JPH06176341A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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- JPH06176341A JPH06176341A JP32915492A JP32915492A JPH06176341A JP H06176341 A JPH06176341 A JP H06176341A JP 32915492 A JP32915492 A JP 32915492A JP 32915492 A JP32915492 A JP 32915492A JP H06176341 A JPH06176341 A JP H06176341A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高密度記録時の再生信号が大きく、良好なＳ／
Ｎが得られる磁気記録媒体、及び大容量高密度磁気記憶
装置を提供する。 【構成】非磁性基板１１，非磁性基板１１上に設けられ
たＣ層１２、さらにその上に非磁性下地層１３を介し
て、もしくは直接設けられた単数あるいは複数の磁性層
１４，１４′、及び複数の磁性層の場合には磁性層の間
に配置された非磁性中間層１５，１５′を有する磁気記
憶媒体。この磁気記録媒体と、磁極の少なくとも一部に
金属薄膜を用いた磁気ヘッド、または再生に磁気抵抗効
果を利用した磁気ヘッドを組み合わせた磁気記憶装置。
Ｎが得られる磁気記録媒体、及び大容量高密度磁気記憶
装置を提供する。 【構成】非磁性基板１１，非磁性基板１１上に設けられ
たＣ層１２、さらにその上に非磁性下地層１３を介し
て、もしくは直接設けられた単数あるいは複数の磁性層
１４，１４′、及び複数の磁性層の場合には磁性層の間
に配置された非磁性中間層１５，１５′を有する磁気記
憶媒体。この磁気記録媒体と、磁極の少なくとも一部に
金属薄膜を用いた磁気ヘッド、または再生に磁気抵抗効
果を利用した磁気ヘッドを組み合わせた磁気記憶装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高密度の記録に適し
た薄膜型の磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を
用いた磁気記憶装置に関する。
た薄膜型の磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を
用いた磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における電子計算機の小型化・高速
化に伴い、磁気ディスク装置その他の外部記憶装置の大
容量化・高速アクセス化が強く望まれている。特に、磁
気ディスク記憶装置は、高密度高速記録に適した記憶装
置であり、その要望が一段と強まっている。磁気ディス
ク装置に用いられる磁気記録媒体は、酸化物磁性体の粉
末を基板上に塗布した塗布型磁気記録媒体と、金属磁性
体の薄膜を基板上に蒸着あるいはスパッタリングした薄
膜型の磁気記録媒体とが知られている。この薄膜型の磁
気記録媒体は、塗布型の磁気記録媒体に比較して記録膜
中の磁性体の密度が高いことから、より高密度の記録に
適している。
化に伴い、磁気ディスク装置その他の外部記憶装置の大
容量化・高速アクセス化が強く望まれている。特に、磁
気ディスク記憶装置は、高密度高速記録に適した記憶装
置であり、その要望が一段と強まっている。磁気ディス
ク装置に用いられる磁気記録媒体は、酸化物磁性体の粉
末を基板上に塗布した塗布型磁気記録媒体と、金属磁性
体の薄膜を基板上に蒸着あるいはスパッタリングした薄
膜型の磁気記録媒体とが知られている。この薄膜型の磁
気記録媒体は、塗布型の磁気記録媒体に比較して記録膜
中の磁性体の密度が高いことから、より高密度の記録に
適している。
【０００３】薄膜型の磁気記録媒体の通常の構造は、非
磁性基板上に非磁性下地層，磁性層を順次形成した単層
磁気記録媒体が知られている。また、最近では、より優
れた特性を持つ磁気記録媒体として、特開平1−173313
号，特開平1−217723号公報に見られるように、非磁性
基板上に非磁性下地層を形成し、その上に磁性層，非磁
性中間層を交互に順次形成した多層磁気記録媒体が知ら
れている。
磁性基板上に非磁性下地層，磁性層を順次形成した単層
磁気記録媒体が知られている。また、最近では、より優
れた特性を持つ磁気記録媒体として、特開平1−173313
号，特開平1−217723号公報に見られるように、非磁性
基板上に非磁性下地層を形成し、その上に磁性層，非磁
性中間層を交互に順次形成した多層磁気記録媒体が知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気記録媒
体は、超高密度の記録に対応した電磁変換特性が未だ不
十分であるという問題があった。すなわち、単層磁気記
録媒体では高密度で記録再生を行う場合、磁性層の厚さ
を薄くすれば媒体Ｓ／Ｎは向上するが、回路及びヘッド
のノイズに比べて再生信号が微弱であるため、装置とし
て必要なＳ／Ｎを満たすことができないという問題があ
った。一方、多層磁気記録媒体では媒体Ｓ／Ｎを高くで
き、しかも装置として必要なＳ／Ｎも向上させることが
できるが、単層媒体に比べてヒステリシスの角形性が劣
化し、同じ磁性膜膜厚に対する再生信号の効率が悪くな
るという問題があった。なお、再生信号をＳ、媒体ノイ
ズをＮｄ、ヘッドノイズをＮｈ、アンプノイズをＮａと
すると、媒体Ｓ／Ｎ，装置Ｓ／Ｎはそれぞれ次の数１，
数２によって与えられる。
体は、超高密度の記録に対応した電磁変換特性が未だ不
十分であるという問題があった。すなわち、単層磁気記
録媒体では高密度で記録再生を行う場合、磁性層の厚さ
を薄くすれば媒体Ｓ／Ｎは向上するが、回路及びヘッド
のノイズに比べて再生信号が微弱であるため、装置とし
て必要なＳ／Ｎを満たすことができないという問題があ
った。一方、多層磁気記録媒体では媒体Ｓ／Ｎを高くで
き、しかも装置として必要なＳ／Ｎも向上させることが
できるが、単層媒体に比べてヒステリシスの角形性が劣
化し、同じ磁性膜膜厚に対する再生信号の効率が悪くな
るという問題があった。なお、再生信号をＳ、媒体ノイ
ズをＮｄ、ヘッドノイズをＮｈ、アンプノイズをＮａと
すると、媒体Ｓ／Ｎ，装置Ｓ／Ｎはそれぞれ次の数１，
数２によって与えられる。
【０００５】
【数１】 媒体Ｓ／Ｎ≡２０Ｌｏｇ（Ｓ／Ｎｄ） …（数１）
【０００６】
【数２】
【０００７】本発明の第１の目的は、再生信号が増大
し、高密度記録時でのＳ／Ｎが良好な磁気記録媒体を提
供することにある。
し、高密度記録時でのＳ／Ｎが良好な磁気記録媒体を提
供することにある。
【０００８】本発明の第２の目的は、再生信号が増大
し、高密度記録時でのＳ／Ｎが良好な磁気記録媒体を用
いた磁気記憶装置を提供することにある。
し、高密度記録時でのＳ／Ｎが良好な磁気記録媒体を用
いた磁気記憶装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、
（１）非磁性基板上にＣ層を形成した後、非磁性下地層
を介して、あるいは直接その上に設けられた、単数ある
いは複数の磁性層、及び複数の磁性層の場合には前記磁
性層の間に配置された非磁性中間層を有することを特徴
とする磁気記録媒体、（２）（１）に記載の磁気記録媒
体において、前記Ｃ層は０.１から１０００ｎｍの範囲
の厚さであることを特徴とする磁気記録媒体、によって
達成される。
（１）非磁性基板上にＣ層を形成した後、非磁性下地層
を介して、あるいは直接その上に設けられた、単数ある
いは複数の磁性層、及び複数の磁性層の場合には前記磁
性層の間に配置された非磁性中間層を有することを特徴
とする磁気記録媒体、（２）（１）に記載の磁気記録媒
体において、前記Ｃ層は０.１から１０００ｎｍの範囲
の厚さであることを特徴とする磁気記録媒体、によって
達成される。
【００１０】上記第２の目的は、（３）（１）および
（２）に記載の磁気記録媒体と、記録あるいは再生用磁
極の少なくとも一部に金属薄膜を用いた磁気ヘッドとを
組み合わせたことを特徴とする磁気記憶装置、（４）
（３）に記載の磁気ヘッドが磁気抵抗効果を用いて再生
する素子を有することを特徴とする磁気記憶装置、によ
って達成される。
（２）に記載の磁気記録媒体と、記録あるいは再生用磁
極の少なくとも一部に金属薄膜を用いた磁気ヘッドとを
組み合わせたことを特徴とする磁気記憶装置、（４）
（３）に記載の磁気ヘッドが磁気抵抗効果を用いて再生
する素子を有することを特徴とする磁気記憶装置、によ
って達成される。
【００１１】本発明の磁気記録媒体の磁性層は、Ｃｏ
Ｐ，ＣｏＰｔ，ＣｏＴａ，ＣｏＳｉ，ＣｏＣｒＰｔ，Ｃ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＺ
ｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＣｏＣｒＴａＳｉ等のＣｏを主
たる成分とする磁性合金を用いることが、高い保磁力及
び記録密度特性を得られるので好ましい。多層媒体とす
る場合には、個々の磁性層で構成元素，組成比，成膜条
件，膜厚等を変化させてもよい。磁性層の膜厚は、単層
の場合で１から２００ｎｍ、多層の場合で0.5から１０
０ｎｍの範囲であることが、Ｓ／Ｎを高める上で好まし
い。
Ｐ，ＣｏＰｔ，ＣｏＴａ，ＣｏＳｉ，ＣｏＣｒＰｔ，Ｃ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＺ
ｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＣｏＣｒＴａＳｉ等のＣｏを主
たる成分とする磁性合金を用いることが、高い保磁力及
び記録密度特性を得られるので好ましい。多層媒体とす
る場合には、個々の磁性層で構成元素，組成比，成膜条
件，膜厚等を変化させてもよい。磁性層の膜厚は、単層
の場合で１から２００ｎｍ、多層の場合で0.5から１０
０ｎｍの範囲であることが、Ｓ／Ｎを高める上で好まし
い。
【００１２】非磁性中間層は、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｎｂ，Ｃ、またはこれらを主たる成分とする合金を用い
ることが、磁性層の結晶性，結晶配向性、及び結晶粒径
を制御できるために好ましい。合金として上記元素に添
加する元素は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｖ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐ
ｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃ，Ｎ，Ｏ等が好まし
い。非磁性中間層の膜厚は、０.１ から２０ｎｍの範囲
であることが、Ｓ／Ｎを高める上で好ましい。
Ｎｂ，Ｃ、またはこれらを主たる成分とする合金を用い
ることが、磁性層の結晶性，結晶配向性、及び結晶粒径
を制御できるために好ましい。合金として上記元素に添
加する元素は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｖ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐ
ｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃ，Ｎ，Ｏ等が好まし
い。非磁性中間層の膜厚は、０.１ から２０ｎｍの範囲
であることが、Ｓ／Ｎを高める上で好ましい。
【００１３】非磁性下地層を設ける場合には、非磁性中
間層と同様にＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ、または
これらを主たる成分とする合金を用いることが、磁性層
の結晶性，結晶配向性、及び結晶粒径を制御できるため
に好ましい。非磁性下地層の膜厚は５００ｎｍ以下、よ
り好ましくは１から５００ｎｍとすると良い。
間層と同様にＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ、または
これらを主たる成分とする合金を用いることが、磁性層
の結晶性，結晶配向性、及び結晶粒径を制御できるため
に好ましい。非磁性下地層の膜厚は５００ｎｍ以下、よ
り好ましくは１から５００ｎｍとすると良い。
【００１４】以上の各層の形成には、スパッタリング法
の他に、蒸着法，イオンビームスパッタリング法，プラ
ズマＣＶＤ法，塗膜法，メッキ法等の様な方法でもよ
い。
の他に、蒸着法，イオンビームスパッタリング法，プラ
ズマＣＶＤ法，塗膜法，メッキ法等の様な方法でもよ
い。
【００１５】
【作用】単層磁気記録媒体の磁性層の膜厚を薄くすると
結晶粒を微細化でき、再生信号の減少分以上に媒体ノイ
ズを低減できるので、再生出力と媒体ノイズの比である
媒体Ｓ／Ｎを高めることができる。しかし、あまり磁性
層を薄くした場合、装置を動かすために必要な再生信号
が得られないという問題があった。一方、多層磁気記録
媒体では個々の磁性層を薄くして、磁性層間に非磁性中
間層を介在させることにより、結晶粒を微細化したまま
積層でき、低ノイズ性を保つことができる。さらに、こ
の場合には薄い磁性層を何層にも積層できるため、高い
再生信号を得ることができる。しかし、単層媒体と比較
すると、ヒステリシスの角形性が劣化して、同じ磁性膜
膜厚に対する再生信号の効率が悪くなるという問題があ
った。そこで、非磁性基板上にＣ層を形成した後に上記
の単層媒体、あるいは多層媒体を形成すると、結晶性，
結晶配向性、及び結晶粒径を制御することが可能とな
り、従来に比較して高い再生効率の磁気記録媒体を作製
することができる。このとき、従来同様、多層媒体の方
が単層媒体よりも高い特性を得ることができる。
結晶粒を微細化でき、再生信号の減少分以上に媒体ノイ
ズを低減できるので、再生出力と媒体ノイズの比である
媒体Ｓ／Ｎを高めることができる。しかし、あまり磁性
層を薄くした場合、装置を動かすために必要な再生信号
が得られないという問題があった。一方、多層磁気記録
媒体では個々の磁性層を薄くして、磁性層間に非磁性中
間層を介在させることにより、結晶粒を微細化したまま
積層でき、低ノイズ性を保つことができる。さらに、こ
の場合には薄い磁性層を何層にも積層できるため、高い
再生信号を得ることができる。しかし、単層媒体と比較
すると、ヒステリシスの角形性が劣化して、同じ磁性膜
膜厚に対する再生信号の効率が悪くなるという問題があ
った。そこで、非磁性基板上にＣ層を形成した後に上記
の単層媒体、あるいは多層媒体を形成すると、結晶性，
結晶配向性、及び結晶粒径を制御することが可能とな
り、従来に比較して高い再生効率の磁気記録媒体を作製
することができる。このとき、従来同様、多層媒体の方
が単層媒体よりも高い特性を得ることができる。
【００１６】本発明の磁気記録媒体と、少なくとも磁極
の一部に金属薄膜を用いた誘導型磁気ヘッドとを組み合
わせて磁気記憶装置とすることで、磁極に金属薄膜を用
いない磁気ヘッドに比べて記録磁界が急峻であるため、
重ね書き特性が３ｄＢ以上向上する。そのうえ、記録し
た磁区の磁化遷移領域は狭くなり、よりノイズを低く押
さえることができ、高い装置Ｓ／Ｎが得られる。したが
って、従来の磁気記憶装置と比較して、１.２ 倍以上の
大容量の磁気記憶装置が実現できる。さらに、磁気抵抗
効果を用いた磁気ヘッドで再生する場合には、ヘッド・
アンプノイズに比べて充分高い出力を得られるため、
１.５ から２倍以上の大容量の装置を実現できる。
の一部に金属薄膜を用いた誘導型磁気ヘッドとを組み合
わせて磁気記憶装置とすることで、磁極に金属薄膜を用
いない磁気ヘッドに比べて記録磁界が急峻であるため、
重ね書き特性が３ｄＢ以上向上する。そのうえ、記録し
た磁区の磁化遷移領域は狭くなり、よりノイズを低く押
さえることができ、高い装置Ｓ／Ｎが得られる。したが
って、従来の磁気記憶装置と比較して、１.２ 倍以上の
大容量の磁気記憶装置が実現できる。さらに、磁気抵抗
効果を用いた磁気ヘッドで再生する場合には、ヘッド・
アンプノイズに比べて充分高い出力を得られるため、
１.５ から２倍以上の大容量の装置を実現できる。
【００１７】
〈実施例１〉図１は本発明の磁気記録媒体を多層媒体と
した実施例の断面図を示す。非磁性基板１１は強化ガラ
ス基板，セラミックス基板，Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合金基
板，プラスチック基板，ボロン基板，カーボン基板，Ｔ
ｉ合金基板等が用いられる。１２，１２′はＣ層、１
３，１３′はＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ、または
これらを主たる成分とする合金等からなる非磁性下地
層、１４，１４′はＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，Ｃｏ
ＮｉＰｔ等の磁性合金からなる磁性層、１５，１５′は
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃ、またはこれらを主たる成分とする
合金等からなる非磁性中間層、１６，１６′はＣｏＣｒ
Ｐｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，Ｃ
ｏＮｉＺｒ等の磁性合金からなる磁性層、１７，１７′
はＣ，ＷＣ，（ＷＭｏ）Ｃ，(ＺｒＮｂ）Ｎ，Ｂ4Ｃ，水
素含有カーボン等からなる保護層、１８，１８′はパー
フルオロアルキルポリエーテル等からなる潤滑層であ
る。以下さらに詳細に本実施例について説明する。
した実施例の断面図を示す。非磁性基板１１は強化ガラ
ス基板，セラミックス基板，Ｎｉ−ＰメッキＡｌ合金基
板，プラスチック基板，ボロン基板，カーボン基板，Ｔ
ｉ合金基板等が用いられる。１２，１２′はＣ層、１
３，１３′はＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ、または
これらを主たる成分とする合金等からなる非磁性下地
層、１４，１４′はＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，Ｃｏ
ＮｉＰｔ等の磁性合金からなる磁性層、１５，１５′は
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃ、またはこれらを主たる成分とする
合金等からなる非磁性中間層、１６，１６′はＣｏＣｒ
Ｐｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，Ｃ
ｏＮｉＺｒ等の磁性合金からなる磁性層、１７，１７′
はＣ，ＷＣ，（ＷＭｏ）Ｃ，(ＺｒＮｂ）Ｎ，Ｂ4Ｃ，水
素含有カーボン等からなる保護層、１８，１８′はパー
フルオロアルキルポリエーテル等からなる潤滑層であ
る。以下さらに詳細に本実施例について説明する。
【００１８】Ｎｉ−Ｐを１０μｍメッキし、表面を略円
周方向に中心線平均面粗さで５ｎｍとなるような微小傷
が入るように研磨した外径９５mmφのＡｌ合金からなる
非磁性基板１１に、Ｃ層１２，１２′を形成した後、基
板温度３００℃，Ａｒガス圧力１.７ｍTorr，投入電力
密度５Ｗ／cm2としてＤＣマグネトロンスパッタリング
法で非磁性下地層１３，１３′を５０ｎｍ形成した。非
磁性下地層１３，１３′は、表１に示すように、Ｃｒ，
Ｃｒ−５ａｔ％Ｆｅ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｖ，Ｃｒ−５ａｔ
％Ｃｕ，Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉ，Ｍｏ−５ａｔ％Ｓｉ，
Ｍｏ−５ａｔ％Ｖ，Ｗ，Ｗ−５ａｔ％Ｍｏ，Ｔａ，Ｔａ
−５ａｔ％Ｃｒ，Ｎｂ，Ｎｂ−５ａｔ％Ｗからなり、ま
た、実施例１の１３，１４は非磁性下地層を設けていな
い（実質的にはＣ下地層となる）。
周方向に中心線平均面粗さで５ｎｍとなるような微小傷
が入るように研磨した外径９５mmφのＡｌ合金からなる
非磁性基板１１に、Ｃ層１２，１２′を形成した後、基
板温度３００℃，Ａｒガス圧力１.７ｍTorr，投入電力
密度５Ｗ／cm2としてＤＣマグネトロンスパッタリング
法で非磁性下地層１３，１３′を５０ｎｍ形成した。非
磁性下地層１３，１３′は、表１に示すように、Ｃｒ，
Ｃｒ−５ａｔ％Ｆｅ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｖ，Ｃｒ−５ａｔ
％Ｃｕ，Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉ，Ｍｏ−５ａｔ％Ｓｉ，
Ｍｏ−５ａｔ％Ｖ，Ｗ，Ｗ−５ａｔ％Ｍｏ，Ｔａ，Ｔａ
−５ａｔ％Ｃｒ，Ｎｂ，Ｎｂ−５ａｔ％Ｗからなり、ま
た、実施例１の１３，１４は非磁性下地層を設けていな
い（実質的にはＣ下地層となる）。
【００１９】次に上記と同じ方法で、下層の磁性層１
４，１４′として、Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｐ
ｔ，Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、またはＣｏ
−３０ａｔ％Ｎｉ−５ａｔ％Ｐｔをそれぞれ１５ｎｍ形
成し、次いで非磁性中間層１５，１５′として、Ｃｒ，
Ｗ，Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｓｉ，Ｃｒ
−５ａｔ％Ｎｂ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｒｈ，Ｃｒ−５ａｔ％
Ｐt，Ｃｒ−５ａｔ％Ｇe，Ｃｒ−５ａｔ％Ｒｕ，Ｃｒ−
５ａｔ％Ｗ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｍｏ，Ｃの膜をそれぞれ１
０ｎｍ形成し、次に上層の磁性層１６，１６′としてＣ
ｏ−１４ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｐｔ，Ｃｏ−１２ａｔ％
Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ，Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−１０ａｔ
％Ｃｒ、またはＣｏ−３５ａｔ％Ｎｉ−４ａｔ％Ｚｒを
それぞれ１５ｎｍ形成し、さらに、保護層１７，１７′
としてＣ，ＷＣ、またはＷＭｏＣを２５ｎｍ形成した
後、５ｎｍのパーフルオロアルキルポリエーテル系の潤
滑層１８，１８′を形成した。
４，１４′として、Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｐ
ｔ，Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、またはＣｏ
−３０ａｔ％Ｎｉ−５ａｔ％Ｐｔをそれぞれ１５ｎｍ形
成し、次いで非磁性中間層１５，１５′として、Ｃｒ，
Ｗ，Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｓｉ，Ｃｒ
−５ａｔ％Ｎｂ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｒｈ，Ｃｒ−５ａｔ％
Ｐt，Ｃｒ−５ａｔ％Ｇe，Ｃｒ−５ａｔ％Ｒｕ，Ｃｒ−
５ａｔ％Ｗ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｍｏ，Ｃの膜をそれぞれ１
０ｎｍ形成し、次に上層の磁性層１６，１６′としてＣ
ｏ−１４ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｐｔ，Ｃｏ−１２ａｔ％
Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ，Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−１０ａｔ
％Ｃｒ、またはＣｏ−３５ａｔ％Ｎｉ−４ａｔ％Ｚｒを
それぞれ１５ｎｍ形成し、さらに、保護層１７，１７′
としてＣ，ＷＣ、またはＷＭｏＣを２５ｎｍ形成した
後、５ｎｍのパーフルオロアルキルポリエーテル系の潤
滑層１８，１８′を形成した。
【００２０】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性をＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜で磁気コア部を形成したギャップ長
０.４μｍの薄膜型磁気ヘッドを用い、相対速度１２.５
ｍ／ｓ，記録密度６５ｋＦＣＩで評価した。表１に実施
例１の１から２２の磁気記録媒体の各層の組成と電磁変
換特性を示す。ここで、磁性層の欄の１４，１４′等の
数字は図１で示す数字に対応し、Ｓ／Ｎは装置Ｓ／Ｎを
意味する。
ｉ−Ｆｅ合金薄膜で磁気コア部を形成したギャップ長
０.４μｍの薄膜型磁気ヘッドを用い、相対速度１２.５
ｍ／ｓ，記録密度６５ｋＦＣＩで評価した。表１に実施
例１の１から２２の磁気記録媒体の各層の組成と電磁変
換特性を示す。ここで、磁性層の欄の１４，１４′等の
数字は図１で示す数字に対応し、Ｓ／Ｎは装置Ｓ／Ｎを
意味する。
【００２１】
【表１】
【００２２】また、比較例１として、上記実施例と同じ
成膜条件のもとで、Ｃ層を設けない以外は実施例１と同
様な図２に示す媒体を作製した。比較例１の媒体の各層
の組成と電磁変換特性を表２に示す。
成膜条件のもとで、Ｃ層を設けない以外は実施例１と同
様な図２に示す媒体を作製した。比較例１の媒体の各層
の組成と電磁変換特性を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】表１，表２から明らかなように、すべての
材料の組合せにおいて、実施例１の媒体の方が比較例１
の媒体に比べて優れていることが分かる。これは、Ｃ層
を設けたことによって、再生出力が増加し、著しく装置
Ｓ／Ｎが向上したためである。なお、本評価条件では記
録密度を６５ｋＦＣＩとしたが、記録密度を６０，７
０，８０，９０ｋＦＣＩとしても傾向は同じであった。
材料の組合せにおいて、実施例１の媒体の方が比較例１
の媒体に比べて優れていることが分かる。これは、Ｃ層
を設けたことによって、再生出力が増加し、著しく装置
Ｓ／Ｎが向上したためである。なお、本評価条件では記
録密度を６５ｋＦＣＩとしたが、記録密度を６０，７
０，８０，９０ｋＦＣＩとしても傾向は同じであった。
【００２５】〈実施例２〉本発明である磁気記録媒体を
単層媒体としたときの断面図を図３に示す。外径９５mm
φの強化ガラス基板３１上に、Ｃ層３２，３２′を形成
した後、非磁性下地層３３，３３′としてＣｒ、または
Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉを５０ｎｍ形成し、次いで磁性膜
３４，３４′としてＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｐ
ｔ，Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、またはＣｏ
−２０ａｔ％Ｎｉ−１０ａｔ％Ｃｒ、またはＣｏ−３５
ａｔ％Ｎｉ−４ａｔ％Ｚｒを３０ｎｍ形成し、保護層３
５，３５′としてＣを２５ｎｍ形成し、最後に、実施例
１と同じ材質の潤滑層３６，３６′を５ｎｍ形成したも
のである。本実施例２の媒体を実施例１と同じ条件によ
って評価した結果を表３に示す。
単層媒体としたときの断面図を図３に示す。外径９５mm
φの強化ガラス基板３１上に、Ｃ層３２，３２′を形成
した後、非磁性下地層３３，３３′としてＣｒ、または
Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉを５０ｎｍ形成し、次いで磁性膜
３４，３４′としてＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｐ
ｔ，Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、またはＣｏ
−２０ａｔ％Ｎｉ−１０ａｔ％Ｃｒ、またはＣｏ−３５
ａｔ％Ｎｉ−４ａｔ％Ｚｒを３０ｎｍ形成し、保護層３
５，３５′としてＣを２５ｎｍ形成し、最後に、実施例
１と同じ材質の潤滑層３６，３６′を５ｎｍ形成したも
のである。本実施例２の媒体を実施例１と同じ条件によ
って評価した結果を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】実施例２と比較する媒体として、実施例２
と同じ成膜条件のもとで、Ｃ層を設けない以外は実施例
２と同様な図４に示す媒体を作製した。比較例２の媒体
の各層の組成と電磁変換特性を表４に示す。
と同じ成膜条件のもとで、Ｃ層を設けない以外は実施例
２と同様な図４に示す媒体を作製した。比較例２の媒体
の各層の組成と電磁変換特性を表４に示す。
【００２８】
【表４】
【００２９】表３，表４の結果から明らかなように、実
施例１と同様にして、Ｃ層の効果により、再生信号が大
きく、高い装置Ｓ／Ｎを実現できていることが分かる。
また、電磁変換特性測定の際、ヘッド相対速度を５，１
０，２０ｍ／ｓとしても同様な結果が得られた。
施例１と同様にして、Ｃ層の効果により、再生信号が大
きく、高い装置Ｓ／Ｎを実現できていることが分かる。
また、電磁変換特性測定の際、ヘッド相対速度を５，１
０，２０ｍ／ｓとしても同様な結果が得られた。
【００３０】〈実施例３〉本発明の媒体は、多層とした
とき２層に限らず、図５に示すような３層、あるいはそ
れ以上積層した構造でも装置Ｓ／Ｎの改善が認められ
る。図５において、５１は非磁性基板、５２，５２′は
Ｃ層、５３，５３′は非磁性下地層、５４，５４′，５
６，５６′，５８，５８′は磁性層、５５，５５′，５
７，５７′は非磁性中間層、５９，５９′は保護層であ
る。本実施例３の磁気記録媒体は、積層回数が異なる
点、および潤滑層を設けない点の他は実施例１と同じ条
件で、外径９５mmφのセラミックス基板を用いて作製し
た。各層の組成，電磁変換特性の評価結果を表５に示
す。なお、電磁変換特性の評価条件は実施例１と同じで
ある。
とき２層に限らず、図５に示すような３層、あるいはそ
れ以上積層した構造でも装置Ｓ／Ｎの改善が認められ
る。図５において、５１は非磁性基板、５２，５２′は
Ｃ層、５３，５３′は非磁性下地層、５４，５４′，５
６，５６′，５８，５８′は磁性層、５５，５５′，５
７，５７′は非磁性中間層、５９，５９′は保護層であ
る。本実施例３の磁気記録媒体は、積層回数が異なる
点、および潤滑層を設けない点の他は実施例１と同じ条
件で、外径９５mmφのセラミックス基板を用いて作製し
た。各層の組成，電磁変換特性の評価結果を表５に示
す。なお、電磁変換特性の評価条件は実施例１と同じで
ある。
【００３１】
【表５】
【００３２】本実施例３の媒体は、表２，表４に示され
る比較例１、及び比較例２の媒体に比べ、いずれも優れ
ていることが分かる。したがって、磁性層を２層以上多
層化してもＣ層の効果は認められ、本発明は多層媒体に
おいても有効なものであることが分かる。また、このと
き磁気ヘッドのギャップ長を０.３，０.５μｍとしても
同様な結果が得られた。
る比較例１、及び比較例２の媒体に比べ、いずれも優れ
ていることが分かる。したがって、磁性層を２層以上多
層化してもＣ層の効果は認められ、本発明は多層媒体に
おいても有効なものであることが分かる。また、このと
き磁気ヘッドのギャップ長を０.３，０.５μｍとしても
同様な結果が得られた。
【００３３】〈実施例４〉表１に示した実施例１の１か
ら１２の媒体について、再生に磁気抵抗効果を利用する
ＭＲヘッドを用い、記録・再生ヘッドを分離して評価し
たときの電磁変換特性を表６に示す。表１に示した自己
録再による結果に比べて再生出力が大きくなるため、同
じ媒体でも、より著しい電磁変換特性の向上が認められ
る。
ら１２の媒体について、再生に磁気抵抗効果を利用する
ＭＲヘッドを用い、記録・再生ヘッドを分離して評価し
たときの電磁変換特性を表６に示す。表１に示した自己
録再による結果に比べて再生出力が大きくなるため、同
じ媒体でも、より著しい電磁変換特性の向上が認められ
る。
【００３４】
【表６】
【００３５】〈実施例５〉本発明の記憶装置の一例の上
面図を図６（ａ）に、そのＡＡ′線断面図を図６（ｂ）
に示す。磁気記録媒体６１は、磁気記録媒体駆動部６２
に連結する保持具に保持され、磁気記録媒体６１のそれ
ぞれの面に対向して磁気ヘッド６３が配置される。磁気
ヘッド６３は記録再生信号処理系６５から信号に基づ
き、磁気ヘッド駆動部６４により駆動する。
面図を図６（ａ）に、そのＡＡ′線断面図を図６（ｂ）
に示す。磁気記録媒体６１は、磁気記録媒体駆動部６２
に連結する保持具に保持され、磁気記録媒体６１のそれ
ぞれの面に対向して磁気ヘッド６３が配置される。磁気
ヘッド６３は記録再生信号処理系６５から信号に基づ
き、磁気ヘッド駆動部６４により駆動する。
【００３６】磁気ヘッド６３として、ギャップ長０.４
μｍ の薄膜型磁気ヘッドを用い、これと各実施例記載
の磁気記録媒体とにより磁気記憶装置を構成した。その
結果、従来の装置に比べて、約１.５ 倍の容量の大容量
高密度記録に対応する磁気記憶装置が得られた。
μｍ の薄膜型磁気ヘッドを用い、これと各実施例記載
の磁気記録媒体とにより磁気記憶装置を構成した。その
結果、従来の装置に比べて、約１.５ 倍の容量の大容量
高密度記録に対応する磁気記憶装置が得られた。
【００３７】また、磁気ヘッド６３として、Ｎｉ−Ｆｅ
磁極の先端にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜を用いたメタル
インギャップタイプのヘッドを用いた場合には、従来装
置に比べ約１.２ 倍の容量の磁気記憶装置ができた。さ
らに、磁気ヘッド６３を記録・再生分離ヘッドとし、再
生にＭＲヘッドを用いた場合には、約２.０ 倍の大容量
磁気記憶装置が実現できた。
磁極の先端にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜を用いたメタル
インギャップタイプのヘッドを用いた場合には、従来装
置に比べ約１.２ 倍の容量の磁気記憶装置ができた。さ
らに、磁気ヘッド６３を記録・再生分離ヘッドとし、再
生にＭＲヘッドを用いた場合には、約２.０ 倍の大容量
磁気記憶装置が実現できた。
【００３８】以上の実施例では、ディスク状の磁気記録
媒体とそれを用いた磁気記憶装置について述べてきた
が、本発明は片面のみに磁性層を有するテープ状，カー
ド状の媒体及びこれを用いた磁気記憶装置にも適用でき
る。
媒体とそれを用いた磁気記憶装置について述べてきた
が、本発明は片面のみに磁性層を有するテープ状，カー
ド状の媒体及びこれを用いた磁気記憶装置にも適用でき
る。
【００３９】また、磁気記録媒体の成膜方法はスパッタ
リング法に限らず、蒸着法，イオンビームスパッタリン
グ法，プラズマＣＶＤ法，塗膜法，メッキ法等の様な手
法を用いてもよい。
リング法に限らず、蒸着法，イオンビームスパッタリン
グ法，プラズマＣＶＤ法，塗膜法，メッキ法等の様な手
法を用いてもよい。
【００４０】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、結晶性，結晶
配向性、及び結晶粒径を制御することが可能となり、従
来に比較して高い再生効率が得られ、その結果、著しく
装置Ｓ／Ｎが向上した。さらに、この媒体と少なくとも
磁極の一部に金属薄膜を用いた磁気ヘッド、あるいは再
生に磁気抵抗効果を利用するＭＲヘッドによる記録・再
生分離ヘッドを用いることで、従来の磁気記憶装置に比
較して、大容量高密度記録の磁気記憶装置が得られた。
配向性、及び結晶粒径を制御することが可能となり、従
来に比較して高い再生効率が得られ、その結果、著しく
装置Ｓ／Ｎが向上した。さらに、この媒体と少なくとも
磁極の一部に金属薄膜を用いた磁気ヘッド、あるいは再
生に磁気抵抗効果を利用するＭＲヘッドによる記録・再
生分離ヘッドを用いることで、従来の磁気記憶装置に比
較して、大容量高密度記録の磁気記憶装置が得られた。
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図。
【図２】従来の磁気記録媒体の断面図。
【図３】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図。
【図４】従来の磁気記録媒体の断面図。
【図５】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図。
【図６】本発明の一実施例の磁気記憶装置の上面図およ
び縦断面図。
び縦断面図。
１１…非磁性基板、１２，１２′…Ｃ層、１３，１３′
…非磁性下地層、１４，１４′，１６，１６′…磁性
層、１５，１５′…非磁性中間層、１７，１７′…保護
層、１８，１８′…潤滑層。
…非磁性下地層、１４，１４′，１６，１６′…磁性
層、１５，１５′…非磁性中間層、１７，１７′…保護
層、１８，１８′…潤滑層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細江 譲 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 竹下 正敏 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 屋久 四男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 尾嵜 明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 萬行 恵美 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】非磁性基板上にＣ層を形成した後、非磁性
下地層を介して、あるいは直接その上に設けられた単数
あるいは複数の磁性層、及び前記複数の磁性層の場合に
は前記磁性層の間に配置された非磁性中間層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、前記Ｃ層は０.１ から
１０００ｎｍの範囲の厚さである磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１記載の磁気記録媒体と、記録ある
いは再生用磁極の少なくとも一部に金属薄膜を用いた磁
気ヘッドとを組み合わせた磁気記憶装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記磁気ヘッドが磁気
抵抗効果を用いて再生する素子を有する磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32915492A JPH06176341A (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32915492A JPH06176341A (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176341A true JPH06176341A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18218248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32915492A Pending JPH06176341A (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06176341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3714658A1 (de) * | 1987-05-02 | 1988-11-17 | Kurz Hessental Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines gasdichten behaelters |
| US5759681A (en) * | 1995-02-03 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using the same |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP32915492A patent/JPH06176341A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3714658A1 (de) * | 1987-05-02 | 1988-11-17 | Kurz Hessental Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines gasdichten behaelters |
| US5759681A (en) * | 1995-02-03 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using the same |
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