JPH0528483A - 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体の製造法Info
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- JPH0528483A JPH0528483A JP18269091A JP18269091A JPH0528483A JP H0528483 A JPH0528483 A JP H0528483A JP 18269091 A JP18269091 A JP 18269091A JP 18269091 A JP18269091 A JP 18269091A JP H0528483 A JPH0528483 A JP H0528483A
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- magnetic
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- magnetic recording
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣｏＰｔＣｒ合金によって磁性層を成膜する
に際し、再生出力を低下させることなく、より薄膜化が
可能な金属薄膜型磁気記録媒体の製造法を提供する。 【構成】 非磁性基板1 の上にＣｒからなる下地層2 を
形成し、該下地層2 の上にスパッタリングにより一軸結
晶磁気異方性を示すＣｏＰｔＣｒ合金からなる磁性層を
有する磁気記録層3 を積層形成する金属薄膜型磁気記録
媒体の製造法において、前記ＣｏＰｔＣｒ合金中のＣｒ
濃度を５〜9.5 at％とし、基板1 に負のバイアス電圧を
印加して磁性層を成膜する。
に際し、再生出力を低下させることなく、より薄膜化が
可能な金属薄膜型磁気記録媒体の製造法を提供する。 【構成】 非磁性基板1 の上にＣｒからなる下地層2 を
形成し、該下地層2 の上にスパッタリングにより一軸結
晶磁気異方性を示すＣｏＰｔＣｒ合金からなる磁性層を
有する磁気記録層3 を積層形成する金属薄膜型磁気記録
媒体の製造法において、前記ＣｏＰｔＣｒ合金中のＣｒ
濃度を５〜9.5 at％とし、基板1 に負のバイアス電圧を
印加して磁性層を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に使用
される金属薄膜型磁気記録媒体の製造法に関する。
される金属薄膜型磁気記録媒体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性基板上にＣｒ下地層を介
してスパッタリングにより積層成膜した金属薄膜型磁気
記録媒体が用いられている。最近、より高密度記録化が
可能なＣｏ合金が特開平１−283803号公報に開示され
た。このＣｏ合金は、Ｃｒを10〜20at％含有したＣｏＰ
ｔＣｒ合金であり、高保磁力化のみならず、低ノイズ化
(ＳＮｍは上昇）が達成されたことにより、記録密度の
より一層の向上が可能となった。このＳＮｍの上昇の原
因は、Ｃｒの粒界偏析によりＣｏ合金粒子間の磁気的相
互作用が弱まることによると言われている。
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性基板上にＣｒ下地層を介
してスパッタリングにより積層成膜した金属薄膜型磁気
記録媒体が用いられている。最近、より高密度記録化が
可能なＣｏ合金が特開平１−283803号公報に開示され
た。このＣｏ合金は、Ｃｒを10〜20at％含有したＣｏＰ
ｔＣｒ合金であり、高保磁力化のみならず、低ノイズ化
(ＳＮｍは上昇）が達成されたことにより、記録密度の
より一層の向上が可能となった。このＳＮｍの上昇の原
因は、Ｃｒの粒界偏析によりＣｏ合金粒子間の磁気的相
互作用が弱まることによると言われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣｏＰｔＣｒ合金はＣｒを10at％以上と多量に含有させ
るため、それに反比例してＣｏ濃度が低下し、そのため
再生出力が低下するという問題がある。すなわち、残留
磁束密度Ｂｒと膜厚δとの積Ｂｒδを一定として考える
と、δの増大を意味する。膜厚が薄い程、保磁力が高
く、又媒体ノイズが低いことが知られており、従来のＣ
ｏＰｔＣｒ合金にはまだ保磁力向上やノイズ低下の余地
がある。
ＣｏＰｔＣｒ合金はＣｒを10at％以上と多量に含有させ
るため、それに反比例してＣｏ濃度が低下し、そのため
再生出力が低下するという問題がある。すなわち、残留
磁束密度Ｂｒと膜厚δとの積Ｂｒδを一定として考える
と、δの増大を意味する。膜厚が薄い程、保磁力が高
く、又媒体ノイズが低いことが知られており、従来のＣ
ｏＰｔＣｒ合金にはまだ保磁力向上やノイズ低下の余地
がある。
【０００４】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、ＣｏＰｔＣｒ合金によって磁性層を成膜するに際
し、再生出力を低下させることなく、より薄膜化が可能
な金属薄膜型磁気記録媒体の製造法を提供することを目
的とする。
で、ＣｏＰｔＣｒ合金によって磁性層を成膜するに際
し、再生出力を低下させることなく、より薄膜化が可能
な金属薄膜型磁気記録媒体の製造法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】非磁性基板の上にＣｒか
らなる下地層を形成し、該下地層の上にスパッタリング
により一軸結晶磁気異方性を示すＣｏＰｔＣｒ合金から
なる磁性層を有する磁気記録層を積層形成する金属薄膜
型磁気記録媒体の製造法において、前記ＣｏＰｔＣｒ合
金中のＣｒ濃度を５〜9.5 at％とし、基板に負のバイア
ス電圧を印加して磁性層を成膜する。
らなる下地層を形成し、該下地層の上にスパッタリング
により一軸結晶磁気異方性を示すＣｏＰｔＣｒ合金から
なる磁性層を有する磁気記録層を積層形成する金属薄膜
型磁気記録媒体の製造法において、前記ＣｏＰｔＣｒ合
金中のＣｒ濃度を５〜9.5 at％とし、基板に負のバイア
ス電圧を印加して磁性層を成膜する。
【０００６】
【作用】本発明の磁性層を形成するＣｏＰｔＣｒ合金
は、Ｃｒ含有量を 9.5at％以下としたので、再生出力を
低下させることなく、高保磁力を具備させることができ
る。また、負のバイアス電圧を印加した状態で磁気記録
層を成膜するので、Ｃｒ含有量が 9.5at％以下と少なく
ても、Ｃｒの粒界偏析を促進することができ、Ｃｏ合金
粒子間の磁気相互作用が弱まり、媒体ノイズを減少させ
ることができる。尚、このとき保磁力も多少増加する。
は、Ｃｒ含有量を 9.5at％以下としたので、再生出力を
低下させることなく、高保磁力を具備させることができ
る。また、負のバイアス電圧を印加した状態で磁気記録
層を成膜するので、Ｃｒ含有量が 9.5at％以下と少なく
ても、Ｃｒの粒界偏析を促進することができ、Ｃｏ合金
粒子間の磁気相互作用が弱まり、媒体ノイズを減少させ
ることができる。尚、このとき保磁力も多少増加する。
【０００７】本発明におけるＣｏＰｔＣｒ合金のＣｒ含
有量を５〜9.5at％としたのは、５at％未満では負のバ
イアスをかけて成膜してもＣｒの粒界偏析を生じさせる
ことが困難であり、一方 9.5at％を越えるとＣｒ含有量
が多くなって再生出力が低下するようになるからであ
る。
有量を５〜9.5at％としたのは、５at％未満では負のバ
イアスをかけて成膜してもＣｒの粒界偏析を生じさせる
ことが困難であり、一方 9.5at％を越えるとＣｒ含有量
が多くなって再生出力が低下するようになるからであ
る。
【０００８】
【実施例】以下、図１に示した磁気記録媒体の製造を例
にとって説明する。この媒体は、非磁性の基板1 の上に
Ｃｒからなる下地層2 が形成されており、その上にＣｒ
含有量が５〜9.5 at％の一軸結晶磁気異方性を有するＣ
ｏＰｔＣｒ合金からなる磁性層によって磁気記録層3 が
形成され、更にその上に保護層4 が形成されている。
にとって説明する。この媒体は、非磁性の基板1 の上に
Ｃｒからなる下地層2 が形成されており、その上にＣｒ
含有量が５〜9.5 at％の一軸結晶磁気異方性を有するＣ
ｏＰｔＣｒ合金からなる磁性層によって磁気記録層3 が
形成され、更にその上に保護層4 が形成されている。
【０００９】図２は、本発明を実施するためのスパッタ
リング装置の一例を示しており、真空容器21の下部には
Ｃｏ合金層やＣｒ層の成膜用原子を放出するためのター
ゲット22が設置され、その回りに環状の陽極23が取り付
けられており、スパッタリング用電源24によって負の電
圧 (一般的には−１ＫＶ以下）が印加されている。一
方、上部には基板1 を取り付けるためのホルダー25が設
けられており、該ホルダー25に取り付けられた基板1 に
は、バイアス電源26によりホルダー25を介して負の電圧
(通常、−50〜−300 Ｖ程度) が印加される。27は排気
管で、真空ポンプに配管接続されており、28はＡｒガス
等のスパッタリングガス供給管である。
リング装置の一例を示しており、真空容器21の下部には
Ｃｏ合金層やＣｒ層の成膜用原子を放出するためのター
ゲット22が設置され、その回りに環状の陽極23が取り付
けられており、スパッタリング用電源24によって負の電
圧 (一般的には−１ＫＶ以下）が印加されている。一
方、上部には基板1 を取り付けるためのホルダー25が設
けられており、該ホルダー25に取り付けられた基板1 に
は、バイアス電源26によりホルダー25を介して負の電圧
(通常、−50〜−300 Ｖ程度) が印加される。27は排気
管で、真空ポンプに配管接続されており、28はＡｒガス
等のスパッタリングガス供給管である。
【００１０】尚、スパッタリング装置としては、基板に
負電圧を印加できるものであれば、いずれの装置でも利
用可能である。例えば、磁性層の一軸配向性を向上させ
るために、真空容器内に基板を加熱するためのヒーター
が併設されていてもよい。また、ターゲット裏面にマグ
ネットを設けたマグネトロンスパッタ装置でもよい。更
に、スパッタリング用電源やバイアス電源としては、直
流に限らず高周波（ＲＦ）電源でもよい。
負電圧を印加できるものであれば、いずれの装置でも利
用可能である。例えば、磁性層の一軸配向性を向上させ
るために、真空容器内に基板を加熱するためのヒーター
が併設されていてもよい。また、ターゲット裏面にマグ
ネットを設けたマグネトロンスパッタ装置でもよい。更
に、スパッタリング用電源やバイアス電源としては、直
流に限らず高周波（ＲＦ）電源でもよい。
【００１１】スパッタリング条件は、使用するスパッタ
リング装置、基板やターゲット材等により異なるが、一
般的にＡｒガス分圧１〜10×10-3Torr、基板温度 150〜
300℃程度とされる。前記基板1 としては、Ａｌ合金製
基板1 の上に、剛性を確保するため10〜20μm 程度の非
晶質Ｎｉ−Ｐメッキ層が形成されたものが通常使用され
るが、かかる構成に限らず、ガラス基板やセラミックス
基板等、ある程度の剛性のある非磁性材ならいずれのも
のも使用可能である。尚、基板の上面には、通常、磁気
ヘッドとの接触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャー
と呼ばれる凹凸加工が施される。
リング装置、基板やターゲット材等により異なるが、一
般的にＡｒガス分圧１〜10×10-3Torr、基板温度 150〜
300℃程度とされる。前記基板1 としては、Ａｌ合金製
基板1 の上に、剛性を確保するため10〜20μm 程度の非
晶質Ｎｉ−Ｐメッキ層が形成されたものが通常使用され
るが、かかる構成に限らず、ガラス基板やセラミックス
基板等、ある程度の剛性のある非磁性材ならいずれのも
のも使用可能である。尚、基板の上面には、通常、磁気
ヘッドとの接触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャー
と呼ばれる凹凸加工が施される。
【００１２】基板1 の上に形成されるＣｒ下地層2 は、
その上に形成されるＣｏＰｔＣｒ合金 (結晶構造ｈｃ
ｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶軸）を面内配向
させるために形成されるもので、通常、 500〜2000Å程
度の厚さにスパッタリングにより形成される。尚、該Ｃ
ｒ下地層2 を成膜する際にも、基板に負のバイアス電圧
を印加してもよい。
その上に形成されるＣｏＰｔＣｒ合金 (結晶構造ｈｃ
ｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶軸）を面内配向
させるために形成されるもので、通常、 500〜2000Å程
度の厚さにスパッタリングにより形成される。尚、該Ｃ
ｒ下地層2 を成膜する際にも、基板に負のバイアス電圧
を印加してもよい。
【００１３】前記磁気記録層3 は、既述の通り、Ｃｒを
5.0〜9.5 at％含有したＣｏＰｔＣｒ合金によって負の
バイアス電圧を印加した状態で成膜される。合金中のＰ
ｔ含有量は高保磁力確保の観点から３〜20at％程度とす
るのがよい。尚、磁気記録層3 はＣｏ合金の磁性層を単
層に形成したものに限らず、Ｃｏ合金磁性層とＣｒ層と
を交互に複層形成したもの (但し、最上層はＣｏ合金磁
性層とする。) でもよい。磁気記録層3 の層厚 (Ｃｏ合
金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金磁性層の合計
厚) は通常 600〜800 Åとするのがよい。再生出力の確
保とノイズ低減のために、磁気記録媒体としてＢｒδが
450〜600 Ｇ・μのものが要求されているからである。
5.0〜9.5 at％含有したＣｏＰｔＣｒ合金によって負の
バイアス電圧を印加した状態で成膜される。合金中のＰ
ｔ含有量は高保磁力確保の観点から３〜20at％程度とす
るのがよい。尚、磁気記録層3 はＣｏ合金の磁性層を単
層に形成したものに限らず、Ｃｏ合金磁性層とＣｒ層と
を交互に複層形成したもの (但し、最上層はＣｏ合金磁
性層とする。) でもよい。磁気記録層3 の層厚 (Ｃｏ合
金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金磁性層の合計
厚) は通常 600〜800 Åとするのがよい。再生出力の確
保とノイズ低減のために、磁気記録媒体としてＢｒδが
450〜600 Ｇ・μのものが要求されているからである。
【００１４】前記磁気記録層3 の上にはカーボン等から
なる非磁性保護層4 が 200〜400 Å程度スパッタリング
により形成されており、更にその上にフッ素化ポリエー
テル等の潤滑剤を20〜50Å程度塗布してもよい。尚、前
記保護層4 や潤滑剤塗布層は必要に応じて形成すればよ
い。尚、Ｃｒ下地層、磁性層、Ｃｒ層、非磁性保護層
は、磁気記録媒体を工業的に生産する場合、所期層を成
膜するためのターゲット材を備えたスパッタリング装置
を並設し、基板を各スパッタリング装置に順次移動させ
て積層成膜すればよい。
なる非磁性保護層4 が 200〜400 Å程度スパッタリング
により形成されており、更にその上にフッ素化ポリエー
テル等の潤滑剤を20〜50Å程度塗布してもよい。尚、前
記保護層4 や潤滑剤塗布層は必要に応じて形成すればよ
い。尚、Ｃｒ下地層、磁性層、Ｃｒ層、非磁性保護層
は、磁気記録媒体を工業的に生産する場合、所期層を成
膜するためのターゲット材を備えたスパッタリング装置
を並設し、基板を各スパッタリング装置に順次移動させ
て積層成膜すればよい。
【００１５】次に具体的実施例を掲げる。 (1) Ａｌ基板にＮｉ−Ｐメッキ層を形成し、その表面に
テキスチャーを施した基板を用い、Ｎｉ−Ｐメッキ層の
上に、図１のように、Ｃｒ下地層2 を1000Å形成した。
その上に表１に記載したＣｏＰｔＣｒ合金をＢｒ・δ＝
500 Ｇ・μとなるように成膜した。この際、基板に印加
したバイアス電圧の大きさを表１に示す。磁気記録層
（Ｃｏ合金層）を成膜後、更に、その上にカーボン層を
250Å積層成膜した。
テキスチャーを施した基板を用い、Ｎｉ−Ｐメッキ層の
上に、図１のように、Ｃｒ下地層2 を1000Å形成した。
その上に表１に記載したＣｏＰｔＣｒ合金をＢｒ・δ＝
500 Ｇ・μとなるように成膜した。この際、基板に印加
したバイアス電圧の大きさを表１に示す。磁気記録層
（Ｃｏ合金層）を成膜後、更に、その上にカーボン層を
250Å積層成膜した。
【００１６】成膜装置としてはＤＣマグネトロンスパッ
タ装置を用い、成膜条件はＡｒガス圧５mmTorr、基板温
度 230℃とした。
タ装置を用い、成膜条件はＡｒガス圧５mmTorr、基板温
度 230℃とした。
【００１７】
【表１】
【００１８】(2) 成膜後、磁気記録媒体の保磁力 (Ｈ
ｃ) および媒体ノイズ (ＳＮｍ) を調べた。その結果を
表１に併せて示す。(3) 表１より、実施例は比較例に比
して、保磁力および媒体ノイズとも優れており、特にノ
イズの低下（ＳＮｍの向上）が著しい。
ｃ) および媒体ノイズ (ＳＮｍ) を調べた。その結果を
表１に併せて示す。(3) 表１より、実施例は比較例に比
して、保磁力および媒体ノイズとも優れており、特にノ
イズの低下（ＳＮｍの向上）が著しい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の金属薄膜型
磁気記録媒体の製造法によれば、下地Ｃｒ層の上に低Ｃ
ｒ濃度のＣｏＰｔＣｒ合金を負のバイアス電圧を印加し
た状態でスパッタリングするので、Ｃｒ濃度が低いにも
拘らず、Ｃｒの粒界偏析を促進することができ、Ｃｏ合
金粒子間の磁気的相互作用が弱まり、高保磁力かつ低ノ
イズの磁気記録媒体が容易に得られる。
磁気記録媒体の製造法によれば、下地Ｃｒ層の上に低Ｃ
ｒ濃度のＣｏＰｔＣｒ合金を負のバイアス電圧を印加し
た状態でスパッタリングするので、Ｃｒ濃度が低いにも
拘らず、Ｃｒの粒界偏析を促進することができ、Ｃｏ合
金粒子間の磁気的相互作用が弱まり、高保磁力かつ低ノ
イズの磁気記録媒体が容易に得られる。
【図１】実施例に係る磁気記録媒体の要部断面図であ
る。
る。
【図２】本発明を実施するためのスパッタリング装置の
一例を示す構成説明図である。
一例を示す構成説明図である。
1 基板 2 Ｃｒ下地層 3 磁気記録層 26 バイアス電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 非磁性基板の上にＣｒからなる下地層を
形成し、該下地層の上にスパッタリングにより一軸結晶
磁気異方性を示すＣｏＰｔＣｒ合金からなる磁性層を有
する磁気記録層を積層形成する金属薄膜型磁気記録媒体
の製造法において、 前記ＣｏＰｔＣｒ合金中のＣｒ濃度を５〜9.5 at％と
し、基板に負のバイアス電圧を印加して磁性層を成膜す
ることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18269091A JPH0528483A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18269091A JPH0528483A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528483A true JPH0528483A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16122734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18269091A Pending JPH0528483A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528483A (ja) |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18269091A patent/JPH0528483A/ja active Pending
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