JP2001291220A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は低ノイズ化を図りつつより高
密度化した磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 基板上に少なくとも非磁性の下地層とそ
の上方に形成される磁気記録層とを有する磁気記録媒体
であって、前記磁気記録層はＣｏを主成分として含む共
に、Ｃｒを１０から１８ａｔ％未満、Ｐｔを５から１２
ａｔ％及びＢを１０から２０ａｔ％含んだ構成である。
密度化した磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 基板上に少なくとも非磁性の下地層とそ
の上方に形成される磁気記録層とを有する磁気記録媒体
であって、前記磁気記録層はＣｏを主成分として含む共
に、Ｃｒを１０から１８ａｔ％未満、Ｐｔを５から１２
ａｔ％及びＢを１０から２０ａｔ％含んだ構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置等
として使用される磁気記録媒体に関し、より詳しくは高
い信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を図りしつつ、高密度化
を実現した磁気記録媒体の構成に関する。
として使用される磁気記録媒体に関し、より詳しくは高
い信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を図りしつつ、高密度化
を実現した磁気記録媒体の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ等で使用する磁気記録媒体
としてはランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディス
クが広く用いられている。その中でも応答性が優れてい
ること、記憶容量が大きいこと等から、基板にアルミニ
ウムやガラス等の硬質材料を用いた磁気ディスク（ＨＤ
Ｄ：ハードディスク）が使用されている。従来、このア
ルミ基板等の非磁性基板上にＣｒ下地層を介し、Ｃｏを
主成分とする磁性合金からなる磁気記録層を形成して磁
気ヘッドからの磁気的信号を記録するようにしている。
としてはランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディス
クが広く用いられている。その中でも応答性が優れてい
ること、記憶容量が大きいこと等から、基板にアルミニ
ウムやガラス等の硬質材料を用いた磁気ディスク（ＨＤ
Ｄ：ハードディスク）が使用されている。従来、このア
ルミ基板等の非磁性基板上にＣｒ下地層を介し、Ｃｏを
主成分とする磁性合金からなる磁気記録層を形成して磁
気ヘッドからの磁気的信号を記録するようにしている。
【０００３】そして、近年の高度情報化に伴い、上記磁
気ディスク装置に対してますます高密度化への要求が高
くなっている。そのためには磁気記録媒体のノイズレベ
ルを下げること、すなわちＳ／Ｎ比を向上させることが
必要である。その対策としては、磁性粒径を小さくした
り、磁性粒子間の磁気的相互作用の切断等が必要であ
り、Ｃｏを主成分とした様々な組成の合金について研究
がなされている。１０Ｇｂ／ｉｎｃｈ２を越える高記録
密度な磁気記録媒体を実現するためには、磁気記録層を
高保磁力化すると共に低ノイズ化を図ることが必要であ
る。そのような条件を満たす材料として、例えば米国特
許第５５２３１７３号にはＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｂ合金薄
膜が提案されている。
気ディスク装置に対してますます高密度化への要求が高
くなっている。そのためには磁気記録媒体のノイズレベ
ルを下げること、すなわちＳ／Ｎ比を向上させることが
必要である。その対策としては、磁性粒径を小さくした
り、磁性粒子間の磁気的相互作用の切断等が必要であ
り、Ｃｏを主成分とした様々な組成の合金について研究
がなされている。１０Ｇｂ／ｉｎｃｈ２を越える高記録
密度な磁気記録媒体を実現するためには、磁気記録層を
高保磁力化すると共に低ノイズ化を図ることが必要であ
る。そのような条件を満たす材料として、例えば米国特
許第５５２３１７３号にはＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｂ合金薄
膜が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記提案においては、
磁気記録層について主成分であるＣｏの他、Ｐｔが４か
ら１２ａｔ％、Ｃｒが１８から２３ａｔ％、Ｂが２から
１０ａｔ％であることが好適な組成範囲であると規定さ
れている。しかし、上述したように高記録密度への要求
に応えるべく長手記録において１０Ｇｂ／ｉｎｃｈ２以
上の高記録密度を実現するには、充分な記録分解能が求
められる。そのためには、磁気記録層を薄膜化すること
が必要となる。
磁気記録層について主成分であるＣｏの他、Ｐｔが４か
ら１２ａｔ％、Ｃｒが１８から２３ａｔ％、Ｂが２から
１０ａｔ％であることが好適な組成範囲であると規定さ
れている。しかし、上述したように高記録密度への要求
に応えるべく長手記録において１０Ｇｂ／ｉｎｃｈ２以
上の高記録密度を実現するには、充分な記録分解能が求
められる。そのためには、磁気記録層を薄膜化すること
が必要となる。
【０００５】ところが、上記組成を有する磁気記録層に
おいては、Ｃｒを高濃度に維持して低ノイズ化を図るも
のであるため、これに起因して低い飽和磁化（Ｍｓ）と
なる傾向がある。よって、このような磁気記録層を有す
る従来の磁気記録媒体では、磁気記録層を薄膜化すると
再生信号の出力が不十分となる。
おいては、Ｃｒを高濃度に維持して低ノイズ化を図るも
のであるため、これに起因して低い飽和磁化（Ｍｓ）と
なる傾向がある。よって、このような磁気記録層を有す
る従来の磁気記録媒体では、磁気記録層を薄膜化すると
再生信号の出力が不十分となる。
【０００６】したがって、本発明の主な目的は低ノイズ
化を図りつつ、より高密度化させた磁気記録媒体を提供
することである。
化を図りつつ、より高密度化させた磁気記録媒体を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は請求項１に記
載される如く、基板上に少なくとも非磁性の下地層とそ
の上方に形成される磁気記録層とを有する磁気記録媒体
であって、前記磁気記録層は主成分としてＣｏを含む共
に、Ｃｒを１０から１８ａｔ％未満、Ｐｔを５から１２
ａｔ％及びＢを１０から２０ａｔ％含む磁気記録媒体に
より達成される。請求項１記載の発明によれば、低ノイ
ズ化を図りつつ、より高密度化した磁気記録媒体を提供
できる。
載される如く、基板上に少なくとも非磁性の下地層とそ
の上方に形成される磁気記録層とを有する磁気記録媒体
であって、前記磁気記録層は主成分としてＣｏを含む共
に、Ｃｒを１０から１８ａｔ％未満、Ｐｔを５から１２
ａｔ％及びＢを１０から２０ａｔ％含む磁気記録媒体に
より達成される。請求項１記載の発明によれば、低ノイ
ズ化を図りつつ、より高密度化した磁気記録媒体を提供
できる。
【０００８】また、請求項２に記載される如く、請求項
１記載の磁気記録媒体において、前記下地層はＣｒを主
成分とし、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅからな
る群から選択された少なくとも１種類の元素を含有する
合金として構成してもよい。また、請求項３に記載され
る如く、請求項２記載の磁気記録媒体において、前記下
地層はＣｒを除いた材料の含有量が５から３０ａｔ％で
ある構成してもよい。
１記載の磁気記録媒体において、前記下地層はＣｒを主
成分とし、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅからな
る群から選択された少なくとも１種類の元素を含有する
合金として構成してもよい。また、請求項３に記載され
る如く、請求項２記載の磁気記録媒体において、前記下
地層はＣｒを除いた材料の含有量が５から３０ａｔ％で
ある構成してもよい。
【０００９】また、請求項４に記載される如く、請求項
２記載の磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁気
記録層の間にｈｃｐ構造を有する非磁性金属中間層を有
する構成としてもよい。
２記載の磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁気
記録層の間にｈｃｐ構造を有する非磁性金属中間層を有
する構成としてもよい。
【００１０】さらに、本発明には請求項５に記載される
如く、請求項１から４いずれかに記載の磁気記録媒体を
含む磁気記録装置を提供することも含む。
如く、請求項１から４いずれかに記載の磁気記録媒体を
含む磁気記録装置を提供することも含む。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下では本発明の磁気記録媒体を
より詳細に説明する。本発明の磁気記録媒体の磁気記録
層はＣｏを主成分とし、さらに少なくともＣｒ、Ｐｔ、
Ｂ（ホウ素）の添加材料を含む構成である。そして、こ
れら添加材料の組成を所定範囲に規定することで従来に
おいては困難とされていた低ノイズ性を備えつつ、さら
に薄膜化し高記録密度化した磁気記録層を実現してい
る。
より詳細に説明する。本発明の磁気記録媒体の磁気記録
層はＣｏを主成分とし、さらに少なくともＣｒ、Ｐｔ、
Ｂ（ホウ素）の添加材料を含む構成である。そして、こ
れら添加材料の組成を所定範囲に規定することで従来に
おいては困難とされていた低ノイズ性を備えつつ、さら
に薄膜化し高記録密度化した磁気記録層を実現してい
る。
【００１２】一般に、ＣｏにＣｒを添加するとＣｏをコ
アとした磁性粒子の周り（粒界）にＣｒが析出し、Ｃｒ
濃度の高い領域を作ることが知られている。ここでＣｏ
磁性粒子間に存在する非磁性のＣｒ濃度の高い部分は磁
性粒子間の磁気的相互作用を低減するのに役立ち、磁気
記録媒体の記録再生特性を向上させる。そして、Ｂを含
まないＣｏ−Ｃｒ系合金ではＣｒ濃度を２０ａｔ％以上
とすることで磁気的な相互作用が低減されるので低ノイ
ズ化が図られ、良好な記録再生特性が得られるとされて
いる。このＣｒ濃度を高めに設定する傾向は前記米国特
許第５５２３１７３号にも表れており、Ｃｒ濃度が１８
から２３ａｔ％となっている。
アとした磁性粒子の周り（粒界）にＣｒが析出し、Ｃｒ
濃度の高い領域を作ることが知られている。ここでＣｏ
磁性粒子間に存在する非磁性のＣｒ濃度の高い部分は磁
性粒子間の磁気的相互作用を低減するのに役立ち、磁気
記録媒体の記録再生特性を向上させる。そして、Ｂを含
まないＣｏ−Ｃｒ系合金ではＣｒ濃度を２０ａｔ％以上
とすることで磁気的な相互作用が低減されるので低ノイ
ズ化が図られ、良好な記録再生特性が得られるとされて
いる。このＣｒ濃度を高めに設定する傾向は前記米国特
許第５５２３１７３号にも表れており、Ｃｒ濃度が１８
から２３ａｔ％となっている。
【００１３】しかし、本発明者等はＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−
Ｂを含む合金薄膜に関して、Ｂが上記Ｃｒの偏析を促進
させる機能を有することに着目して鋭意研究を行った。
その結果、Ｃｒ濃度が１８ａｔ％未満となるような組成
においても磁気記録層の低ノイズ化を図りつつ、より高
記録密度化を実現できることを確認したものである。特
にＢによる効果は、その濃度が高いところで顕著とな
る。Ｂの濃度は１０ａｔ％以上、好ましくは１０ａｔ％
から２０ａｔ％、より好ましくは１０ａｔ％から１４ａ
ｔ％である。その反対にＣｒの濃度は従来より低くな
り、その濃度は１８ａｔ％未満、好ましくは１０ａｔ％
から１４ａｔ％とした場合にＣｏ磁性粒子の孤立・微細
化させた磁気記録層を実現できる。この磁気記録層はＣ
ｒ組成を高くすることによりＣｏ磁気粒子の孤立・微細
化を行った従来の磁気記録層と比較して高いＭｓを有す
るのでより薄膜化することが可能となり、高記録密度領
域において高い信号出力を得ることを可能とする。よっ
て、本発明により高記録密度領域においても高いＳ／Ｎ
を得られる磁気記録媒体を得ることができる。また、磁
気記録情報の長期安定化に優れた磁気記録媒体となる。
Ｂを含む合金薄膜に関して、Ｂが上記Ｃｒの偏析を促進
させる機能を有することに着目して鋭意研究を行った。
その結果、Ｃｒ濃度が１８ａｔ％未満となるような組成
においても磁気記録層の低ノイズ化を図りつつ、より高
記録密度化を実現できることを確認したものである。特
にＢによる効果は、その濃度が高いところで顕著とな
る。Ｂの濃度は１０ａｔ％以上、好ましくは１０ａｔ％
から２０ａｔ％、より好ましくは１０ａｔ％から１４ａ
ｔ％である。その反対にＣｒの濃度は従来より低くな
り、その濃度は１８ａｔ％未満、好ましくは１０ａｔ％
から１４ａｔ％とした場合にＣｏ磁性粒子の孤立・微細
化させた磁気記録層を実現できる。この磁気記録層はＣ
ｒ組成を高くすることによりＣｏ磁気粒子の孤立・微細
化を行った従来の磁気記録層と比較して高いＭｓを有す
るのでより薄膜化することが可能となり、高記録密度領
域において高い信号出力を得ることを可能とする。よっ
て、本発明により高記録密度領域においても高いＳ／Ｎ
を得られる磁気記録媒体を得ることができる。また、磁
気記録情報の長期安定化に優れた磁気記録媒体となる。
【００１４】次に本実施例にかかる磁気記録媒体１０の
概要構成を示す図１に基づき、その製造方法の一例を説
明する。その表面が良く洗浄され、所望のテクスチャ処
理が施されているＮｉＰ−Ａｌ基板１上に、ＤＣマグネ
トロンスパック装置によりＣｒ９０Ｍｏ１０（原子比
率：ａｔ％）である下地層２、Ｃｏ６０ＰｔｌｌＣｒ１
４Ｂ１４の組成を有する磁気記録層３、炭素（Ｃ）系保
護層４を順次積層する。下地層２の成膜前における成膜
室内の真空度を３×１０−７Ｔｏｒｒ以下に排気し、基
板１の温度を２２０℃程度に加熱した。ここで、各層の
成膜は、成膜室の真空度を５ｍＴｏｒｒに保つようにア
ルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、印可バイアスを−１００
Ｖとして行なった。下地層２、磁気記録層３の膜厚はそ
れぞれ２５ｎｍ、１６ｎｍとなるように制御した。
概要構成を示す図１に基づき、その製造方法の一例を説
明する。その表面が良く洗浄され、所望のテクスチャ処
理が施されているＮｉＰ−Ａｌ基板１上に、ＤＣマグネ
トロンスパック装置によりＣｒ９０Ｍｏ１０（原子比
率：ａｔ％）である下地層２、Ｃｏ６０ＰｔｌｌＣｒ１
４Ｂ１４の組成を有する磁気記録層３、炭素（Ｃ）系保
護層４を順次積層する。下地層２の成膜前における成膜
室内の真空度を３×１０−７Ｔｏｒｒ以下に排気し、基
板１の温度を２２０℃程度に加熱した。ここで、各層の
成膜は、成膜室の真空度を５ｍＴｏｒｒに保つようにア
ルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、印可バイアスを−１００
Ｖとして行なった。下地層２、磁気記録層３の膜厚はそ
れぞれ２５ｎｍ、１６ｎｍとなるように制御した。
【００１５】なお、上記下地層２についてはＣｒ系の合
金を広く用いることができ、例えば上記Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅから少なくとも１種を選択して
使用するとことが好ましい。この場合に、下地層２の組
成中でＣｒを除いたこれら材料の濃度は５から３０ａｔ
％の範囲とし、そのときの下地層２の膜厚は５から３０
ｎｍ程度に設定することが推奨される。
金を広く用いることができ、例えば上記Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅから少なくとも１種を選択して
使用するとことが好ましい。この場合に、下地層２の組
成中でＣｒを除いたこれら材料の濃度は５から３０ａｔ
％の範囲とし、そのときの下地層２の膜厚は５から３０
ｎｍ程度に設定することが推奨される。
【００１６】さらに、上記磁気記録層３をより望ましい
状態で形成するために下地層２との間に中間層を介して
もよい。この場合には下地層２上に例えばＣｏ−Ｃｒ−
Ｍｏ等のｈｃｐ構造を有する非磁性金属中間層を形成
し、その上に上記磁気記録層３を形成する。また、上記
Ｍｏの他、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅ
から選択した材料を使用してもよく、さらにこれらを組
合せて使用してもよい。なお、この非磁性金属中間層は
１から８ｎｍ程度に形成することが推奨される。下記表
１には従来の磁気記録媒体と本実施例で製造した磁気記
録媒体の性能比較を示す。基板、下地層、保護層は双方
において同様の構成とした。すなわち、３．５インチＮ
ｉＰメッキ付きＡｌ基板（テクスチャ処理あり）、下地
層２としてＣｒ９０Ｍｏ１０を２５ｎｍ、炭素系の保護
層４を１０ｎｍとした。
状態で形成するために下地層２との間に中間層を介して
もよい。この場合には下地層２上に例えばＣｏ−Ｃｒ−
Ｍｏ等のｈｃｐ構造を有する非磁性金属中間層を形成
し、その上に上記磁気記録層３を形成する。また、上記
Ｍｏの他、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅ
から選択した材料を使用してもよく、さらにこれらを組
合せて使用してもよい。なお、この非磁性金属中間層は
１から８ｎｍ程度に形成することが推奨される。下記表
１には従来の磁気記録媒体と本実施例で製造した磁気記
録媒体の性能比較を示す。基板、下地層、保護層は双方
において同様の構成とした。すなわち、３．５インチＮ
ｉＰメッキ付きＡｌ基板（テクスチャ処理あり）、下地
層２としてＣｒ９０Ｍｏ１０を２５ｎｍ、炭素系の保護
層４を１０ｎｍとした。
【００１７】それぞれの磁気記録媒体における磁気記録
層の膜厚は、媒体磁性層の残留磁化強度（Ｍｒ）と膜厚
の積が同じとなるように調整した。
層の膜厚は、媒体磁性層の残留磁化強度（Ｍｒ）と膜厚
の積が同じとなるように調整した。
【００１８】従来例の構成では磁気記録層に含まれるＣ
ｒが２２ａｔ％であり、Ｂが６ａｔ％である。一方、本
実施例の磁気記録層に含まれるＣｒは２０ａｔ％よりか
なり低濃度の１４ａｔ％であり、反対にＢの濃度が１４
ａｔ％と高くなっている。
ｒが２２ａｔ％であり、Ｂが６ａｔ％である。一方、本
実施例の磁気記録層に含まれるＣｒは２０ａｔ％よりか
なり低濃度の１４ａｔ％であり、反対にＢの濃度が１４
ａｔ％と高くなっている。
【００１９】その結果、磁気記録層３の膜厚が従来１８
ｎｍであるのと比較して、約１７％も薄くなり、１５ｎ
ｍまで薄膜化が図られている。これと共に、周方向（磁
気ディスクにおけるトラック方向）で測定した保磁力Ｈ
ｃも３５００Ｏｅから４２００Ｏｅまで大幅に増加して
いる。
ｎｍであるのと比較して、約１７％も薄くなり、１５ｎ
ｍまで薄膜化が図られている。これと共に、周方向（磁
気ディスクにおけるトラック方向）で測定した保磁力Ｈ
ｃも３５００Ｏｅから４２００Ｏｅまで大幅に増加して
いる。
【００２０】よって、本実施例の磁気記録媒体は従来の
磁気記録媒体よりも高記録密度化が実現されていること
が確認できる。
磁気記録媒体よりも高記録密度化が実現されていること
が確認できる。
【００２１】表１から明らかなように、孤立波S／Ｎ
（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）比こそ同じ値であるが、信号記録密
度２７０（ｋｆｃｉ）におけるＳ／Ｎ（Ｓ／Ｎｍ）比は
本実施例の磁気記録媒体が従来の磁気記録媒体を１（ｄ
Ｂ）以上、上回っている。
（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）比こそ同じ値であるが、信号記録密
度２７０（ｋｆｃｉ）におけるＳ／Ｎ（Ｓ／Ｎｍ）比は
本実施例の磁気記録媒体が従来の磁気記録媒体を１（ｄ
Ｂ）以上、上回っている。
【００２２】
【表１】 本実施例で示した製造例では、非磁性の支持体としてＮ
ｉＰ−Ａｌ基板を用いたが、ガラス基板を用いても同様
な結果を得ることができる。特にガラス基板にＮｉＰを
スバッタリング法で成膜した基板を用いた場合、ＮｉＰ
−Ａｌ基板を用いた場合と同等の結果が得られている。
ｉＰ−Ａｌ基板を用いたが、ガラス基板を用いても同様
な結果を得ることができる。特にガラス基板にＮｉＰを
スバッタリング法で成膜した基板を用いた場合、ＮｉＰ
−Ａｌ基板を用いた場合と同等の結果が得られている。
【００２３】なお、前述した製造工程において、ＮｉＰ
−Ａｌ基板を採用する場合は上記磁気記録層３を成膜す
るときの温度を１６０から３２０℃程度とするのが好ま
しく、ガラス基板を採用する場合の温度は１６０から４
００℃程度とするのが好ましい。
−Ａｌ基板を採用する場合は上記磁気記録層３を成膜す
るときの温度を１６０から３２０℃程度とするのが好ま
しく、ガラス基板を採用する場合の温度は１６０から４
００℃程度とするのが好ましい。
【００２４】次に、図２及び図３により、本実施例の磁
気記録媒体に関して、Ｃｒ濃度及びＢ濃度を順じ変更し
たときの磁気特性の変化について説明する。
気記録媒体に関して、Ｃｒ濃度及びＢ濃度を順じ変更し
たときの磁気特性の変化について説明する。
【００２５】図２はＣｒ及びＢ濃度を揃えて変化させた
ときの保磁力Ｈｃについて示す図であり、図３はＣｒ及
びＢ濃度を揃えて変化させたときの、飽和磁化強度（Ｍ
ｓ）と残留磁化強度（Ｍｒ）のそれぞれについて示す図
である。
ときの保磁力Ｈｃについて示す図であり、図３はＣｒ及
びＢ濃度を揃えて変化させたときの、飽和磁化強度（Ｍ
ｓ）と残留磁化強度（Ｍｒ）のそれぞれについて示す図
である。
【００２６】図２はＣｏ８５Ｐｔ１５にＣｒＢを添加し
た時に、円板状基板の周方向での面内方向の保磁力（Ｈ
ｃ；Ｏｅ）を示している。ＣｒとＢが１０ａｔ％でＨｃ
は極大値約５２００（Ｏｅ）という高い値を示してい
る。Ｃｒ及びＢの濃度が１４ａｔ％においてもＨｃは４
０００（Ｏｅ）以上の値を保持していることが示されて
いる。なお、ここでの保磁力評価にはＫｅｒｒ効果磁力
計を使用した。
た時に、円板状基板の周方向での面内方向の保磁力（Ｈ
ｃ；Ｏｅ）を示している。ＣｒとＢが１０ａｔ％でＨｃ
は極大値約５２００（Ｏｅ）という高い値を示してい
る。Ｃｒ及びＢの濃度が１４ａｔ％においてもＨｃは４
０００（Ｏｅ）以上の値を保持していることが示されて
いる。なお、ここでの保磁力評価にはＫｅｒｒ効果磁力
計を使用した。
【００２７】図３はＣｏ８５Ｐｔ１５にＣｒＢを添加し
た時に、飽和磁化強度（Ｍｓ；ｅｍｕ／ｃｃ）、残留磁
化強度（Ｍｒ；ｅｍｕ／ｃｃ）それぞれについて示して
いる。Ｃｒ及びＢの濃度が１４ａｔ％においても飽和磁
化強度Ｍｓは３４０（ｅｍｕ／ｃｃ）を保持している。
た時に、飽和磁化強度（Ｍｓ；ｅｍｕ／ｃｃ）、残留磁
化強度（Ｍｒ；ｅｍｕ／ｃｃ）それぞれについて示して
いる。Ｃｒ及びＢの濃度が１４ａｔ％においても飽和磁
化強度Ｍｓは３４０（ｅｍｕ／ｃｃ）を保持している。
【００２８】ところで、Ｃｏ、Ｐｔに関する組成が同等
であり、Ｃｒ濃度が高く、Ｂの濃度が低い従来の低ノイ
ズを指向していた磁気記録媒体（例えばＣｏ６２Ｐｔ
１０Ｃｒ２２Ｂ６）の飽和磁化強度Ｍｓは２８０ｅｍｕ
／ｃｃであった。本実施例の磁気記録媒体は従来の磁気
記録媒体と比較すると２割以上も高いＭｓ値となる。よ
って、図２及び図３からも本実施例の磁気記録媒体が高
記録密度化に適したものであることが確認できる。
であり、Ｃｒ濃度が高く、Ｂの濃度が低い従来の低ノイ
ズを指向していた磁気記録媒体（例えばＣｏ６２Ｐｔ
１０Ｃｒ２２Ｂ６）の飽和磁化強度Ｍｓは２８０ｅｍｕ
／ｃｃであった。本実施例の磁気記録媒体は従来の磁気
記録媒体と比較すると２割以上も高いＭｓ値となる。よ
って、図２及び図３からも本実施例の磁気記録媒体が高
記録密度化に適したものであることが確認できる。
【００２９】なお、上記図２及び図３に示した例では、
試験条件の便宜のため、ＣｒとＢとを同じ濃度として磁
気特性の確認を行ったが、これに限らず勿論ＣｒとＢと
を異なる濃度としてもよい。
試験条件の便宜のため、ＣｒとＢとを同じ濃度として磁
気特性の確認を行ったが、これに限らず勿論ＣｒとＢと
を異なる濃度としてもよい。
【００３０】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を、図４及び図５と共に説明する。図４は磁気記憶装
置の一実施例の要部を示す断面図であり、図５は同装置
の要部を示す平面図である。
例を、図４及び図５と共に説明する。図４は磁気記憶装
置の一実施例の要部を示す断面図であり、図５は同装置
の要部を示す平面図である。
【００３１】図４及び図５に示すように、磁気記憶装置
は大略ハウジング１３からなる。ハウジング１３内に
は、モータ１４、ハブ１５、複数の磁気記録媒体１０、
複数の記録再生ヘッド１７、複数のサスペンション１
８、複数のアーム１９及びアクチュエータユニット２０
が設けられている。磁気記録媒体１０はモータ１４によ
り回転されるハブ１５に取付けられている。記録再生ヘ
ッド１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッド
と、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからな複合
型のヘッドである。各記録再生ヘッド１７は、対応する
アーム１９の先端にサスペンション１８を介して取付け
られている。アーム１９はアクチュエータユニット２０
により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は
周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
は大略ハウジング１３からなる。ハウジング１３内に
は、モータ１４、ハブ１５、複数の磁気記録媒体１０、
複数の記録再生ヘッド１７、複数のサスペンション１
８、複数のアーム１９及びアクチュエータユニット２０
が設けられている。磁気記録媒体１０はモータ１４によ
り回転されるハブ１５に取付けられている。記録再生ヘ
ッド１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッド
と、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからな複合
型のヘッドである。各記録再生ヘッド１７は、対応する
アーム１９の先端にサスペンション１８を介して取付け
られている。アーム１９はアクチュエータユニット２０
により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は
周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００３２】上記磁気記憶装置の実施例は磁気記録媒体
１０に特徴がある。各磁気記録媒体１０は、図１から図
３で説明した構成を有する。勿論、磁気記録媒体１０の
数は３枚には限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上
であってもよい。
１０に特徴がある。各磁気記録媒体１０は、図１から図
３で説明した構成を有する。勿論、磁気記録媒体１０の
数は３枚には限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上
であってもよい。
【００３３】本磁気記憶装置の基本構成は、図４及び図
５に示すものに限定されるものではない。また、本発明
で用いる磁気記憶媒体は磁気ディスクに限定されるもの
ではない。
５に示すものに限定されるものではない。また、本発明
で用いる磁気記憶媒体は磁気ディスクに限定されるもの
ではない。
【００３４】以上本発明の好ましい実施例について詳述
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したところから明らかなように
本発明によれば、Ｃｏを主成分としてＣｒ、Ｐｔ及びＢ
を含む組成で形成される磁気記録層を有する磁気記録媒
体おいて、従来と比較してＢの濃度をより高くし、かつ
Ｃｒの濃度が低くなるようにしたので低ノイズ化を図り
つつ、より高密度化した磁気記録媒体を提供できる。
本発明によれば、Ｃｏを主成分としてＣｒ、Ｐｔ及びＢ
を含む組成で形成される磁気記録層を有する磁気記録媒
体おいて、従来と比較してＢの濃度をより高くし、かつ
Ｃｒの濃度が低くなるようにしたので低ノイズ化を図り
つつ、より高密度化した磁気記録媒体を提供できる。
【００３６】そして、このような磁気記録媒体を採用す
る磁気記憶装置は高密度化に対応し、記録再生を高感度
に行うことができる。
る磁気記憶装置は高密度化に対応し、記録再生を高感度
に行うことができる。
【図１】本実施例にかかる磁気記録媒体の概要構成につ
いて示す図である。
いて示す図である。
【図２】実施例の磁気記録層のＣｒ及びＢ濃度を揃えて
変化させたときの保磁力Ｈｃについて示す図である。
変化させたときの保磁力Ｈｃについて示す図である。
【図３】実施例の磁気記録層のＣｒ及びＢ濃度を揃えて
変化させたときの、飽和磁化強度（Ｍｓ）と残留磁化強
度（Ｍｒ）のそれぞれについて示す図である。
変化させたときの、飽和磁化強度（Ｍｓ）と残留磁化強
度（Ｍｒ）のそれぞれについて示す図である。
【図４】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 下地層 ３ 磁気記録層 ４ 保護層 １０ 磁気記録媒体 １３ ハウジング １７ 記録再生ヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも非磁性の下地層とそ
の上方に形成される磁気記録層とを有する磁気記録媒体
であって、 前記磁気記録層は主成分としてＣｏを含む共に、Ｃｒを
１０から１８ａｔ％未満、Ｐｔを５から１２ａｔ％及び
Ｂを１０から２０ａｔ％含む磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記下地層はＣｒを主成分とし、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＲｅからなる群から選択され
た少なくとも１種類の元素を含有する合金からなること
を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地層はＣｒを除いた材料の含有量
が５から３０ａｔ％であることを特徴とする請求項２記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記下地層と前記磁気記録層の間にｈｃ
ｐ構造を有する非磁性金属中間層を有することを特徴と
する請求項１から３いずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１から４いずれかに記載の磁気記
録媒体を含む磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000107073A JP2001291220A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US09/723,250 US6713196B1 (en) | 2000-04-07 | 2000-11-27 | Magnetic recording medium and magnetic recording device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000107073A JP2001291220A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291220A true JP2001291220A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18620121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000107073A Pending JP2001291220A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6713196B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001291220A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021002559A (ja) * | 2019-06-20 | 2021-01-07 | キオクシア株式会社 | 積層体及び磁気デバイス |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523173A (en) | 1994-12-27 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation |
| JP3805018B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2006-08-02 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| US6143388A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-07 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with onset layer |
| US6268036B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with highly faulted crystalline underlayer |
| US6403241B1 (en) * | 1999-04-14 | 2002-06-11 | Seagate Technology, Inc. | CoCrPtB medium with a 1010 crystallographic orientation |
| US6432563B1 (en) * | 2000-04-03 | 2002-08-13 | Carnegie Mellon University | Zinc enhanced hard disk media |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000107073A patent/JP2001291220A/ja active Pending
- 2000-11-27 US US09/723,250 patent/US6713196B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6713196B1 (en) | 2004-03-30 |
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