JP4864391B2 - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 Download PDF

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本発明は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と垂直磁気記録膜を有する磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置に関するものである。
垂直磁気記録方式は、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁化遷移領域付近での反磁界が小さくなるため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。
また、基板と垂直磁気記録膜(磁性合金膜)との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けた場合には、いわゆる垂直2層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性材料からなる裏打ち層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、記録再生効率を向上させることができる。
ところで、下記の特許文献1には、非磁性基板と磁性合金膜との間にTi下地膜を設け、Ti下地膜に他の元素を含有させることにより、Ti合金下地膜と磁性合金膜との間の格子の整合性を高め、六方晶系の磁性合金膜のc軸配向性を向上させる方法が提案されている。しかしながら、Ti合金下地膜では、上に設けた中間層や磁性合金膜とのエピタキシャル成長が不十分になりやすく、また磁性合金膜の結晶粒径が肥大化し、その結果、媒体ノイズが大きくなりSNR(記録再生特性)は不十分である。
特許第2669529号公報
また、下記の特許文献2には、下地膜としてNiFeCrが提案されている。しかしながら、NiFeCr下地膜の結晶粒径は約10nmと大きく、したがってこの場合も、磁性合金膜の結晶粒径が肥大化し、その結果媒体ノイズが大きくなりSNRは不十分となっていた。
特開2003−123239号公報
上記のように様々な組成からなる下地膜を用いた垂直磁気記録媒体が提案されているが、磁性合金膜の結晶粒径が大きくなり、SNR特性が悪化していた。
一方、磁性合金膜の結晶粒径を微細化しようとすると、その垂直配向性が悪化する傾向にあり、結晶粒径の微細化と垂直配向性との両立は困難であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、垂直磁気記録膜の、粒径微細化と垂直配向性を両立することができ、記録再生特性を大幅に改善し、情報の高密度化を実現することができる磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
(1)上記目的を達成するために、第1の発明は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と垂直磁気記録膜を有する磁気記録媒体において、前記下地膜は、NiCrB、NiCrBCoの何れかからなって他の元素を含まず、fcc構造を有する結晶構造であり、構成元素のうちNiの組成が最も多く、Bの組成が1at%以上20at%以下であり、Crの組成が10at%以上45at%以下であり、前記中間層は、RuまたはRu合金からなり、前記垂直磁気記録膜は、少なくともCoとPtと酸化物とを含む、ことを特徴としている。
)第の発明は、上記した(1)項に記載の発明の構成に加えて、前記下地膜の膜厚が1nm以上12nm以下である、ことを特徴としている。
)第の発明は、上記した(1)項または(2)項に記載の発明の構成に加えて、前記裏打ち層を構成する軟磁性膜が非結晶質構造である、ことを特徴としている。
)第の発明は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と垂直磁気記録膜を有する磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法において、前記下地膜をNiCrB、NiCrBCoの何れかから形成して他の元素を実質的に含めず、fcc構造を有する結晶構造とし、構成元素のうちNiの組成を最も多くし、Bの組成を1at%以上20at%以下とし、Crの組成を10at%以上45at%以下とし、前記中間層を、RuまたはRu合金から形成し、前記垂直磁気記録膜を、少なくともCoとPtと酸化物とを含むものとする、ことを特徴としている。
)第の発明は、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、請求項1乃至の何れか1項に記載の磁気記録媒体である、ことを特徴としている。
本発明によれば、下地膜をNiCrB、NiCrBCoの何れかから形成し、その結晶構造をfcc構造としたので、垂直磁気記録膜の、粒径微細化と垂直配向性を両立させることができ、記録再生特性を大幅に改善し、情報の高密度化を実現することができる。
図1は本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示す図である。ここに示されている磁気記録媒体は、非磁性基板1上に、第1軟磁性膜21、Ru膜22および第2軟磁性膜23からなる裏打ち層2と、下地膜(配向制御層)3と、中間層4と、垂直磁気記録膜5と、保護膜6と潤滑膜とが順次形成された構成となっている。
非磁性基板1としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。
非磁性基板1は、平均表面粗さRaが0.8nm以下、好ましくは0.5nm以下であることがヘッドを低浮上させた高記録密度の記録再生に適している点から望ましい。
また、表面の微小うねり(Wa)が0.3nm以下(より好ましくは0.25nm以下)であるのがヘッドを低浮上させた高記録密度の記録再生に適している点から好ましい。
第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23は、軟磁性材料からなるもので、この材料としてはFe、Co、Niを含む材料を挙げることができる。この材料としては、FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCuなど)、FeTa合金(FeTaN、FeTaCなど)、Co合金(CoTaZr、CoZrNb、CoBなど)を挙げることができる。
第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23は、アモルファス構造であることが特に好ましい。アモルファス構造とすることで、その上に設けられた下地膜3の粒径の肥大化、配向の悪化などの悪影響を及ぼすことが無いためである。さらに、アモルファス構造とすることで、表面粗さRaが大きくなることを防ぎ、ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、さらに高記録密度化が可能となるためである。
第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23の保磁力Hcは30Oe以下(好ましくは10Oe以下)とするのが好ましい。なお、1Oeは、約79A/mである。
第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23の飽和磁束密度Bsは、0.6T以上(好ましくは1T以上)とするのが好ましい。
裏打ち層2を構成する第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23の総膜厚は20nm以上120nm以下(好ましくは30nm以上100nm以下)であることが好ましい。第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23の総膜厚が20nm未満であると、OW特性(OverWrite)特性が低下するために好ましくない。120nmを超えると、生産性を大きく悪化させるために好ましくない。
第1軟磁性膜21および第2軟磁性膜23の形成方法としては、スパッタリング法を用いることができる。
裏打ち層2を形成する際に、半径方向に磁界を与えた状態で成膜することもできる。
裏打ち層2は少なくとも2層の軟磁性膜と2層の軟磁性膜の間にRu膜22が設けられた構成からなることが好ましい。なお、このRu膜22に代えてRe膜を設けるようにしてもよい。軟磁性膜21,23の間にRu膜22またはRe膜を設け、所定の厚さに設定することで、上下に設けられた軟磁性膜21,23を反強磁性結合させることができるためである。このような構成とすることで、垂直磁気記録媒体特有の問題であるWATE(Wide Area Track Erasure)の現象をより改善することが可能となる。
下地膜3は、上に設けられた垂直磁気記録膜5の配向や結晶サイズを制御するためのものである。下地膜3に用いられる材料は、NiCrB、NiCrBCoのいずれかからなり、fcc構造を有する結晶構造であることが好ましい。fcc構造以外の構造(例えば、bcc構造やアモルファス構造)であると、垂直磁気記録膜5の配向が不十分となり、その結果、SNRの低下や保磁力の低下を生じるので好ましくない。
下地膜3はNiの組成が最も多いことが好ましい。Ni組成が他の元素の組成より少ない場合、結晶構造が乱れたり、結晶粒径の肥大化が生じるためである。
下地膜3のB組成は1at%以上20at%以下であることが好ましい。B組成が1at%未満であるとBによる結晶粒微細化の効果が不十分であり、SNRの改善を得ることができないため好ましくない。なお、下地膜3の結晶粒が微細化されると、垂直磁気記録膜5の結晶サイズも制御され微細化されるようになる。
下地膜3のCr組成が10at%以上45at%以下であることが好ましい。Cr組成が10at%未満であると下地膜の磁化が大きくなり、ノイズが発生するので好ましくない。またCr組成が45at%を超えるとfccの結晶構造が乱れて、垂直磁気記録膜5の配向が悪化するために好ましくない。
下地膜3の膜厚は1nm以上12nm以下であることが好ましい。下地膜3が1nm未満であると、下地膜3としての効果が不十分となり、粒径の微細化の効果を得ることができず、また配向も悪化するので好ましくない。また、下地膜3の厚さが12nmを超えると、記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層2の距離が大きくなるため、OW特性や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
中間層4は、垂直磁気記録膜5の配向および粒径を制御するためのものである。中間層4の材料としては、RuまたはRu合金が好ましい。
中間層4の厚さを2nm以上30nm(特に10〜20nm)とするのが好ましい。中間層4の厚さが上記範囲であるとき、垂直磁気記録膜5の配向性が良好で、かつ記録時における磁気ヘッドと裏打ち層2との距離を小さくすることができるので、再生信号の分解能を低下させることなく記録再生特性を高めることができるからである。
中間層4は、Ruと酸化物のグラニュラー構造としてもよい。酸化物としては、SiO2、Al23、Cr23、CoO、Ta25などを挙げることができる。
垂直磁気記録膜5は磁化容易軸を基板面に対し垂直方向に有している。構成元素としては、少なくともCoとPtと酸化物を含んでおり、さらにSNR特性改善などの目的でCr、B、Cu、Ta、Zrを添加することもできる。
垂直磁気記録膜5を構成する酸化物としては、SiO2、SiO、Cr23、CoO、Ta23、TiO2を挙げることができる。酸化物の体積率は15〜40体積%であることが好ましい。酸化物の体積率が15体積%未満であると、SNR特性が不十分となるため好ましくない。酸化物の体積率が40体積%を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
垂直磁気記録膜5のニュークリエーション磁界(−Hn)は1.5kOe以上であることが好ましい。−Hnが1.5kOe未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。
垂直磁気記録膜5の厚さは6〜18nmであることが好ましい。酸化物グラニュラー層の厚さがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、OW特性の悪化が生じないために好ましい。
垂直磁気記録膜5は、単層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる2層以上の構造とすることもできる。
保護膜6は垂直磁気記録膜5の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばC、SiO2、ZrO2を含むものが使用可能である。保護層6の厚さは、1nm以上5nm以下とするのがヘッドと媒体の距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
潤滑膜には従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
本形態の磁気記録媒体にあっては、少なくとも裏打ち層2と下地膜3と中間層4と垂直磁気記録膜5を有する垂直磁気記録媒体において、下地膜3がNiCrB、NiCrBCoのいずれかからなり、fcc構造を有する結晶構造であることを特徴とする磁気記録媒体であるので、垂直磁気記録膜5の、粒径微細化と垂直配向性を両立させることができ、記録再生特性を大幅に改善し、情報の高密度化を実現することができる。
図2は磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示す図である。ここに示す磁気記録再生装置は、磁気記録媒体10と、磁気記録媒体10を回転駆動させる媒体駆動部11と、磁気記録媒体10に情報を記録再生する磁気ヘッド12と、ヘッド駆動部13と、記録再生信号処理系14とを備えている。記録再生信号処理系14は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド12に送ったり、磁気ヘッド12からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1) ガラス基板(オハラ社製結晶化基板TS10−SX、直径2.5インチ)をDCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3010)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10-5Paとなるまで成膜チャンバ内を排気した。この基板上に第1軟磁性膜として89Co−4Zr−7Nb(Co含有量89at%、Zr含有量4at%、Nb含有量7at%)を50nm、Ru膜を0.8nm、第2軟磁性膜として89Co−4Zr−7Nbを50nm成膜して裏打ち層を形成した。裏打ち層の磁化容易軸が基板半径方向であることを振動式磁気特性測定装置(VSM)で確認した。裏打ち層の結晶構造がアモルファス構造であることをXRDで確認した。
次いで、下地膜として60Ni−35Cr−5Bを5nm、中間膜としてRuを15nm、垂直磁気記録膜として60Co−10Cr−20Pt−10SiO2を12nm成膜した。次いで、CVD法により4nmの保護膜を形成した。
次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、垂直磁気記録媒体を得た。
(比較例1) 下地膜を設けなかったこと以外は、実施例1に準じて磁気記録媒体を作製した。
(比較例2〜5) 下地膜にNiCr(比較例2)、NiCrFe(比較例3)、NiCrCo(比較例4)、NiB(比較例5)を用いたこと以外は実施例1に準じて磁気記録媒体を作製した。
これら実施例1および比較例2〜5の磁気記録媒体について、膜構造および記録再生特性を評価した。膜構造の評価にはXRD解析および平面TEM観察を用い、下地膜の結晶構造、垂直磁気記録膜の配向性および粒径を調べた。記録再生特性の評価は、米国GUZIK社製リードライトアナライザRWA1632、およびスピンスタンドS1701MPを用いて測定した。
記録再生特性の評価には、書き込みをシングルポール磁極、再生部にGMR素子を用いたヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度900kFCIとして測定した。評価結果を図3に示す。
図3から、実施例1は、比較例1〜5に比較して配向、粒径が改善し、SNRが上回ることが確認できた。この結果より、下地にNiCrBを用いることで、配向および粒径の改善がSNRの改善をもたらしていることがわかった。
(実施例2〜10) 下地膜の組成を変えたこと以外は実施例1に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を図4に示す。
図4に示すように、Cr組成が10〜45at%、B組成が1〜20at%とすることで、優れた特性を得ることができた。
(実施例11〜13) 下地膜の厚さを変えたこと以外は実施例1に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を図5に示す。
図5に示すように、下地膜の厚さが1〜12nmとすることで、優れた特性を得ることができた。
(実施例14〜19) 裏打ち層を構成する軟磁性膜の材料を変えた以外は実施例1に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を図6に示す。
図6に示すように、裏打ち層がアモルファス構造であることが確認された実施例14〜18は、優れた特性を得ることができた。
本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示す図である。 磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示す図である。 実施例1および比較例2〜5の評価結果を示す図である。 実施例2〜10の評価結果を示す図である。 実施例11〜13の評価結果を示す図である。 実施例14〜19の評価結果を示す図である。
符号の説明
1 非磁性基板
2 裏打ち層
21 第1軟磁性層
22 Ru層
23 第2軟磁性層
3 下地膜
4 中間層
5 垂直磁気記録膜
6 保護膜

Claims (5)

  1. 非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と垂直磁気記録膜を有する磁気記録媒体において、
    前記下地膜は、
    NiCrB、NiCrBCoの何れかからなって他の元素を含まず、fcc構造を有する結晶構造であり、
    構成元素のうちNiの組成が最も多く、
    Bの組成が1at%以上20at%以下であり、
    Crの組成が10at%以上45at%以下であり、
    前記中間層は、RuまたはRu合金からなり、
    前記垂直磁気記録膜は、少なくともCoとPtと酸化物とを含む、
    ことを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 前記下地膜の膜厚が1nm以上12nm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
  3. 前記裏打ち層を構成する軟磁性膜が非結晶質構造である、請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
  4. 非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と垂直磁気記録膜を有する磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法において、
    前記下地膜をNiCrB、NiCrBCoの何れかから形成して他の元素を含めず、fcc構造を有する結晶構造とし、
    構成元素のうちNiの組成を最も多くし、
    Bの組成を1at%以上20at%以下とし、
    Crの組成を10at%以上45at%以下とし、
    前記中間層を、RuまたはRu合金から形成し、
    前記垂直磁気記録膜を、少なくともCoとPtと酸化物とを含むものとする、
    ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  5. 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、請求項1乃至3の何れか1項に記載の磁気記録媒体である、ことを特徴とする磁気記録再生装置。
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