を高めるという本来の保護作用にやや欠ける。
また、上記の炭素以外の材質からなる保護膜においては
、多少耐食性、耐候性に優れてはいるものの・潤滑性が
炭素よりもかなり劣る。
、多少耐食性、耐候性に優れてはいるものの・潤滑性が
炭素よりもかなり劣る。
[問題点を解決するための手段]
本発明者らは、磁気記録媒体の磁性薄膜上に形成される
保護膜について、鋭意研究を重ねた結果、保護膜としテ
Cr 203. S i及びGeの1又は2以上を組合
せた第1層と、この第1層上に形成されたアモルファス
状炭素(C)又はグチファイト状炭素を含むアモルファ
ス状炭素の第2層からなるものは耐食性、耐候性及び潤
滑性のいずれの特性にも極めて優れていることを見出し
た。
保護膜について、鋭意研究を重ねた結果、保護膜としテ
Cr 203. S i及びGeの1又は2以上を組合
せた第1層と、この第1層上に形成されたアモルファス
状炭素(C)又はグチファイト状炭素を含むアモルファ
ス状炭素の第2層からなるものは耐食性、耐候性及び潤
滑性のいずれの特性にも極めて優れていることを見出し
た。
本発明はかかる知見に基いてなされたものであり、
基板の板面上に磁性薄膜が形成されており、かつこの磁
性薄膜の表面に保護膜層が形成された磁気記録媒体にお
いて、該保護膜層は、Cr2O3,Si及びGeよりな
る群から選ばれた1又は2以上の物質を含んでなる第1
暦とこの第1層の表面側に形成されたアモルファス状炭
素からなる第2Nとから構成されていることを特徴とす
る磁気記録媒体、 を要旨とすものである。
性薄膜の表面に保護膜層が形成された磁気記録媒体にお
いて、該保護膜層は、Cr2O3,Si及びGeよりな
る群から選ばれた1又は2以上の物質を含んでなる第1
暦とこの第1層の表面側に形成されたアモルファス状炭
素からなる第2Nとから構成されていることを特徴とす
る磁気記録媒体、 を要旨とすものである。
以下本発明について更に詳細に説明する。
本発明においては、基板としては、アルミニウム、マグ
ネシウムを7wt%以下、好適には3〜4wt%含むア
ルミニウム合金、チタン合金などが用いられるが、軽量
かつ安価であり加工も容易な点からしてアルミニウム合
金が好適である。使用可能な他のアルミニウム合金とし
てはA1−Zn系がある。なお、近年、セラミック基板
が注目されているが1本発明はこのセラミック基板例え
ばZ r O2系、A jL 2 Oa系やあるいはガ
ラス基板をも用い得る。
ネシウムを7wt%以下、好適には3〜4wt%含むア
ルミニウム合金、チタン合金などが用いられるが、軽量
かつ安価であり加工も容易な点からしてアルミニウム合
金が好適である。使用可能な他のアルミニウム合金とし
てはA1−Zn系がある。なお、近年、セラミック基板
が注目されているが1本発明はこのセラミック基板例え
ばZ r O2系、A jL 2 Oa系やあるいはガ
ラス基板をも用い得る。
基板は、その表面が平坦になる様に、機械的な研摩や化
学的な研摩などの仕上げ処理を施されたものが用いられ
る。この基板の上にはヘッドクラッシュによるディスク
表面の変形を防ぐために、アルマイトやNi−P等の硬
質の下地層が設けられる。(なお、セラミック基板の場
合は必ずしも必要ではない、) 基板がアルミニウム又はアルミニウム合金である場合に
は、下地層としてこの基板の表面を陽極酸化法によって
アルマイト層を形成することができる。アルマイト層の
厚さは、特に限定されるものではないが、通常は数IL
m〜数10pm、例えば10終m前後程度とされる。
学的な研摩などの仕上げ処理を施されたものが用いられ
る。この基板の上にはヘッドクラッシュによるディスク
表面の変形を防ぐために、アルマイトやNi−P等の硬
質の下地層が設けられる。(なお、セラミック基板の場
合は必ずしも必要ではない、) 基板がアルミニウム又はアルミニウム合金である場合に
は、下地層としてこの基板の表面を陽極酸化法によって
アルマイト層を形成することができる。アルマイト層の
厚さは、特に限定されるものではないが、通常は数IL
m〜数10pm、例えば10終m前後程度とされる。
Ni−Pの下地層は、通常、無電解めっき法により形成
され、その厚さとしては、約lO〜1100IL程度と
される。また、これらのアルマイト下地層やNi−P下
地層は、その上に磁性薄膜を形成するに先立って表面研
磨するのが好ましい、好ましい表面粗さは平面粗さRa
≦0.02pm程度である。研磨の方法としてはコロイ
ダルシリカ微粉末によるメカノケミカルボリジングなど
がある。
され、その厚さとしては、約lO〜1100IL程度と
される。また、これらのアルマイト下地層やNi−P下
地層は、その上に磁性薄膜を形成するに先立って表面研
磨するのが好ましい、好ましい表面粗さは平面粗さRa
≦0.02pm程度である。研磨の方法としてはコロイ
ダルシリカ微粉末によるメカノケミカルボリジングなど
がある。
下地層の上には磁性薄膜が形成される。
この磁性薄膜としては、合金磁性薄膜や酸化物系磁性薄
膜を用いることができるが、合金磁性薄膜としては、C
o、Co−Ni、Co−Ni−Pt、Co−Ni−P、
Go−Pt、Co−Cr、Co−Cr−PL、Co−N
i−Cr系等各種のものを用いることができる。また、
CoやNiの一部をFeでおきかえたもの、あるいは、
Co−NiのCoの一部を、Ti、Cr、If。
膜を用いることができるが、合金磁性薄膜としては、C
o、Co−Ni、Co−Ni−Pt、Co−Ni−P、
Go−Pt、Co−Cr、Co−Cr−PL、Co−N
i−Cr系等各種のものを用いることができる。また、
CoやNiの一部をFeでおきかえたもの、あるいは、
Co−NiのCoの一部を、Ti、Cr、If。
Ru 、Ptの単独或いはこれらの2種以上を複合して
1合計量で2〜20at%の範囲内で置換したものでも
差支えない、酸化物系磁性薄膜としては、γ−Fe2O
3等が挙げられる。
1合計量で2〜20at%の範囲内で置換したものでも
差支えない、酸化物系磁性薄膜としては、γ−Fe2O
3等が挙げられる。
これらの磁性薄膜は、通常のスパッタリング等の気相め
っき法や特開昭56−41524号に記載のように、液
相めっき法によって形成できる。
っき法や特開昭56−41524号に記載のように、液
相めっき法によって形成できる。
なお、上記の組成及び製造法は1本発明においては、−
例であって、特にこれらに限定されるものではない。
例であって、特にこれらに限定されるものではない。
Co−Ni 、Co−Ni−Pt 、’Co−Ni −
P系の磁性薄膜は、好適には、Niを5〜40at%と
りわけ10〜30at%含む、ここにおいて、CoとN
iとの他に、ざらにPtを含む場合は、Ptの含有率は
12at%以下とりわけ10at%以下が好ましい、ま
た、CoとNiとの他に、ざらにPを含む場合は、Pの
含有率は12at%以下が好ましい、Co−Pt系の磁
性薄膜は、Ptを好適には12at%以下、とりわけ1
0at%以下含む、Co−Cr媒体のCrは5〜20a
t%、とりわけ5〜7at%を含む。
P系の磁性薄膜は、好適には、Niを5〜40at%と
りわけ10〜30at%含む、ここにおいて、CoとN
iとの他に、ざらにPtを含む場合は、Ptの含有率は
12at%以下とりわけ10at%以下が好ましい、ま
た、CoとNiとの他に、ざらにPを含む場合は、Pの
含有率は12at%以下が好ましい、Co−Pt系の磁
性薄膜は、Ptを好適には12at%以下、とりわけ1
0at%以下含む、Co−Cr媒体のCrは5〜20a
t%、とりわけ5〜7at%を含む。
Co−Cr−Pt媒体はCrを5〜20at%、Ptを
lNi0at%、とりわけCrを5〜7at%、Ptを
5〜9at%含む、Co−Ni −Cr媒体はNiを1
0〜35at%、Crを3〜15at%、とりわけNi
e15〜25at%。
lNi0at%、とりわけCrを5〜7at%、Ptを
5〜9at%含む、Co−Ni −Cr媒体はNiを1
0〜35at%、Crを3〜15at%、とりわけNi
e15〜25at%。
Crを3〜l Oa t%含む。
磁性薄膜は、好適には、300〜3000Aとりわけ5
00 Ni500Aの厚さである。300Aよりも薄い
磁性薄膜は安定した特性を磁気記録媒体に与えないであ
ろう、3000Aよりも厚い膜は長い形成時間を要し、
それを製造するためのコストを不必要に大きくするであ
ろう。
00 Ni500Aの厚さである。300Aよりも薄い
磁性薄膜は安定した特性を磁気記録媒体に与えないであ
ろう、3000Aよりも厚い膜は長い形成時間を要し、
それを製造するためのコストを不必要に大きくするであ
ろう。
磁性薄膜の上にはCr 203 、 S i及びGeか
ら選ばれるl又は2以上の物質からなる第1層と、この
第1層の表面側に形成された第2層たるアモルファス炭
素又はグラファイト炭素を含むアモルファス炭素層とを
有した保護膜を形成する。
ら選ばれるl又は2以上の物質からなる第1層と、この
第1層の表面側に形成された第2層たるアモルファス炭
素又はグラファイト炭素を含むアモルファス炭素層とを
有した保護膜を形成する。
第1層としては、具体的には、■Siのみ、■Geのみ
、■Cr20a(7)み、■5i−Ge、■S i −
Cr 20 a 、■G e −Cr 203、■5i
−Ge−Cr20a(7)7通りがあって、このいずれ
でも良い。
、■Cr20a(7)み、■5i−Ge、■S i −
Cr 20 a 、■G e −Cr 203、■5i
−Ge−Cr20a(7)7通りがあって、このいずれ
でも良い。
このSi、Ge及びCr2O3は前記のアモルファス状
炭素よりも優れた耐食性及び耐候性を有している。モし
てSiとGeは潤滑性についても相当に優れた特性を有
する。また、Cr20aは硬質であり、保護膜の耐C3
S性を高める。
炭素よりも優れた耐食性及び耐候性を有している。モし
てSiとGeは潤滑性についても相当に優れた特性を有
する。また、Cr20aは硬質であり、保護膜の耐C3
S性を高める。
第2層のアモルファス炭素層又はグラファイト炭素を含
むアモルファス炭素層は、潤滑性に極めて優れる。特に
比抵抗が10−2〜102Ω・cmのアモルファス状炭
素及びグラファイト炭素を含むアモルファス炭素層が高
い潤滑性と耐摩耗性を有する。1o−3Ω・cm以下の
場合には、潤滑性は優れるが摩耗がはげしく結果的に耐
C8S性にやや弱いこと、また、104Ω・cm以上の
場合には、ダイヤモンド状に近いアモルファス炭素にな
り潤滑性に劣る様になることが判明した。
むアモルファス炭素層は、潤滑性に極めて優れる。特に
比抵抗が10−2〜102Ω・cmのアモルファス状炭
素及びグラファイト炭素を含むアモルファス炭素層が高
い潤滑性と耐摩耗性を有する。1o−3Ω・cm以下の
場合には、潤滑性は優れるが摩耗がはげしく結果的に耐
C8S性にやや弱いこと、また、104Ω・cm以上の
場合には、ダイヤモンド状に近いアモルファス炭素にな
り潤滑性に劣る様になることが判明した。
この保護膜はその膜厚(第1層と第2層との膜厚の和)
が100OAを越えると、形成時間が長くなると共に、
磁気ヘッドと磁性薄膜との距離を大きくしディスクの電
磁変換特性を低下させる。
が100OAを越えると、形成時間が長くなると共に、
磁気ヘッドと磁性薄膜との距離を大きくしディスクの電
磁変換特性を低下させる。
また、当然ながら、薄すぎる場合には、保護膜としての
機能を果さなくなる。特に好ましい膜厚は300−10
00Aである。
機能を果さなくなる。特に好ましい膜厚は300−10
00Aである。
なお、第1層は100〜300A程度が好ましい、10
0Aよりも薄い場合には、耐食性、耐候性を改善する効
果が小さくなる。一方、300Aを超える場合には、耐
食性、耐候性の点においては優れるのであるが、その分
だけ第2層(アモルファス状炭素層及びグラファイト炭
素を含むアモルファス状炭素層)の厚さを減らすように
する必要が生ずる。これは、前述のように、保護膜全体
として100OA以下の厚さにするのが好ましいからで
ある。
0Aよりも薄い場合には、耐食性、耐候性を改善する効
果が小さくなる。一方、300Aを超える場合には、耐
食性、耐候性の点においては優れるのであるが、その分
だけ第2層(アモルファス状炭素層及びグラファイト炭
素を含むアモルファス状炭素層)の厚さを減らすように
する必要が生ずる。これは、前述のように、保護膜全体
として100OA以下の厚さにするのが好ましいからで
ある。
第2層は200〜700A程度が好ましい。
200Aよりも薄い場合には潤滑性改善効果が小さくな
り、700Aを超える場合には、第1層の厚さを制限す
る必要が生じ得る0本発明においては、更にこの保護膜
の上に各種の有機物質1例えばパーフロロアルキルポリ
エーテル・モノステアリン、トリアコンチノルトリメト
キシシランから成る潤滑剤を塗布することもできる。
り、700Aを超える場合には、第1層の厚さを制限す
る必要が生じ得る0本発明においては、更にこの保護膜
の上に各種の有機物質1例えばパーフロロアルキルポリ
エーテル・モノステアリン、トリアコンチノルトリメト
キシシランから成る潤滑剤を塗布することもできる。
磁性薄膜上に形成されたCr20a、Si、Geを含む
第1層は耐食性、耐候性に優れる。また、第2層(アモ
ルファス状炭素層及びグラファイト炭素を含むアモルフ
ァス状炭素層)は潤滑性に優れる。
第1層は耐食性、耐候性に優れる。また、第2層(アモ
ルファス状炭素層及びグラファイト炭素を含むアモルフ
ァス状炭素層)は潤滑性に優れる。
本発明の磁気記録媒体の保護膜は、この第1層と第2層
の長所を具備する。このため1本発明の磁気記録媒体の
保護膜は、耐食性及び耐候性に優れているので、磁性層
の十分な保護が図れ、磁気記録媒体は耐久性に優れる。
の長所を具備する。このため1本発明の磁気記録媒体の
保護膜は、耐食性及び耐候性に優れているので、磁性層
の十分な保護が図れ、磁気記録媒体は耐久性に優れる。
また、この保護膜は潤滑性も極めて高く、実用性にも優
れる。
れる。
磁性膜及び保護膜はスパッタリング法により形成できる
。このスパッタリングを行なうには、通常のスパッタリ
ング装置、即ち、ターゲット及び試料設置台を有する装
置ケーシング、このケーシング内を加熱するためのヒー
タ、このケーシング内を減圧するための真空ポンプ及び
ケーシングに接続されたガスボンベを備えて構成された
ものが好適に用いられる。このターゲットとしては、形
成する膜の合金組成と完全に又はほぼ一致した合金組成
のものが好適である。
。このスパッタリングを行なうには、通常のスパッタリ
ング装置、即ち、ターゲット及び試料設置台を有する装
置ケーシング、このケーシング内を加熱するためのヒー
タ、このケーシング内を減圧するための真空ポンプ及び
ケーシングに接続されたガスボンベを備えて構成された
ものが好適に用いられる。このターゲットとしては、形
成する膜の合金組成と完全に又はほぼ一致した合金組成
のものが好適である。
スパッタリングは、希ガス好ましくはアルゴン(Ar)
ガス雰囲気で行なわれる。雰囲気圧は。
ガス雰囲気で行なわれる。雰囲気圧は。
全圧でl Ntoom”rorr、とりわけ5〜50m
Torrとするのが好適である。なお、予定するスパッ
タリング雰囲気を形成するに先立って、一旦、10−5
Torr以下の真空に減圧するのが好適である。
Torrとするのが好適である。なお、予定するスパッ
タリング雰囲気を形成するに先立って、一旦、10−5
Torr以下の真空に減圧するのが好適である。
スパッタリングを行なうときには、基板を加熱しても良
く、室温のままにしても良い、基板を加熱する場合は、
250℃以下、とりわけ220℃以下とするのが好まし
い、スパッタリング時間は形成しようとする膜厚を、平
均的な膜形成速度で割り算することにより決定される。
く、室温のままにしても良い、基板を加熱する場合は、
250℃以下、とりわけ220℃以下とするのが好まし
い、スパッタリング時間は形成しようとする膜厚を、平
均的な膜形成速度で割り算することにより決定される。
スパッタリング装置としては、上記のような温度、雰囲
気、雰囲気圧力等の条件を種々調節できるものが好適で
ある。良く知られているスパッタリング装置としては、
高岡波マグネトロンスパッタリング装置、円型マグネト
ロンスパッタリング装置、平板型マグネトロンスパッタ
リング装置、同軸円筒電極型マグネトロンスパッタリン
グ装置、高周波スパッタリング装置、イオンビームスパ
ッタリング装置、高周波スパッタリング装置、直流2極
スパツタリング装置などが挙げられる。
気、雰囲気圧力等の条件を種々調節できるものが好適で
ある。良く知られているスパッタリング装置としては、
高岡波マグネトロンスパッタリング装置、円型マグネト
ロンスパッタリング装置、平板型マグネトロンスパッタ
リング装置、同軸円筒電極型マグネトロンスパッタリン
グ装置、高周波スパッタリング装置、イオンビームスパ
ッタリング装置、高周波スパッタリング装置、直流2極
スパツタリング装置などが挙げられる。
なお基板と磁性薄膜との間に下地層の他、磁性薄膜の付
着強度を増大させる各種の中間層、具体的にはCr 、
V 、Mn(7)50〜500Aの層などを設けても良
い。
着強度を増大させる各種の中間層、具体的にはCr 、
V 、Mn(7)50〜500Aの層などを設けても良
い。
なお、本発明は1インチないし2インチのような極めて
小さなディスク径のものから、10インチ又はそれ以上
の大きなディスク径の磁気記録媒体にも適用できる。
小さなディスク径のものから、10インチ又はそれ以上
の大きなディスク径の磁気記録媒体にも適用できる。
以下1本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。
なお以下に述べる実施例はマグネトロンr、f、スパッ
タ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言える
イオンビームスパッタリング等によって本発明の効果を
得ることが可能であることは無論である。
タ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言える
イオンビームスパッタリング等によって本発明の効果を
得ることが可能であることは無論である。
実施例1
マグネシウムを4%含むアルミニウム合金基板(大きさ
:直径130mm、内径40 m m、厚さ1.9mm
)について表面を旋・盤加工し平坦にした0次いで、無
電解めっき法によってこの加工基板の上にNi−P層を
厚さ254mになるよう形成し、この片面を約21Lm
研摩し、さらに0.05ないし0.1gm深さのスクラ
ッチをアトランダムに付加(テクスチャー処理)した状
態で鏡面研磨仕上げした。
:直径130mm、内径40 m m、厚さ1.9mm
)について表面を旋・盤加工し平坦にした0次いで、無
電解めっき法によってこの加工基板の上にNi−P層を
厚さ254mになるよう形成し、この片面を約21Lm
研摩し、さらに0.05ないし0.1gm深さのスクラ
ッチをアトランダムに付加(テクスチャー処理)した状
態で鏡面研磨仕上げした。
次に平板マグネトロンr、f、スパッタ装置を用い、C
r下地膜を300OAつけ、ただちに下記条件にてCo
−Ni薄膜を形成した。
r下地膜を300OAつけ、ただちに下記条件にてCo
−Ni薄膜を形成した。
初期排気 2X10−’↑orrスパ
ッタリング時雰囲気 Ar スパッタリング時雰囲気圧 12霞Torr投入電力
1kw ターゲット組成 Ni 20原子%残部C
。
ッタリング時雰囲気 Ar スパッタリング時雰囲気圧 12霞Torr投入電力
1kw ターゲット組成 Ni 20原子%残部C
。
極間隔 108mm磁性薄膜の膜厚
500A 薄膜形成速度 200A/min基板温度
200℃ その後、ターゲットを純度99.99%のStとしたこ
と以外は上記と同様にしてSi保護膜を20OA厚さと
なるようにしてスパッタリングして形成し、更にその上
に、同様にして40OA厚のCyfIIを形成して磁気
記録媒体とした。この磁気記録媒体の耐C8S性テスト
を行った。このテストは、保護膜を付けた5%”φディ
スクにつき5塊”φディスクドライブに装着して行った
。用いたヘッドはM n −Z nウィンチェスタ−型
であり、内周部R=50cmでのヘッド浮上量を0.4
51Lm (3600rpm時)に設定して、この点で
テストを行った。C3Sサイクルは第1図によった。
500A 薄膜形成速度 200A/min基板温度
200℃ その後、ターゲットを純度99.99%のStとしたこ
と以外は上記と同様にしてSi保護膜を20OA厚さと
なるようにしてスパッタリングして形成し、更にその上
に、同様にして40OA厚のCyfIIを形成して磁気
記録媒体とした。この磁気記録媒体の耐C8S性テスト
を行った。このテストは、保護膜を付けた5%”φディ
スクにつき5塊”φディスクドライブに装着して行った
。用いたヘッドはM n −Z nウィンチェスタ−型
であり、内周部R=50cmでのヘッド浮上量を0.4
51Lm (3600rpm時)に設定して、この点で
テストを行った。C3Sサイクルは第1図によった。
耐C3S性の寿命はスタート時対比再生出力が10%低
下する時点あるいはエラーが1ケでも増大する時点とし
た。
下する時点あるいはエラーが1ケでも増大する時点とし
た。
第1表にテスト結果を示す。
実施例2
保護膜の第1層の材質及び第1層、第2層の厚さを第1
表のように変えた他は、実施例1と同様にして磁気記録
媒体を作成した。
表のように変えた他は、実施例1と同様にして磁気記録
媒体を作成した。
これらの耐C8S性テスト結果を第1表に示す。
比較例1
保護膜として、S i O2、オスミウム、窒化珪素、
肇化珪素、ダイヤモンド構造炭素からなる−ものをそれ
ぞれ用いたこと以外は、実施例1と同様にして磁気記録
媒体を作成し、同様にして耐C8S性テストを行った。
肇化珪素、ダイヤモンド構造炭素からなる−ものをそれ
ぞれ用いたこと以外は、実施例1と同様にして磁気記録
媒体を作成し、同様にして耐C8S性テストを行った。
その結果を第1表に示す。
第1表より、本発明に係る磁気記録媒体においては、保
護膜の潤滑性が高いことが明らかである。
護膜の潤滑性が高いことが明らかである。
なお、オスミウム、窒化珪素、炭化珪素、ダイヤモンド
構造炭素保護膜については膜厚を40OAにして同様に
耐C5S性テストを試みたが、いずれもIOK回以下で
あった。また、これらにフロロカーボン系潤滑剤を10
0A程度付加しても20に回置下であった0通常、耐C
5S性は10に回ないし20に回置上必要とされている
ので、安全性をみた場合これらの保護膜は耐C3S性的
に充分でない。
構造炭素保護膜については膜厚を40OAにして同様に
耐C5S性テストを試みたが、いずれもIOK回以下で
あった。また、これらにフロロカーボン系潤滑剤を10
0A程度付加しても20に回置下であった0通常、耐C
5S性は10に回ないし20に回置上必要とされている
ので、安全性をみた場合これらの保護膜は耐C3S性的
に充分でない。
実施例3
実施例1において、第1暦と第2層の層厚さの比は同じ
(1:2)とし、保WM層全体の厚さを300〜100
OAの間で変化させて耐C3S性テストを行った。その
結果を第2図に示す。
(1:2)とし、保WM層全体の厚さを300〜100
OAの間で変化させて耐C3S性テストを行った。その
結果を第2図に示す。
比較例2
比較例1のダイヤモンド構造炭素保護膜を用いた場合に
おいて、l!厚を300〜100OAの間で変化させ、
耐C8S性テストを行った。結果を第2図に示す。
おいて、l!厚を300〜100OAの間で変化させ、
耐C8S性テストを行った。結果を第2図に示す。
第2図より、実施例のものは耐C8S性に極めて優れる
ことが明らかである。また、耐C8S性は当然ながら膜
厚に比例して向上することも認められる。
ことが明らかである。また、耐C8S性は当然ながら膜
厚に比例して向上することも認められる。
なお、上記実施例及び比較例に係る磁気記録媒体のうち
、第1表中のいくつかのものについてその耐食性や耐候
性を試験した。
、第1表中のいくつかのものについてその耐食性や耐候
性を試験した。
この試験は、試料(磁気記録媒体)を、比抵抗3MΩ・
cm(25℃)の純水中に1週間浸漬し、飽和磁束密度
(B r)の減少量(ΔBr)を求めることにより行っ
た。結果を第2表に示す。
cm(25℃)の純水中に1週間浸漬し、飽和磁束密度
(B r)の減少量(ΔBr)を求めることにより行っ
た。結果を第2表に示す。
第3図は、実施例3と比較例2のものについて、上記と
同様の耐食性、耐候性試験を行った結果を示すグラフで
ある。
同様の耐食性、耐候性試験を行った結果を示すグラフで
ある。
第2表及び第3図より、本発明に係る磁気記録媒体は優
れた耐食性及び耐候性を有することが明らかである。
れた耐食性及び耐候性を有することが明らかである。
第 2 表
[効果]
以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体の保w1膜は
、耐食性及び耐候性に優れているので、磁性層の十分か
保護が図れ、磁気記録媒体の耐久性に優れる。
、耐食性及び耐候性に優れているので、磁性層の十分か
保護が図れ、磁気記録媒体の耐久性に優れる。
また、この保護膜は潤滑性も極めて高く、実用性にも優
れる。
れる。
第1図は実施例及び比較例における耐C8S性テスト用
ドライブの回転特性を示す図である。第2図及び第3図
は実施例及び比較例における測定結果を示すグラフであ
る。 代理人 弁理士 重 野 剛 第1図 瑣7gI(sec) 1頁の続き 発 明 者 中 尾 政 之 熊谷市三ケ尻52
0幡地内
ドライブの回転特性を示す図である。第2図及び第3図
は実施例及び比較例における測定結果を示すグラフであ
る。 代理人 弁理士 重 野 剛 第1図 瑣7gI(sec) 1頁の続き 発 明 者 中 尾 政 之 熊谷市三ケ尻52
0幡地内
Claims (16)
- (1)基板の板面上に磁性薄膜が形成されており、かつ
この磁性薄膜の表面に保護膜層が形成された磁気記録媒
体において、該保護膜層は、Cr_2O_3、Si及び
Geよりなる群から選ばれた1又は2以上の物質を含ん
でなる第1層とこの第1層の表面側に形成されたアモル
ファス状炭素からなる第2層とから構成されていること
を特徴とする磁気記録媒体。 - (2)保護膜層は第1層の厚さが100〜 300Åであり第2層の厚さが200〜700Åである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の磁気記
録媒体。 - (3)第2層が比抵抗10^−^2〜10^2Ω・cm
のアモルファス状炭素又はグラファイト炭素を含むアモ
ルファス状炭素であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項又は第2項に記載の磁気記録媒体。 - (4)基板はアルミニウム基板又はアルミニウム基合金
基板であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第3項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。 - (5)基板は7重量%以下のマグネシウムを含有するア
ルミニウム基合金基板であることを特徴とする特許請求
の範囲第4項に記載の磁気記録媒体。 - (6)磁性薄膜はCo−Ni、Co−Ni−Pt、Co
−Ni−P及びCo−P、Co−Cr、Co−Cr−P
t、Co−Ni−Crのうちのいずれかの組成の合金磁
性薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第5項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。 - (7)磁性薄膜は、5〜35at%のNiを含むCo−
Ni合金であることを特徴とする特許請求の範囲第6項
に記載の磁気記録媒体。 - (8)磁性薄膜は5〜40at%のNiと12at%以
下のPtを含むCo−Ni−pを合金であることを特徴
とする特許請求の範囲第6項に記載の磁気記録媒体。 - (9)磁性薄膜は5〜40at%のNiと12at%以
下のPを含むCo−Ni−P合金であることを特徴とす
る特許請求の範囲第6項に記載の磁気記録媒体。 - (10)磁性薄膜は5〜20at%のCrを含むCo−
Cr合金であることを特徴とする特許請求の範囲第6項
に記載の磁気記録媒体。 - (11)磁性薄膜はCrを5〜20at%、Ptを1〜
10at%含むCo−Cr−Pt合金であることを特徴
とする特許請求の範囲第6項に記載の磁気記録媒体。 - (12)磁性薄膜は、Niを10〜35at%、Crを
3〜15at%含むCo−Ni−Cr合金であることを
特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の磁気記録媒体
。 - (13)磁性薄膜と保護膜とはスパッタリング法により
形成されたものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項ないし第12項のいずれか1項に記載の磁気記録
媒体。 - (14)基板と磁性薄膜との間に、基板よりも硬度の高
い下地層が形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第4項に記載の磁気記録媒体。 - (15)基板と磁性薄膜との間に、磁性薄膜を基板に、
それがないときよりも強く接合させる層が設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第14
項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。 - (16)保護膜の上に潤滑剤が塗布されていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項ないし第15項のいずれ
か1項に記載の磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP659285 | 1985-01-17 | ||
JP60-6592 | 1985-01-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61267929A true JPS61267929A (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=11642602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61006923A Pending JPS61267929A (ja) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4774130A (ja) |
JP (1) | JPS61267929A (ja) |
DE (1) | DE3546325C2 (ja) |
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- 1985-12-30 US US06/814,506 patent/US4774130A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-01-16 JP JP61006923A patent/JPS61267929A/ja active Pending
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