JP2000182233A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2000182233A JP2000182233A JP35567698A JP35567698A JP2000182233A JP 2000182233 A JP2000182233 A JP 2000182233A JP 35567698 A JP35567698 A JP 35567698A JP 35567698 A JP35567698 A JP 35567698A JP 2000182233 A JP2000182233 A JP 2000182233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- recording medium
- thickness
- intermediate separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲヘッドが開発され、磁気記録媒体の記録
密度はさらに向上している。しかし、ＭＲヘッドを用い
ると従来の誘導型ヘッドと比較して媒体ノイズの影響が
大きくなる。 【解決手段】 磁性層３、５を、従来よりも厚く、５ｎ
ｍを超える厚さを有する非磁性中間分離層４で２層に分
割することにより、従来の磁気記録媒体と同程度の出力
特性および周波数特性を確保したまま、媒体ノイズを減
少させて、高Ｓ／Ｎ比を有する磁気記録媒体とする。
密度はさらに向上している。しかし、ＭＲヘッドを用い
ると従来の誘導型ヘッドと比較して媒体ノイズの影響が
大きくなる。 【解決手段】 磁性層３、５を、従来よりも厚く、５ｎ
ｍを超える厚さを有する非磁性中間分離層４で２層に分
割することにより、従来の磁気記録媒体と同程度の出力
特性および周波数特性を確保したまま、媒体ノイズを減
少させて、高Ｓ／Ｎ比を有する磁気記録媒体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大容量、高記録密
度の磁気記録再生装置に用いられる磁気記録媒体に関す
るものである。
度の磁気記録再生装置に用いられる磁気記録媒体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は、小型かつ大
容量とするために、高記録密度化が図られている。代表
的な磁気記憶装置であるハードディスクドライブの分野
においては、すでに面記録密度２Gbit/in2を超える装置
が商品化されており、数年後には、１０Gbit/in2の実用
化が議論されるほどに急激な技術進歩が認められる。
容量とするために、高記録密度化が図られている。代表
的な磁気記憶装置であるハードディスクドライブの分野
においては、すでに面記録密度２Gbit/in2を超える装置
が商品化されており、数年後には、１０Gbit/in2の実用
化が議論されるほどに急激な技術進歩が認められる。
【０００３】このような高記録密度化を可能とした技術
的背景としては、媒体性能、ヘッド・ディスクインター
フェイス性能の向上やパーシャルレスポンス等の新規な
信号処理方式の出現による線記録密度の向上も大きな要
因である。しかしながら、近年では、トラック密度の増
加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録
密度向上の主たる要因となっている。これは、従来の誘
導型磁気ヘッドに比べて遙かに再生出力性能に優れた磁
気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が実用化されたこと
による。現在、ＭＲヘッドの実用化により、わずか数μ
ｍのトラック幅信号であってもＳ／Ｎ比で再生すること
が可能となっている。一方、今後さらなるヘッド性能の
向上にともない、近い将来にはトラックピッチがサブミ
クロン領域に達するものと予想されている。
的背景としては、媒体性能、ヘッド・ディスクインター
フェイス性能の向上やパーシャルレスポンス等の新規な
信号処理方式の出現による線記録密度の向上も大きな要
因である。しかしながら、近年では、トラック密度の増
加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録
密度向上の主たる要因となっている。これは、従来の誘
導型磁気ヘッドに比べて遙かに再生出力性能に優れた磁
気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が実用化されたこと
による。現在、ＭＲヘッドの実用化により、わずか数μ
ｍのトラック幅信号であってもＳ／Ｎ比で再生すること
が可能となっている。一方、今後さらなるヘッド性能の
向上にともない、近い将来にはトラックピッチがサブミ
クロン領域に達するものと予想されている。
【０００４】ＭＲヘッドで再生する場合、従来の誘導型
磁気ヘッドに比べて再生信号のＳ／Ｎ比は媒体ノイズの
影響を大きく受ける。そのため、媒体ノイズを低減する
ことがさらに重要となる。
磁気ヘッドに比べて再生信号のＳ／Ｎ比は媒体ノイズの
影響を大きく受ける。そのため、媒体ノイズを低減する
ことがさらに重要となる。
【０００５】媒体の低ノイズ化を達成するために、磁性
粒子の微粒子化、磁性粒子の分離等が進められてきた。
また、磁性粒子を微粒子化するために、磁性層に極薄
（５ｎｍ以下）の中間分離層を設け、磁性粒子を上下に
分断することも提案されている。
粒子の微粒子化、磁性粒子の分離等が進められてきた。
また、磁性粒子を微粒子化するために、磁性層に極薄
（５ｎｍ以下）の中間分離層を設け、磁性粒子を上下に
分断することも提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、さらな
る高密度記録化を実現するために、上記従来の方法によ
る磁気記録媒体よりも、さらに低ノイズの媒体が望まれ
ている。
る高密度記録化を実現するために、上記従来の方法によ
る磁気記録媒体よりも、さらに低ノイズの媒体が望まれ
ている。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑み、さらな
る低ノイズ化が達成され、特にＭＲヘッドによる再生に
適した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
る低ノイズ化が達成され、特にＭＲヘッドによる再生に
適した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の磁気記録媒体は、基板の表面上に下
地層を形成し、前記下地層上に磁性薄膜を形成し、前記
磁性薄膜上に保護層を形成した磁気記録媒体であって、
前記磁性薄膜が、５ｎｍを超える厚さを有する非磁性の
中間分離層によって少なくとも２層に分離されているこ
とを特徴とする。
に、本発明の第１の磁気記録媒体は、基板の表面上に下
地層を形成し、前記下地層上に磁性薄膜を形成し、前記
磁性薄膜上に保護層を形成した磁気記録媒体であって、
前記磁性薄膜が、５ｎｍを超える厚さを有する非磁性の
中間分離層によって少なくとも２層に分離されているこ
とを特徴とする。
【０００９】また、上記目的を達成するために、本発明
の第２の磁気記録媒体は、基板の表面上に磁性薄膜を形
成し、前記磁性薄膜上に保護層を形成した磁気記録媒体
であって、前記磁性薄膜が、５ｎｍを超える厚さを有す
る非磁性の中間分離層によって少なくとも２層に分離さ
れていることを特徴とする。
の第２の磁気記録媒体は、基板の表面上に磁性薄膜を形
成し、前記磁性薄膜上に保護層を形成した磁気記録媒体
であって、前記磁性薄膜が、５ｎｍを超える厚さを有す
る非磁性の中間分離層によって少なくとも２層に分離さ
れていることを特徴とする。
【００１０】本発明の磁気記録媒体によれば、従来より
も厚い中間分離層により、当該中間分離層の上下の磁性
層がよく分離される。従って、従来の媒体と同程度の出
力および周波数特性を確保しながらも、従来の媒体より
もさらに低ノイズ化された磁気記録媒体を得ることが可
能となる。
も厚い中間分離層により、当該中間分離層の上下の磁性
層がよく分離される。従って、従来の媒体と同程度の出
力および周波数特性を確保しながらも、従来の媒体より
もさらに低ノイズ化された磁気記録媒体を得ることが可
能となる。
【００１１】本発明の磁気記録媒体においては、中間分
離層の厚さが１０ｎｍ〜６０ｎｍであることが好まし
く、さらに１５ｎｍ〜６０ｎｍであることが好ましい。
離層の厚さが１０ｎｍ〜６０ｎｍであることが好まし
く、さらに１５ｎｍ〜６０ｎｍであることが好ましい。
【００１２】また、中間分離層が、Ｃｒ、Ｃｒ合金（例
えば、Ｃｒ含有量が３３原子％を超えるＣｏＣｒ）、Ｎ
ｉＡｌ、ＴｉおよびＮｉＴｉから選ばれる少なくとも１
つを含む非磁性金属膜からなることが好ましい。
えば、Ｃｒ含有量が３３原子％を超えるＣｏＣｒ）、Ｎ
ｉＡｌ、ＴｉおよびＮｉＴｉから選ばれる少なくとも１
つを含む非磁性金属膜からなることが好ましい。
【００１３】特に、上記第２の磁気記録媒体において
は、中間分離層が、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化
コバルト、酸化チタン、酸化クロム、酸化マグネシウ
ム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化
チタンおよび窒化クロムから選ばれる少なくとも１つを
含むことが好ましい。
は、中間分離層が、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化
コバルト、酸化チタン、酸化クロム、酸化マグネシウ
ム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化
チタンおよび窒化クロムから選ばれる少なくとも１つを
含むことが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体の形
態を図面を参照しながら説明する。
態を図面を参照しながら説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の磁
気記録媒体の一例を示す断面図である。図１に示したよ
うに、この磁気記録媒体は、ガラス基板１上に、下地層
２、第１の磁性層３、中間分離層４、第１の磁性層５、
保護層６および潤滑剤層７が、この順に積層されて構成
されている。
気記録媒体の一例を示す断面図である。図１に示したよ
うに、この磁気記録媒体は、ガラス基板１上に、下地層
２、第１の磁性層３、中間分離層４、第１の磁性層５、
保護層６および潤滑剤層７が、この順に積層されて構成
されている。
【００１６】ガラス基板１としては、例えばアルミノシ
リケートガラスを用いることができる。下地層２および
中間分離層４としては、Ｃｒ、Ｃｒ合金（例えば、Ｃｒ
含有量が３３原子％を超えるＣｏＣｒ）、ＮｉＡｌ、Ｔ
ｉおよびＮｉＴｉから選ばれる少なくとも１つからなる
非磁性金属膜を用いることができる。第１および第２の
磁性層３、５、保護層６および潤滑剤層７には、従来か
ら用いられてきた材料を特に制限することなく用いるこ
とができる。
リケートガラスを用いることができる。下地層２および
中間分離層４としては、Ｃｒ、Ｃｒ合金（例えば、Ｃｒ
含有量が３３原子％を超えるＣｏＣｒ）、ＮｉＡｌ、Ｔ
ｉおよびＮｉＴｉから選ばれる少なくとも１つからなる
非磁性金属膜を用いることができる。第１および第２の
磁性層３、５、保護層６および潤滑剤層７には、従来か
ら用いられてきた材料を特に制限することなく用いるこ
とができる。
【００１７】以下、図１と同様の構成を有する磁気記録
媒体の作製例を示す。
媒体の作製例を示す。
【００１８】２．５インチのアルミノシリケートガラス
基板１をインラインスパッタリング装置に設置し、装置
内を真空に引いた。真空度が１０-6Torrのオーダーにな
ってから３５０℃で３０分間ベーキングを行い、基板表
面に吸着したガス分子等を取り除き、その後基板温度が
室温になるまで十分冷却した。このとき、真空度は、５
×１０-7Torr程度となった。
基板１をインラインスパッタリング装置に設置し、装置
内を真空に引いた。真空度が１０-6Torrのオーダーにな
ってから３５０℃で３０分間ベーキングを行い、基板表
面に吸着したガス分子等を取り除き、その後基板温度が
室温になるまで十分冷却した。このとき、真空度は、５
×１０-7Torr程度となった。
【００１９】基板１を冷却した後、基板１上に、下地層
２として厚さが１００ｎｍのＣｒ膜を、第１の磁性層３
として厚さが約１０ｎｍのＣｏＰｔ膜を、中間分離層４
として厚さが３０ｎｍのＣｒ膜を、第２の磁性層５とし
て厚さが約１０ｎｍのＣｏＰｔ膜を、この順に、いずれ
もスパッタリング法により成膜した。
２として厚さが１００ｎｍのＣｒ膜を、第１の磁性層３
として厚さが約１０ｎｍのＣｏＰｔ膜を、中間分離層４
として厚さが３０ｎｍのＣｒ膜を、第２の磁性層５とし
て厚さが約１０ｎｍのＣｏＰｔ膜を、この順に、いずれ
もスパッタリング法により成膜した。
【００２０】なお、磁性層３、５のスパッタリングの際
には、ＣｏＰｔターゲットの表面に、ＳｉＯ2チップ
を、磁性層３、５中のＳｉ原子の量が、Ｃｏ、Ｐｔおよ
びＳｉ原子の合計の１０原子％となるように配置した。
また、上記各層の成膜時のスパッタリングガスとしては
Ａｒを用い、ガス圧は５０mTorrとした。
には、ＣｏＰｔターゲットの表面に、ＳｉＯ2チップ
を、磁性層３、５中のＳｉ原子の量が、Ｃｏ、Ｐｔおよ
びＳｉ原子の合計の１０原子％となるように配置した。
また、上記各層の成膜時のスパッタリングガスとしては
Ａｒを用い、ガス圧は５０mTorrとした。
【００２１】さらに、このディスク上に保護層６として
カーボン（Ｃ）をスパッタリング法により厚さが約１０
ｎｍとなるように成膜した。その後、ディスクをスパッ
タリング装置から取り出し、保護層６の上に、液状の潤
滑剤を塗布して潤滑剤層７を形成した。
カーボン（Ｃ）をスパッタリング法により厚さが約１０
ｎｍとなるように成膜した。その後、ディスクをスパッ
タリング装置から取り出し、保護層６の上に、液状の潤
滑剤を塗布して潤滑剤層７を形成した。
【００２２】このようにして作製したディスクの保磁力
は２２００Ｏｅ、飽和磁化(Ｍｓδ)は約１memu/cm2であ
った。また、中間分離層４の膜厚を変更した点を除いて
は、上記と同様にして、ディスクを作製し、磁気特性を
評価した。磁気特性は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）に
より評価し、電磁変換特性は１５０kfci(flux changes
per inch)で評価した。
は２２００Ｏｅ、飽和磁化(Ｍｓδ)は約１memu/cm2であ
った。また、中間分離層４の膜厚を変更した点を除いて
は、上記と同様にして、ディスクを作製し、磁気特性を
評価した。磁気特性は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）に
より評価し、電磁変換特性は１５０kfci(flux changes
per inch)で評価した。
【００２３】中間分離層の厚さと、規格化媒体ノイズお
よびＳ／Ｎ比との関係を図２に示す。
よびＳ／Ｎ比との関係を図２に示す。
【００２４】図２に示したように、規格化媒体ノイズ
は、厚さが薄い領域では、中間分離層が厚くなるに従っ
て減少し、中間分離層の厚さが約３０ｎｍ付近で最小に
なる。そして、その後は中間分離層の厚さが増加してい
くに従って増加していく。ここで、規格化媒体ノイズと
は、測定した媒体ノイズを、孤立波の出力で除した値で
ある。図２に示したように、従来の媒体よりも小さな規
格化媒体ノイズを示す（図２における目標レベルよりも
低い）ディスクは、中間分離層の厚さを１０ｎｍ〜６０
ｎｍとすることにより得ることができた。
は、厚さが薄い領域では、中間分離層が厚くなるに従っ
て減少し、中間分離層の厚さが約３０ｎｍ付近で最小に
なる。そして、その後は中間分離層の厚さが増加してい
くに従って増加していく。ここで、規格化媒体ノイズと
は、測定した媒体ノイズを、孤立波の出力で除した値で
ある。図２に示したように、従来の媒体よりも小さな規
格化媒体ノイズを示す（図２における目標レベルよりも
低い）ディスクは、中間分離層の厚さを１０ｎｍ〜６０
ｎｍとすることにより得ることができた。
【００２５】中間分離層４は、磁性層３、５を上下２層
に分割し、磁性層間の相互作用を抑制するばかりではな
く、さらに、第１の磁性層３上に結晶的に整合して成長
し、その上に形成する第２の磁性層５の磁気特性をさら
に改善する作用を有すると考えられる。
に分割し、磁性層間の相互作用を抑制するばかりではな
く、さらに、第１の磁性層３上に結晶的に整合して成長
し、その上に形成する第２の磁性層５の磁気特性をさら
に改善する作用を有すると考えられる。
【００２６】中間分離層が薄すぎると、第１の磁性層３
からのノイズも表面に現れるため、規格化媒体ノイズは
やや増加する。一方、中間分離層が厚すぎる場合には、
ノイズ自体に実質的な変化はないものの孤立波出力が小
さくなるために、結果として規格化媒体ノイズが大きく
なると考えられる。なお、孤立波の出力は、６０ｎｍを
超える中間分離層を用いると大きく低下して従来の媒体
との出力差が大きくなるため、互換性が損なわれる。
からのノイズも表面に現れるため、規格化媒体ノイズは
やや増加する。一方、中間分離層が厚すぎる場合には、
ノイズ自体に実質的な変化はないものの孤立波出力が小
さくなるために、結果として規格化媒体ノイズが大きく
なると考えられる。なお、孤立波の出力は、６０ｎｍを
超える中間分離層を用いると大きく低下して従来の媒体
との出力差が大きくなるため、互換性が損なわれる。
【００２７】なお、下地層２は、その結晶格子の格子定
数と磁性粒子の格子定数との整合から磁性粒子の磁化容
易軸を面内に向けるように作用する。
数と磁性粒子の格子定数との整合から磁性粒子の磁化容
易軸を面内に向けるように作用する。
【００２８】磁性層３、５の組成は、Ｃｏ85Ｐｔ15にＳ
ｉＯ2を添加したものに限られない。例えば、ＳｉＯ2に
代えて、磁性材料と相互に固溶しない非磁性の無機材料
を添加してもよい。このような無機材料としては、酸化
アルミニウム、酸化コバルト、酸化チタン、酸化クロ
ム、酸化マグネシウム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化
アルミニウム、窒化チタン、窒化クロム等を挙げること
ができる。これらを単独で、もしくは２種類以上を組み
合わせて用いても構わない。また、磁性材料も、ＣｏＰ
ｔ系に限定されない。また、用いる磁性材料が、ＣｏＣ
ｒ系、ＮｉＦｅ系等、基板加熱を行わずに磁性粒子の分
離が実現できる材料であれば、上記非磁性の無機材料と
ともに用いなくてもよい。
ｉＯ2を添加したものに限られない。例えば、ＳｉＯ2に
代えて、磁性材料と相互に固溶しない非磁性の無機材料
を添加してもよい。このような無機材料としては、酸化
アルミニウム、酸化コバルト、酸化チタン、酸化クロ
ム、酸化マグネシウム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化
アルミニウム、窒化チタン、窒化クロム等を挙げること
ができる。これらを単独で、もしくは２種類以上を組み
合わせて用いても構わない。また、磁性材料も、ＣｏＰ
ｔ系に限定されない。また、用いる磁性材料が、ＣｏＣ
ｒ系、ＮｉＦｅ系等、基板加熱を行わずに磁性粒子の分
離が実現できる材料であれば、上記非磁性の無機材料と
ともに用いなくてもよい。
【００２９】（第２の実施の形態）磁性粒子を非磁性材
料中に分散させたグラニュラー磁性膜を用いる場合に
は、下地によって結晶配向が影響されないため、下地層
を形成せずに、基板上に直接磁性層を形成してもよい。
図３を用いて、このような形態について説明する。
料中に分散させたグラニュラー磁性膜を用いる場合に
は、下地によって結晶配向が影響されないため、下地層
を形成せずに、基板上に直接磁性層を形成してもよい。
図３を用いて、このような形態について説明する。
【００３０】図３に示した本発明の磁気記録媒体の別の
一例によれば、ガラス基板１上に、第１の磁性層３、中
間分離層４、第１の磁性層５、保護層６および潤滑剤層
７が、この順に積層されて磁気記録媒体が構成される。
一例によれば、ガラス基板１上に、第１の磁性層３、中
間分離層４、第１の磁性層５、保護層６および潤滑剤層
７が、この順に積層されて磁気記録媒体が構成される。
【００３１】このように下地層を用いない場合であって
も、磁性層を所定厚さの中間分離層によって分割するこ
とにより、ノイズを低減し、Ｓ／Ｎ比も改善することが
できる。
も、磁性層を所定厚さの中間分離層によって分割するこ
とにより、ノイズを低減し、Ｓ／Ｎ比も改善することが
できる。
【００３２】図３に示したような構成を有する磁気記録
媒体を、下地層を形成しない点、および磁性層としてグ
ラニュラー磁性膜を形成した点を除いては、上記実施の
形態１と同様にして、作製した。
媒体を、下地層を形成しない点、および磁性層としてグ
ラニュラー磁性膜を形成した点を除いては、上記実施の
形態１と同様にして、作製した。
【００３３】なお、グラニュラー磁性膜の材料として
は、ＳｉＯ2を添加したＣｏ85Ｐｔ15を用い、室温、５
０mTorr（Ａｒ圧）の条件で成膜した。
は、ＳｉＯ2を添加したＣｏ85Ｐｔ15を用い、室温、５
０mTorr（Ａｒ圧）の条件で成膜した。
【００３４】この磁気記録媒体についても、中間分離層
の厚さと磁気特性との関係を調査した。結果を図４に示
す。
の厚さと磁気特性との関係を調査した。結果を図４に示
す。
【００３５】図４に示したように、グラニュラー磁性膜
を用いた場合も、中間分離層の厚さが１０ｎｍ〜６０ｎ
ｍのときに、目標とするＳ／Ｎ比を上回る特性を得るこ
とができた。
を用いた場合も、中間分離層の厚さが１０ｎｍ〜６０ｎ
ｍのときに、目標とするＳ／Ｎ比を上回る特性を得るこ
とができた。
【００３６】グラニュラー磁性膜を用いる場合、成膜時
に基板を３００℃以上に加熱するときには、中間分離層
に用いた金属原子が磁性粒子内に拡散して磁気特性を劣
化させるおそれがある。このため、中間分離層には、Ｓ
ｉＯ2等非磁性の無機材料を用いることが好ましい。
に基板を３００℃以上に加熱するときには、中間分離層
に用いた金属原子が磁性粒子内に拡散して磁気特性を劣
化させるおそれがある。このため、中間分離層には、Ｓ
ｉＯ2等非磁性の無機材料を用いることが好ましい。
【００３７】この場合、非磁性の無機材料としては、Ｓ
ｉＯ2に限定されない。具体的には、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化コバルト、酸化チタン、酸化クロム、
酸化マグネシウム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アル
ミニウム、窒化チタンおよび窒化クロムから選ばれる少
なくとも１つからなる層を用いればよい。
ｉＯ2に限定されない。具体的には、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化コバルト、酸化チタン、酸化クロム、
酸化マグネシウム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アル
ミニウム、窒化チタンおよび窒化クロムから選ばれる少
なくとも１つからなる層を用いればよい。
【００３８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来の磁気記録媒体と同程度の出力特性および周波
数特性を確保しながら、ノイズ特性およびＳ／Ｎ比が改
善された高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることが
できる。
ば、従来の磁気記録媒体と同程度の出力特性および周波
数特性を確保しながら、ノイズ特性およびＳ／Ｎ比が改
善された高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることが
できる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】 図１に示した構成を有する磁気記録媒体の中
間分離層の厚さと規格化媒体ノイズおよびＳ／Ｎ比との
関係を示す図である。
間分離層の厚さと規格化媒体ノイズおよびＳ／Ｎ比との
関係を示す図である。
【図３】 本発明の磁気記録媒体の別の一例を示す断面
図である。
図である。
【図４】 図２に示した構成を有する磁気記録媒体の中
間分離層の厚さとＳ／Ｎ比との関係を示す図である。
間分離層の厚さとＳ／Ｎ比との関係を示す図である。
１ ガラス基板 ２ 下地層 ３ 第１の磁性層 ４ 中間分離層 ５ 第２の磁性層 ６ 保護層 ７ 潤滑剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴 泰明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 東間 清和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB07 BB08 DA03 DA06 EA03 FA09 5E049 AA04 AA09 BA06 DB04 DB12 DB14
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面上に下地層を形成し、前記下
地層上に磁性薄膜を形成し、前記磁性薄膜上に保護層を
形成した磁気記録媒体であって、前記磁性薄膜が、５ｎ
ｍを超える厚さを有する非磁性の中間分離層によって少
なくとも２層に分離されていることを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 基板の表面上に磁性薄膜を形成し、前記
磁性薄膜上に保護層を形成した磁気記録媒体であって、
前記磁性薄膜が、５ｎｍを超える厚さを有する非磁性の
中間分離層によって少なくとも２層に分離されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 中間分離層の厚さが１０ｎｍ〜６０ｎｍ
である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 中間分離層が、Ｃｒ、Ｃｒ合金、ＮｉＡ
ｌ、ＴｉおよびＮｉＴｉから選ばれる少なくとも１つを
含む非磁性金属膜からなる請求項１〜３のいずれかに記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 中間分離層が、酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、酸化コバルト、酸化チタン、酸化クロム、酸化マ
グネシウム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、窒化チタンおよび窒化クロムから選ばれる少なくと
も１つを含む請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35567698A JP2000182233A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35567698A JP2000182233A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182233A true JP2000182233A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18445206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35567698A Pending JP2000182233A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005034095A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
| US7901803B2 (en) | 2003-10-06 | 2011-03-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP35567698A patent/JP2000182233A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005034095A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
| US7901803B2 (en) | 2003-10-06 | 2011-03-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3143611B2 (ja) | 磁気薄膜媒体用の超薄核形成層および該層の製造方法 | |
| JPS63237210A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10334444A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3359706B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2000182233A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2002324313A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2001250223A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JP4066845B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US6826825B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic recording medium | |
| JPH09265619A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 | |
| JP3901755B2 (ja) | 磁気記録体 | |
| JP2001291220A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP3658586B2 (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 | |
| JP2000123345A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
| JPH0512647A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2000163732A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH11185237A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0831639A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH11175944A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JPH10162338A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH11273049A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11283235A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JPH0793738A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08138224A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JPH09265620A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 |