JP4287099B2 - 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置として使用される磁気記録再生装置、特に、垂直方向磁化を利用する磁気記録再生装置、及びこれに用いられる垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
垂直磁気異方性をもつ非晶質の希土類−遷移金属合金磁性層は、光磁気記録媒体用の記録層として一般に用いられている。
【０００３】
近年、この非晶質の希土類−遷移金属合金磁性膜をハードディスク等の垂直磁気記録媒体の垂直磁気記録層として利用することが、例えば特開平５−５４３５８、及び特開２００１−７６３３２等に提案されている。しかしながら、希土類−遷移金属合金非晶質磁性層は、偏析構造を持たないすなわち磁性結晶粒子と結晶粒界をもたない連続層であるために、磁気記録媒体として用いた場合、書き込まれた信号をその場所にとどめておくための核となるものが存在しない。その結果、記録された信号がシフトしたり、消えてしまう現象が起きていた。特に、この現象は、高い周波数での記録時に発生し易く、垂直磁気記録の高記録密度化には不適当であった。
【０００４】
また、特開２００２−２５０３１には、ＣｏＣｒなどの従来の磁気記録媒体に用いられている材料と、この非晶質の希土類−遷移金属合金磁性層を組み合わせた多層構成を有する垂直磁気記録媒体が開示されている。しかし、この媒体でも、従来のＣｏＣｒ記録層を用いた磁気記録媒体と比較すると媒体ノイズが大きいという問題を有していた。
【０００５】
このように、従来の希土類−遷移金属合金磁性層を用いた垂直磁気記録層は、高密度化に不向きであり、また媒体ノイズが大きく、実用的ではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、媒体ノイズが低く、記録分解能及び熱ゆらぎ耐性が高い垂直磁気記録媒体を得ることを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、媒体ノイズが低く、記録分解能及び熱ゆらぎ耐性が高い磁気記録媒体を用いることにより、良好な磁気記録再生が可能な磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
該軟磁性裏打ち層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルト、プラチナ、及びクロムからなる、あるいはコバルト、プラチナ、クロム、及び酸素からなる第１の垂直磁気記録層と、
該第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属としてコバルト及びクロムとを含む結晶質の合金を主に含み、該第１の垂直磁気記録層とは異なる第２の垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【０００９】
本発明は、第２に、非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルト、プラチナ、及びクロムからなる、あるいはコバルト、プラチナ、クロム、及び酸素からなる第１の垂直磁気記録層と、
該第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属としてコバルト及びクロムとを含む結晶質の合金を主に含み、該第１の垂直磁気記録層とは異なる第２の垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１０】
本発明は、第３に、上記垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、該垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の観点に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層と、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルトを主に含む第１の垂直磁気記録層と、第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層とが順に積層された構成を有する。
【００１２】
本発明に用いられるコバルトを主に含む第１の垂直磁気記録層は、磁性結晶粒子と結晶粒界を持つ偏析構造を有する。この上に、希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層を設けることにより、第１の垂直磁気記録層から成長してきた磁性結晶粒子がより微細化され、粒界が広がることで、さらに偏析構造が促進される。また、磁気記録層をこのような二層構造とすることで、従来の一層だけのＣｏＣｒ系磁性層を有する垂直磁気記録媒体と比較し、その磁気異方性を大きくすることができる。
【００１３】
本発明によれば、第１に、垂直磁気記録層、特に第２の垂直磁気記録層の磁性結晶粒子を微細化して、その記録分解能を改善し、第２に、垂直磁気記録層全体の磁気異方性を促進することによって熱ゆらぎ耐性を改善し、かつ第３に、垂直磁気記録層、特に第２の磁気記録層の偏析構造を促進することによって媒体ノイズを改善し得る。
【００１４】
なお、希土類元素と遷移金属を含む合金は、希土類元素を多く含ませると、磁性膜は非晶質の連続膜になる傾向があるので、本発明では、希土類元素の添加量及び磁性層の厚さ等を制御することにより、結晶質を有するものを使用する。
【００１５】
軟磁性層としては、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ，ＦｅＺｒＮ，ＦｅＳｉ合金，ＦｅＡｌ合金，パーマロイなどのＦｅＮｉ合金，パーメンジュールなどのＦｅＣｏ系合金，パーミンバーなどのＦｅＣｏＮｉ合金，ＮｉＣｏ合金，センダスト，ＭｎＺｎ系フェライト，ＮｉＺｎ系フェライト，ＭｇＺｎ系フェライト，ＭｇＭｎ系フェライト，ＦｅＡｌＧａ，ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ，ＦｅＧａＧｅ，ＦｅＧｅＳｉ，ＦｅＮｉＰｂ，ＦｅＲｕＧａＳｉ，ＦｅＳｉＢ，ＦｅＳｉＣ，ＦｅＺｒＢ，ＦｅＺｒＢＣｕ，ＣｏＦｅＳｉＢ，ＣｏＴｉ，及びＣｏＺｒＴａ等の高透磁率を有する軟磁性材料があげられる。
【００１６】
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁気記録層を有するいわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は，垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００１７】
また、軟磁性層と非磁性基板との間には、強磁性層を設けることができる。媒体作成後、強磁性層に対し、半径方向の一方向に磁界を印加することにより、軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。
【００１８】
強磁性層としては、例えばＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔおよびＣｏＣｒＰｔＣｕ等があげられる。
【００１９】
また、軟磁性層と基板との間に、例えばＣｒ、Ｖ，およびＮｉＡｌ等の下地層を設けることができる。
【００２０】
得られた磁気記録層表面上に、例えばカーボン等の保護層を設けることができる。
【００２１】
さらに、垂直磁気記録媒体表面例えば磁気記録層表面あるいは保護層表面の上に、例えばディップ法等によりパーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を塗布し、潤滑層を形成することができる。
【００２２】
図１に、本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を示す。
【００２３】
図示するように、この垂直磁気記録媒体１０は、例えば２．５インチのガラス基板からなる非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層７と、コバルトを含む第１の垂直磁気記録層２及び希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層３が順に積層された構成を有する。
【００２４】
第２の垂直磁気記録層に使用される遷移金属としては、例えばコバルト及びクロムがあげられる。
【００２５】
また、遷移金属として、さらにプラチナを使用することができる。
【００２６】
また、第２の垂直磁気記録層に使用される希土類元素としては、イットリウム，ランタン，セリウム，プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウム等があげられる。
【００２７】
希土類元素は、結晶質の合金中に０．１ないし２０ａｔ％含まれていることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、希土類元素を加えた効果である微細化の効果が見られず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなりノイズが大きくなるという傾向があり、２０ａｔ％を超えると、微細化が過剰に進んで非晶質化し、連続膜となる。これによって、第２垂直磁気記録層の偏析構造が消失しノイズが増大する傾向がある。
【００２８】
第１の垂直磁気記録層は、プラチナ及びクロムのうち少なくとも１つの金属を含むことが好ましい。
【００２９】
このとき、第２の垂直磁気記録層は、イットリウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、その含有量は、結晶質の合金中０．１ないし２０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、やはり希土類を加えた効果が現れず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、２０ａｔ％を超えると、非晶質連続膜化して、第２の垂直磁気記録層の偏析構造が消失してノイズが増大する傾向がある。
【００３０】
あるいは、このとき、第２の垂直磁気記録層は、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、及びホルミウムからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、その含有量は結晶質の合金中０．１ないし１０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、希土類元素を加えた効果が現れず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、１０ａｔ％を超えると、非晶質化して連続膜となり、第２の垂直磁気記録層の偏析構造が消失してノイズが増大する傾向がある。
【００３１】
第１の垂直磁気記録層は、プラチナ及びクロムのうち少なくとも１つの金属と、さらに酸素を含むことが好ましい。
【００３２】
このとき、希土類元素は、イットリウム，ランタン，セリウム，プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、その含有量は結晶質の合金中０．１ないし２０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、希土類元素を加えた効果が現れず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、２０ａｔ％を超えると、非晶質化して連続膜となり、第２の垂直磁気記録層の偏析構造が消失してノイズが増大する傾向がある。
【００３３】
また、第２の垂直磁気記録層に含まれる合金には、Ｔａ及びＮｂのうち少なくとも１種の金属を添加することができる。Ｔａ及びＮｂを添加することにより、より偏析構造が進み、ノイズが低減される傾向がある。
【００３４】
その添加量は、第２の垂直磁気記録層中、０．１ないし２０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、Ｔａ及びＮｂを添加した効果が現れず、それらを添加した媒体に比して、ノイズ低減の効果が少ない傾向があり、２０ａｔ％を超えると、過剰なＴａ，Ｎｂによって結晶性が乱され、記録分解能が大きく悪化する傾向がある。
【００３５】
第２の垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは０．１以上２０ｎｍ未満、さらに好ましくは０．１以上１５ｎｍ以下である。０．１ｎｍ未満であると、第２の垂直磁性記録層の効果が現れず、０．１ｎｍ以上の厚さの場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、２０ｎｍ以上であると、膜上層部での結晶性が悪くなり、記録分解能が悪化する傾向がある。
【００３６】
第１の垂直磁性記録層の材料としては、例えばＣｏＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＯ，ＣｏＰｔＯ，ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＭｏ，ＣｏＣｒＰｔＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＲｕ，ＣｏＣｒＰｔＷＣ，ＣｏＣｒＰｔＲｕＣ，ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ，ＣｏＣｒＰｔＷＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａＷ、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2，及びＣｏＰｔＳｉＯを使用することができる。
【００３７】
また、第１の垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは１ないし３０ｎｍ、さらに好ましくは５ないし２０ｎｍである。１ｎｍ未満であると、偏析構造が充分に現れず、ノイズが増大する傾向があり、３０ｎｍを超えると、磁性粒子が大きくなり、記録分解能が悪化する傾向がある。
【００３８】
第１の垂直磁気記録層上には、第２の垂直磁気記録層を含む２以上の磁性層を積層することができる。
【００３９】
図２に、本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００４０】
図示するように、この垂直磁気記録媒体２０は、例えば第１の垂直磁気記録層２及び第２の垂直磁気記録層３間に、例えばＣｏＣｒＰｔＢからなる磁性層４が設けられていること以外は、図１と同様の構成を有する。
【００４１】
また、非磁性基板上に、第１と第２の垂直磁気記録層を交互に積層することができる。
【００４２】
図３に、本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００４３】
図示するように、この垂直磁気記録媒体３０は、例えば第１の垂直磁気記録層２及び第２の垂直磁気記録層３上に、さらに第１の垂直磁気記録層２層及び第２の垂直磁気記録層３が形成され、これにより、非磁性基板上に第１の垂直磁気記録層２と第２の垂直磁気記録層が交互に積層された構成を有すること以外は、図１と同様の構成を有する。
【００４４】
なお、第１の垂直磁気記録層上には、第２の垂直磁気記録層を含む２層以上の磁性層を積層する場合、磁気記録層全体の厚さは、５ないし３０ｎｍであることが好ましい。５ｎｍ未満であると、結晶性の悪い初期層が、磁気記録層全体の大きな部分を占めることになり、記録分解能が悪化する傾向があり、３０ｎｍであると、磁性粒子が大きくなりノイズが増大する傾向がある。
【００４５】
また、第１の垂直磁気記録層と第２の垂直磁気記録層、及び各磁性層との間には、任意の中間層を設けることができる。このような中間層として、例えばＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，ＣｒＭｏ，ＣｒＷ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ、及びＣｏＣｒＰｔＢ等があげられる。このような中間層を設けることにより、中間層から偏析源を供給することができ、偏析構造を促進することができる。
【００４６】
また、中間層の厚さは、好ましくは０．１ないし５ｎｍである。０．１ｎｍ未満であると、中間層による偏析構造促進の効果は現れず、５ｎｍを超えると、上層側の磁性記録層の結晶性が乱れて記録分解能が悪化する傾向がある。
【００４７】
さらに、第１の垂直磁気記録媒体と非磁性基板との間には、任意に、非磁性下地層等を設けることができる。
【００４８】
下地層としては、例えばＴｉ，ＴｉＣｒ，Ｒｕ，ＲｕＣｒ，Ｈｆ，ＮｉＡｌ、ＮｉＴａ，ＮｉＮｂ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔＢを使用することができる。
【００４９】
本発明に用いられる非磁性下地層の好ましい厚さは、１ないし５０ｎｍ、さらに好ましくは５ないし３０ｎｍである。１ｎｍ未満であると、非磁性下地層の結晶性が悪く、よって磁性記録層の結晶性も悪くなり、ノイズが大きくなる傾向があり、５０ｎｍを超えると、磁性記録層の磁性粒子が大きくなりノイズが増大する傾向がある。
【００５０】
また、本発明の第２の観点に係る発明は、非磁性基板と第１の垂直磁気記録層との間に軟磁性裏打ち層を設けないこと以外は、第１の観点に係る発明と同様の構成を有する。
【００５１】
図４に、本発明の垂直磁気記録媒体のさらにまた他の一例の構成を表す概略断面図を示す。
【００５２】
図示するように、この垂直磁気記録媒体４０は、軟磁性裏打ち層７を設けないこと以外は、図１と同様の構成を有する。
【００５３】
この垂直磁気記録媒体は、垂直磁気記録層と軟磁性裏打ち層を具備する、いわゆる垂直二層媒体を構成しないので、垂直二層媒体による記録再生効率の向上は期待できないけれども、第１の観点に係る垂直磁気記録媒体と同様に、第２の垂直磁気記録層の磁性結晶粒子を微細化して、その記録分解能を改善し、垂直磁気記録層全体の磁気異方性を促進することによって熱ゆらぎ耐性を改善し、かつ磁気記録層特に第２の磁気記録層の偏析構造を促進することによって媒体ノイズを改善し得る。
【００５４】
また、本発明の第３の観点に係る磁気記録再生装置は、非磁性基板と、非磁性基板上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルトを主に含む第１の垂直磁気記録層と、第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁気ヘッドを垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備する。
【００５５】
図５に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００５６】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録を行う例えば単磁極型記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００５７】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００５８】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図４中、１２８は蓋体を示している。
【００５９】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００６０】
【実施例】
実施例１
２．５インチ磁気ディスク用のガラス基板からなる非磁性基板を用意した。
【００６１】
１×１０−５Ｐａの真空度の真空チャンバー内に非磁性基板を設置し、基板温度を２５０℃まで加熱して、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリングを行った。
【００６２】
まず，非磁性基板をターゲットに対向するように配置し、ＤＣ５００Ｗでターゲットに放電し、強磁性層用非磁性下地層として、厚さ４０ｎｍのＣｒ膜を形成した。その上に厚さ２５ｎｍになるようにＣｏＣｒＰｔ強磁性層を形成した。得られたＣｏＣｒＰｔ強磁性層上に、厚さ２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を形成した。
【００６３】
次に、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層上に、第１の下地層としてＤＣ３００ＷでＴｉターゲットに放電し、厚さ５ｎｍのＴｉ層を形成した。得られたＴｉ層上に、第２の下地層として、Ｃｏ−３７ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％ＰｔをＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ２０ｎｍの非磁性ＣｏＣｒＰｔ層を形成した。
【００６４】
その後、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用意し、非磁性ＣｏＣｒＰｔ下地層上に、第１の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１５ｎｍを形成した。
【００６５】
その後、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、第２の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層上に、厚さ９ｎｍのＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層を形成した。
【００６６】
最後に、厚さ７ｎｍのカーボン保護層を形成し、垂直磁気記録媒体を得た。
【００６７】
このように真空容器内で連続してスパッタリングした基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）系潤滑層を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気録媒体を得た。
【００６８】
図６に、実施例１に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す断面図を示す。
【００６９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体５０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性膜７、Ｔｉ第１の下地膜８、ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１１、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層１２、Ｃ保護層１３、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００７０】
得られた垂直磁気録媒体の第２の垂直磁気記録層であるＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層の結晶性を、以下のように調べた。
【００７１】
比較として、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅ層を形成しない以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を作成した。
【００７２】
図７に、比較の垂直磁気記録媒体の構成を表す断面図を示す。図示するように、この垂直磁気記録媒体６０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性下地層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層７、Ｔｉ第１の下地層８、ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１１、Ｃ保護層１２、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００７３】
得られた垂直磁気記録媒体５０及び６０に対して、Ｘ線回折測定を行い、垂直磁気記録層のＣｏ（０００２）強度を観測した。垂直磁気記録媒体４０に対して、Ｃｏの（０００２）ピーク強度には、第１の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＰｔ層のＣｏと第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅ層のＣｏの両方からの信号が重なって観測される。そこで、垂直磁気記録媒体５０のＸ線回折測定を行い、第１の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＰｔからのＣｏ（０００２）ピーク強度を観測する。これら２つの垂直磁気記録媒体のＣｏ（０００２）ピーク強度の差をとることで、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅのＣｏ（０００２）ピーク強度を調べた。その結果、Ｃｏ（０００２）ピーク強度は１００ｃｐｓ以上であることが明確に確認でき、これにより、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅが非晶質ではなく結晶質であることがわかった。
【００７４】
また、得られた垂直磁気録媒体４０について、電磁石を備えた着磁装置を用いて，円板上基板の半径方向外向きに１５ｋＯｅ（約１．２×１０６Ａ／ｍ）の磁界を印加し，面内硬磁性を示すＣｏＣｒＰｔ強磁性層に、半径方向への磁化を行った。着磁された垂直磁気記録媒体について，磁気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラック幅０．２μｍの単磁極ヘッドを用いて、記録再生特性の評価を行った。その結果、記録分解能を示す指標である微分波形の半値幅ｄＰＷ５０が８９ｎｍ，ＳＮＲｍ（Ｓ：５０ｋＦＣＩ、Ｎ：４００ｋＦＣＩの周波数で信号を記録した場合の積分ノイズ）が２３．９ｄＢという良好な媒体を得ることができた。さらに、熱揺らぎ指標である低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０５％／ｄｅｃａｄｅであった。得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を下記表１に示す。
【００７５】
比較例１
実施例１と同様の非磁性基板上に、第１の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔ層を２４ｎｍの厚さで形成し、第２の垂直磁気記録層であるＣｏＣｒＣｅ層を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００７６】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、記録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０が１０５ｎｍ，ＳＮＲｍが１７．１ｄＢであった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は−０．１５％／ｄｅｃａｄｅであった。得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を下記表１に示す。
【００７７】
比較例２
実施例１と同様の非磁性基板上に、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、第２の垂直磁気記録層であるＣｏＣｒＣｅ層を９ｎｍの厚さで形成し、その上に、第１の垂直磁気記録層であるＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を１５ｎｍの厚さで形成する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００７８】
図８に、比較例２に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す断面図を示す。
【００７９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体７０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層７、Ｔｉ第１の下地層８、ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層１２、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１１、Ｃ保護層１３、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００８０】
得られた垂直磁気記録媒体７０について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ｄＰＷ５０が１１５ｎｍ，ＳＮＲｍが１５．２ｄＢであった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値が−０．１１％／ｄｅｃａｄｅであった。得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を下記表１に示す。
【００８１】
【表１】
【００８２】
実施例２
希土類元素として、セリウムを使用し、その膜厚を０ないし３０ｎｍで適宜変化させる以外は、実施例１と同様にして、種々の厚さをもつ第２の垂直磁気記録層を有する複数種の垂直磁気記録媒体を作成した。
【００８３】
第２の磁気記録層とＳＮＲｍ及びｄＰＷ５０と、第２磁性層の膜厚との関係を下記表２に示す。
【００８４】
【表２】
【００８５】
上記表２に示すように、第２の磁気記録層の厚さが０．１ないし２０ｎｍの範囲で、ＳＮＲｍに対して改善の効果があることが分かった。特に、第２の磁気記録層の厚さとして、１ｎｍないし１５ｎｍが望ましい。
【００８６】
実施例３
第２の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−９ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、９ｎｍの厚さでＣｏＣｒＰｔＣｅ層を形成する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００８７】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様にして、記録再生特性の評価を行ったところ，ｄＰＷ５０＝８５ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２４．２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、ｄＰＷ５０は、８５ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０６％／ｄｅｃａｄｅであった。
【００８８】
実施例４
第２の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−９ａｔ％Ｃｅ−２ａｔ％Ｔａのターゲットを用い、９ｎｍの厚さでＣｏＣｒＰｔＣｅＴａ層を形成する以外は、実施例１の垂直磁気記録媒体１０と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００８９】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，ｄＰＷ５０＝８３ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２４．４ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、同様の効果は、ＣｏＣｒＰｔＣｅＴａ層の代わりに、９ｎｍの厚さでＣｏＣｒＰｔＣｅＮｂ層を用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０４％／ｄｅｃａｄｅであった。
【００９０】
実施例５
第２の垂直磁気記録層の希土類元素としてセリウムを使用し、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｃｅターゲットのセリウムの組成を０ないし２５ａｔ％で適宜変化させた以外は実施例１と同様にして、第２の垂直記録層として、種々の組成比をもつＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｃｅ層を有する複数の垂直磁気記録媒体を作成した。
【００９１】
得られた垂直磁気記録媒体に対して、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行った。その結果として、セリウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を図９に示す。図９のグラフから、セリウムの組成が０．１ないし２０ａｔ％未満までＳＮＲｍが良い特性を示すことが分かった。また、これら複数の垂直磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に、Ｘ線回折測定を行い、垂直磁気記録層のＣｏ（０００２）強度を観測した。その結果、Ｃｏ（０００２）強度を明確に観測することができた。同様の効果は、セリウムの代わりに、各々、イットリウム、ランタン、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムを用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。
【００９２】
実施例６
希土類元素としてガドリニウムを使用し、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｇｄターゲットを用いて、ガドリニウムの組成を０ないし２５ａｔ％で適宜変化させた以外は実施例５と同様にして、種々の組成のＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｇｄ層を有する複数の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００９３】
得られた垂直磁気記録媒体に対して、実施例５と同様に記録再生特性の評価を行った。その結果として、ガドリニウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を図１０に示す。
【００９４】
図１０のグラフから、ガドリニウムの組成が０．１ないし１０ａｔ％未満で良いＳＮＲｍを示すことがわかった。また、これら複数の垂直磁気記録媒体に対して、実施例５と同様に、Ｘ線回折測定を行い、垂直磁気記録層のＣｏ（０００２）強度を観測した。その結果、Ｃｏ（０００２）強度を明確に観測することができた。同様の効果は、ガドリニウムの代わりに、各々、プラセオジミウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム及びホルミウムを用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。
【００９５】
実施例７
実施例１と同様にして、非磁性基板上に、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層及びＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を形成した。
【００９６】
次に、基板を冷却し、基板温度を室温まで低下させた。続いて、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層上に、第１の下地層としてＴｉをＤＣ３００Ｗで放電し、厚さ４ｎｍのＴｉ層を形成した。Ｔｉ層上に、第２の下地層として、Ｃｏ−３７ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％ＰｔをＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ２０ｎｍの非磁性ＣｏＣｒＰｔ層を形成した。
【００９７】
その後、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ−１６ａｔ％Ｃｒのターゲットを用い、酸素を含むアルゴン雰囲気中で、ＣｏＣｒＰｔ層上に、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層１５ｎｍ、続いて、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層を９ｎｍ形成した。
【００９８】
最後に、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層上に、Ｃ保護層を７ｎｍの厚さで製膜した。
【００９９】
このように真空容器内で連続して製膜した基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰＥ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気録媒体を得た。
【０１００】
得られた垂直磁気記録媒体は、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層の代わりに、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層が形成されていること以外は、実施例１と同様の構成を有する。
【０１０１】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ，ＳＮＲｍ＝２３．０ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、ｄＰＷ５０は、８２ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０７％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１０２】
また、同様の効果が、セリウムの代わりに、各々、イットリウム、ランタン、プラセオジミウム、ネオジミウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムを用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。
【０１０３】
得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を、各々、下記表３に示す。
【０１０４】
【表３】
【０１０５】
表３より、希土類元素として、軽希土類例えばイットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム及びガドリニウム等を使用すると、ＳＮＲｍの改善に効果があることが分かった。一方、希土類元素として、重希土類例えばテルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウム等を用いると、ＳＮＲｍの改善よりむしろ、記録分解能ｄＰＷ５０の改善に効果があることが分かった。
【０１０６】
比較例３
第２の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＣｅ層の代わりに、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を形成する以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１０７】
得られた従来の垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１６．８ｄＢであった。また、ｄＰＷ５０は、９６ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１７％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１０８】
比較例４
第１の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ−１６ａｔ％Ｃｒのターゲットを用い、酸素を含むアルゴン雰囲気中で、ＣｏＰｔＣｒＯ層を２４ｎｍの厚さで形成し、第２の垂直磁気記録層としてＣｏＣｒＣｅ層を形成しないこと以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１０９】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１７．３ｄＢであった。また、ｄＰＷ５０は、９８ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１２％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１０】
実施例８
Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔからなる第１の垂直磁気記録層用ターゲットと、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅからなる第２の垂直磁気記録層用ターゲットとを、ＤＣ３００Ｗで放電し、それぞれ厚さ５ｎｍずつ、交互に３層ずつ合計３０ｎｍになるように形成する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。
【０１１１】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，ｄＰＷ５０＝８０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０４％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１２】
実施例９
非磁性Ｃｒ下地層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性裏打ち層６及びＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層７を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を形成した。図１１に、実施例９に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す図を示す。図示するように、垂直磁気記録媒体７０は、非磁性基板１上に、Ｔｉ第１の下地層８，ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＰｔ第１の垂直磁気記録層１１，ＣｏＣｒＣｅ第２の垂直磁気記録層１２、Ｃ保護層１３、及び図示しない潤滑層を順次積層した構成を有する。
【０１１３】
次に、磁気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラック幅０．２μｍのリング型ヘッドを用いて記録再生特性の評価を行ったところ，ＳＮＲｍが２０ｄＢという良好な磁気記録媒体が得られた。また、垂直単層媒体における記録分解能を示す指標である、波形の半値幅ｄＰＷ５０は、８６ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０７％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１４】
比較例５
非磁性基板上に、第１の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を２４ｎｍの厚さで形成し、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅ層を製膜しない以外は、実施例９と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１１５】
得られた従来の垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１６．８ｄＢであった。また、ＰＷ５０は、１０２ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１３％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１６】
【発明の効果】
本発明の垂直磁気記録媒体を用いることにより、熱ゆらぎ耐性及び記録分解能が高く、媒体ノイズの少ない磁気記録再生を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例の構成を表す概略断面図
【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例の構成を表す概略断面図
【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体のさらにまた他の一例の構成を表す概略断面図
【図５】 本発明の磁気記録再生装置の一例を表す概略図
【図６】 実施例１に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す概略断面図
【図７】 従来の垂直磁気記録媒体の構成を表す概略断面図
【図８】 比較例２に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す概略断面図
【図９】 セリウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図１０】 ガドリニウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図１１】 実施例９に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す図
【符号の説明】
１…非磁性基板、２，１１…第１の垂直磁気記録層、３，１２…第２の垂直磁気記録層、５…強磁性層用非磁性下地層、６…強磁性層、７…軟磁性裏打ち層、８…第１の下地層、９…第２の下地層、１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，１２１…垂直磁気記録媒体、１３…保護層、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸、１２８…蓋体
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置として使用される磁気記録再生装置、特に、垂直方向磁化を利用する磁気記録再生装置、及びこれに用いられる垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
垂直磁気異方性をもつ非晶質の希土類−遷移金属合金磁性層は、光磁気記録媒体用の記録層として一般に用いられている。
【０００３】
近年、この非晶質の希土類−遷移金属合金磁性膜をハードディスク等の垂直磁気記録媒体の垂直磁気記録層として利用することが、例えば特開平５−５４３５８、及び特開２００１−７６３３２等に提案されている。しかしながら、希土類−遷移金属合金非晶質磁性層は、偏析構造を持たないすなわち磁性結晶粒子と結晶粒界をもたない連続層であるために、磁気記録媒体として用いた場合、書き込まれた信号をその場所にとどめておくための核となるものが存在しない。その結果、記録された信号がシフトしたり、消えてしまう現象が起きていた。特に、この現象は、高い周波数での記録時に発生し易く、垂直磁気記録の高記録密度化には不適当であった。
【０００４】
また、特開２００２−２５０３１には、ＣｏＣｒなどの従来の磁気記録媒体に用いられている材料と、この非晶質の希土類−遷移金属合金磁性層を組み合わせた多層構成を有する垂直磁気記録媒体が開示されている。しかし、この媒体でも、従来のＣｏＣｒ記録層を用いた磁気記録媒体と比較すると媒体ノイズが大きいという問題を有していた。
【０００５】
このように、従来の希土類−遷移金属合金磁性層を用いた垂直磁気記録層は、高密度化に不向きであり、また媒体ノイズが大きく、実用的ではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、媒体ノイズが低く、記録分解能及び熱ゆらぎ耐性が高い垂直磁気記録媒体を得ることを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、媒体ノイズが低く、記録分解能及び熱ゆらぎ耐性が高い磁気記録媒体を用いることにより、良好な磁気記録再生が可能な磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
該軟磁性裏打ち層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルト、プラチナ、及びクロムからなる、あるいはコバルト、プラチナ、クロム、及び酸素からなる第１の垂直磁気記録層と、
該第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属としてコバルト及びクロムとを含む結晶質の合金を主に含み、該第１の垂直磁気記録層とは異なる第２の垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【０００９】
本発明は、第２に、非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルト、プラチナ、及びクロムからなる、あるいはコバルト、プラチナ、クロム、及び酸素からなる第１の垂直磁気記録層と、
該第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属としてコバルト及びクロムとを含む結晶質の合金を主に含み、該第１の垂直磁気記録層とは異なる第２の垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１０】
本発明は、第３に、上記垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、該垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の観点に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層と、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルトを主に含む第１の垂直磁気記録層と、第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層とが順に積層された構成を有する。
【００１２】
本発明に用いられるコバルトを主に含む第１の垂直磁気記録層は、磁性結晶粒子と結晶粒界を持つ偏析構造を有する。この上に、希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層を設けることにより、第１の垂直磁気記録層から成長してきた磁性結晶粒子がより微細化され、粒界が広がることで、さらに偏析構造が促進される。また、磁気記録層をこのような二層構造とすることで、従来の一層だけのＣｏＣｒ系磁性層を有する垂直磁気記録媒体と比較し、その磁気異方性を大きくすることができる。
【００１３】
本発明によれば、第１に、垂直磁気記録層、特に第２の垂直磁気記録層の磁性結晶粒子を微細化して、その記録分解能を改善し、第２に、垂直磁気記録層全体の磁気異方性を促進することによって熱ゆらぎ耐性を改善し、かつ第３に、垂直磁気記録層、特に第２の磁気記録層の偏析構造を促進することによって媒体ノイズを改善し得る。
【００１４】
なお、希土類元素と遷移金属を含む合金は、希土類元素を多く含ませると、磁性膜は非晶質の連続膜になる傾向があるので、本発明では、希土類元素の添加量及び磁性層の厚さ等を制御することにより、結晶質を有するものを使用する。
【００１５】
軟磁性層としては、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ，ＦｅＺｒＮ，ＦｅＳｉ合金，ＦｅＡｌ合金，パーマロイなどのＦｅＮｉ合金，パーメンジュールなどのＦｅＣｏ系合金，パーミンバーなどのＦｅＣｏＮｉ合金，ＮｉＣｏ合金，センダスト，ＭｎＺｎ系フェライト，ＮｉＺｎ系フェライト，ＭｇＺｎ系フェライト，ＭｇＭｎ系フェライト，ＦｅＡｌＧａ，ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ，ＦｅＧａＧｅ，ＦｅＧｅＳｉ，ＦｅＮｉＰｂ，ＦｅＲｕＧａＳｉ，ＦｅＳｉＢ，ＦｅＳｉＣ，ＦｅＺｒＢ，ＦｅＺｒＢＣｕ，ＣｏＦｅＳｉＢ，ＣｏＴｉ，及びＣｏＺｒＴａ等の高透磁率を有する軟磁性材料があげられる。
【００１６】
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁気記録層を有するいわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は，垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００１７】
また、軟磁性層と非磁性基板との間には、強磁性層を設けることができる。媒体作成後、強磁性層に対し、半径方向の一方向に磁界を印加することにより、軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。
【００１８】
強磁性層としては、例えばＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔおよびＣｏＣｒＰｔＣｕ等があげられる。
【００１９】
また、軟磁性層と基板との間に、例えばＣｒ、Ｖ，およびＮｉＡｌ等の下地層を設けることができる。
【００２０】
得られた磁気記録層表面上に、例えばカーボン等の保護層を設けることができる。
【００２１】
さらに、垂直磁気記録媒体表面例えば磁気記録層表面あるいは保護層表面の上に、例えばディップ法等によりパーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を塗布し、潤滑層を形成することができる。
【００２２】
図１に、本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図を示す。
【００２３】
図示するように、この垂直磁気記録媒体１０は、例えば２．５インチのガラス基板からなる非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層７と、コバルトを含む第１の垂直磁気記録層２及び希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層３が順に積層された構成を有する。
【００２４】
第２の垂直磁気記録層に使用される遷移金属としては、例えばコバルト及びクロムがあげられる。
【００２５】
また、遷移金属として、さらにプラチナを使用することができる。
【００２６】
また、第２の垂直磁気記録層に使用される希土類元素としては、イットリウム，ランタン，セリウム，プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウム等があげられる。
【００２７】
希土類元素は、結晶質の合金中に０．１ないし２０ａｔ％含まれていることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、希土類元素を加えた効果である微細化の効果が見られず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなりノイズが大きくなるという傾向があり、２０ａｔ％を超えると、微細化が過剰に進んで非晶質化し、連続膜となる。これによって、第２垂直磁気記録層の偏析構造が消失しノイズが増大する傾向がある。
【００２８】
第１の垂直磁気記録層は、プラチナ及びクロムのうち少なくとも１つの金属を含むことが好ましい。
【００２９】
このとき、第２の垂直磁気記録層は、イットリウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、その含有量は、結晶質の合金中０．１ないし２０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、やはり希土類を加えた効果が現れず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、２０ａｔ％を超えると、非晶質連続膜化して、第２の垂直磁気記録層の偏析構造が消失してノイズが増大する傾向がある。
【００３０】
あるいは、このとき、第２の垂直磁気記録層は、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、及びホルミウムからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、その含有量は結晶質の合金中０．１ないし１０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、希土類元素を加えた効果が現れず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、１０ａｔ％を超えると、非晶質化して連続膜となり、第２の垂直磁気記録層の偏析構造が消失してノイズが増大する傾向がある。
【００３１】
第１の垂直磁気記録層は、プラチナ及びクロムのうち少なくとも１つの金属と、さらに酸素を含むことが好ましい。
【００３２】
このとき、希土類元素は、イットリウム，ランタン，セリウム，プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、その含有量は結晶質の合金中０．１ないし２０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、希土類元素を加えた効果が現れず、希土類元素を０．１ａｔ％添加した場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、２０ａｔ％を超えると、非晶質化して連続膜となり、第２の垂直磁気記録層の偏析構造が消失してノイズが増大する傾向がある。
【００３３】
また、第２の垂直磁気記録層に含まれる合金には、Ｔａ及びＮｂのうち少なくとも１種の金属を添加することができる。Ｔａ及びＮｂを添加することにより、より偏析構造が進み、ノイズが低減される傾向がある。
【００３４】
その添加量は、第２の垂直磁気記録層中、０．１ないし２０ａｔ％であることが好ましい。０．１ａｔ％未満であると、Ｔａ及びＮｂを添加した効果が現れず、それらを添加した媒体に比して、ノイズ低減の効果が少ない傾向があり、２０ａｔ％を超えると、過剰なＴａ，Ｎｂによって結晶性が乱され、記録分解能が大きく悪化する傾向がある。
【００３５】
第２の垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは０．１以上２０ｎｍ未満、さらに好ましくは０．１以上１５ｎｍ以下である。０．１ｎｍ未満であると、第２の垂直磁性記録層の効果が現れず、０．１ｎｍ以上の厚さの場合に比して、磁性粒子が大きくなってノイズが増大する傾向があり、２０ｎｍ以上であると、膜上層部での結晶性が悪くなり、記録分解能が悪化する傾向がある。
【００３６】
第１の垂直磁性記録層の材料としては、例えばＣｏＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＯ，ＣｏＰｔＯ，ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＭｏ，ＣｏＣｒＰｔＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＲｕ，ＣｏＣｒＰｔＷＣ，ＣｏＣｒＰｔＲｕＣ，ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ，ＣｏＣｒＰｔＷＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａＷ、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2，及びＣｏＰｔＳｉＯを使用することができる。
【００３７】
また、第１の垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは１ないし３０ｎｍ、さらに好ましくは５ないし２０ｎｍである。１ｎｍ未満であると、偏析構造が充分に現れず、ノイズが増大する傾向があり、３０ｎｍを超えると、磁性粒子が大きくなり、記録分解能が悪化する傾向がある。
【００３８】
第１の垂直磁気記録層上には、第２の垂直磁気記録層を含む２以上の磁性層を積層することができる。
【００３９】
図２に、本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００４０】
図示するように、この垂直磁気記録媒体２０は、例えば第１の垂直磁気記録層２及び第２の垂直磁気記録層３間に、例えばＣｏＣｒＰｔＢからなる磁性層４が設けられていること以外は、図１と同様の構成を有する。
【００４１】
また、非磁性基板上に、第１と第２の垂直磁気記録層を交互に積層することができる。
【００４２】
図３に、本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００４３】
図示するように、この垂直磁気記録媒体３０は、例えば第１の垂直磁気記録層２及び第２の垂直磁気記録層３上に、さらに第１の垂直磁気記録層２層及び第２の垂直磁気記録層３が形成され、これにより、非磁性基板上に第１の垂直磁気記録層２と第２の垂直磁気記録層が交互に積層された構成を有すること以外は、図１と同様の構成を有する。
【００４４】
なお、第１の垂直磁気記録層上には、第２の垂直磁気記録層を含む２層以上の磁性層を積層する場合、磁気記録層全体の厚さは、５ないし３０ｎｍであることが好ましい。５ｎｍ未満であると、結晶性の悪い初期層が、磁気記録層全体の大きな部分を占めることになり、記録分解能が悪化する傾向があり、３０ｎｍであると、磁性粒子が大きくなりノイズが増大する傾向がある。
【００４５】
また、第１の垂直磁気記録層と第２の垂直磁気記録層、及び各磁性層との間には、任意の中間層を設けることができる。このような中間層として、例えばＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，ＣｒＭｏ，ＣｒＷ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ、及びＣｏＣｒＰｔＢ等があげられる。このような中間層を設けることにより、中間層から偏析源を供給することができ、偏析構造を促進することができる。
【００４６】
また、中間層の厚さは、好ましくは０．１ないし５ｎｍである。０．１ｎｍ未満であると、中間層による偏析構造促進の効果は現れず、５ｎｍを超えると、上層側の磁性記録層の結晶性が乱れて記録分解能が悪化する傾向がある。
【００４７】
さらに、第１の垂直磁気記録媒体と非磁性基板との間には、任意に、非磁性下地層等を設けることができる。
【００４８】
下地層としては、例えばＴｉ，ＴｉＣｒ，Ｒｕ，ＲｕＣｒ，Ｈｆ，ＮｉＡｌ、ＮｉＴａ，ＮｉＮｂ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔＢを使用することができる。
【００４９】
本発明に用いられる非磁性下地層の好ましい厚さは、１ないし５０ｎｍ、さらに好ましくは５ないし３０ｎｍである。１ｎｍ未満であると、非磁性下地層の結晶性が悪く、よって磁性記録層の結晶性も悪くなり、ノイズが大きくなる傾向があり、５０ｎｍを超えると、磁性記録層の磁性粒子が大きくなりノイズが増大する傾向がある。
【００５０】
また、本発明の第２の観点に係る発明は、非磁性基板と第１の垂直磁気記録層との間に軟磁性裏打ち層を設けないこと以外は、第１の観点に係る発明と同様の構成を有する。
【００５１】
図４に、本発明の垂直磁気記録媒体のさらにまた他の一例の構成を表す概略断面図を示す。
【００５２】
図示するように、この垂直磁気記録媒体４０は、軟磁性裏打ち層７を設けないこと以外は、図１と同様の構成を有する。
【００５３】
この垂直磁気記録媒体は、垂直磁気記録層と軟磁性裏打ち層を具備する、いわゆる垂直二層媒体を構成しないので、垂直二層媒体による記録再生効率の向上は期待できないけれども、第１の観点に係る垂直磁気記録媒体と同様に、第２の垂直磁気記録層の磁性結晶粒子を微細化して、その記録分解能を改善し、垂直磁気記録層全体の磁気異方性を促進することによって熱ゆらぎ耐性を改善し、かつ磁気記録層特に第２の磁気記録層の偏析構造を促進することによって媒体ノイズを改善し得る。
【００５４】
また、本発明の第３の観点に係る磁気記録再生装置は、非磁性基板と、非磁性基板上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルトを主に含む第１の垂直磁気記録層と、第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属を含む結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁気ヘッドを垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備する。
【００５５】
図５に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００５６】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録を行う例えば単磁極型記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００５７】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００５８】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図４中、１２８は蓋体を示している。
【００５９】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００６０】
【実施例】
実施例１
２．５インチ磁気ディスク用のガラス基板からなる非磁性基板を用意した。
【００６１】
１×１０−５Ｐａの真空度の真空チャンバー内に非磁性基板を設置し、基板温度を２５０℃まで加熱して、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリングを行った。
【００６２】
まず，非磁性基板をターゲットに対向するように配置し、ＤＣ５００Ｗでターゲットに放電し、強磁性層用非磁性下地層として、厚さ４０ｎｍのＣｒ膜を形成した。その上に厚さ２５ｎｍになるようにＣｏＣｒＰｔ強磁性層を形成した。得られたＣｏＣｒＰｔ強磁性層上に、厚さ２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を形成した。
【００６３】
次に、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層上に、第１の下地層としてＤＣ３００ＷでＴｉターゲットに放電し、厚さ５ｎｍのＴｉ層を形成した。得られたＴｉ層上に、第２の下地層として、Ｃｏ−３７ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％ＰｔをＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ２０ｎｍの非磁性ＣｏＣｒＰｔ層を形成した。
【００６４】
その後、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用意し、非磁性ＣｏＣｒＰｔ下地層上に、第１の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１５ｎｍを形成した。
【００６５】
その後、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、第２の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層上に、厚さ９ｎｍのＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層を形成した。
【００６６】
最後に、厚さ７ｎｍのカーボン保護層を形成し、垂直磁気記録媒体を得た。
【００６７】
このように真空容器内で連続してスパッタリングした基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）系潤滑層を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気録媒体を得た。
【００６８】
図６に、実施例１に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す断面図を示す。
【００６９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体５０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性膜７、Ｔｉ第１の下地膜８、ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１１、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層１２、Ｃ保護層１３、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００７０】
得られた垂直磁気録媒体の第２の垂直磁気記録層であるＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層の結晶性を、以下のように調べた。
【００７１】
比較として、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅ層を形成しない以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を作成した。
【００７２】
図７に、比較の垂直磁気記録媒体の構成を表す断面図を示す。図示するように、この垂直磁気記録媒体６０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性下地層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層７、Ｔｉ第１の下地層８、ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１１、Ｃ保護層１２、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００７３】
得られた垂直磁気記録媒体５０及び６０に対して、Ｘ線回折測定を行い、垂直磁気記録層のＣｏ（０００２）強度を観測した。垂直磁気記録媒体４０に対して、Ｃｏの（０００２）ピーク強度には、第１の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＰｔ層のＣｏと第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅ層のＣｏの両方からの信号が重なって観測される。そこで、垂直磁気記録媒体５０のＸ線回折測定を行い、第１の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＰｔからのＣｏ（０００２）ピーク強度を観測する。これら２つの垂直磁気記録媒体のＣｏ（０００２）ピーク強度の差をとることで、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅのＣｏ（０００２）ピーク強度を調べた。その結果、Ｃｏ（０００２）ピーク強度は１００ｃｐｓ以上であることが明確に確認でき、これにより、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅが非晶質ではなく結晶質であることがわかった。
【００７４】
また、得られた垂直磁気録媒体４０について、電磁石を備えた着磁装置を用いて，円板上基板の半径方向外向きに１５ｋＯｅ（約１．２×１０６Ａ／ｍ）の磁界を印加し，面内硬磁性を示すＣｏＣｒＰｔ強磁性層に、半径方向への磁化を行った。着磁された垂直磁気記録媒体について，磁気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラック幅０．２μｍの単磁極ヘッドを用いて、記録再生特性の評価を行った。その結果、記録分解能を示す指標である微分波形の半値幅ｄＰＷ５０が８９ｎｍ，ＳＮＲｍ（Ｓ：５０ｋＦＣＩ、Ｎ：４００ｋＦＣＩの周波数で信号を記録した場合の積分ノイズ）が２３．９ｄＢという良好な媒体を得ることができた。さらに、熱揺らぎ指標である低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０５％／ｄｅｃａｄｅであった。得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を下記表１に示す。
【００７５】
比較例１
実施例１と同様の非磁性基板上に、第１の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔ層を２４ｎｍの厚さで形成し、第２の垂直磁気記録層であるＣｏＣｒＣｅ層を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００７６】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、記録分解能を示す指標であるｄＰＷ５０が１０５ｎｍ，ＳＮＲｍが１７．１ｄＢであった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は−０．１５％／ｄｅｃａｄｅであった。得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を下記表１に示す。
【００７７】
比較例２
実施例１と同様の非磁性基板上に、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、第２の垂直磁気記録層であるＣｏＣｒＣｅ層を９ｎｍの厚さで形成し、その上に、第１の垂直磁気記録層であるＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を１５ｎｍの厚さで形成する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００７８】
図８に、比較例２に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す断面図を示す。
【００７９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体７０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層７、Ｔｉ第１の下地層８、ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層１２、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層１１、Ｃ保護層１３、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００８０】
得られた垂直磁気記録媒体７０について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ｄＰＷ５０が１１５ｎｍ，ＳＮＲｍが１５．２ｄＢであった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値が−０．１１％／ｄｅｃａｄｅであった。得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を下記表１に示す。
【００８１】
【表１】
実施例２
希土類元素として、セリウムを使用し、その膜厚を０ないし３０ｎｍで適宜変化させる以外は、実施例１と同様にして、種々の厚さをもつ第２の垂直磁気記録層を有する複数種の垂直磁気記録媒体を作成した。
【００８３】
第２の磁気記録層とＳＮＲｍ及びｄＰＷ５０と、第２磁性層の膜厚との関係を下記表２に示す。
【００８４】
【表２】
上記表２に示すように、第２の磁気記録層の厚さが０．１ないし２０ｎｍの範囲で、ＳＮＲｍに対して改善の効果があることが分かった。特に、第２の磁気記録層の厚さとして、１ｎｍないし１５ｎｍが望ましい。
【００８６】
実施例３
第２の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−９ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、９ｎｍの厚さでＣｏＣｒＰｔＣｅ層を形成する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００８７】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様にして、記録再生特性の評価を行ったところ，ｄＰＷ５０＝８５ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２４．２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、ｄＰＷ５０は、８５ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０６％／ｄｅｃａｄｅであった。
【００８８】
実施例４
第２の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−９ａｔ％Ｃｅ−２ａｔ％Ｔａのターゲットを用い、９ｎｍの厚さでＣｏＣｒＰｔＣｅＴａ層を形成する以外は、実施例１の垂直磁気記録媒体１０と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００８９】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，ｄＰＷ５０＝８３ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２４．４ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、同様の効果は、ＣｏＣｒＰｔＣｅＴａ層の代わりに、９ｎｍの厚さでＣｏＣｒＰｔＣｅＮｂ層を用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０４％／ｄｅｃａｄｅであった。
【００９０】
実施例５
第２の垂直磁気記録層の希土類元素としてセリウムを使用し、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｃｅターゲットのセリウムの組成を０ないし２５ａｔ％で適宜変化させた以外は実施例１と同様にして、第２の垂直記録層として、種々の組成比をもつＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｃｅ層を有する複数の垂直磁気記録媒体を作成した。
【００９１】
得られた垂直磁気記録媒体に対して、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行った。その結果として、セリウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を図９に示す。図９のグラフから、セリウムの組成が０．１ないし２０ａｔ％未満までＳＮＲｍが良い特性を示すことが分かった。また、これら複数の垂直磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に、Ｘ線回折測定を行い、垂直磁気記録層のＣｏ（０００２）強度を観測した。その結果、Ｃｏ（０００２）強度を明確に観測することができた。同様の効果は、セリウムの代わりに、各々、イットリウム、ランタン、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムを用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。
【００９２】
実施例６
希土類元素としてガドリニウムを使用し、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｇｄターゲットを用いて、ガドリニウムの組成を０ないし２５ａｔ％で適宜変化させた以外は実施例５と同様にして、種々の組成のＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−Ｇｄ層を有する複数の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００９３】
得られた垂直磁気記録媒体に対して、実施例５と同様に記録再生特性の評価を行った。その結果として、ガドリニウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を図１０に示す。
【００９４】
図１０のグラフから、ガドリニウムの組成が０．１ないし１０ａｔ％未満で良いＳＮＲｍを示すことがわかった。また、これら複数の垂直磁気記録媒体に対して、実施例５と同様に、Ｘ線回折測定を行い、垂直磁気記録層のＣｏ（０００２）強度を観測した。その結果、Ｃｏ（０００２）強度を明確に観測することができた。同様の効果は、ガドリニウムの代わりに、各々、プラセオジミウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム及びホルミウムを用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。
【００９５】
実施例７
実施例１と同様にして、非磁性基板上に、ＣｏＣｒＰｔ強磁性層及びＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を形成した。
【００９６】
次に、基板を冷却し、基板温度を室温まで低下させた。続いて、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層上に、第１の下地層としてＴｉをＤＣ３００Ｗで放電し、厚さ４ｎｍのＴｉ層を形成した。Ｔｉ層上に、第２の下地層として、Ｃｏ−３７ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％ＰｔをＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ２０ｎｍの非磁性ＣｏＣｒＰｔ層を形成した。
【００９７】
その後、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ−１６ａｔ％Ｃｒのターゲットを用い、酸素を含むアルゴン雰囲気中で、ＣｏＣｒＰｔ層上に、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層１５ｎｍ、続いて、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅのターゲットを用い、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層を９ｎｍ形成した。
【００９８】
最後に、ＣｏＣｒＣｅ垂直磁気記録層上に、Ｃ保護層を７ｎｍの厚さで製膜した。
【００９９】
このように真空容器内で連続して製膜した基板を大気中に取り出した後、ディップ法によりＰＦＰＥ系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気録媒体を得た。
【０１００】
得られた垂直磁気記録媒体は、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層の代わりに、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層が形成されていること以外は、実施例１と同様の構成を有する。
【０１０１】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ，ＳＮＲｍ＝２３．０ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、ｄＰＷ５０は、８２ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０７％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１０２】
また、同様の効果が、セリウムの代わりに、各々、イットリウム、ランタン、プラセオジミウム、ネオジミウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムを用いた垂直磁気記録媒体に対しても得られた。
【０１０３】
得られたｄＰＷ５０とＳＮＲｍの結果を、各々、下記表３に示す。
【０１０４】
【表３】
表３より、希土類元素として、軽希土類例えばイットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム及びガドリニウム等を使用すると、ＳＮＲｍの改善に効果があることが分かった。一方、希土類元素として、重希土類例えばテルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウム等を用いると、ＳＮＲｍの改善よりむしろ、記録分解能ｄＰＷ５０の改善に効果があることが分かった。
【０１０６】
比較例３
第２の垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒＣｅ層の代わりに、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を形成する以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１０７】
得られた従来の垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１６．８ｄＢであった。また、ｄＰＷ５０は、９６ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１７％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１０８】
比較例４
第１の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ−１６ａｔ％Ｃｒのターゲットを用い、酸素を含むアルゴン雰囲気中で、ＣｏＰｔＣｒＯ層を２４ｎｍの厚さで形成し、第２の垂直磁気記録層としてＣｏＣｒＣｅ層を形成しないこと以外は、実施例７と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１０９】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１７．３ｄＢであった。また、ｄＰＷ５０は、９８ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１２％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１０】
実施例８
Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔからなる第１の垂直磁気記録層用ターゲットと、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｃｅからなる第２の垂直磁気記録層用ターゲットとを、ＤＣ３００Ｗで放電し、それぞれ厚さ５ｎｍずつ、交互に３層ずつ合計３０ｎｍになるように形成する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。
【０１１１】
得られた垂直磁気録媒体について、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ，ｄＰＷ５０＝８０ｎｍ、ＳＮＲｍ＝２２ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０４％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１２】
実施例９
非磁性Ｃｒ下地層５、ＣｏＣｒＰｔ強磁性裏打ち層６及びＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層７を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を形成した。図１１に、実施例９に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す図を示す。図示するように、垂直磁気記録媒体７０は、非磁性基板１上に、Ｔｉ第１の下地層８，ＣｏＣｒＰｔ第２の下地層９、ＣｏＣｒＰｔ第１の垂直磁気記録層１１，ＣｏＣｒＣｅ第２の垂直磁気記録層１２、Ｃ保護層１３、及び図示しない潤滑層を順次積層した構成を有する。
【０１１３】
次に、磁気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラック幅０．２μｍのリング型ヘッドを用いて記録再生特性の評価を行ったところ，ＳＮＲｍが２０ｄＢという良好な磁気記録媒体が得られた。また、垂直単層媒体における記録分解能を示す指標である、波形の半値幅ｄＰＷ５０は、８６ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．０７％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１４】
比較例５
非磁性基板上に、第１の垂直磁気記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を２４ｎｍの厚さで形成し、第２の垂直磁気記録層ＣｏＣｒＣｅ層を製膜しない以外は、実施例９と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１１５】
得られた従来の垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１６．８ｄＢであった。また、ＰＷ５０は、１０２ｎｍであり、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１３％／ｄｅｃａｄｅであった。
【０１１６】
【発明の効果】
本発明の垂直磁気記録媒体を用いることにより、熱ゆらぎ耐性及び記録分解能が高く、媒体ノイズの少ない磁気記録再生を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例の構成を表す概略断面図
【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例の構成を表す概略断面図
【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体のさらにまた他の一例の構成を表す概略断面図
【図５】 本発明の磁気記録再生装置の一例を表す概略図
【図６】 実施例１に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す概略断面図
【図７】 従来の垂直磁気記録媒体の構成を表す概略断面図
【図８】 比較例２に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す概略断面図
【図９】 セリウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図１０】 ガドリニウム含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図１１】 実施例９に係る垂直磁気記録媒体の構成を表す図
【符号の説明】
１…非磁性基板、２，１１…第１の垂直磁気記録層、３，１２…第２の垂直磁気記録層、５…強磁性層用非磁性下地層、６…強磁性層、７…軟磁性裏打ち層、８…第１の下地層、９…第２の下地層、１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，１２１…垂直磁気記録媒体、１３…保護層、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸、１２８…蓋体
Claims (15)
- 非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
該軟磁性裏打ち層上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルト、プラチナ、及びクロムからなる、あるいはコバルト、プラチナ、クロム、及び酸素からなる第１の垂直磁気記録層と、
該第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属としてコバルト及びクロムとを含む結晶質の合金を主に含み、該第１の垂直磁気記録層とは異なる第２の垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成され、垂直方向に磁化容易軸を持ち、コバルト、プラチナ、及びクロムからなる、あるいはコバルト、プラチナ、クロム、及び酸素からなる第１の垂直磁気記録層と、
該第１の垂直磁気記録層上に設けられ、垂直方向に磁化容易軸を持ち、希土類元素と遷移金属としてコバルト及びクロムとを含む結晶質の合金を主に含み、該第１の垂直磁気記録層とは異なる第２の垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 前記第２の垂直磁気記録層上に、保護層、潤滑層、または保護層とその上に形成された潤滑層との積層をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記遷移金属は、さらにプラチナを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第２の垂直磁気記録層は、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第２の垂直磁気記録層が、０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記希土類元素は、イットリウム，ランタン，セリウム，プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記希土類元素は、前記結晶質の合金中に０．１ないし２０ａｔ％含まれることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記希土類元素は、イットリウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記希土類元素は、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、及びホルミウムからなる群から選択される少なくとも１種であり、かつ前記結晶質の合金中に０．１ないし１０ａｔ％含まれることを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記結晶質の合金が、タンタル及びニオブのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第１の垂直磁気記録層と前記第２の垂直磁気記録層との間、及び／または前記第２の垂直磁気記録層上に少なくとも一層の磁性層をさらに有することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第２の垂直磁気記録層上に、さらに前記第１の垂直磁気記録層及び前記第２の垂直磁気記録層を積層したことを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録媒体。
- 非磁性基板と、前記第１の垂直磁気記録層との間に、少なくとも１層以上の非磁性下地層を持つことを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、該垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
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