JP2920723B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関し、特
に、磁気ディスク、フレキシブルディスク、スチルカメ
ラ、又はビデオ等の磁気記録用金属薄膜媒体に関する。
に、磁気ディスク、フレキシブルディスク、スチルカメ
ラ、又はビデオ等の磁気記録用金属薄膜媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気記録媒体用合金として保磁
力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）の高いＣｏ
Ｐｔ系合金が用いられている。このＣｏＰｔ系合金を用
いて磁気記録媒体を構成する際、その磁気特性を向上さ
せるため、一般に基板と磁性層との間に下地層を形成す
ることが行なわれている。
力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）の高いＣｏ
Ｐｔ系合金が用いられている。このＣｏＰｔ系合金を用
いて磁気記録媒体を構成する際、その磁気特性を向上さ
せるため、一般に基板と磁性層との間に下地層を形成す
ることが行なわれている。
【０００３】このような磁気記録媒体として下地層にＣ
ｒ及びＭｏを含み、磁性層にＣｏ及びＰｔを含むととと
もにＭｏを含む磁気記録媒体が本発明者らによって提案
されている（特願平４−３１１２２４号明細書）。そし
て、この磁気記録媒体では従来のＣｏＰｔ系磁気記録媒
体の磁気特性（保磁力及び残留磁化膜厚積）に比べてそ
の磁気特性をさらに向上させることができた。
ｒ及びＭｏを含み、磁性層にＣｏ及びＰｔを含むととと
もにＭｏを含む磁気記録媒体が本発明者らによって提案
されている（特願平４−３１１２２４号明細書）。そし
て、この磁気記録媒体では従来のＣｏＰｔ系磁気記録媒
体の磁気特性（保磁力及び残留磁化膜厚積）に比べてそ
の磁気特性をさらに向上させることができた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特願平４−
３１１２２４号明細書に記載された磁気記録媒体におい
ては、その磁気特性、つまり、保磁力及び残留磁化膜厚
積を向上させることができるが、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ
比）に関しては十分には満足できる値が得られない。つ
まり、媒体ノイズを低減させることが難しいという問題
点がある。
３１１２２４号明細書に記載された磁気記録媒体におい
ては、その磁気特性、つまり、保磁力及び残留磁化膜厚
積を向上させることができるが、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ
比）に関しては十分には満足できる値が得られない。つ
まり、媒体ノイズを低減させることが難しいという問題
点がある。
【０００５】本発明の目的は磁気特性が良好なばかりで
なくＳ／Ｎ比も良好な磁気記録媒体を提供することにあ
る。
なくＳ／Ｎ比も良好な磁気記録媒体を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
基板と、該非磁性基板上に形成された下地層と、該下地
層上に形成された磁性層とを有する磁気記録媒体であっ
て、前記下地層は前記非磁性基板側に形成された第１の
層と前記磁性層側に形成された第２の層とを備えてお
り、前記第１の層にはクロムが含まれ、前記第２の層に
はクロム及びモリブデンが含まれ、前記磁性層にはコバ
ルト、白金、及びモリブデンが含まれていることを特徴
とする磁気記録媒体が得られる。
基板と、該非磁性基板上に形成された下地層と、該下地
層上に形成された磁性層とを有する磁気記録媒体であっ
て、前記下地層は前記非磁性基板側に形成された第１の
層と前記磁性層側に形成された第２の層とを備えてお
り、前記第１の層にはクロムが含まれ、前記第２の層に
はクロム及びモリブデンが含まれ、前記磁性層にはコバ
ルト、白金、及びモリブデンが含まれていることを特徴
とする磁気記録媒体が得られる。
【０００７】そして、第１の層の膜厚は第２の層の膜厚
よりも厚いことが望ましく、非磁性基板から磁性層に向
かう方向に第２の層中のＭｏ濃度を高くすることが望ま
しい。加えて、第２の層にはさらにＺｒ，Ｂ，Ｐ，Ｚ
ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒｅ，Ｃｕ，
Ｓｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ａｌ，及びＷのうち１種以上
を加えるようにしてもよい。
よりも厚いことが望ましく、非磁性基板から磁性層に向
かう方向に第２の層中のＭｏ濃度を高くすることが望ま
しい。加えて、第２の層にはさらにＺｒ，Ｂ，Ｐ，Ｚ
ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒｅ，Ｃｕ，
Ｓｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ａｌ，及びＷのうち１種以上
を加えるようにしてもよい。
【０００８】なお、本発明では非磁性基板と第１の層と
の間に他の層を形成してもよく、また、第２の層と磁性
膜との間に他の層を介在させるようにしてもよい。
の間に他の層を形成してもよく、また、第２の層と磁性
膜との間に他の層を介在させるようにしてもよい。
【０００９】
【作用】本発明では下地層が第１及び第２の層を備え
て、第１の層にクロムを含有し、第２の層にクロム及び
モリブデンを含有させて、しかも下地層上にコバルト、
白金、及びモリブデンを含む磁性層を形成するようにし
たから、第２の層において結晶粒子を均一化させること
ができるばかりでなく磁性層における結晶粒子を均一化
できる。この結果、媒体ノイズを低減できるばかりでな
く磁気特性を良好に維持できる。
て、第１の層にクロムを含有し、第２の層にクロム及び
モリブデンを含有させて、しかも下地層上にコバルト、
白金、及びモリブデンを含む磁性層を形成するようにし
たから、第２の層において結晶粒子を均一化させること
ができるばかりでなく磁性層における結晶粒子を均一化
できる。この結果、媒体ノイズを低減できるばかりでな
く磁気特性を良好に維持できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明について実施例によって説明す
る。
る。
【００１１】（実施例１）図１を参照して、直径６５ｍ
ｍ厚さ０．９ｍｍのガラス基板１を準備して、このガラ
ス基板１をＲＦマグネトロンスパッタ装置（図示せず）
のチャンバー内に装着する。そして、チャンバー内を５
×１０-7Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、ア
ルゴンガスをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒ
でスパッタ装置に供給し、基板温度を室温として投入電
力密度を２．５Ｗ／ｃｍ2 、Ｃｒをターゲットとしてガ
ラス基板１上に膜厚１５００オングストロームの第１の
層（第１の下地層）２を形成した。続いて、同様にして
アルゴンガスをスパッタガスとして用いてＣｒ90Ｍｏ10
（ａｔ％）をターゲットとして、Ｃｒ90Ｍｏ10の組成を
有する膜厚５００オングストロームの第２の層（第２の
下地層）３を第１の下地層２上に形成した。
ｍ厚さ０．９ｍｍのガラス基板１を準備して、このガラ
ス基板１をＲＦマグネトロンスパッタ装置（図示せず）
のチャンバー内に装着する。そして、チャンバー内を５
×１０-7Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、ア
ルゴンガスをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒ
でスパッタ装置に供給し、基板温度を室温として投入電
力密度を２．５Ｗ／ｃｍ2 、Ｃｒをターゲットとしてガ
ラス基板１上に膜厚１５００オングストロームの第１の
層（第１の下地層）２を形成した。続いて、同様にして
アルゴンガスをスパッタガスとして用いてＣｒ90Ｍｏ10
（ａｔ％）をターゲットとして、Ｃｒ90Ｍｏ10の組成を
有する膜厚５００オングストロームの第２の層（第２の
下地層）３を第１の下地層２上に形成した。
【００１２】次に、アルゴンガスをスパッタガスとして
用いてＣｏ76Ｐｔ16Ｍｏ8 （ａｔ％）をターゲットとし
てＣｏ76Ｐｔ16Ｍｏ8 の組成を有する膜厚４００オング
ストロームの磁性層４を第２の下地層３上に形成した。
同様に、アルゴンガスをスパッタガスとして用いて磁性
層４上に膜厚５０オングストロームのＣｒ層５ａ及び膜
厚３００オングストロームのカーボン層５ｂを形成し、
これらＣｒ層５ａ及びカーボン層５ｂを保護層５とし
た。そして、保護層５上にパーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑層６を２０オングストロームの厚さ塗布して
磁気ディスク（磁気記録媒体）７を得、この磁気ディス
ク７を実施例１とした。
用いてＣｏ76Ｐｔ16Ｍｏ8 （ａｔ％）をターゲットとし
てＣｏ76Ｐｔ16Ｍｏ8 の組成を有する膜厚４００オング
ストロームの磁性層４を第２の下地層３上に形成した。
同様に、アルゴンガスをスパッタガスとして用いて磁性
層４上に膜厚５０オングストロームのＣｒ層５ａ及び膜
厚３００オングストロームのカーボン層５ｂを形成し、
これらＣｒ層５ａ及びカーボン層５ｂを保護層５とし
た。そして、保護層５上にパーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑層６を２０オングストロームの厚さ塗布して
磁気ディスク（磁気記録媒体）７を得、この磁気ディス
ク７を実施例１とした。
【００１３】さらに、比較のため、下地層としてＣｒ層
（つまり、上述の第１の下地層２）のみを有する磁気デ
ィスクを作成し、この磁気ディスクを比較例１とした。
なお、比較例１において他の構成要素は実施例１と同様
である。また、下地層としてＣｒ90Ｍｏ10層（つまり、
上述の第２の下地層３）のみを有する磁気ディスクを作
成し、この磁気ディスクを比較例２とした。なお、比較
例２において他の構成要素は実施例１と同様である。
（つまり、上述の第１の下地層２）のみを有する磁気デ
ィスクを作成し、この磁気ディスクを比較例１とした。
なお、比較例１において他の構成要素は実施例１と同様
である。また、下地層としてＣｒ90Ｍｏ10層（つまり、
上述の第２の下地層３）のみを有する磁気ディスクを作
成し、この磁気ディスクを比較例２とした。なお、比較
例２において他の構成要素は実施例１と同様である。
【００１４】これら実施例１及び比較例１及び２からそ
れぞれ直径８ｍｍの試料を切り出して、振動試料型磁力
計を用いて、各試料について保磁力（Ｈｃ）を測定し
た。この際膜面方向に最大外部印加磁場を１２ｋＯｅと
して磁場を印加した。
れぞれ直径８ｍｍの試料を切り出して、振動試料型磁力
計を用いて、各試料について保磁力（Ｈｃ）を測定し
た。この際膜面方向に最大外部印加磁場を１２ｋＯｅと
して磁場を印加した。
【００１５】さらに、実施例１及び比較例１及び２の磁
気ディスクを用いて記録再生出力を測定した。ここで
は、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍの薄膜ヘッドを
用いて、この薄膜ヘッドと磁気ディスクの相対速度を６
ｍ／ｓとし、線記録密度８０ｋｆｃｉ（１インチ当たり
８０，０００ビットの線記録密度）における記録再生出
力を測定した。さらに、キャリア周波数９．４ＭＨｚ
で、測定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザ
ーによって各磁気ディスクについて信号記録再生時にお
けるノイズスペクトラムを測定し（媒体ノイズＮｍで表
す）、Ｓ／Ｎｍを求めた。この結果を表１に示す。な
お、上述の測定で用いた薄膜ヘッドはコイルターン数５
０、トラック幅６μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５
μｍである。
気ディスクを用いて記録再生出力を測定した。ここで
は、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍの薄膜ヘッドを
用いて、この薄膜ヘッドと磁気ディスクの相対速度を６
ｍ／ｓとし、線記録密度８０ｋｆｃｉ（１インチ当たり
８０，０００ビットの線記録密度）における記録再生出
力を測定した。さらに、キャリア周波数９．４ＭＨｚ
で、測定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザ
ーによって各磁気ディスクについて信号記録再生時にお
けるノイズスペクトラムを測定し（媒体ノイズＮｍで表
す）、Ｓ／Ｎｍを求めた。この結果を表１に示す。な
お、上述の測定で用いた薄膜ヘッドはコイルターン数５
０、トラック幅６μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５
μｍである。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１から明らかなように比較例１では、実
施例１に比べて保磁力及び記録再生出力ともに小さく、
さらに、Ｓ／Ｎｍ比も小さいことが分かる。また、比較
例２では、保磁力及び記録再生出力については実施例１
と同等であるが、媒体ノイズＮｍが実施例１に比べて大
きく、このため、比較例２ではＳ／Ｎｍが小さくなって
いる。
施例１に比べて保磁力及び記録再生出力ともに小さく、
さらに、Ｓ／Ｎｍ比も小さいことが分かる。また、比較
例２では、保磁力及び記録再生出力については実施例１
と同等であるが、媒体ノイズＮｍが実施例１に比べて大
きく、このため、比較例２ではＳ／Ｎｍが小さくなって
いる。
【００１８】このように、実施例１では下地層としてＣ
ｒ層とＣｒＭｏ層を積層した層を用い、しかもＣｒＭｏ
層上に磁性層（ＣｏＰｔＭｏ層）を形成しているから、
ＣｒＭｏ層の結晶粒子が均一化されるばかりでなく磁性
層の結晶粒子が均一化されて、保磁力を２０００Ｏｅと
高い値とし、且つ、Ｓ／Ｎ比も改善できる。つまり、実
施例１では、比較例１及び２のように単一の下地層を用
いる場合に比べて良好な磁気特性が得られるばかりでな
くＳ／Ｎ比も改善できる。
ｒ層とＣｒＭｏ層を積層した層を用い、しかもＣｒＭｏ
層上に磁性層（ＣｏＰｔＭｏ層）を形成しているから、
ＣｒＭｏ層の結晶粒子が均一化されるばかりでなく磁性
層の結晶粒子が均一化されて、保磁力を２０００Ｏｅと
高い値とし、且つ、Ｓ／Ｎ比も改善できる。つまり、実
施例１では、比較例１及び２のように単一の下地層を用
いる場合に比べて良好な磁気特性が得られるばかりでな
くＳ／Ｎ比も改善できる。
【００１９】（実施例２）次に、実施例１において第１
の下地層２と第２の下地層３の合計膜厚を２０００オン
グストロームのままとして、第１の下地層２と第２の下
地層３との割合（つまり、膜厚比）を種々変化させて磁
気ディスクを作成した（実施例２）。
の下地層２と第２の下地層３の合計膜厚を２０００オン
グストロームのままとして、第１の下地層２と第２の下
地層３との割合（つまり、膜厚比）を種々変化させて磁
気ディスクを作成した（実施例２）。
【００２０】これら磁気ディスクについて上述の実施例
１の場合と同様にして保磁力（Ｈｃ）、記録再生出力、
媒体ノイズ（Ｎｍ）、及びＳ／Ｎｍ比を測定した。そし
て、膜厚比の変化に対する各測定値の変化を図２に示
す。
１の場合と同様にして保磁力（Ｈｃ）、記録再生出力、
媒体ノイズ（Ｎｍ）、及びＳ／Ｎｍ比を測定した。そし
て、膜厚比の変化に対する各測定値の変化を図２に示
す。
【００２１】図２から明らかなように保磁力（Ｈｃ、図
中、○で示す）及び記録再生出力（図中、□で示す）に
ついては膜厚比の変化による影響はないが、媒体ノイズ
（図中、◆で示す）については第２の下地層３の割合が
大きくなるにつれて大きくなる。また、第２の下地層３
の膜厚が第１の下地層２の膜厚より薄い場合は、Ｓ／Ｎ
ｍはほぼ同等であるが、逆に第２の下地層３の方が厚く
なると、下地層として第２の下地層３のみを用いた磁気
ディスクのＳ／Ｎｍは小さくなってしまう。従って、第
２の下地層３の膜厚は第２の下地層の膜厚よりも薄くす
る必要がある。
中、○で示す）及び記録再生出力（図中、□で示す）に
ついては膜厚比の変化による影響はないが、媒体ノイズ
（図中、◆で示す）については第２の下地層３の割合が
大きくなるにつれて大きくなる。また、第２の下地層３
の膜厚が第１の下地層２の膜厚より薄い場合は、Ｓ／Ｎ
ｍはほぼ同等であるが、逆に第２の下地層３の方が厚く
なると、下地層として第２の下地層３のみを用いた磁気
ディスクのＳ／Ｎｍは小さくなってしまう。従って、第
２の下地層３の膜厚は第２の下地層の膜厚よりも薄くす
る必要がある。
【００２２】（実施例３乃至１６）次に、直径４８ｍｍ
で厚さ０．６４ｍｍのガラス基板上に実施例１と同様に
してガラス基板上に膜厚１２００オングストロームの第
１の下地層（Ｃｒ層）を形成し、この第１の下地層上に
膜厚３００オングストロームの第２の下地層（Ｃｒ95Ｍ
ｏ5 （ａｔ％）層）を形成する。さらに、第２の下地層
上に膜厚４５０オングストロームの磁性層（Ｃｏ79Ｐｔ
13Ｍｏ8 （ａｔ％）層）を形成し、この磁性層上にＳｉ
Ｏ2 を厚さ１４０オングストローム形成して保護膜と
し、磁気ディスクを作成した（実施例３）。そして、こ
の磁気ディスクについて実施例１と同様にしてＳ／Ｎｍ
比を測定した。この結果を表２に示す。
で厚さ０．６４ｍｍのガラス基板上に実施例１と同様に
してガラス基板上に膜厚１２００オングストロームの第
１の下地層（Ｃｒ層）を形成し、この第１の下地層上に
膜厚３００オングストロームの第２の下地層（Ｃｒ95Ｍ
ｏ5 （ａｔ％）層）を形成する。さらに、第２の下地層
上に膜厚４５０オングストロームの磁性層（Ｃｏ79Ｐｔ
13Ｍｏ8 （ａｔ％）層）を形成し、この磁性層上にＳｉ
Ｏ2 を厚さ１４０オングストローム形成して保護膜と
し、磁気ディスクを作成した（実施例３）。そして、こ
の磁気ディスクについて実施例１と同様にしてＳ／Ｎｍ
比を測定した。この結果を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】さらに、第２の下地層、磁性層、及び保護
層の組成を表２に示す組成として、磁気ディスクを作成
した（実施例４乃至実施例１６）。そして、これら磁気
ディスクについて実施例１と同様にしてＳ／Ｎｍ比を測
定した。
層の組成を表２に示す組成として、磁気ディスクを作成
した（実施例４乃至実施例１６）。そして、これら磁気
ディスクについて実施例１と同様にしてＳ／Ｎｍ比を測
定した。
【００２５】表２から明らかなようにＣｒ、Ｍｏ、ある
いはさらに他の追加成分を添加した第２の下地層を用い
ても同様にＳ／Ｎｍ比を高くすることができる。
いはさらに他の追加成分を添加した第２の下地層を用い
ても同様にＳ／Ｎｍ比を高くすることができる。
【００２６】（実施例１７乃至２６）さらに、直径６５
ｍｍで厚さ０．６４ｍｍのガラス基板上に実施例１と同
様にしてガラス基板上に膜厚２０００オングストローム
の第１の下地層（Ｃｒ層）を形成し、この第１の下地層
上に膜厚６００オングストロームの第２の下地層（Ｃｒ
85Ｍｏ15（ａｔ％）層）を形成する。さらに、第２の下
地層上に膜厚５００オングストロームの磁性層（Ｃｏ73
Ｐｔ12Ｍｏ13Ｔａ2 （ａｔ％）層）を形成し、この磁性
層上にＴａ2 Ｏ5 を厚さ１６０オングストローム形成し
て保護膜とし、磁気ディスクを作成した（実施例１
７）。そして、この磁気ディスクについて実施例１と同
様にしてＳ／Ｎｍ比を測定した。この結果を表３に示
す。
ｍｍで厚さ０．６４ｍｍのガラス基板上に実施例１と同
様にしてガラス基板上に膜厚２０００オングストローム
の第１の下地層（Ｃｒ層）を形成し、この第１の下地層
上に膜厚６００オングストロームの第２の下地層（Ｃｒ
85Ｍｏ15（ａｔ％）層）を形成する。さらに、第２の下
地層上に膜厚５００オングストロームの磁性層（Ｃｏ73
Ｐｔ12Ｍｏ13Ｔａ2 （ａｔ％）層）を形成し、この磁性
層上にＴａ2 Ｏ5 を厚さ１６０オングストローム形成し
て保護膜とし、磁気ディスクを作成した（実施例１
７）。そして、この磁気ディスクについて実施例１と同
様にしてＳ／Ｎｍ比を測定した。この結果を表３に示
す。
【００２７】
【表３】
【００２８】さらに、第２の下地層、磁性層、及び保護
層の組成を表３に示す組成として、磁気ディスクを作成
した（実施例１８乃至実施例２６）。そして、これら磁
気ディスクについて実施例１と同様にしてＳ／Ｎｍ比を
測定した。
層の組成を表３に示す組成として、磁気ディスクを作成
した（実施例１８乃至実施例２６）。そして、これら磁
気ディスクについて実施例１と同様にしてＳ／Ｎｍ比を
測定した。
【００２９】表３から明らかなようにＣｏ，Ｐｔ，Ｍｏ
に他の追加成分を添加した磁性層を用いても同様にＳ／
Ｎｍ比を高くすることができる。
に他の追加成分を添加した磁性層を用いても同様にＳ／
Ｎｍ比を高くすることができる。
【００３０】（実施例２７）直径６５ｍｍで厚さ０．９
ｍｍのガラス基板をＲＦマグネトロンスパッタ装置（図
示せず）のチャンバー内に装着し、チャンバー内を４×
１０-8Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、アル
ゴンガスをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒで
スパッタ装置に供給し、基板温度を室温として投入電力
密度を２．５Ｗ／ｃｍ2 、Ｃｒをターゲットとしてガラ
ス基板上に膜厚１３００オングストロームの第１の下地
層を形成した。続いて、スパッタ装置の他のカソードを
用いてＭｏをターゲットとするとともに上記のＣｒもタ
ーゲットとしてＭｏ，Ｃｒを同時スパッタした。この
際、Ｍｏターゲットに対する投入電力密度を０．１Ｗ／
ｃｍ2 から１．２Ｗ／ｃｍ2 まで連続的に変化させた。
これによって、膜厚４００オングストロームの第２の下
地層を第１の下地層上に形成した。上述のように投入電
力密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 から１．２Ｗ／ｃｍ2 まで連
続的に変化させた結果、第２の下地層は上方に向かって
順次Ｍｏ濃度が増加している。
ｍｍのガラス基板をＲＦマグネトロンスパッタ装置（図
示せず）のチャンバー内に装着し、チャンバー内を４×
１０-8Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、アル
ゴンガスをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒで
スパッタ装置に供給し、基板温度を室温として投入電力
密度を２．５Ｗ／ｃｍ2 、Ｃｒをターゲットとしてガラ
ス基板上に膜厚１３００オングストロームの第１の下地
層を形成した。続いて、スパッタ装置の他のカソードを
用いてＭｏをターゲットとするとともに上記のＣｒもタ
ーゲットとしてＭｏ，Ｃｒを同時スパッタした。この
際、Ｍｏターゲットに対する投入電力密度を０．１Ｗ／
ｃｍ2 から１．２Ｗ／ｃｍ2 まで連続的に変化させた。
これによって、膜厚４００オングストロームの第２の下
地層を第１の下地層上に形成した。上述のように投入電
力密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 から１．２Ｗ／ｃｍ2 まで連
続的に変化させた結果、第２の下地層は上方に向かって
順次Ｍｏ濃度が増加している。
【００３１】さらに、アルゴンガスをスパッタガスとし
てＣｏ74Ｐｔ13Ｍｏ13（ａｔ％）をターゲットとしてＣ
ｏ74Ｐｔ13Ｍｏ13の組成を有する膜厚４５０オングスト
ロームの磁性層を第２の下地層上に形成した後、同様
に、アルゴンガスをスパッタガスとして膜厚５０オング
ストロームのＣｒ層及び膜厚３００オングストロームの
ＳｉＯ2 層を磁性層上に順次成形して、これらＣｒ層及
びＳｉＯ2 層を保護層とした。
てＣｏ74Ｐｔ13Ｍｏ13（ａｔ％）をターゲットとしてＣ
ｏ74Ｐｔ13Ｍｏ13の組成を有する膜厚４５０オングスト
ロームの磁性層を第２の下地層上に形成した後、同様
に、アルゴンガスをスパッタガスとして膜厚５０オング
ストロームのＣｒ層及び膜厚３００オングストロームの
ＳｉＯ2 層を磁性層上に順次成形して、これらＣｒ層及
びＳｉＯ2 層を保護層とした。
【００３２】その後、パーフルオロポリエーテルからな
る潤滑層を２０オングストロームの厚さ保護層上に塗布
して磁気ディスク（磁気記録媒体）を得、この磁気ディ
スクを実施例２７とした。
る潤滑層を２０オングストロームの厚さ保護層上に塗布
して磁気ディスク（磁気記録媒体）を得、この磁気ディ
スクを実施例２７とした。
【００３３】この実施例２７の磁気ディスクについて振
動試料型磁力計を用いて、保磁力（Ｈｃ）を測定した。
この際膜面方向に最大外部印加磁場を１２ｋＯｅとして
磁場を印加した。この結果、実施例２７の保磁力は２１
００（Ｏｅ）であった。
動試料型磁力計を用いて、保磁力（Ｈｃ）を測定した。
この際膜面方向に最大外部印加磁場を１２ｋＯｅとして
磁場を印加した。この結果、実施例２７の保磁力は２１
００（Ｏｅ）であった。
【００３４】さらに、実施例２７の磁気ディスクを用い
て記録再生出力を測定した。ここでは、磁気ヘッド浮上
量が０．０５５μｍの薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘ
ッドと磁気ディスクの相対速度を６ｍ／ｓとし、線記録
密度８０ｋｆｃｉにおける記録再生出力を測定した。こ
の結果、記録再生出力は１６３μＶであった。
て記録再生出力を測定した。ここでは、磁気ヘッド浮上
量が０．０５５μｍの薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘ
ッドと磁気ディスクの相対速度を６ｍ／ｓとし、線記録
密度８０ｋｆｃｉにおける記録再生出力を測定した。こ
の結果、記録再生出力は１６３μＶであった。
【００３５】加えて、キャリア周波数９．４ＭＨｚで、
測定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーに
よって実施例２７の磁気ディスクについて信号記録再生
時におけるノイズスペクトラムを測定し（媒体ノイズＮ
ｍで表す）、Ｓ／Ｎｍ比を求めた。なお、上述の測定で
用いた薄膜ヘッドはコイルターン数５０、トラック幅６
μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５μｍである。この
結果、媒体ノイズＮｍは２．３２μＶｒｍｓ、Ｓ／Ｎｍ
比は３６．９ｄＢであった。
測定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーに
よって実施例２７の磁気ディスクについて信号記録再生
時におけるノイズスペクトラムを測定し（媒体ノイズＮ
ｍで表す）、Ｓ／Ｎｍ比を求めた。なお、上述の測定で
用いた薄膜ヘッドはコイルターン数５０、トラック幅６
μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５μｍである。この
結果、媒体ノイズＮｍは２．３２μＶｒｍｓ、Ｓ／Ｎｍ
比は３６．９ｄＢであった。
【００３６】このように、第２の下地層におけるＭｏ濃
度を上方に向かって増加するように変化させた場合であ
っても、つまり、第２の下地層におけるＭｏ濃度を第１
の下地層から磁性層に向う方向に順次増加するように変
化させた場合でも良好な磁気特性が得られるばかりでな
くＳ／Ｎ比も改善できる。
度を上方に向かって増加するように変化させた場合であ
っても、つまり、第２の下地層におけるＭｏ濃度を第１
の下地層から磁性層に向う方向に順次増加するように変
化させた場合でも良好な磁気特性が得られるばかりでな
くＳ／Ｎ比も改善できる。
【００３７】上述の実施例では、第２の下地層としてＣ
ｒ，Ｍｏからなる層及び追加成分としてＺｒ，Ｂ，Ｐ，
Ｚｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒｅ，Ｃ
ｕ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｆ，及びＡｌのうち一種以上
を含む層について説明したが、第２の下地層には追加成
分としてさらにＷ等を用いてもよく、これら追加成分を
添加した場合にも同様にして良好な磁気特性が得られる
ばかりでなくＳ／Ｎ比も改善できる。
ｒ，Ｍｏからなる層及び追加成分としてＺｒ，Ｂ，Ｐ，
Ｚｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒｅ，Ｃ
ｕ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｆ，及びＡｌのうち一種以上
を含む層について説明したが、第２の下地層には追加成
分としてさらにＷ等を用いてもよく、これら追加成分を
添加した場合にも同様にして良好な磁気特性が得られる
ばかりでなくＳ／Ｎ比も改善できる。
【００３８】また、磁性層としてＣｏ，Ｐｔ，Ｍｏから
なる層及び追加成分としてＴａ，Ｏ，Ｎ，Ｃｒ，Ｎｂ，
Ｍｎ，Ｗ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｖ，Ｚｎ，及びＺｒのうち一種
以上を含む層について説明したが、磁性層には追加成分
としてさらにＢ等を用いてもよく、これら追加成分を添
加した場合にも同様にして良好な磁気特性が得られるば
かりでなくＳ／Ｎ比も改善できる。
なる層及び追加成分としてＴａ，Ｏ，Ｎ，Ｃｒ，Ｎｂ，
Ｍｎ，Ｗ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｖ，Ｚｎ，及びＺｒのうち一種
以上を含む層について説明したが、磁性層には追加成分
としてさらにＢ等を用いてもよく、これら追加成分を添
加した場合にも同様にして良好な磁気特性が得られるば
かりでなくＳ／Ｎ比も改善できる。
【００３９】実施例では非磁性基板としてガラス基板を
用いたが、非磁性であれば特に限定する必要はなく、例
えば、結晶化ガラス基板及びアルミニウム基板も用いる
ことができる。
用いたが、非磁性であれば特に限定する必要はなく、例
えば、結晶化ガラス基板及びアルミニウム基板も用いる
ことができる。
【００４０】保護層を形成する場合には保護層の種類は
特に限定されず、単層又は複層からなる保護層を設けて
もよい。この保護層としては実施例に示したように、例
えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、カーボン（Ｃ）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4
）、窒化ホウ素（ＢＮ）、クロム（Ｃｒ）、及びクロ
ムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）が用いられる。
特に限定されず、単層又は複層からなる保護層を設けて
もよい。この保護層としては実施例に示したように、例
えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、カーボン（Ｃ）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4
）、窒化ホウ素（ＢＮ）、クロム（Ｃｒ）、及びクロ
ムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）が用いられる。
【００４１】潤滑層を形成する際にも潤滑層の種類は特
に限定されず、実施例で示したパーフルオロポリエーテ
ルの他に、例えば、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エス
テル、フルオロカーボンを用いることができ、これらは
単品で用いてもよく、混合物として用いてもよい。
に限定されず、実施例で示したパーフルオロポリエーテ
ルの他に、例えば、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エス
テル、フルオロカーボンを用いることができ、これらは
単品で用いてもよく、混合物として用いてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
磁性基板と磁性層との間に第１及び第２の層を有する下
地層を介在させ、第１の層にクロムを含み、第２の層に
クロム及びモリブデンを含み、磁性層にコバルト、白
金、及びモリブデンを含むようにしたから、第２の層に
おいて結晶粒子が均一化されるとともに磁性層における
結晶粒子が均一化されて、保磁力等の磁気特性が良好と
なるばかりでなく媒体ノイズを低減できる。この結果、
高線記録密度における記録再生時のＳ／Ｎ比を向上させ
ることができるという効果がある。
磁性基板と磁性層との間に第１及び第２の層を有する下
地層を介在させ、第１の層にクロムを含み、第２の層に
クロム及びモリブデンを含み、磁性層にコバルト、白
金、及びモリブデンを含むようにしたから、第２の層に
おいて結晶粒子が均一化されるとともに磁性層における
結晶粒子が均一化されて、保磁力等の磁気特性が良好と
なるばかりでなく媒体ノイズを低減できる。この結果、
高線記録密度における記録再生時のＳ／Ｎ比を向上させ
ることができるという効果がある。
【図１】本発明による磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明による磁気記録媒体において第１及び第
２の下地層の膜厚割合を変化させた際の保磁力、記録再
生出力、媒体ノイズ、及びＳ／Ｎ比の変化を示す図であ
る。
２の下地層の膜厚割合を変化させた際の保磁力、記録再
生出力、媒体ノイズ、及びＳ／Ｎ比の変化を示す図であ
る。
１ ガラス基板 ２ 第１の下地層 ３ 第２の下地層 ４ 磁性層 ５ 保護層 ６ 潤滑層 ７ 磁気記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野沢 順 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホ ーヤ株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−21543（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板と、該非磁性基板上に形成さ
れた下地層と、該下地層上に形成された磁性層とを有す
る磁気記録媒体であって、前記下地層は前記非磁性基板
側に形成された第１の層と前記磁性層側に形成された第
２の層とを備えており、前記第１の層にはクロムが含ま
れ、前記第２の層にはクロム及びモリブデンが含まれ、
前記磁性層にはコバルト、白金、及びモリブデンが含ま
れていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載された磁気記録媒体にお
いて、前記第１の層の膜厚は前記第２の層の膜厚よりも
厚いことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載された磁気記録媒
体において、前記非磁性基板から前記磁性層に向かう方
向に前記第２の層中のモリブデンはその濃度が高くなる
ようにしたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載された
磁気記録媒体において、前記第２の層にはさらにＺｒ，
Ｂ，Ｐ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒ
ｅ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ａｌ，及びＷのう
ち１種以上が含まれていることを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21542293A JP2920723B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 磁気記録媒体 |
| US09/312,162 US6287429B1 (en) | 1992-10-26 | 1999-05-14 | Magnetic recording medium having an improved magnetic characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21542293A JP2920723B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773427A JPH0773427A (ja) | 1995-03-17 |
| JP2920723B2 true JP2920723B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=16672078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21542293A Expired - Lifetime JP2920723B2 (ja) | 1992-10-26 | 1993-08-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920723B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW390998B (en) | 1996-05-20 | 2000-05-21 | Hitachi Ltd | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6544667B1 (en) | 1999-03-11 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, producing method of the same and magnetic recording system |
| JP2002100018A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並び磁気記憶装置 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21542293A patent/JP2920723B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773427A (ja) | 1995-03-17 |
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