JPS62117143A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS62117143A JPS62117143A JP25840485A JP25840485A JPS62117143A JP S62117143 A JPS62117143 A JP S62117143A JP 25840485 A JP25840485 A JP 25840485A JP 25840485 A JP25840485 A JP 25840485A JP S62117143 A JPS62117143 A JP S62117143A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気記録媒体の製造方法に係り、特にＳ／Ｎ比
の高いコバルトニッケル（ＣｏＮｆ）基合金磁性膜層を
有する磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
の高いコバルトニッケル（ＣｏＮｆ）基合金磁性膜層を
有する磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
近年、コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い
、外部メモリ装置の記憶容量を更に増大させることが要
求されてきている。この要求を満足させるためには、外
部メモリ装置に用いられる磁気ディスクも、更に記録密
度を増加させる必要があり、このためには、記録層を形
成する磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の
薄膜化を促進しなければらない。
、外部メモリ装置の記憶容量を更に増大させることが要
求されてきている。この要求を満足させるためには、外
部メモリ装置に用いられる磁気ディスクも、更に記録密
度を増加させる必要があり、このためには、記録層を形
成する磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の
薄膜化を促進しなければらない。
そこで、かかる要求を満足させる１つの方法として、従
来、特公昭５５−１４０５８号公報、特公昭５５−１４
０５８号公報に示されるように、スパッタリング法によ
り記録層を形成する方法が開発された。この方法は、鉄
あるいは鉄合金をターゲットとし、反応スパッタリング
によりディスク基板上にＦｅｔｕｓの薄膜層を形成し、
その後これを熱酸化してγ−Ｆ ｅ ２０３とするもの
である。また、スパッタリング法によりコバルト又はコ
バルトニッケル（ＣｏＮｉ）合金の薄膜層を形成したも
のが提案されており（Ｊ、Ａｐｐｌ。
来、特公昭５５−１４０５８号公報、特公昭５５−１４
０５８号公報に示されるように、スパッタリング法によ
り記録層を形成する方法が開発された。この方法は、鉄
あるいは鉄合金をターゲットとし、反応スパッタリング
によりディスク基板上にＦｅｔｕｓの薄膜層を形成し、
その後これを熱酸化してγ−Ｆ ｅ ２０３とするもの
である。また、スパッタリング法によりコバルト又はコ
バルトニッケル（ＣｏＮｉ）合金の薄膜層を形成したも
のが提案されており（Ｊ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、５３ （５）、１９８２、特開昭５７−７２
３０号公報等）、その他、コバルト−白金（Ｃｏ−Ｐｔ
）系やコバルト−ニッケルー白金（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ）
系のものも公知である。また、Ｃｏ−ＰやＣｏ−Ｎ１−
Ｐ系の膜を無電解めっき法により形成したものも公知で
ある。
３０号公報等）、その他、コバルト−白金（Ｃｏ−Ｐｔ
）系やコバルト−ニッケルー白金（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ）
系のものも公知である。また、Ｃｏ−ＰやＣｏ−Ｎ１−
Ｐ系の膜を無電解めっき法により形成したものも公知で
ある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来用いられている磁性膜のうち、γ−Ｆ ｅ ２０３
系のものはＳ／Ｎ比が大であるという長所を有する反面
、飽和磁束密度が低く出力が小さいという短所を有する
。
系のものはＳ／Ｎ比が大であるという長所を有する反面
、飽和磁束密度が低く出力が小さいという短所を有する
。
Ｐ系のものは、飽和磁束密度が高く出力が大きいものの
２０ＫＰＣＩ以上の高記録密度におけるＳ／Ｎ比が小さ
いという問題があった。
２０ＫＰＣＩ以上の高記録密度におけるＳ／Ｎ比が小さ
いという問題があった。
［問題点を解決するための手段］
上記従来技術の問題点を解決するために、本発明は、デ
ィスク形基板の板面上に磁性ＩＩＩ層が形成ごれた磁気
記録媒体の！ｌＪ造方決方法いて、液相めつき法、蒸着
法又はＡｒ雰囲気中でのスパッタリング法により、該磁
性合金膜と同組成の合’＞ ｊ；、？膜を形成し、その
後、真空又は不活性カス中にて２５０℃以上の熱処理を
施し、結晶粒界の明確化及び結晶発達を行なう工程を有
することを特徴とするものである。
ィスク形基板の板面上に磁性ＩＩＩ層が形成ごれた磁気
記録媒体の！ｌＪ造方決方法いて、液相めつき法、蒸着
法又はＡｒ雰囲気中でのスパッタリング法により、該磁
性合金膜と同組成の合’＞ ｊ；、？膜を形成し、その
後、真空又は不活性カス中にて２５０℃以上の熱処理を
施し、結晶粒界の明確化及び結晶発達を行なう工程を有
することを特徴とするものである。
以下本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体の製造方法においては、アルミニ
ウム基合金等の基板上に磁性膜層が形成されている。
ウム基合金等の基板上に磁性膜層が形成されている。
基板の材質としては、アルミニウム又はアルミニウム先
主成分とし、これにその他の金属元素を加えて強度、剛
性、耐食性等の特性のうち１又は２以上の特性を改良す
るようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウ
ムを数組量％、例えば３〜４重量％含むものが用いられ
る。なおシリコンは、二酸化珪素として析出し易いので
、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好ましい。
主成分とし、これにその他の金属元素を加えて強度、剛
性、耐食性等の特性のうち１又は２以上の特性を改良す
るようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウ
ムを数組量％、例えば３〜４重量％含むものが用いられ
る。なおシリコンは、二酸化珪素として析出し易いので
、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好ましい。
この基板上には、通常、アルマ・イトやＣｒ。
Ｔｉ又は窒化物、酸化物等の硬質の下地層を設ける。こ
の下地層が、過度に薄い場合には、ヘッドの衝突に対す
る耐力が小さく、いわゆるヘッドクラッシュを生ずるお
それがあり、一方過度に厚い場合には、製造時等におけ
る温度の昇降によって生ずる内部熱応力が過大になって
亀裂を生じさせるおそれがあるので、数ｇｍ〜数１数１
０声変程度るのが好ましい。
の下地層が、過度に薄い場合には、ヘッドの衝突に対す
る耐力が小さく、いわゆるヘッドクラッシュを生ずるお
それがあり、一方過度に厚い場合には、製造時等におけ
る温度の昇降によって生ずる内部熱応力が過大になって
亀裂を生じさせるおそれがあるので、数ｇｍ〜数１数１
０声変程度るのが好ましい。
なお、基板としてはチタン合金基板、ガラス基板、セラ
ミック基板などをも用い得る。ガラス基板やセラミック
基板など、硬度の高い基板の場合、硬質の下地層は必ず
しも必要ではない。
ミック基板などをも用い得る。ガラス基板やセラミック
基板など、硬度の高い基板の場合、硬質の下地層は必ず
しも必要ではない。
下地層又は基板の上に形成される磁性層としては、Ｃｏ
系又はＦｅ系の合金薄膜が用いられる。
系又はＦｅ系の合金薄膜が用いられる。
Ｃｏ系としては、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ −Ｎｉ
−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ −’７１金属（
Ｐｔ、 Ｒｕ、 Ｒｈ等） 、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ −
貴金属などがあげられる。この場合、Ｎｉの含有率は５
〜３５原子％、Ｃｒは５〜２０原子％、貴金属は含量で
２〜２０原子％、Ｃｏは６０原子％以上の組成範囲にあ
るものが好適である。
−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ −’７１金属（
Ｐｔ、 Ｒｕ、 Ｒｈ等） 、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ −
貴金属などがあげられる。この場合、Ｎｉの含有率は５
〜３５原子％、Ｃｒは５〜２０原子％、貴金属は含量で
２〜２０原子％、Ｃｏは６０原子％以上の組成範囲にあ
るものが好適である。
本発明において、この合金薄膜は液相めつき、蒸着又は
Ａｒ雰囲気中でのスパッタリングによって形成される。
Ａｒ雰囲気中でのスパッタリングによって形成される。
液相めっきとしては無電解めっき法が好適である。蒸着
、スパッタリングの場合は、通常の蒸着装置もしくはス
パッタリング装置によれば良い。
、スパッタリングの場合は、通常の蒸着装置もしくはス
パッタリング装置によれば良い。
合金薄膜形成後、真空又は不活性ガス（Ａｒ等の希ガス
もしくはＮ２雰囲気）中にて２５０℃以上の温度で熱処
理を施し、該合金薄膜中の結晶粒界の明確化及び結晶の
発達を図る。この熱処理の温度は２５０℃よりも小さい
と、かかる結晶粒界の明確化及び結晶の発達が不十分と
なるので、２５０℃以上好ましくは３００℃以上とする
。
もしくはＮ２雰囲気）中にて２５０℃以上の温度で熱処
理を施し、該合金薄膜中の結晶粒界の明確化及び結晶の
発達を図る。この熱処理の温度は２５０℃よりも小さい
と、かかる結晶粒界の明確化及び結晶の発達が不十分と
なるので、２５０℃以上好ましくは３００℃以上とする
。
また、過度に熱処理時の温度が高いと、結晶が粒成長し
、粒子が粗大化するので、熱処理温度は６００℃以下と
りわけ５００℃以下とするのが好適である。また、熱処
理時の温度が高くなるほど、処理時間は短縮される０例
えば、３００℃においては１通常、約１〜３０時間程度
の熱処理が行なわれるのであるが、熱処理時の温度が高
くなるほど、この処理時間を短縮する。
、粒子が粗大化するので、熱処理温度は６００℃以下と
りわけ５００℃以下とするのが好適である。また、熱処
理時の温度が高くなるほど、処理時間は短縮される０例
えば、３００℃においては１通常、約１〜３０時間程度
の熱処理が行なわれるのであるが、熱処理時の温度が高
くなるほど、この処理時間を短縮する。
この熱処理時の雰囲気を真空又は不活性ガスとするのは
合金薄膜の酸化を防Ｉ）：するためである。
合金薄膜の酸化を防Ｉ）：するためである。
しかして、このような熱処理により結晶粒界の明確化、
結晶粒の発達を図ることにより、結晶粒子間の磁気的相
互作用を断ち切ることができ、これにより信号記録時ノ
イズに対するＳ／Ｎ比を高めることが可能とされる。即
ち、信号記録時ノイズに対するＳ／Ｎ比は、主として磁
化の遷移領域に発生し、この領域の結晶粒の強い相互作
用によるものと考えられる０本発明の製造方法において
熱処理を施し、成膜（メッキ、蒸着、スパッタリング）
時の結晶粒界を明確化し、かつ結晶粒を発達させること
により、結晶粒子相互間の強い磁気的相互作用が断ち切
られ、Ｓ／Ｎ比の向上が図れる。
結晶粒の発達を図ることにより、結晶粒子間の磁気的相
互作用を断ち切ることができ、これにより信号記録時ノ
イズに対するＳ／Ｎ比を高めることが可能とされる。即
ち、信号記録時ノイズに対するＳ／Ｎ比は、主として磁
化の遷移領域に発生し、この領域の結晶粒の強い相互作
用によるものと考えられる０本発明の製造方法において
熱処理を施し、成膜（メッキ、蒸着、スパッタリング）
時の結晶粒界を明確化し、かつ結晶粒を発達させること
により、結晶粒子相互間の強い磁気的相互作用が断ち切
られ、Ｓ／Ｎ比の向上が図れる。
なお、上記の成膜処理により形成される合金薄膜は、基
板もしくは下地層に対し垂直に発達する柱状晶となるの
であるが（第１図はこの柱状晶の成長形態を模式的に表
わす）、（板表面の断面図であり、■は下地層、２は合
金薄膜である）、本発明においては、柱状晶３の結晶粒
径ｄは１０００Å以下とするのが望ましい。すなわち、
この柱状晶の結晶粒径が１０００Åを超える場合には、
単磁区粒子ではなくなり、媒体の保磁力が低下し、高密
度記録用媒体としては不適当なものとなる。
板もしくは下地層に対し垂直に発達する柱状晶となるの
であるが（第１図はこの柱状晶の成長形態を模式的に表
わす）、（板表面の断面図であり、■は下地層、２は合
金薄膜である）、本発明においては、柱状晶３の結晶粒
径ｄは１０００Å以下とするのが望ましい。すなわち、
この柱状晶の結晶粒径が１０００Åを超える場合には、
単磁区粒子ではなくなり、媒体の保磁力が低下し、高密
度記録用媒体としては不適当なものとなる。
なお、本発明においては、スパッタリング時の雰囲気が
Ａｒである点において、公知技術（例えば特開昭５７−
７２３０）と根本的に相違する。
Ａｒである点において、公知技術（例えば特開昭５７−
７２３０）と根本的に相違する。
即ち、この公知技術においては、窒素を含むＡｒ雰囲気
においてスパッタリングすることにより、窒素を例えば
窒化物等の形態で含む合金層を形成し、その後、熱処理
することにより、窒素を放出し、磁性合金層を形成する
。これに対し、本発明においては、スパッタリングによ
り、最終的な合金組成と同等の組成からなる合金薄膜を
形成し、その後の熱処理により、該合金薄膜中の結晶粒
界の明確化及び結晶粒の発達（即ち、結晶粒内における
原子配列の秩序性を高めること）を図る。
においてスパッタリングすることにより、窒素を例えば
窒化物等の形態で含む合金層を形成し、その後、熱処理
することにより、窒素を放出し、磁性合金層を形成する
。これに対し、本発明においては、スパッタリングによ
り、最終的な合金組成と同等の組成からなる合金薄膜を
形成し、その後の熱処理により、該合金薄膜中の結晶粒
界の明確化及び結晶粒の発達（即ち、結晶粒内における
原子配列の秩序性を高めること）を図る。
なお基板と磁性薄膜との間に下地層の他、磁性薄膜の付
着強度を増大させる各種の中間層などを設けてもよい。
着強度を増大させる各種の中間層などを設けてもよい。
また磁性薄膜上に炭素、ポリ珪酸等の保護膜を設けても
よい。さらに、この保護膜上に潤滑剤を塗布しても良い
。
よい。さらに、この保護膜上に潤滑剤を塗布しても良い
。
Ｌ作用］
本発明においては、液相めつき、蒸着もしくはＡｒ雰囲
気中でのスパッタリングにより合金層■々を形成し、次
いで熱処理することにより合金薄膜中の結晶粒界の明確
化及び結晶粒の発達を図るものであり、成膜処理後の比
較釣札れた状態にある結晶粒がよく発達し、かつ粒界も
明確化されることにより、隣接する粒子相互間の強い相
互作用が断ち切られ、これによりＳ／Ｎ比が著しく向上
される。更に、出力が大きいと共に、保磁力Ｈｃも高く
、高密度記録媒体として優れた特性を有するようになる
。かかる本発明の優れた特性は、得られる磁性合金薄膜
の結晶粒径を１０００Å以下とすることにより一層向上
される。
気中でのスパッタリングにより合金層■々を形成し、次
いで熱処理することにより合金薄膜中の結晶粒界の明確
化及び結晶粒の発達を図るものであり、成膜処理後の比
較釣札れた状態にある結晶粒がよく発達し、かつ粒界も
明確化されることにより、隣接する粒子相互間の強い相
互作用が断ち切られ、これによりＳ／Ｎ比が著しく向上
される。更に、出力が大きいと共に、保磁力Ｈｃも高く
、高密度記録媒体として優れた特性を有するようになる
。かかる本発明の優れた特性は、得られる磁性合金薄膜
の結晶粒径を１０００Å以下とすることにより一層向上
される。
［実施例コ
以下１本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。
なお以下に述へる実施例はマグネトロンｒ、ｆ、スパッ
タ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言える
イオンビームスパッタリング等によって本発明の効果を
得ることが可能であることは勿論である。
タ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言える
イオンビームスパッタリング等によって本発明の効果を
得ることが可能であることは勿論である。
実施例１
マグネシウムを４％含むアルミニウム合金基板（大きさ
：直径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．９ｍｍ）を
クロム酸を含む酸浴中で電解処理し、その表面に厚さｌ
ｏｏｍのアルマ・イト質の下地層を形成し、かつその表
面を２７ｚｍ程度研磨し平坦にした。
：直径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．９ｍｍ）を
クロム酸を含む酸浴中で電解処理し、その表面に厚さｌ
ｏｏｍのアルマ・イト質の下地層を形成し、かつその表
面を２７ｚｍ程度研磨し平坦にした。
次に、平板マグネトロンｒ、ｆ、スパッタ装置を用い、
下記条件にて下地層りにＮｉを９原子％、Ｐｔを１０原
子％含むＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ薄膜を形成した。
下記条件にて下地層りにＮｉを９原子％、Ｐｔを１０原
子％含むＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ薄膜を形成した。
初期排気 ２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ雰囲気
圧（Ａｒ） ５ｍＴｏ ｒ ｒ投入電力
１ｋｗターゲット組成
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐｔ（Ｎ＋９原子％、ｐｔｉｏ原子％
原 子間隔 １０８ｍｍ膜 厚
７００人薄膜
形成速度 ２００ Ａ ／ ｍ ｉ ｎ基
板温度 室 温この膜形成処理
後、真空中にて３３０℃×３ｈｒの熱処理を行ない、膜
をスパッタ直後の状態に比べ、１．２〜１．３倍程度に
結晶粒成長させると共に、結晶粒界を明確化した。さら
に、結晶粒内に積層欠陥等も発達させた。このＧｏ−Ｎ
ｉ−ｐｔ薄膜の断面の透過電子顕微鏡写真を撮影し、結
晶粒径を測定したところ、結晶粒は粒径が２００〜１０
００Åのものを主体とすることが認められた。
圧（Ａｒ） ５ｍＴｏ ｒ ｒ投入電力
１ｋｗターゲット組成
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐｔ（Ｎ＋９原子％、ｐｔｉｏ原子％
原 子間隔 １０８ｍｍ膜 厚
７００人薄膜
形成速度 ２００ Ａ ／ ｍ ｉ ｎ基
板温度 室 温この膜形成処理
後、真空中にて３３０℃×３ｈｒの熱処理を行ない、膜
をスパッタ直後の状態に比べ、１．２〜１．３倍程度に
結晶粒成長させると共に、結晶粒界を明確化した。さら
に、結晶粒内に積層欠陥等も発達させた。このＧｏ−Ｎ
ｉ−ｐｔ薄膜の断面の透過電子顕微鏡写真を撮影し、結
晶粒径を測定したところ、結晶粒は粒径が２００〜１０
００Åのものを主体とすることが認められた。
その後、カーボン保護膜を６０ＯＡ厚さとなるようにス
パッタリングして形成し、磁気記録媒体とした。
パッタリングして形成し、磁気記録媒体とした。
この磁気記録媒体の磁気特性を上記以外の条件と共に第
１表に示す。
１表に示す。
未発明において、Ｓ／Ｎ比は記録密度２３．６ＫＰＣＩ
における信号記録時ノイズに対するＳ／Ｎ比を示す、こ
こで Ｓ：信号記録時ノイズ力のＯ−Ｐ値 Ｎ：信号記録時雑音電圧実効値 である。なお測定条件は次の通りである。
における信号記録時ノイズに対するＳ／Ｎ比を示す、こ
こで Ｓ：信号記録時ノイズ力のＯ−Ｐ値 Ｎ：信号記録時雑音電圧実効値 である。なお測定条件は次の通りである。
使用ヘッド： Ｍ ｎ −Ｚ ｎミニウィンチェスタ型
トラック幅 １９川口 ギャー、プ髪 ０ 、８ ＪＬｍ 巻 数 １６Ｔｘ２ ヘッド浮上量：Ｏ，ｌ＃Ｌｍ 測定箇所：ディスク半径Ｒ＝５０ｍｍ点のトラック上０
周速４．７ｍ／ｓｅｃ で測定 記録電流ＩｗのＯ−Ｐ値：１５ｍＡ Ｂｗ：１０ＫＨｚ ビデオフィルター：１０Ｈｚ スパン５ＭＨｚ 比較例１ 組成がＮｉ １０原子％、Ｐｔ１Ｏ原子％、残部Ｃｏの
ターゲットを用い、実施例１と同様にスパッタリングし
た。また熱処理を省略した。その他の条件は実施例１と
同様にしてＦｉ＆気記録媒体を形成した。磁気特性の測
定結果を第１表に示す。
トラック幅 １９川口 ギャー、プ髪 ０ 、８ ＪＬｍ 巻 数 １６Ｔｘ２ ヘッド浮上量：Ｏ，ｌ＃Ｌｍ 測定箇所：ディスク半径Ｒ＝５０ｍｍ点のトラック上０
周速４．７ｍ／ｓｅｃ で測定 記録電流ＩｗのＯ−Ｐ値：１５ｍＡ Ｂｗ：１０ＫＨｚ ビデオフィルター：１０Ｈｚ スパン５ＭＨｚ 比較例１ 組成がＮｉ １０原子％、Ｐｔ１Ｏ原子％、残部Ｃｏの
ターゲットを用い、実施例１と同様にスパッタリングし
た。また熱処理を省略した。その他の条件は実施例１と
同様にしてＦｉ＆気記録媒体を形成した。磁気特性の測
定結果を第１表に示す。
実施例２
実施例１のものと同じアルマイト処理基板上に次の組成
のめっき液を用いて厚さ８００ＡのＣ０−Ｎ１−Ｐの磁
性膜を無電解めっき法により形成した。
のめっき液を用いて厚さ８００ＡのＣ０−Ｎ１−Ｐの磁
性膜を無電解めっき法により形成した。
Ｃｏ５ｏ４ ・７Ｈ２００，０６ｍｏｕ／ＪＩＮ ｉ
Ｓ Ｏ４・７ Ｈ２００、０４／／Ｎ ａ ＨＰ Ｏ２
” Ｈ２００、２／／（ＮＨ４） ２ ５０４
０ 、 １ ｔｔマロン酸ナトリウム
０ 、３ ／／リンゴ酸ナトリウム
０ 、４ ／／コハク酸ナトリウム Ｑ 、
５ ｔｔｐＨ８，９〜９．３ 液温 ７５〜８５°Ｃ 次イテ、３００’ＣＸＩＨｒｃ７）熱処理を１０−５真
空中で行なった。さらに、この膜の上に、カーボン保護
膜を５０ＯＡ厚さとなるようにスパッタリングして形成
し、磁気記録媒体とした。その特性の測定結果を第１表
に示す。
Ｓ Ｏ４・７ Ｈ２００、０４／／Ｎ ａ ＨＰ Ｏ２
” Ｈ２００、２／／（ＮＨ４） ２ ５０４
０ 、 １ ｔｔマロン酸ナトリウム
０ 、３ ／／リンゴ酸ナトリウム
０ 、４ ／／コハク酸ナトリウム Ｑ 、
５ ｔｔｐＨ８，９〜９．３ 液温 ７５〜８５°Ｃ 次イテ、３００’ＣＸＩＨｒｃ７）熱処理を１０−５真
空中で行なった。さらに、この膜の上に、カーボン保護
膜を５０ＯＡ厚さとなるようにスパッタリングして形成
し、磁気記録媒体とした。その特性の測定結果を第１表
に示す。
比較例２
実施例２において、熱処理を行なわず、めっき及びカー
ボン保護膜形成処理のみにより磁気記録媒体を製造し、
その磁気特性を測定した。
ボン保護膜形成処理のみにより磁気記録媒体を製造し、
その磁気特性を測定した。
その結果を第１表に示す２
実施例３
実施例１と同様の条件でアルマイト処理基板上にＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ （ＣｒｌＯ原子％、Ｐｒ１Ｏ原子％）の
薄膜を形成し、次いで１Ｏ−５ｔｏｒｒの真空中でｌＨ
ｒ熱処理をおこなった。更に、実施例１と同様にカーボ
ン保護膜を５００Ａ厚さどなるようにスパッタリングし
て形成し、磁気記録媒体とした。その特性の測定結果を
第１表に示す。
Ｃｒ−Ｐｔ （ＣｒｌＯ原子％、Ｐｒ１Ｏ原子％）の
薄膜を形成し、次いで１Ｏ−５ｔｏｒｒの真空中でｌＨ
ｒ熱処理をおこなった。更に、実施例１と同様にカーボ
ン保護膜を５００Ａ厚さどなるようにスパッタリングし
て形成し、磁気記録媒体とした。その特性の測定結果を
第１表に示す。
実施例４
実施例１と同様のアルマイト処理基板」−に、Ｃｒ下地
膜をスパッタリング法により１μｍ厚さに形成し、直ち
にＡｒ雰囲気中で実施例１と同様の条件−Ｃ’Ｃ０−Ｃ
ｒ−Ｎｉ （Ｃｒ８原子％、Ｎｉ１５原子％）合金薄膜
を形成し、次いで４００℃Ｘ０．５Ｈｒ（７）真空中（
ｌ ０−５ｔ ｏ ｒ ｒ） テｔ７）熱処理を行なっ
た。更に、カーボン保護膜を５００Ａ厚さとなるように
スパッタリングして形成し、磁気記録媒体とした。その
特性の測定結果を第１表に示す。
膜をスパッタリング法により１μｍ厚さに形成し、直ち
にＡｒ雰囲気中で実施例１と同様の条件−Ｃ’Ｃ０−Ｃ
ｒ−Ｎｉ （Ｃｒ８原子％、Ｎｉ１５原子％）合金薄膜
を形成し、次いで４００℃Ｘ０．５Ｈｒ（７）真空中（
ｌ ０−５ｔ ｏ ｒ ｒ） テｔ７）熱処理を行なっ
た。更に、カーボン保護膜を５００Ａ厚さとなるように
スパッタリングして形成し、磁気記録媒体とした。その
特性の測定結果を第１表に示す。
比較例３
実施例３において真空中での熱処理工程を省いたこと以
外は同様にして磁気記録媒体を製造した。その磁気特性
の測定結果を第１表に示す。
外は同様にして磁気記録媒体を製造した。その磁気特性
の測定結果を第１表に示す。
比較例４
実施例４において真空中での熱処理を省いたこと以外は
同様にして磁気記録媒体を製造し、その磁気特性の測定
を行なった。結果を第１表に示す。
同様にして磁気記録媒体を製造し、その磁気特性の測定
を行なった。結果を第１表に示す。
比較例５
実施例１の真空中での熱処理条件を、４００°ＣＸ１０
０Ｈｒとしたこと以外は全く同様にして磁気記録媒体を
製造した。その磁気特性の測定結果を４１一定したとこ
ろ、Ｈｅが３５５０ｅと低く、高密度磁気記録媒体とし
ては不適当であることが認められた。これは磁性合金層
中の結晶粒の成長によるものである。
０Ｈｒとしたこと以外は全く同様にして磁気記録媒体を
製造した。その磁気特性の測定結果を４１一定したとこ
ろ、Ｈｅが３５５０ｅと低く、高密度磁気記録媒体とし
ては不適当であることが認められた。これは磁性合金層
中の結晶粒の成長によるものである。
第１表より、本発明に係るものは、いずれも、Ｓ／Ｎ比
及び４πＭｓが共に高い数値を示していることが明らか
である。
及び４πＭｓが共に高い数値を示していることが明らか
である。
因に、従来より用いられているγ−Ｆ ｅ ２０３系の
磁性膜は４πＭｓが３．３ＫＧ程度、Ｓ／Ｎ比が３５ｄ
Ｂ程度であった。比較例１．４のものは、４πＭｓはγ
−Ｆ ｅ ２０３系の磁性膜・よりも高いものの、Ｓ／
Ｎ比はかなり低い。
磁性膜は４πＭｓが３．３ＫＧ程度、Ｓ／Ｎ比が３５ｄ
Ｂ程度であった。比較例１．４のものは、４πＭｓはγ
−Ｆ ｅ ２０３系の磁性膜・よりも高いものの、Ｓ／
Ｎ比はかなり低い。
また、第１表より、本発明に係るものは５本も高いこと
が認められる。
が認められる。
［効果］
以−１−詳述した通り、本発明の製造方法により得られ
る磁気記録媒体は、Ｓ／Ｎ比が高く、かつ飽和磁束密度
が高い、しかも本発明により得られる磁気記録媒体は角
形比及び保磁力等の特性にも優れている。従って、本発
明によれば高密度記録媒体としての特性を具備した実用
性の高い記録媒体が提供される。
る磁気記録媒体は、Ｓ／Ｎ比が高く、かつ飽和磁束密度
が高い、しかも本発明により得られる磁気記録媒体は角
形比及び保磁力等の特性にも優れている。従って、本発
明によれば高密度記録媒体としての特性を具備した実用
性の高い記録媒体が提供される。
第１図は磁気記録媒体表面の模式的断面図である。
１・・・下地層、 ２・・・磁性層、３・・
・柱状晶。
・柱状晶。
Claims (2)
- （１）ディスク形基板の板面上に磁性膜層が形成された
磁気記録媒体を製造する方法において、液相めっき法、
蒸着法又はＡｒ雰囲気中でのスパッタリング法により、
該磁性合金膜と同組成の合金薄膜を形成し、その後、真
空又は不活性ガス中にて２５０℃以上の熱処理を施して
結晶粒界の明確化及び結晶発達を行なう工程を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - （２）磁性合金膜の結晶粒径が１０００Å以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25840485A JPS62117143A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25840485A JPS62117143A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62117143A true JPS62117143A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17319759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25840485A Pending JPS62117143A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62117143A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259767A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| WO1996027877A1 (fr) * | 1995-03-08 | 1996-09-12 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication |
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| US6042939A (en) * | 1995-03-08 | 2000-03-28 | Takahashi; Migaku | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25840485A patent/JPS62117143A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259767A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| WO1996027877A1 (fr) * | 1995-03-08 | 1996-09-12 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication |
| US6042939A (en) * | 1995-03-08 | 2000-03-28 | Takahashi; Migaku | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| USRE38587E1 (en) | 1995-03-17 | 2004-09-14 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
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