JPH04311809A - 垂直磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH04311809A JPH04311809A JP7760091A JP7760091A JPH04311809A JP H04311809 A JPH04311809 A JP H04311809A JP 7760091 A JP7760091 A JP 7760091A JP 7760091 A JP7760091 A JP 7760091A JP H04311809 A JPH04311809 A JP H04311809A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 87
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 2
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は垂直磁気記録方式の磁気
ディスク装置に用いて好適な垂直磁気記録媒体とその製
造方法に係り、特に優れた記録再生特性を有する垂直磁
化膜を備えた二層膜構造の垂直磁気記録媒体とその製造
方法に関するものである。
ディスク装置に用いて好適な垂直磁気記録媒体とその製
造方法に係り、特に優れた記録再生特性を有する垂直磁
化膜を備えた二層膜構造の垂直磁気記録媒体とその製造
方法に関するものである。
【０００２】近年、磁気ディスク装置では大容量、高密
度記録化が要求され、従来の水平磁気記録方式に比べて
より高密度記録が可能となる高透磁率の軟磁性裏打ち層
と垂直磁化膜を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体
、即ち、垂直磁気ディスクが実用化されつつある。
度記録化が要求され、従来の水平磁気記録方式に比べて
より高密度記録が可能となる高透磁率の軟磁性裏打ち層
と垂直磁化膜を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体
、即ち、垂直磁気ディスクが実用化されつつある。
【０００３】このような垂直磁気ディスクでは、垂直磁
化膜の膜面に対して垂直に情報の残留磁化を形成するこ
とにより記録を行なっているため、その膜面に対して垂
直方向により強い磁気異方性を有する垂直磁化膜及びそ
の成膜方法が要求される。
化膜の膜面に対して垂直に情報の残留磁化を形成するこ
とにより記録を行なっているため、その膜面に対して垂
直方向により強い磁気異方性を有する垂直磁化膜及びそ
の成膜方法が要求される。
【０００４】
【従来の技術】従来のそのような二層膜構造の垂直磁気
ディスクとしては、図６に示すようにアルミニウム、ガ
ラス、或いはセラミック等からなる非磁性基板１上にス
パッタ法等により１μｍ程度の膜厚の Ｎｉ−Ｆｅ膜か
らなる高透磁率な軟磁性裏打ち層２を被着形成し、その
表面上に例えば０．０２μｍの膜厚のＴｉ膜からなる下
地層３を介して０．１ μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｃｒ膜を
被着形成することにより、該 Ｃｏ−Ｃｒ膜の成膜初期
膜における結晶配向の乱れや強い面内磁化性の発生が抑
制されると推察され、その下地層３との界面から表面ま
での膜厚方向、即ち、垂直方向に優れた磁気異方性を有
する Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる垂直磁化膜４を形成した構
造が提案されている。
ディスクとしては、図６に示すようにアルミニウム、ガ
ラス、或いはセラミック等からなる非磁性基板１上にス
パッタ法等により１μｍ程度の膜厚の Ｎｉ−Ｆｅ膜か
らなる高透磁率な軟磁性裏打ち層２を被着形成し、その
表面上に例えば０．０２μｍの膜厚のＴｉ膜からなる下
地層３を介して０．１ μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｃｒ膜を
被着形成することにより、該 Ｃｏ−Ｃｒ膜の成膜初期
膜における結晶配向の乱れや強い面内磁化性の発生が抑
制されると推察され、その下地層３との界面から表面ま
での膜厚方向、即ち、垂直方向に優れた磁気異方性を有
する Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる垂直磁化膜４を形成した構
造が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たように軟磁性裏打ち層２と垂直磁化膜４間にＴｉ膜か
らなる下地層３を介在させると、該下地層３が非磁性で
あるので磁気抵抗的な損失と、ディスク−ヘッド間のス
ペーシング損失の原因となるため、記録再生効率が低下
する欠点がある。
たように軟磁性裏打ち層２と垂直磁化膜４間にＴｉ膜か
らなる下地層３を介在させると、該下地層３が非磁性で
あるので磁気抵抗的な損失と、ディスク−ヘッド間のス
ペーシング損失の原因となるため、記録再生効率が低下
する欠点がある。
【０００６】そこで前記ディスク−ヘッド間のスペーシ
ング損失を低減するために、例えば非磁性基板上に Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜からなる軟磁性裏打ち層を形成し、その軟磁
性裏打ち層の表面を酸素（Ｏ２）ガス雰囲気中でグロー
放電処理を行なった後、その処理面上にＣｏ−Ｏ膜、或
いは Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜等からなる垂直磁化膜を被着形
成した構成。或いは非磁性基板上に形成したＮｉ−Ｆｅ
膜からなる軟磁性裏打ち層と Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる
垂直磁化膜間に酸素（Ｏ２）ガスを含むスパッタガス雰
囲気中での反応性スパッタリング法により被着形成する
４００Å以下の膜厚の Ｃｏ−Ｃｒの非磁性酸化膜を
介在した構成の磁気ディスクが提案されている。
ング損失を低減するために、例えば非磁性基板上に Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜からなる軟磁性裏打ち層を形成し、その軟磁
性裏打ち層の表面を酸素（Ｏ２）ガス雰囲気中でグロー
放電処理を行なった後、その処理面上にＣｏ−Ｏ膜、或
いは Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜等からなる垂直磁化膜を被着形
成した構成。或いは非磁性基板上に形成したＮｉ−Ｆｅ
膜からなる軟磁性裏打ち層と Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる
垂直磁化膜間に酸素（Ｏ２）ガスを含むスパッタガス雰
囲気中での反応性スパッタリング法により被着形成する
４００Å以下の膜厚の Ｃｏ−Ｃｒの非磁性酸化膜を
介在した構成の磁気ディスクが提案されている。
【０００７】ところが、前者のように前記軟磁性裏打ち
層の表面を酸素（Ｏ２）ガス雰囲気中でグロー放電処理
を施したその処理面上に Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる垂直磁
化膜を形成した場合、該垂直磁化膜の膜面に対して垂直
方向に良好な磁気異方性が得られ難い難点がある。また
後者の Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる軟磁性裏打ち層と Ｃｏ
−Ｃｒ膜からなる垂直磁化膜間に Ｃｏ−Ｃｒの非磁性
酸化膜を介在させたディスク構成では、 Ｃｏ−Ｃｒタ
ーゲットを備えた反応性スパッタリング装置によって、
先ず該装置内のスパッタガス中に酸素（Ｏ２）ガスを添
加した雰囲気中で前記軟磁性裏打ち層上に Ｃｏ−Ｃｒ
の非磁性酸化膜を被着した後、該非磁性酸化膜上に同じ
装置内の酸素（Ｏ２）ガスを添加しないスパッタガス雰
囲気中で前記垂直磁化膜を形成しているため、該垂直磁
化膜内に酸素（Ｏ２）不純物が混入するという問題があ
る。
層の表面を酸素（Ｏ２）ガス雰囲気中でグロー放電処理
を施したその処理面上に Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる垂直磁
化膜を形成した場合、該垂直磁化膜の膜面に対して垂直
方向に良好な磁気異方性が得られ難い難点がある。また
後者の Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる軟磁性裏打ち層と Ｃｏ
−Ｃｒ膜からなる垂直磁化膜間に Ｃｏ−Ｃｒの非磁性
酸化膜を介在させたディスク構成では、 Ｃｏ−Ｃｒタ
ーゲットを備えた反応性スパッタリング装置によって、
先ず該装置内のスパッタガス中に酸素（Ｏ２）ガスを添
加した雰囲気中で前記軟磁性裏打ち層上に Ｃｏ−Ｃｒ
の非磁性酸化膜を被着した後、該非磁性酸化膜上に同じ
装置内の酸素（Ｏ２）ガスを添加しないスパッタガス雰
囲気中で前記垂直磁化膜を形成しているため、該垂直磁
化膜内に酸素（Ｏ２）不純物が混入するという問題があ
る。
【０００８】従って、そのような不純物の混入のない垂
直磁化膜を得るためには、該垂直磁化膜の形成に先立つ
て装置内の脱酸素（Ｏ２）処理を行なうか、或いはプリ
スパッタ処理等を必要とし、成膜工程が煩雑化すると共
に、効率が悪くなるという問題があった。
直磁化膜を得るためには、該垂直磁化膜の形成に先立つ
て装置内の脱酸素（Ｏ２）処理を行なうか、或いはプリ
スパッタ処理等を必要とし、成膜工程が煩雑化すると共
に、効率が悪くなるという問題があった。
【０００９】本発明は上記した従来の実状に鑑み、軟磁
性裏打ち層上にスペーシング損失を増加させることなく
、膜面に対して垂直方向に優れた磁気異方性を有する
Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる垂直磁化膜を設けることにより、
記録再生効率の優れた二層膜構造の垂直磁気記録媒体と
その製造方法を提供することを目的とするものである。
性裏打ち層上にスペーシング損失を増加させることなく
、膜面に対して垂直方向に優れた磁気異方性を有する
Ｃｏ−Ｃｒ膜からなる垂直磁化膜を設けることにより、
記録再生効率の優れた二層膜構造の垂直磁気記録媒体と
その製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性基板上に軟磁性裏打ち層と垂直磁
化膜を積層して成る二層膜構造の磁気記録媒体であって
、前記軟磁性裏打ち層の表面がその軟磁性裏打ち層の酸
化物薄膜により被覆した構成とする。
達成するため、非磁性基板上に軟磁性裏打ち層と垂直磁
化膜を積層して成る二層膜構造の磁気記録媒体であって
、前記軟磁性裏打ち層の表面がその軟磁性裏打ち層の酸
化物薄膜により被覆した構成とする。
【００１１】また、非磁性基板上に軟磁性裏打ち層と垂
直磁化膜を順次積層形成する垂直磁気記録媒体の製造に
おいて、前記軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜の成膜工程間
に、該軟磁性裏打ち層の表面にＯ２プラズマ処理、若し
くは大気中での熱処理を施す工程を含む構成とする。
直磁化膜を順次積層形成する垂直磁気記録媒体の製造に
おいて、前記軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜の成膜工程間
に、該軟磁性裏打ち層の表面にＯ２プラズマ処理、若し
くは大気中での熱処理を施す工程を含む構成とする。
【００１２】更に、非磁性基板上に軟磁性裏打ち層と垂
直磁化膜を順次積層形成する垂直磁気記録媒体の製造に
おいて、前記軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜の成膜工程間
に、該軟磁性裏打ち層の表面上にＯ２ガス雰囲気、若し
くはＯ２ガスを含む不活性ガス雰囲気を用いた反応性ス
パッタリング法によりその軟磁性裏打ち層の酸化物薄膜
を形成する工程を含む構成とする。
直磁化膜を順次積層形成する垂直磁気記録媒体の製造に
おいて、前記軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜の成膜工程間
に、該軟磁性裏打ち層の表面上にＯ２ガス雰囲気、若し
くはＯ２ガスを含む不活性ガス雰囲気を用いた反応性ス
パッタリング法によりその軟磁性裏打ち層の酸化物薄膜
を形成する工程を含む構成とする。
【００１３】
【作用】本発明では記録再生特性の優れた垂直磁気記録
媒体を得るために、種々実験、検討を行った結果、軟磁
性裏打ち層と垂直磁化膜間にその軟磁性裏打ち層の極薄
い酸化物薄膜を介在させることによって媒体−ヘッド間
のスペーシング損失を従来例よりも増加させることがな
く、またその酸化物薄膜上に形成された垂直磁化膜の成
膜初期の成長膜部分における結晶配向の乱れや強い面内
磁化性が発生するような影響もなく、膜面に対して垂直
方向に優れた磁気異方性を有する垂直磁化膜が得られる
。従って、垂直記録再生特性に優れた磁気記録媒体を得
ることができる。
媒体を得るために、種々実験、検討を行った結果、軟磁
性裏打ち層と垂直磁化膜間にその軟磁性裏打ち層の極薄
い酸化物薄膜を介在させることによって媒体−ヘッド間
のスペーシング損失を従来例よりも増加させることがな
く、またその酸化物薄膜上に形成された垂直磁化膜の成
膜初期の成長膜部分における結晶配向の乱れや強い面内
磁化性が発生するような影響もなく、膜面に対して垂直
方向に優れた磁気異方性を有する垂直磁化膜が得られる
。従って、垂直記録再生特性に優れた磁気記録媒体を得
ることができる。
【００１４】前記軟磁性裏打ち層上にその軟磁性裏打ち
層の極薄い酸化物薄膜を形成する方法としては、成膜後
の軟磁性裏打ち層の表面をＯ２ガス雰囲気中でプラズマ
処理するか、或いは大気中で熱処理することにより、そ
の軟磁性裏打ち層の表面から１０〜３０Åの厚さ部分に
該軟磁性裏打ち層の極薄い酸化物薄膜を容易に形成する
ことができる。
層の極薄い酸化物薄膜を形成する方法としては、成膜後
の軟磁性裏打ち層の表面をＯ２ガス雰囲気中でプラズマ
処理するか、或いは大気中で熱処理することにより、そ
の軟磁性裏打ち層の表面から１０〜３０Åの厚さ部分に
該軟磁性裏打ち層の極薄い酸化物薄膜を容易に形成する
ことができる。
【００１５】更に、軟磁性裏打ち層をスパッタリング法
により成膜後、その成膜時のターゲットを用いてＯ２ガ
ス雰囲気中、またはＯ２ガスを含む不活性ガス雰囲気中
でスパッタリング法により前記軟磁性裏打ち層の表面に
１０〜３０Åの膜厚の該軟磁性裏打ち層の極薄い酸化物
薄膜を容易に形成することができる。
により成膜後、その成膜時のターゲットを用いてＯ２ガ
ス雰囲気中、またはＯ２ガスを含む不活性ガス雰囲気中
でスパッタリング法により前記軟磁性裏打ち層の表面に
１０〜３０Åの膜厚の該軟磁性裏打ち層の極薄い酸化物
薄膜を容易に形成することができる。
【００１６】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体と
その製造方法の第１実施例を説明するための要部断面図
である。
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体と
その製造方法の第１実施例を説明するための要部断面図
である。
【００１７】本実施例では図示のように、例えばアルミ
ニウム基板の表面にＮｉＰ表面処理を施した非磁性基板
１１上に Ｎｉ−Ｆｅめっき法により、硫酸ニッケル（
ＮｉＳ０４・６Ｈ２Ｏ４）と硫酸第一鉄（ＦｅＳｏ４・
７Ｈ２Ｏ４）とを主成分とするめっき液中で、Ｎｉめっ
き電極と該非磁性基板１１間に４〜５ＶのＤＣ電圧を印
加し、６Ａ／ｄｍ２ の電流密度のめっき条件により１
μｍの膜厚の Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる高透磁率な軟磁性
裏打ち層１２を形成する。
ニウム基板の表面にＮｉＰ表面処理を施した非磁性基板
１１上に Ｎｉ−Ｆｅめっき法により、硫酸ニッケル（
ＮｉＳ０４・６Ｈ２Ｏ４）と硫酸第一鉄（ＦｅＳｏ４・
７Ｈ２Ｏ４）とを主成分とするめっき液中で、Ｎｉめっ
き電極と該非磁性基板１１間に４〜５ＶのＤＣ電圧を印
加し、６Ａ／ｄｍ２ の電流密度のめっき条件により１
μｍの膜厚の Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる高透磁率な軟磁性
裏打ち層１２を形成する。
【００１８】次にその軟磁性裏打ち層１２が形成された
非磁性基板１１を洗浄、水切り乾燥した後、例えば０．
５ Ｔｏｒｒのガス圧を有するＯ２ガス雰囲気中で前記
軟磁性裏打ち層１２と電極間に１ｋＷの電力を供給して
プラズマを発生させ、該軟磁性裏打ち層１２の表面を１
０分間程度プラズマ処理を行う、或いはその軟磁性裏打
ち層１２の表面を大気中で ３００℃に加熱して２時間
程度の熱処理を行ってその表面から１０〜３０Åの厚さ
部分を該軟磁性裏打ち層の極薄い酸化物薄膜１３に形成
し、その酸化物薄膜１３の表面にスパッタリング法によ
り ０．１μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｃｒ膜を被着すること
により、成膜初期の成長膜部分に結晶配向の乱れや強い
面内磁化性が発生することなく、その膜面に対して垂直
方向に優れた磁気異方性を有する垂直磁化膜１４を容易
に形成することができる。
非磁性基板１１を洗浄、水切り乾燥した後、例えば０．
５ Ｔｏｒｒのガス圧を有するＯ２ガス雰囲気中で前記
軟磁性裏打ち層１２と電極間に１ｋＷの電力を供給して
プラズマを発生させ、該軟磁性裏打ち層１２の表面を１
０分間程度プラズマ処理を行う、或いはその軟磁性裏打
ち層１２の表面を大気中で ３００℃に加熱して２時間
程度の熱処理を行ってその表面から１０〜３０Åの厚さ
部分を該軟磁性裏打ち層の極薄い酸化物薄膜１３に形成
し、その酸化物薄膜１３の表面にスパッタリング法によ
り ０．１μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｃｒ膜を被着すること
により、成膜初期の成長膜部分に結晶配向の乱れや強い
面内磁化性が発生することなく、その膜面に対して垂直
方向に優れた磁気異方性を有する垂直磁化膜１４を容易
に形成することができる。
【００１９】また、媒体−ヘッド間のスペーシング損失
が従来例よりも低減した垂直記録再生特性の良い二層膜
構造の垂直磁気記録媒体、即ち、垂直磁気ディスクを得
ることが可能となる。
が従来例よりも低減した垂直記録再生特性の良い二層膜
構造の垂直磁気記録媒体、即ち、垂直磁気ディスクを得
ることが可能となる。
【００２０】図２は本発明に係る垂直磁気記録媒体とそ
の製造方法の第２実施例を説明するための要部断面図で
あり、図１と同等部分には同一符号を付している。この
実施例では、図１の実施例と同様にアルミニウム基板の
表面にＮｉＰ表面処理を施した非磁性基板１１上に Ｎ
ｉ−Ｆｅめっき法により１μｍの膜厚の Ｎｉ−Ｆｅ膜
からなる高透磁率な軟磁性裏打ち層１２を形成する。
の製造方法の第２実施例を説明するための要部断面図で
あり、図１と同等部分には同一符号を付している。この
実施例では、図１の実施例と同様にアルミニウム基板の
表面にＮｉＰ表面処理を施した非磁性基板１１上に Ｎ
ｉ−Ｆｅめっき法により１μｍの膜厚の Ｎｉ−Ｆｅ膜
からなる高透磁率な軟磁性裏打ち層１２を形成する。
【００２１】その後、該軟磁性裏打ち層１２の表面に、
Ｎｉ−Ｆｅターゲットを用いてＯ２ガス雰囲気中、ま
たは不活性ガスを含むＯ２ガス雰囲気中でスパッタを行
う反応性スパッタリング法、例えばアルゴン（Ａｒ）ガ
スを２０体積％添加したＯ２ガス雰囲気中で Ｎｉ−Ｆ
ｅターゲットをスパッタさせる反応性スパッタリング法
によって１０〜３０Åの膜厚の極薄い酸化物薄膜２１を
被着形成し、その酸化物薄膜２１の表面にスパッタリン
グ法により ０．１μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｃｒ膜を被着
することにより、前記図１の実施例と同様に成膜初期の
成長膜部分に結晶配向の乱れや強い面内磁化性が発生す
ることなく、膜面に対して垂直方向に優れた磁気異方性
を有する垂直磁化膜２２を容易に形成することができ、
スペーシング損失も従来例よりも低減した垂直記録再生
特性の良い二層膜構造の垂直磁気ディスクを得ることが
可能となる。
Ｎｉ−Ｆｅターゲットを用いてＯ２ガス雰囲気中、ま
たは不活性ガスを含むＯ２ガス雰囲気中でスパッタを行
う反応性スパッタリング法、例えばアルゴン（Ａｒ）ガ
スを２０体積％添加したＯ２ガス雰囲気中で Ｎｉ−Ｆ
ｅターゲットをスパッタさせる反応性スパッタリング法
によって１０〜３０Åの膜厚の極薄い酸化物薄膜２１を
被着形成し、その酸化物薄膜２１の表面にスパッタリン
グ法により ０．１μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｃｒ膜を被着
することにより、前記図１の実施例と同様に成膜初期の
成長膜部分に結晶配向の乱れや強い面内磁化性が発生す
ることなく、膜面に対して垂直方向に優れた磁気異方性
を有する垂直磁化膜２２を容易に形成することができ、
スペーシング損失も従来例よりも低減した垂直記録再生
特性の良い二層膜構造の垂直磁気ディスクを得ることが
可能となる。
【００２２】なお、以上の実施例では非磁性基板１１上
に Ｎｉ−Ｆｅめっき法により Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる
高透磁率な軟磁性裏打ち層１２を形成し、その表面上に
アルゴン（Ａｒ）ガスを添加したＯ２ガス雰囲気中で
Ｎｉ−Ｆｅターゲットをスパッタさせる反応性スパッタ
リング法により極薄い酸化物薄膜２１を被着形成した場
合の例に付いて説明したが、本実施例はそのような例に
限定されるものではなく、例えば非磁性基板上にアルゴ
ン（Ａｒ）ガス雰囲気中で Ｎｉ−Ｆｅターゲットをス
パッタさせて Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる高透磁率な軟磁性
裏打ち層を形成し、その表面上に引続きそのアルゴン（
Ａｒ）ガス雰囲気中に所要量のＯ２ガスを導入し、前記
した同じ Ｎｉ−Ｆｅターゲットをスパッタさせること
により、効率良く極薄い酸化物薄膜を被着形成すること
が可能となる。
に Ｎｉ−Ｆｅめっき法により Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる
高透磁率な軟磁性裏打ち層１２を形成し、その表面上に
アルゴン（Ａｒ）ガスを添加したＯ２ガス雰囲気中で
Ｎｉ−Ｆｅターゲットをスパッタさせる反応性スパッタ
リング法により極薄い酸化物薄膜２１を被着形成した場
合の例に付いて説明したが、本実施例はそのような例に
限定されるものではなく、例えば非磁性基板上にアルゴ
ン（Ａｒ）ガス雰囲気中で Ｎｉ−Ｆｅターゲットをス
パッタさせて Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる高透磁率な軟磁性
裏打ち層を形成し、その表面上に引続きそのアルゴン（
Ａｒ）ガス雰囲気中に所要量のＯ２ガスを導入し、前記
した同じ Ｎｉ−Ｆｅターゲットをスパッタさせること
により、効率良く極薄い酸化物薄膜を被着形成すること
が可能となる。
【００２３】図３及び図４は上記した第１実施例及び第
２実施例の垂直磁気ディスクＡ（殆ど同等な磁気特性を
有する）と、軟磁性裏打ち層２と垂直磁化膜４間にＴｉ
膜からなる下地層３を介在した従来例の垂直磁気ディス
クＢ及び軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜間に下地層を介在
せずに直接被着形成した一般的な垂直磁気ディスクＣの
規格化された出力（記録再生出力）と記録密度（Ｄ５０
：出力が孤立波出力の半分になるときの記録密度）のス
ペーシング（ディスク−ヘッド間距離）依存性を比較測
定した結果を示す。
２実施例の垂直磁気ディスクＡ（殆ど同等な磁気特性を
有する）と、軟磁性裏打ち層２と垂直磁化膜４間にＴｉ
膜からなる下地層３を介在した従来例の垂直磁気ディス
クＢ及び軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜間に下地層を介在
せずに直接被着形成した一般的な垂直磁気ディスクＣの
規格化された出力（記録再生出力）と記録密度（Ｄ５０
：出力が孤立波出力の半分になるときの記録密度）のス
ペーシング（ディスク−ヘッド間距離）依存性を比較測
定した結果を示す。
【００２４】この図３及び図４によって明らかなように
、第１実施例及び第２実施例の垂直磁気ディスクＡの記
録再生出力は、Ｔｉ下地層を介在した従来例の垂直磁気
ディスクＢよりもやや小さいが、下地層の介在しない一
般的な従来の垂直磁気ディスクＣよりは十分に大きい傾
向にある。また同様に第１実施例及び第２実施例の垂直
磁気ディスクＡの記録密度は、Ｔｉ下地層の介在しない
一般的な従来の垂直磁気ディスクＣよりは若干低いが、
下地層を介在した従来例の垂直磁気ディスクＢよりも十
分に高い傾向にある。
、第１実施例及び第２実施例の垂直磁気ディスクＡの記
録再生出力は、Ｔｉ下地層を介在した従来例の垂直磁気
ディスクＢよりもやや小さいが、下地層の介在しない一
般的な従来の垂直磁気ディスクＣよりは十分に大きい傾
向にある。また同様に第１実施例及び第２実施例の垂直
磁気ディスクＡの記録密度は、Ｔｉ下地層の介在しない
一般的な従来の垂直磁気ディスクＣよりは若干低いが、
下地層を介在した従来例の垂直磁気ディスクＢよりも十
分に高い傾向にある。
【００２５】ここで、磁気ディスクの記録再生出力の大
きさはトラック密度を決定する要因となる。即ち、規格
化出力（規格化された記録再生出力）が大きいとそれに
反比例してトラック幅を狭くしても十分な Ｓ／Ｎ値を
得ることが可能となる。
きさはトラック密度を決定する要因となる。即ち、規格
化出力（規格化された記録再生出力）が大きいとそれに
反比例してトラック幅を狭くしても十分な Ｓ／Ｎ値を
得ることが可能となる。
【００２６】従って、垂直磁気ディスクの記録密度特性
を向上させるためには規格化出力とＤ５０の両方を向上
させる必要があり、〔記録再生出力×Ｄ５０〕を磁気デ
ィスクの記録密度的な性能を表す指標とした場合、この
値が大きいほど優れた記録密度的な性能を有することに
なる。
を向上させるためには規格化出力とＤ５０の両方を向上
させる必要があり、〔記録再生出力×Ｄ５０〕を磁気デ
ィスクの記録密度的な性能を表す指標とした場合、この
値が大きいほど優れた記録密度的な性能を有することに
なる。
【００２７】ちなみに、図５は前記第１実施例及び第２
実施例の垂直磁気ディスクＡの平均的な〔記録再生出力
×Ｄ５０〕値と、軟磁性裏打ち層２と垂直磁化膜４間に
Ｔｉ膜からなる下地層３を介在した従来例の垂直磁気デ
ィスクＢ、軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜間に下地層を介
在せずに直接被着形成した一般的な垂直磁気ディスクＣ
の〔記録再生出力×Ｄ５０〕値とのスペーシング（ディ
スク−ヘッド間距離）依存性を測定し比較した結果を示
す。
実施例の垂直磁気ディスクＡの平均的な〔記録再生出力
×Ｄ５０〕値と、軟磁性裏打ち層２と垂直磁化膜４間に
Ｔｉ膜からなる下地層３を介在した従来例の垂直磁気デ
ィスクＢ、軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜間に下地層を介
在せずに直接被着形成した一般的な垂直磁気ディスクＣ
の〔記録再生出力×Ｄ５０〕値とのスペーシング（ディ
スク−ヘッド間距離）依存性を測定し比較した結果を示
す。
【００２８】この図によって明らかなように、第１実施
例及び第２実施例の垂直磁気ディスクＡの記録密度的な
性能は、前記従来例の垂直磁気ディスクＢ及び一般的な
従来の垂直磁気ディスクＣよりも優れており、特に低い
スペーシングにおいて顕著なる効果を奏している。
例及び第２実施例の垂直磁気ディスクＡの記録密度的な
性能は、前記従来例の垂直磁気ディスクＢ及び一般的な
従来の垂直磁気ディスクＣよりも優れており、特に低い
スペーシングにおいて顕著なる効果を奏している。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体とその製造方法によれば、高透
磁率な軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜間にＯ２ガス雰囲気
中でのプラズマ処理、大気中での熱処理、或いは反応性
スパッタリング法により形成した該軟磁性裏打ち層の極
薄い酸化物薄膜を介在させることによって、スペーシン
グ損失を低減すると共に、膜面に対して垂直方向に優れ
た磁気異方性を有する垂直磁化膜を得ることができ、記
録再生出力の高い優れた垂直記録再生特性を有する二層
膜構造の垂直磁気記録媒体を提供することが可能となる
。
に係る垂直磁気記録媒体とその製造方法によれば、高透
磁率な軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜間にＯ２ガス雰囲気
中でのプラズマ処理、大気中での熱処理、或いは反応性
スパッタリング法により形成した該軟磁性裏打ち層の極
薄い酸化物薄膜を介在させることによって、スペーシン
グ損失を低減すると共に、膜面に対して垂直方向に優れ
た磁気異方性を有する垂直磁化膜を得ることができ、記
録再生出力の高い優れた垂直記録再生特性を有する二層
膜構造の垂直磁気記録媒体を提供することが可能となる
。
【図１】 本発明に係る垂直磁気記録媒体とその製造
方法の第１実施例を説明するための要部断面図である。
方法の第１実施例を説明するための要部断面図である。
【図２】 本発明に係る垂直磁気記録媒体とその製造
方法の第２実施例を説明するための要部断面図である。
方法の第２実施例を説明するための要部断面図である。
【図３】 本発明と従来の垂直磁気ディスクの記録再
生出力のスペーシング依存性を比較測定した結果を示す
図である。
生出力のスペーシング依存性を比較測定した結果を示す
図である。
【図４】 本発明と従来の垂直磁気ディスクの記録密
度のスペーシング依存性を比較測定した結果を示す図で
ある。
度のスペーシング依存性を比較測定した結果を示す図で
ある。
【図５】 本発明と従来の垂直磁気ディスクの〔記録
再生出力×Ｄ５０〕値のスペーシング依存性を比較測定
した結果を示す図である。
再生出力×Ｄ５０〕値のスペーシング依存性を比較測定
した結果を示す図である。
【図６】 従来の垂直磁気記録媒体とその製造方法を
説明するための要部断面図である。
説明するための要部断面図である。
１１ 非磁性基板
１２ 軟磁性裏打ち層
１３，２１ 酸化物薄膜
１４，２２ 垂直磁化膜
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板（１１）上に軟磁性裏打ち
層（１２）と垂直磁化膜（１４）を積層して成る二層膜
構造の磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層（１
２）の表面が軟磁性裏打ち層の酸化物薄膜（１３）で被
覆されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板（１１）上に軟磁性裏打ち
層（１２）と垂直磁化膜（１４）を順次積層形成する垂
直磁気記録媒体の製造において、前記軟磁性裏打ち層（
１２）と Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜（１４）の成膜工程間
に、該軟磁性裏打ち層（１２）の表面にＯ２プラズマ処
理、若しくは大気中での熱処理を施す工程を含むことを
特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 非磁性基板（１１）上に軟磁性裏打ち
層（１２）と垂直磁化膜（２２）を順次積層形成する垂
直磁気記録媒体の製造において、前記軟磁性裏打ち層（
１２）と Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜（２２）の成膜工程間
に、該軟磁性裏打ち層（１２）の表面上にＯ２ガス雰囲
気、若しくはＯ２ガスを含む不活性ガス雰囲気を用いた
反応性スパッタリング法により軟磁性裏打ち層の酸化物
薄膜（２１）を形成する工程を含むことを特徴とする垂
直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7760091A JPH04311809A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7760091A JPH04311809A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311809A true JPH04311809A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13638437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7760091A Withdrawn JPH04311809A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311809A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05282650A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-10-29 | Censtor Corp | 局部緩和抑制現象を示す改善された垂直型磁気記録媒体 |
| WO2003042984A1 (fr) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique, procede de production de ce dernier et memoire magnetique |
| US6602621B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-08-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic storage apparatus |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP7760091A patent/JPH04311809A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05282650A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-10-29 | Censtor Corp | 局部緩和抑制現象を示す改善された垂直型磁気記録媒体 |
| US6602621B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-08-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic storage apparatus |
| US6815098B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-11-09 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic storage apparatus |
| WO2003042984A1 (fr) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique, procede de production de ce dernier et memoire magnetique |
| US6846582B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-01-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic storage apparatus |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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