JP3648450B2 - 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体および磁気記憶装置に係り、特に1平方インチあたり50ギガビット以上の記録密度を有する磁気記録媒体と、その磁気記録媒体を組み込んだ磁気記憶装置に関する。
【0002】
【従来技術】
近年、コンピュータの扱う情報量は増加の一途をたどっており、外部記憶装置である磁気ディスク装置にはますますの大容量化と高速化とが求められている。ところが、記録密度が高まるにつれていわゆる熱揺らぎの影響が顕著になってきており、従来の面内記録方式では、1平方インチあたり40ギガビットを超える面記録密度を達成することは困難と考えられている。
【0003】
一方、垂直記録方式は、面内記録方式と異なりビット境界の反磁界が小さく、高密度記録ほど磁化が安定に保たれる特性があるため、現行の面内記録方式の熱揺らぎ限界を超える有力な手段の一つと考えられている。
垂直記録方式で用いられる媒体には、軟磁性下地層を有する二層垂直記録媒体と軟磁性下地層を有さない単層垂直記録媒体とがあるが、強い垂直記録磁界と急峻な磁界勾配が得られる単磁極型ヘッドを利用でき、単層垂直媒体に比べ記録分解能が伸びる利点があるという理由から、実用化の点で二層垂直記録媒体と単磁極型ヘッドとの組合わせが有効と考えられている。
【0004】
二層垂直記録媒体の場合、高い記録分解能が得られる反面、単層垂直記録媒体でも見られる記録層に起因するノイズに加え、軟磁性下地層に起因するノイズが問題となる。このノイズは、軟磁性下地層の磁壁から発生するスパイク状のノイズと、軟磁性下地層の磁化状態により記録層の磁化遷移が揺らぐ、いわゆる遷移性ノイズに大別される。
【0005】
スパイクノイズを低減する技術に関しては、例えば特開平7−129946号公報、特開平11−191217号公報に開示されているように、軟磁性下地層と基板の間に硬磁性ピニング層を設け、軟磁性下地層の磁区構造を制御し、スパイクノイズを低減する方法がある。しかしながら、従来の技術はスパイクノイズと遷移性ノイズの双方を低減するものでは無かったため、従来の垂直磁気記録媒体は、軟磁性下地層に起因する媒体ノイズが十分低減されたものではなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
面内記録方式の熱揺らぎ限界を超える記録密度で、二層垂直媒体と単磁極ヘッドとの組合わせによる垂直記録方式が適用されることを考慮すると、記録層起因の媒体ノイズ低減に加え、軟磁性下地層起因の媒体ノイズを大幅に低減することが必要である。
【0007】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。より具体的には、1平方インチあたり50ギガビット以上の記録密度で高い媒体S/Nを有し、媒体ノイズの低減された垂直磁気記録媒体を提供し、高密度磁気記憶装置の実現を容易ならしめることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
従来、軟磁性下地層の材料としては、NiFe、FeAlSi等の多結晶材料やCoNiZr、CoTaZr等の非晶質材料が提案されている。本発明者らは、膜形成時には実質的に非晶質であり、飽和磁束が小さいが、熱処理を施すことで強磁性のα−Fe微結晶が析出し、高い飽和磁束密度が得られる材料を軟磁性下地層に用いることで、従来の軟磁性下地層材料で見られるスパイク状のノイズを低減でき、さらに、軟磁性下地層起因の遷移性ノイズも低減できることを見出した。
【0009】
軟磁性下地層起因の媒体ノイズを低減し、かつ良好な軟磁気特性を得るためには、先述したα−Fe微結晶を均一に析出させることが重要である。このためには、軟磁性下地層の材料として主成分がFeとTaとCである合金を用い、Ta濃度を8at%以上15at%以下とすることが好ましい。Ta濃度を8at%より少なくすると膜形成時に結晶化し、媒体ノイズが大幅に増大するため望ましくない。一方、Ta濃度を15at%より大きくすると飽和磁束密度が低下し、ヘッドを補助する機能が損なわれ、高保磁力の媒体への書込みが不十分になるため望ましくない。
【0010】
更に、Ta濃度とC濃度の比(Ta濃度/C濃度)を0.5以上0.9以下とすることが望ましい。Ta濃度および、Ta濃度とC濃度の比(Ta濃度/C濃度)を上記範囲とした上で適切な熱処理を施すことにより強磁性のα−Fe微結晶をより均一に析出させることができる。Ta濃度とC濃度の比が上記範囲外であると、熱処理によるα−FeおよびTaCの分離が不十分となり、軟磁気特性が劣化するため望ましくない。
【0011】
前記FeとTaとCとを主成分とする軟磁性下地層は基板の上に直接形成しても良いが、基板の上に形成された非磁性のプリコート層を介して軟磁性下地層を形成することにより、基板材料や熱処理時の温度分布に起因する軟磁気特性の不均一性を抑制することができる。プリコート材料としては基板との密着性が良く、表面が平坦であり、熱処理による軟磁性下地層と反応が少ないものが望ましい。具体的にはNiZr合金、NiTa合金、NiNb合金、NiTaZr合金、NiNbZr合金、CoCrZr合金、NiCrZr合金等の非晶質もしくは微結晶材料を用いることができる。ここで、非晶質もしくは微結晶材料とは、粉末X線回折のθ−2θスキャンおよび薄膜X線回折の2θスキャンで明瞭な回折ピークが観察されない材料を指す。
【0012】
本発明の垂直磁気記録媒体に用いる中間層としては非磁性の非晶質もしくはhcp構造の合金を、垂直記録層としてはCoCrPt合金やCo/Pd多層膜もしくはCo/Pt多層膜等を用いることができる。特にCo/Pd多層膜やCo/Pt多層膜は、薄い膜厚で5kOe以上の高い保磁力が得られるため、本発明の軟磁性下地層と組み合わせることで記録密度の向上が可能となる。
【0013】
垂直記録層の保護層として、カーボンを主成分とする厚さ3nm以上、10nm以下の膜を形成し、更にパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を1nm以上、10nm以下の厚さで形成することにより、信頼性の高い垂直磁気記録媒体が得られる。
【0014】
本発明の磁気記憶装置は、前述した垂直磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを垂直磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁気ヘッドの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行なうための記録再生処理手段を有する磁気記憶装置において、磁気ヘッドの再生部を巨大磁気抵抗効果もしくは磁気トンネル効果を利用した高感度素子で構成する。これにより、1平方インチあたり50ギガビット以上の記録密度で高い信頼性を有する磁気記憶装置を実現することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
〔実施例1〕
図1に、本実施例の垂直磁気記録媒体の層構成を示す。基板11にはアルカリ洗浄した2.5インチ型のガラス基板を用い、プリコート層12、軟磁性下地層13、中間層14、垂直記録層15、保護層16をDCマグネトロンスパッタリング法により順次積層した。軟磁性下地層13の組成のみを変化させ他は同一条件にして、A〜Gの7種類の試料(試料F、Gは比較例)を作製した。各層の作製に用いたターゲットを表1に示す。
【0016】
【表1】
【0017】
製膜条件はArガス圧を0.5Paとし、軟磁性下地層13を形成後、赤外線ランプヒーターにより1600Wで12秒の熱処理(基板到達温度:450−500℃)を行った。垂直記録層15形成時の基板温度は約270℃であった。各層の膜厚はプリコート層12が30nm、軟磁性下地層13が474nm、中間層14が5nm、垂直記録層15が20nm、保護層16が5nmである。潤滑層17は、パーフルオロアルキルポリエーテル系の材料をフルオロカーボン材料で希釈し塗布した。また、軟磁性下地層13の磁気特性および微細構造を評価するため、中間層14および垂直記録層15を形成しない試料を同様な製膜条件で作製した。
【0018】
本実施例および比較例の媒体のノイズ特性を、記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて評価した。記録用のリングヘッドのギャップ長は0.3μm、記録トラック幅は1.7μm、再生用のGMRヘッドのシールド間隔は0.16μm、再生トラック幅は1.3μm、浮上量は20nmとした。ここでは媒体ノイズの指標として、200kFCIの媒体ノイズ(Nd)を20kFCIの再生出力(Slf)で規格化した値を用いた。結果を表2に示す。
【0019】
【表2】
【0020】
媒体ノイズは軟磁性下地層の組成に大きく依存し、Ta濃度が8at%以上で、かつ、Ta濃度とC濃度の比が0.5以上0.9以下にある場合(図9参照)に低いノイズ特性が得られた。表2に併せて示したように、本実施例と比較例の媒体の垂直保磁力と角形比にはそれほど大きな差が見られないことから、本実施例と比較例の媒体で見られる媒体ノイズの大きな差は軟磁性下地層に起因すると考えられる。そこで、各媒体の軟磁性下地層の微細構造をX線回折法および透過型電子顕微鏡(TEM)により調べた。
【0021】
図2に、熱処理後の軟磁性下地層のX線回折パターンを示す。比較例の媒体Fに用いたFe−6at%Ta−12at%C膜では非常に強いα−Fe 110回折ピークが観察されたが、その他の組成(図2には、一例としてFe−8at%Ta−16at%C膜の回折パターンを示す)では弱いα−Fe 110回折ピークが観察された。これは図3に示すように、Fe−6at%Ta−12at%C膜では膜形成時(熱処理前)に結晶化しているのに対し、その他の組成では膜形成時には概ね非晶質であるためである。その結果、図4のTEM明視野像および電子線回折パターンに示すように、熱処理後のFe−6at%Ta−12at%C膜は、結晶方位が概ね揃った20−30nmの結晶粒が複数合体した粒子(粒径:約100nm)から構成されているのに対し、その他の組成の膜(図4には、一例としてFe−8at%Ta−16at%C膜に対する観察結果を示す)では、粒径10nm程度の微細な結晶粒で構成されていた。したがって、Fe−Ta−C合金を軟磁性下地層として用いる場合、膜形成時に非晶質であることが重要であり、そのためにはTa濃度を8at%以上とすることが有効であることがわかる。ただし、Ta濃度を8at%とした場合でもC濃度が低い場合(比較例の媒体G)は媒体ノイズが大きいことから、Ta濃度を8at%以上にすることに加え、Ta濃度とC濃度の比(Ta濃度/C濃度)を0.5以上0.9以下にすることが必要となる。
【0022】
次に、振動試料型磁力計を用い軟磁性下地層の磁気特性を調べた。その結果を表3に示す。ここで、磁界の印加方向はヘッド走行方向とし、飽和磁束密度Bsの値は298Kで印加磁界を13kOeとした時の磁化の値から求めた。本実施例の軟磁性下地層はいずれもBsは約1.5T以上、298Kで測定した保磁力Hc(298K)は1Oe以下と優れた軟磁気特性を示した。なお、これらの磁気特性は、基板上にプリコート層と軟磁性下地層を形成し、熱処理を施した試料で測定した。
【0023】
【表3】
【0024】
図5に、298Kおよび173Kで測定した軟磁性下地層の磁化曲線を示す。図5(a)に示されるように、本実施例の軟磁性下地層の場合、173Kで測定した保磁力Hc(173K)は298Kで測定した保磁力Hc(298K)にくらべ増加している。熱揺らぎの影響は結晶粒径が小さいほど大きくなることから、本実施例の軟磁性層ではα−Fe微結晶の粒径が10nm程度と小さいことに起因してこのような低い保磁力が得られていると考えられる。一方、比較例1のFe−6at%Ta−12at%C膜は、Hc(298K)が8.7Oeと大きな値を示したが、これはα−Fe結晶粒のサイズが肥大化し、結晶磁気異方性の寄与が増大したためと考えられる。また、比較例1のFe−8at%Ta−8at%C膜では、図5(b)に示されるように173Kで測定した磁化曲線が特性の異なる磁化曲線を足し合わせたような形状を示し、Bsも1.3Tと低いことから、熱処理によるα−FeとTaCの分離がうまくいっていないと考えられる。
【0025】
以上述べたように、軟磁性下地層起因の媒体ノイズを低く抑えるためには、粒径が10nm程度のα−Fe微結晶を均一に析出させることが重要である。このような微細構造を持つ軟磁性下地層は、常温での保磁力Hc(298K)が1Oe以下と低く、低温でHcが増加する特性を有する。本実施例では、低温での保磁力Hc(173K)はいずれも3Oe以上の値を示しており、したがって、軟磁性下地層の保磁力としては、常温(298K)での値が1Oe以下、低温(173K)での値が3Oe程度以上であることが必要と考えられる。なお、本実施例では軟磁性下地層材料としてFe−Ta−C合金膜を例にとって説明したが、Hc(298K)が1Oe以下でHc(173K)が3Oe以上であれば特に材料を限定するものではない。
【0026】
本実施例の媒体Bと、記録用にトラック幅が0.25μmの単磁極ヘッド、再生用にシールド間隔が0.08μmでトラック幅が0.22μmのGMRヘッドを用いて、ヘッド浮上量が10nmの条件で記録再生を行なった。信号の再生波形をEEPR4系の信号処理回路を通してエラーレート評価を行なったところ、面記録密度50Gb/in2の条件で10−6以下のエラーレート値が得られた。なお、この評価に用いた記録再生分離型ヘッドは、図6に示すように主磁極61、記録コイル62、補助磁極兼上部シールド63、GMR素子64および下部シールド65を有してなる構成を持つものである。
【0027】
〔実施例2〕
本発明による磁気記憶装置を図7により説明する。この装置は、垂直磁気記録媒体71と、これを回転駆動する駆動部72と、磁気ヘッド73およびその駆動手段74と、前記磁気ヘッドの記録再生信号処理手段75を有してなる周知の構成を持つ磁気記憶装置である。前記磁気ヘッドは磁気ヘッドスライダの上に形成された記録再生分離型の磁気ヘッドである。単磁極型の記録ヘッドのトラック幅は0.25μm、再生用のGMRヘッドのシールド間隔は0.08μm、トラック幅は0.22μmである。
【0028】
実施例1の媒体Bを上記磁気記憶装置に組み込んでヘッド浮上量10nm、線記録密度590kBPI、トラック密度89kTPIの条件で記録再生特性を評価したところ、10℃から50℃の温度範囲において、52.5Gb/in2の面記録密度の記録再生特性仕様を十分満たした。
【0029】
〔実施例3〕
実施例2の磁気記憶装置と同様な構成で、再生ヘッドに磁気トンネル効果を利用した高感度素子を用いた磁気記憶装置に、実施例1の媒体Eを組み込んでヘッド浮上量10nm、線記録密度674kBPI、トラック密度89kTPIの条件で記録再生特性を評価したところ、10℃から50℃の温度範囲において、60Gb/in2の面記録密度の記録再生特性仕様を十分満たした。なお、この評価に用いた磁気トンネル効果を利用した高感度素子は、図8に示すように上部電極81、反強磁性層82、磁化固定層83、絶縁層84、磁化自由層85および下部電極86を有してなる周知の構成を持つものである。
【0030】
【発明の効果】
本発明により、1平方インチあたり50ギガビット以上の記録密度でエラーレートの低い信頼性に優れた磁気記憶装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の垂直磁気記録媒体の層構成を示す図。
【図2】熱処理後の軟磁性下地層のX線回折パターンを示す図。
【図3】熱処理前の軟磁性下地層のX線回折パターンを示す図。
【図4】熱処理後の軟磁性下地層の平面TEM像と電子線回折パターンを示す図。
【図5】298Kおよび173Kで測定した軟磁性下地層の磁化曲線を示す図。
【図6】記録再生分離型ヘッドの断面模式図。
【図7】(a)は本発明による磁気記憶装置の平面模式図、(b)はそのA−A’縦断面図。
【図8】磁気トンネル効果を利用した高感度素子の層構成を示す図。
【図9】低ノイズ特性が得られたFeTaC合金の組成領域を示す図。
【符号の説明】
11…基板、12…プリコート層、13…軟磁性下地層、14…中間層、15…垂直記録層、16…保護層、17…潤滑層、61…主磁極、62…記録コイル、63…補助磁極兼上部シールド、64…GMR素子、65…下部シールド、71…垂直磁気記録媒体、72…磁気記録媒体駆動部、73…磁気ヘッド、74…磁気ヘッド駆動部、75…記録再生処理系、81…上部電極、82…反強磁性層、83…磁化固定層、84…絶縁層、85…磁化自由層、86…下部電極。
Claims (5)
- 基板上に形成された軟磁性下地層と、該軟磁性下地層上に形成された非磁性の中間層と、該中間層上に形成された垂直記録層とを有し、前記軟磁性下地層はFeとTaとCとからなり、Ta濃度が8at%以上15at%以下、C濃度が12at%以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項1に記載の垂直磁気記録媒体において、前記Ta濃度とC濃度の比(Ta濃度/C濃度)が0.5以上0.9以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項1又は2に記載の垂直磁気記録媒体において、前記基板と前記軟磁性下地層の間に非磁性の非晶質もしくは微結晶プリコート層を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項2に記載の垂直磁気記録媒体において、前記Ta濃度とC濃度の比(Ta濃度/C濃度)が0.83以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部とを備えた磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドの信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行なうための記録再生処理手段を有し、前記磁気ヘッド再生部が磁気抵抗効果もしくは磁気トンネル効果を利用した高感度素子で構成されることを特徴とする磁気記憶装置。
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