JP2003228815A - 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】垂直磁気記録媒体の記録分解能を向上させる。
【解決手段】第１及び第２の下地層を有する垂直磁気記
録媒体であって、磁気記録層がＣｏ，Ｏを含む場合はＢ
２構造を有する第１の下地層を使用し、磁気記録層が少
なくともＣｏを含む場合は、Ｎｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3、あ
るいはＮｉ膜とＡｌ膜を積層して得られた第１の下地層
を使用する場合と、Ｂ２構造を有する第１の下地層、Ｎ
ｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3、あるいはＮｉ膜とＡｌ膜を積層し
て得られた第１の下地層を各々室温で形成したものを使
用する場合とがある。
録媒体であって、磁気記録層がＣｏ，Ｏを含む場合はＢ
２構造を有する第１の下地層を使用し、磁気記録層が少
なくともＣｏを含む場合は、Ｎｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3、あ
るいはＮｉ膜とＡｌ膜を積層して得られた第１の下地層
を使用する場合と、Ｂ２構造を有する第１の下地層、Ｎ
ｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3、あるいはＮｉ膜とＡｌ膜を積層し
て得られた第１の下地層を各々室温で形成したものを使
用する場合とがある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置などの磁気記録再生装置に係り、特に、垂直方向磁化
を利用する垂直磁気記録媒体及びこれを用いた垂直磁気
記録再生装置に関する。
置などの磁気記録再生装置に係り、特に、垂直方向磁化
を利用する垂直磁気記録媒体及びこれを用いた垂直磁気
記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のコンピュータの高性能化、画像・
音声のデジタル化，高画質化に伴い、特に計算機周辺記
憶装置（ＨＤＤ）、画像・音声記録装置（ＤＶＴＲ）な
どの分野において、より高密度の記録・再生が可能な磁
気記録媒体が要求されるようになっている。
音声のデジタル化，高画質化に伴い、特に計算機周辺記
憶装置（ＨＤＤ）、画像・音声記録装置（ＤＶＴＲ）な
どの分野において、より高密度の記録・再生が可能な磁
気記録媒体が要求されるようになっている。
【０００３】従来の面内記録において、記録ビットの微
細化により、高記録密度を実現しようとすると、記録磁
化の熱揺らぎやヘッドの記録能よりも保磁力が高くなり
すぎるなどの問題が生じる。これらの問題を回避するた
めに、近年、垂直異方性を有する垂直磁気記録層を用い
た垂直磁気記録方式が提案されている。
細化により、高記録密度を実現しようとすると、記録磁
化の熱揺らぎやヘッドの記録能よりも保磁力が高くなり
すぎるなどの問題が生じる。これらの問題を回避するた
めに、近年、垂直異方性を有する垂直磁気記録層を用い
た垂直磁気記録方式が提案されている。
【０００４】磁性層にＣｏ系合金を用いた磁気記録媒体
では、その保磁力及びＳ／Ｎ比を向上させるために、Ｃ
ｒを添加して結晶粒界にＣｒを偏析させることで磁性粒
子間の磁気的相互作用の分断を行う方法が用いられてい
たが、このような方法では、結晶磁気異方性が低下する
という問題点があった。
では、その保磁力及びＳ／Ｎ比を向上させるために、Ｃ
ｒを添加して結晶粒界にＣｒを偏析させることで磁性粒
子間の磁気的相互作用の分断を行う方法が用いられてい
たが、このような方法では、結晶磁気異方性が低下する
という問題点があった。
【０００５】一方、磁性層にＣｏ、Ｐｔ系合金を用いた
磁気記録媒体では、Ｃｏ系合金を用いた場合よりも大き
な結晶磁気異方性を持つという他の元素にはない優れた
特徴を持ちながらも、Ｐｔが粒界に偏析しないという問
題点があった。
磁気記録媒体では、Ｃｏ系合金を用いた場合よりも大き
な結晶磁気異方性を持つという他の元素にはない優れた
特徴を持ちながらも、Ｐｔが粒界に偏析しないという問
題点があった。
【０００６】これに対し、近年、ＣｏＰｔ系磁性層を酸
化させＣｏの酸化物による結晶粒界を形成することで、
ＣｏＰｔ磁性粒子間の磁気的相互作用を分断する方法が
考案され、大きな垂直異方性を活用した大きな保磁力と
良好なＳ／Ｎ比を併せ持つ記録媒体を作成することが可
能となった。
化させＣｏの酸化物による結晶粒界を形成することで、
ＣｏＰｔ磁性粒子間の磁気的相互作用を分断する方法が
考案され、大きな垂直異方性を活用した大きな保磁力と
良好なＳ／Ｎ比を併せ持つ記録媒体を作成することが可
能となった。
【０００７】しかしながら、より高密度の記録・再生が
可能な磁気記録媒体を得るためには、記録分解能を中心
とした電磁変換特性をより向上することが望まれてい
る。
可能な磁気記録媒体を得るためには、記録分解能を中心
とした電磁変換特性をより向上することが望まれてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、記録分解能及びＳ／Ｎ比がより良
好であり、高密度記録が可能な垂直磁気録媒体を提供す
ることを目的とする。
みてなされたもので、記録分解能及びＳ／Ｎ比がより良
好であり、高密度記録が可能な垂直磁気録媒体を提供す
ることを目的とする。
【０００９】本発明はまた、良好な記録分解能及びＳ／
Ｎ比を有する垂直磁気記録媒体を備え、高密度記録が可
能な磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
Ｎ比を有する垂直磁気記録媒体を備え、高密度記録が可
能な磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、非磁
性基板と、非磁性基板上に設けられたＢ２構造を有する
第１の下地層と、第１の下地層上に形成された第２の下
地層と、第２の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容
易軸を持ち、コバルト及び酸素を含む垂直磁気記録層と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
性基板と、非磁性基板上に設けられたＢ２構造を有する
第１の下地層と、第１の下地層上に形成された第２の下
地層と、第２の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容
易軸を持ち、コバルト及び酸素を含む垂直磁気記録層と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００１１】本発明は、第２に、非磁性基板と、非磁性
基板上に設けられたＮｉ3Ａｌ及びＮｉＡｌ3のうち１つ
を含む第１の下地層と、第１の下地層上に形成された第
２の下地層と、第２の下地層上に形成され、垂直方向に
磁化容易軸を持ち、コバルトを主に含む垂直磁気記録層
とを具備することを特徴とする磁気記録媒体を提供す
る。
基板上に設けられたＮｉ3Ａｌ及びＮｉＡｌ3のうち１つ
を含む第１の下地層と、第１の下地層上に形成された第
２の下地層と、第２の下地層上に形成され、垂直方向に
磁化容易軸を持ち、コバルトを主に含む垂直磁気記録層
とを具備することを特徴とする磁気記録媒体を提供す
る。
【００１２】本発明は、第３に、非磁性基板と、ニッケ
ル膜とアルミニウム膜を積層して得られた第１の下地層
と、第１の下地層上に形成された第２の下地層と、第２
の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、
コバルトを主に含む垂直磁気記録層とを具備することを
特徴とする磁気記録媒体を提供する。
ル膜とアルミニウム膜を積層して得られた第１の下地層
と、第１の下地層上に形成された第２の下地層と、第２
の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、
コバルトを主に含む垂直磁気記録層とを具備することを
特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００１３】本発明は、第４に、非磁性基板と、該非磁
性基板上に設けられたＢ２構造を有する合金、Ｎｉ3Ａ
ｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケル膜とアルミニウム膜を積
層して得られた合金のうちいずれか１つを含み、室温で
製膜された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成さ
れた第２の下地層と、該第２の下地層上に形成され、垂
直方向に磁化容易軸を持ち、コバルトを主成分とする垂
直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記
録媒体を提供する。
性基板上に設けられたＢ２構造を有する合金、Ｎｉ3Ａ
ｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケル膜とアルミニウム膜を積
層して得られた合金のうちいずれか１つを含み、室温で
製膜された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成さ
れた第２の下地層と、該第２の下地層上に形成され、垂
直方向に磁化容易軸を持ち、コバルトを主成分とする垂
直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記
録媒体を提供する。
【００１４】本発明は、第５に、上記第１ないし第４の
発明に係る磁気記録媒体のうちいずれか１つと、垂直磁
気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気
記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録
された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッド
と、磁気ヘッドを垂直磁気記録媒体に対して移動自在に
支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特
徴とする磁気記録再生装置を提供する。
発明に係る磁気記録媒体のうちいずれか１つと、垂直磁
気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気
記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録
された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッド
と、磁気ヘッドを垂直磁気記録媒体に対して移動自在に
支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特
徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の垂直磁気記録媒体は、基
本的に、非磁性基板上に第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有し、垂直磁気記録層の構成と、第１の下
地層の構成に応じて下記第１ないし第４の観点に大別さ
れる。
本的に、非磁性基板上に第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有し、垂直磁気記録層の構成と、第１の下
地層の構成に応じて下記第１ないし第４の観点に大別さ
れる。
【００１６】第１の観点にかかる発明は、非磁性基板
と、第１の下地層と、第２の下地層と、垂直方向に磁化
容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積層した構造を有する
垂直磁気記録媒体であって、垂直磁気記録層はコバルト
及び酸素を含み、第１の下地層はＢ２構造を有すること
を特徴とする。
と、第１の下地層と、第２の下地層と、垂直方向に磁化
容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積層した構造を有する
垂直磁気記録媒体であって、垂直磁気記録層はコバルト
及び酸素を含み、第１の下地層はＢ２構造を有すること
を特徴とする。
【００１７】Ｂ２構造を有する第１の下地層は、ＮｉＡ
ｌ、ＡｇＭｇ、ＣｕＢｅ、ＣｕＰｄ、ＣｕＺｎ、ＣｏＡ
ｌ、ＣｏＴｉ、ＣｏＺｒ、ＣｏＦｅ、ＡｌＭｎ、ＡｌＲ
ｅ、ＮｉＴｉ、及びＦｅＡｌからなる群から選択される
少なくとも１種の合金を含むことが好ましい。より好ま
しくは、ＮｉＡｌを用いることができる。
ｌ、ＡｇＭｇ、ＣｕＢｅ、ＣｕＰｄ、ＣｕＺｎ、ＣｏＡ
ｌ、ＣｏＴｉ、ＣｏＺｒ、ＣｏＦｅ、ＡｌＭｎ、ＡｌＲ
ｅ、ＮｉＴｉ、及びＦｅＡｌからなる群から選択される
少なくとも１種の合金を含むことが好ましい。より好ま
しくは、ＮｉＡｌを用いることができる。
【００１８】また、本発明の第２の観点にかかる発明
は、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層と、
垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積層し
た構造を有する垂直磁気記録媒体であって、垂直磁気記
録層はコバルトを主に含み、第１の下地層はＮｉ3Ａｌ
及びＮｉＡｌ3のうち１つを含むことを特徴とする。
は、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層と、
垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積層し
た構造を有する垂直磁気記録媒体であって、垂直磁気記
録層はコバルトを主に含み、第１の下地層はＮｉ3Ａｌ
及びＮｉＡｌ3のうち１つを含むことを特徴とする。
【００１９】さらに、第３の観点にかかる発明は、非磁
性基板と、第１の下地層と、第２の下地層と、垂直方向
に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積層した構造を
有する垂直磁気記録媒体であって、垂直磁気記録層はコ
バルトを主に含み、第１の下地層は、ニッケル膜とアル
ミニウム膜を積層して得られることを特徴とする。
性基板と、第１の下地層と、第２の下地層と、垂直方向
に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積層した構造を
有する垂直磁気記録媒体であって、垂直磁気記録層はコ
バルトを主に含み、第１の下地層は、ニッケル膜とアル
ミニウム膜を積層して得られることを特徴とする。
【００２０】さらにまた、本発明の第４の観点にかかる
発明は、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有する垂直磁気記録媒体であって、垂直磁
気記録層はコバルトを主に含み、第１の下地層は、Ｂ２
構造を有する合金、Ｎｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケ
ル膜とアルミニウム膜を積層して得られた合金のうちい
ずれか１つを含み、かつ室温で製膜されることを特徴と
する。
発明は、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有する垂直磁気記録媒体であって、垂直磁
気記録層はコバルトを主に含み、第１の下地層は、Ｂ２
構造を有する合金、Ｎｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケ
ル膜とアルミニウム膜を積層して得られた合金のうちい
ずれか１つを含み、かつ室温で製膜されることを特徴と
する。
【００２１】本発明によれば、所定の第１の下地層を用
いて第２の下地層の結晶配向性を良好にせしめ、さら
に、この第２の下地層の上に設けられる所定の垂直磁気
記録層の磁性粒子を均一化せしめ、その結果、垂直磁気
記録媒体の記録分解能及びＳ／Ｎ比を向上することがで
きる。このように、本発明においては、所定の第１の下
地層と所定の垂直磁気記録層との組み合わせを使用する
ことにより、垂直磁気記録層の特性が改良される。
いて第２の下地層の結晶配向性を良好にせしめ、さら
に、この第２の下地層の上に設けられる所定の垂直磁気
記録層の磁性粒子を均一化せしめ、その結果、垂直磁気
記録媒体の記録分解能及びＳ／Ｎ比を向上することがで
きる。このように、本発明においては、所定の第１の下
地層と所定の垂直磁気記録層との組み合わせを使用する
ことにより、垂直磁気記録層の特性が改良される。
【００２２】なお、Ｂ２構造とは、ＣｓＣｌ（塩化セシ
ウム）構造とも言われ、体心立方構造の中心に別な元素
がある構造を言う。
ウム）構造とも言われ、体心立方構造の中心に別な元素
がある構造を言う。
【００２３】また、第４の観点にかかる発明によれば、
第１の下地層を室温で成膜することにより、垂直磁気記
録層の磁性粒子の粒径がより微細になるという利点があ
る。
第１の下地層を室温で成膜することにより、垂直磁気記
録層の磁性粒子の粒径がより微細になるという利点があ
る。
【００２４】第１ないし第３の観点にかかる垂直磁気記
録層は、プラチナ及びクロムのうち少なくとも１つの金
属を含むことができる。
録層は、プラチナ及びクロムのうち少なくとも１つの金
属を含むことができる。
【００２５】第２ないし第４の観点にかかる垂直磁気記
録媒体の垂直磁気記録層は、さらに酸素を含むことがで
きる。
録媒体の垂直磁気記録層は、さらに酸素を含むことがで
きる。
【００２６】垂直磁気記録層がコバルト及び酸素を含む
場合、垂直磁気記録層は室温で製膜されることが好まし
い。これにより、コバルト及び酸素を含む垂直磁気記録
層の磁性粒子をより均一にすることができる。
場合、垂直磁気記録層は室温で製膜されることが好まし
い。これにより、コバルト及び酸素を含む垂直磁気記録
層の磁性粒子をより均一にすることができる。
【００２７】また、第１の下地層、第２の下地層、及び
垂直磁気記録層を含む垂直磁気記録媒体全体を加熱工程
を設けることなく形成することにより、加熱して形成し
た場合に比べて、媒体の反り、歪みの発生を防ぎまた、
加熱及び冷却工程の簡略などのコスト削減が可能とな
る。
垂直磁気記録層を含む垂直磁気記録媒体全体を加熱工程
を設けることなく形成することにより、加熱して形成し
た場合に比べて、媒体の反り、歪みの発生を防ぎまた、
加熱及び冷却工程の簡略などのコスト削減が可能とな
る。
【００２８】垂直磁気記録層としては、単層の磁性層あ
るいは二以上の磁性層を非磁性層を介して積層した多層
の磁性層を用いることができる。
るいは二以上の磁性層を非磁性層を介して積層した多層
の磁性層を用いることができる。
【００２９】磁性層間に介在し得る非磁性層としては、
例えばＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏＣｒ、及びＣｏＣｒＰｔ
等があげられる。より好ましくはＲｕを使用することが
できる。
例えばＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏＣｒ、及びＣｏＣｒＰｔ
等があげられる。より好ましくはＲｕを使用することが
できる。
【００３０】以下、図面を参照し、本発明をより詳細に
説明する。
説明する。
【００３１】図１に、単層の磁性層が設けられた本発明
に係る垂直磁気記録媒体の第１の例の構成を表す図を示
す。
に係る垂直磁気記録媒体の第１の例の構成を表す図を示
す。
【００３２】図示するように、この垂直磁気記録媒体１
０は、例えば２．５インチ磁気ディスク用のガラス基板
からなる非磁性基板１上に，例えばＮｉＡｌからなる第
１の下地層２，例えばＲｕからなる第２の下地層３、及
び例えばＣｏＰｔＣｒＯからなる垂直磁気記録層４を順
次積層した構成を有する。
０は、例えば２．５インチ磁気ディスク用のガラス基板
からなる非磁性基板１上に，例えばＮｉＡｌからなる第
１の下地層２，例えばＲｕからなる第２の下地層３、及
び例えばＣｏＰｔＣｒＯからなる垂直磁気記録層４を順
次積層した構成を有する。
【００３３】図２は、多層の磁性層が設けられた本発明
に係る垂直磁気記録媒体の第２の例の構成を表す図を示
す。
に係る垂直磁気記録媒体の第２の例の構成を表す図を示
す。
【００３４】図示するように、この垂直磁気記録媒体２
０は、ＣｏＰｔＣｒＯからなる単層の垂直磁気記録層４
の代わりに、ＣｏＰｔＣｒＯからなる垂直磁気記録層
５，例えばＲｕからなる非磁性層６，及びＣｏＰｔＣｒ
Ｏからなる垂直磁気記録層７を順に積層して得られた多
層の垂直磁気記録層８を設ける以外は、図１と同様の構
成を有する。
０は、ＣｏＰｔＣｒＯからなる単層の垂直磁気記録層４
の代わりに、ＣｏＰｔＣｒＯからなる垂直磁気記録層
５，例えばＲｕからなる非磁性層６，及びＣｏＰｔＣｒ
Ｏからなる垂直磁気記録層７を順に積層して得られた多
層の垂直磁気記録層８を設ける以外は、図１と同様の構
成を有する。
【００３５】磁性層の組成がＣｏを主成分としＰｔ、Ｃ
ｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｏのうち少なくとも一
つを含む合金である場合には、多層の磁性層を設けるこ
とが好ましい。多層の磁性層は、２層ないし５層設ける
ことが好ましい。
ｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｏのうち少なくとも一
つを含む合金である場合には、多層の磁性層を設けるこ
とが好ましい。多層の磁性層は、２層ないし５層設ける
ことが好ましい。
【００３６】第１の下地層は、０．１〜５０ｎｍの厚さ
を有することが好ましい。第１の下地層の厚さが０．１
ｎｍ未満であるとＳ／Ｎ比が著しく悪化し、また記録分
解能が悪化する傾向があり、５０ｎｍを超えるとＳ／Ｎ
比および記録分解能が悪化する傾向がある。
を有することが好ましい。第１の下地層の厚さが０．１
ｎｍ未満であるとＳ／Ｎ比が著しく悪化し、また記録分
解能が悪化する傾向があり、５０ｎｍを超えるとＳ／Ｎ
比および記録分解能が悪化する傾向がある。
【００３７】第２の下地層は、Ｒｕ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，及びＮｉなる群から選択される少なくとも１種の
金属を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｒｕを用
いることができる。
ｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，及びＮｉなる群から選択される少なくとも１種の
金属を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｒｕを用
いることができる。
【００３８】また、第２の下地層は、０．１〜５０ｎｍ
の厚さを有することが好ましい。
の厚さを有することが好ましい。
【００３９】第２の下地層の厚さが０．１ｎｍ未満であ
るとＳ／Ｎ比が著しく悪化し、また記録分解能が悪化す
るとなる傾向があり、５０ｎｍを超えるとＳ／Ｎ比およ
び記録分解能が悪化する傾向がある。
るとＳ／Ｎ比が著しく悪化し、また記録分解能が悪化す
るとなる傾向があり、５０ｎｍを超えるとＳ／Ｎ比およ
び記録分解能が悪化する傾向がある。
【００４０】非磁性基板と第１の下地層との間に少なく
とも一層の軟磁性層が設けられることが好ましい。これ
により、得られる垂直磁気記録媒体を垂直二層膜媒体と
して用いることができる。このような垂直二層膜媒体に
おいて、軟磁性層は、磁気記録層を磁化した磁気ヘッド
からの記録磁界を水平方向に通して磁気ヘッド側へ還流
させる磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録再生
効率を向上させる役目を果たしている。さらに好ましく
は、軟磁性層と非磁性基板との間に硬磁性層を設けるこ
とができる。このように、予め磁化容易方向の制御が容
易な硬磁性層を設けて、その上に軟磁性層を形成するこ
とにより、磁化容易方向の制御がし易くなる図３に、軟
磁性層が設けられた本発明の垂直磁気記録媒体の第３の
例の構成を表す図を示す。
とも一層の軟磁性層が設けられることが好ましい。これ
により、得られる垂直磁気記録媒体を垂直二層膜媒体と
して用いることができる。このような垂直二層膜媒体に
おいて、軟磁性層は、磁気記録層を磁化した磁気ヘッド
からの記録磁界を水平方向に通して磁気ヘッド側へ還流
させる磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録再生
効率を向上させる役目を果たしている。さらに好ましく
は、軟磁性層と非磁性基板との間に硬磁性層を設けるこ
とができる。このように、予め磁化容易方向の制御が容
易な硬磁性層を設けて、その上に軟磁性層を形成するこ
とにより、磁化容易方向の制御がし易くなる図３に、軟
磁性層が設けられた本発明の垂直磁気記録媒体の第３の
例の構成を表す図を示す。
【００４１】図示するように、この垂直磁気記録媒体
は、非磁性基板１と第１の下地層２との間に軟磁性層９
を設けた以外は図１と同様の構成を有する。
は、非磁性基板１と第１の下地層２との間に軟磁性層９
を設けた以外は図１と同様の構成を有する。
【００４２】また、本発明の磁気記録再生装置は、上述
の第１ないし第４の観点にかかる垂直磁気記録媒体を各
々適用した装置であって、以下の第５ないし第８の観点
に大別される。
の第１ないし第４の観点にかかる垂直磁気記録媒体を各
々適用した装置であって、以下の第５ないし第８の観点
に大別される。
【００４３】第５の観点にかかる垂直磁気記録再生装置
は、第１の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用したも
ので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録
媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録媒
体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された
情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁
気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持
したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記録
層はコバルト及び酸素を含み、第１の下地層はＢ２構造
を有することを特徴とする。
は、第１の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用したも
ので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録
媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録媒
体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された
情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁
気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持
したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記録
層はコバルト及び酸素を含み、第１の下地層はＢ２構造
を有することを特徴とする。
【００４４】また、第６の観点にかかる磁気記録再生装
置は、第２の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用した
もので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録
媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録媒
体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された
情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁
気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持
したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記録
層はコバルトを主に含み、第１の下地層はＮｉ3Ａｌ及
びＮｉＡｌ3のうち１つを含むことを特徴とする。
置は、第２の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用した
もので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地層
と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを積
層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録
媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録媒
体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された
情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁
気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持
したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記録
層はコバルトを主に含み、第１の下地層はＮｉ3Ａｌ及
びＮｉＡｌ3のうち１つを含むことを特徴とする。
【００４５】さらに、第７の観点にかかる磁気記録再生
装置は、第３の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用し
たもので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地
層と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを
積層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記
録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録
媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録され
た情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、
磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支
持したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記
録層はコバルトを主に含み、第１の下地層は、ニッケル
膜とアルミニウム膜を積層して得られることを特徴とす
る。
装置は、第３の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用し
たもので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地
層と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを
積層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記
録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録
媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録され
た情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、
磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支
持したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記
録層はコバルトを主に含み、第１の下地層は、ニッケル
膜とアルミニウム膜を積層して得られることを特徴とす
る。
【００４６】さらに、第８の観点にかかる磁気記録再生
装置は、第４の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用し
たもので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地
層と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを
積層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記
録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録
媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録され
た情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、
磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支
持したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記
録層はコバルトを主に含み、第１の下地層は、Ｂ２構造
を有する合金、Ｎｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケル膜
とアルミニウム膜を積層して得られた合金のうちいずれ
か１つを含み、かつ室温で製膜されることを特徴とす
る。
装置は、第４の観点にかかる垂直磁気記録媒体を適用し
たもので、非磁性基板と、第１の下地層と、第２の下地
層と、垂直方向に磁化容易軸を持つ垂直磁気記録層とを
積層した構造を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記
録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録
媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録され
た情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、
磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支
持したキャリッジアッセンブリとを具備し、垂直磁気記
録層はコバルトを主に含み、第１の下地層は、Ｂ２構造
を有する合金、Ｎｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケル膜
とアルミニウム膜を積層して得られた合金のうちいずれ
か１つを含み、かつ室温で製膜されることを特徴とす
る。
【００４７】図４に、本発明にかかる磁気記録再生装置
の一例を一部分解した斜視図を示す。
の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００４８】本発明の第１ないし第４の観点にかかる垂
直磁気記録媒体のいずれかの構成を有し、情報を記録す
るための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２
２に装着されており、図示しないスピンドルモータによ
って一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１
にアクセスして情報の記録再生を行う磁気ヘッドを搭載
したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサス
ペンション１２４の先端に取付けられている。サスペン
ション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン
部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
直磁気記録媒体のいずれかの構成を有し、情報を記録す
るための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２
２に装着されており、図示しないスピンドルモータによ
って一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１
にアクセスして情報の記録再生を行う磁気ヘッドを搭載
したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサス
ペンション１２４の先端に取付けられている。サスペン
ション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン
部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００４９】アーム１２５の他端側には、リニアモータ
の一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられてい
る。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを
挟み込むようにして配置された永久磁石および対向ヨー
クにより構成される磁気回路とから構成されている。
の一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられてい
る。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを
挟み込むようにして配置された永久磁石および対向ヨー
クにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００５０】アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ
所に設けられた図示しないボールベアリングによって保
持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転対向揺
動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけ
るスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２
６によって制御される。なお、図４中、１２８は蓋体を
示している。
所に設けられた図示しないボールベアリングによって保
持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転対向揺
動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけ
るスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２
６によって制御される。なお、図４中、１２８は蓋体を
示している。
【００５１】以下、実施例を示し、本発明をより具体的
に説明する。
に説明する。
【００５２】
【実施例】実施例１
２．５インチ磁気ディスク用のガラス基板からなる非磁
性基板を用意した。
性基板を用意した。
【００５３】ＤＣマグネトロンスパッタ装置の真空チャ
ンバー内に非磁性基板を載置し、１×１０−５ Ｐａの
真空度になるまで排気した。基板温度を室温に保ったま
ま、第１の下地層として、ＮｉＡｌをＤＣ３００ Ｗで
放電し厚さ３ｎｍになるように製膜し、ＮｉＡｌ層を得
た。
ンバー内に非磁性基板を載置し、１×１０−５ Ｐａの
真空度になるまで排気した。基板温度を室温に保ったま
ま、第１の下地層として、ＮｉＡｌをＤＣ３００ Ｗで
放電し厚さ３ｎｍになるように製膜し、ＮｉＡｌ層を得
た。
【００５４】続いて、第２の下地層として、ＲｕをＤＣ
５００ Ｗで放電させ、厚さ３０ｎｍまで製膜し、Ｒｕ
層を得た。
５００ Ｗで放電させ、厚さ３０ｎｍまで製膜し、Ｒｕ
層を得た。
【００５５】次に、得られたＲｕ層上に、Ｃｏ−１６ａ
ｔ％Ｃｒ−２０ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、酸素を
含むアルゴン雰囲気中で、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層を
１８ｎｍ製膜し、その後、Ｒｕ非磁性層を４ｎｍ、さら
に、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層を１８ｎｍ順次製膜し
た。
ｔ％Ｃｒ−２０ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、酸素を
含むアルゴン雰囲気中で、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層を
１８ｎｍ製膜し、その後、Ｒｕ非磁性層を４ｎｍ、さら
に、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層を１８ｎｍ順次製膜し
た。
【００５６】最後に、Ｃ保護層を７ｎｍの厚さで製膜し
た。
た。
【００５７】このように真空容器内で連続して製膜した
基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰ
Ｅ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布し、潤滑層を形成
して、垂直磁気記録媒体を得た。
基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰ
Ｅ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布し、潤滑層を形成
して、垂直磁気記録媒体を得た。
【００５８】図５に、実施例１に係る垂直磁気記録媒体
の構成を表す図を示す。
の構成を表す図を示す。
【００５９】図示するように、垂直磁気記録媒体４０
は、非磁性基板１上に、ＮｉＡｌ第１の下地層２，Ｒｕ
第２の下地層３、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層５，Ｒｕ非
磁性層６，ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層７、Ｃ保護層１
１、及び図示しない潤滑層を順次積層した構成を有す
る。
は、非磁性基板１上に、ＮｉＡｌ第１の下地層２，Ｒｕ
第２の下地層３、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層５，Ｒｕ非
磁性層６，ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層７、Ｃ保護層１
１、及び図示しない潤滑層を順次積層した構成を有す
る。
【００６０】垂直磁気記録媒体４０について，磁気抵抗
効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラ
ック幅０．２μｍのリング型ヘッドを用いて記録再生特
性の評価を行ったところ，記録分解能を示す指標である
ｄＰＷ５０（微分波形の半値幅）が９０ｎｍ、ＳＮＲｍ
（Ｓ：低域出力、Ｎ：４００ｋＦＣＩのノイズ）が２
１．４ｄＢという良好な磁気記録媒体が得られたことが
わかった。得られた結果を下記表１に示す。
効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラ
ック幅０．２μｍのリング型ヘッドを用いて記録再生特
性の評価を行ったところ，記録分解能を示す指標である
ｄＰＷ５０（微分波形の半値幅）が９０ｎｍ、ＳＮＲｍ
（Ｓ：低域出力、Ｎ：４００ｋＦＣＩのノイズ）が２
１．４ｄＢという良好な磁気記録媒体が得られたことが
わかった。得られた結果を下記表１に示す。
【００６１】なお、この実施例１の磁気記録媒体４０に
おいて、垂直磁性層５，７の間に製膜したＲｕ非磁性層
を製膜せずに、垂直磁気記録層単層を３６ｎｍ製膜して
媒体を作成した。得られた磁気記録媒体は、実施例１の
磁気記録媒体４０に比べて、ＳＮＲｍが１〜２ｄＢ程度
悪化した。したがって、このＲｕ非磁性層を入れること
でＳＮＲｍ改善に効果があったことが分かる。記録層の
間に製膜する非磁性層としてＲｕの代わりに、Ｐｄ，Ｐ
ｔ,ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔを用いても同様の効果が得
られた。
おいて、垂直磁性層５，７の間に製膜したＲｕ非磁性層
を製膜せずに、垂直磁気記録層単層を３６ｎｍ製膜して
媒体を作成した。得られた磁気記録媒体は、実施例１の
磁気記録媒体４０に比べて、ＳＮＲｍが１〜２ｄＢ程度
悪化した。したがって、このＲｕ非磁性層を入れること
でＳＮＲｍ改善に効果があったことが分かる。記録層の
間に製膜する非磁性層としてＲｕの代わりに、Ｐｄ，Ｐ
ｔ,ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔを用いても同様の効果が得
られた。
【００６２】実施例２
さらに、第１の下地層として、ＮｉＡｌの代わりに、他
のＢ２構造の合金ＡｇＭｇ，ＣｕＢｅ，ＣｕＰｄ，Ｃｕ
Ｚｎ，ＣｏＡｌ，ＣｏＴｉ，ＣｏＺｒ，ＣｏＦｅ，Ａｌ
Ｍｎ，ＡｌＲｅ，ＮｉＴｉ，及びＦｅＡｌを各々用いて
媒体を形成した以外は実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作成し、評価した。得られた結果を下記表１に
示す。
のＢ２構造の合金ＡｇＭｇ，ＣｕＢｅ，ＣｕＰｄ，Ｃｕ
Ｚｎ，ＣｏＡｌ，ＣｏＴｉ，ＣｏＺｒ，ＣｏＦｅ，Ａｌ
Ｍｎ，ＡｌＲｅ，ＮｉＴｉ，及びＦｅＡｌを各々用いて
媒体を形成した以外は実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作成し、評価した。得られた結果を下記表１に
示す。
【００６３】ＮｉＡｌと同様に、Ｂ２構造の合金を用い
ると、ｄＰＷ５０及びＳＮＲｍの改善の効果があること
が分かった。
ると、ｄＰＷ５０及びＳＮＲｍの改善の効果があること
が分かった。
【００６４】比較例１
非磁性基板上に、第１の下地層として、ＮｉＡｌ層の代
わりに４ｎｍのＴｉ層８を形成し、続いて、第２の下地
層として、Ｒｕ層の厚さを５０ｎｍとする以外は、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
わりに４ｎｍのＴｉ層８を形成し、続いて、第２の下地
層として、Ｒｕ層の厚さを５０ｎｍとする以外は、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００６５】得られた垂直磁気記録媒体について実施例
１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ｄＰＷ
５０＝１２０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝１７ｄＢであった。得ら
れた結果を下記表１に示す。
１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ｄＰＷ
５０＝１２０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝１７ｄＢであった。得ら
れた結果を下記表１に示す。
【００６６】
【表１】
【００６７】実施例１及び比較例１から、第１の下地層
としてＢ２構造の合金ＮｉＡｌ、ＡｇＭｇ，ＣｕＢｅ，
ＣｕＰｄ，ＣｕＺｎ，ＣｏＡｌ，ＣｏＴｉ，ＣｏＺｒ，
ＣｏＦｅ，ＡｌＭｎ，ＡｌＲｅ，ＮｉＴｉ，及びＦｅＡ
ｌを用いると、電磁特性、特に記録分解能の改善に効果
があることが分かった。より良好な効果が認められたの
はＮｉＡｌであった。
としてＢ２構造の合金ＮｉＡｌ、ＡｇＭｇ，ＣｕＢｅ，
ＣｕＰｄ，ＣｕＺｎ，ＣｏＡｌ，ＣｏＴｉ，ＣｏＺｒ，
ＣｏＦｅ，ＡｌＭｎ，ＡｌＲｅ，ＮｉＴｉ，及びＦｅＡ
ｌを用いると、電磁特性、特に記録分解能の改善に効果
があることが分かった。より良好な効果が認められたの
はＮｉＡｌであった。
【００６８】実施例３
第２の下地層としてＲｕ層の代わりにＣｏ−５０ａｔ
％Ｃｒ層を形成した以外は実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作成し、評価を行った。その結果を下記表
２に示す。
％Ｃｒ層を形成した以外は実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作成し、評価を行った。その結果を下記表
２に示す。
【００６９】さらに、第２の下地層としてＲｕ層の代わ
りにＭｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，及びＮｉを各々適用する以外
は実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成し、評
価を行った。その結果を下記表２に示す。
りにＭｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，及びＮｉを各々適用する以外
は実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成し、評
価を行った。その結果を下記表２に示す。
【００７０】
【表２】
【００７１】表２に示すように、実施例１のように第２
の下地層としてＲｕを用いた場合に比べ、第２の下地層
としてＣｏＣｒを用いるとＳＮＲｍが２ｄＢ以上減少し
ていた。よって、第２の下地層としてＣｏＣｒを用いる
より、Ｒｕを用いた方が記録再生特性が改善されること
がわかった。また、第２の下地層としてＣｏＣｒを用い
るより、Ｒｕ、Ｍｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，またはＮｉを使用
した方が、ＣｏＣｒを用いるよりも記録再生特性が改善
されることがわかった。第２の下地層としてＲｕを用い
ることがより好ましいことがわかった。
の下地層としてＲｕを用いた場合に比べ、第２の下地層
としてＣｏＣｒを用いるとＳＮＲｍが２ｄＢ以上減少し
ていた。よって、第２の下地層としてＣｏＣｒを用いる
より、Ｒｕを用いた方が記録再生特性が改善されること
がわかった。また、第２の下地層としてＣｏＣｒを用い
るより、Ｒｕ、Ｍｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，またはＮｉを使用
した方が、ＣｏＣｒを用いるよりも記録再生特性が改善
されることがわかった。第２の下地層としてＲｕを用い
ることがより好ましいことがわかった。
【００７２】実施例４
第２下地層として、Ｒｕを使用し、その膜厚を０ないし
８０ｎｍで適宜変化させる以外は実施例１と同様にし
て、種々の厚さをもつＲｕ層を有する複数の垂直磁気記
録媒体を作成した。
８０ｎｍで適宜変化させる以外は実施例１と同様にし
て、種々の厚さをもつＲｕ層を有する複数の垂直磁気記
録媒体を作成した。
【００７３】ＳＮＲｍおよびｄＰＷ５０と、Ｒｕの膜厚
との関係を表すグラフ図を図６に示す。図中、グラフ１
０１はＳＮＲｍ、グラフ１０２はｄＰＷ５０をそれぞれ
示す。図６に示すように、ＳＮＲｍは膜厚が１０〜５０
ｎｍあたりであまり変化はしないことが分かった。一
方、ｄＰＷ５０は、１〜４０ｎｍあたりではそれほど変
化はないが、６０ｎｍでは大幅に悪化している。よっ
て、第２下地膜の厚さは１〜５０ｎｍあたりが望ましい
ことがわかった。
との関係を表すグラフ図を図６に示す。図中、グラフ１
０１はＳＮＲｍ、グラフ１０２はｄＰＷ５０をそれぞれ
示す。図６に示すように、ＳＮＲｍは膜厚が１０〜５０
ｎｍあたりであまり変化はしないことが分かった。一
方、ｄＰＷ５０は、１〜４０ｎｍあたりではそれほど変
化はないが、６０ｎｍでは大幅に悪化している。よっ
て、第２下地膜の厚さは１〜５０ｎｍあたりが望ましい
ことがわかった。
【００７４】実施例５
２．５インチ磁気ディスク用のガラス基板からなる非磁
性基板を用意した。
性基板を用意した。
【００７５】１×１０−５ Ｐａの真空度の真空チャン
バー内に非磁性基板を設置し、基板温度を２５０℃まで
加熱して、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＤＣマグ
ネトロンスパッタリングを行った。
バー内に非磁性基板を設置し、基板温度を２５０℃まで
加熱して、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＤＣマグ
ネトロンスパッタリングを行った。
【００７６】まず，非磁性基板をターゲットに対向する
ように配置し、ＤＣ５００ Ｗをターゲットに放電し、
裏打ち非磁性層として、Ｃｒ膜１４を厚さ４０ｎｍ形成
した。
ように配置し、ＤＣ５００ Ｗをターゲットに放電し、
裏打ち非磁性層として、Ｃｒ膜１４を厚さ４０ｎｍ形成
した。
【００７７】その上に厚さ２５ｎｍになるようにＣｏＣ
ｒＰｔ裏打ち強磁性層を製膜した。
ｒＰｔ裏打ち強磁性層を製膜した。
【００７８】得られたＣｏＣｒＰｔ裏打ち強磁性層上
に、厚さ２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ裏打ち軟磁性層を形
成した。
に、厚さ２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ裏打ち軟磁性層を形
成した。
【００７９】その後、基板を冷却し、基板温度を室温ま
で低下させた。
で低下させた。
【００８０】続いて、ＣｏＺｒＮｂ裏打ち軟磁性層上
に、第１の下地層としてＮｉＡｌをＤＣ３００ Ｗで放
電し、厚さ３ｎｍになるように製膜してＮｉＡｌ層を形
成した。
に、第１の下地層としてＮｉＡｌをＤＣ３００ Ｗで放
電し、厚さ３ｎｍになるように製膜してＮｉＡｌ層を形
成した。
【００８１】ＮｉＡｌ層上に、第２の下地層として、Ｒ
ｕをＤＣ５００ Ｗで放電させ、厚さ３０ｎｍまで製膜
してＲｕ層を形成した。
ｕをＤＣ５００ Ｗで放電させ、厚さ３０ｎｍまで製膜
してＲｕ層を形成した。
【００８２】その後、Ｃｏ−１６ａｔ ％Ｃｒ−２０ａ
ｔ ％Ｐｔのターゲットを用意し、Ｒｕ層上に、ＣｏＰ
ｔＣｒＯ垂直磁性層１８ｎｍ、Ｒｕ非磁性層４ｎｍ、Ｃ
ｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層１８ｎｍを順次製膜し、さらに
７ｎｍのＣ保護層を製膜した。
ｔ ％Ｐｔのターゲットを用意し、Ｒｕ層上に、ＣｏＰ
ｔＣｒＯ垂直磁性層１８ｎｍ、Ｒｕ非磁性層４ｎｍ、Ｃ
ｏＰｔＣｒＯ垂直磁性層１８ｎｍを順次製膜し、さらに
７ｎｍのＣ保護層を製膜した。
【００８３】このように真空容器内で連続して製膜した
基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰ
Ｅ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気録媒
体を得た。
基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰ
Ｅ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気録媒
体を得た。
【００８４】図７に、実施例５に係る垂直磁気記録媒体
の構成を表す概略図を示す。
の構成を表す概略図を示す。
【００８５】図示するように、この垂直磁気記録媒体５
０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性層１２、ＣｏＣｒ
Ｐｔ強磁性層１３、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層１４、ＮｉＡ
ｌ第１の下地層２、Ｒｕ第２の下地層３、ＣｏＰｔＣｒ
Ｏ垂直磁性層５、Ｒｕ非磁性層６，ＣｏＰｔＣｒＯ垂直
磁性層７、Ｃ保護層１１、及び図示しない潤滑層を順次
積層した構造を有する。
０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性層１２、ＣｏＣｒ
Ｐｔ強磁性層１３、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層１４、ＮｉＡ
ｌ第１の下地層２、Ｒｕ第２の下地層３、ＣｏＰｔＣｒ
Ｏ垂直磁性層５、Ｒｕ非磁性層６，ＣｏＰｔＣｒＯ垂直
磁性層７、Ｃ保護層１１、及び図示しない潤滑層を順次
積層した構造を有する。
【００８６】得られた垂直磁気録媒体について、電磁石
を備えた着磁装置を用いて，円板上基板の半径方向外向
きに１５ｋＯｅの磁界を印加し，面内硬磁性層の半径方
向への磁化を行った。
を備えた着磁装置を用いて，円板上基板の半径方向外向
きに１５ｋＯｅの磁界を印加し，面内硬磁性層の半径方
向への磁化を行った。
【００８７】着磁された垂直磁気記録媒体について，磁
気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再
生トラック幅０．２μｍの単磁極ヘッドを用いて記録再
生特性の評価を行ったところ，記録分解能を示す指標で
あるｄＰＷ５０＝７０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２４ｄＢという
良好な媒体を得ることができた。
気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再
生トラック幅０．２μｍの単磁極ヘッドを用いて記録再
生特性の評価を行ったところ，記録分解能を示す指標で
あるｄＰＷ５０＝７０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２４ｄＢという
良好な媒体を得ることができた。
【００８８】また、以上の結果と実施例１ないし４の結
果とを比較することにより、第１の下地層と基板との間
に軟磁性層を製膜することにより記録再生特性がより改
善されることがわかった。
果とを比較することにより、第１の下地層と基板との間
に軟磁性層を製膜することにより記録再生特性がより改
善されることがわかった。
【００８９】メディアの高密度化に進むに従い、採用さ
れるであろう技術の１つにこのような軟磁性裏打ち層を
設けた垂直二層媒体がある。この垂直二層媒体における
記録分解能は、記録再生を担う単磁極ヘッドと軟磁性裏
打ち層との距離に大きく依存することが分かっている。
実施例５のように、このＮｉＡｌを用いた第１の下地層
とＯを含んだＣｏ合金とを組み合わせると、第２の下地
層の層厚を大きく低減することができ、よって大幅な記
録分解能の改善が可能となる。
れるであろう技術の１つにこのような軟磁性裏打ち層を
設けた垂直二層媒体がある。この垂直二層媒体における
記録分解能は、記録再生を担う単磁極ヘッドと軟磁性裏
打ち層との距離に大きく依存することが分かっている。
実施例５のように、このＮｉＡｌを用いた第１の下地層
とＯを含んだＣｏ合金とを組み合わせると、第２の下地
層の層厚を大きく低減することができ、よって大幅な記
録分解能の改善が可能となる。
【００９０】比較例２
ＮｉＡｌからなる第１の下地層の代わりに、４ｎｍのＴ
ｉからなる第１の下地層を形成し、さらにＲｕ第２の下
地層の膜厚を０ないし８０ｎｍの範囲で適宜変化させた
以外は実施例５と同様にして、種々の厚さをもつＲｕ層
を有する複数の垂直磁気記録媒体を作成した。
ｉからなる第１の下地層を形成し、さらにＲｕ第２の下
地層の膜厚を０ないし８０ｎｍの範囲で適宜変化させた
以外は実施例５と同様にして、種々の厚さをもつＲｕ層
を有する複数の垂直磁気記録媒体を作成した。
【００９１】得られた垂直磁気記録媒体について、実施
例５と同様にして記録再生特性を評価し、Ｒｕ第２の下
地層の膜厚依存性を調べた。ＳＮＲｍはＲｕ第２の下地
層の膜厚が約５０ｎｍで極大値を持った。しかし、記録
分解能を表すｄＰＷ５０についてはＲｕ膜厚が３０ｎｍ
あたりで極小値を示した。
例５と同様にして記録再生特性を評価し、Ｒｕ第２の下
地層の膜厚依存性を調べた。ＳＮＲｍはＲｕ第２の下地
層の膜厚が約５０ｎｍで極大値を持った。しかし、記録
分解能を表すｄＰＷ５０についてはＲｕ膜厚が３０ｎｍ
あたりで極小値を示した。
【００９２】Ｒｕ第２の下地層の膜厚が５０ｎｍの場
合、ＳＮＲｍ＝１９ｄＢと比較的良い値を示したが、ｄ
ＰＷ５０＝１２０ｎｍと記録分解能が大きく悪化するこ
とが分かった。これはＲｕ第２の下地層が厚すぎるため
に垂直二層媒体装置特有の単磁極記録ヘッドと裏打ち軟
磁性層との距離が増して、ビットに対して正確に記録で
きなかったことに起因する。
合、ＳＮＲｍ＝１９ｄＢと比較的良い値を示したが、ｄ
ＰＷ５０＝１２０ｎｍと記録分解能が大きく悪化するこ
とが分かった。これはＲｕ第２の下地層が厚すぎるため
に垂直二層媒体装置特有の単磁極記録ヘッドと裏打ち軟
磁性層との距離が増して、ビットに対して正確に記録で
きなかったことに起因する。
【００９３】そこで、Ｒｕ第２下地層を３０ｎｍの厚さ
で製膜すると、ｄＰＷ５０＝１００ｎｍと向上したが、
ＳＮＲｍ＝１５ｄＢとなり、今度はＲｕ第２下地層が薄
すぎて、垂直磁性層が良い特性を保てないことが分かっ
た。
で製膜すると、ｄＰＷ５０＝１００ｎｍと向上したが、
ＳＮＲｍ＝１５ｄＢとなり、今度はＲｕ第２下地層が薄
すぎて、垂直磁性層が良い特性を保てないことが分かっ
た。
【００９４】したがって、この垂直磁気記録媒体では、
記録分解能ｄＰＷ５０を改善するために第２の下地膜の
膜厚を薄くするとＳＮＲｍが悪化してしまうが、実施例
５のように第１の下地層にＮｉＡｌを用いればＳＮＲｍ
を悪化させることなく第２の下地層の膜厚を薄くして、
記録ヘッドと軟磁性層との距離を縮めることができ、電
磁特性の改善、特に記録分解能ｄＰＷ５０の改善に大き
な効果があることが分かった。
記録分解能ｄＰＷ５０を改善するために第２の下地膜の
膜厚を薄くするとＳＮＲｍが悪化してしまうが、実施例
５のように第１の下地層にＮｉＡｌを用いればＳＮＲｍ
を悪化させることなく第２の下地層の膜厚を薄くして、
記録ヘッドと軟磁性層との距離を縮めることができ、電
磁特性の改善、特に記録分解能ｄＰＷ５０の改善に大き
な効果があることが分かった。
【００９５】実施例６
ＮｉＡｌ第１の下地層を製膜する際に、各々スパッタ電
力を変化させる以外は実施例１と同様にして、種々の膜
厚をもつＮｉＡｌ層を有する複数の垂直磁気記録媒体を
作成した。
力を変化させる以外は実施例１と同様にして、種々の膜
厚をもつＮｉＡｌ層を有する複数の垂直磁気記録媒体を
作成した。
【００９６】得られた垂直磁気記録媒体について、実施
例１と同様に評価を行い、ＮｉＡｌ第１の下地層の膜厚
依存性を調べた。
例１と同様に評価を行い、ＮｉＡｌ第１の下地層の膜厚
依存性を調べた。
【００９７】ＳＮＲｍおよびｄＰＷ５０と、ＮｉＡｌ第
１の下地層の膜厚との関係を表すグラフ図を図８に示
す。
１の下地層の膜厚との関係を表すグラフ図を図８に示
す。
【００９８】図中、２０１はＳＮＲｍ、２０２はｄＰＷ
５０をそれぞれ示す。
５０をそれぞれ示す。
【００９９】図示するように、この垂直磁気記録媒体に
おいて、第１の下地層の膜厚を３〜３０ｎｍと変化させ
てもＳＮＲｍはそれほど大きな変化は見られなかった。
一方、記録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０について
は、第１の下地層が薄い方が良い値をとっていた。図よ
りＳＮＲｍとｄＰＷ５０の関係から、第１の下地層は
０．１〜５０ｎｍまでが望ましいことがわかった。
おいて、第１の下地層の膜厚を３〜３０ｎｍと変化させ
てもＳＮＲｍはそれほど大きな変化は見られなかった。
一方、記録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０について
は、第１の下地層が薄い方が良い値をとっていた。図よ
りＳＮＲｍとｄＰＷ５０の関係から、第１の下地層は
０．１〜５０ｎｍまでが望ましいことがわかった。
【０１００】実施例７
実施例１と同様にしてＮｉＡｌ第１の下地層、Ｒｕ第２
の下地層を製膜した後、基板を２００℃まで加熱した。
の下地層を製膜した後、基板を２００℃まで加熱した。
【０１０１】その後、Ｃｏ−２２ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ
％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａのターゲットを用いてＣｏＰｔＣ
ｒＴａ垂直磁性層１８ｎｍ、Ｒｕ非磁性層４ｎｍ、及び
ＣｏＰｔＣｒＴａ垂直磁性層１８ｎｍを順次製膜し、さ
らに７ｎｍのＣ保護層を製膜した。
％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａのターゲットを用いてＣｏＰｔＣ
ｒＴａ垂直磁性層１８ｎｍ、Ｒｕ非磁性層４ｎｍ、及び
ＣｏＰｔＣｒＴａ垂直磁性層１８ｎｍを順次製膜し、さ
らに７ｎｍのＣ保護層を製膜した。
【０１０２】このように真空容器内で連続して製膜した
基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰ
Ｅ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気記録
媒体を得た。実施例７にかかる磁気記録媒体の製膜工程
を表すフロー図を図９に示す。
基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰ
Ｅ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気記録
媒体を得た。実施例７にかかる磁気記録媒体の製膜工程
を表すフロー図を図９に示す。
【０１０３】垂直磁気記録媒体の静磁気特性を評価した
ところ、Ｈｃが３０００Ｏｅ、ＭＨループでＭが急激に
低下を始める磁化のニュークリエーションフィールドＨ
ｎが−５００Ｏｅと良好であった。
ところ、Ｈｃが３０００Ｏｅ、ＭＨループでＭが急激に
低下を始める磁化のニュークリエーションフィールドＨ
ｎが−５００Ｏｅと良好であった。
【０１０４】さらに、記録再生特性を評価したところ、
熱揺らぎ指標である低域出力の減衰値−０．０５％／ｄ
ｅｃａｄｅであった。
熱揺らぎ指標である低域出力の減衰値−０．０５％／ｄ
ｅｃａｄｅであった。
【０１０５】比較例３
また、実施例７の比較として、以下の垂直磁気記録媒体
を作成した。
を作成した。
【０１０６】実施例１と同様の非磁性基板を用意し、実
施例１と同様の真空度のチャンバー内に載置した。
施例１と同様の真空度のチャンバー内に載置した。
【０１０７】その後、基板温度を２００℃まで加熱し、
ＮｉＡｌからなる第１の下地層３ｎｍ、Ｒｕからなる第
２の下地層３０ｎｍ、酸素を含まないＣｏ−２２ａｔ
％Ｃｒ−１２ａｔ ％Ｐｔ−２ａｔ ％Ｔａ垂直磁性層
１８ｎｍ、Ｃｏ−４０ａｔ％Ｃｒ非磁性中間膜４ｎｍ、
酸素を含まないＣｏ−２２ａｔ ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐ
ｔ−２ａｔ ％Ｔａ垂直磁性層１８ｎｍを順次スパッタ
リングにより形成した。
ＮｉＡｌからなる第１の下地層３ｎｍ、Ｒｕからなる第
２の下地層３０ｎｍ、酸素を含まないＣｏ−２２ａｔ
％Ｃｒ−１２ａｔ ％Ｐｔ−２ａｔ ％Ｔａ垂直磁性層
１８ｎｍ、Ｃｏ−４０ａｔ％Ｃｒ非磁性中間膜４ｎｍ、
酸素を含まないＣｏ−２２ａｔ ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐ
ｔ−２ａｔ ％Ｔａ垂直磁性層１８ｎｍを順次スパッタ
リングにより形成した。
【０１０８】垂直磁性膜上に、さらに実施例１と同様に
してＣ保護層、及び潤滑剤層を形成し、垂直磁気記録媒
体を得た。
してＣ保護層、及び潤滑剤層を形成し、垂直磁気記録媒
体を得た。
【０１０９】比較例３に係る磁気記録媒体の製造工程を
表すフロー図を図１０に示す。
表すフロー図を図１０に示す。
【０１１０】得られた垂直磁気記録媒体の静磁気特性を
評価したところ、実施例７ではＨｃが３０００Ｏｅ、Ｍ
ＨループでＭが急激に低下を始める磁化のニュークリエ
ーションフィールドＨｎが−５００Ｏｅであったのに対
し、比較例３では、Ｈｃが３８００Ｏｅ、Ｈｎが１５０
０Ｏｅであった。
評価したところ、実施例７ではＨｃが３０００Ｏｅ、Ｍ
ＨループでＭが急激に低下を始める磁化のニュークリエ
ーションフィールドＨｎが−５００Ｏｅであったのに対
し、比較例３では、Ｈｃが３８００Ｏｅ、Ｈｎが１５０
０Ｏｅであった。
【０１１１】さらに、記録再生特性を評価したところ、
熱揺らぎの値に実施例７と大きな差が見られた。比較例
３では、低周波５０ｋＦＣＩでの熱揺らぎが−０．１％
／ｄｅｃａｄｅ以上であったのに対し、実施例７に係る
磁気記録媒体の一例では、−０．０５％／ｄｅｃａｄｅ
であった。
熱揺らぎの値に実施例７と大きな差が見られた。比較例
３では、低周波５０ｋＦＣＩでの熱揺らぎが−０．１％
／ｄｅｃａｄｅ以上であったのに対し、実施例７に係る
磁気記録媒体の一例では、−０．０５％／ｄｅｃａｄｅ
であった。
【０１１２】このことにより、第１の下地層ＮｉＡｌを
低温で製膜することにより、得られる垂直磁気記録媒体
のＨｎやＨｃを大きくせしめ、熱揺らぎに対して強くす
る効果を持つことが分かった。
低温で製膜することにより、得られる垂直磁気記録媒体
のＨｎやＨｃを大きくせしめ、熱揺らぎに対して強くす
る効果を持つことが分かった。
【０１１３】また、参考として、実施例７に係る垂直磁
気記録媒体と、実施例１と同様の垂直磁気記録媒体につ
いて実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行っ
た。
気記録媒体と、実施例１と同様の垂直磁気記録媒体につ
いて実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行っ
た。
【０１１４】なお、実施例１の製造工程を表すフロー図
を図１１に示す。図示するように、実施例１に係る磁気
記録媒体の製造工程には加熱工程が含まれない。
を図１１に示す。図示するように、実施例１に係る磁気
記録媒体の製造工程には加熱工程が含まれない。
【０１１５】実施例７では記録分解能を示す指標である
ｄＰＷ５０＝９５ｎｍ、ＳＮＲｍ＝１９ｄＢであったの
に対して、実施例１と同様の媒体では、ｄＰＷ５０＝９
０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２１ｄＢという良好な媒体を得るこ
とができた。
ｄＰＷ５０＝９５ｎｍ、ＳＮＲｍ＝１９ｄＢであったの
に対して、実施例１と同様の媒体では、ｄＰＷ５０＝９
０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２１ｄＢという良好な媒体を得るこ
とができた。
【０１１６】以上のように、酸素を含む垂直記録膜とＮ
ｉＡｌとを低温で製膜したものを組み合わせが、ＳＮＲ
ｍに対して改善する効果があることが分かった。
ｉＡｌとを低温で製膜したものを組み合わせが、ＳＮＲ
ｍに対して改善する効果があることが分かった。
【０１１７】実施例８
第１の下地層として、３０ａｔ％Ｎｉ−７０ａｔ％Ａｌ
を用いる以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒
体を得た。
を用いる以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒
体を得た。
【０１１８】得られた垂直磁気録媒体について、実施例
１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ、記
録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０＝８５ｎｍ、ＳＮ
Ｒｍ＝２２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。
１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ、記
録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０＝８５ｎｍ、ＳＮ
Ｒｍ＝２２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。
【０１１９】実施例９
第１の下地層として、７０ａｔ％Ｎｉ−３０ａｔ％Ａｌ
を用いる以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒
体を得た。
を用いる以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒
体を得た。
【０１２０】得られた垂直磁気録媒体について、実施例
１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，記
録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０＝８０ｎｍ、ＳＮ
Ｒｍ＝２０ｄＢという良好な媒体を得ることができた。
１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，記
録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０＝８０ｎｍ、ＳＮ
Ｒｍ＝２０ｄＢという良好な媒体を得ることができた。
【０１２１】実施例１０
第１の下地層として、Ｎｉ層とＡｌ層をＤＣ３００ Ｗ
で放電しそれぞれ厚さ３ｎｍずつ、合計１２ｎｍになる
ように製膜する実施例７と同様にして垂直磁気記録媒体
を作成した。
で放電しそれぞれ厚さ３ｎｍずつ、合計１２ｎｍになる
ように製膜する実施例７と同様にして垂直磁気記録媒体
を作成した。
【０１２２】得られた垂直磁気録媒体について、実施例
１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，記
録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０＝８０ｎｍ、ＳＮ
Ｒｍ＝２２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。
１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，記
録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０＝８０ｎｍ、ＳＮ
Ｒｍ＝２２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。
【０１２３】
【発明の効果】本発明によれば、第１の下地層と、垂直
磁気記録層との良好な組み合わせにより、垂直磁気記録
媒体の記録分解能及びＳ／Ｎ比を良好にせしめ、高密度
な磁気記録技術を実現することができる。
磁気記録層との良好な組み合わせにより、垂直磁気記録
媒体の記録分解能及びＳ／Ｎ比を良好にせしめ、高密度
な磁気記録技術を実現することができる。
【図１】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の第１の例の
構成を表す図
構成を表す図
【図２】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の第２の例の
構成を表す図
構成を表す図
【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体の第３の例の構成
を表す図
を表す図
【図４】 本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一
部分解した斜視図
部分解した斜視図
【図５】 実施例１に係る垂直磁気記録媒体の構成を表
す図
す図
【図６】 ＳＮＲｍおよびｄＰＷ５０と、Ｒｕの膜厚と
の関係を表すグラフ図
の関係を表すグラフ図
【図７】 実施例５に係る垂直磁気記録媒体の構成を表
す概略図
す概略図
【図８】 ＳＮＲｍおよびｄＰＷ５０と、ＮｉＡｌ第１
の下地層の膜厚との関係を表すグラフ図
の下地層の膜厚との関係を表すグラフ図
【図９】 実施例７にかかる磁気記録媒体の製膜工程を
表すフロー図
表すフロー図
【図１０】 比較例３に係る磁気記録媒体の製造工程を
表すフロー図
表すフロー図
【図１１】 実施例１に係る磁気記録媒体の製造工程を
表すフロー図
表すフロー図
１…非磁性基板、２…第１下地膜、３…第２下地膜、
４，５，７…垂直記録膜、６…非磁性膜、９，１４…軟
磁性層、１０…垂直磁気記録媒体、１１…保護層、１３
…強磁性層、７…非磁性基板
４，５，７…垂直記録膜、６…非磁性膜、９，１４…軟
磁性層、１０…垂直磁気記録媒体、１１…保護層、１３
…強磁性層、７…非磁性基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 及川 壮一
東京都青梅市末広町２丁目９番地 株式会
社東芝青梅工場内
(72)発明者 彦坂 和志
東京都青梅市末広町２丁目９番地 株式会
社東芝青梅工場内
(72)発明者 中村 太
東京都青梅市末広町２丁目９番地 株式会
社東芝青梅工場内
(72)発明者 酒井 浩志
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
(72)発明者 清水 謙治
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
(72)発明者 坂脇 彰
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB08 CA01 CA03 CA05
CA06 DA03 DA08 EA03 FA09
5E049 AA04 AC05 BA08
Claims (12)
- 【請求項１】 非磁性基板と、 該非磁性基板上に設けられたＢ２構造を有する第１の下
地層と、 該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、 該第２の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を
持ち、コバルト及び酸素を含む垂直磁気記録層とを具備
することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１の下地層は、ＮｉＡｌ、ＡｇＭ
ｇ、ＣｕＢｅ、ＣｕＰｄ、ＣｕＺｎ、ＣｏＡｌ、ＣｏＴ
ｉ、ＣｏＺｒ、ＣｏＦｅ、ＡｌＭｎ、ＡｌＲｅ、ＮｉＴ
ｉ、及びＦｅＡｌからなる群から選択される少なくとも
１種の合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板と、 該非磁性基板上に設けられたＮｉ3Ａｌ及びＮｉＡｌ3の
うち１つを含む第１の下地層と、 該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、 該第２の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を
持ち、コバルトを主に含む垂直磁気記録層とを具備する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板と、 ニッケル膜とアルミニウム膜を積層して得られた第１の
下地層と、 該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、 該第２の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を
持ち、コバルトを主に含む垂直磁気記録層とを具備する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板と、 該非磁性基板上に設けられたＢ２構造を有する合金、Ｎ
ｉ3Ａｌ、ＮｉＡｌ3合金、ニッケル膜とアルミニウム膜
を積層して得られた合金のうちいずれか１つを含み、室
温で製膜された第１の下地層と、 該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、 該第２の下地層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を
持ち、コバルトを主成分とする垂直磁気記録層とを具備
することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記垂直磁気記録層は、さらに酸素を含
むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記第１の下地層は、０．１〜５０ｎｍ
の厚さを有することを特徴とする請求項１ないし６のい
ずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記第２の下地層は、ルテニウム，モリ
ブデン，ロジウム，パラジウム，タングステン，レニウ
ム，オスミウム，イリジウム，白金，クロム，マンガ
ン，鉄，コバルト，及びニッケルなる群から選択される
少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする請求項１
ないし７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記第２の下地層は、０．１〜５０ｎｍ
の厚さを有することを特徴とする請求項１ないし８のい
ずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記垂直磁気記録層は、プラチナ及び
クロムのうち少なくとも１つの金属を含むことを特徴と
する請求項１ないし９のいずれか１項に記載の垂直磁気
記録媒体。 - 【請求項１１】 前記非磁性基板と第１の下地層との間
に少なくとも一層の軟磁性層が設けられることを特徴と
する請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれか１項に
記載の垂直磁気記録媒体と、 該垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、 該垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素
子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する
磁気ヘッドと、 該磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に
支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特
徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002023921A JP2003228815A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002023921A JP2003228815A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003228815A true JP2003228815A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27746501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002023921A Pending JP2003228815A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003228815A (ja) |
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-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002023921A patent/JP2003228815A/ja active Pending
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